JPH0880486A - 超純水の電解水、その生成装置、その生成方法、洗浄装置及び洗浄方法 - Google Patents
超純水の電解水、その生成装置、その生成方法、洗浄装置及び洗浄方法Info
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- JPH0880486A JPH0880486A JP21717894A JP21717894A JPH0880486A JP H0880486 A JPH0880486 A JP H0880486A JP 21717894 A JP21717894 A JP 21717894A JP 21717894 A JP21717894 A JP 21717894A JP H0880486 A JPH0880486 A JP H0880486A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は、洗浄工程におけるランニングコス
トの低減、作業環境の安全化及び排水の無害化を可能と
する。 【構成】超純水注入ライン8 をキレ−ト剤注入部9 と連
通させ、注入ライン8 の一端に混合槽2 を設け、混合槽
2 を電解槽3 と連通させる。電解槽3 の内に陰極10、陽
極11を挿入し、陰極10、陽極11の相互間に多孔質隔膜12
を設ける。陰極10を電池4 内の負極13と接続させ、陽極
11を電池4 内の正極14と接続させている。電解槽3 内に
部材15を設けている。電解槽3 に陰極水供給ライン16、
陽極水供給ライン17それぞれの一端を設け、供給ライン
16,17 をバイパスライン18を介して混合槽2 と連通させ
ている。供給ライン16,17 それぞれの他端に処理槽6 を
設け、処理槽6 は排水ライン19を介して排液槽7 と連通
されている。従って、洗浄工程におけるランニングコス
トの低減、作業環境の安全化及び排水の無害化を可能と
できる。
トの低減、作業環境の安全化及び排水の無害化を可能と
する。 【構成】超純水注入ライン8 をキレ−ト剤注入部9 と連
通させ、注入ライン8 の一端に混合槽2 を設け、混合槽
2 を電解槽3 と連通させる。電解槽3 の内に陰極10、陽
極11を挿入し、陰極10、陽極11の相互間に多孔質隔膜12
を設ける。陰極10を電池4 内の負極13と接続させ、陽極
11を電池4 内の正極14と接続させている。電解槽3 内に
部材15を設けている。電解槽3 に陰極水供給ライン16、
陽極水供給ライン17それぞれの一端を設け、供給ライン
16,17 をバイパスライン18を介して混合槽2 と連通させ
ている。供給ライン16,17 それぞれの他端に処理槽6 を
設け、処理槽6 は排水ライン19を介して排液槽7 と連通
されている。従って、洗浄工程におけるランニングコス
トの低減、作業環境の安全化及び排水の無害化を可能と
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、超純水の電解水、そ
の生成装置、その生成方法、洗浄装置及び洗浄方法に関
するもので、特に半導体基板の洗浄に使用されるもので
ある。
の生成装置、その生成方法、洗浄装置及び洗浄方法に関
するもので、特に半導体基板の洗浄に使用されるもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体基板の洗浄方法について、
以下に説明する。先ず、洗浄に用いる薬液を準備し、こ
の薬液によりシリコン基板の洗浄を行う。具体的には、
この薬液のＰＨを所定の値に制御することで、シリコン
基板を少しエッチングすることによるパ−ティクルの除
去及び前記表面の金属汚染の除去を行う。この後、前記
シリコン基板を超純水によって水洗する。このとき、こ
の超純水の比抵抗値が約１８ＭΩｃｍに回復するまで、
水洗を行う。
以下に説明する。先ず、洗浄に用いる薬液を準備し、こ
の薬液によりシリコン基板の洗浄を行う。具体的には、
この薬液のＰＨを所定の値に制御することで、シリコン
基板を少しエッチングすることによるパ−ティクルの除
去及び前記表面の金属汚染の除去を行う。この後、前記
シリコン基板を超純水によって水洗する。このとき、こ
の超純水の比抵抗値が約１８ＭΩｃｍに回復するまで、
水洗を行う。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、最近は半導
体ウェ−ハが大口径化される傾向にあり、これに伴いシ
リコン基板洗浄に用いる薬液、超純水の使用量及び排液
量が増加している。また、シリコン基板の洗浄目的によ
