JPH0878505A - 半導体チップ分離装置 - Google Patents
半導体チップ分離装置Info
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- H10P72/7414—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support the auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support the auxiliary support including means facilitating the selective separation of some of a plurality of devices from the auxiliary support
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェハの底面に付着しているテープから各個
のチップを分離する際、半導体チップとパッケージの損
傷を防止することにある。 【解決手段】 半導体素子が形成されているウェハの底
面に付着されたテープから半導体チップを分離するため
のピンを有するインジェクター４３と、インジェクター
４３を支持しながら半導体ウェハが装着され半導体チッ
プ分離の際真空による吸引力でウェハとテープを固定支
持する支持台４４と、テープから分離された半導体チッ
プを取り出し次の工程に移動させるためのピックアップ
ツールとで構成されている半導体チップ分離装置であ
り、半導体チップ分離工程中、半導体チップの底部にイ
ンジェクターピン４６によるひびが生ずる問題点を解決
するために、インジェクター４３の上部に先端が円い多
数個のインジェクターピン４６を取り付け、支持台４４
の上部には真空による吸引力をあたえるために多数個の
貫通孔４５を持つことを特徴とする。
のチップを分離する際、半導体チップとパッケージの損
傷を防止することにある。 【解決手段】 半導体素子が形成されているウェハの底
面に付着されたテープから半導体チップを分離するため
のピンを有するインジェクター４３と、インジェクター
４３を支持しながら半導体ウェハが装着され半導体チッ
プ分離の際真空による吸引力でウェハとテープを固定支
持する支持台４４と、テープから分離された半導体チッ
プを取り出し次の工程に移動させるためのピックアップ
ツールとで構成されている半導体チップ分離装置であ
り、半導体チップ分離工程中、半導体チップの底部にイ
ンジェクターピン４６によるひびが生ずる問題点を解決
するために、インジェクター４３の上部に先端が円い多
数個のインジェクターピン４６を取り付け、支持台４４
の上部には真空による吸引力をあたえるために多数個の
貫通孔４５を持つことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップ分離
装置に関し、より具体的に言えばウェハの底面に付着し
ているテープから各個のチップを分離する際、半導体チ
ップとパッケージの損傷を防止するために先端の円いイ
ンジェクターピンを有する半導体チップ分離装置に関す
るものである。
装置に関し、より具体的に言えばウェハの底面に付着し
ているテープから各個のチップを分離する際、半導体チ
ップとパッケージの損傷を防止するために先端の円いイ
ンジェクターピンを有する半導体チップ分離装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】通常半導体パッケージの製造工程は、ウ
ェハプロセッサが覆われた半導体ウェハを底面（回路素
子が形成されていない面）にテープを付着しウェハの厚
さの７０〜９５％ほどをダイアモンド刃などを利用して
各個半導体チップ（ダイともいう）に切断する切断（wa
fer sawing）工程と、各々の半導体チップをリードフレ
ームのダイパッドに付着するダイボンディング工程と、
半導体チップのボンディングパッドとリードフレームの
内部リードとをワイヤで連結するワイヤボンディング工
程と、半導体チップ及び内部リードを熱硬化性樹脂など
でモールディングするモールディング工程で形成され
る。
ェハプロセッサが覆われた半導体ウェハを底面（回路素
子が形成されていない面）にテープを付着しウェハの厚
さの７０〜９５％ほどをダイアモンド刃などを利用して
各個半導体チップ（ダイともいう）に切断する切断（wa
fer sawing）工程と、各々の半導体チップをリードフレ
ームのダイパッドに付着するダイボンディング工程と、
半導体チップのボンディングパッドとリードフレームの
内部リードとをワイヤで連結するワイヤボンディング工
程と、半導体チップ及び内部リードを熱硬化性樹脂など
でモールディングするモールディング工程で形成され
