JPH0878393A - プラズマエッチング装置 - Google Patents
プラズマエッチング装置Info
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- JPH0878393A JPH0878393A JP21223394A JP21223394A JPH0878393A JP H0878393 A JPH0878393 A JP H0878393A JP 21223394 A JP21223394 A JP 21223394A JP 21223394 A JP21223394 A JP 21223394A JP H0878393 A JPH0878393 A JP H0878393A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 エッチング室と、このエッチング室の所定箇
所に形成され、前記エッチング室で発生したプラズマ光
を導光する導光器と、この導光器はプラズマ光が入射す
る入射面とプラズマ光を出射する出射面を有しており、
前記出射面からのプラズマ光を検知する検知器を有する
プラズマエッチング装置において、前記入射面が凹凸部
を有していることを特徴とするプラズマエッチング装
置。 【効果】 本発明を用いると、マイクロローディング効
果により、スリットを有する導光器８へのエッチング生
成物の堆積を抑制することができる。その結果、エッチ
ング生成物が堆積するようなエッチング条件において
も、エッチング終点を検知することが可能なプラズマエ
ッチング装置を提供することができる。
所に形成され、前記エッチング室で発生したプラズマ光
を導光する導光器と、この導光器はプラズマ光が入射す
る入射面とプラズマ光を出射する出射面を有しており、
前記出射面からのプラズマ光を検知する検知器を有する
プラズマエッチング装置において、前記入射面が凹凸部
を有していることを特徴とするプラズマエッチング装
置。 【効果】 本発明を用いると、マイクロローディング効
果により、スリットを有する導光器８へのエッチング生
成物の堆積を抑制することができる。その結果、エッチ
ング生成物が堆積するようなエッチング条件において
も、エッチング終点を検知することが可能なプラズマエ
ッチング装置を提供することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造工程
に使用される、エッチング終点検知器を有するプラズマ
エッチング装置に関する。
に使用される、エッチング終点検知器を有するプラズマ
エッチング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、ドライエッチング技術は半導体装
置の微細加工技術の１つの鍵を握る主要なプロセス技術
になっている。被エッチング材料も酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ2 ）や窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）などの絶縁膜の他
に、アルミ（Ａｌ）やモリブデン（Ｍｏ）などの配線材
料など種類も増えている。またトレンチ構造での溝掘り
プロセスなどデバイス構造を形成する上でも不可欠な技
術になっている。
置の微細加工技術の１つの鍵を握る主要なプロセス技術
になっている。被エッチング材料も酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ2 ）や窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）などの絶縁膜の他
に、アルミ（Ａｌ）やモリブデン（Ｍｏ）などの配線材
料など種類も増えている。またトレンチ構造での溝掘り
プロセスなどデバイス構造を形成する上でも不可欠な技
術になっている。
【０００３】ドライエッチング技術には、エッチングガ
スに高周波電界を印加して発生させたプラズマ中の活性
粒子の化学反応のみを利用した反応性プラズマエッチン
グ技術があり、この技術を用いた装置が反応性プラズマ
エッチング装置（以後プラズマエッチング装置と称す
る）である。
スに高周波電界を印加して発生させたプラズマ中の活性
