JPH088064B2 - グリッド現像電極を用いたｃｒｔ用スクリーン構体の製造装置及び方法 - Google Patents
グリッド現像電極を用いたｃｒｔ用スクリーン構体の製造装置及び方法Info
- Publication number
- JPH088064B2 JPH088064B2 JP2514949A JP51494990A JPH088064B2 JP H088064 B2 JPH088064 B2 JP H088064B2 JP 2514949 A JP2514949 A JP 2514949A JP 51494990 A JP51494990 A JP 51494990A JP H088064 B2 JPH088064 B2 JP H088064B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoconductive layer
- latent image
- electric field
- grid
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 10
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 68
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 62
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 52
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 34
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 12
- 239000004035 construction material Substances 0.000 description 8
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012864 cross contamination Methods 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 239000002801 charged material Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
- H01J9/22—Applying luminescent coatings
- H01J9/221—Applying luminescent coatings in continuous layers
- H01J9/225—Applying luminescent coatings in continuous layers by electrostatic or electrophoretic processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
- G03G15/06—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for developing
- G03G15/065—Arrangements for controlling the potential of the developing electrode
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
- G03G15/06—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for developing
- G03G15/08—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for developing using a solid developer, e.g. powder developer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
- H01J9/22—Applying luminescent coatings
- H01J9/227—Applying luminescent coatings with luminescent material discontinuously arranged, e.g. in dots or lines
- H01J9/2276—Development of latent electrostatic images
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 この発明はスクリーン構体を電子写真的に製造するた
めの装置と方法に、特に、摩擦電気的に荷電された（tr
iboelectrically−charged）乾燥粉末状スクリーン構造
材料を用いてカラー陰極線管（CRT）用のスクリーン構
体を製造するためにグリッド現像電極を用いることに関
する。
めの装置と方法に、特に、摩擦電気的に荷電された（tr
iboelectrically−charged）乾燥粉末状スクリーン構造
材料を用いてカラー陰極線管（CRT）用のスクリーン構
体を製造するためにグリッド現像電極を用いることに関
する。
従来のシャドウマスク型CRTは、循環する順序で配列
された３つの異なる発光色の蛍光体素子のアレーを含む
観察スクリーンを有する排気された外囲器と、スクリー
ンに指向された３本の集中電子ビームを発生する手段
と、スクリーンとビーム発生手段との間に正確に位置決
めされて配置された多孔金属薄板からなる色選択構造、
即ち、シャドウマスクとを備えている。有孔金属板はス
クリーンを遮り、入射角の違いにより、各ビームのシャ
ドウマスクを通過した部分が、所要発光色の蛍光体素子
のみを選択的に励起することが可能とされている。吸光
性材料のマトリクスが蛍光体素子を包囲している。
された３つの異なる発光色の蛍光体素子のアレーを含む
観察スクリーンを有する排気された外囲器と、スクリー
ンに指向された３本の集中電子ビームを発生する手段
と、スクリーンとビーム発生手段との間に正確に位置決
めされて配置された多孔金属薄板からなる色選択構造、
即ち、シャドウマスクとを備えている。有孔金属板はス
クリーンを遮り、入射角の違いにより、各ビームのシャ
ドウマスクを通過した部分が、所要発光色の蛍光体素子
のみを選択的に励起することが可能とされている。吸光
性材料のマトリクスが蛍光体素子を包囲している。
1969年10月28日にレンジ（H.G.Lange）氏に付与され
た米国特許第3,475,169号には、カラー陰極線管のスク
リーンを電子写真技法で形成する方法が開示されてい
る。CRTのフエースプレートの内表面が揮発性導電性材
料で被覆され、その上に、揮発性光導電性材料の層が施
される。次いで、光導電性層は均一に荷電され、シャド
ウマスクを通した光に選択的に露光されて電荷潜像が形
成され、所定発光色蛍光体粒子を懸濁の形で含む高分子
量のキャリア液を用いて現像されて、蛍光体粒子が光導
電性層の適切に荷電された領域上に選択的披着される。
この荷電、露光及び披着処理がスクリーンの３色発光蛍
光体、即ち、緑、青及び赤色発光蛍光体の各々について
繰り返される。
た米国特許第3,475,169号には、カラー陰極線管のスク
リーンを電子写真技法で形成する方法が開示されてい
る。CRTのフエースプレートの内表面が揮発性導電性材
料で被覆され、その上に、揮発性光導電性材料の層が施
される。次いで、光導電性層は均一に荷電され、シャド
ウマスクを通した光に選択的に露光されて電荷潜像が形
成され、所定発光色蛍光体粒子を懸濁の形で含む高分子
量のキャリア液を用いて現像されて、蛍光体粒子が光導
電性層の適切に荷電された領域上に選択的披着される。
この荷電、露光及び披着処理がスクリーンの３色発光蛍
光体、即ち、緑、青及び赤色発光蛍光体の各々について
繰り返される。
電子写真的スクリーン形成法の改良が、1990年５月１
日付でダッタ（P.Datta）氏外に付された米国特許第4,9
21,767号に記載されており、その方法は、摩擦電気的荷
電を制御するために表面に少なくとも表面電荷制御剤を
有する乾燥粉末状の摩擦電気的に荷電されたスクリーン
構造材料を用いる。この方法によれば、マトリクスと蛍
光体材料の両方の「乾式処理（dry−processing）」に
要する工程が少なくなるので、製造時間及びコストが減
じられる。この方法の欠点は、後述するように、光導電
性材料の層の近くの静電界の変動のために、光導電性層
の選択された領域から全ての正に荷電された蛍光体粒子
が実効的に反発されて排除されるわけでないので、ある
程度の相互汚染あるいは背景的な披着が生じることであ
る。
日付でダッタ（P.Datta）氏外に付された米国特許第4,9
21,767号に記載されており、その方法は、摩擦電気的荷
電を制御するために表面に少なくとも表面電荷制御剤を
有する乾燥粉末状の摩擦電気的に荷電されたスクリーン
構造材料を用いる。この方法によれば、マトリクスと蛍
光体材料の両方の「乾式処理（dry−processing）」に
要する工程が少なくなるので、製造時間及びコストが減
じられる。この方法の欠点は、後述するように、光導電
性材料の層の近くの静電界の変動のために、光導電性層
の選択された領域から全ての正に荷電された蛍光体粒子
が実効的に反発されて排除されるわけでないので、ある
程度の相互汚染あるいは背景的な披着が生じることであ
る。
従って、異なる色の光を発する材料に相互汚染を生じ
させることなく、乾燥粉末状の摩擦電気的に荷電された
蛍光体材料を用いてスクリーン構体を電子写真的に製作
するための手段が必要とされている。
させることなく、乾燥粉末状の摩擦電気的に荷電された
蛍光体材料を用いてスクリーン構体を電子写真的に製作
するための手段が必要とされている。
この発明によれば、CRTの内部で使用するために、基
板上に発光スクリーン構体を電子写真的製作するための
装置は、光導電性層上に形成された潜像を、乾燥粉末状
の摩擦電気的に荷電されたスクリーン構造材料を用いて
現像するための手段を含んでいる。光導電性層は基板と
接触した導電性層を覆っている。この発明によるグリッ
ド現像電極が光導電性層から、潜像の最小寸法よりも大
きい距離だけ隔てられて配置される。この電極は、荷電
されたスクリーン製造材料の荷電された光導電性層上へ