る。
【０００３】このような半導体パッケージ製造工程でダ
イボンディング工程は、ウェハ切断工程により個別ダイ
に切断され半導体チップ中電気的特性検査（ＥＤＳ）で
合格したチップを選別してリードフレームのダイパッド
に付着することをいう。
イボンディング工程は、ウェハ切断工程により個別ダイ
に切断され半導体チップ中電気的特性検査（ＥＤＳ）で
合格したチップを選別してリードフレームのダイパッド
に付着することをいう。
【０００４】ダイボンディング方法には、機密封止パッ
ケージ（Hermetic seal package)で用いるeutectic方法
と大容量メモリＩＣパッケージで使用するエポキシ樹脂
接着方法、及び高温・高圧下ポリイミドテープを使用す
るＬＯＣ（Lead On Chip）ダイ接着方法がある。ダイボ
ンディング工程中電気的特性が良好なチップを選別する
作業は、切断された各個のチップをウェハ底面に付着し
ているテープから分離することより始められる。
ケージ（Hermetic seal package)で用いるeutectic方法
と大容量メモリＩＣパッケージで使用するエポキシ樹脂
接着方法、及び高温・高圧下ポリイミドテープを使用す
るＬＯＣ（Lead On Chip）ダイ接着方法がある。ダイボ
ンディング工程中電気的特性が良好なチップを選別する
作業は、切断された各個のチップをウェハ底面に付着し
ているテープから分離することより始められる。
【０００５】図４は、従来技術による半導体チップ分離
装置の一例をあらわす断面図である。半導体チップ分離
装置１０は、半導体チップ１１を押し上げて接着テープ
１２から分離するためのインジェクター１３と、当該イ
ンジェクター１３を支持する支持台１４及びテープから
分離した半導体チップ１１を移動させるためのピックア
ップツール１７で構成されている。
装置の一例をあらわす断面図である。半導体チップ分離
装置１０は、半導体チップ１１を押し上げて接着テープ
１２から分離するためのインジェクター１３と、当該イ
ンジェクター１３を支持する支持台１４及びテープから
分離した半導体チップ１１を移動させるためのピックア
ップツール１７で構成されている。
【０００６】インジェクター１３の上部には多数個の先
端が尖ったインジェクターピン１６が付着されてあり、
支持台１４の上部には多数個の貫通孔１５があり、この
孔１５を通じてテープ１２と支持台１４の接触面を真空
にすることで接着テープ１２が支持台１４の上面に付着
している。
端が尖ったインジェクターピン１６が付着されてあり、
支持台１４の上部には多数個の貫通孔１５があり、この
孔１５を通じてテープ１２と支持台１４の接触面を真空
にすることで接着テープ１２が支持台１４の上面に付着
している。
【０００７】このような従来のチップ分離装置によるチ
ップ分離工程は次の如くである。
ップ分離工程は次の如くである。
【０００８】先ず、多数の半導体チップ１１が形成され
ているウェハに接着テープ１２を付着した後チップを切
断する。接着テープ１２を半導体チップ分離装置の支持
台１４に固定させてテープ１２を引伸ばし半導体チップ
１１らが完全に離れるようにする。この際、接着テープ
１２は真空による貫通孔１５の吸引力により支持台１４
の上部に密着している。次にインジェクター１３の上部
に付着した多数のインジェクターピン１６を上昇運動さ
せ半導体チップ１１を押上げると接着テープ１２は、支
持台１４の上部に密着しているので、半導体チップ１１
がテープから分離される。
ているウェハに接着テープ１２を付着した後チップを切
断する。接着テープ１２を半導体チップ分離装置の支持
台１４に固定させてテープ１２を引伸ばし半導体チップ
１１らが完全に離れるようにする。この際、接着テープ
１２は真空による貫通孔１５の吸引力により支持台１４
の上部に密着している。次にインジェクター１３の上部
に付着した多数のインジェクターピン１６を上昇運動さ
せ半導体チップ１１を押上げると接着テープ１２は、支
持台１４の上部に密着しているので、半導体チップ１１
がテープから分離される。
【０００９】しかるに、インジェクターピン１６の先端
は通常直径０．２ｍｍ以下で尖っているので半導体チッ
プを押上げてテープから離れると、図５(A) に示された
如くインジェクター１６がテープ１２を貫いて突出しチ
ップ１１の下部と直接接触することになる。特に、メモ
リチップの場合に記憶容量の増加のため、チップの面積
が大になればテープが接する面積も広くなりインジェク
ターピン１６が押上げる力が大でないとテープを剥がす
ことが出来ない。しかし、かくなれば図５(B)に示す如
く半導体チップ１１の底面に衝撃をあたえ、フランジピ
ンマークが生ずるようになる。このような状態の半導体
チップを用いてパッケージ製造工程を進めると半導体チ