粒子の化学反応のみを利用した反応性プラズマエッチン
グ技術があり、この技術を用いた装置が反応性プラズマ
エッチング装置（以後プラズマエッチング装置と称す
る）である。
【０００４】図６に従来のプラズマエッチング装置の断
面を示す。１はエッチング室、２は上部電極、３は下部
電極である。高周波電源４は上部電極２と下部電極３間
に接続されており、上部電極２は接地されている。この
様な構造をカソードカップル方式と称する。上部電極２
にはエッチングガス導入口５が、またエッチング室１左
部にはガス排気口６がそれぞれ設けられており、図中矢
印はガスの導入方向および排気方向を示している。下部
電極３上には被エッチング試料７が載置されている。エ
ッチング室１の右部には覗き窓８がはめ込まれている。
この覗き窓８近傍にはホトトランジスター９が設置され
ており、テスター１０と電線１６で接続されている。
面を示す。１はエッチング室、２は上部電極、３は下部
電極である。高周波電源４は上部電極２と下部電極３間
に接続されており、上部電極２は接地されている。この
様な構造をカソードカップル方式と称する。上部電極２
にはエッチングガス導入口５が、またエッチング室１左
部にはガス排気口６がそれぞれ設けられており、図中矢
印はガスの導入方向および排気方向を示している。下部
電極３上には被エッチング試料７が載置されている。エ
ッチング室１の右部には覗き窓８がはめ込まれている。
この覗き窓８近傍にはホトトランジスター９が設置され
ており、テスター１０と電線１６で接続されている。
【０００５】エッチングは、エッチング室１にエッチン
グガスを供給した状態で、高周波電源により上部電極２
と下部電極３間に高周波電界を印加して、イオンや活性
原子、あるいは分子のラジカルなどを発生させ、被エッ
チング試料との化学反応により、蒸気圧より高い物質を
生成して行われる。このとき、被エッチング試料はプラ
ズマエッチング中に置かれることになるが、被エッチン
グ試料とプラズマ電位との電位差は小さく（〜数十
Ｖ）、イオンによる衝撃の効果は殆ど無く、ラジカルに
よる反応性エッチングが主体となり、等方性エッチング
ができる。エッチング中はプラズマ発光による光が発生
し、その光の強さを示すプラズマ発光強度は被エッチン
グ試料の表面状態が変化することで変動する。
グガスを供給した状態で、高周波電源により上部電極２
と下部電極３間に高周波電界を印加して、イオンや活性
原子、あるいは分子のラジカルなどを発生させ、被エッ
チング試料との化学反応により、蒸気圧より高い物質を
生成して行われる。このとき、被エッチング試料はプラ
ズマエッチング中に置かれることになるが、被エッチン
グ試料とプラズマ電位との電位差は小さく（〜数十
Ｖ）、イオンによる衝撃の効果は殆ど無く、ラジカルに
よる反応性エッチングが主体となり、等方性エッチング
ができる。エッチング中はプラズマ発光による光が発生
し、その光の強さを示すプラズマ発光強度は被エッチン
グ試料の表面状態が変化することで変動する。
【０００６】エッチング室１内部のエッチング状況を把
握する方法として、エッチング中のプラズマ発光強度の
変化をモニターする方法、エッチング中の自己バイアス
（上部電極２と下部電極３間の電圧）の変化をモニター
する方法等がある。一般に普及しているのは、プラズマ
発光強度をモニターする方法である。この方法は、被エ
ッチング膜をエッチングしている時と、被エッチング膜
の終点よりオーバーエッチングしている時とでのプラズ
マ中の発光強度の変化量が大きい波長の光をフィルター
を用いて選択しモニターするもので、この場合、光はエ
ッチング終点検知器なるものによって検知される。この
エッチング終点検知器は、導光器８、ホトトランジスタ
ー９、テスター１０、電線１６により構成される。被エ
ッチング試料７上で発生した光は、導光器８からエッチ
ング室１外部に放射される。その光をホトトランジスタ
ー９が受光し、電気信号に変換してテスター１０によっ
て形而下に示す。導光器８は石英のような透過率のよい
材質により形成される。
握する方法として、エッチング中のプラズマ発光強度の
変化をモニターする方法、エッチング中の自己バイアス
（上部電極２と下部電極３間の電圧）の変化をモニター