の披着に影響を与えるように適切な電位でバイアスされ
ている。このスクリーン構体を電子写真的に製作する方
法はこのグリッド現像電極を利用する。
板上に発光スクリーン構体を電子写真的製作するための
装置は、光導電性層上に形成された潜像を、乾燥粉末状
の摩擦電気的に荷電されたスクリーン構造材料を用いて
現像するための手段を含んでいる。光導電性層は基板と
接触した導電性層を覆っている。この発明によるグリッ
ド現像電極が光導電性層から、潜像の最小寸法よりも大
きい距離だけ隔てられて配置される。この電極は、荷電
されたスクリーン製造材料の荷電された光導電性層上へ
の披着に影響を与えるように適切な電位でバイアスされ
ている。このスクリーン構体を電子写真的に製作する方
法はこのグリッド現像電極を利用する。
図面において、 第１図は、この発明によって作ったカラー陰極線管
の、一部を軸に沿う断面で示した、平面図である。
の、一部を軸に沿う断面で示した、平面図である。
第２図は、第１図に示す管のスクリーン構体の断面で
ある。
ある。
第3a図は、導電性層及びその上に設けられた光導電性
層を有するCRTフエースプレートの一部分を示す。
層を有するCRTフエースプレートの一部分を示す。
第3b図は、CRTフエースプレート上の光導電性層の荷
電処理を示す。
電処理を示す。
第3c図は、スクリーン製作工程中の後続の露光ステッ
プ中のCRTフエースプレートとシャドウマスクの一部を
示す。
プ中のCRTフエースプレートとシャドウマスクの一部を
示す。
第3d図は、スクリーン製作工程の現像ステップ中のCR
Tフエースプレートと新しいグリッド現像電極とを示
す。
Tフエースプレートと新しいグリッド現像電極とを示
す。
第3e図は、スクリーン製作工程の後の定着ステップに
おける部分的に完成したCRTフエースプレートを示す。
おける部分的に完成したCRTフエースプレートを示す。
第４図は、新規なグリッド現像電極を使用しない場合
の、スクリーン製作工程の１つのステップにおけるCRT
フエースプレート上の光導電性層の荷電された部分から
の電界線の向きを示す。
の、スクリーン製作工程の１つのステップにおけるCRT
フエースプレート上の光導電性層の荷電された部分から
の電界線の向きを示す。
第５図は、スクリーン製作工程のマトリクス現像ステ
ップにおける、第3d図の円Ａ内のCRTフエースプレート
と新規なグリッド現像電極の一部分を示す。
ップにおける、第3d図の円Ａ内のCRTフエースプレート
と新規なグリッド現像電極の一部分を示す。
第６図は、グリッド現像電極を使用しない場合の、ス
クリーン製作工程の後続ステップにおけるCRTフエース
プレート上の光導電性層の荷電部分からの電界線の向き
を示す。
クリーン製作工程の後続ステップにおけるCRTフエース
プレート上の光導電性層の荷電部分からの電界線の向き
を示す。
第７図は、スクリーン製作工程の蛍光体現像ステップ
における、第3d図の円Ａ内のCRTフエースプレートと新
規なグリッド現像電極の一部分を示す。
における、第3d図の円Ａ内のCRTフエースプレートと新
規なグリッド現像電極の一部分を示す。
第１図は矩形ファンネル15によって結合された矩形フ
エースプレートパネル12と管状ネック14とを含むガラス
外囲器11を有するカラーCRT10を示す。ファンネル15
は、陽極ボタン16に接触しネック16内まで延びる内部導
電性被膜（図示せず）を持っている。パネル12は観察フ
エースプレート、即ち基板18と、ガラスフリット21によ
りファンネル15に封着された周縁フランジ、即ち側壁20
とを備えている。３色蛍光体スクリーン22がフエースプ
レート18の内表面上に担持されている。スクリーン22
は、第２図に示すが、好ましくは、多数の赤色発光、緑
色発光及び青色発光各蛍光体のストライプが、循環順序
でカラー群をなすように、即ち、３つのストライプから
なる画素、即ち、３つ組として配列され、また、電子ビ
ームが生成される平面に全体として直角の方向に延びた
ものを含んでいるラインスクリーンである。この実施例
の通常観察位置においては、蛍光体ストライプは垂直方
向に延びている。好ましくは、蛍光体ストライプは、こ
の技術分野で知られているように、吸光マトリクス材料
23によって互いに分離されている。あるいは、このスク
リーンはドットスクリーンでもよい。好ましくはアルミ
ニウムからなる薄い導電性層24がスクリーン22を覆って
おり、スクリーンに対し均一な電位を印加すると同時
に、蛍光体素子から発せられた光をフエースプレート18
を通して反射する手段を提供する。このスクリーン22と
それを覆うアルミニウム層24はスクリーン構体を構成す
る。
エースプレートパネル12と管状ネック14とを含むガラス
外囲器11を有するカラーCRT10を示す。ファンネル15
は、陽極ボタン16に接触しネック16内まで延びる内部導
電性被膜（図示せず）を持っている。パネル12は観察フ
エースプレート、即ち基板18と、ガラスフリット21によ
りファンネル15に封着された周縁フランジ、即ち側壁20
とを備えている。３色蛍光体スクリーン22がフエースプ
レート18の内表面上に担持されている。スクリーン22
は、第２図に示すが、好ましくは、多数の赤色発光、緑
色発光及び青色発光各蛍光体のストライプが、循環順序
でカラー群をなすように、即ち、３つのストライプから
なる画素、即ち、３つ組として配列され、また、電子ビ
ームが生成される平面に全体として直角の方向に延びた
ものを含んでいるラインスクリーンである。この実施例
の通常観察位置においては、蛍光体ストライプは垂直方
向に延びている。好ましくは、蛍光体ストライプは、こ
の技術分野で知られているように、吸光マトリクス材料
23によって互いに分離されている。あるいは、このスク
リーンはドットスクリーンでもよい。好ましくはアルミ
ニウムからなる薄い導電性層24がスクリーン22を覆って
おり、スクリーンに対し均一な電位を印加すると同時
に、蛍光体素子から発せられた光をフエースプレート18
を通して反射する手段を提供する。このスクリーン22と
それを覆うアルミニウム層24はスクリーン構体を構成す
る。
第１図にかえって、多孔色選択電極、即ちシャドウマ
スク25が、スクリーン構体に対し所定のある間隔を隔て
た関係で通常の手段によって、取外し可能に取付けられ
ている。点線で概略図示した電子銃26がネック14内に中
心合わせして設けられており、３本の電子ビーム28を発
生して、これをマスク25中の孔を通る集中通路に沿って
スクリーン22に指向させる。電子銃26は、例えば、1986
年10月28日付で、エイ・エム・モレル外に付与された米
国特許第4,620,133号に記載の形式のバイポテンシャル
電子銃でもよいし、また他の適切な銃でもよい。
スク25が、スクリーン構体に対し所定のある間隔を隔て
た関係で通常の手段によって、取外し可能に取付けられ
ている。点線で概略図示した電子銃26がネック14内に中
心合わせして設けられており、３本の電子ビーム28を発
生して、これをマスク25中の孔を通る集中通路に沿って
スクリーン22に指向させる。電子銃26は、例えば、1986
年10月28日付で、エイ・エム・モレル外に付与された米
国特許第4,620,133号に記載の形式のバイポテンシャル
電子銃でもよいし、また他の適切な銃でもよい。
管10は、ファンネルとネックの接合部の領域に配置さ
れた外部磁気偏向ヨーク、例えば、ヨーク30と共に用い
るように設計されている。付勢されると、ヨーク30は３
本のビーム28をスクリーン22上を矩形ラスタを描くよう
に水平及び垂直に走査させる磁界の影響下におく。初期
偏向面（０偏向時における）が第１図のヨーク30のほぼ
中間点あたりに線Ｐ−Ｐで示されている。単純にするた
めに、偏向領域における偏向ビーム経路の実際の湾曲は
示されていない。
れた外部磁気偏向ヨーク、例えば、ヨーク30と共に用い
るように設計されている。付勢されると、ヨーク30は３
本のビーム28をスクリーン22上を矩形ラスタを描くよう
に水平及び垂直に走査させる磁界の影響下におく。初期
偏向面（０偏向時における）が第１図のヨーク30のほぼ
中間点あたりに線Ｐ−Ｐで示されている。単純にするた
めに、偏向領域における偏向ビーム経路の実際の湾曲は
示されていない。
スクリーン22は、前に引用した米国特許第4,921,767
号に記載され、第3a図乃至第3e図に概略的に示されてい
る電子写真的方法によって製作される。
号に記載され、第3a図乃至第3e図に概略的に示されてい
る電子写真的方法によって製作される。
導電性層32を覆っている光導電性層34は暗い環境内
で、第3b図に概略的に示されている通常の陽極コロナ放
電装置36によって荷電される。陽極コロナ放電装置36は
層34を横切って移動して、＋200乃至＋700V、好ましく
は、＋200乃至＋500Vの範囲内に荷電する。シャドウマ
スク25がパネル12に挿入され、正に荷電された光導電体
がシャドウマスクを通して、（第3c図にレンズ40で表わ
されている）通常のスリー・イン・ワン光箱内に置かれ
たキセノン閃光ランプ38からの光に露光される。各露光
の後で、電子銃からの電子ビームの入射角を複製するよ
うに、ランプは別の位置に移される。光導電性層34上に
目に見えない電荷分布、即ち潜像を形成する、即ち、後
に、スクリーンを形成するために光放出蛍光体が披着さ
れる光導電体の領域を放電するためには、３つの異なる
ランプ位置からの３回の露光が必要となる。通常、この
ような潜像の露光領域は、19Vスクリーンでは約0.20×2
90mm、31Vスクリーンでは約0.24×470mmである。
で、第3b図に概略的に示されている通常の陽極コロナ放
電装置36によって荷電される。陽極コロナ放電装置36は
層34を横切って移動して、＋200乃至＋700V、好ましく
は、＋200乃至＋500Vの範囲内に荷電する。シャドウマ
スク25がパネル12に挿入され、正に荷電された光導電体
がシャドウマスクを通して、（第3c図にレンズ40で表わ
されている）通常のスリー・イン・ワン光箱内に置かれ
たキセノン閃光ランプ38からの光に露光される。各露光
の後で、電子銃からの電子ビームの入射角を複製するよ
うに、ランプは別の位置に移される。光導電性層34上に
目に見えない電荷分布、即ち潜像を形成する、即ち、後
に、スクリーンを形成するために光放出蛍光体が披着さ
れる光導電体の領域を放電するためには、３つの異なる
ランプ位置からの３回の露光が必要となる。通常、この