ップの亀裂によって致命的な欠陥が生じパッケージ製品
として使用することが出来なくなる。
は通常直径０．２ｍｍ以下で尖っているので半導体チッ
プを押上げてテープから離れると、図５(A) に示された
如くインジェクター１６がテープ１２を貫いて突出しチ
ップ１１の下部と直接接触することになる。特に、メモ
リチップの場合に記憶容量の増加のため、チップの面積
が大になればテープが接する面積も広くなりインジェク
ターピン１６が押上げる力が大でないとテープを剥がす
ことが出来ない。しかし、かくなれば図５(B)に示す如
く半導体チップ１１の底面に衝撃をあたえ、フランジピ
ンマークが生ずるようになる。このような状態の半導体
チップを用いてパッケージ製造工程を進めると半導体チ
ップの亀裂によって致命的な欠陥が生じパッケージ製品
として使用することが出来なくなる。
【００１０】図６は、従来技術の問題点を説明する従来
の半導体パッケージの断面図である。
の半導体パッケージの断面図である。
【００１１】半導体チップ３１はダイパッド３２上に接
着剤３３で実装されてあり、半導体チップ３１のボンデ
ィングパッド（図示せず）は、ワイヤ３４により内部リ
ード３５と電気的に連結されてあり外部リード３６は印
刷回路基板などに実装され外部と電気的に連結され得る
ように節曲されてあり、半導体チップ３１は熱、湿気、
外力などから保護されるよう樹脂３７でもってモールデ
ィングされてある。
着剤３３で実装されてあり、半導体チップ３１のボンデ
ィングパッド（図示せず）は、ワイヤ３４により内部リ
ード３５と電気的に連結されてあり外部リード３６は印
刷回路基板などに実装され外部と電気的に連結され得る
ように節曲されてあり、半導体チップ３１は熱、湿気、
外力などから保護されるよう樹脂３７でもってモールデ
ィングされてある。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、半導体チッ
プ３１の底面には、インジェクターピン（図４の１６）
によるマーク（図５(B) 参照）が生じ、半導体チップの
パッケージ工程中の加熱と加圧により半導体チップ自体
に亀裂が起こる。このような亀裂は半導体チップの電気
的特性に重大な欠陥を誘発することがあり、パッケージ
製品にクラックを起こすなど不良の原因となる。
プ３１の底面には、インジェクターピン（図４の１６）
によるマーク（図５(B) 参照）が生じ、半導体チップの
パッケージ工程中の加熱と加圧により半導体チップ自体
に亀裂が起こる。このような亀裂は半導体チップの電気
的特性に重大な欠陥を誘発することがあり、パッケージ
製品にクラックを起こすなど不良の原因となる。
【００１３】以上記述したように、従来の半導体チップ
分離装置には尖ったインジェクターピンによって半導体
チップ上に多数個のひびが生ずるが、このひびは、イン
ジェクターピン１６が尖るほど、又インジェクター１３
の上昇圧力が大になるほど、半導体チップを付着させる
接着テープ１２の接着力が強力になるほどますます大に
なる。又、尖ったインジェクターピン１６を継続使用す
ると一部のインジェクターピン１６が摩耗して上記半導
体チップ１１を押出すとき半導体チップ１１全体に力の
不均衡が現れ装備の誤動作がしきりに生じ、摩耗したイ
ンジェクターピン１６を替えなければならないので、製
造原価が上昇するなどの問題点があった。
分離装置には尖ったインジェクターピンによって半導体
チップ上に多数個のひびが生ずるが、このひびは、イン
ジェクターピン１６が尖るほど、又インジェクター１３
の上昇圧力が大になるほど、半導体チップを付着させる
接着テープ１２の接着力が強力になるほどますます大に
なる。又、尖ったインジェクターピン１６を継続使用す
ると一部のインジェクターピン１６が摩耗して上記半導
体チップ１１を押出すとき半導体チップ１１全体に力の
不均衡が現れ装備の誤動作がしきりに生じ、摩耗したイ
ンジェクターピン１６を替えなければならないので、製
造原価が上昇するなどの問題点があった。
【００１４】従って、本発明は、このような従来技術の
問題点を解決するためのものであり、本発明の目的は、
インジェクターピンの先端を改良して半導体チップの亀
裂を防止することの出来る半導体チップ分離装置を提供
することである。
問題点を解決するためのものであり、本発明の目的は、
インジェクターピンの先端を改良して半導体チップの亀
裂を防止することの出来る半導体チップ分離装置を提供
することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るため、請求項１記載の第１の発明による半導体チップ
分離装置の特徴は、半導体チップを接着テープから下部
から押上げて分離させるためのインジェクターと、この
インジェクターを支持する支持台と、テープから分離し
た半導体チップを移動させるためのピックアップツール