ってアルカリ性の薬液と酸性の薬液とに使いわける必要
があるため、薬液供給システムを有する洗浄装置の大型
化は避けられない。したがって、薬液、超純水の使用量
の増加および洗浄装置の大型化によって、洗浄工程にお
けるランニングコストが増加する問題がある。また、シ
リコン基板洗浄に用いる薬液は、それ自体が人体にとっ
て有害危険な物質であるため、薬液の取扱いに十分な注
意を払う必要があると共に、薬液の取扱いも難しい。さ
らに、この薬液は十分に廃液処理されなければ環境に悪
影響を及ぼす可能性がある。
体ウェ−ハが大口径化される傾向にあり、これに伴いシ
リコン基板洗浄に用いる薬液、超純水の使用量及び排液
量が増加している。また、シリコン基板の洗浄目的によ
ってアルカリ性の薬液と酸性の薬液とに使いわける必要
があるため、薬液供給システムを有する洗浄装置の大型
化は避けられない。したがって、薬液、超純水の使用量
の増加および洗浄装置の大型化によって、洗浄工程にお
けるランニングコストが増加する問題がある。また、シ
リコン基板洗浄に用いる薬液は、それ自体が人体にとっ
て有害危険な物質であるため、薬液の取扱いに十分な注
意を払う必要があると共に、薬液の取扱いも難しい。さ
らに、この薬液は十分に廃液処理されなければ環境に悪
影響を及ぼす可能性がある。
【０００４】この発明は上記のような事情を考慮してな
されたものであり、その目的は、洗浄工程におけるラン
ニングコストの低減、作業環境の安全化及び排水の無害
化を可能とした超純水の電解水、その生成装置、その生
成方法、洗浄装置及び洗浄方法を提供することにある。
されたものであり、その目的は、洗浄工程におけるラン
ニングコストの低減、作業環境の安全化及び排水の無害
化を可能とした超純水の電解水、その生成装置、その生
成方法、洗浄装置及び洗浄方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記課題を
解決するため、所定量のキレ−ト剤が添加された超純水
を電気分解することにより分離された陰極水又は陽極水
からなることを特徴としている。
解決するため、所定量のキレ−ト剤が添加された超純水
を電気分解することにより分離された陰極水又は陽極水
からなることを特徴としている。
【０００６】また、超純水に支持電解質を注入する注入
手段と、前記注入手段により支持電解質が注入された超
純水が電気分解される電解槽と、前記電解槽の内に設け
られた電極と、を具備することを特徴としている。
手段と、前記注入手段により支持電解質が注入された超
純水が電気分解される電解槽と、前記電解槽の内に設け
られた電極と、を具備することを特徴としている。
【０００７】また、超純水に支持電解質を添加する工程
と、前記支持電解質が添加された超純水を電気分解する
ことにより、陰極水と陽極水とを生成する工程と、を具
備することを特徴としている。
と、前記支持電解質が添加された超純水を電気分解する
ことにより、陰極水と陽極水とを生成する工程と、を具
備することを特徴としている。
【０００８】また、前記支持電解質は、ＥＤＴＡ、ＨＥ
ＤＴＡ、ＮＴＡ、ＤＴＰＡ又はＴＴＨＡのうちのいずれ
かのキレ−ト剤であることを特徴としている。また、超
純水の電気分解により生成された電解水が供給され、こ
の電解水によって半導体基板が洗浄される第１の処理槽
と、前記第１の処理槽において洗浄に用いた電解水が送
られ、この電解水が混合中和される第２の処理槽と、前
記第２の処理槽において中和された水が排水される排水
手段と、を具備することを特徴としている。
ＤＴＡ、ＮＴＡ、ＤＴＰＡ又はＴＴＨＡのうちのいずれ
かのキレ−ト剤であることを特徴としている。また、超
純水の電気分解により生成された電解水が供給され、こ
の電解水によって半導体基板が洗浄される第１の処理槽
と、前記第１の処理槽において洗浄に用いた電解水が送
られ、この電解水が混合中和される第２の処理槽と、前
記第２の処理槽において中和された水が排水される排水
手段と、を具備することを特徴としている。
【０００９】また、超純水の電気分解により電解水を生
成する工程と、前記電解水によって半導体基板を洗浄す
る工程と、前記洗浄に用いた電解水を混合中和する工程
と、前記混合中和された水を排水する工程と、を具備す
ることを特徴としている。また、前記電解水は、洗浄目
的に応じた陰極水、陽極水又は陰極水と陽極水との混合
水のいずれかであることを特徴としている。
成する工程と、前記電解水によって半導体基板を洗浄す
る工程と、前記洗浄に用いた電解水を混合中和する工程
と、前記混合中和された水を排水する工程と、を具備す
ることを特徴としている。また、前記電解水は、洗浄目