ような潜像の露光領域は、19Vスクリーンでは約0.20×2
90mm、31Vスクリーンでは約0.24×470mmである。
光導電性層34の近くに他に荷電された材料あるいは導
通している電極がない場合は、３回の露光によって生じ
た潜像は、第４図に示す、非露光の正に帯電した領域か
ら露光されて放電した領域に延びる湾曲した電界線46に
よって表わされているような、層34に隣接した潜像電界
を生成する。慣例により、電界線の方向は正に帯電した
粒子が受ける力の方向であり、負に帯電した粒子に働く
力は逆方向である。電界線46は、表面電荷が最も急激に
位置を変える領域上では光導電性層34に実質的に平行
で、潜像の空間的変化が少ししかない光導電性層34の部
分では表面に実質的に垂直である。露光された領域間の
横方向の間隔、即ち露光されなかった領域の幅は0.10〜
0.30mmの範囲、代表的には約0.25mmであり、最初の表面
電位は＋200〜＋500Vの推奨範囲内にあり、また、光導
電性層34における潜像電界のピーク値は数十キロボルト
／センチメータ（KV/cm）である。３つの異なるランプ
位置からの３回の露光により、露光されていない領域の
代表的には数倍の幅を持った露光領域が生じ、その結
果、表面における垂直の電界成分は広い露光領域におけ
るよりも狭い露光されていない領域における方が相当強
くなる。光導電性層34の表面近傍の潜像電界の大きさ
は、表面から離れるに従って急速に減少し、潜像パタン
の周期の約3/4（約0.19mm）に相当する距離において10
分の数KV/cmのピーク値に減少する。
通している電極がない場合は、３回の露光によって生じ
た潜像は、第４図に示す、非露光の正に帯電した領域か
ら露光されて放電した領域に延びる湾曲した電界線46に
よって表わされているような、層34に隣接した潜像電界
を生成する。慣例により、電界線の方向は正に帯電した
粒子が受ける力の方向であり、負に帯電した粒子に働く
力は逆方向である。電界線46は、表面電荷が最も急激に
位置を変える領域上では光導電性層34に実質的に平行
で、潜像の空間的変化が少ししかない光導電性層34の部
分では表面に実質的に垂直である。露光された領域間の
横方向の間隔、即ち露光されなかった領域の幅は0.10〜
0.30mmの範囲、代表的には約0.25mmであり、最初の表面
電位は＋200〜＋500Vの推奨範囲内にあり、また、光導
電性層34における潜像電界のピーク値は数十キロボルト
／センチメータ（KV/cm）である。３つの異なるランプ
位置からの３回の露光により、露光されていない領域の
代表的には数倍の幅を持った露光領域が生じ、その結
果、表面における垂直の電界成分は広い露光領域におけ
るよりも狭い露光されていない領域における方が相当強
くなる。光導電性層34の表面近傍の潜像電界の大きさ
は、表面から離れるに従って急速に減少し、潜像パタン
の周期の約3/4（約0.19mm）に相当する距離において10
分の数KV/cmのピーク値に減少する。
第3c図の露光ステップの後、シャドウマスク25がパネ
ル12から取り外され、パネルは適切に調整された吸光性
ブラックマトリクス・スクリーン構造材料の乾燥粉末状
粒子を含む第１の現像機42（第3d図）に移動させられ
る。ブラックマトリクス材料は前述した米国特許第4,92
1,767号に記載の方法により摩擦電気的に荷電される。
ル12から取り外され、パネルは適切に調整された吸光性
ブラックマトリクス・スクリーン構造材料の乾燥粉末状
粒子を含む第１の現像機42（第3d図）に移動させられ
る。ブラックマトリクス材料は前述した米国特許第4,92
1,767号に記載の方法により摩擦電気的に荷電される。
第3d図に示す現像機42は、後述するように光導電性層
34の現像を容易にするためにこれから間隔を置いて配置
された、代表的には1cm当たり約６〜８個の開口を有す
る導電性メッシュで作らた新規なグリッド現像電極44を
有する。1cm当たり６〜８個の開口数が好ましいが、1cm
当たり100個の開口数でもうまく動作した。
34の現像を容易にするためにこれから間隔を置いて配置
された、代表的には1cm当たり約６〜８個の開口を有す
る導電性メッシュで作らた新規なグリッド現像電極44を
有する。1cm当たり６〜８個の開口数が好ましいが、1cm
当たり100個の開口数でもうまく動作した。
光導電性層34から電極44までの間隔は、電極44により
作られる電界が充分均一になるように、メッシュの開口
の横方向の周期の少なくとも２倍とすべきである。さら
に、この間隔は、後述するように、電界線46によって表
わされる潜像電界の範囲外で実質的に均一な直角電界成
分を与えるに充分な大きさでなければならない。層34と
電極44の間の代表的な間隔は0.5〜4cmで、１〜2cmが好
ましい。このような間隔は層34上に形成される潜像の最
小寸法に比して大きなものである。電極44は特に、後述
するように、ブラックマトリクスと蛍光体パタンの両方
の現像に有効である。
作られる電界が充分均一になるように、メッシュの開口
の横方向の周期の少なくとも２倍とすべきである。さら
に、この間隔は、後述するように、電界線46によって表
わされる潜像電界の範囲外で実質的に均一な直角電界成
分を与えるに充分な大きさでなければならない。層34と
電極44の間の代表的な間隔は0.5〜4cmで、１〜2cmが好
ましい。このような間隔は層34上に形成される潜像の最
小寸法に比して大きなものである。電極44は特に、後述
するように、ブラックマトリクスと蛍光体パタンの両方
の現像に有効である。
現像中、第５図に示す負に荷電されたマトリクス粒子
はグリッド現像電極44に隣接した領域に放逐される。こ
の結果生じる空間電荷がグリッド現像電極44の外側に実
質的に均一で直角方向に延びる空間電荷電界成分50を生
成する。この空間電荷電界成分50は光導電性層34から離
れる方向を向いており、負に帯電したマトリクス粒子48
を周囲の空気の対抗するドラッグ抵抗を通して光導電性
層34に向けて追いたてるように働く。空間電荷電界の大
きさは、例えば、1KV/cmの10分の１の数倍から数KV/cm
の範囲で、これは現像機42の寸法形成及び負に帯電した
マトリクス粒子48の物理的特性に左右される。即ち、空
間電荷電界強度は、負に帯電したマトリクス粒子48が現
像機42を離れる時の流量に比例し、グリッド現像電極44
に印加されるであろうほぼ０〜−2000Vの範囲のどのよ
うな電位によっても実質的に左右されない。このグリッ
ド現像電極44の目的は、光導電性層34の近くに、外部か
ら与えられる電位あるいはバイアス電圧によって制御さ
れる空間的に均一な等電位面を作ることである。この手
段により、空間電荷電位線50は終端され、光導電性層34
とグリッド現像電極44の間の別の実質的に均一な直角方
向の電界成分52が、電極44に印加される電位と層34上の
潜像からの正の電位の空間的平均との差に比例するよう
になり、また、層34から電極44への距離に反比例するこ
とになる。
はグリッド現像電極44に隣接した領域に放逐される。こ
の結果生じる空間電荷がグリッド現像電極44の外側に実
質的に均一で直角方向に延びる空間電荷電界成分50を生
成する。この空間電荷電界成分50は光導電性層34から離
れる方向を向いており、負に帯電したマトリクス粒子48
を周囲の空気の対抗するドラッグ抵抗を通して光導電性
層34に向けて追いたてるように働く。空間電荷電界の大
きさは、例えば、1KV/cmの10分の１の数倍から数KV/cm
の範囲で、これは現像機42の寸法形成及び負に帯電した
マトリクス粒子48の物理的特性に左右される。即ち、空
間電荷電界強度は、負に帯電したマトリクス粒子48が現
像機42を離れる時の流量に比例し、グリッド現像電極44
に印加されるであろうほぼ０〜−2000Vの範囲のどのよ
うな電位によっても実質的に左右されない。このグリッ
ド現像電極44の目的は、光導電性層34の近くに、外部か
ら与えられる電位あるいはバイアス電圧によって制御さ
れる空間的に均一な等電位面を作ることである。この手
段により、空間電荷電位線50は終端され、光導電性層34
とグリッド現像電極44の間の別の実質的に均一な直角方
向の電界成分52が、電極44に印加される電位と層34上の
潜像からの正の電位の空間的平均との差に比例するよう
になり、また、層34から電極44への距離に反比例するこ
とになる。
この均一電界成分52は、第５図に示すように、光導電
性層34の表面近傍に存在している潜像電界にベクトル的
に加えられ、潜像電界の電界線46に無視し得る程度の歪
みを与える。しかし、この無視し得る歪みは、潜像電界
を強めたり、画像電界に関係する電界線46を直線的にし
たりすることはない。合成電界は、潜像パタンの繰り返
し周期（代表的には1mm以下）の４分の３にほぼ等しい
距離だけ光導電性層34から離れた位置にある狭い領域54
において遷移を受ける。現像工程を適正に行うために
は、グリッド現像電極44はこの距離よりも離して配置せ
ねばならない。遷移領域54までの距離より大きな距離の
位置では、近づいてくる負に帯電したマトリクス粒子に
対する電気的な力は、グリッド現像電極44によって制御
される実質的に均一な電界成分52に支配される。また、
より小さい距離の位置、即ち、光導電性層34と遷移領域
54の間では、急速に強くなる潜像電界が支配的になる。
性層34の表面近傍に存在している潜像電界にベクトル的
に加えられ、潜像電界の電界線46に無視し得る程度の歪
みを与える。しかし、この無視し得る歪みは、潜像電界
を強めたり、画像電界に関係する電界線46を直線的にし
たりすることはない。合成電界は、潜像パタンの繰り返
し周期（代表的には1mm以下）の４分の３にほぼ等しい
距離だけ光導電性層34から離れた位置にある狭い領域54
において遷移を受ける。現像工程を適正に行うために
は、グリッド現像電極44はこの距離よりも離して配置せ
ねばならない。遷移領域54までの距離より大きな距離の
位置では、近づいてくる負に帯電したマトリクス粒子に
対する電気的な力は、グリッド現像電極44によって制御
される実質的に均一な電界成分52に支配される。また、
より小さい距離の位置、即ち、光導電性層34と遷移領域
54の間では、急速に強くなる潜像電界が支配的になる。
グリッド現像電極が用いられない前に引用した米国特
許第4,921,767号では、負に帯電したマトリクス粒子か
らの実質的に均一な空間電荷が直接、光導電性層34の表
面近傍の潜像電界まで延びる。マトリクス材料が現像機