で構成される半導体チップ分離装置において、インジェ
クターの上部には多数個の先端が円いインジェクターピ
ンが付着されてあり、支持台の上端には多数個の貫通孔
が形成されてあるという点である。従って、インジェク
ターピンの先端を改良して半導体チップの亀裂を防止で
きる。
るため、請求項１記載の第１の発明による半導体チップ
分離装置の特徴は、半導体チップを接着テープから下部
から押上げて分離させるためのインジェクターと、この
インジェクターを支持する支持台と、テープから分離し
た半導体チップを移動させるためのピックアップツール
で構成される半導体チップ分離装置において、インジェ
クターの上部には多数個の先端が円いインジェクターピ
ンが付着されてあり、支持台の上端には多数個の貫通孔
が形成されてあるという点である。従って、インジェク
ターピンの先端を改良して半導体チップの亀裂を防止で
きる。
【００１６】請求項２記載の第２の発明は、上記インジ
ェクターは、上記半導体ウェハの方に少くとも一段階以
上上昇運動することを要旨とする。従って、半導体チッ
プがぴんといっぱい張られるようにして、衝撃を緩和で
きる。
ェクターは、上記半導体ウェハの方に少くとも一段階以
上上昇運動することを要旨とする。従って、半導体チッ
プがぴんといっぱい張られるようにして、衝撃を緩和で
きる。
【００１７】請求項３記載の第３の発明は、上記インジ
ェクターピンの所定の曲率半径は０．２０ｍｍより大で
あり、０．５０ｍｍより小であることを要旨とする。従
って、半導体チップ分離装置の接着テープとの分離を容
易にできる。
ェクターピンの所定の曲率半径は０．２０ｍｍより大で
あり、０．５０ｍｍより小であることを要旨とする。従
って、半導体チップ分離装置の接着テープとの分離を容
易にできる。
【００１８】請求項４記載の第４の発明は、上記第一面
は半導体チップが上記インジェクターピンの上昇運動の
際真空による吸引力で上記接着剤を固定する多数の貫通
孔が形成されていることを要旨とする。従って、支持台
の上部にゆるみなく付着されて、インジェクターピンの
先端と接した部分は穴もあかずに上部に突出して半導体
チップに伝達される衝撃をよく緩衝できる。
は半導体チップが上記インジェクターピンの上昇運動の
際真空による吸引力で上記接着剤を固定する多数の貫通
孔が形成されていることを要旨とする。従って、支持台
の上部にゆるみなく付着されて、インジェクターピンの
先端と接した部分は穴もあかずに上部に突出して半導体
チップに伝達される衝撃をよく緩衝できる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明に基づく半導体チッ
プ分離装置の発明の実施形態に添付した図面を参照しな
がら詳しく説明する。
プ分離装置の発明の実施形態に添付した図面を参照しな
がら詳しく説明する。
【００２０】図１は本発明に依る半導体チップ分離装置
の実施形態を示す断面図である。
の実施形態を示す断面図である。
【００２１】図１を参照すれば、本発明の半導体チップ
分離装置４０は、半導体チップ４１を接着テープ４２か
ら分離するためのインジェクター４３と、インジェクタ
ー４３を支持する支持台４４と、テープから分離した半
導体チップ４１を移送するためのピックアップツール４
７で構成されている。
分離装置４０は、半導体チップ４１を接着テープ４２か
ら分離するためのインジェクター４３と、インジェクタ
ー４３を支持する支持台４４と、テープから分離した半
導体チップ４１を移送するためのピックアップツール４
７で構成されている。
【００２２】前記インジェクター４３の図中上部には、
多数個の先端の円いインジェクターピン４６が設置され
てある。この際、インジェクターピン４６の先端の曲率
半径は０．２０ｍｍ以上にして接着テープ４２が貫かれ
ないようにすべきであるが、半導体チップ分離装置の接
着テープ４２との分離を容易にするため、曲率半径は
０．５０ｍｍ以下にすることが好ましい。又、接着テー
プ４２は、インジェクターピン４６及び半導体チップ４
１間の衝撃を充分に緩衝し、且つ孔があけられないよう
にするため、その厚さが７０〜９０μｍ以上であること
が適切である。
多数個の先端の円いインジェクターピン４６が設置され
てある。この際、インジェクターピン４６の先端の曲率
半径は０．２０ｍｍ以上にして接着テープ４２が貫かれ
ないようにすべきであるが、半導体チップ分離装置の接
着テープ４２との分離を容易にするため、曲率半径は
０．５０ｍｍ以下にすることが好ましい。又、接着テー
プ４２は、インジェクターピン４６及び半導体チップ４
１間の衝撃を充分に緩衝し、且つ孔があけられないよう
にするため、その厚さが７０〜９０μｍ以上であること
が適切である。
【００２３】支持台４４の図中上部には、多数個の貫通