する方法等がある。一般に普及しているのは、プラズマ
発光強度をモニターする方法である。この方法は、被エ
ッチング膜をエッチングしている時と、被エッチング膜
の終点よりオーバーエッチングしている時とでのプラズ
マ中の発光強度の変化量が大きい波長の光をフィルター
を用いて選択しモニターするもので、この場合、光はエ
ッチング終点検知器なるものによって検知される。この
エッチング終点検知器は、導光器８、ホトトランジスタ
ー９、テスター１０、電線１６により構成される。被エ
ッチング試料７上で発生した光は、導光器８からエッチ
ング室１外部に放射される。その光をホトトランジスタ
ー９が受光し、電気信号に変換してテスター１０によっ
て形而下に示す。導光器８は石英のような透過率のよい
材質により形成される。
【０００７】被エッチング試料７がシリコンの場合、エ
ッチングガスとしては、多くの場合フロロカーボンガス
（ＣＦ4 ） が用いられる。このフロロカーボンガスは
プラズマ中で次のように解離して活性なＦ* ラジカルを
発生する。
ッチングガスとしては、多くの場合フロロカーボンガス
（ＣＦ4 ） が用いられる。このフロロカーボンガスは
プラズマ中で次のように解離して活性なＦ* ラジカルを
発生する。
【０００８】 ＣＦ4 ←→ＣＦ3+＋Ｆ* ＋ｅ （１） このＦ* ラジカルは、次のような化学反応によって揮発
性のフッ化シリコン（ＳｉＦ4 ）を生成し、エッチング
が行われる。
性のフッ化シリコン（ＳｉＦ4 ）を生成し、エッチング
が行われる。
【０００９】 Ｓｉ＋４Ｆ* →ＳｉＦ4 ↑ （２） ＳｉＯ2 ＋４Ｆ* →ＳｉＦ4 ↑＋Ｏ2 ↑ （３） Ｓｉ3 Ｎ4 ＋１２Ｆ* →３ＳｉＦ4 ↑＋２Ｎ2 ↑ （４） そこで、一般的にはシリコンのエッチング速度を増大さ
せるために、フロロカーボンガスに酸素（Ｏ2 ）を添加
することが多く、酸素を添加するとＦ* の発生量は次式
により律則される。
せるために、フロロカーボンガスに酸素（Ｏ2 ）を添加
することが多く、酸素を添加するとＦ* の発生量は次式
により律則される。
【００１０】 ＣＦ4 →ＣＦ3+＋Ｆ* ＋ｅ （５） ＣＦ3+＋Ｏ＋ｅ→ＣＯＦ2 ＋Ｆ* （６） この反応によりＦ* の量を増加させることができる。
【００１１】しかしながら、ＣＦ4 やＣＯＦ2 などのフ
ロロカーボンガスはエッチング生成物としてエッチング
室１内面および覗き窓８に付着し堆積する。図７はエッ
チング後の導光器８の斜視図である。１１は光が入射す
る導光器入射面で、１４はその光を外部に出射する導光
器出射面である。１５はエッチング生成物である。導光
器入射面１１は、部分的に露出しているが、エッチング
時間が長くなると完全に被覆される。この結果、図５
（図中、破線参照）に示すように、エッチング時間（放
電時間）が長くなると、導光器入射面１１に入射する光
は、エッチング生成物によって遮断され、ホトトランジ
スター９に入射する光の強度（発光強度）が著しく低下
し、プラズマ発光強度の変化をモニターできなくなる。
通常、導光器８はエッチング室１の気密性を高めるため
に、エッチング室１に完全に固定されており交換は非常
に困難であり、また、導光器８の表面に堆積したエッチ
ング生成物の除去にも手間がかかる。
ロロカーボンガスはエッチング生成物としてエッチング
室１内面および覗き窓８に付着し堆積する。図７はエッ
チング後の導光器８の斜視図である。１１は光が入射す
る導光器入射面で、１４はその光を外部に出射する導光
器出射面である。１５はエッチング生成物である。導光
器入射面１１は、部分的に露出しているが、エッチング
時間が長くなると完全に被覆される。この結果、図５
（図中、破線参照）に示すように、エッチング時間（放
電時間）が長くなると、導光器入射面１１に入射する光
は、エッチング生成物によって遮断され、ホトトランジ
スター９に入射する光の強度（発光強度）が著しく低下
し、プラズマ発光強度の変化をモニターできなくなる。
通常、導光器８はエッチング室１の気密性を高めるため
に、エッチング室１に完全に固定されており交換は非常
に困難であり、また、導光器８の表面に堆積したエッチ
ング生成物の除去にも手間がかかる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