42から放出される流量の変動により、空間電荷の電界に
も、それに関連した変動が生じる。空間電荷電界が強す
ぎると、光導電性層34の表面の非露光領域において潜像
電界の反発成分の方向が逆転して、粒子が光導電性層上
の不所望な位置、即ち、非露光位置に着地してしまうこ
とになる。いくらか弱めの空間電荷電界であれば、潜像
電界の反発成分を逆転させることはないが、電界遷移領
域の位置を移動させて光導電性層34に近づけ過ぎてしま
う。このような位置の移動が生じると、高密度、高摩擦
電荷及び／または大きなサイズを有する負に帯電したマ
トリクス粒子は、反発力の狭い領域を横断して上述した
不所望な位置に着地するに充分な、光導電性層34に向か
う運動量を獲得する。この発明においては、グリッド現
像電極44が遷移領域54よりも実質的に遠い位置に配置さ
れており、潜像電界の範囲を越えて、制御された実質的
に均一な電界成分52を生成する。このようなグリッド現
像電極44の位置は、電界線46で表わされている潜像電界
を現像機52により放逐される粒子の空間電荷により生成
される空間電荷電界50の影響から遮蔽する。グリッド現
像電極44のバイアス電圧は、現像機42からの材料の所要
流量及び負に帯電したマトリクス粒子の物理的性質を考
慮して、光導電性層の不所望位置へのマトリクス粒子の
披着を最小にするように調整される。グリッド現像電極
44に加えられる電位は、遷移領域54の外側で実質的に均
一な電界成分52が負に帯電したマトリクス粒子48を光導
電性層34に引き付けるように働くようにするために、潜
像からの電位の空間的平均よりも負でなければならな
い。グリッド電極44の電位の有効値は０乃至約−2000V
の範囲である。グリッド現像電極44によって形成される
均一電界成分52が空間電荷のボディからの電界50よりも
弱い場合には、グリッドの電界は、負に帯電したマトリ
クス粒子が現像機42から放出される高さに材料流量を維
持できない。その結果、グリッド現像電極44は負に帯電
したマトリクス粒子の一部を収集し、残りのマトリクス
粒子は、グリッド現像電極44と光導電性層34との間の弱
い電界強度に応じた低い流量で光導電性層34に向かう。
逆に、グリッド現像電極44と光導電層34との間の均一電
界成分52が空間電荷の電界50と等しいか、あるいは、こ
れより強い場合は、グリッド現像電極44によって捕獲さ
れる負に帯電したマトリクス粒子48は僅かしかなく、粒
子48はグリッド現像電極44の開口を通過し、その高い電
界成分52に関係した新しい流速に加速されることにな
る。負に帯電したマトリクス粒子は駆動されて遷移領域
54を通過し、光導電性層34の正に帯電した非露光領域に
吸引されて、直接現像と称されるプロセスによりマトリ
クス層23が形成される。
許第4,921,767号では、負に帯電したマトリクス粒子か
らの実質的に均一な空間電荷が直接、光導電性層34の表
面近傍の潜像電界まで延びる。マトリクス材料が現像機
42から放出される流量の変動により、空間電荷の電界に
も、それに関連した変動が生じる。空間電荷電界が強す
ぎると、光導電性層34の表面の非露光領域において潜像
電界の反発成分の方向が逆転して、粒子が光導電性層上
の不所望な位置、即ち、非露光位置に着地してしまうこ
とになる。いくらか弱めの空間電荷電界であれば、潜像
電界の反発成分を逆転させることはないが、電界遷移領
域の位置を移動させて光導電性層34に近づけ過ぎてしま
う。このような位置の移動が生じると、高密度、高摩擦
電荷及び／または大きなサイズを有する負に帯電したマ
トリクス粒子は、反発力の狭い領域を横断して上述した
不所望な位置に着地するに充分な、光導電性層34に向か
う運動量を獲得する。この発明においては、グリッド現
像電極44が遷移領域54よりも実質的に遠い位置に配置さ
れており、潜像電界の範囲を越えて、制御された実質的
に均一な電界成分52を生成する。このようなグリッド現
像電極44の位置は、電界線46で表わされている潜像電界
を現像機52により放逐される粒子の空間電荷により生成
される空間電荷電界50の影響から遮蔽する。グリッド現
像電極44のバイアス電圧は、現像機42からの材料の所要
流量及び負に帯電したマトリクス粒子の物理的性質を考
慮して、光導電性層の不所望位置へのマトリクス粒子の
披着を最小にするように調整される。グリッド現像電極
44に加えられる電位は、遷移領域54の外側で実質的に均
一な電界成分52が負に帯電したマトリクス粒子48を光導
電性層34に引き付けるように働くようにするために、潜
像からの電位の空間的平均よりも負でなければならな
い。グリッド電極44の電位の有効値は０乃至約−2000V
の範囲である。グリッド現像電極44によって形成される
均一電界成分52が空間電荷のボディからの電界50よりも
弱い場合には、グリッドの電界は、負に帯電したマトリ
クス粒子が現像機42から放出される高さに材料流量を維
持できない。その結果、グリッド現像電極44は負に帯電
したマトリクス粒子の一部を収集し、残りのマトリクス
粒子は、グリッド現像電極44と光導電性層34との間の弱
い電界強度に応じた低い流量で光導電性層34に向かう。
逆に、グリッド現像電極44と光導電層34との間の均一電
界成分52が空間電荷の電界50と等しいか、あるいは、こ
れより強い場合は、グリッド現像電極44によって捕獲さ
れる負に帯電したマトリクス粒子48は僅かしかなく、粒
子48はグリッド現像電極44の開口を通過し、その高い電
界成分52に関係した新しい流速に加速されることにな
る。負に帯電したマトリクス粒子は駆動されて遷移領域
54を通過し、光導電性層34の正に帯電した非露光領域に
吸引されて、直接現像と称されるプロセスによりマトリ
クス層23が形成される。
次ぎに、第3e図に示すように、例えば、赤外線を用い
て、マトリクス材料のポリマ成分を光導電性層に対し溶
融あるいは熱的に接着させることにより、マトリクス材
料の粒子48を定着させて、マトリクス23を形成する。
て、マトリクス材料のポリマ成分を光導電性層に対し溶
融あるいは熱的に接着させることにより、マトリクス材
料の粒子48を定着させて、マトリクス23を形成する。
マトリクス23を含む光導電性層34は、３つの色発光性
乾燥粉末状蛍光体スクリーン構造材料の中の第１のもの
を披着するために、約200〜500Vの正の電位に均一に再
荷電される。シャドウマスク25が再びパネル12に挿入さ
れ、緑色発光蛍光体材料が披着されることになる位置に
対応する光導電性層34の選択された領域がライトハウス
40内の第１の位置からの可視光に露光されて、露光され
た領域が選択的に放電される。この第１の光の位置は緑
色蛍光体に入射する電子ビームの入射角に近似する入射
角を与える位置である。光導電性層34の近くに他にどの
ような帯電した材料も通過している電極もなければ、１
回の露光によって生じる潜像は、第６図に示す、非露光
の正に帯電した領域から露光されて放電した領域へ延び
る湾曲した電界線46′によって表わされている潜像電界
を生じさせる。電界線46′は表面電荷が急激に位置的に
変化する領域では光導電性層34に実質的に平行であり、
潜像が僅かしか空間変化を持たない光導電性層34の部分
では表面に対して実質的に直角である。緑色発光蛍光体
材料が披着されることになる露光された領域相互間の横
方向の間隔が0.30〜0.90mm、代表的に0.76mm、であり、
当初の表面電位が＋200乃至＋700Vという推奨範囲内に
ある時、光導電性層34における潜像電界のピークの大き
さは数10KV/cmの範囲となる。ブラックマトリクスパタ
ンの形成に用いた３つのランプ位置からの３回の重畳露
光と異なり、単一のランプ位置からの露光により、代表
的には、非露光領域よりも数倍狭い露光領域が形成さ
れ、その結果、表面における直角電界成分は、幅の広い
非露光領域におけるよりも狭い露光領域における方が相
当強くなる。光導電性層34の表面に近い電界の大きさ
は、表面からの距離が大きくなるに従って急速に減少
し、緑色発光蛍光体の位置に対する潜像パタンの周期の
約４分の３に相当する距離において、10分の数KV/cmの
ピーク値まで減少する。
乾燥粉末状蛍光体スクリーン構造材料の中の第１のもの
を披着するために、約200〜500Vの正の電位に均一に再
荷電される。シャドウマスク25が再びパネル12に挿入さ
れ、緑色発光蛍光体材料が披着されることになる位置に
対応する光導電性層34の選択された領域がライトハウス
40内の第１の位置からの可視光に露光されて、露光され
た領域が選択的に放電される。この第１の光の位置は緑
色蛍光体に入射する電子ビームの入射角に近似する入射
角を与える位置である。光導電性層34の近くに他にどの
ような帯電した材料も通過している電極もなければ、１
回の露光によって生じる潜像は、第６図に示す、非露光
の正に帯電した領域から露光されて放電した領域へ延び
る湾曲した電界線46′によって表わされている潜像電界
を生じさせる。電界線46′は表面電荷が急激に位置的に
変化する領域では光導電性層34に実質的に平行であり、
潜像が僅かしか空間変化を持たない光導電性層34の部分
では表面に対して実質的に直角である。緑色発光蛍光体
材料が披着されることになる露光された領域相互間の横
方向の間隔が0.30〜0.90mm、代表的に0.76mm、であり、
当初の表面電位が＋200乃至＋700Vという推奨範囲内に
ある時、光導電性層34における潜像電界のピークの大き
さは数10KV/cmの範囲となる。ブラックマトリクスパタ
ンの形成に用いた３つのランプ位置からの３回の重畳露
光と異なり、単一のランプ位置からの露光により、代表
的には、非露光領域よりも数倍狭い露光領域が形成さ
れ、その結果、表面における直角電界成分は、幅の広い
非露光領域におけるよりも狭い露光領域における方が相
当強くなる。光導電性層34の表面に近い電界の大きさ
は、表面からの距離が大きくなるに従って急速に減少
し、緑色発光蛍光体の位置に対する潜像パタンの周期の
約４分の３に相当する距離において、10分の数KV/cmの
ピーク値まで減少する。
緑色発光蛍光体が披着される位置の露光後、シャドウ
マスク25がパネル12から取り外され、パネルは、グリッ
ド現像電極44を有し、適切に調整された緑色発光蛍光体
の乾燥粉末状粒子を収容した第２の現像機42に移され
る。蛍光体粒子は、1990年５月１日でダッタ（P.Datt
a）氏外に付与された米国特許第4,921,727号あるいは19