孔４５が形成されて、真空により接着テープ４２が上記
支持台４４の上面に付着されている。
孔４５が形成されて、真空により接着テープ４２が上記
支持台４４の上面に付着されている。
【００２４】以下、本発明の基づく半導体チップ分離及
びダイボンディング工程を説明する。
びダイボンディング工程を説明する。
【００２５】まず、多数の半導体チップ４１が集積され
ている半導体基板を接着テープ４２上に付着させ、半導
体基板を切断し、接着テープ４２を半導体チップ分離装
置４０の支持台４４に固定させて引伸ばし、半導体チッ
プ４１がぴんといっぱい張るようにして、下部のインジ
ェクター４３の先端に付着した多数のインジェクターピ
ン４６で半導体チップ４１の下部を１段階に押上げる
か、又は衝撃を緩和するため２段階以上押上げるように
すると共に上部のピックアップツール４７から半導体チ
ップ４１を所定の位置にまで移す。このようにして所定
のダイパッドに上記した半導体チップ４１を接着させ
る。
ている半導体基板を接着テープ４２上に付着させ、半導
体基板を切断し、接着テープ４２を半導体チップ分離装
置４０の支持台４４に固定させて引伸ばし、半導体チッ
プ４１がぴんといっぱい張るようにして、下部のインジ
ェクター４３の先端に付着した多数のインジェクターピ
ン４６で半導体チップ４１の下部を１段階に押上げる
か、又は衝撃を緩和するため２段階以上押上げるように
すると共に上部のピックアップツール４７から半導体チ
ップ４１を所定の位置にまで移す。このようにして所定
のダイパッドに上記した半導体チップ４１を接着させ
る。
【００２６】図２(A) は本発明による半導体チップ分離
装置の動作説明のための部分詳細図である。
装置の動作説明のための部分詳細図である。
【００２７】接着テープ４２は、真空による貫通孔４５
の吸引力により、支持台４４の図中上部にゆるみなく付
着されてあり、インジェクターピン４６の先端と接した
部分は穴もあかずに、上部に突出して半導体チップ４１
に伝達される衝撃をよく緩衝している。従って、図２
(B）で見られる如く半導体チップ４１には亀裂が全然見
うけられない。
の吸引力により、支持台４４の図中上部にゆるみなく付
着されてあり、インジェクターピン４６の先端と接した
部分は穴もあかずに、上部に突出して半導体チップ４１
に伝達される衝撃をよく緩衝している。従って、図２
(B）で見られる如く半導体チップ４１には亀裂が全然見
うけられない。
【００２８】図３は図１の装置を利用した半導体パッケ
ージの断面図である。
ージの断面図である。
【００２９】図３を参照すれば、本発明による半導体チ
ップ分離装置を利用した半導体パッケージ６０は、半導
体チップ６１がダイパッド６２上に接着剤６３で付着さ
れてあり、半導体チップ６３は、ワイヤ６４で内部リー
ド６５と電気的に連結されている。外部リード６６は印
刷回路基板に実装され得るように節曲されてあり、半導
体チップ６３は熱、湿気、外力などから保護されるよう
に樹脂６７でモールディングされてあり、半導体チップ
６３はインジェクターピンでマークが生じないようにな
っているので、チップの亀裂やパッケージのクラックが
起こることがない。
ップ分離装置を利用した半導体パッケージ６０は、半導
体チップ６１がダイパッド６２上に接着剤６３で付着さ
れてあり、半導体チップ６３は、ワイヤ６４で内部リー
ド６５と電気的に連結されている。外部リード６６は印
刷回路基板に実装され得るように節曲されてあり、半導
体チップ６３は熱、湿気、外力などから保護されるよう
に樹脂６７でモールディングされてあり、半導体チップ
６３はインジェクターピンでマークが生じないようにな
っているので、チップの亀裂やパッケージのクラックが
起こることがない。
【００３０】
【発明の効果】以上の記述で説明した如く、第１の発明
による半導体パッケージの半導体チップ分離装置では、
インジェクターピンの先端が円くなっているので、半導
体チップ上にひびが生ずることなく、従って半導体パッ
ケージの信頼性が向上され、インジェクターピンの摩耗
が少なく、装備の誤動作が殆どなく、インジェクターピ
ンを交替するなどわずらわしいことがないという利点が
ある。
による半導体パッケージの半導体チップ分離装置では、
インジェクターピンの先端が円くなっているので、半導
体チップ上にひびが生ずることなく、従って半導体パッ
ケージの信頼性が向上され、インジェクターピンの摩耗
が少なく、装備の誤動作が殆どなく、インジェクターピ
ンを交替するなどわずらわしいことがないという利点が
ある。
【００３１】第２の発明は、上記インジェクターは、上
記ウェハの方に少くとも一段階以上上昇運動するので、
半導体チップがぴんといっぱい張られるようにして、衝
撃を緩和できる。
記ウェハの方に少くとも一段階以上上昇運動するので、
半導体チップがぴんといっぱい張られるようにして、衝