的に応じた陰極水、陽極水又は陰極水と陽極水との混合
水のいずれかであることを特徴としている。
【００１０】
【作用】この発明は、薬液を全く使わずに電解水のみで
洗浄を行うことにより、従来の洗浄方法に比べ超純水の
使用量を少なくすることができる。これと共に、薬液を
使用しないことにより薬液供給システムが必要なくなる
ので、洗浄装置の大型化を防止することができる。ま
た、薬液を使用する必要がないことにより、洗浄装置の
取扱いを容易にすることができると共に、洗浄装置の操
作上の安全性を向上させることができる。また、第２の
処理槽において洗浄処理後の電解水を混合中和すること
により、環境に対し無害化した状態で排水を廃棄するこ
とができる。
洗浄を行うことにより、従来の洗浄方法に比べ超純水の
使用量を少なくすることができる。これと共に、薬液を
使用しないことにより薬液供給システムが必要なくなる
ので、洗浄装置の大型化を防止することができる。ま
た、薬液を使用する必要がないことにより、洗浄装置の
取扱いを容易にすることができると共に、洗浄装置の操
作上の安全性を向上させることができる。また、第２の
処理槽において洗浄処理後の電解水を混合中和すること
により、環境に対し無害化した状態で排水を廃棄するこ
とができる。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照してこの発明を実施例によ
り説明する。図１は、この発明の第１乃至第３の実施例
による電解水の生成装置及び半導体基板の洗浄装置を示
す概略図である。電解水の生成装置１は、キレ−ト剤と
超純水とを混合する混合槽２、水の電気分解を行う電解
槽３およびダニエル電池４等から構成されている。半導
体基板の洗浄装置５は、シリコン基板の洗浄を行う処理
槽６および排液槽７等から構成されている。
り説明する。図１は、この発明の第１乃至第３の実施例
による電解水の生成装置及び半導体基板の洗浄装置を示
す概略図である。電解水の生成装置１は、キレ−ト剤と
超純水とを混合する混合槽２、水の電気分解を行う電解
槽３およびダニエル電池４等から構成されている。半導
体基板の洗浄装置５は、シリコン基板の洗浄を行う処理
槽６および排液槽７等から構成されている。
【００１２】すなわち、超純水注入ライン８はキレ−ト
剤注入部９と連通されている。前記注入ライン８の一端
には混合槽２が設けられており、この混合槽２は電解槽
３と連通されている。この電解槽３の内には白金電極か
らなる陰極１０及び陽極１１が挿入されており、これら
陰極１０及び陽極１１の相互間には多孔質隔膜１２が設
けられている。前記陰極１０は電池４内の負極（Ｚｎ／
ＺｎＳＯ4 aq）１３と電気的に接続されており、前記陽
極１１は電池４内の正極（Ｃｕ／ＣｕＳＯ４ ａｑ）１
４と電気的に接続されている。前記電解槽３内には超純
水中にキレートが均等に混合し電解槽３内にゆきわたら
せるための部材１５が設けられており、この部材１５に
は前記多孔質隔膜１２の孔に比べてずっと大きい穴が設
けられている。
剤注入部９と連通されている。前記注入ライン８の一端
には混合槽２が設けられており、この混合槽２は電解槽
３と連通されている。この電解槽３の内には白金電極か
らなる陰極１０及び陽極１１が挿入されており、これら
陰極１０及び陽極１１の相互間には多孔質隔膜１２が設
けられている。前記陰極１０は電池４内の負極（Ｚｎ／
ＺｎＳＯ4 aq）１３と電気的に接続されており、前記陽
極１１は電池４内の正極（Ｃｕ／ＣｕＳＯ４ ａｑ）１
４と電気的に接続されている。前記電解槽３内には超純
水中にキレートが均等に混合し電解槽３内にゆきわたら
せるための部材１５が設けられており、この部材１５に
は前記多孔質隔膜１２の孔に比べてずっと大きい穴が設
けられている。
【００１３】前記電解槽３には陰極水供給ライン１６及
び陽極水供給ライン１７それぞれの一端が設けられてお
り、前記陰極水供給ライン１６及び陽極水供給ライン１
７それぞれは電解水バイパスライン１８を介して混合槽
２と連通されている。この電解水バイパスライン１８は
混合槽２と接続されている。前記陰極水供給ライン１６
及び陽極水供給ライン１７それぞれの他端には処理槽６
が設けられており、この処理槽６は排水ライン１９を介
して排液槽７と連通されている。
び陽極水供給ライン１７それぞれの一端が設けられてお
り、前記陰極水供給ライン１６及び陽極水供給ライン１
７それぞれは電解水バイパスライン１８を介して混合槽
２と連通されている。この電解水バイパスライン１８は
混合槽２と接続されている。前記陰極水供給ライン１６