88年12月21日付けでダッタ氏外により出願された米国特
許第287,358号に記載されているように、適当な電荷制
御材料で表面処理されている。
マスク25がパネル12から取り外され、パネルは、グリッ
ド現像電極44を有し、適切に調整された緑色発光蛍光体
の乾燥粉末状粒子を収容した第２の現像機42に移され
る。蛍光体粒子は、1990年５月１日でダッタ（P.Datt
a）氏外に付与された米国特許第4,921,727号あるいは19
88年12月21日付けでダッタ氏外により出願された米国特
許第287,358号に記載されているように、適当な電荷制
御材料で表面処理されている。
正に荷電された緑色発行蛍光体粒子は現像機から放出
され、光導電性層34とマトリクス23の正に帯電した領域
による反発力を受け、反電現像とした知られるプロセス
により、光導電性層34の放電した露光領域に披着され
る。第７図に示すように、相当量の正に帯電した緑色発
光蛍光体粒子48′がグリッド現像電極44に隣接する部分
中に放逐されることによりグリッド現像電極44の外側に
別のほぼ均一な直角に延びる空間電荷電界成分50′が形
成される。この空間電荷電界成分50′は光導電性層34の
方向に向いており、周囲の空気による抵抗に打克って、
正に帯電した緑色発光蛍光体粒子48′を光導電性層34の
近くまで移動させるように働く。空間電荷電界の強さ
は、10分の数KV/cmから数KV/cmの範囲にあり、現像機の
寸法形状及び正に帯電した緑色発光蛍光体粒子の物理的
性質によって左右される。即ち、空間電荷電界の強度
は、正に帯電した緑色発光蛍光体粒子48′が現像機42を
離れる流量に比例し、グリッド現像電極44に印加される
ほぼ０〜＋2000Vの範囲内の電位には実質的に無関係で
ある。グリッド現像電極44は、この電極44と光導電性層
34との間の間隔に応じて、＋200〜＋1600Vの範囲内の電
圧に正にバイアスされる。この間隔が狭くなるに従っ
て、電極44と光導電性層34との間に所要の実質的に均一
な電界52′を設定するに必要な電圧が低くなる。この電
界52′の強度は蛍光体粒子が、前述した通常は光導電性
層34の表面から約1mm以下に位置する電界遷移領域54′
に近づく時、蛍光体粒子に所要の速度を与える。グリッ
ド現像電極がないとすると、現像機42によって放出され
た正に帯電した蛍光体粒子からの空間電荷電界の駆動効
果は、光導電性層34の露光領域の潜像電界の反発効果を
実質的に減じるほどの強さとなってしまう。その結果生
じる、光導電性層34の表面近くの潜像電界の直角方向成
分は、反転現像における、正に帯電した緑色発光蛍光体
粒子を、この緑蛍光体があってはならない光導電性層の
領域から反発放逐することができなくなってしまう。従
って、蛍光体現像中にグリッド現像電極44を用いない
と、相互汚染が生じてしまう。
され、光導電性層34とマトリクス23の正に帯電した領域
による反発力を受け、反電現像とした知られるプロセス
により、光導電性層34の放電した露光領域に披着され
る。第７図に示すように、相当量の正に帯電した緑色発
光蛍光体粒子48′がグリッド現像電極44に隣接する部分
中に放逐されることによりグリッド現像電極44の外側に
別のほぼ均一な直角に延びる空間電荷電界成分50′が形
成される。この空間電荷電界成分50′は光導電性層34の
方向に向いており、周囲の空気による抵抗に打克って、
正に帯電した緑色発光蛍光体粒子48′を光導電性層34の
近くまで移動させるように働く。空間電荷電界の強さ
は、10分の数KV/cmから数KV/cmの範囲にあり、現像機の
寸法形状及び正に帯電した緑色発光蛍光体粒子の物理的
性質によって左右される。即ち、空間電荷電界の強度
は、正に帯電した緑色発光蛍光体粒子48′が現像機42を
離れる流量に比例し、グリッド現像電極44に印加される
ほぼ０〜＋2000Vの範囲内の電位には実質的に無関係で
ある。グリッド現像電極44は、この電極44と光導電性層
34との間の間隔に応じて、＋200〜＋1600Vの範囲内の電
圧に正にバイアスされる。この間隔が狭くなるに従っ
て、電極44と光導電性層34との間に所要の実質的に均一
な電界52′を設定するに必要な電圧が低くなる。この電
界52′の強度は蛍光体粒子が、前述した通常は光導電性
層34の表面から約1mm以下に位置する電界遷移領域54′
に近づく時、蛍光体粒子に所要の速度を与える。グリッ
ド現像電極がないとすると、現像機42によって放出され
た正に帯電した蛍光体粒子からの空間電荷電界の駆動効
果は、光導電性層34の露光領域の潜像電界の反発効果を
実質的に減じるほどの強さとなってしまう。その結果生
じる、光導電性層34の表面近くの潜像電界の直角方向成
分は、反転現像における、正に帯電した緑色発光蛍光体
粒子を、この緑蛍光体があってはならない光導電性層の
領域から反発放逐することができなくなってしまう。従
って、蛍光体現像中にグリッド現像電極44を用いない
と、相互汚染が生じてしまう。
グリッド現像電極44に印加される正の電位は、不所望
な位置への粒子の披着をできるだけ少なくするために、
現像機42からの蛍光体の所望流量と、緑色発光蛍光体粒
子のサイズ、密度、電荷等の物理的特性とに応じて調整
される。グリッド現像電極44に加えられる電位は、遷移
領域54′の外側の実質的に均一な電界52′が正に帯電し
た蛍光体粒子48′を光導電性層34に引き寄せるようにす
るために、潜像からの電位の空間的平均よりも正でなけ
ればならない。グリッド現像電極44′より与えられる電
界52′が空間電荷からの電界50′よりも弱いと、グリッ
ドの電界は、蛍光体粒子48′が現像機42によって放出さ
れる流量に材料の流量を保持できない。その結果、グリ
ッド現像電極44は正に帯電した蛍光体粒子の一部を捕捉
し、一方、残りの部分は、グリッド現像電極と光導電性
層34との間の低い電界強度と応じた低い流量で光導電性
層34に向かって流れ続ける。逆に、グリッド現像電極44
と光導電性層34との間の電界52′が空間電荷の電界50′
に等しいかこれより強い場合には、グリッド現像電極44
によって捕捉される正に帯電した蛍光体粒子は僅かしか
なく、粒子48′はグリッド現像電極44中の開口を通り、
より高い電界52′に関連した新しい流速に加速される。
従って、蛍光体粒子48′は遷移領域54′を駆動推進さ
れ、光導電性層34の放電した露光領域に吸引される。披
着される緑色発光蛍光体粒子は、後述のように、光導電
性層に定着される。
な位置への粒子の披着をできるだけ少なくするために、
現像機42からの蛍光体の所望流量と、緑色発光蛍光体粒
子のサイズ、密度、電荷等の物理的特性とに応じて調整
される。グリッド現像電極44に加えられる電位は、遷移
領域54′の外側の実質的に均一な電界52′が正に帯電し
た蛍光体粒子48′を光導電性層34に引き寄せるようにす
るために、潜像からの電位の空間的平均よりも正でなけ
ればならない。グリッド現像電極44′より与えられる電
界52′が空間電荷からの電界50′よりも弱いと、グリッ
ドの電界は、蛍光体粒子48′が現像機42によって放出さ
れる流量に材料の流量を保持できない。その結果、グリ
ッド現像電極44は正に帯電した蛍光体粒子の一部を捕捉
し、一方、残りの部分は、グリッド現像電極と光導電性
層34との間の低い電界強度と応じた低い流量で光導電性
層34に向かって流れ続ける。逆に、グリッド現像電極44
と光導電性層34との間の電界52′が空間電荷の電界50′
に等しいかこれより強い場合には、グリッド現像電極44
によって捕捉される正に帯電した蛍光体粒子は僅かしか
なく、粒子48′はグリッド現像電極44中の開口を通り、
より高い電界52′に関連した新しい流速に加速される。
従って、蛍光体粒子48′は遷移領域54′を駆動推進さ
れ、光導電性層34の放電した露光領域に吸引される。披
着される緑色発光蛍光体粒子は、後述のように、光導電
性層に定着される。
光導電性層34、マトリクス23および緑蛍光体層（図示
せず）は、スクリーン構造材料の青色発光蛍光体粒子を
披着するために、約200〜700Vの正の電位に再荷電され
る。シャドウマスクが再びパネル12に挿入され、光導電
性層34の選択された領域がライトハウス40内の第２の位
置からの可視光に露光され、露光された領域が選択的に
放電される。この第２の位置は青蛍光体に入射する電子
ビームの入射角に近似する入射角を与える。パネル12か
らシャドウマスク25が取り外され、パネルは適切に調整
された青色発光蛍光体の乾燥粉末状粒子を収容した第３
の現像機42に移される。この蛍光体粒子は、前述のよう
に、蛍光体粒子に正の電荷を与えるように、適当な電荷
制御材料で表面処理される。摩擦電気的に正に荷電され
た乾燥粉末状青色発光蛍光体粒子は、第３の現像機42か
ら放出され、バイアスされたグリッド現像電極44の制御
された実質的に均一な電界52′によって遷移領域54′へ
駆動推進され、光導電性層34、マトリクス23及び緑蛍光
体材料の正に帯電した領域によって反ねかえされ光導電
性層の放電した露光領域上に披着される。この披着され
た青色発光蛍光体粒子は後述するようにして光導電性層
に定着される。
せず）は、スクリーン構造材料の青色発光蛍光体粒子を
披着するために、約200〜700Vの正の電位に再荷電され
る。シャドウマスクが再びパネル12に挿入され、光導電
性層34の選択された領域がライトハウス40内の第２の位
置からの可視光に露光され、露光された領域が選択的に
放電される。この第２の位置は青蛍光体に入射する電子
ビームの入射角に近似する入射角を与える。パネル12か
らシャドウマスク25が取り外され、パネルは適切に調整
された青色発光蛍光体の乾燥粉末状粒子を収容した第３
の現像機42に移される。この蛍光体粒子は、前述のよう
に、蛍光体粒子に正の電荷を与えるように、適当な電荷
制御材料で表面処理される。摩擦電気的に正に荷電され
た乾燥粉末状青色発光蛍光体粒子は、第３の現像機42か
ら放出され、バイアスされたグリッド現像電極44の制御
された実質的に均一な電界52′によって遷移領域54′へ
駆動推進され、光導電性層34、マトリクス23及び緑蛍光
体材料の正に帯電した領域によって反ねかえされ光導電
性層の放電した露光領域上に披着される。この披着され
た青色発光蛍光体粒子は後述するようにして光導電性層
に定着される。
乾燥粉末状の表面処理された赤色発光蛍光体粒子に対
し、荷電、露光、現像及び定着の各処理が繰り返され
る。光導電性層34の正に帯電した領域を選択的に放電さ