撃を緩和できる。
【００３２】第３の発明は、上記インジェクターピンの
所定の曲率半径は０．２０ｍｍより大であり、０．５０
ｍｍより小であるので、半導体チップ分離装置の接着テ
ープとの分離を容易にできる。
所定の曲率半径は０．２０ｍｍより大であり、０．５０
ｍｍより小であるので、半導体チップ分離装置の接着テ
ープとの分離を容易にできる。
【００３３】第４の発明は、上記第一面は半導体チップ
が上記インジェクターピンの上昇運動の際真空による吸
引力で上記接着剤を固定する多数の貫通孔が形成されて
いるので、支持台の上部にゆるみなく付着されて、イン
ジェクターピンの先端と接した部分は穴もあかずに上部
に突出して半導体チップに伝達される衝撃をよく緩衝で
きる。
が上記インジェクターピンの上昇運動の際真空による吸
引力で上記接着剤を固定する多数の貫通孔が形成されて
いるので、支持台の上部にゆるみなく付着されて、イン
ジェクターピンの先端と接した部分は穴もあかずに上部
に突出して半導体チップに伝達される衝撃をよく緩衝で
きる。
【図１】本発明による半導体チップ分離装置の断面図で
ある。
ある。
【図２】(A) は本発明によるチップ分離装置の動作を説
明するための部分詳細図、(B)は本発明に基づくチップ
分離装置による分離された半導体チップの底面図であ
る。
明するための部分詳細図、(B)は本発明に基づくチップ
分離装置による分離された半導体チップの底面図であ
る。
【図３】本発明に基づくチップ分離装置により分離され
た半導体チップのパッケージの断面図である。
た半導体チップのパッケージの断面図である。
【図４】従来の技術に基づいた半導体チップ分離装置の
断面図である。
断面図である。
【図５】(A) は図４に示した装置の動作を説明するため
の部分詳細図、(B) は従来の半導体チップ分離装置を利
用した時フランジピンマークが生じた半導体チップの底
面図である。
の部分詳細図、(B) は従来の半導体チップ分離装置を利
用した時フランジピンマークが生じた半導体チップの底
面図である。
【図６】半導体パッケージの断面図で、フランジピンマ
ークが生じた半導体チップをパッケージして半導体チッ
プにクラックが発生したことを説明するための断面図で
ある。
ークが生じた半導体チップをパッケージして半導体チッ
プにクラックが発生したことを説明するための断面図で
ある。
４０、６０ 半導体チップ分離装置 ４１、６１ 半導体チップ ４２ 接着デープ ４３ インジェクタ ４４ 支持台 ４５ 貫通孔 ４６ インジェクターピン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 崔 ヒー 國 大韓民国忠清南都天安市清水洞209極東ア パートメント106−204
Claims (4)
- 【請求項１】 一面に接着剤が付着している半導体ウェ
ハから分離する半導体チップを押上げるためのインジェ
クターピンを有するインジェクターと、上記半導体ウェ
ハが装着される第一面を有し上記インジェクターを支持
する支持台と、上記半導体チップが分離した後、搬送す
る搬送手段で構成されている半導体チップ分離装置にお
いて、 上記インジェクターピンの先端は所定の曲率半径をもつ
曲面であることを特徴とする半導体チップ分離装置。 - 【請求項２】 上記インジェクターは、上記半導体ウェ
ハの方に少くとも一段階以上上昇運動することを特徴と
する請求項１記載の半導体チップ分離装置。 - 【請求項３】 上記インジェクターピンの所定の曲率半
径は０．２０ｍｍより大であり、０．５０ｍｍより小で
あることを特徴とする請求項１記載の半導体チップ分離
装置。 - 【請求項４】 上記第一面は半導体チップが上記インジ
ェクターピンの上昇運動の際真空による吸引力で上記接
着剤を固定する多数の貫通孔が形成されていることを特
徴とする請求項１記載の半導体チップ分離装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1994-20721 | 1994-08-23 | ||
| KR1019940020721A KR960009112A (ko) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | 반도체 칩 분리장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878505A true JPH0878505A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=19390889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20358595A Pending JPH0878505A (ja) | 1994-08-23 | 1995-08-09 | 半導体チップ分離装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0878505A (ja) |
| KR (1) | KR960009112A (ja) |
| FR (1) | FR2723930A1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100865766B1 (ko) * | 2007-07-24 | 2008-10-29 | (주) 에스에스피 | 반도체 다이 이젝팅 장치 |
| WO2009136688A1 (ko) * | 2008-05-09 | 2009-11-12 | (주)엔지온 | 반도체 장치,이를 이용한 반도체 제조 방법 및 반도체 소자 분리장치 |
| WO2010045754A1 (en) * | 2008-10-23 | 2010-04-29 | Freescale Semiconductor Inc. | Method for singulating electronic components from a substrate |
| CN112919040A (zh) * | 2021-03-09 | 2021-06-08 | 苏州威达智电子科技有限公司 | 一种适用于触摸板的辅助胶带去除装置 |
| JP2022133601A (ja) * | 2021-03-02 | 2022-09-14 | ダイトロン株式会社 | チップ剥離装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100688587B1 (ko) * | 2006-02-23 | 2007-03-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 칩 분리 장치 및 반도체 칩의 분리 방법 |
| KR102786476B1 (ko) * | 2022-07-12 | 2025-03-27 | 세메스 주식회사 | 다이 이젝터 및 다이 이젝팅 장치 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0242437A (ja) * | 1988-08-02 | 1990-02-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | ハロゲン化銀カラー写真感光材料 |
| JPH0416302A (ja) * | 1990-05-09 | 1992-01-21 | Ishita:Kk | 製材装置 |
| JPH0684976A (ja) * | 1992-09-03 | 1994-03-25 | Fujitsu Ltd | チップ配列方法 |
| JPH0625964U (ja) * | 1992-05-25 | 1994-04-08 | ミクロン機器株式会社 | 通信機能付きコインカウンタ及び有料装置 |
-
1994
- 1994-08-23 KR KR1019940020721A patent/KR960009112A/ko not_active Ceased
-
1995
- 1995-08-09 JP JP20358595A patent/JPH0878505A/ja active Pending
- 1995-08-22 FR FR9509979A patent/FR2723930A1/fr not_active Withdrawn
Patent Citations (4)
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| US9142434B2 (en) | 2008-10-23 | 2015-09-22 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for singulating electronic components from a substrate |
| JP2022133601A (ja) * | 2021-03-02 | 2022-09-14 | ダイトロン株式会社 | チップ剥離装置 |
| CN112919040A (zh) * | 2021-03-09 | 2021-06-08 | 苏州威达智电子科技有限公司 | 一种适用于触摸板的辅助胶带去除装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960009112A (ko) | 1996-03-22 |
| FR2723930A1 (fr) | 1996-03-01 |
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