JPH0878556A

JPH0878556A - 封止構造体

Info

Publication number: JPH0878556A
Application number: JP21555194A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Mitamura; 健三田村; Akihiro Hanamura; 昭宏花村; Teruyoshi Mihara; 輝儀三原; Hiroyuki Kaneko; 洋之金子
Original assignee: Nissan Motor Co Ltd
Current assignee: Nissan Motor Co Ltd
Priority date: 1994-09-09
Filing date: 1994-09-09
Publication date: 1996-03-22

Abstract

(57)【要約】【目的】完全な平坦面で接合面を構成するとともに引出
し配線を完全に保護することにより、よりシール性及び
配線の信頼性の高い封止構造体を得ること。【構成】上記目的は、半導体と、誘電体と、前記半導体
と誘電体のうち少なくとも一方に形成された溝部と、前
記半導体と誘電体に前記溝部に対応する位置に溝部を囲
むように形成した接合部と、前記半導体と誘電体とを接
合部で接合することにより形成された閉空間と、前記閉
空間の内部と外部とを電気的に接続する引出し配線とを
有する封止構造で、半導体における前記接合部を保護膜
を除去した半導体表面で形成し、接合を前記半導体表面
と、誘電体との陽極接合で形成したことを特徴とする封
止構造体とすることによって達成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は集積化マイクロセンサ
及びマイクロアクチュエータ等における封止構造に係
り、特に、配線信頼性の高い封止構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、微細加工技術(マイクロマシニン
グ技術)の技術的進歩が著しく、数ミクロン精度での可
動部分の加工が可能となっている。それに伴い、マイク
ロセンサ及びマイクロアクチュエータの集積化、微細化
が進んでいる。しかし、微細化に伴い、これらのデバイ
スは可動部へのゴミ等の粒子の混入や、結露または可動
部の張り付き等により致命的な動作不良を引き起こすと
いう問題点が明らかになった。従って、それらのデバイ
スの特性を保障するためには、よりクリーンな状態で動
作をさせる必要がある。従来、この問題点の解決方法と
しては金属のカンパッケージにマイクロセンサ等を封止
するという方法が知られている。カンパッケージによる
封止は実績のある技術であり、封止のシール性では問題
がない。しかしながら、カンに封止するまでの工程にお
けるデバイスの保護が困難であり、またカンパッケージ
によるコスト上昇も避けられないという問題点があっ
た。この問題に関しては、これらのデバイスをチップの
状態で封止するいわゆるオンチップ封止が試みられてい
る。

【０００３】従来のオンチップ封止構造の第１例を図26
に簡略に示す(簡単のためチップ上の金属配線、パッド
部等の図示は省略した)。また、その接合部の拡大図を
図22及び図23に示す。ここで、図23は図22の矢印の方向
からの断面図を示す。この従来例は、例えば、 M．Esas
hi et al．”Anodic Bonding for Integrated Capasiti
ve Sensors” Proc．of MEMS '92 pp.43‐48，1992に開
示されている。図中で23はキャップ部、７はシリコン基
板、２は封止部、24は引出し配線部、25はマイクロセン
サ部、26はその信号処理のための周辺回路部である。キ
ャップ23とシリコン基板７とを接合部２で封止してあ
り、その内部のマイクロセンサ25と周辺回路26の精度及
び信頼性を確保している。また、３は誘電体、18はスパ
ッタシリコン膜、19は SOG 膜、20は酸化膜６中に形成
した金属配線である。金属配線20は酸化膜表面に溝部を
形成し、その中に埋め込むように形成している。SOG 塗
布により平坦化を行ったのち SOG 表面にシリコンをス
パッタにより堆積する。接合は接合部２に於て誘電体３
とスパッタシリコン膜の陽極接合により形成されてい
る。

【０００４】次に,第２の従来例を図24及び図25に示
す。ここで、図25は図24の矢印の方向からの断面図であ
る。この例は、例えば B．Ziaie et al. ”A Hermetic
Packaging Technology with Multiple Feedthroughs fo
r Integrated Sensors and Actuators” Transducers '
93 266−269, (1993) に開示されているものである。図
中で３は誘電体、17はポリシリコン膜、４はパッシベー
ション膜、６は酸化膜、７はシリコン基板、22はリフロ
ーした PSG 膜、21はポリシリコンで形成した配線であ
る。第１の従来例の場合と同様にポリシリコン配線21を
形成後、PGG 膜を堆積してリフローにより平坦化したの
ちパッシベーション膜４及びポリシリコン膜17を堆積す
る。接合は接合部２に於て誘電体３とポリシリコン膜の
陽極接合により形成されている。

【０００５】しかしながら、このような従来の封止構造
にあっては、そのシール性は平坦化工程に大きく依存
し、実際的には完全に平坦な面を得ることは困難であ
る。従って接合後、接合面に微小空間が残存してシール
性及び信頼性を低下させる可能性がある。

【０００６】このような問題点に関して、次の様な従来
例が知られている。図28に第３の従来例を示す。これは
例えば特開昭58‐10661号公報に開示されているもの
で、まず構成を説明すると、７はシリコン基板で誘電体
３との接合部２を形成する凸部、検出部の信号を処理す
る周辺回路部26、該周辺回路部26からの信号を取り出す
ための高濃度拡散層８が形成されている。複数の高濃度
拡散層８間はシリコン基板７と高濃度拡散層８を異なっ
た導電型半導体で形成することにより接合分離されてい
る。高濃度拡散層８及び周辺回路部26とその他の部分と
の電気的接続には金属配線５が用いられている。６は表
面保護用の酸化膜である。シリコン基板７と誘電体３
は、表面保護用酸化膜６を除去したシリコン基板表面で
陽極接合されている。従って接合部表面は平坦であり、
完全で、高信頼なシール性が確保される。

【０００７】図29に第４の従来例を示す。これは特開昭
62ー291073号公報に開示されているもので、まず構成を
説明すると、７はシリコン基板で、該シリコン基板７の
表面には酸化膜６が形成されている。また、基板表面上
の酸化膜６にはポリシリコン膜17が堆積されており、該
ポリシリコン膜17には高濃度拡散層８で接続された感歪
抵抗29が形成されている。また、５は高濃度拡散層８か
らの信号を外部に電気的に接続するための金属配線であ
る。ポリシリコン膜17上にはパッシベーション膜４及び
接合用薄膜30が形成されている。３は誘電体で形成した
キャップであり、２において接合用薄膜と接合されてい
る。高濃度拡散層８はポリシリコン膜17に不純物のイオ
ン注入または拡散で形成するので、その表面は平坦で、
接合部２において完全で、信頼性の高いなシールが確保
できる。

【０００８】しかしながら、このような従来の封止構造
にあっては、引出し配線間の電流リークの発生等により
配線の信頼性が低下するという問題点があった。例え
ば、第３の従来例(図28)の接合部の拡大平面図を図27に
示す。高濃度拡散層８間は電気的には接合分離されてい
る。また、シリコン基板７と誘電体３とを直接に陽極接
合するために、接合部２において酸化膜６は除去されて
いる。その結果、図27の27及び図28中のＡ部においては
酸化膜等で保護されていないＰＮ接合が存在する。この
ようなＰＮ接合は非常に不安定で、表面準位を介した表
面リーク電流を生じることが知られている。配線間にリ
ーク電流が生じると、図30に示すように、配線間が等価
的に不安定な寄生抵抗に接続されることになる。この結
果、配線間のクロストーク等により配線の信頼性が著し
く低下する。

【０００９】また、第４の従来例(図29)においては、感
歪抵抗29及び高濃度拡散層８はポリシリコン層17に形成
されており、電気的には接合分離されている。従ってパ
ッシベーション膜４で覆われていない高濃度拡散層８
(図29のＡ部)の表面では、保護膜の無いポリシリコンの
PN 接合が存在する。このようなポリシリコンの PN 接
合は非常に不安定で、表面準位を介した表面リーク電流
を生じることが知られている。Ａ部にまでパッシベーシ
ョン膜を拡張し、PN 接合を保護するような構成も可能
ではあるが、ポリシリコンの場合このようにその表面に
パッシベーション膜を堆積しても、特に高温においては
粒界における表面準位を介したリーク電流を完全に抑制
することは困難である。配線間にリーク電流が生じる
と、図30に示すように、配線間が等価的に不安定な寄生
抵抗に接続されるとになる。この結果、配線間のクロス
トーク等により配線の信頼性は著しく低下する。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】従来技術は上記してき
たような問題点を有していた。本発明の目的は、上記従
来技術の有していた課題を解決して、完全な平坦面で接
合面を構成するとともに引出し配線を完全に保護するこ
とにより、よりシール性及び配線の信頼性の高い封止構
造体を得ることにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的は、半導体と、
誘電体と、前記半導体と誘電体のうち少なくとも一方に
形成された溝部と、前記半導体と誘電体に前記溝部に対
応する位置に溝部を囲むように形成した接合部と、前記
半導体と誘電体とを接合部で接合することにより形成さ
れた閉空間と、前記閉空間の内部と外部とを電気的に接
続する引出し配線とを有する封止構造で、半導体におけ
る前記接合部を保護膜を除去した半導体表面で形成し、
接合を前記半導体表面と、誘電体との陽極接合で形成、
または、上記接合部を半導体表面の酸化膜で形成し、接
合を前記半導体表面の酸化膜と誘電体との接合で形成、
または、上記接合部を半導体表面の保護膜上に堆積した
半導体層で形成し、接合は上記半導体表面の保護膜上に
堆積した半導体層と誘電体との陽極接合で形成、また
は、上記接合部を上記半導体表面の保護膜を除去した半
導体表面上に堆積した半導体層で形成し、接合は該堆積
半導体層と誘電体との陽極接合で形成したことを特徴と
する封止構造体とすることによって達成することができ
る。

【００１２】

【作用】以上の構成とすることによって、接合面を完全
な平坦面で構成し、そこで半導体と誘電体の封止構造を
構成することができるので、完全なシールによってその
内部のデバイスに対する外部環境の影響を排除すること
ができ、従って、該デバイスの信頼性を向上させること
ができる。

【００１３】

【実施例】以下、本発明の封止構造体の構成について実
施例によって具体的に説明する。

【００１４】

【実施例１】本実施例は接合部を図１のように構成し、
引出し配線部を図11のように構成したものである。従っ
て、全体構成は図31のようになる。

【００１５】まず、接合部の構成について説明する。図
１において３は誘電体であり、シリコン基板７との接合
面側の対向面に溝部が形成してある。また、４はパッシ
ベーション膜、５は金属配線、６は酸化膜である。２は
シリコン基板の保護膜を除去した接合部で、その表面は
通常のシリコン基板においてはラフネスが数Å以下の鏡
面である。誘電体３とシリコン基板７とは陽極接合法で
接合してあり、分子レベルでほぼ完全なシールを構成し
ている。

【００１６】次に、引出し配線部の構成について説明す
る。図11で、引出し配線は、深いＮ型高濃度拡散層９と
埋め込みＮ型高濃度拡散層10で構成されている。封止構
造内外の電気的接続は酸化膜６に形成したコンタクト部
１で金属配線５と深い高濃度拡散配線層９を接触させる
ことにより構成している。複数の配線間はシリコン基板
７をＰ型にして、これを接地する(図示せず)ことにより
接合分離されている。通常埋め込み拡散層を形成する場
合、拡散層のパターンに段付けを行いフォト工程時にア
ラインメントマークとするが、赤外線アラインメントに
よってこの段付けを省くことにより、接合面２の平坦性
を確保している。また、引出し配線を埋め込み高濃度拡
散層10で構成したため、図28Ａ部のように配線部のＰＮ
接合が露出することがなく、発生する可能性のある表面
準位を介したＰＮ接合部のリーク電流を抑制することが
できる構成となっている。

【００１７】次に、効果について説明する。

【００１８】通常、接合による封止ははクリーンルーム
等のパーティクルフリーな環境で行われる。また封止に
際しては不活性ガス封入も可能である。よって封止後は
完全なシールによりその内部のデバイスに対する外部環
境の影響を除去することができる。従ってその後の実装
工程における異物混入による歩留まり低下を防止でき、
またデバイスの信頼性を向上できる。

【００１９】また、オンチップ封止により実装に際しカ
ンパッケージを省略できる。さらにチップ単体のみを基
板等に実装するチップ実装も可能となり、製造コストを
削減できる。

【００２０】また誘電体としてパイレックスガラス等の
ほうけい酸ガラスを用いれば、シリコンとの熱膨張係数
をほぼ一致させることができ、温度変化により接合部に
生じる熱ストレスを低減できる。その結果接合部のシー
ル性及び配線の信頼性が向上する。また、熱ストレスに
よるデバイスの特性変動を抑制でき、その精度を向上す
ることができる。

【００２１】また、配線部を完全に保護したために、リ
ーク電流等による抵抗成分が寄生することがなく配線の
精度及び信頼性が向上する。

【００２２】なお、実施例１に特有の効果としては、本
実施例の場合、誘電体で形成したキャップ部とシリコン
基板との接合部が誘電体とシリコンの２種類の材料のみ
で構成されているため、誘電体としてパイレックスガラ
ス等のほうけい酸ガラスを用いればキャップ部とシリコ
ン基板の熱膨張係数を一致することができ、熱ストレス
を低減することが出来る。その結果接合部のシール性の
信頼性が向上する。

【００２３】

【実施例２】本実施例では接合部を実施例１の場合と同
じく図１のように構成し、引出し配線部を図12のように
構成する。

【００２４】引出し配線部の構成について説明すると、
図12において、引出し配線は、深いＮ型高濃度拡散層９
と埋め込み金属間化合物層11で構成されている。封止構
造内外の電気的接続は酸化膜６に形成したコンタクト部
１にて金属配線５と深い高濃度拡散配線層９を接触する
ことにより構成している。埋め込み金属間化合物層を形
成する場合、例えば表面に金属間化合物層を形成した第
１シリコン基板を別のシリコン基板と接合し、第１シリ
コン基板を所定の厚さまで研磨することにより実現でき
る。従ってその表面は通常のシリコン基板と同様にラフ
ネスが数Ａの鏡面である。フォトリソグラフィー工程に
おけるマスクとのアラインメントは赤外線アライナーに
より可能である。また、引出し配線を埋め込み金属間化
合物層11で構成したため、配線部のＰＮ接合がなく、発
生する可能性のあるＰＮ接合部のリーク電流を抑制する
ことができる構成となっている。

【００２５】得られる効果は実施例１の場合と同様であ
るが、実施例２特有の効果としては、本実施例では、誘
電体で形成したキャップ部とシリコン基板との接合部は
誘電体とシリコンの２種類の材料のみで構成されている
ため、誘電体としてパイレックスガラス等のほうけい酸
ガラスを用いればキャップ部とシリコン基板の熱膨張係
数を一致することができ熱ストレスを低減することが出
来る。その結果接合部のシール性の信頼性が向上する。

【００２６】また、引出し配線を埋め込み金属間化合物
層11で構成したために、拡散層のみの場合に比べ配線部
の電気抵抗を抑えることができる。そのため引出し配線
での電圧降下を抑えることができ信号の伝達精度が向上
する。