せるための可視光に対する露光はライトハウス40内の第
３の位置から行われるが、この第３の位置は赤蛍光体に
入射する電子ビームの入射角に近似する入射角を与える
ような位置である。乾燥粉末状の摩擦電気的に正に荷電
された赤色発光蛍光体粒子は第４の現像機42から放出さ
れ、グリッド現像電極44の制御された実質的に均一な電
界52′によって遷移領域54′に駆動推進され、それ以前
に披着されているスクリーン構造材料の正に帯電した領
域から反ねかえされて光導電性層34の放電した領域上に
披着される。
し、荷電、露光、現像及び定着の各処理が繰り返され
る。光導電性層34の正に帯電した領域を選択的に放電さ
せるための可視光に対する露光はライトハウス40内の第
３の位置から行われるが、この第３の位置は赤蛍光体に
入射する電子ビームの入射角に近似する入射角を与える
ような位置である。乾燥粉末状の摩擦電気的に正に荷電
された赤色発光蛍光体粒子は第４の現像機42から放出さ
れ、グリッド現像電極44の制御された実質的に均一な電
界52′によって遷移領域54′に駆動推進され、それ以前
に披着されているスクリーン構造材料の正に帯電した領
域から反ねかえされて光導電性層34の放電した領域上に
披着される。
蛍光体は、蛍光体材料を披着する毎に赤外線に露光さ
せて定着させることができる。赤外線はポリマ成分を溶
融させ、即ち、熱的に光導電性層34に接着する。赤色発
光蛍光体の定着に続いて、公知のように、スクリーン構
造材料にフィルムを施し、次いでアルミニウム層を施
す。
せて定着させることができる。赤外線はポリマ成分を溶
融させ、即ち、熱的に光導電性層34に接着する。赤色発
光蛍光体の定着に続いて、公知のように、スクリーン構
造材料にフィルムを施し、次いでアルミニウム層を施
す。
フエースプレートパネル12は空気中で約30分間425℃
の温度でベーキング処理され、導電性層32と光導電性層
34とを含むスクリーンの揮発性成分と、スクリーン構造
材料とフィルム形成材料の両方に存在する溶剤が放出さ
れる。このようにして形成されたスクリーン構体は、従
来の湿式処理スクリーンよりも高い解像度（解像度ター
ゲットを用いて0.1mmの線幅という小さいものが得られ
た）、より高い光出力及び蛍光体材料の相互汚染が減少
したことによる高い色純度をもつ。
の温度でベーキング処理され、導電性層32と光導電性層
34とを含むスクリーンの揮発性成分と、スクリーン構造
材料とフィルム形成材料の両方に存在する溶剤が放出さ
れる。このようにして形成されたスクリーン構体は、従
来の湿式処理スクリーンよりも高い解像度（解像度ター
ゲットを用いて0.1mmの線幅という小さいものが得られ
た）、より高い光出力及び蛍光体材料の相互汚染が減少
したことによる高い色純度をもつ。
従来、電子写真技法をオフィス用コピー機の用いた場
合（例えば、1957年３月５日付けでウーカップ（Walku
p）氏に付与された米国特許第2,784,109号参照）では、
現像用電極が用いられる。この現像電極を使用する理由
は、代表的には0.5〜1.0mm程度である代表的な印刷文字
の線のストロークの幅よりも相当大きな、均一に荷電さ
れた、即ち、露光されなかった領域または部分的に露光
された領域の現像中に生じる縁部増強効果をなくするた
めである。このような応用例においては、この電極は、
均一に現像されるべき領域、即ち、非露光領域の直径よ
りも実質的に短い距離を隔てて、受光層に接近させて配
置され、また、印加される電位は帯電した画像領域の縁
部近くの湾曲した電界線を大幅にまっすぐにするに充分
な大きさである。このような電極は、CRTスクリーンの
蛍光体の線及びマトリクスの線の最小寸法と同程度のサ
イズを持つ線や文字、キャラクタ等の小さな暗い領域を
現像するためには必要ではない。これに対し、この発明
におけるカラーCRTのスクリーン構体を電子写真的に製
造するために用いられるグリッド現像電極44は、コピー
機に用いられる電極とは構造及び機能的に異なる。この
新規なグリッド電極44は光導電性層34からある距離（代
表的には、0.5〜4.0cm）隔てて配置されるが、この距離
は、非露光潜像領域の最小のダイメンションの特性寸法
（蛍光体ではほぼ0.75mm、マトリクスでは0.25mm）に比
して比較的大きい、例えば、６倍またはそれ以上であ
る。そしてこのグリッド電極44は空間的に変動する潜像
電界（46及び46′）の有効範囲の外側にある。さらに、
グリッド電極44に加えられる電位の大きさは、高度に局
所化されている潜像電界の歪みを少なくして電界線の増
強と直線化とが生じないようにする値の範囲に意図して
制限されている。
合（例えば、1957年３月５日付けでウーカップ（Walku
p）氏に付与された米国特許第2,784,109号参照）では、
現像用電極が用いられる。この現像電極を使用する理由
は、代表的には0.5〜1.0mm程度である代表的な印刷文字
の線のストロークの幅よりも相当大きな、均一に荷電さ
れた、即ち、露光されなかった領域または部分的に露光
された領域の現像中に生じる縁部増強効果をなくするた
めである。このような応用例においては、この電極は、
均一に現像されるべき領域、即ち、非露光領域の直径よ
りも実質的に短い距離を隔てて、受光層に接近させて配
置され、また、印加される電位は帯電した画像領域の縁
部近くの湾曲した電界線を大幅にまっすぐにするに充分
な大きさである。このような電極は、CRTスクリーンの
蛍光体の線及びマトリクスの線の最小寸法と同程度のサ
イズを持つ線や文字、キャラクタ等の小さな暗い領域を
現像するためには必要ではない。これに対し、この発明
におけるカラーCRTのスクリーン構体を電子写真的に製
造するために用いられるグリッド現像電極44は、コピー
機に用いられる電極とは構造及び機能的に異なる。この
新規なグリッド電極44は光導電性層34からある距離（代
表的には、0.5〜4.0cm）隔てて配置されるが、この距離
は、非露光潜像領域の最小のダイメンションの特性寸法
（蛍光体ではほぼ0.75mm、マトリクスでは0.25mm）に比
して比較的大きい、例えば、６倍またはそれ以上であ
る。そしてこのグリッド電極44は空間的に変動する潜像
電界（46及び46′）の有効範囲の外側にある。さらに、
グリッド電極44に加えられる電位の大きさは、高度に局
所化されている潜像電界の歪みを少なくして電界線の増
強と直線化とが生じないようにする値の範囲に意図して
制限されている。
この新規なグリッド現像電極44を用いると、このよう
な電極を用いない乾燥粉末法における場合よりもより均
一な蛍光体の披着を、相互汚染を生じさせることなく行
うことができる。また、この電極は、スラリーの厚さと
ライトハウスの光強度分布を制御することによってスク
リーンの重量を変える通常のスラリースクリーン形成法
と同様に、フエースプレートの異なる領域上に披着され
る蛍光体の量を調整する手段を提供する。この発明の方
法では、スクリーン重量はグリッド現像電極44に加える
バイアス電位と電極44とフエースプレート18上の光導電
性層34との間の距離によって制御される。グリッド現像
電極は一般には、フエースプレートの曲率に対応するよ
うな形状とされるが、蛍光体現像装置にある非均一性を
補償するために、あるいは、蛍光体スクリーン重量に所
要の非均一性を与えるために調整することは可能であ
る。さらに、ここに記述した装置と方法は、グリッド現
像電極のサイズを変えるだけで、同じ現像機によって種
々のサイズの管のスクリーンを形成するために用いるこ
とができる。
な電極を用いない乾燥粉末法における場合よりもより均
一な蛍光体の披着を、相互汚染を生じさせることなく行
うことができる。また、この電極は、スラリーの厚さと
ライトハウスの光強度分布を制御することによってスク
リーンの重量を変える通常のスラリースクリーン形成法
と同様に、フエースプレートの異なる領域上に披着され
る蛍光体の量を調整する手段を提供する。この発明の方
法では、スクリーン重量はグリッド現像電極44に加える
バイアス電位と電極44とフエースプレート18上の光導電
性層34との間の距離によって制御される。グリッド現像
電極は一般には、フエースプレートの曲率に対応するよ
うな形状とされるが、蛍光体現像装置にある非均一性を
補償するために、あるいは、蛍光体スクリーン重量に所
要の非均一性を与えるために調整することは可能であ
る。さらに、ここに記述した装置と方法は、グリッド現
像電極のサイズを変えるだけで、同じ現像機によって種
々のサイズの管のスクリーンを形成するために用いるこ
とができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マツコイ，ランドール ユージン アメリカ合衆国 ペンシルベニア州 17233 マツコネルズバーグ ボツクス 213エイ ルーラル・デリバリ ナンバー １ (72)発明者 フリール，ロナルド ノーマン アメリカ合衆国 ニユージヤージ州 08690 ハミルトン・スクエア アクレ ス・ドライブ 125 (72)発明者 バンラールト，ジヨン エイ アメリカ合衆国 ニユージヤージ州 08540 プリンストン リバーサイド・ド ライブ 426 (72)発明者 スチユワート，ウイルバー クラレンス アメリカ合衆国 ニユージヤージ州 08520 ハイツタウン シヤグバーク・レ ーン 11
Claims (5)
- 【請求項１】CRT（10）で用いるための発光スクリーン
構体（22、24）を基板（18）上に電子写真的に製造する
装置であって、上記基板がこれと接触した導電性層（3
2）と、光導電性層（34）であって、その上に形成され
かつそれに隣して潜像電界（46、46′）を生成する潜像
を有する光導電性層の被覆とを有するものであって、 上記光導電性層上の上記潜像を乾燥粉末状の摩擦電気的
に荷電されたスクリーン構造材料（48、48′）で現像す
る手段（42）と、 上記光導電性層から上記潜像の最小寸法に比して大きな
距離だけ隔たっており、かつ、上記潜像電界の範囲の外
側の位置に配置されたグリッド現像電極（44）と、 上記光導電性層上への上記荷電されたスクリーン構造材
料の披着に影響を及ぼすように上記電極を適当な電位で
電気的にバイアスする手段と、 を含む装置。 - 【請求項２】上記グリッド現像電極（44）が多数の貫通
開口を有する導電性メッシュを含んでいる、請求項
（１）に記載の装置。 - 【請求項３】上記開口が実質的に方形で、上記グリッド