及び陽極水供給ライン１７それぞれの他端には処理槽６
が設けられており、この処理槽６は排水ライン１９を介
して排液槽７と連通されている。
【００１４】この発明の第１の実施例による電解水の生
成装置を用いた電解水の生成方法及び半導体基板の洗浄
装置を用いた半導体基板の洗浄方法について、以下に説
明する。
成装置を用いた電解水の生成方法及び半導体基板の洗浄
装置を用いた半導体基板の洗浄方法について、以下に説
明する。
【００１５】先ず、超純水注入ライン８には図示せぬ超
純水が注入される。次に、キレ−ト剤注入部９により図
示せぬキレ−ト剤が超純水注入ライン８に注入される。
これにより、前記キレ−ト剤及び超純水は、この超純水
注入ライン８を通って混合槽２に注入され、この混合槽
２で混合される。この混合槽２は超純水のダイレクトな
供給に対してバッファ−の役割を果たすため、この混合
槽２によって常に一定流量の超純水を電解槽３に供給す
ることが可能となる。この結果、キレ−ト濃度が例えば
５０〜１００ｐｐｍに制御された超純水が形成される。
前記キレ−ト剤は超純水を電気分解するための支持電解
質としての役割を果たすものである。この支持電解質と
しては、Ｎａ等の金属元素が含まれていないもの、例え
ばＥＤＴＡ（ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉａｍｉｎｅ−ｔｅｔ
ｒａａｃｅｔｉｃ ａｃｉｄ）、ＨＥＤＴＡ(hydroxyet
hyl ethylenediamine-triacetic acid) 、ＮＴＡ(nitri
lotriacetic acid) 、ＤＴＰＡ(diethylenetriamine pe
ntaacetic acid) 又はＴＴＨＡ(triethylenetetramine-
hexaacetic acid)等のキレ−トが用いられる。これは、
シリコン基板の洗浄水として特にメタル及びハロゲンが
含有されていないものが要求されるからである。前記キ
レ−トは金属を配位する特性を有するため、シリコン基
板の洗浄にキレ−トを用いると、このキレ−トには外的
要因からの金属汚染、即ちシリコン基板の表面に金属が
吸着するという汚染を抑制する効果がある。また、前記
支持電解質としては上記の他にも硫酸又は硝酸が考えら
れるが、シリコン基板の表面にＳ（硫黄）が残留した
り、取扱いの危険性を考慮すると、支持電解質としては
キレ−トを用いるのが適当である。
純水が注入される。次に、キレ−ト剤注入部９により図
示せぬキレ−ト剤が超純水注入ライン８に注入される。
これにより、前記キレ−ト剤及び超純水は、この超純水
注入ライン８を通って混合槽２に注入され、この混合槽
２で混合される。この混合槽２は超純水のダイレクトな
供給に対してバッファ−の役割を果たすため、この混合
槽２によって常に一定流量の超純水を電解槽３に供給す
ることが可能となる。この結果、キレ−ト濃度が例えば
５０〜１００ｐｐｍに制御された超純水が形成される。
前記キレ−ト剤は超純水を電気分解するための支持電解
質としての役割を果たすものである。この支持電解質と
しては、Ｎａ等の金属元素が含まれていないもの、例え
ばＥＤＴＡ（ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉａｍｉｎｅ−ｔｅｔ
ｒａａｃｅｔｉｃ ａｃｉｄ）、ＨＥＤＴＡ(hydroxyet
hyl ethylenediamine-triacetic acid) 、ＮＴＡ(nitri
lotriacetic acid) 、ＤＴＰＡ(diethylenetriamine pe
ntaacetic acid) 又はＴＴＨＡ(triethylenetetramine-
hexaacetic acid)等のキレ−トが用いられる。これは、
シリコン基板の洗浄水として特にメタル及びハロゲンが
含有されていないものが要求されるからである。前記キ
レ−トは金属を配位する特性を有するため、シリコン基
板の洗浄にキレ−トを用いると、このキレ−トには外的
要因からの金属汚染、即ちシリコン基板の表面に金属が
吸着するという汚染を抑制する効果がある。また、前記
支持電解質としては上記の他にも硫酸又は硝酸が考えら
れるが、シリコン基板の表面にＳ（硫黄）が残留した
り、取扱いの危険性を考慮すると、支持電解質としては
キレ−トを用いるのが適当である。
【００１６】この後、このキレート濃度制御された超純
水は、電解槽３に送られ、この電解槽３内の部材１５に
より電解槽３内に均等に行き渡らせられる。次に、この
超純水は、ダニエル電池４から陰極１０及び陽極１１に
印加された電圧により電気分解され、多孔質隔膜１２を