技術では導光器にエッチング生成物が堆積すると、プラ
ズマ光がホトトランジスターに到達しなくなっていた。
その結果、エッチング終点を検知することができなかっ
た。本発明は、上記欠点を除去し、エッチング生成物が
堆積しにくい導光器を有するプラズマエッチング装置を
提供することを目的とする。
技術では導光器にエッチング生成物が堆積すると、プラ
ズマ光がホトトランジスターに到達しなくなっていた。
その結果、エッチング終点を検知することができなかっ
た。本発明は、上記欠点を除去し、エッチング生成物が
堆積しにくい導光器を有するプラズマエッチング装置を
提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、第１の発明では、エッチング室と、このエッチング
室の所定箇所に形成され、前記エッチング室で発生した
プラズマ光を導光する導光器と、この導光器はプラズマ
光が入射する入射面とプラズマ光を出射する出射面を有
しており、前記出射面からのプラズマ光を検知する検知
器を有するプラズマエッチング装置において、前記入射
面が凹凸部を有していることを特徴とするプラズマエッ
チング装置を提供し、第２の発明では、エッチング室
と、このエッチング室の所定箇所に形成され、前記エッ
チング室で発生したプラズマ光を導光する第１の導光器
と、この第１の導光器はプラズマ光が入射する入射面と
プラズマ光を出射する出射面を有しており、前記出射面
からのプラズマ光を検知する検知器を有するプラズマエ
ッチング装置において、前記入射面上に凹凸部を有する
第２の導光器が載設されていることを特徴とするプラズ
マエッチング装置を提供する。
に、第１の発明では、エッチング室と、このエッチング
室の所定箇所に形成され、前記エッチング室で発生した
プラズマ光を導光する導光器と、この導光器はプラズマ
光が入射する入射面とプラズマ光を出射する出射面を有
しており、前記出射面からのプラズマ光を検知する検知
器を有するプラズマエッチング装置において、前記入射
面が凹凸部を有していることを特徴とするプラズマエッ
チング装置を提供し、第２の発明では、エッチング室
と、このエッチング室の所定箇所に形成され、前記エッ
チング室で発生したプラズマ光を導光する第１の導光器
と、この第１の導光器はプラズマ光が入射する入射面と
プラズマ光を出射する出射面を有しており、前記出射面
からのプラズマ光を検知する検知器を有するプラズマエ
ッチング装置において、前記入射面上に凹凸部を有する
第２の導光器が載設されていることを特徴とするプラズ
マエッチング装置を提供する。
【００１４】
【作用】本発明で提供するプラズマエッチング装置を用
いると、導光器入射面に凹凸部が形成されているため
に、マイクロローディング効果により、エッチングによ
って生成されたエッチング生成物が、凹部に堆積しにく
くなる。その結果、エッチング生成物が堆積する条件下
においても、プラズマ光を安定して検知器に供給するこ
とができる。
いると、導光器入射面に凹凸部が形成されているため
に、マイクロローディング効果により、エッチングによ
って生成されたエッチング生成物が、凹部に堆積しにく
くなる。その結果、エッチング生成物が堆積する条件下
においても、プラズマ光を安定して検知器に供給するこ
とができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は第１の実施例のプラズマエッチング装置の
断面を示す。１はエッチング室、２は上部電極、３は下
部電極である。高周波電源４は上部電極２と下部電極３
間に接続されており、上部電極２は接地されている。こ
の様な構造をカソードカップル方式と称する。上部電極
２にはエッチングガス導入口５が、またエッチング室１
左部にはガス排気口６がそれぞれ設けられており、図中
矢印はガスの導入方向および排気方向を示している。下
部電極３上には被エッチング試料７が載置されている。
エッチング室１の右部には石英製の導光器８がはめ込ま
れている。導光器入射面１１には溝状の細いスリットが
無数に設けられている。この導光器８の近傍にはホトト
ランジスター９が設置されている。このホトトランジス
ター９はテスター１０と電線１６で接続されている。
する。図１は第１の実施例のプラズマエッチング装置の
断面を示す。１はエッチング室、２は上部電極、３は下
部電極である。高周波電源４は上部電極２と下部電極３
間に接続されており、上部電極２は接地されている。こ
の様な構造をカソードカップル方式と称する。上部電極
２にはエッチングガス導入口５が、またエッチング室１
左部にはガス排気口６がそれぞれ設けられており、図中
矢印はガスの導入方向および排気方向を示している。下
部電極３上には被エッチング試料７が載置されている。
エッチング室１の右部には石英製の導光器８がはめ込ま
れている。導光器入射面１１には溝状の細いスリットが
無数に設けられている。この導光器８の近傍にはホトト
ランジスター９が設置されている。このホトトランジス
ター９はテスター１０と電線１６で接続されている。
【００１６】図２はエッチング後の導光器８を示す拡大
斜視図である。スリットは導光器入射面１１に形成され
た凸部１２と凹部１３により構成される。凸部１２には
エッチング生成物１５が堆積するため凸部１２からは殆
どプラズマ光は入射しない。
斜視図である。スリットは導光器入射面１１に形成され
た凸部１２と凹部１３により構成される。凸部１２には
エッチング生成物１５が堆積するため凸部１２からは殆
どプラズマ光は入射しない。
【００１７】図３はエッチング後の導光器８を示す拡大
断面図であり、図２の断面図である。凹部１３にはエッ
チング生成物１５は堆積しないので、ここからプラズマ
光が入射可能であることが判る。このように、溝状のス
リットを設けることで、凹部１３にエッチング生成物１
５が堆積しないことをマイクロローディング効果とい
う。この効果によりプラズマ光の入射面積を確保するこ
とができ、長時間エッチングを行う際にプラズマ光が遮
断されにくくなる。マイクロローディング効果を得るた
めのスリットの形状は、溝状以外に穴状であってもよ
い。さらに、導光器は必ずしも１つである必要はなく、
例えばスリットを有する別の導光器を導光器入射面１１
上に載置してもよい。以下にその実施例を示す。
断面図であり、図２の断面図である。凹部１３にはエッ
チング生成物１５は堆積しないので、ここからプラズマ
光が入射可能であることが判る。このように、溝状のス
リットを設けることで、凹部１３にエッチング生成物１
５が堆積しないことをマイクロローディング効果とい
う。この効果によりプラズマ光の入射面積を確保するこ
とができ、長時間エッチングを行う際にプラズマ光が遮
断されにくくなる。マイクロローディング効果を得るた
めのスリットの形状は、溝状以外に穴状であってもよ
い。さらに、導光器は必ずしも１つである必要はなく、
例えばスリットを有する別の導光器を導光器入射面１１
上に載置してもよい。以下にその実施例を示す。
【００１８】図４は第２の実施例の２つの導光器を用い
た場合のエッチング後の導光器を示す拡大斜視図であ
る。凹凸部を有しない導光器（以後第１の導光器とす
る）８の導光器入射面１１上に、第１の導光器８をエッ
チング生成物から保護するために第２の導光器１７が載
置されている。この第２の導光器１７には孔が設けられ
ている。この孔は保護板１７を貫通しており、導光器入
射面１１の所定箇所は露出している。エッチング生成物
１５は第２の導光器１７上に堆積しているが、導光器入
射面１１には殆ど堆積しない。従って、導光器を１つだ
け用いた第１の実施例と同様の効果を得ることができ
る。さらに、本実施例ではエッチング生成物１５によっ
て第２の導光器１７の孔が目詰まりを起こしても、第２
の導光器１７の交換が容易なため、直ちにエッチングを
始めることができる。したがってスループットの面でも
効果が絶大である。
た場合のエッチング後の導光器を示す拡大斜視図であ
る。凹凸部を有しない導光器（以後第１の導光器とす
る）８の導光器入射面１１上に、第１の導光器８をエッ
チング生成物から保護するために第２の導光器１７が載
置されている。この第２の導光器１７には孔が設けられ
ている。この孔は保護板１７を貫通しており、導光器入
射面１１の所定箇所は露出している。エッチング生成物
１５は第２の導光器１７上に堆積しているが、導光器入
射面１１には殆ど堆積しない。従って、導光器を１つだ
け用いた第１の実施例と同様の効果を得ることができ
る。さらに、本実施例ではエッチング生成物１５によっ
て第２の導光器１７の孔が目詰まりを起こしても、第２
の導光器１７の交換が容易なため、直ちにエッチングを
始めることができる。したがってスループットの面でも
効果が絶大である。
【００１９】図５に第１および第２の実施例におけるエ
ッチング時間（放電時間）に対するホトトランジスター
９に入射する光の強度（発光強度）特性を示す。エッチ
ング条件は、被エッチング試料７にエッチング中のプラ
ズマ光の発光強度の変化を防ぐために、シリコン（Ｓ
ｉ）のブランクウェハ（パターニングされていない生ウ
ェハ）を使用し、被エッチング試料７を下部電極３上に
載せて、エッチング室１内にエッチング生成物が堆積す
るガスを用いてエッチングを行った。この時、使用した
ガスはフロロカーボンを基本とし、構成をＣＨＦ3 ：Ｃ
Ｏ＝１：３、圧力を５．３とした。また、上部電極２と
下部電極３間に、周波数１３．５６ＭＨｚ、エネルギー
密度４．５Ｗ／ｃｍ2 、の高周波電圧を印加した。
ッチング時間（放電時間）に対するホトトランジスター
９に入射する光の強度（発光強度）特性を示す。エッチ
ング条件は、被エッチング試料７にエッチング中のプラ
ズマ光の発光強度の変化を防ぐために、シリコン（Ｓ
ｉ）のブランクウェハ（パターニングされていない生ウ
ェハ）を使用し、被エッチング試料７を下部電極３上に
載せて、エッチング室１内にエッチング生成物が堆積す
るガスを用いてエッチングを行った。この時、使用した
ガスはフロロカーボンを基本とし、構成をＣＨＦ3 ：Ｃ
Ｏ＝１：３、圧力を５．３とした。また、上部電極２と
下部電極３間に、周波数１３．５６ＭＨｚ、エネルギー
密度４．５Ｗ／ｃｍ2 、の高周波電圧を印加した。
【００２０】上記エッチング条件によりプラズマを発生
させ、エッチング中の光をホトトランジスター９に導光
し、発光強度の変化をテスター１０により読みとった。
この時使用した覗き窓を図２に示す。また、比較のため
に図７に示す従来の覗き窓も使用した。本実施例の覗き
窓として、スリットのアスペクト比（Ａ／Ｂ）をＢの寸
法を一定に１０、３０と変化させたものと、従来の覗き
窓としてスリットの無い（アスペクト比∞）を用意し、
放電時間の発光強度がアスペクト比に対してどのように
変化するかを観察した。その結果、図５に示すように、 １． 発光強度特性は放電時間に対して減衰傾向を示
す。
させ、エッチング中の光をホトトランジスター９に導光
し、発光強度の変化をテスター１０により読みとった。
この時使用した覗き窓を図２に示す。また、比較のため
に図７に示す従来の覗き窓も使用した。本実施例の覗き
窓として、スリットのアスペクト比（Ａ／Ｂ）をＢの寸
法を一定に１０、３０と変化させたものと、従来の覗き
窓としてスリットの無い（アスペクト比∞）を用意し、
放電時間の発光強度がアスペクト比に対してどのように
変化するかを観察した。その結果、図５に示すように、 １． 発光強度特性は放電時間に対して減衰傾向を示
す。
【００２１】２． この減衰傾向は従来の場合が最も急
峻で、本発明の場合ではスリットのアスペクト比が大き
いほど緩やかな減衰傾向を示す。 ３． 発光強度は導光器にスリットを設けたことによっ
て段階的な減衰傾向を示す。 ことが判った。発光強度特性が減衰傾向を示す原因は、
エッチング生成物が導光器入射面１１に付着しプラズマ
光を遮断するためであり、またスリットを設けたことに
よって減衰傾向が緩和されるのは、本エッチング条件に
おいてマイクロローディング効果が顕著に現れ、スリッ
トの凹部１３へのエッチング生成物の堆積速度がアスペ
クト比に反比例して緩やかとなるためである。さらに発
光特性が段階的な減少傾向を示す原因は、エッチング生
成物１５がスリットの凸部１２に堆積するために一時的
に発光強度が減少するためである。アスペクト比が３０
の場合では、凸部１２が完全に覆い尽くされてしまえば
ほぼ定常状態となり、その際の発光強度はエッチング終
点検知に対して影響のないレベルであり、実用可能であ
る。
峻で、本発明の場合ではスリットのアスペクト比が大き
いほど緩やかな減衰傾向を示す。 ３． 発光強度は導光器にスリットを設けたことによっ
て段階的な減衰傾向を示す。 ことが判った。発光強度特性が減衰傾向を示す原因は、
エッチング生成物が導光器入射面１１に付着しプラズマ
光を遮断するためであり、またスリットを設けたことに
よって減衰傾向が緩和されるのは、本エッチング条件に
おいてマイクロローディング効果が顕著に現れ、スリッ
トの凹部１３へのエッチング生成物の堆積速度がアスペ
クト比に反比例して緩やかとなるためである。さらに発
光特性が段階的な減少傾向を示す原因は、エッチング生
成物１５がスリットの凸部１２に堆積するために一時的
に発光強度が減少するためである。アスペクト比が３０
の場合では、凸部１２が完全に覆い尽くされてしまえば
ほぼ定常状態となり、その際の発光強度はエッチング終
点検知に対して影響のないレベルであり、実用可能であ
る。
【００２２】尚、本発明は、フロロカーボン以外に、エ
ッチング室１内にエッチング生成物が堆積するようなエ
ッチングガス、例えば塩素ガス（Ｃｌ2 ）や三塩化ホウ
素（ＢＣｌ3 ）と塩素（Ｃｌ2 ）と窒素（Ｎ2 ）の混合
ガスを用いる場合においても有効である。
ッチング室１内にエッチング生成物が堆積するようなエ
ッチングガス、例えば塩素ガス（Ｃｌ2 ）や三塩化ホウ
素（ＢＣｌ3 ）と塩素（Ｃｌ2 ）と窒素（Ｎ2 ）の混合
ガスを用いる場合においても有効である。
【００２３】
【発明の効果】以上のように、本発明を用いると、マイ
クロローディング効果により、スリットを有する導光器
へのエッチング生成物の堆積を抑制することができる。
その結果、従来のエッチング生成物が堆積するようなエ
ッチング条件においても、エッチング終点を検知するこ
とが可能なプラズマエッチング装置を提供することがで
きる。
クロローディング効果により、スリットを有する導光器
へのエッチング生成物の堆積を抑制することができる。
その結果、従来のエッチング生成物が堆積するようなエ
ッチング条件においても、エッチング終点を検知するこ
とが可能なプラズマエッチング装置を提供することがで
きる。
【図１】本発明の第１の実施例によるプラズマエッチン
グ装置の断面図。
グ装置の断面図。
【図２】本発明の第１の実施例によるエッチング後の導
光器の拡大斜視図。
光器の拡大斜視図。
【図３】本発明の第１の実施例によるエッチング後の導
光器の拡大断面図。
光器の拡大断面図。
【図４】本発明の第２の実施例によるエッチング後の２
つの導光器の拡大斜視図。
つの導光器の拡大斜視図。
【図５】本発明および従来の放電時間に対する発光強度
の特性図。
の特性図。
【図６】従来のプラズマエッチング装置の断面図。
【図７】従来の導光器におけるエッチング後の拡大斜視
図。
図。
１ エッチング室 ２ 上部電極 ３ 下部電極 ４ 高周波電源 ５ エッチングガス導入口 ６ ガス排気口 ７ 被エッチング試料 ８ （第１の）導光器 ９ ホトトランジスター １０ テスター １１ 導光器入射面 １２ 凸部 １３ 凹部 １４ 導光器出射面 １５ エッチング生成物 １６ 電線 １７ 第２の導光器
Claims (5)
- 【請求項１】 エッチング室と、このエッチング室の所
定箇所に形成され、前記エッチング室で発生したプラズ
マ光を導光する導光器と、この導光器はプラズマ光が入
射する入射面とプラズマ光を出射する出射面を有してお
り、前記出射面からのプラズマ光を検知する検知器を有
するプラズマエッチング装置において、 前記入射面が凹凸部を有していることを特徴とするプラ
ズマエッチング装置。 - 【請求項２】 エッチング室と、このエッチング室の所
定箇所に形成され、前記エッチング室で発生したプラズ
マ光を導光する第１の導光器と、この第１の導光器はプ
ラズマ光が入射する入射面とプラズマ光を出射する出射
面を有しており、前記出射面からのプラズマ光を検知す
る検知器を有するプラズマエッチング装置において、 前記入射面上に凹凸部を有する第２の導光器が載設され
ていることを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 【請求項３】 前記第１の導光器と前記第２の導光器が
容易に分離できることを特徴とする請求項２記載のプラ
ズマエッチング装置。 - 【請求項４】 前記凹凸部がスリット・溝・孔の何れか
の形状を成していることを特徴とする請求項１および請
求項２記載のプラズマエッチング装置。 - 【請求項５】 前記凹凸のアスペクト比が３０以上であ
ることを特徴とする請求項４記載のプラズマエッチング
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21223394A JP3231560B2 (ja) | 1994-09-06 | 1994-09-06 | プラズマエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21223394A JP3231560B2 (ja) | 1994-09-06 | 1994-09-06 | プラズマエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878393A true JPH0878393A (ja) | 1996-03-22 |
| JP3231560B2 JP3231560B2 (ja) | 2001-11-26 |
Family
ID=16619172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21223394A Expired - Fee Related JP3231560B2 (ja) | 1994-09-06 | 1994-09-06 | プラズマエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3231560B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998001895A1 (fr) * | 1996-07-08 | 1998-01-15 | Hitachi, Ltd. | Procede de fabrication d'un composant de circuit integre a semi-conducteur |
| US6562186B1 (en) * | 1998-08-31 | 2003-05-13 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for plasma processing |
| JP2006310472A (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Nec Electronics Corp | プラズマ処理装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4035194B2 (ja) | 1996-03-13 | 2008-01-16 | キヤノン株式会社 | Ｘ線検出装置及びｘ線検出システム |
-
1994
- 1994-09-06 JP JP21223394A patent/JP3231560B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| WO1998001895A1 (fr) * | 1996-07-08 | 1998-01-15 | Hitachi, Ltd. | Procede de fabrication d'un composant de circuit integre a semi-conducteur |
| US6562186B1 (en) * | 1998-08-31 | 2003-05-13 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for plasma processing |
| US6821377B2 (en) | 1998-08-31 | 2004-11-23 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| JP2006310472A (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Nec Electronics Corp | プラズマ処理装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3231560B2 (ja) | 2001-11-26 |
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