現像電極（44）内で寸法が実質的に均一とされている、
請求項（２）に記載の装置。 - 【請求項４】上記電気的にバイアスする手段が上記グリ
ッド現像電極（44）に約−2000〜＋2000Vの電位を印加
する、請求項（１）に記載の装置。 - 【請求項５】基板（18）上にCRT（10）で用いる発光ス
クリーン構体（22、24）を電子写真的に製造する方法で
あって、 ａ）上記基板を導電性層（32）で覆うステップと、 ｂ）上記導電性層を光導電性層（34）で覆うステップ
と、 ｃ）上記光導電性層上に静電荷を形成するステップと、 ｄ）上記光導電性層の選択された領域を可視光に露光し
て、その領域の電荷に影響を与えて、露光領域と非露光
領域とを有し、上記光導電性層に隣接して潜像電界（4
6、46′）を生成する潜像を形成するステップと、 ｅ）摩擦電気的荷電を制御するための表面電荷制御剤を
有する乾燥粉末状の摩擦電気的に荷電されたスクリーン
構造材料で上記光導電性層を現像するステップと、 を含み、上記現像ステップが、 ｉ）グリッド現像電極（44）を、上記非露光潜像領域の
最小寸法に比して大きな距離だけ上記光導電性層から隔
たっており、かつ、このグリッド現像電極によって生成
される電界が上記潜像電界に実質的に影響を及ぼさない
ように上記潜像電界の範囲の外側にある位置に配置する
ステップと、 ii）上記荷電された光導電性層上への上記荷電されたス
クリーン構造材料の披着に影響を及ぼすように−2000V
乃至＋2000Vの範囲内の適当な電位で上記グリッド現像
電極を電気的にバイアスするステップと、 を含むものである、方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/420,062 US5093217A (en) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | Apparatus and method for manufacturing a screen assembly for a crt utilizing a grid-developing electrode |
| US420,062 | 1989-10-11 | ||
| PCT/US1990/005307 WO1991006114A1 (en) | 1989-10-11 | 1990-09-18 | An apparatus and method for manufacturing a screen assembly for a crt utilizing a grid-developing electrode |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05501027A JPH05501027A (ja) | 1993-02-25 |
| JPH088064B2 true JPH088064B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=23664931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2514949A Expired - Fee Related JPH088064B2 (ja) | 1989-10-11 | 1990-09-18 | グリッド現像電極を用いたｃｒｔ用スクリーン構体の製造装置及び方法 |
Country Status (14)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5093217A (ja) |
| EP (1) | EP0495894B1 (ja) |
| JP (1) | JPH088064B2 (ja) |
| KR (1) | KR0181476B1 (ja) |
| CN (1) | CN1027113C (ja) |
| BR (1) | BR9007731A (ja) |
| CA (1) | CA2067392C (ja) |
| CZ (1) | CZ281746B6 (ja) |
| DD (1) | DD298557A5 (ja) |
| DE (1) | DE69006511T2 (ja) |
| GR (1) | GR1000816B (ja) |
| PL (1) | PL164619B1 (ja) |
| TR (1) | TR24966A (ja) |
| WO (1) | WO1991006114A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5240798A (en) * | 1992-01-27 | 1993-08-31 | Thomson Consumer Electronics | Method of forming a matrix for an electrophotographically manufactured screen assembly for a cathode-ray tube |
| US5340674A (en) * | 1993-03-19 | 1994-08-23 | Thomson Consumer Electronics, Inc. | Method of electrophotographically manufacturing a screen assembly for a cathode-ray tube with a subsequently formed matrix |
| US5477285A (en) * | 1993-10-06 | 1995-12-19 | Thomson Consumer Electronics, Inc. | CRT developing apparatus |
| US6187487B1 (en) | 1997-09-08 | 2001-02-13 | James Regis Matey | Method of developing a latent charge image |
| AU4258697A (en) * | 1997-09-08 | 1999-03-29 | Thomson Licensing S.A. | Method of developing a latent charge image |
| US6007952A (en) * | 1998-08-07 | 1999-12-28 | Thomson Consumer Electronics, Inc. | Apparatus and method of developing a latent charge image |
| US6504291B1 (en) | 1999-02-23 | 2003-01-07 | Micron Technology, Inc. | Focusing electrode and method for field emission displays |
| US6300021B1 (en) | 1999-06-14 | 2001-10-09 | Thomson Licensing S.A. | Bias shield and method of developing a latent charge image |
| CN107045244A (zh) * | 2017-02-08 | 2017-08-15 | 蔡思强 | 一种通过电磁场控制屏幕内极性显色粒子的液态显示屏 |
| JP7604260B2 (ja) * | 2021-02-12 | 2024-12-23 | キヤノン株式会社 | 画像形成装置 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2784109A (en) * | 1950-09-18 | 1957-03-05 | Haloid Co | Method for developing electrostatic images |
| US2777418A (en) * | 1954-02-08 | 1957-01-15 | Haloid Co | Apparatus for developing a powder image on a xerographic plate |
| US2817598A (en) * | 1955-02-01 | 1957-12-24 | Haloid Co | Continuous tone reversal development process |
| US2842456A (en) * | 1955-08-30 | 1958-07-08 | Battelle Development Corp | Process for developing an electrostatic image |
| US3475169A (en) * | 1965-08-20 | 1969-10-28 | Zenith Radio Corp | Process of electrostatically screening color cathode-ray tubes |
| US3640246A (en) * | 1969-11-07 | 1972-02-08 | Xerox Corp | Development apparatus for latent electrostatic images |
| US4076857A (en) * | 1976-06-28 | 1978-02-28 | Eastman Kodak Company | Process for developing electrographic images by causing electrical breakdown in the developer |
| DE2658280A1 (de) * | 1976-12-22 | 1978-07-06 | Siemens Ag | Verfahren zur beseitigung der untergrundrestladung bei elektrofotografischer bildwiedergabe und geraet zu seiner durchfuehrung |
| US4583489A (en) * | 1985-04-29 | 1986-04-22 | Xerox Corporation | Method for making duplicate xeroradiographic images |