介して図示せぬ陰極水及び陽極水に分離される。この陰
極水は水酸化イオンが過剰であるアルカリ性であり、陽
極水はプロトンが過剰である酸性である。ここで、一定
流量の陰極水及び陽極水を得るには、電解槽３に常に一
定流量の超純水を供給すれば良い。また、前記多孔質隔
膜１２によって電解槽３内が仕切られているのは、陰極
水と陽極水とを効率良く分離するためである。
水は、電解槽３に送られ、この電解槽３内の部材１５に
より電解槽３内に均等に行き渡らせられる。次に、この
超純水は、ダニエル電池４から陰極１０及び陽極１１に
印加された電圧により電気分解され、多孔質隔膜１２を
介して図示せぬ陰極水及び陽極水に分離される。この陰
極水は水酸化イオンが過剰であるアルカリ性であり、陽
極水はプロトンが過剰である酸性である。ここで、一定
流量の陰極水及び陽極水を得るには、電解槽３に常に一
定流量の超純水を供給すれば良い。また、前記多孔質隔
膜１２によって電解槽３内が仕切られているのは、陰極
水と陽極水とを効率良く分離するためである。
【００１７】次に、前記陰極水及び陽極水は、陰極水供
給ライン１６及び陽極水供給ライン１７によって洗浄装
置５の処理槽６に供給される。この際、この処理槽６内
においては、陰極水と陽極水とが所定の混合比により混
合され、ＰＨ７〜ＰＨ８に制御された電解水が形成され
る。このように混合したとき、処理槽６内に供給されず
に残された陰極水及び陽極水は、電解水バイパスライン
１８を通って混合槽２に戻され、未電解超純水と共に再
び混合槽２へ供給される。そして、前記処理槽６内に予
め入れられたシリコン基板は、前記電解水によって洗浄
される。
給ライン１６及び陽極水供給ライン１７によって洗浄装
置５の処理槽６に供給される。この際、この処理槽６内
においては、陰極水と陽極水とが所定の混合比により混
合され、ＰＨ７〜ＰＨ８に制御された電解水が形成され
る。このように混合したとき、処理槽６内に供給されず
に残された陰極水及び陽極水は、電解水バイパスライン
１８を通って混合槽２に戻され、未電解超純水と共に再
び混合槽２へ供給される。そして、前記処理槽６内に予
め入れられたシリコン基板は、前記電解水によって洗浄
される。
【００１８】メタルスパッタ以降のウエット洗浄の際、
前記電解水はＰＨ７〜ＰＨ８に制御されているため、前
記シリコン基板の表面に存在している金属、特に配線材
料であるＡｌやＣｕが溶解又は腐食されることを防止す
ることができる。これは、Ａｌ及びＣｕの双方が不動態
域となるのがＰＨ７〜ＰＨ８の電解水の場合だからであ
り、この電解水ではＡｌ−Ｃｕ間に起電力が発生したと
しても電極電位に依存しないためである。つまり、電位
ＰＨ図（腐食図）によれば、ＡｌはＰＨ４〜ＰＨ８、Ｃ
ｕはＰＨ７〜ＰＨ９で不動態域となるから、ＡｌとＣｕ
の双方が不動態域となるのは。ＰＨ７〜ＰＨ８の電解水
の場合である。
前記電解水はＰＨ７〜ＰＨ８に制御されているため、前
記シリコン基板の表面に存在している金属、特に配線材
料であるＡｌやＣｕが溶解又は腐食されることを防止す
ることができる。これは、Ａｌ及びＣｕの双方が不動態
域となるのがＰＨ７〜ＰＨ８の電解水の場合だからであ
り、この電解水ではＡｌ−Ｃｕ間に起電力が発生したと
しても電極電位に依存しないためである。つまり、電位
ＰＨ図（腐食図）によれば、ＡｌはＰＨ４〜ＰＨ８、Ｃ
ｕはＰＨ７〜ＰＨ９で不動態域となるから、ＡｌとＣｕ
の双方が不動態域となるのは。ＰＨ７〜ＰＨ８の電解水
の場合である。
【００１９】この後、前記処理槽６内の電解水は排水ラ
イン１９を通って排液槽７に送られる。次に、この排液
槽７において電解水は、陰極水又は陽極水と混合される
ことにより中和される。この後、この中和された電解水
は廃棄される。
イン１９を通って排液槽７に送られる。次に、この排液
槽７において電解水は、陰極水又は陽極水と混合される
ことにより中和される。この後、この中和された電解水
は廃棄される。
【００２０】上記第１の実施例によれば、薬品を全く使
わずに電解水のみで洗浄を行うことにより、従来の洗浄
方法に比べ超純水の使用量を少なくすることができる。
これと共に、薬液を使用しないことにより薬液供給シス
テムが必要なくなるので、洗浄装置の大型化を防止する
ことができる。この結果、従来の方法に比べ、洗浄工程
におけるランニングコストを低減することができる。
わずに電解水のみで洗浄を行うことにより、従来の洗浄
方法に比べ超純水の使用量を少なくすることができる。
これと共に、薬液を使用しないことにより薬液供給シス
テムが必要なくなるので、洗浄装置の大型化を防止する
ことができる。この結果、従来の方法に比べ、洗浄工程
におけるランニングコストを低減することができる。
【００２１】また、電解水で洗浄を行うことにより、従
来の洗浄方法で用いていた、人体にとって有害危険な物
質である薬液を使用する必要がなくなる。このため、洗
浄装置の取扱いを容易にすることができると共に、洗浄
装置の操作上の安全性を向上させることができる。
来の洗浄方法で用いていた、人体にとって有害危険な物
質である薬液を使用する必要がなくなる。このため、洗
浄装置の取扱いを容易にすることができると共に、洗浄
装置の操作上の安全性を向上させることができる。
【００２２】また、排液槽７において洗浄処理後の電解
水を混合中和することにより、環境に対し無害化した状
態で排水を廃棄している。このため、環境に対して悪影
響を及ぼす可能性がない。つまり、従来の方法のよう
に、環境に悪影響を及ぼす可能性がある薬液を洗浄工程
において用いる必要がないため、環境に対して悪影響を
及ぼす可能性がない。
水を混合中和することにより、環境に対し無害化した状
態で排水を廃棄している。このため、環境に対して悪影
響を及ぼす可能性がない。つまり、従来の方法のよう
に、環境に悪影響を及ぼす可能性がある薬液を洗浄工程
において用いる必要がないため、環境に対して悪影響を
及ぼす可能性がない。
【００２３】また、電気分解によって水分子どうしの水
素結合が解離され、水における水素結合数が減少するの
で、水分子集団（クラスタ−）が小さくなる。このた
め、表面張力が小さくなり、微細パタ−ンやトレンチを
有するシリコン基板の洗浄に有効である。
素結合が解離され、水における水素結合数が減少するの
で、水分子集団（クラスタ−）が小さくなる。このた
め、表面張力が小さくなり、微細パタ−ンやトレンチを
有するシリコン基板の洗浄に有効である。
【００２４】また、電解水は通常の酸性又はアルカリ性
溶液に比べ酸化力又は還元力が強いため、シリコン基板
表面のコンタミネ−ション除去能に優れている。この発
明の第２の実施例による電解水の生成方法及び半導体基
板の洗浄方法について、以下に説明する。この場合、第
１の実施例と同様の部分についての説明は省略する。
溶液に比べ酸化力又は還元力が強いため、シリコン基板
表面のコンタミネ−ション除去能に優れている。この発
明の第２の実施例による電解水の生成方法及び半導体基
板の洗浄方法について、以下に説明する。この場合、第
１の実施例と同様の部分についての説明は省略する。
【００２５】超純水が電気分解により陰極水と陽極水と
に分離された後、陰極水が陰極水供給ライン１６により
処理槽６に供給される。次に、この処理槽６内に予め入
れられた半導体装置の製造工程中における図示せぬシリ
コン基板は、前記陰極水によって洗浄される。この後、
処理槽６内の陰極水は、排水ライン１９を通って排液槽
７に送られ、廃棄される。次に、前記分離された陽極水
が陽極水供給ライン１７により処理槽６に供給され、こ
の処理槽６内のシリコン基板は前記陽極水によって洗浄
される。この結果、前記製造工程中において例えばＲＩ
Ｅ(Reactive Ion Etching)が行われた後に発生するダメ
−ジやコンタミネ−ションが除去される。
に分離された後、陰極水が陰極水供給ライン１６により
処理槽６に供給される。次に、この処理槽６内に予め入
れられた半導体装置の製造工程中における図示せぬシリ
コン基板は、前記陰極水によって洗浄される。この後、
処理槽６内の陰極水は、排水ライン１９を通って排液槽
７に送られ、廃棄される。次に、前記分離された陽極水
が陽極水供給ライン１７により処理槽６に供給され、こ
の処理槽６内のシリコン基板は前記陽極水によって洗浄
される。この結果、前記製造工程中において例えばＲＩ
Ｅ(Reactive Ion Etching)が行われた後に発生するダメ
−ジやコンタミネ−ションが除去される。
【００２６】上記第２の実施例においても第１の実施例
と同様の効果を得ることができる。また、シリコン基板
の洗浄において陰極水を用いた場合、この陰極水はシリ
コン基板表面のパ−ティクルの除去及びシリコンエッチ
ング等に優れた効果を発揮する。
と同様の効果を得ることができる。また、シリコン基板
の洗浄において陰極水を用いた場合、この陰極水はシリ
コン基板表面のパ−ティクルの除去及びシリコンエッチ
ング等に優れた効果を発揮する。
【００２７】この発明の第３の実施例による電解水の生
成方法及び半導体基板の洗浄方法について、以下に説明
する。この場合、第１の実施例と同様の部分についての
説明は省略する。
成方法及び半導体基板の洗浄方法について、以下に説明
する。この場合、第１の実施例と同様の部分についての
説明は省略する。
【００２８】超純水が電気分解により陰極水と陽極水と
に分離された後、陽極水が陽極水供給ライン１７により
処理槽６に供給される。次に、この処理槽６内に予め入
れられた半導体装置の製造工程中における図示せぬシリ
コン基板は、トレンチを形成し、次にポリマ−を除去し
た後のＣＤＥ(Chemical Dry Etching)によってトレンチ
の側壁に残留するコンタミネ−ションを除去するため、
前記陽極水によって洗浄される。
に分離された後、陽極水が陽極水供給ライン１７により
処理槽６に供給される。次に、この処理槽６内に予め入
れられた半導体装置の製造工程中における図示せぬシリ
コン基板は、トレンチを形成し、次にポリマ−を除去し
た後のＣＤＥ(Chemical Dry Etching)によってトレンチ
の側壁に残留するコンタミネ−ションを除去するため、
前記陽極水によって洗浄される。
【００２９】この後、この陽極水は排水ライン１９を通
って排液槽７に送られる。次に、この排液槽７において
前記陽極水は、陰極水と混合されることにより中和され
る。この中和された陽極水は廃棄される。
って排液槽７に送られる。次に、この排液槽７において
前記陽極水は、陰極水と混合されることにより中和され
る。この中和された陽極水は廃棄される。
【００３０】上記第３の実施例においても第１の実施例
と同様の効果を得ることができる。また、シリコン基板
の洗浄において陽極水を用いた場合、この陽極水はシリ
コン基板表面の金属及び有機物の除去に優れた効果を発
揮する。
と同様の効果を得ることができる。また、シリコン基板
の洗浄において陽極水を用いた場合、この陽極水はシリ
コン基板表面の金属及び有機物の除去に優れた効果を発
揮する。
【００３１】また、通常の酸性溶液では水素（Ｈ）より
イオン化傾向の大きい金属の除去のみに有効に働き、Ｃ
ｕは除去不可能であるが、陽極水では酸化力が強いた
め、Ｃｕ除去及び有機物汚染除去が可能となる。尚、前
記実施例における陰極水と陽極水とは、シリコン基板の
洗浄の目的に応じて使いわけられるものである。
イオン化傾向の大きい金属の除去のみに有効に働き、Ｃ
ｕは除去不可能であるが、陽極水では酸化力が強いた
め、Ｃｕ除去及び有機物汚染除去が可能となる。尚、前
記実施例における陰極水と陽極水とは、シリコン基板の
洗浄の目的に応じて使いわけられるものである。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
薬液を全く使わずに電解水のみで洗浄を行い、洗浄処理
後の電解水を混合中和し、排水を廃棄している。したが
って、洗浄工程におけるランニングコストの低減、作業
環境の安全化及び排水の無害化を可能とすることができ
る。
薬液を全く使わずに電解水のみで洗浄を行い、洗浄処理
後の電解水を混合中和し、排水を廃棄している。したが
って、洗浄工程におけるランニングコストの低減、作業
環境の安全化及び排水の無害化を可能とすることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１乃至第３の実施例による電解水
の生成装置及び半導体基板の洗浄装置を示す概略図。
の生成装置及び半導体基板の洗浄装置を示す概略図。
1 …電解水の生成装置、2 …混合槽、3 …電解槽、4 …
ダニエル電池、5 …半導体基板の洗浄装置、6 …処理
槽、7 …排液槽、8 …超純水注入ライン、9 …キレ−ト
剤注入部、10…陰極（Ｐｔ）、11…陽極（Ｐｔ）、12…
多孔質隔膜、13…負極（Ｚｎ／ＺｎＳＯ4 aq）、14…正
極（Ｃｕ／ＣｕＳＯ4 aq）、15…部材、16…陰極水供給
ライン、17…陽極水供給ライン、18…電解水バイパスラ
イン、19…排水ライン。
ダニエル電池、5 …半導体基板の洗浄装置、6 …処理
槽、7 …排液槽、8 …超純水注入ライン、9 …キレ−ト
剤注入部、10…陰極（Ｐｔ）、11…陽極（Ｐｔ）、12…
多孔質隔膜、13…負極（Ｚｎ／ＺｎＳＯ4 aq）、14…正
極（Ｃｕ／ＣｕＳＯ4 aq）、15…部材、16…陰極水供給
ライン、17…陽極水供給ライン、18…電解水バイパスラ
イン、19…排水ライン。
Claims (7)
- 【請求項１】 所定量のキレ−ト剤が添加された超純水
を電気分解することにより分離された陰極水又は陽極水
からなることを特徴とする超純水の電解水。 - 【請求項２】 超純水に支持電解質を注入する注入手段
と、 前記注入手段により支持電解質が注入された超純水が電
気分解される電解槽と、 前記電解槽の内に設けられた電極と、 を具備することを特徴とする電解水の生成装置。 - 【請求項３】 超純水に支持電解質を添加する工程と、 前記支持電解質が添加された超純水を電気分解すること
により、陰極水と陽極水とを生成する工程と、 を具備することを特徴とする電解水の生成方法。 - 【請求項４】 前記支持電解質は、ＥＤＴＡ、ＨＥＤＴ
Ａ、ＮＴＡ、ＤＴＰＡ又はＴＴＨＡのうちのいずれかの
キレ−ト剤であることを特徴とする請求項２又は３記載
の電解水の生成装置又はその生成方法。 - 【請求項５】 超純水の電気分解により生成された電解
水が供給され、この電解水によって半導体基板が洗浄さ
れる第１の処理槽と、 前記第１の処理槽において洗浄に用いた電解水が送ら
れ、この電解水が混合中和される第２の処理槽と、 前記第２の処理槽において中和された水が排水される排
水手段と、 を具備することを特徴とする洗浄装置。 - 【請求項６】 超純水の電気分解により電解水を生成す
る工程と、 前記電解水によって半導体基板を洗浄する工程と、 前記洗浄に用いた電解水を混合中和する工程と、 前記混合中和された水を排水する工程と、 を具備することを特徴とする洗浄方法。 - 【請求項７】 前記電解水は、洗浄目的に応じた陰極
水、陽極水又は陰極水と陽極水との混合水のいずれかで
あることを特徴とする請求項５又は６記載の洗浄装置又
は洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21717894A JPH0880486A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | 超純水の電解水、その生成装置、その生成方法、洗浄装置及び洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21717894A JPH0880486A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | 超純水の電解水、その生成装置、その生成方法、洗浄装置及び洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0880486A true JPH0880486A (ja) | 1996-03-26 |
Family
ID=16700090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21717894A Pending JPH0880486A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | 超純水の電解水、その生成装置、その生成方法、洗浄装置及び洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0880486A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10128332A (ja) * | 1996-11-05 | 1998-05-19 | Shibaura Eng Works Co Ltd | イオン水供給装置およびそれを用いた洗浄処理装置 |
| JPH10137763A (ja) * | 1996-11-14 | 1998-05-26 | Toshiba Corp | 電解イオン水生成装置及び半導体製造装置 |
| JP2011527080A (ja) * | 2008-06-30 | 2011-10-20 | ラム リサーチ コーポレーション | 多要素電極を再生するプロセス |
-
1994
- 1994-09-12 JP JP21717894A patent/JPH0880486A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10128332A (ja) * | 1996-11-05 | 1998-05-19 | Shibaura Eng Works Co Ltd | イオン水供給装置およびそれを用いた洗浄処理装置 |
| JPH10137763A (ja) * | 1996-11-14 | 1998-05-26 | Toshiba Corp | 電解イオン水生成装置及び半導体製造装置 |
| JP2011527080A (ja) * | 2008-06-30 | 2011-10-20 | ラム リサーチ コーポレーション | 多要素電極を再生するプロセス |
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