【００２７】

【実施例３】本実施例では接合部を実施例１の場合と同
じく図１のように構成し、引出し配線部は図13のように
構成する。

【００２８】引出し配線部の構成について説明すると、
図13において、引出し配線は、深いＮ型高濃度拡散層９
と埋め込みＮ型高濃度拡散層10に包含される埋め込み金
属間化合物層11で構成されている。封止構造内外の電気
的接続は酸化膜６に形成したコンタクト部１にて金属配
線５と深い高濃度拡散配線層９を接触することにより構
成している。複数の配線間はシリコン基板７をＰ型にし
て、これを接地する(図示せず)ことにより接合分離され
ている。埋め込み金属間化合物層を形成する場合、例え
ば表面に金属間化合物層を形成した第１シリコン基板を
別のシリコン基板と接合し、第１シリコン基板を所定の
厚さまで研磨することにより実現できる。従ってその表
面は通常のシリコン基板と同様にラフネスが数Åの鏡面
である。ホトリソグラフィー工程におけるマスクとのア
ラインメントは赤外線アライナーにより可能である。ま
た、引出し配線を埋め込みＮ型高濃度拡散層10に包含さ
れる埋め込み金属間化合物層11で構成したため、配線部
のＰＮ接合が露出することなく、発生する可能性のある
ＰＮ接合部のリーク電流を抑制することができる構成と
なっている。

【００２９】得られる効果は実施例１の場合と同様であ
るが、本実施例特有の効果としては、本実施例の場
合、誘電体で形成したキャップ部とシリコン基板との接
合部は誘電体とシリコンの２種類の材料のみで構成され
ているため、誘電体としてパイレックスガラス等のほう
けい酸ガラスを用いればキャップ部とシリコン基板の熱
膨張係数を一致することができ熱ストレスを低減するこ
とが出来る。その結果接合部のシール性の信頼性が向上
する。

【００３０】また、引出し配線を埋め込み拡散層10で包
含される埋め込み金属間化合物層11で構成したために、
拡散層のみの場合に比べ配線部の電気抵抗を抑えること
ができる。そのため引出し配線での電圧降下を抑えるこ
とができ信号の伝達精度が向上する。

【００３１】

【実施例４】本実施例では、接合部を実施例１の場合と
同様に第１図のように構成し、引出し配線部を図14のよ
うに構成する。

【００３２】引出し配線部の構成について説明すると、
図14において、引出し配線は、深いＮ型高濃度拡散層９
と埋め込み金属層28で構成されている。封止構造内外の
電気的接続は酸化膜６に形成したコンタクト部１にて金
属配線５と深い高濃度拡散配線層９を接触することによ
り構成している。埋め込み金属層を形成する場合、例え
ば表面に金属層を形成した第１シリコン基板を別のシリ
コン基板と接合し、第１シリコン基板を所定の厚さまで
研磨することにより実現できる。従ってその表面は通常
のシリコン基板と同様にラフネスが数Åの鏡面である。
ホトリソグラフィー工程におけるマスクとのアラインメ
ントは赤外線アライナーにより可能である。また、引出
し配線を埋め込み金属層28で構成したため、配線部のＰ
Ｎ接合がなく、発生する可能性のあるＰＮ接合部のリー
ク電流を抑制することができる構成となっている。

【００３３】得られる効果は実施例１の場合と同様であ
るが、本実施例特有の効果としては、本実施例では、
誘電体で形成したキャップ部とシリコン基板との接合部
は誘電体とシリコンの２種類の材料のみで構成されてい
るため、誘電体としてパイレックスガラス等のほうけい
酸ガラスを用いればキャップ部とシリコン基板の熱膨張
係数を一致することができ熱ストレスを低減することが
出来る。その結果接合部のシール性の信頼性が向上す
る。

【００３４】また、引出し配線を埋め込み金属層28で構
成したために、拡散層のみの場合に比べ配線部の電気抵
抗を抑えることができる。そのため引出し配線での電圧
降下を抑えることができ信号の伝達精度が向上する。

【００３５】

【実施例５】本実施例では、接合部を実施例１の場合と
同様に図１のように構成し、引出し配線部を図15のよう
に構成する。

【００３６】引出し配線部の構成について説明すると、
図15において、引出し配線は、深いＮ型高濃度拡散層９
と埋め込みＮ型高濃度拡散層10に包含される埋め込み金
属層28で構成されている。封止構造内外の電気的接続は
酸化膜６に形成したコンタクト部１にて金属配線５と深
い高濃度拡散配線層９を接触することにより構成してい
る。複数の配線間はシリコン基板７をＰ型にして、これ
を接地する(図示せず)ことにより接合分離されている。
埋め込み金属層を形成する場合、例えば表面に金属層を
形成した第１シリコン基板を別のシリコン基板と接合
し、第１シリコン基板を所定の厚さまで研磨することに
より実現できる。従ってその表面は通常のシリコン基板
と同様にラフネスが数Ａの鏡面である。フォトリソグラ
フィー工程におけるマスクとのアラインメントは赤外線
アライナーにより可能である。また、引出し配線を埋め
込みＮ型高濃度拡散層10に包含される埋め込み金属層28
で構成したため、配線部のＰＮ接合が露出することな
く、発生する可能性のあるＰＮ接合部のリーク電流を抑
制することができる構成となっている。

【００３７】得られる効果は実施例１の場合と同様であ
るが、本実施例に特有の効果としては、本実施例では、
誘電体で形成したキャップ部とシリコン基板との接合部
は誘電体とシリコンの２種類の材料のみで構成されてい
るため、誘電体としてパイレックスガラス等のほうけい
酸ガラスを用いればキャップ部とシリコン基板の熱膨張
係数を一致することができ熱ストレスを低減することが
出来る。その結果接合部のシール性の信頼性が向上す
る。

【００３８】また、引出し配線を埋め込み拡散層10に包
含される埋め込み金属層28で構成したために、拡散層の
みの場合に比べ配線部の電気抵抗を抑えることができ
る。そのため引出し配線での電圧降下を抑えることがで
き信号の伝達精度が向上する。

【００３９】

【実施例６】本実施例では、接合部を図１のように構成
し、引出し配線部を図17のように構成する。

【００４０】引出し配線部の構成について説明すると、
図17において、引出し配線は絶縁層32とその上のシリコ
ン層で構成されたシリコン基板７(SOI基板)に形成され
ている。引出し配線は、深いＮ型高濃度拡散層９と埋め
込みＮ型高濃度拡散層10で構成されている。封止構造内
外の電気的接続は酸化膜６に形成したコンタクト部１に
て金属配線５と深い高濃度拡散配線層９を接触すること
により構成している。複数の配線間はシリコン基板７を
Ｐ型にして、これを接地する(図示せず)ことにより接合
分離されている。埋め込み高濃度拡散層を有する SOI
基板を形成する場合、例えば表面に高濃度拡散層を形成
した第１シリコン基板を別の絶縁膜の形成されたシリコ
ン基板と接合し、第１シリコン基板を所定の厚さまで研
磨することにより実現できる。従ってその表面は通常の
シリコン基板と同様にラフネスが数Ａの鏡面である。フ
ォトリソグラフィー工程におけるマスクとのアラインメ
ントは赤外線アライナーにより可能である。また、引出
し配線を埋め込み高濃度拡散層10で構成したため、図28
Ａ部のように配線部のＰＮ接合が露出することがなく、
発生する可能性のある表面準位を介したＰＮ接合部のリ
ーク電流を抑制することができる構成となっている。

【００４１】得られる効果は実施例１の場合と同様であ
るが、本実施例に特有の効果としては、誘電体で形成し
たキャップ部とシリコン基板との接合部は誘電体とシリ
コンの２種類の材料のみで構成されているため、誘電体
としてパイレックスガラス等のほうけい酸ガラスを用い
ればキャップ部とシリコン基板の熱膨張係数を一致する
ことができ熱ストレスを低減することが出来る。その結
果接合部のシール性の信頼性が向上する。

【００４２】また、引出し配線を SOI 基板に構成した
ため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性がより向上
するという効果が得られる。

【００４３】

【実施例７】本実施例においては、接合部を図１のよう
に構成し、引出し配線部を図18のように構成する。

【００４４】引出し配線部の構成について説明すると、
図18の構成において、引出し配線は絶縁層32とその上の
シリコン層で構成されたシリコン基板７(SOI 基板)に形
成されている。引出し配線は、深いＮ型高濃度拡散層９
と埋め込み金属間化合物層11で構成されている。封止構
造内外の電気的接続は酸化膜６に形成したコンタクト部
１にて金属配線５と深い高濃度拡散配線層９を接触する
ことにより構成している。埋め込み金属間化合物層を有
する SOI 基板を形成する場合、例えば表面に金属間化
合物層を形成した第１シリコン基板を別の絶縁膜の形成
されたシリコン基板と接合し、第１シリコン基板を所定
の厚さまで研磨することにより実現できる。従ってその
表面は通常のシリコン基板と同様にラフネスが数Ａの鏡
面である。フォトリソグラフィー工程におけるマスクと
のアラインメントは赤外線アライナーにより可能であ
る。また、引出し配線を埋め込み金属間化合物層11で構
成したため、配線部のＰＮ接合がなく、発生する可能性
のあるＰＮ接合部のリーク電流を抑制することができる
構成となっている。

【００４５】得られる効果は実施例１の場合と同様であ
るが、本実施例に特有の効果としては、誘電体で形成し
たキャップ部とシリコン基板との接合部は誘電体とシリ
コンの２種類の材料のみで構成されているため、誘電体
としてパイレックスガラス等のほうけい酸ガラスを用い
ればキャップ部とシリコン基板の熱膨張係数を一致する
ことができ熱ストレスを低減することが出来る。その結
果接合部のシール性の信頼性が向上する。

【００４６】また、引出し配線を埋め込み金属間化合物
層11で構成したために、拡散層のみの場合に比べ配線部
の電気抵抗を抑えることができる。そのため引出し配線
での電圧降下を抑えることができ信号の伝達精度が向上
する。

【００４７】また、本実施例では引出し配線を SOI 基
板に構成したため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境
性がより向上するという効果が得られる。

【００４８】

【実施例８】本実施例では、接合部を図１のように構成
し、引出し配線部を図19のように構成する。

【００４９】引出し配線部の構成について説明すると、
図19の構成において、引出し配線は絶縁層32とその上の
シリコン層で構成されたシリコン基板７(SOI 基板)に形
成されている。引出し配線は、深いＮ型高濃度拡散層９
と埋め込みＮ型高濃度拡散層10に包含される埋め込み金
属間化合物層11で構成されている。封止構造内外の電気
的接続は酸化膜６に形成したコンタクト部１にて金属配
線５と深い高濃度拡散配線層９を接触することにより構
成している。複数の配線間はシリコン基板７をＰ型にし
て、これを接地する(図示せず)ことにより接合分離され
ている。埋め込み金属間化合物層を有する SOI 基板を
形成する場合、例えば表面に金属間化合物層を形成した
第１シリコン基板を別の絶縁膜の形成されたシリコン基
板と接合し、第１シリコン基板を所定の厚さまで研磨す
ることにより実現できる。従ってその表面は通常のシリ
コン基板と同様にラフネスが数Ａの鏡面である。ホトリ
ソグラフィー工程におけるマスクとのアラインメントは
赤外線アライナーにより可能である。また、引出し配線
を埋め込みＮ型高濃度拡散層10に包含される埋め込み金
属間化合物層11で構成したため、配線部のＰＮ接合が露
出することなく、発生する可能性のあるＰＮ接合部のリ
ーク電流を抑制することができる構成となっている。

【００５０】得られる効果は実施例１の場合と同様であ
るが、本実施例に特有の効果としては、誘電体で形成し
たキャップ部とシリコン基板との接合部は誘電体とシリ
コンの２種類の材料のみで構成されているため、誘電体
としてパイレックスガラス等のほうけい酸ガラスを用い
ればキャップ部とシリコン基板の熱膨張係数を一致する
ことができ熱ストレスを低減することが出来る。その結
果接合部のシール性の信頼性が向上する。

【００５１】また、引出し配線を埋め込み拡散層10で包
含される埋め込み金属間化合物層11で構成したために、
拡散層のみの場合に比べ配線部の電気抵抗を抑えること
ができる。そのため引出し配線での電圧降下を抑えるこ
とができ信号の伝達精度が向上する。

【００５２】また、本実施例は引出し配線を SOI 基板
に構成したため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性
がより向上するという効果が得られる。

【００５３】

【実施例９】本実施例においては、接合部を図１のよう
に構成し、引出し配線部を図20のように構成する。

【００５４】引出し配線部の構成について説明すると、
図20の構成において、引出し配線は絶縁層32とその上の
シリコン層で構成されたシリコン基板７(SOI 基板)に形
成されている。引出し配線は、深いＮ型高濃度拡散層９
と埋め込み金属層28で構成されている。封止構造内外の
電気的接続は酸化膜６に形成したコンタクト部１にて金
属配線５と深い高濃度拡散配線層９を接触することによ
り構成している。埋め込み金属層を有する SOI 基板を
形成する場合、例えば表面に金属層を形成した第１シリ
コン基板を別の絶縁膜の形成されたシリコン基板と接合
し、第１シリコン基板を所定の厚さまで研磨することに
より実現できる。従ってその表面は通常のシリコン基板
と同様にラフネスが数Ａの鏡面である。フォトリソグラ
フィー工程におけるマスクとのアラインメントは赤外線
アライナーにより可能である。また、引出し配線を埋め
込み金属層28で構成したため、配線部のＰＮ接合がな
く、発生する可能性のあるＰＮ接合部のリーク電流を抑
制することができる構成となっている。

【００５５】得られる効果について説明すると、実施例
１の場合と同様であるが、本実施例に特有の効果として
は、誘電体で形成したキャップ部とシリコン基板との接
合部は誘電体とシリコンの２種類の材料のみで構成され
ているため、誘電体としてパイレックスガラス等のほう
けい酸ガラスを用いればキャップ部とシリコン基板の熱
膨張係数を一致することができ熱ストレスを低減するこ
とが出来る。その結果接合部のシール性の信頼性が向上
する。

【００５６】また、引出し配線を埋め込み金属層28で構
成したために、拡散層のみの場合に比べ配線部の電気抵
抗を抑えることができる。そのため引出し配線での電圧
降下を抑えることができ信号の伝達精度が向上する。

【００５７】また、本実施例は引出し配線を SOI 基板
に構成したため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性
がより向上するという効果が得られる。

【００５８】

【実施例１０】本実施例においては、接合部を図１のよ
うに構成し、引出し配線部を図21のように構成する。

【００５９】引出し配線部の構成について説明すると、
図21の構成において、引出し配線は絶縁層32とその上の
シリコン層で構成されたシリコン基板７(SOI 基板)に形
成されている。引出し配線は、深いＮ型高濃度拡散層９
と埋め込みＮ型高濃度拡散層10に包含される埋め込み金
属層28で構成されている。封止構造内外の電気的接続は
酸化膜６に形成したコンタクト部１にて金属配線５と深
い高濃度拡散配線層９を接触することにより構成してい
る。複数の配線間はシリコン基板７をＰ型にして、これ
を接地する(図示せず)ことにより接合分離されている。
埋め込み金属層を有する SOI 基板を形成する場合、例
えば表面に金属層を形成した第１シリコン基板を別の絶
縁膜の形成されたシリコン基板と接合し、第１シリコン
基板を所定の厚さまで研磨することにより実現できる。
従ってその表面は通常のシリコン基板と同様にラフネス
が数Ａの鏡面である。フォトリソグラフィー工程におけ
るマスクとのアラインメントは赤外線アライナーにより
可能である。また、引出し配線を埋め込みＮ型高濃度拡
散層10に包含される埋め込み金属層28で構成したため、
配線部のＰＮ接合が露出することなく、発生する可能性
のあるＰＮ接合部のリーク電流を抑制することができる
構成となっている。

【００６０】得られる効果について説明すると、実施例
１の場合と同様であるが、本実施例に特有の効果として
は、誘電体で形成したキャップ部とシリコン基板との接
合部は誘電体とシリコンの２種類の材料のみで構成され
ているため、誘電体としてパイレックスガラス等のほう
けい酸ガラスを用いればキャップ部とシリコン基板の熱
膨張係数を一致することができ熱ストレスを低減するこ
とが出来る。その結果接合部のシール性の信頼性が向上
する。

【００６１】また、引出し配線を埋め込み拡散層10で包
含される埋め込み金属層28で構成したために、拡散層の
みの場合に比べ配線部の電気抵抗を抑えることができ
る。そのため引出し配線での電圧降下を抑えることがで
き信号の伝達精度が向上する。

【００６２】また、本実施例は引出し配線を SOI 基板
に構成したため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性
がより向上するという効果が得られる。

【００６３】

【実施例１１】本実施例においては、接合部を図２のよ
うに構成し、引出し配線部を図10のように構成する。従
って、全体構成は図32のようになる。

【００６４】まず、接合部の構成について説明すると、
図２の構成において、３は誘電体であり、シリコン基板
７との接合面側の対向面に溝部が形成してある。４はパ
ッシベーション膜、５は金属配線、６は酸化膜であり、
12はプロテクト酸化膜である。その表面はシリコン基板
のラフネス（数Å以下）を維持するように処理されてい
る。誘電体３とシリコン基板７は接合面２で接合されて
おり分子レベルにてほぼ完全なシールを構成している。

【００６５】次に引出し配線部の構成について説明する
と、図10の構成において、引出し配線は、プロテクト酸
化膜12を介してイオンインプランテーション法により不
純物を注入し、これを例えば N₂雰囲気での非酸化ドラ
イブインにより形成したＮ型高濃度拡散層14とＮ型高濃
度拡散層13で構成されている。封止構造内外の電気的接
続は酸化膜６に形成したコンタクト部１にて金属配線５
とＮ型高濃度拡散層13を接続して構成している。複数の
配線間は、Ｎ型高濃度拡散層についてはシリコン基板７
をＰ型とし、これを接地する(図示せず)ことにより接合
分離されている。非酸化ドライブインによりＮ型高濃度
拡散層14を形成するので、プロテクト酸化膜12の平坦性
は維持されている。また、引出し配線を非酸化ドライブ
インにより形成したＮ型高濃度拡散層14とＮ型高濃度拡
散層13で構成したため、配線部のＰＮ接合が露出するこ
となく、発生する可能性のあるＰＮ接合部のリーク電流
を抑制することができる構成となっている。

【００６６】得られる効果について説明すると、実施例
１の場合と同様であるが、本実施例特有の効果として
は、引出し配線をイオンインプランテーション法により
不純物を注入し、これを例えば N₂雰囲気での非酸化ド
ライブインにより形成したＮ型高濃度拡散層14とＮ型高
濃度拡散層13で構成したため、特殊プロセスを用いる事
なく引出し配線が形成可能である。従って引出し配線形
成によるチップコストの上昇はない。

【００６７】また、引出し配線の電気抵抗はイオンイン
プランテーションでの不純物注入量によりコントロール
可能であるという効果がある。

【００６８】

【実施例１２】本実施例においては、接合部を図２のよ
うに構成し、引出し配線部を図11のように構成する。

【００６９】本実施例の場合、本例に特有の効果として
は特にない。

【００７０】

【実施例１３】本実施例においては、接合部を図２のよ
うに構成し、引出し配線部を図12のように構成する。

【００７１】引出し配線部の構成及び効果について説明
すると、図12の構成において、本実施例では引出し配線
を埋め込み金属間化合物層11で構成したために、拡散層
のみの場合に比べ配線部の電気抵抗を抑えることができ
る。そのため引出し配線での電圧降下を抑えることがで
き信号の伝達精度が向上する。

【００７２】

【実施例１４】本実施例においては、接合部を図２のよ
うに構成し、引出し配線部を図13のように構成する。

【００７３】引出し配線部の構成及び効果について説明
すると、図13の構成において、本実施例では引出し配線
を埋め込み拡散層10で包含される埋め込み金属間化合物
層11で構成したために、拡散層のみの場合に比べ配線部
の電気抵抗を抑えることができる。そのため引出し配線
での電圧降下を抑えることができ信号の伝達精度が向上
する。

【００７４】

【実施例１５】本実施例においては接合部を図２のよう
に構成し、引出し配線部を図14のように構成する。

【００７５】引出し配線部の構成及び効果について説明
すると、図14の構成において、引出し配線を埋め込み金
属層28で構成したために、拡散層のみの場合に比べ配線
部の電気抵抗を抑えることができる。そのため引出し配
線での電圧降下を抑えることができ信号の伝達精度が向
上する。

【００７６】

【実施例１６】本実施例においては、接合部を図２のよ
うに構成し、引出し配線部を図15のように構成する。

【００７７】引出し配線部の構成及び効果について説明
すると、図15の構成において、引出し配線を埋め込み拡
散層10に包含される埋め込み金属層28で構成したため
に、拡散層のみの場合に比べ配線部の電気抵抗を抑える
ことができる。そのため引出し配線での電圧降下を抑え
ることができ信号の伝達精度が向上する。

【００７８】

【実施例１７】本実施例においては接合部を図２のよう
に構成し、引出し配線部を図16のように構成する。引出
し配線部の構成及び効果について説明すると、図16の構
成において、引出し配線は絶縁層32とその上のシリコン
層で構成されたシリコン基板７(SOI 基板)に形成されて
いる。引出し配線は、プロテクト酸化膜12を介してイオ
ンインプランテーション法により不純物を注入し、これ
を例えば N₂雰囲気での非酸化ドライブインにより形成
したＮ型高濃度拡散層14とＮ型高濃度拡散層13で構成さ
れている。封止構造内外の電気的接続は酸化膜６に形成
したコンタクト部１にて金属配線５とＮ型高濃度拡散層
13を接続して構成している。複数の配線間は、Ｎ型高濃
度拡散層についてはシリコン基板７をＰ型とし、これを
接地する（図示せず）ことにより接合分離されている。
非酸化ドライブインによりＮ型高濃度拡散層14を形成す
るので、プロテクト酸化膜12の平坦性は維持されてい
る。また、引出し配線を非酸化ドライブインにより形成
したＮ型高濃度拡散層14とＮ型高濃度拡散層13で構成し
たため、配線部のＰＮ接合が露出することなく、発生す
る可能性のあるＰＮ接合部のリーク電流を抑制すること
ができる構成となっている。

【００７９】引出し配線部の構成及び効果について説明
すると、本実施例では引出し配線をイオンインプランテ
ーション法により不純物を注入し、これを例えば N₂雰
囲気での非酸化ドライブインにより形成したＮ型高濃度
拡散層14とＮ型高濃度拡散層13で構成したため、特殊プ
ロセスを用いる事なく引出し配線が形成可能である。従
って引出し配線形成によるチップコストの上昇はない。

【００８０】また、引出し配線の電気抵抗はイオンイン
プランテーションでの不純物注入量によりコントロール
可能であるという効果がある。

【００８１】

【実施例１８】本実施例においては、接合部を図２のよ
うに構成し、引出し配線部を図17のように構成する。

【００８２】本実施例は引出し配線を SOI 基板に構成
したため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性がより
向上するという効果が得られる。

【００８３】

【実施例１９】本実施例においては接合部を図２のよう
に構成し、引出し配線部を図18のように構成する。

【００８４】引出し配線部の構成及び効果について説明
すると、本実施例では引出し配線を埋め込み金属間化合
物層11で構成したために、拡散層のみの場合に比べ配線
部の電気抵抗を抑えることができる。そのため引出し配
線での電圧降下を抑えることができ信号の伝達精度が向
上する。

【００８５】また、本実施例は引出し配線を SOI 基板
に構成したため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性
がより向上するという効果が得られる。

【００８６】

【実施例２０】本実施例においては、接合部を図２のよ
うに構成し、引出し配線部を図19のように構成する。

【００８７】引出し配線部の構成及び効果について説明
すると、本実施例では引出し配線を埋め込み拡散層10で
包含される埋め込み金属間化合物層11で構成したため
に、拡散層のみの場合に比べ配線部の電気抵抗を抑える
ことができる。そのため引出し配線での電圧降下を抑え
ることができ信号の伝達精度が向上する。

【００８８】また、本実施例は引出し配線を SOI 基板
に構成したため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性
がより向上するという効果が得られる。

【００８９】

【実施例２１】本実施例においては、接合部を図２のよ
うに構成し、引出し配線部を図20のように構成する。

【００９０】引出し配線部の構成及び効果について説明
すると、本実施例では引出し配線を埋め込み金属層28で
構成したために、拡散層のみの場合に比べ配線部の電気
抵抗を抑えることができる。そのため引出し配線での電
圧降下を抑えることができ信号の伝達精度が向上する。

【００９１】また、本実施例は引出し配線を SOI 基板
に構成したため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性
がより向上するという効果が得られる。

【００９２】

【実施例２２】本実施例においては、接合部を図２のよ
うに構成し、引出し配線部を図21のように構成する。

【００９３】引出し配線部の構成及び効果について説明
すると、本実施例では引出し配線を埋め込み拡散層10で
包含される埋め込み金属層28で構成したために、拡散層
のみの場合に比べ配線部の電気抵抗を抑えることができ
る。そのため引出し配線での電圧降下を抑えることがで
き信号の伝達精度が向上する。

【００９４】また、本実施例は引出し配線を SOI 基板
に構成したため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性
がより向上するという効果が得られる。

【００９５】

【実施例２３】本実施例においては、接合部を図３のよ
うに構成し、引出し配線部を図10のように構成する。

【００９６】まず接合部の構成について説明すると、図
３において、３は誘電体であり、シリコン基板７との接
合面側の対向面に溝部が形成してある。４はパッシベー
ション膜、５は金属配線、６は酸化膜である。12はプロ
テクト酸化膜である。その表面はシリコン基板のラフネ
ス（数Å以下）を維持するように処理されている。15は
パッシベーション膜としてシリコン基板表面全面に堆積
した酸化膜である。パッシベーション膜15表面も鏡面で
あるので、誘電体３とシリコン基板７は接合面２で分子
レベルにてほぼ完全なシールを構成している。

【００９７】引出し配線部の構成は前出の通りで、ここ
での説明は省略する。

【００９８】本実施例に特有の効果としては、本実施例
の場合、引出し配線をイオンインプランテーション法に
より不純物を注入し、これを例えばＮ２雰囲気での非酸
化ドライブインにより形成したＮ型高濃度拡散層14とＮ
型高濃度拡散層13で構成したため、特殊プロセスを用い
る事なく引出し配線が形成可能である。従って引出し配
線形成によるチップコストの上昇はない。

【００９９】また、パッシベーション膜15が引出し配線
上に存在するため配線の特性が安定し、その信頼性が向
上するという効果が得られる。

【０１００】

【実施例２４】本実施例においては、接合部を図３のよ
うに構成し、引出し配線部を図11のように構成する。

【０１０１】接合部及び引き出し配線部の構成はそれぞ
れ前出の通りであり、ここでの説明は省略する。

【０１０２】本実施例の場合、本例に特有の効果は特に
ない。

【０１０３】

【実施例２５】本実施例においては、接合部を図３のよ
うに構成し、引出し配線部を図12のように構成する。

【０１０４】接合部及び引き出し配線部の構成はそれぞ
れ前出の通りであり、ここでの説明は省略する。

【０１０５】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では引出し配線を埋め込み金属間化合物層11で構成した
ために、拡散層のみの場合に比べ配線部の電気抵抗を抑
えることができる。そのため引出し配線での電圧降下を
抑えることができ信号の伝達精度が向上する。

【０１０６】

【実施例２６】本実施例においては、接合部を図３のよ
うに構成し、引出し配線部を図13のように構成する。

【０１０７】接合部及び引き出し配線部の構成はそれぞ
れ前出の通りであり、ここでの説明は省略する。

【０１０８】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では引出し配線を埋め込み拡散層10で包含される埋め込
み金属間化合物層11で構成したために、拡散層のみの場
合に比べ配線部の電気抵抗を抑えることができる。その
ため引出し配線での電圧降下を抑えることができ信号の
伝達精度が向上する。

【０１０９】

【実施例２７】本実施例においては、接合部を図３のよ
うに構成し、引出し配線部を図14のように構成する。

【０１１０】接合部及び引き出し配線部の構成はそれぞ
れ前出の通りであり、ここでの説明は省略する。

【０１１１】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では引出し配線を埋め込み金属層28で構成したために、
拡散層のみの場合に比べ配線部の電気抵抗を抑えること
ができる。そのため引出し配線での電圧降下を抑えるこ
とができ信号の伝達精度が向上する。

【０１１２】

【実施例２８】本実施例においては、接合部を図３のよ
うに構成し、引出し配線部を図15のように構成する。

【０１１３】接合部及び引き出し配線部の構成はそれぞ
れ前出の通りであり、ここでの説明は省略する。

【０１１４】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では引出し配線を埋め込み拡散層10に包含される埋め込
み金属層28で構成したために、拡散層のみの場合に比べ
配線部の電気抵抗を抑えることができる。そのため引出
し配線での電圧降下を抑えることができ信号の伝達精度
が向上する。

【０１１５】

【実施例２９】本実施例においては、接合部を図３のよ
うに構成し、引出し配線部を図16のように構成する。接
合部及び引き出し配線部の構成はそれぞれ前出の通りで
あり、ここでの説明は省略する。

【０１１６】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では引出し配線をイオンインプランテーション法により
不純物を注入し、これを例えば N₂雰囲気での非酸化ド
ライブインにより形成したＮ型高濃度拡散層14とＮ型高
濃度拡散層13で構成したため、特殊プロセスを用いる事
なく引出し配線が形成可能である。従って引出し配線形
成によるチップコストの上昇はない。

【０１１７】また、パッシベーション膜15が引出し配線
上に存在するため配線の特性が安定し、その信頼性が向
上するという効果が得られる。

【０１１８】また、引出し配線を SOI 基板に構成した
ため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性がより向上
するという効果が得られる。

【０１１９】

【実施例３０】本実施例においては、接合部を図３のよ
うに構成し、引出し配線部を図17のように構成する。

【０１２０】接合部及び引き出し配線部の構成はそれぞ
れ前出の通りであり、ここでの説明は省略する。

【０１２１】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では引出し配線をＳＯＩ基板に構成したため、外来ノイ
ズ等に対する配線の耐環境性がより向上するという効果
が得られる。

【０１２２】

【実施例３１】本実施例においては、接合部を図３のよ
うに構成し、引出し配線部を図18のように構成する。

【０１２３】接合部及び引き出し配線部の構成はそれぞ
れ前出の通りであり、ここでの説明は省略する。

【０１２４】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では引出し配線を埋め込み金属間化合物層11で構成した
ために、拡散層のみの場合に比べ配線部の電気抵抗を抑
えることができる。そのため引出し配線での電圧降下を
抑えることができ信号の伝達精度が向上する。

【０１２５】また、本実施例は引出し配線を SOI 基板
に構成したため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性
がより向上するという効果が得られる。

【０１２６】

【実施例３２】本実施例においては、接合部を図３のよ
うに構成し、引出し配線部を図19のように構成する。

【０１２７】接合部及び引き出し配線部の構成はそれぞ
れ前出の通りであり、ここでの説明は省略する。

【０１２８】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では引出し配線を埋め込み拡散層10で包含される埋め込
み金属間化合物層11で構成したために、拡散層のみの場
合に比べ配線部の電気抵抗を抑えることができる。その
ため引出し配線での電圧降下を抑えることができ信号の
伝達精度が向上する。

【０１２９】また、本実施例は引出し配線を SOI 基板
に構成したため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性
がより向上するという効果が得られる。

【０１３０】

【実施例３３】本実施例においては、接合部を図３のよ
うに構成し、引出し配線部を図20のように構成する。

【０１３１】接合部及び引き出し配線部の構成はそれぞ
れ前出の通りであり、ここでの説明は省略する。

【０１３２】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では引出し配線を埋め込み金属層28で構成したために、
拡散層のみの場合に比べ配線部の電気抵抗を抑えること
ができる。そのため引出し配線での電圧降下を抑えるこ
とができ信号の伝達精度が向上する。

【０１３３】また、引出し配線を SOI 基板に構成した
ため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性がより向上
するという効果が得られる。

【０１３４】

【実施例３４】本実施例においては、接合部を図３のよ
うに構成し、引出し配線部を図21のように構成する。

【０１３５】接合部及び引き出し配線部の構成はそれぞ
れ前出の通りであり、ここでの説明は省略する。

【０１３６】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では引出し配線を埋め込み拡散層10で包含される埋め込
み金属層28で構成したために、拡散層のみの場合に比べ
配線部の電気抵抗を抑えることができる。そのため引出
し配線での電圧降下を抑えることができ信号の伝達精度
が向上する。

【０１３７】また、引出し配線を SOI 基板に構成した
ため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性がより向上
するという効果が得られる。

【０１３８】

【実施例３５】本実施例においては、接合部を図４のよ
うに構成し、引出し配線部を図10のように構成する。

【０１３９】接合部の構成について説明すると、図４に
おいて、３は誘電体であり、シリコン基板７との接合面
側の対向面に溝部が形成してある。４はパッシベーショ
ン膜、５は金属配線、６は酸化膜である。12はプロテク
ト酸化膜である。その表面はシリコン基板のラフネス
（数Å以下）を維持するように処理されている。16はプ
ロテクト酸化膜12上に堆積したアモルファスシリコン膜
でシリコン基板７と電気的に接続されている。（簡単の
ため図示せず）。プロテクト酸化膜12上に堆積したアモ
ルファスシリコン膜16の表面は鏡面であり誘電体３との
接合面２での陽極接合により分子レベルにてほぼ完全な
シールを構成している。

【０１４０】引出し配線部の構成は前出の通りであり、
ここでの説明は省略する。

【０１４１】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とアモルファスシリコンの２種類の材料のみで構成され
ているため、誘電体としてパイレックスガラス等のほう
けい酸ガラスを用いればキャップ部とアモルファスシリ
コン膜の熱膨張係数を一致することができ熱ストレスを
低減することが出来る。その結果接合部のシール性の信
頼性が向上する。

【０１４２】また、アモルファスシリコンは比較的低い
温度(540℃以下)で堆積可能であるためプロセスの全体
設計が容易である。

【０１４３】また、引出し配線をイオンインプランテー
ション法により不純物を注入し、これを例えば N₂雰囲
気での非酸化ドライブインにより形成したＮ型高濃度拡
散層14とＮ型高濃度拡散層13で構成したため、特殊プロ
セスを用いる事なく引出し配線が形成可能である。従っ
て引出し配線形成によるチップコストの上昇はない。

【０１４４】

【実施例３６】本実施例においては、接合部を図４のよ
うに構成し、引出し配線部を図11のように構成する。

【０１４５】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０１４６】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とアモルファスシリコンの２種類の材料のみで構成され
ているため、誘電体としてパイレックスガラス等のほう
けい酸ガラスを用いればキャップ部とアモルファスシリ
コン膜の熱膨張係数を一致することができ熱ストレスを
低減することが出来る。その結果接合部のシール性の信
頼性が向上する。

【０１４７】また、アモルファスシリコンは比較的低い
温度(540℃以下)で堆積可能であるためプロセスの全体
設計が容易である。

【０１４８】

【実施例３７】本実施例においては、接合部を図４のよ
うに構成し、引出し配線部を図12のように構成する。

【０１４９】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０１５０】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とアモルファスシリコンの２種類の材料のみで構成され
ているため、誘電体としてパイレックスガラス等のほう
けい酸ガラスを用いればキャップ部とアモルファスシリ
コン膜の熱膨張係数を一致することができ熱ストレスを
低減することが出来る。その結果接合部のシール性の信
頼性が向上する。

【０１５１】また、アモルファスシリコンは比較的低い
温度(540℃)以下で堆積可能であるためプロセスの全体
設計が容易である。

【０１５２】また、引出し配線を埋め込み金属間化合物
層（１１）で構成したために、拡散層のみの場合に比べ
配線部の電気抵抗を抑えることができる。そのため引出
し配線での電圧降下を抑えることができ信号の伝達精度
が向上する。

【０１５３】

【実施例３８】本実施例においては、接合部を図４のよ
うに構成し、引出し配線部を図13のように構成する。

【０１５４】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０１５５】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とアモルファスシリコンの２種類の材料のみで構成され
ているため、誘電体としてパイレックスガラス等のほう
けい酸ガラスを用いればキャップ部とアモルファスシリ
コン膜の熱膨張係数を一致することができ熱ストレスを
低減することが出来る。その結果接合部のシール性の信
頼性が向上する。

【０１５６】また、アモルファスシリコンは比較的低い
温度(540℃以下)で堆積可能であるためプロセスの全体
設計が容易である。

【０１５７】また、引出し配線を埋め込み拡散層10で包
含される埋め込み金属間化合物層11で構成したために、
拡散層のみの場合に比べ配線部の電気抵抗を抑えること
ができる。そのため引出し配線での電圧降下を抑えるこ
とができ信号の伝達精度が向上する。

【０１５８】

【実施例３９】本実施例においては、接合部を図４のよ
うに構成し、引出し配線部を図14のように構成する。

【０１５９】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０１６０】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とアモルファスシリコンの２種類の材料のみで構成され
ているため、誘電体としてパイレックスガラス等のほう
けい酸ガラスを用いればキャップ部とアモルファスシリ
コン膜の熱膨張係数を一致することができ熱ストレスを
低減することが出来る。その結果接合部のシール性の信
頼性が向上する。

【０１６１】また、アモルファスシリコンは比較的低い
温度(540℃以下)で堆積可能であるためプロセスの全体
設計が容易である。

【０１６２】また、引出し配線を埋め込み金属層28で構
成したために、拡散層のみの場合に比べ配線部の電気抵
抗を抑えることができる。そのため引出し配線での電圧
降下を抑えることができ信号の伝達精度が向上する。

【０１６３】

【実施例４０】本実施例においては、接合部を図４のよ
うに構成し、引出し配線部を図15のように構成する。

【０１６４】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０１６５】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とアモルファスシリコンの２種類の材料のみで構成され
ているため、誘電体としてパイレックスガラス等のほう
けい酸ガラスを用いればキャップ部とアモルファスシリ
コン膜の熱膨張係数を一致することができ熱ストレスを
低減することが出来る。その結果接合部のシール性の信
頼性が向上する。

【０１６６】また、アモルファスシリコンは比較的低い
温度(540℃以下)で堆積可能であるためプロセスの全体
設計が容易である。

【０１６７】また、引出し配線を埋め込み拡散層10で包
含される埋め込み金属層28で構成したために、拡散層の
みの場合に比べ配線部の電気抵抗を抑えることができ
る。そのため引出し配線での電圧降下を抑えることがで
き信号の伝達精度が向上する。

【０１６８】

【実施例４１】本実施例においては、接合部を図４のよ
うに構成し、引出し配線部を図16のように構成する。

【０１６９】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０１７０】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とアモルファスシリコンの２種類の材料のみで構成され
ているため、誘電体としてパイレックスガラス等のほう
けい酸ガラスを用いればキャップ部とアモルファスシリ
コン膜の熱膨張係数を一致することができ熱ストレスを
低減することが出来る。その結果接合部のシール性の信
頼性が向上する。

【０１７１】また、アモルファスシリコンは比較的低い
温度(540℃以下)で堆積可能であるためプロセスの全体
設計が容易である。

【０１７２】また、引出し配線をイオンインプランテー
ション法により不純物を注入し、これを例えば N₂雰囲
気での非酸化ドライブインにより形成したＮ型高濃度拡
散層14とＮ型高濃度拡散層13で構成したため、特殊プロ
セスを用いる事なく引出し配線が形成可能である。従っ
て引出し配線形成によるチップコストの上昇はない。

【０１７３】また、引出し配線を SOI 基板に構成した
ため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性がより向上
するという効果が得られる。

【０１７４】

【実施例４２】本実施例においては、接合部を図４のよ
うに構成し、引出し配線部を図17のように構成する。

【０１７５】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０１７６】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とアモルファスシリコンの２種類の材料のみで構成され
ているため、誘電体としてパイレックスガラス等のほう
けい酸ガラスを用いればキャップ部とアモルファスシリ
コン膜の熱膨張係数を一致することができ熱ストレスを
低減することが出来る。その結果接合部のシール性の信
頼性が向上する。

【０１７７】また、アモルファスシリコンは比較的低い
温度(540℃以下)で堆積可能であるためプロセスの全体
設計が容易である。

【０１７８】また、引出し配線を SOI 基板に構成した
ため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性がより向上
するという効果が得られる。

【０１７９】

【実施例４３】本実施例においては、接合部を図４のよ
うに構成し、引出し配線部を図18のように構成する。

【０１８０】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０１８１】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とアモルファスシリコンの２種類の材料のみで構成され
ているため、誘電体としてパイレックスガラス等のほう
けい酸ガラスを用いればキャップ部とアモルファスシリ
コン膜の熱膨張係数を一致することができ熱ストレスを
低減することが出来る。その結果接合部のシール性の信
頼性が向上する。

【０１８２】また、アモルファスシリコンは比較的低い
温度(540℃以下)で堆積可能であるためプロセスの全体
設計が容易である。

【０１８３】また、引出し配線を埋め込み金属間化合物
層11で構成したために、拡散層のみの場合に比べ配線部
の電気抵抗を抑えることができる。そのため引出し配線
での電圧降下を抑えることができ信号の伝達精度が向上
する。

【０１８４】また、引出し配線を SOI 基板に構成した
ため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性がより向上
するという効果が得られる。

【０１８５】

【実施例４４】本実施例においては、接合部を図４のよ
うに構成し、引出し配線部を図19のように構成する。接
合部及び引き出し配線部の構成は前出の通りであり、こ
こでの説明は省略する。

【０１８６】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とアモルファスシリコンの２種類の材料のみで構成され
ているため、誘電体としてパイレックスガラス等のほう
けい酸ガラスを用いればキャップ部とアモルファスシリ
コン膜の熱膨張係数を一致することができ熱ストレスを
低減することが出来る。その結果接合部のシール性の信
頼性が向上する。

【０１８７】また、アモルファスシリコンは比較的低い
温度(540℃以下)で堆積可能であるためプロセスの全体
設計が容易である。

【０１８８】また、引出し配線を埋め込み拡散層10で包
含される埋め込み金属間化合物層11で構成したために、
拡散層のみの場合に比べ配線部の電気抵抗を抑えること
ができる。そのため引出し配線での電圧降下を抑えるこ
とができ信号の伝達精度が向上する。

【０１８９】また、引出し配線を SOI 基板に構成した
ため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性がより向上
するという効果が得られる。

【０１９０】

【実施例４５】本実施例においては、接合部を図４のよ
うに構成し、引出し配線部を図20のように構成する。

【０１９１】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０１９２】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とアモルファスシリコンの２種類の材料のみで構成され
ているため、誘電体としてパイレックスガラス等のほう
けい酸ガラスを用いればキャップ部とアモルファスシリ
コン膜の熱膨張係数を一致することができ熱ストレスを
低減することが出来る。その結果接合部のシール性の信
頼性が向上する。

【０１９３】また、アモルファスシリコンは比較的低い
温度(540℃以下)で堆積可能であるためプロセスの全体
設計が容易である。

【０１９４】また、引出し配線を埋め込み金属層28で構
成したために、拡散層のみの場合に比べ配線部の電気抵
抗を抑えることができる。そのため引出し配線での電圧
降下を抑えることができ信号の伝達精度が向上する。

【０１９５】また、引出し配線を SOI 基板に構成した
ため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性がより向上
するという効果が得られる。

【０１９６】

【実施例４６】本実施例においては、接合部を図４のよ
うに構成し、引出し配線部を図21のように構成する。

【０１９７】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０１９８】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とアモルファスシリコンの２種類の材料のみで構成され
ているため、誘電体としてパイレックスガラス等のほう
けい酸ガラスを用いればキャップ部とアモルファスシリ
コン膜の熱膨張係数を一致することができ熱ストレスを
低減することが出来る。その結果接合部のシール性の信
頼性が向上する。

【０１９９】また、アモルファスシリコンは比較的低い
温度(540℃以下)で堆積可能であるためプロセスの全体
設計が容易である。

【０２００】また、引出し配線を埋め込み拡散層10で包
含される埋め込み金属層28で構成したために、拡散層の
みの場合に比べ配線部の電気抵抗を抑えることができ
る。そのため引出し配線での電圧降下を抑えることがで
き信号の伝達精度が向上する。

【０２０１】また、引出し配線を SOI 基板に構成した
ため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性がより向上
するという効果が得られる。

【０２０２】

【実施例４７】本実施例においては、接合部を図５のよ
うに構成し、引出し配線部を図10のように構成する。接
合部の構成について説明すると、図５において、３は誘
電体であり、シリコン基板７との接合面側の対向面に溝
部が形成してある。４はパッシベーション膜、５は金属
配線、６は酸化膜である。12はプロテクト酸化膜であ
る。その表面はシリコン基板のラフネス（数Å以下）を
維持するように処理されている。17はプロテクト酸化膜
12上に堆積したポリシリコン膜でシリコン基板７と電気
的に接続されている。（簡単のため図示せず）。プロテ
クト酸化膜12上に堆積したポリシリコン膜17の表面は鏡
面であり誘電体３との接合面２での陽極接合により分子
レベルにてほぼ完全なシールを構成している。

【０２０３】引出し配線部の構成は前出の通りであり、
ここでの説明は省略する。

【０２０４】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とポリシリコンの２種類の材料のみで構成されているた
め、誘電体としてパイレックスガラス等のほうけい酸ガ
ラスを用いればキャップ部とポリシリコン膜の熱膨張係
数を一致することができ熱ストレスを低減することが出
来る。その結果接合部のシール性の信頼性が向上する。

【０２０５】また、引出し配線をイオンインプランテー
ション法により不純物を注入し、これを例えば N₂雰囲
気での非酸化ドライブインにより形成したＮ型高濃度拡
散層14とＮ型高濃度拡散層13で構成したため、特殊プロ
セスを用いる事なく引出し配線が形成可能である。従っ
て引出し配線形成によるチップコストの上昇はない。

【０２０６】

【実施例４８】本実施例においては、接合部を図５のよ
うに構成し、引出し配線部を図11のように構成する。

【０２０７】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０２０８】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とポリシリコンの２種類の材料のみで構成されているた
め、誘電体としてパイレックスガラス等のほうけい酸ガ
ラスを用いればキャップ部とポリシリコン膜の熱膨張係
数を一致することができ熱ストレスを低減することが出
来る。その結果接合部のシール性の信頼性が向上する。

【０２０９】

【実施例４９】本実施例においては、接合部を図５のよ
うに構成し、引出し配線部を図12のように構成する。

【０２１０】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０２１１】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とポリシリコンの２種類の材料のみで構成されているた
め、誘電体としてパイレックスガラス等のほうけい酸ガ
ラスを用いればキャップ部とポリシリコン膜の熱膨張係
数を一致することができ熱ストレスを低減することが出
来る。その結果接合部のシール性の信頼性が向上する。

【０２１２】また、引出し配線を埋め込み金属間化合物
層11で構成したために、拡散層のみの場合に比べ配線部
の電気抵抗を抑えることができる。そのため引出し配線
での電圧降下を抑えることができ信号の伝達精度が向上
する。

【０２１３】

【実施例５０】本実施例においては、接合部を図５のよ
うに構成し、引出し配線部を図13のように構成する。

【０２１４】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０２１５】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とポリシリコンの２種類の材料のみで構成されているた
め、誘電体としてパイレックスガラス等のほうけい酸ガ
ラスを用いればキャップ部とポリシリコン膜の熱膨張係
数を一致することができ熱ストレスを低減することが出
来る。その結果接合部のシール性の信頼性が向上する。

【０２１６】また、引出し配線を埋め込み拡散層10で包
含される埋め込み金属間化合物層11で構成したために、
拡散層のみの場合に比べ配線部の電気抵抗を抑えること
ができる。そのため引出し配線での電圧降下を抑えるこ
とができ信号の伝達精度が向上する。

【０２１７】

【実施例５１】本実施例は接合部を図５のように構成
し、引出し配線部を図14のように構成する。

【０２１８】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０２１９】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とポリシリコンの２種類の材料のみで構成されているた
め、誘電体としてパイレックスガラス等のほうけい酸ガ
ラスを用いればキャップ部とポリシリコン膜の熱膨張係
数を一致することができ熱ストレスを低減することが出
来る。その結果接合部のシール性の信頼性が向上する。

【０２２０】また、引出し配線を埋め込み金属層28で構
成したために、拡散層のみの場合に比べ配線部の電気抵
抗を抑えることができる。そのため引出し配線での電圧
降下を抑えることができ信号の伝達精度が向上する。

【０２２１】

【実施例５２】本実施例においては、接合部を図５のよ
うに構成し、引出し配線部を図15のように構成する。

【０２２２】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０２２３】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とポリシリコンの２種類の材料のみで構成されているた
め、誘電体としてパイレックスガラス等のほうけい酸ガ
ラスを用いればキャップ部とポリシリコン膜の熱膨張係
数を一致することができ熱ストレスを低減することが出
来る。その結果接合部のシール性の信頼性が向上する。

【０２２４】また、引出し配線を埋め込み拡散層10で包
含される埋め込み金属層28で構成したために、拡散層の
みの場合に比べ配線部の電気抵抗を抑えることができ
る。そのため引出し配線での電圧降下を抑えることがで
き信号の伝達精度が向上する。

【０２２５】

【実施例５３】本実施例においては、接合部を図５のよ
うに構成し、引出し配線部を図15のように構成する。

【０２２６】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０２２７】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とポリシリコンの２種類の材料のみで構成されているた
め、誘電体としてパイレックスガラス等のほうけい酸ガ
ラスを用いればキャップ部とポリシリコン膜の熱膨張係
数を一致することができ熱ストレスを低減することが出
来る。その結果接合部のシール性の信頼性が向上する。

【０２２８】また、引出し配線をイオンインプランテー
ション法により不純物を注入し、これを例えば N₂雰囲
気での非酸化ドライブインにより形成したＮ型高濃度拡
散層14とＮ型高濃度拡散層13で構成したため、特殊プロ
セスを用いる事なく引出し配線が形成可能である。従っ
て引出し配線形成によるチップコストの上昇はない。

【０２２９】また、引出し配線を SOI 基板に構成した
ため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性がより向上
するという効果が得られる。

【０２３０】

【実施例５４】本実施例においては、接合部を図５のよ
うに構成し、引出し配線部を図17のように構成する。

【０２３１】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０２３２】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とポリシリコンの２種類の材料のみで構成されているた
め、誘電体としてパイレックスガラス等のほうけい酸ガ
ラスを用いればキャップ部とポリシリコン膜の熱膨張係
数を一致することができ熱ストレスを低減することが出
来る。その結果接合部のシール性の信頼性が向上する。

【０２３３】また、引出し配線を SOI 基板に構成した
ため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性がより向上
するという効果が得られる。

【０２３４】

【実施例５５】本実施例においては、接合部を図５のよ
うに構成し、引出し配線部を図18のように構成する。

【０２３５】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０２３６】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とポリシリコンの２種類の材料のみで構成されているた
め、誘電体としてパイレックスガラス等のほうけい酸ガ
ラスを用いればキャップ部とポリシリコン膜の熱膨張係
数を一致することができ熱ストレスを低減することが出
来る。その結果接合部のシール性の信頼性が向上する。

【０２３７】また、引出し配線を埋め込み金属間化合物
層11で構成したために、拡散層のみの場合に比べ配線部
の電気抵抗を抑えることができる。そのため引出し配線
での電圧降下を抑えることができ信号の伝達精度が向上
する。

【０２３８】また、引出し配線を SOI 基板に構成した
ため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性がより向上
するという効果が得られる。

【０２３９】

【実施例５６】本実施例においては、接合部を図５のよ
うに構成し、引出し配線部を図19のように構成する。

【０２４０】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０２４１】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とポリシリコンの２種類の材料のみで構成されているた
め、誘電体としてパイレックスガラス等のほうけい酸ガ
ラスを用いればキャップ部とポリシリコン膜の熱膨張係
数を一致することができ熱ストレスを低減することが出
来る。その結果接合部のシール性の信頼性が向上する。

【０２４２】また、引出し配線を埋め込み拡散層10で包
含される埋め込み金属間化合物層11で構成したために、
拡散層のみの場合に比べ配線部の電気抵抗を抑えること
ができる。そのため引出し配線での電圧降下を抑えるこ
とができ信号の伝達精度が向上する。

【０２４３】また、引出し配線を SOI 基板に構成した
ため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性がより向上
するという効果が得られる。

【０２４４】

【実施例５７】本実施例においては、接合部を図５のよ
うに構成し、引出し配線部を図20のように構成する。

【０２４５】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０２４６】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とポリシリコンの２種類の材料のみで構成されているた
め、誘電体としてパイレックスガラス等のほうけい酸ガ
ラスを用いればキャップ部とポリシリコン膜の熱膨張係
数を一致することができ熱ストレスを低減することが出
来る。その結果接合部のシール性の信頼性が向上する。

【０２４７】また、引出し配線を埋め込み金属層28で構
成したために、拡散層のみの場合に比べ配線部の電気抵
抗を抑えることができる。そのため引出し配線での電圧
降下を抑えることができ信号の伝達精度が向上する。

【０２４８】また、引出し配線を SOI 基板に構成した
ため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性がより向上
するという効果が得られる。

【０２４９】

【実施例５８】本実施例においては、接合部を図５のよ
うに構成し、引出し配線部を図21のように構成する。

【０２５０】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０２５１】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とポリシリコンの２種類の材料のみで構成されているた
め、誘電体としてパイレックスガラス等のほうけい酸ガ
ラスを用いればキャップ部とポリシリコン膜の熱膨張係
数を一致することができ熱ストレスを低減することが出
来る。その結果接合部のシール性の信頼性が向上する。

【０２５２】また、引出し配線を埋め込み拡散層10で包
含される埋め込み金属層28で構成したために、拡散層の
みの場合に比べ配線部の電気抵抗を抑えることができ
る。そのため引出し配線での電圧降下を抑えることがで
き信号の伝達精度が向上する。

【０２５３】また、引出し配線を SOI 基板に構成した
ため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性がより向上
するという効果が得られる。

【０２５４】

【実施例５９】本実施例においては、接合部を図６のよ
うに構成し、引出し配線部を図10のように構成する。

【０２５５】接合部の構成について説明すると、図６に
おいて、３は誘電体であり、シリコン基板７との接合面
側の対向面に溝部が形成してある。４はパッシベーショ
ン膜、５は金属配線、６は酸化膜である。12はプロテク
ト酸化膜である。その表面はシリコン基板のラフネス
（数Å以下）を維持するように処理されている。15はパ
ッシベーション膜としてシリコン基板表面全面に堆積し
た酸化膜である。16は酸化膜15上に堆積したアモルファ
スシリコン膜でシリコン基板７と電気的に接続されてい
る。（簡単のため図示せず）。酸化膜12上に堆積したア
モルファスシリコン膜16の表面は鏡面であり誘電体３と
の接合面２での陽極接合により分子レベルにてほぼ完全
なシールを構成している。

【０２５６】引出し配線部の構成は前出の通りであり、
ここでの説明は省略する。

【０２５７】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とアモルファスシリコンの２種類の材料のみで構成され
ているため、誘電体としてパイレックスガラス等のほう
けい酸ガラスを用いればキャップ部とアモルファスシリ
コン膜の熱膨張係数を一致することができ熱ストレスを
低減することが出来る。その結果接合部のシール性の信
頼性が向上する。

【０２５８】また、アモルファスシリコンは比較的低い
温度(540℃以下)で堆積可能であるためプロセスの全体
設計が容易である。

【０２５９】また、引出し配線をイオンインプランテー
ション法により不純物を注入し、これを例えば N₂雰囲
気での非酸化ドライブインにより形成したＮ型高濃度拡
散層14とＮ型高濃度拡散層13で構成したため、特殊プロ
セスを用いる事なく引出し配線が形成可能である。従っ
て引出し配線形成によるチップコストの上昇はない。

【０２６０】また、引出し配線の電気抵抗はイオンイン
プランテーションでの不純物注入量によりコントロール
可能であるという効果がある。

【０２６１】また、パッシベーション膜15が引出し配線
上に存在するため配線の特性が安定し、その信頼性が向
上するという効果が得られる。

【０２６２】

【実施例６０】本実施例においては、接合部を図６のよ
うに構成し、引出し配線部を図11のように構成する。

【０２６３】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０２６４】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とアモルファスシリコンの２種類の材料のみで構成され
ているため、誘電体としてパイレックスガラス等のほう
けい酸ガラスを用いればキャップ部とアモルファスシリ
コン膜の熱膨張係数を一致することができ熱ストレスを
低減することが出来る。その結果接合部のシール性の信
頼性が向上する。

【０２６５】また、アモルファスシリコンは比較的低い
温度(540℃以下)で堆積可能であるためプロセスの全体
設計が容易である。

【０２６６】

【実施例６１】本実施例においては、接合部を図６のよ
うに構成し、引出し配線部を図12のように構成する。

【０２６７】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０２６８】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とアモルファスシリコンの２種類の材料のみで構成され
ているため、誘電体としてパイレックスガラス等のほう
けい酸ガラスを用いればキャップ部とアモルファスシリ
コン膜の熱膨張係数を一致することができ熱ストレスを
低減することが出来る。その結果接合部のシール性の信
頼性が向上する。

【０２６９】また、アモルファスシリコンは比較的低い
温度(540℃以下)で堆積可能であるためプロセスの全体
設計が容易である。

【０２７０】また、引出し配線を埋め込み金属間化合物
層11で構成したために、拡散層のみの場合に比べ配線部
の電気抵抗を抑えることができる。そのため引出し配線
での電圧降下を抑えることができ信号の伝達精度が向上
する。

【０２７１】

【実施例６２】本実施例においては、接合部を図６のよ
うに構成し、引出し配線部を図13のように構成する。

【０２７２】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０２７３】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とアモルファスシリコンの２種類の材料のみで構成され
ているため、誘電体としてパイレックスガラス等のほう
けい酸ガラスを用いればキャップ部とアモルファスシリ
コン膜の熱膨張係数を一致することができ熱ストレスを
低減することが出来る。その結果接合部のシール性の信
頼性が向上する。

【０２７４】また、アモルファスシリコンは比較的低い
温度(540℃以下)で堆積可能であるためプロセスの全体
設計が容易である。

【０２７５】また、引出し配線を埋め込み拡散層10で包
含される埋め込み金属間化合物層11で構成したために、
拡散層のみの場合に比べ配線部の電気抵抗を抑えること
ができる。そのため引出し配線での電圧降下を抑えるこ
とができ信号の伝達精度が向上する。

【０２７６】

【実施例６３】本実施例においては、接合部を図６のよ
うに構成し、引出し配線部を図14のように構成する。

【０２７７】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０２７８】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とアモルファスシリコンの２種類の材料のみで構成され
ているため、誘電体としてパイレックスガラス等のほう
けい酸ガラスを用いればキャップ部とアモルファスシリ
コン膜の熱膨張係数を一致することができ熱ストレスを
低減することが出来る。その結果接合部のシール性の信
頼性が向上する。

【０２７９】また、アモルファスシリコンは比較的低い
温度(540℃以下)で堆積可能であるためプロセスの全体
設計が容易である。

【０２８０】また、引出し配線を埋め込み金属層28で構
成したために、拡散層のみの場合に比べ配線部の電気抵
抗を抑えることができる。そのため引出し配線での電圧
降下を抑えることができ信号の伝達精度が向上する。

【０２８１】

【実施例６４】本実施例においては、接合部を図６のよ
うに構成し、引出し配線部を図15のように構成する。

【０２８２】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０２８３】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とアモルファスシリコンの２種類の材料のみで構成され
ているため、誘電体としてパイレックスガラス等のほう
けい酸ガラスを用いればキャップ部とアモルファスシリ
コン膜の熱膨張係数を一致することができ熱ストレスを
低減することが出来る。その結果接合部のシール性の信
頼性が向上する。

【０２８４】また、アモルファスシリコンは比較的低い
温度(540℃以下)で堆積可能であるためプロセスの全体
設計が容易である。

【０２８５】また、引出し配線を埋め込み拡散層10で包
含される埋め込み金属層28で構成したために、拡散層の
みの場合に比べ配線部の電気抵抗を抑えることができ
る。そのため引出し配線での電圧降下を抑えることがで
き信号の伝達精度が向上する。

【０２８６】

【実施例６５】本実施例においては、接合部を図６のよ
うに構成し、引出し配線部を図16のように構成する。

【０２８７】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０２８８】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とアモルファスシリコンの２種類の材料のみで構成され
ているため、誘電体としてパイレックスガラス等のほう
けい酸ガラスを用いればキャップ部とアモルファスシリ
コン膜の熱膨張係数を一致することができ熱ストレスを
低減することが出来る。その結果接合部のシール性の信
頼性が向上する。

【０２８９】また、アモルファスシリコンは比較的低い
温度(540℃以下)で堆積可能であるためプロセスの全体
設計が容易である。

【０２９０】また、引出し配線をイオンインプランテー
ション法により不純物を注入し、これを例えば N₂雰囲
気での非酸化ドライブインにより形成したＮ型高濃度拡
散層14とＮ型高濃度拡散層13で構成したため、特殊プロ
セスを用いる事なく引出し配線が形成可能である。従っ
て引出し配線形成によるチップコストの上昇はない。

【０２９１】また、パッシベーション膜15が引出し配線
上に存在するため配線の特性が安定し、その信頼性が向
上するという効果が得られる。

【０２９２】また、引出し配線を SOI 基板に構成した
ため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性がより向上
するという効果が得られる。

【０２９３】

【実施例６６】本実施例においては、接合部を図６のよ
うに構成し、引出し配線部を図17のように構成する。

【０２９４】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０２９５】本実施例に特有の効果としては、引出し配
線を SOI 基板に構成したため、外来ノイズ等に対する
配線の耐環境性がより向上するという効果が得られる。

【０２９６】

【実施例６７】本実施例においては、接合部を図６のよ
うに構成し、引出し配線部を図18のように構成する。

【０２９７】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０２９８】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では引出し配線を埋め込み金属間化合物層11で構成した
ために、拡散層のみの場合に比べ配線部の電気抵抗を抑
えることができる。そのため引出し配線での電圧降下を
抑えることができ信号の伝達精度が向上する。

【０２９９】また、本実施例は引出し配線を SOI 基板
に構成したため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性
がより向上するという効果が得られる。

【０３００】

【実施例６８】本実施例においては、接合部を図６のよ
うに構成し、引出し配線部を図19のように構成する。

【０３０１】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０３０２】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では引出し配線を埋め込み拡散層10で包含される埋め込
み金属間化合物層11で構成したために、拡散層のみの場
合に比べ配線部の電気抵抗を抑えることができる。その
ため引出し配線での電圧降下を抑えることができ信号の
伝達精度が向上する。

【０３０３】また、引出し配線を SOI 基板に構成した
ため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性がより向上
するという効果が得られる。

【０３０４】

【実施例６９】本実施例においては、接合部を図６のよ
うに構成し、引出し配線部を図20のように構成する。

【０３０５】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０３０６】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では引出し配線を埋め込み金属層２８で構成したため
に、拡散層のみの場合に比べ配線部の電気抵抗を抑える
ことができる。そのため引出し配線での電圧降下を抑え
ることができ信号の伝達精度が向上する。

【０３０７】また、引出し配線をＳＯＩ基板に構成
したため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性がより
向上するという効果が得られる。

【０３０８】

【実施例７０】本実施例においては、接合部を図６のよ
うに構成し、引出し配線部を図21のように構成する。

【０３０９】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０３１０】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では引出し配線を埋め込み拡散層10で包含される埋め込
み金属層28で構成したために、拡散層のみの場合に比べ
配線部の電気抵抗を抑えることができる。そのため引出
し配線での電圧降下を抑えることができ信号の伝達精度
が向上する。

【０３１１】また、引出し配線を SOI 基板に構成した
ため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性がより向上
するという効果が得られる。

【０３１２】

【実施例７１】本実施例においては、接合部を図７のよ
うに構成し、引出し配線部を図10のように構成する。

【０３１３】接合部の構成について説明すると、図７の
構成において、３は誘電体であり、シリコン基板７との
接合面側の対向面に溝部が形成してある。４はパッシベ
ーション膜、５は金属配線、６は酸化膜である。12はプ
ロテクト酸化膜である。その表面はシリコン基板のラフ
ネス（数Å以下）を維持するように処理されている。15
はパッシベーション膜としてシリコン基板表面全面に堆
積した酸化膜である。17は酸化膜15上に堆積したポリシ
リコン膜でシリコン基板７と電気的に接続されている。
（簡単のため図示せず）。酸化膜12上に堆積したポリシ
リコン膜17の表面は鏡面であり誘電体３との接合面２で
の陽極接合により分子レベルにてほぼ完全なシールを構
成している。

【０３１４】引出し配線部の構成は前出の通りであり、
ここでの説明は省略する。

【０３１５】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とポリシリコンの２種類の材料のみで構成されているた
め、誘電体としてパイレックスガラス等のほうけい酸ガ
ラスを用いればキャップ部とポリシリコン膜の熱膨張係
数を一致することができ熱ストレスを低減することが出
来る。その結果接合部のシール性の信頼性が向上する。

【０３１６】また、引出し配線をイオンインプランテー
ション法により不純物を注入し、これを例えば N₂雰囲
気での非酸化ドライブインにより形成したＮ型高濃度拡
散層14とＮ型高濃度拡散層13で構成したため、特殊プロ
セスを用いる事なく引出し配線が形成可能である。従っ
て引出し配線形成によるチップコストの上昇はない。

【０３１７】また、パッシベーション膜15が引出し配線
上に存在するため配線の特性が安定し、その信頼性が向
上するという効果が得られる。

【０３１８】

【実施例７２】本実施例においては、接合部を図７のよ
うに構成し、引出し配線部を図11のように構成する。

【０３１９】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０３２０】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とポリシリコンの２種類の材料のみで構成されているた
め、誘電体としてパイレックスガラス等のほうけい酸ガ
ラスを用いればキャップ部とポリシリコン膜の熱膨張係
数を一致することができ熱ストレスを低減することが出
来る。その結果接合部のシール性の信頼性が向上する。

【０３２１】

【実施例７３】本実施例においては、接合部を図７のよ
うに構成し、引出し配線部を図12のように構成する。

【０３２２】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０３２３】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とポリシリコンの２種類の材料のみで構成されているた
め、誘電体としてパイレックスガラス等のほうけい酸ガ
ラスを用いればキャップ部とポリシリコン膜の熱膨張係
数を一致することができ熱ストレスを低減することが出
来る。その結果接合部のシール性の信頼性が向上する。

【０３２４】また、引出し配線を埋め込み金属間化合物
層11で構成したために、拡散層のみの場合に比べ配線部
の電気抵抗を抑えることができる。そのため引出し配線
での電圧降下を抑えることができ信号の伝達精度が向上
する。

【０３２５】

【実施例７４】本実施例においては、接合部を図７のよ
うに構成し、引出し配線部を図13のように構成する。

【０３２６】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０３２７】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とポリシリコンの２種類の材料のみで構成されているた
め、誘電体としてパイレックスガラス等のほうけい酸ガ
ラスを用いればキャップ部とポリシリコン膜の熱膨張係
数を一致することができ熱ストレスを低減することが出
来る。その結果接合部のシール性の信頼性が向上する。

【０３２８】また、引出し配線を埋め込み拡散層10で包
含される埋め込み金属間化合物層11で構成したために、
拡散層のみの場合に比べ配線部の電気抵抗を抑えること
ができる。そのため引出し配線での電圧降下を抑えるこ
とができ信号の伝達精度が向上する。

【０３２９】

【実施例７５】本実施例においては、接合部を図７のよ
うに構成し、引出し配線部を図14のように構成する。

【０３３０】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０３３１】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とポリシリコンの２種類の材料のみで構成されているた
め、誘電体としてパイレックスガラス等のほうけい酸ガ
ラスを用いればキャップ部とポリシリコン膜の熱膨張係
数を一致することができ熱ストレスを低減することが出
来る。その結果接合部のシール性の信頼性が向上する。

【０３３２】また、引出し配線を埋め込み金属層28で構
成したために、拡散層のみの場合に比べ配線部の電気抵
抗を抑えることができる。そのため引出し配線での電圧
降下を抑えることができ信号の伝達精度が向上する。

【０３３３】

【実施例７６】本実施例においては、接合部を図７のよ
うに構成し、引出し配線部を図15のように構成する。

【０３３４】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０３３５】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とポリシリコンの２種類の材料のみで構成されているた
め、誘電体としてパイレックスガラス等のほうけい酸ガ
ラスを用いればキャップ部とポリシリコン膜の熱膨張係
数を一致することができ熱ストレスを低減することが出
来る。その結果接合部のシール性の信頼性が向上する。

【０３３６】また、引出し配線を埋め込み拡散層10で包
含される埋め込み金属層28で構成したために、拡散層の
みの場合に比べ配線部の電気抵抗を抑えることができ
る。そのため引出し配線での電圧降下を抑えることがで
き信号の伝達精度が向上する。

【０３３７】

【実施例７７】本実施例においては、接合部を図７のよ
うに構成し、引出し配線部を図16のように構成する。

【０３３８】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０３３９】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とポリシリコンの２種類の材料のみで構成されているた
め、誘電体としてパイレックスガラス等のほうけい酸ガ
ラスを用いればキャップ部とポリシリコン膜の熱膨張係
数を一致することができ熱ストレスを低減することが出
来る。その結果接合部のシール性の信頼性が向上する。

【０３４０】また、引出し配線をイオンインプランテー
ション法により不純物を注入し、これを例えば N₂雰囲
気での非酸化ドライブインにより形成したＮ型高濃度拡
散層14とＮ型高濃度拡散層13で構成したため、特殊プロ
セスを用いる事なく引出し配線が形成可能である。従っ
て引出し配線形成によるチップコストの上昇はない。

【０３４１】また、パッシベーション膜15が引出し配線
上に存在するため配線の特性が安定し、その信頼性が向
上するという効果が得られる。

【０３４２】また、引出し配線を SOI 基板に構成した
ため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性がより向上
するという効果が得られる。

【０３４３】

【実施例７８】本実施例においては、接合部を図７のよ
うに構成し、引出し配線部を図17のように構成する。

【０３４４】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０３４５】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とポリシリコンの２種類の材料のみで構成されているた
め、誘電体としてパイレックスガラス等のほうけい酸ガ
ラスを用いればキャップ部とポリシリコン膜の熱膨張係
数を一致することができ熱ストレスを低減することが出
来る。その結果接合部のシール性の信頼性が向上する。

【０３４６】また、引出し配線を SOI 基板に構成した
ため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性がより向上
するという効果が得られる。

【０３４７】

【実施例７９】本実施例においては、接合部を図７のよ
うに構成し、引出し配線部を図18のように構成する。

【０３４８】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０３４９】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とポリシリコンの２種類の材料のみで構成されているた
め、誘電体としてパイレックスガラス等のほうけい酸ガ
ラスを用いればキャップ部とポリシリコン膜の熱膨張係
数を一致することができ熱ストレスを低減することが出
来る。その結果接合部のシール性の信頼性が向上する。

【０３５０】また、引出し配線を埋め込み金属間化合物
層11で構成したために、拡散層のみの場合に比べ配線部
の電気抵抗を抑えることができる。そのため引出し配線
での電圧降下を抑えることができ信号の伝達精度が向上
する。

【０３５１】また、引出し配線を SOI 基板に構成した
ため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性がより向上
するという効果が得られる。

【０３５２】

【実施例８０】本実施例においては、接合部を図７のよ
うに構成し、引出し配線部を図19のように構成する。

【０３５３】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０３５４】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とポリシリコンの２種類の材料のみで構成されているた
め、誘電体としてパイレックスガラス等のほうけい酸ガ
ラスを用いればキャップ部とポリシリコン膜の熱膨張係
数を一致することができ熱ストレスを低減することが出
来る。その結果接合部のシール性の信頼性が向上する。

【０３５５】また、引出し配線を埋め込み拡散層10で包
含される埋め込み金属間化合物層11で構成したために、
拡散層のみの場合に比べ配線部の電気抵抗を抑えること
ができる。そのため引出し配線での電圧降下を抑えるこ
とができ信号の伝達精度が向上する。

【０３５６】また、引出し配線を SOI 基板に構成した
ため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性がより向上
するという効果が得られる。

【０３５７】

【実施例８１】本実施例においては、接合部を図７のよ
うに構成し、引出し配線部を図20のように構成する。

【０３５８】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０３５９】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とポリシリコンの２種類の材料のみで構成されているた
め、誘電体としてパイレックスガラス等のほうけい酸ガ
ラスを用いればキャップ部とポリシリコン膜の熱膨張係
数を一致することができ熱ストレスを低減することが出
来る。その結果接合部のシール性の信頼性が向上する。

【０３６０】また、引出し配線を埋め込み拡散層10で包
含される埋め込み金属間化合物層11で構成したために、
拡散層のみの場合に比べ配線部の電気抵抗を抑えること
ができる。そのため引出し配線での電圧降下を抑えるこ
とができ信号の伝達精度が向上する。

【０３６１】また、引出し配線を SOI 基板に構成した
ため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性がより向上
するという効果が得られる。

【０３６２】

【実施例８２】本実施例においては、接合部を図７のよ
うに構成し、引出し配線部を図21のように構成する。

【０３６３】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０３６４】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とポリシリコンの２種類の材料のみで構成されているた
め、誘電体としてパイレックスガラス等のほうけい酸ガ
ラスを用いればキャップ部とポリシリコン膜の熱膨張係
数を一致することができ熱ストレスを低減することが出
来る。その結果接合部のシール性の信頼性が向上する。

【０３６５】また、引出し配線を埋め込み拡散層10で包
含される埋め込み金属層28で構成したために、拡散層の
みの場合に比べ配線部の電気抵抗を抑えることができ
る。そのため引出し配線での電圧降下を抑えることがで
き信号の伝達精度が向上する。

【０３６６】また、引出し配線を SOI 基板に構成した
ため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性がより向上
するという効果が得られる。

【０３６７】

【実施例８３】本実施例においては、接合部を図８のよ
うに構成し、引出し配線部を図11のように構成する。

【０３６８】接合部の構成について説明すると、図８に
おいて、３は誘電体であり、シリコン基板７との接合面
側の対向面に溝部が形成してある。４はパッシベーショ
ン膜、５は金属配線、６は酸化膜である。16はシリコン
基板７表面の保護膜を除去した表面上に直接堆積したア
モルファスシリコン膜である。シリコン基板の保護膜を
除去した表面は通常のシリコン基板においてはラフネス
が数Å以下の鏡面である。従ってそれを覆うように堆積
したアモルファスシリコン膜16も鏡面である。誘電体３
とアモルファスシリコン膜16は陽極接合法で接合してい
るため分子レベルにてほぼ完全なシールを構成してい
る。

【０３６９】引出し配線部の構成は前出の通りであり、
ここでの説明は省略する。

【０３７０】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とシリコン基板上に直接堆積したアモルファスシリコン
の２種類の材料のみで構成されているため、誘電体とし
てパイレックスガラス等のほうけい酸ガラスを用いれば
キャップ部とシリコン基板の熱膨張係数を一致すること
ができ熱ストレスを低減することが出来る。その結果接
合部のシール性の信頼性が向上する。

【０３７１】また、アモルファスシリコンは比較的低い
温度(540℃以下)で堆積可能であるためプロセスの全体
設計が容易である。

【０３７２】

【実施例８４】本実施例においては、接合部を図８のよ
うに構成し、引出し配線部を図12のように構成する。

【０３７３】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０３７４】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とシリコン基板上に直接堆積したアモルファスシリコン
の２種類の材料のみで構成されているため、誘電体とし
てパイレックスガラス等のほうけい酸ガラスを用いれば
キャップ部とシリコン基板の熱膨張係数を一致すること
ができ熱ストレスを低減することが出来る。その結果接
合部のシール性の信頼性が向上する。

【０３７５】また、アモルファスシリコンは比較的低い
温度(540℃以下)で堆積可能であるためプロセスの全体
設計が容易である。

【０３７６】また、引出し配線を埋め込み金属間化合物
層11で構成したために、拡散層のみの場合に比べ配線部
の電気抵抗を抑えることができる。そのため引出し配線
での電圧降下を抑えることができ信号の伝達精度が向上
する。

【０３７７】

【実施例８５】本実施例においては、接合部を図８のよ
うに構成し、引出し配線部を図13のように構成する。

【０３７８】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０３７９】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とシリコン基板上に直接堆積したアモルファスシリコン
の２種類の材料のみで構成されているため、誘電体とし
てパイレックスガラス等のほうけい酸ガラスを用いれば
キャップ部とシリコン基板の熱膨張係数を一致すること
ができ熱ストレスを低減することが出来る。その結果接
合部のシール性の信頼性が向上する。

【０３８０】また、アモルファスシリコンは比較的低い
温度(540℃以下)で堆積可能であるためプロセスの全体
設計が容易である。

【０３８１】また、引出し配線を埋め込み拡散層10で包
含される埋め込み金属間化合物層11で構成したために、
拡散層のみの場合に比べ配線部の電気抵抗を抑えること
ができる。そのため引出し配線での電圧降下を抑えるこ
とができ信号の伝達精度が向上する。

【０３８２】

【実施例８６】本実施例においては、接合部を図８のよ
うに構成し、引出し配線部を図14のように構成する。

【０３８３】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０３８４】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とシリコン基板上に直接堆積したアモルファスシリコン
の２種類の材料のみで構成されているため、誘電体とし
てパイレックスガラス等のほうけい酸ガラスを用いれば
キャップ部とシリコン基板の熱膨張係数を一致すること
ができ熱ストレスを低減することが出来る。その結果接
合部のシール性の信頼性が向上する。

【０３８５】また、アモルファスシリコンは比較的低い
温度(540℃)以下で堆積可能であるためプロセスの全体
設計が容易である。

【０３８６】また、引出し配線を埋め込み金属層28で構
成したために、拡散層のみの場合に比べ配線部の電気抵
抗を抑えることができる。そのため引出し配線での電圧
降下を抑えることができ信号の伝達精度が向上する。

【０３８７】

【実施例８７】本実施例においては、接合部を図８のよ
うに構成し、引出し配線部を図15のように構成する。

【０３８８】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０３８９】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とシリコン基板上に直接堆積したアモルファスシリコン
の２種類の材料のみで構成されているため、誘電体とし
てパイレックスガラス等のほうけい酸ガラスを用いれば
キャップ部とシリコン基板の熱膨張係数を一致すること
ができ熱ストレスを低減することが出来る。その結果接
合部のシール性の信頼性が向上する。

【０３９０】また、アモルファスシリコンは比較的低い
温度(540℃以下)で堆積可能であるためプロセスの全体
設計が容易である。

【０３９１】また、引出し配線を埋め込み拡散層10で包
含される埋め込み金属層28で構成したために、拡散層の
みの場合に比べ配線部の電気抵抗を抑えることができ
る。そのため引出し配線での電圧降下を抑えることがで
き信号の伝達精度が向上する。

【０３９２】

【実施例８８】本実施例においては、接合部を図８のよ
うに構成し、引出し配線部を図17のように構成する。

【０３９３】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０３９４】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とシリコン基板上に直接堆積したアモルファスシリコン
の２種類の材料のみで構成されているため、誘電体とし
てパイレックスガラス等のほうけい酸ガラスを用いれば
キャップ部とシリコン基板の熱膨張係数を一致すること
ができ熱ストレスを低減することが出来る。その結果接
合部のシール性の信頼性が向上する。

【０３９５】また、アモルファスシリコンは比較的低い
温度(540℃以下)で堆積可能であるためプロセスの全体
設計が容易である。

【０３９６】また、引出し配線を SOI 基板に構成した
ため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性がより向上
するという効果が得られる。

【０３９７】

【実施例８９】本実施例においては、接合部を図８のよ
うに構成し、引出し配線部を図18のように構成する。接
合部及び引き出し配線部の構成は前出の通りであり、こ
こでの説明は省略する。

【０３９８】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とシリコン基板上に直接堆積したアモルファスシリコン
の２種類の材料のみで構成されているため、誘電体とし
てパイレックスガラス等のほうけい酸ガラスを用いれば
キャップ部とシリコン基板の熱膨張係数を一致すること
ができ熱ストレスを低減することが出来る。その結果接
合部のシール性の信頼性が向上する。

【０３９９】また、アモルファスシリコンは比較的低い
温度(540℃以下)で堆積可能であるためプロセスの全体
設計が容易である。

【０４００】また、引出し配線を埋め込み金属間化合物
層11で構成したために、拡散層のみの場合に比べ配線部
の電気抵抗を抑えることができる。そのため引出し配線
での電圧降下を抑えることができ信号の伝達精度が向上
する。

【０４０１】また、引出し配線を SOI 基板に構成した
ため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性がより向上
するという効果が得られる。

【０４０２】

【実施例９０】本実施例においては、接合部を図８のよ
うに構成し、引出し配線部を図19のように構成する。

【０４０３】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０４０４】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とシリコン基板上に直接堆積したアモルファスシリコン
の２種類の材料のみで構成されているため、誘電体とし
てパイレックスガラス等のほうけい酸ガラスを用いれば
キャップ部とシリコン基板の熱膨張係数を一致すること
ができ熱ストレスを低減することが出来る。その結果接
合部のシール性の信頼性が向上する。

【０４０５】また、アモルファスシリコンは比較的低い
温度(540℃以下)で堆積可能であるためプロセスの全体
設計が容易である。

【０４０６】また、引出し配線を埋め込み拡散層10で包
含される埋め込み金属間化合物層11で構成したために、
拡散層のみの場合に比べ配線部の電気抵抗を抑えること
ができる。そのため引出し配線での電圧降下を抑えるこ
とができ信号の伝達精度が向上する。

【０４０７】また、引出し配線を SOI 基板に構成した
ため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性がより向上
するという効果が得られる。

【０４０８】

【実施例９１】本実施例においては、接合部を図８のよ
うに構成し、引出し配線部を図20のように構成する。

【０４０９】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０４１０】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とシリコン基板上に直接堆積したアモルファスシリコン
の２種類の材料のみで構成されているため、誘電体とし
てパイレックスガラス等のほうけい酸ガラスを用いれば
キャップ部とシリコン基板の熱膨張係数を一致すること
ができ熱ストレスを低減することが出来る。その結果接
合部のシール性の信頼性が向上する。

【０４１１】また、アモルファスシリコンは比較的低い
温度(540℃以下)で堆積可能であるためプロセスの全体
設計が容易である。

【０４１２】また、引出し配線を埋め込み金属層28で構
成したために、拡散層のみの場合に比べ配線部の電気抵
抗を抑えることができる。そのため引出し配線での電圧
降下を抑えることができ信号の伝達精度が向上する。

【０４１３】また、引出し配線を SOI 基板に構成した
ため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性がより向上
するという効果が得られる。

【０４１４】

【実施例９２】本実施例においては、接合部を図８のよ
うに構成し、引出し配線部を図21のように構成する。接
合部及び引き出し配線部の構成は前出の通りであり、こ
こでの説明は省略する。

【０４１５】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とシリコン基板上に直接堆積したアモルファスシリコン
の２種類の材料のみで構成されているため、誘電体とし
てパイレックスガラス等のほうけい酸ガラスを用いれば
キャップ部とシリコン基板の熱膨張係数を一致すること
ができ熱ストレスを低減することが出来る。その結果接
合部のシール性の信頼性が向上する。

【０４１６】また、アモルファスシリコンは比較的低い
温度(540℃以下)で堆積可能であるためプロセスの全体
設計が容易である。

【０４１７】また、引出し配線を埋め込み拡散層10で包
含される埋め込み金属層28で構成したために、拡散層の
みの場合に比べ配線部の電気抵抗を抑えることができ
る。そのため引出し配線での電圧降下を抑えることがで
き信号の伝達精度が向上する。

【０４１８】また、引出し配線を SOI 基板に構成した
ため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性がより向上
するという効果が得られる。

【０４１９】

【実施例９３】第９３実施例は接合部を第９図のように
構成し、引出し配線部は第１１図のように構成する。接
合部の構成について説明すると、図９において、３は誘
電体であり、シリコン基板７との接合面側の対向面に溝
部が形成してある。４はパッシベーション膜、５は金属
配線、６は酸化膜である。17はシリコン基板７表面の保
護膜を除去した表面上に直接堆積したポリシリコン膜で
ある。シリコン基板の保護膜を除去した表面は通常のシ
リコン基板においてはラフネスが数Ａ以下の鏡面であ
る。従ってそれを覆うように堆積したポリシリコン膜17
も鏡面である。誘電体３とポリシリコン膜17は陽極接合
法で接合しているため分子レベルにてほぼ完全なシール
を構成している。

【０４２０】引出し配線部の構成は前出の通りであり、
ここでの説明は省略する。

【０４２１】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とシリコン基板上に直接堆積したポリシリコンの２種類
の材料のみで構成されているため、誘電体としてパイレ
ックスガラス等のほうけい酸ガラスを用いればキャップ
部とシリコン基板の熱膨張係数を一致することができ熱
ストレスを低減することが出来る。その結果接合部のシ
ール性の信頼性が向上する。

【０４２２】

【実施例９４】本実施例においては、接合部を図９のよ
うに構成し、引出し配線部を図12のように構成する。

【０４２３】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０４２４】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とシリコン基板上に直接堆積したポリシリコンの２種類
の材料のみで構成されているため、誘電体としてパイレ
ックスガラス等のほうけい酸ガラスを用いればキャップ
部とシリコン基板の熱膨張係数を一致することができ熱
ストレスを低減することが出来る。その結果接合部のシ
ール性の信頼性が向上する。

【０４２５】また、引出し配線を埋め込み金属間化合物
層11で構成したために、拡散層のみの場合に比べ配線部
の電気抵抗を抑えることができる。そのため引出し配線
での電圧降下を抑えることができ信号の伝達精度が向上
する。

【０４２６】

【実施例９５】本実施例においては、接合部を図９のよ
うに構成し、引出し配線部を図13のように構成する。接
合部及び引き出し配線部の構成は前出の通りであり、こ
こでの説明は省略する。

【０４２７】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とシリコン基板上に直接堆積したポリシリコンの２種類
の材料のみで構成されているため、誘電体としてパイレ
ックスガラス等のほうけい酸ガラスを用いればキャップ
部とシリコン基板の熱膨張係数を一致することができ熱
ストレスを低減することが出来る。その結果接合部のシ
ール性の信頼性が向上する。

【０４２８】また、引出し配線を埋め込み拡散層10で包
含される埋め込み金属間化合物層11で構成したために、
拡散層のみの場合に比べ配線部の電気抵抗を抑えること
ができる。そのため引出し配線での電圧降下を抑えるこ
とができ信号の伝達精度が向上する。

【０４２９】

【実施例９６】本実施例においては、接合部を図９のよ
うに構成し、引出し配線部を図14のように構成する。

【０４３０】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０４３１】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とシリコン基板上に直接堆積したポリシリコンの２種類
の材料のみで構成されているため、誘電体としてパイレ
ックスガラス等のほうけい酸ガラスを用いればキャップ
部とシリコン基板の熱膨張係数を一致することができ熱
ストレスを低減することが出来る。その結果接合部のシ
ール性の信頼性が向上する。

【０４３２】また、引出し配線を埋め込み金属層28で構
成したために、拡散層のみの場合に比べ配線部の電気抵
抗を抑えることができる。そのため引出し配線での電圧
降下を抑えることができ信号の伝達精度が向上する。

【０４３３】

【実施例９７】本実施例においては、接合部を図９のよ
うに構成し、引出し配線部を図15のように構成する。

【０４３４】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０４３５】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とシリコン基板上に直接堆積したポリシリコンの２種類
の材料のみで構成されているため、誘電体としてパイレ
ックスガラス等のほうけい酸ガラスを用いればキャップ
部とシリコン基板の熱膨張係数を一致することができ熱
ストレスを低減することが出来る。その結果接合部のシ
ール性の信頼性が向上する。

【０４３６】また、引出し配線を埋め込み拡散層10で包
含される埋め込み金属層28で構成したために、拡散層の
みの場合に比べ配線部の電気抵抗を抑えることができ
る。そのため引出し配線での電圧降下を抑えることがで
き信号の伝達精度が向上する。

【０４３７】

【実施例９８】本実施例においては、接合部を図９のよ
うに構成し、引出し配線部を図17のように構成する。

【０４３８】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０４３９】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とシリコン基板上に直接堆積したポリシリコンの２種類
の材料のみで構成されているため、誘電体としてパイレ
ックスガラス等のほうけい酸ガラスを用いればキャップ
部とシリコン基板の熱膨張係数を一致することができ熱
ストレスを低減することが出来る。その結果接合部のシ
ール性の信頼性が向上する。

【０４４０】また、引出し配線を SOI 基板に構成した
ため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性がより向上
するという効果が得られる。

【０４４１】

【実施例９９】本実施例においては、接合部を図９のよ
うに構成し、引出し配線部を図18のように構成する。

【０４４２】接合部及び引き出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０４４３】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とシリコン基板上に直接堆積したポリシリコンの２種類
の材料のみで構成されているため、誘電体としてパイレ
ックスガラス等のほうけい酸ガラスを用いればキャップ
部とシリコン基板の熱膨張係数を一致することができ熱
ストレスを低減することが出来る。その結果接合部のシ
ール性の信頼性が向上する。

【０４４４】また、引出し配線を埋め込み金属間化合物
層11で構成したために、拡散層のみの場合に比べ配線部
の電気抵抗を抑えることができる。そのため引出し配線
での電圧降下を抑えることができ信号の伝達精度が向上
する。

【０４４５】また、引出し配線を SOI 基板に構成した
ため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性がより向上
するという効果が得られる。

【０４４６】

【実施例１００】本実施例においては、接合部を図９の
ように構成し、引出し配線部を図19のように構成する。

【０４４７】接合部および引出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０４４８】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とシリコン基板上に直接堆積したポリシリコンの２種類
の材料のみで構成されているため、誘電体としてパイレ
ックスガラス等のほうけい酸ガラスを用いればキャップ
部とシリコン基板の熱膨張係数を一致することができ熱
ストレスを低減することが出来る。その結果接合部のシ
ール性の信頼性が向上する。

【０４４９】また、引出し配線を埋め込み拡散層10で包
含される埋め込み金属間化合物層11で構成したために、
拡散層のみの場合に比べ配線部の電気抵抗を抑えること
ができる。そのため引出し配線での電圧降下を抑えるこ
とができ信号の伝達精度が向上する。

【０４５０】また、引出し配線を SOI 基板に構成した
ため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性がより向上
するという効果が得られる。

【０４５１】

【実施例１０１】第１０１実施例は接合部を第９図のよ
うに構成し、引出し配線部は第２０図のように構成す
る。

【０４５２】接合部および引出し配線部の構成は前出の
通りであり、ここでの説明は省略する。

【０４５３】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とシリコン基板上に直接堆積したポリシリコンの２種類
の材料のみで構成されているため、誘電体としてパイレ
ックスガラス等のほうけい酸ガラスを用いればキャップ
部とシリコン基板の熱膨張係数を一致することができ熱
ストレスを低減することが出来る。その結果接合部のシ
ール性の信頼性が向上する。

【０４５４】また、引出し配線を埋め込み金属層28で構
成したために、拡散層のみの場合に比べ配線部の電気抵
抗を抑えることができる。そのため引出し配線での電圧
降下を抑えることができ信号の伝達精度が向上する。

【０４５５】また、引出し配線を SOI 基板に構成した
ため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性がより向上
するという効果が得られる。

【０４５６】

【実施例１０２】本実施例においては、接合部を図９の
ように構成し、引出し配線部を図21のように構成する。
接合部および引出し配線部の構成は前出の通りであり、
ここでの説明は省略する。

【０４５７】本実施例に特有の効果としては、本実施例
では、誘電体で形成したキャップ部との接合部は誘電体
とシリコン基板上に直接堆積したポリシリコンの２種類
の材料のみで構成されているため、誘電体としてパイレ
ックスガラス等のほうけい酸ガラスを用いればキャップ
部とシリコン基板の熱膨張係数を一致することができ熱
ストレスを低減することが出来る。その結果接合部のシ
ール性の信頼性が向上する。

【０４５８】また、引出し配線を埋め込み拡散層10で包
含される埋め込み金属層28で構成したために、拡散層の
みの場合に比べ配線部の電気抵抗を抑えることができ
る。そのため引出し配線での電圧降下を抑えることがで
き信号の伝達精度が向上する。

【０４５９】また、引出し配線を SOI 基板に構成した
ため、外来ノイズ等に対する配線の耐環境性がより向上
するという効果が得られる。

【０４６０】

【発明の効果】以上説明してきたように、この発明によ
れば完全に平坦な面を形成し、そこで半導体と誘電体の
封止構造を構成したので、完全なシールによりその内部
のデバイスに対する外部環境の影響を除去することがで
き、従ってデバイスの信頼性を向上するという効果があ
る。

【０４６１】また、引出し配線部を完全に保護すること
により配線部での電流リークを抑制できより配線の電気
特性が安定し、その信頼性が向上する。また、接合部の
安定性が向上し、よりよい信頼性が得られるなどの効果
が得られる。

【０４６２】また、オンチップ封止により実装に際しカ
ンパッケージを省略でき、さらにチップ単体のみを基板
等に実装するチップ実装も可能となり、製造コストを削
減できる。

【０４６３】配線を金属間化合物または金属で構成した
場合は配線部の抵抗を低減でき配線部の電圧降下を抑制
できその精度が向上する。また、誘電体としてパイレッ
クスガラス等のほうけい酸ガラスを用いればシリコン基
板との熱膨張係数をほぼ一致させることができるので、
温度変化により接合部に生じる熱ストレスを低減でき
る。その結果接合部のシール性及び配線の信頼性が向上
する。また、熱ストレスによるデバイスの特性変動を抑
制でき、その精度を向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の接合部構造例を示す断面図。

【図２】本発明の第２の接合部構造例を示す断面図。

【図３】本発明の第３の接合部構造例を示す断面図。

【図４】本発明の第４の接合部構造例を示す断面図。

【図５】本発明の第５の接合部構造例を示す断面図。

【図６】本発明の第６の接合部構造例を示す断面図。

【図７】本発明の第７の接合部構造例を示す断面図。

【図８】本発明の第８の接合部構造例を示す断面図。

【図９】本発明の第９の接合部構造例を示す断面図。

【図１０】本発明の第１の引出し配線構造例を示す断面
図。

【図１１】本発明の第２の引出し配線構造例を示す断面
図。

【図１２】本発明の第３の引出し配線構造例を示す断面
図。

【図１３】本発明の第４の引出し配線構造例を示す断面
図。

【図１４】本発明の第５の引出し配線構造例を示す断面
図。

【図１５】本発明の第６の引出し配線構造例を示す断面
図。

【図１６】本発明の第７の引出し配線構造例を示す断面
図。

【図１７】本発明の第８の引出し配線構造例を示す断面
図。

【図１８】本発明の第９の引出し配線構造例を示す断面
図。

【図１９】本発明の第１０の引出し配線構造例を示す断
面図。

【図２０】本発明の第１１の引出し配線構造例を示す断
面図。

【図２１】本発明の第１２の引出し配線構造例を示す断
面図。

【図２２】第１従来例の第１断面拡大図。

【図２３】第１従来例の第２断面拡大図。

【図２４】第２従来例の第１断面拡大図。

【図２５】第２従来例の第２断面拡大図。

【図２６】第１従来例の断面図。

【図２７】第３従来例の拡大平面図。

【図２８】第３従来例の拡大断面図。

【図２９】第４従来例の拡大断面図。

【図３０】従来例における配線間の寄生抵抗を模式的に
示す図。

【図３１】第１実施例の拡大断面図。

【図３２】第１１実施例の拡大断面図を示す。

【符号の説明】

１…コンタクト部、２…接合部、３…誘電体、４…パッ
シベーション膜、５…金属配線、６…酸化膜、７…シリ
コン基板、８…高濃度拡散層、９…深い高濃度拡散層、
１０…埋め込み高濃度拡散層、１１…埋め込み金属間化
合物層、１２…プロテクト酸化膜、１３…高濃度拡散
層、１４…イオンインプランテーション法により形成し
た高濃度拡散層、１５…酸化膜、１６…アモルファスシ
リコン層、１７…ポリシリコン膜、１８…スパッタシリ
コン膜、１９…ＳＯＧ膜、２０…埋め込み金属配線、２
１…ポリシリコン配線、２２…ＰＳＧ膜、２３…キャッ
プ部、２４…引出し配線、２５…マイクロセンサ部、２
６…周辺回路部、２７…ＰＮ接合の露出部分、２８…埋
め込み金属層、２９…感歪抵抗、３０…接合用薄膜、３
１…寄生抵抗、３２…絶縁層。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者金子洋之神奈川県横浜市神奈川区宝町２番地日産自動車株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体と、誘電体と、前記半導体と誘電体
のうち少なくとも一方に形成された溝部と、前記半導体
と誘電体に前記溝部に対応する位置に溝部を囲むように
形成した接合部と、前記半導体と誘電体とを接合部で接
合することにより形成された閉空間と、前記閉空間の内
部と外部とを電気的に接続する引出し配線とを有する封
止構造で、半導体における前記接合部を保護膜を除去し
た半導体表面で形成し、接合を前記半導体表面と、誘電
体との陽極接合で形成したことを特徴とする封止構造
体。
【請求項２】上記引出し配線を、保護膜を除去した半導
体表面で形成した接合部の半導体内部に形成した、高濃
度埋め込み拡散層と、該高濃度埋め込み拡散層と半導体
表面を電気的に接続する深い高濃度拡散層とで構成した
ことを特徴とする請求項１記載の封止構造体。
【請求項３】上記引出し配線を、保護膜を除去した半導
体表面で形成した接合部の半導体内部に形成した、金属
間化合物層と、該金属間化合物層と半導体表面を電気的
に接続する深い高濃度拡散層とで構成したことを特徴と
する請求項１記載の封止構造体。
【請求項４】上記引出し配線を、保護膜を除去した半導
体表面で形成した接合部の半導体内部に形成した、高濃
度埋め込み拡散層に包含される金属間化合物層と、前記
金属間化合物層と半導体表面を電気的に接続する深い高
濃度拡散層とで構成したことを特徴とする請求項１記載
の封止構造体。
【請求項５】上記引出し配線を、保護膜を除去した半導
体表面で形成した接合部の半導体内部に形成した金属層
と、該金属層と半導体表面を電気的に接続する深い高濃
度拡散層とで構成したことを特徴とする請求項１記載の
封止構造体。
【請求項６】上記引出し配線を、保護膜を除去した半導
体表面で形成した接合部の半導体内部に形成した、高濃
度埋め込み拡散層に包含される金属層と、前記金属層と
半導体表面を電気的に接続する深い高濃度拡散層とで構
成したことを特徴とする請求項１記載の封止構造体。
【請求項７】半導体と、誘電体と、前記半導体と誘電体
のうち少なくとも一方に形成された溝部と、前記半導体
と誘電体に前記溝部に対応する位置に溝部を囲むように
形成した接合部と、前記半導体と誘電体を接合部で接合
することにより形成された閉空間と、前記閉空間の内部
と外部を電気的に接続する引出し配線を有する封止構造
体で、半導体における前記接合部を半導体表面の酸化膜
で形成し、接合を前記半導体表面の酸化膜と誘電体との
接合で形成したことを特徴とする封止構造体。
【請求項８】上記酸化膜が、半導体表面上の熱酸化膜で
あることを特徴とする請求項７記載の封止構造体。
【請求項９】上記酸化膜が、半導体表面上の熱酸化膜と
該熱酸化膜上に堆積した酸化膜であることを特徴とする
請求項７記載の封止構造体。
【請求項１０】上記引出し配線を、接合部の半導体表面
の酸化膜を介して、不純物をイオンインプランテーショ
ン法により注入し、非酸化ドライブインにより形成した
高濃度拡散層で構成したことを特徴とする請求項７記載
の封止構造体。
【請求項１１】上記引出し配線を、接合部の半導体内部
に形成した高濃度埋め込み拡散層と、該高濃度埋め込み
拡散層と半導体表面を電気的に接続する深い高濃度拡散
層とで構成したことを特徴とする請求項７記載の封止構
造体。
【請求項１２】上記引出し配線を、接合部の半導体内部
に形成した金属間化合物層と、該金属間化合物層と半導
体表面とを電気的に接続する深い高濃度拡散層とで構成
したことを特徴とする請求項７記載の封止構造体。
【請求項１３】上記引出し配線を、接合部の半導体内部
に形成した高濃度埋め込み拡散層に包含される金属間化
合物層と、該金属間化合物層と半導体表面とを電気的に
接続する深い高濃度拡散層で構成したことを特徴とする
請求項７記載の封止構造体。
【請求項１４】上記引出し配線を、接合部の半導体内部
に形成した金属層と、該金属層と半導体表面を電気的に
接続する深い高濃度拡散層で構成したことを特徴とする
請求項７記載の封止構造体。
【請求項１５】上記引出し配線を、接合部の半導体内部
に形成した、高濃度埋め込み拡散層に包含される金属層
と、前記金属層と半導体表面を電気的に接続する深い高
濃度拡散層とで構成したことを特徴とする請求項７記載
の封止構造体。
【請求項１６】半導体と、誘電体と、前記半導体と誘電
体のうち少なくとも一方に形成された溝部と、前記半導
体と誘電体に前記溝部に対応する位置に溝部を囲むよう
に形成した接合部と、上記半導体と誘電体を接合部で接
合することにより形成された閉空間と、該閉空間の内部
と外部を電気的に接続する引出し配線とを有する封止構
造で、上記接合部を半導体表面の保護膜上に堆積した半
導体層で形成し、接合は前記半導体表面の保護膜上に堆
積した半導体層と誘電体との陽極接合で形成したことを
特徴とする封止構造体。
【請求項１７】上記保護膜が、半導体表面上の熱酸化膜
であることを特徴とする請求項16記載の封止構造体。
【請求項１８】上記保護膜が、半導体表面上の熱酸化膜
と前記熱酸化膜上に堆積した酸化膜であることを特徴と
する請求項16記載の封止構造体。
【請求項１９】上記半導体保護膜上に堆積した半導体層
がアモルファス半導体層であることを特徴とする請求項
16記載の封止構造体。
【請求項２０】上記半導体保護膜上に堆積した半導体層
が多結晶半導体層であることを特徴とする請求項16記載
の封止構造体。
【請求項２１】上記引出し配線を、接合部の半導体表面
の保護膜を介して、不純物をイオンインプランテーショ
ン法により注入し、非酸化ドライブインにより形成した
高濃度拡散層で構成したことを特徴とする請求項16記載
の封止構造体。
【請求項２２】上記引出し配線を、接合部の半導体内部
に形成した、高濃度埋め込み拡散層と、該高濃度埋め込
み拡散層と半導体表面を電気的に接続する深い高濃度拡
散層とで構成したことを特徴とする請求項16記載の封止
構造体。
【請求項２３】上記引出し配線を、接合部の半導体内部
に形成した金属間化合物層と、該金属間化合物層と半導
体表面を電気的に接続する深い高濃度拡散層とで構成し
たことを特徴とする請求項16記載の封止構造体。
【請求項２４】引出し配線を、接合部の半導体内部に形
成した高濃度埋め込み拡散層に包含される金属間化合物
層と、該金属間化合物層と半導体表面を電気的に接続す
る深い高濃度拡散層で構成したことを特徴とする請求項
16記載の封止構造体。
【請求項２５】上記引出し配線を、接合部の半導体内部
に形成した金属層と、該金属層と半導体表面を電気的に
接続する深い高濃度拡散層とで構成したことを特徴とす
る請求項16記載の封止構造体。
【請求項２６】引出し配線を、接合部の半導体内部に形
成した、高濃度埋め込み拡散層に包含される金属層と、
該金属層と半導体表面を電気的に接続する深い高濃度拡
散層とで構成したことを特徴とする請求項16記載の封止
構造体。
【請求項２７】半導体と、誘電体と、上記半導体と誘電
体のうち少なくとも一方に形成された溝部と、上記半導
体と誘電体に前記溝部に対応する位置に溝部を囲むよう
に形成した接合部と、上記半導体と誘電体を接合部で接
合することにより形成された閉空間と、該閉空間の内部
と外部を電気的に接続する引出し配線を有する封止構造
で、上記接合部を半導体表面の保護膜を除去した半導体
表面上に堆積した半導体層で形成し、接合を前記半導体
表面の保護膜を除去した半導体表面上に堆積した半導体
層と、誘電体との陽極接合で形成したことを特徴とする
封止構造体。
【請求項２８】上記半導体保護膜を除去した半導体表面
上に堆積した半導体層がアモルファス半導体層であるこ
とを特徴とする請求項27記載の封止構造体。
【請求項２９】上記半導体保護膜を除去した半導体表面
上に堆積した半導体層が多結晶半導体層であることを特
徴とする請求項27記載の封止構造体。
【請求項３０】上記引出し配線を、保護膜を除去した半
導体表面に形成した接合部に形成した高濃度拡散層で構
成したことを特徴とする請求項27記載の封止構造体。
【請求項３１】上記引出し配線を、接合部の半導体内部
に形成した、高濃度埋め込み拡散層と、前記高濃度埋め
込み拡散層と半導体表面を電気的に接続する接合分離さ
れた深い高濃度拡散層とで構成したことを特徴とする請
求項27記載の封止構造体。
【請求項３２】上記引出し配線を、接合部の半導体内部
に形成した金属間化合物層と、該金属間化合物層と半導
体表面を電気的に接続する深い高濃度拡散層とで構成し
たことを特徴とする請求項27記載の封止構造体。
【請求項３３】上記引出し配線を、接合部の半導体内部
に形成した、高濃度埋め込み拡散層に包含される金属間
化合物層と、前記金属間化合物層と半導体表面を電気的
に接続する深い高濃度拡散層とで構成したことを特徴と
する請求項27記載の封止構造体。
【請求項３４】上記引出し配線を、接合部の半導体内部
に形成した金属層と、該金属層と半導体表面を電気的に
接続する深い高濃度拡散層とで構成したことを特徴とす
る請求項27記載の封止構造体。
【請求項３５】上記引出し配線を、接合部の半導体内部
に形成した、高濃度埋め込み拡散層に包含される金属層
と、該金属層と半導体表面を電気的に接続する深い高濃
度拡散層とで構成したことを特徴とする請求項27記載の
封止構造体。