| US4860600A (en) * | 1987-04-20 | 1989-08-29 | Schumacher Larry L | Three degree of freedom micro-gravity simulator |
| CA2003752C (en) * | 1988-12-21 | 2001-01-16 | Pabitra Datta | Surface treatment of phosphor particles and method for a crt screen |
| US4921767A (en) * | 1988-12-21 | 1990-05-01 | Rca Licensing Corp. | Method of electrophotographically manufacturing a luminescent screen assembly for a cathode-ray-tube |
| US4917978A (en) * | 1989-01-23 | 1990-04-17 | Thomson Consumer Electronics, Inc. | Method of electrophotographically manufacturing a luminescent screen assembly having increased adherence for a CRT |
-
1989
- 1989-10-11 US US07/420,062 patent/US5093217A/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-09-18 DE DE69006511T patent/DE69006511T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-09-18 JP JP2514949A patent/JPH088064B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1990-09-18 WO PCT/US1990/005307 patent/WO1991006114A1/en not_active Ceased
- 1990-09-18 CA CA002067392A patent/CA2067392C/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-09-18 EP EP90915927A patent/EP0495894B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-09-18 BR BR909007731A patent/BR9007731A/pt not_active IP Right Cessation
- 1990-09-18 KR KR1019920700842A patent/KR0181476B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 1990-09-27 CZ CS904691A patent/CZ281746B6/cs not_active IP Right Cessation
- 1990-10-02 DD DD90344362A patent/DD298557A5/de not_active IP Right Cessation
- 1990-10-03 TR TR90/0944A patent/TR24966A/xx unknown
- 1990-10-08 PL PL90287231A patent/PL164619B1/pl unknown
- 1990-10-09 GR GR900100738A patent/GR1000816B/el not_active IP Right Cessation
- 1990-10-10 CN CN90108416A patent/CN1027113C/zh not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05501027A (ja) | 1993-02-25 |
| US5093217A (en) | 1992-03-03 |
| CZ469190A3 (en) | 1993-03-17 |
| DE69006511D1 (de) | 1994-03-17 |
| KR920704325A (ko) | 1992-12-19 |
| TR24966A (tr) | 1992-09-01 |
| EP0495894A1 (en) | 1992-07-29 |
| GR1000816B (el) | 1993-01-25 |
| CA2067392C (en) | 2002-01-29 |
| BR9007731A (pt) | 1992-07-07 |
| WO1991006114A1 (en) | 1991-05-02 |
| DD298557A5 (de) | 1992-02-27 |
| CA2067392A1 (en) | 1991-04-12 |
| GR900100738A (en) | 1992-03-20 |
| EP0495894B1 (en) | 1994-02-02 |
| CN1050948A (zh) | 1991-04-24 |
| KR0181476B1 (ko) | 1999-03-20 |
| DE69006511T2 (de) | 1994-05-19 |
| CN1027113C (zh) | 1994-12-21 |
| PL164619B1 (pl) | 1994-08-31 |
| CZ281746B6 (cs) | 1997-01-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2067334C1 (ru) | Способ электрофотографического изготовления люминесцентного экранного узла на подложке электронно-лучевой трубки и способ электрофотографического изготовления люминесцентной экранной сборки на внутренней поверхности панели планшайбы для цветной электронно-лучевой трубки | |
| EP0378911B1 (en) | Method of electrophotographically manufacturing a luminescent screen assembly for a cathode-ray tube | |
| CZ281125B6 (cs) | Způsob výroby luminiscenčního stínítka na čelní desce obrazovky | |
| US5240798A (en) | Method of forming a matrix for an electrophotographically manufactured screen assembly for a cathode-ray tube | |
| JPH088064B2 (ja) | グリッド現像電極を用いたｃｒｔ用スクリーン構体の製造装置及び方法 | |
| US5229234A (en) | Dual exposure method of forming a matrix for an electrophotographically manufactured screen assembly of a cathode-ray tube | |
| US6300021B1 (en) | Bias shield and method of developing a latent charge image | |
| KR0180913B1 (ko) | 전자 사진법에 의한 형광체 피착 방법 | |
| US5455133A (en) | Method of manufacturing a screen assembly having a planarizing layer | |
| US5340674A (en) | Method of electrophotographically manufacturing a screen assembly for a cathode-ray tube with a subsequently formed matrix | |
| US4496641A (en) | Method of manufacturing a colour television display tube and tube manufactured according to this method | |
| US5229233A (en) | Apparatus and method for fusing polymer powder onto a faceplate panel of a cathode-ray tube | |
| EP0983604B1 (en) | Color cathode-ray tube having phosphor elements deposited on an imperforate matrix border | |
| US6576383B2 (en) | Method of manufacturing a luminescent screen for a CRT | |
| US6187487B1 (en) | Method of developing a latent charge image | |
| JP2002523866A (ja) | 電荷潜像を現像する装置及びその方法 | |
| WO1999013485A1 (en) | Method of developing a latent charge image |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080129 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090129 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100129 Year of fee payment: 14 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |