JPH0881771A - 成膜装置および成膜方法 - Google Patents
成膜装置および成膜方法Info
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- JPH0881771A JPH0881771A JP6221495A JP22149594A JPH0881771A JP H0881771 A JPH0881771 A JP H0881771A JP 6221495 A JP6221495 A JP 6221495A JP 22149594 A JP22149594 A JP 22149594A JP H0881771 A JPH0881771 A JP H0881771A
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- JP
- Japan
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- adhesion
- chamber
- substrate
- peeling
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 付着膜の剥離を抑えることにより、ピンホー
ル等の欠陥の発生を低減すると共に防着板の交換回数を
低減する。また、長時間の連続運転を可能にする。 【構成】 チャンバー４内に配置される防着板１１の表
面にＡｌ等のスパッタリングによって剥離防止膜２０を
形成する。剥離防止膜２０は、基板への成膜時に金属粒
子の付着堆積によって形成される付着膜１２の応力を吸
収緩和し、その剥離を防止する。また、付着膜１２が形
成されると、さらにその上に剥離防止膜２０’を形成す
ることで連続運転が可能になる。
ル等の欠陥の発生を低減すると共に防着板の交換回数を
低減する。また、長時間の連続運転を可能にする。 【構成】 チャンバー４内に配置される防着板１１の表
面にＡｌ等のスパッタリングによって剥離防止膜２０を
形成する。剥離防止膜２０は、基板への成膜時に金属粒
子の付着堆積によって形成される付着膜１２の応力を吸
収緩和し、その剥離を防止する。また、付着膜１２が形
成されると、さらにその上に剥離防止膜２０’を形成す
ることで連続運転が可能になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタリングにより
金属薄膜を光磁気記録媒体の基板等に成膜する成膜装置
および成膜方法に関する。
金属薄膜を光磁気記録媒体の基板等に成膜する成膜装置
および成膜方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録媒体は、一度記録した情報を
消去することによって何度でも記録再生が可能なことか
ら、最近注目を浴びている高密度記録媒体である。ま
た、光磁気記録媒体は１ビット当たりのマーク長を更に
短縮し、記録案内溝のピッチ間隔を更に狭くすることに
よって一層の記録密度の向上が期待される。
消去することによって何度でも記録再生が可能なことか
ら、最近注目を浴びている高密度記録媒体である。ま
た、光磁気記録媒体は１ビット当たりのマーク長を更に
短縮し、記録案内溝のピッチ間隔を更に狭くすることに
よって一層の記録密度の向上が期待される。
【０００３】一般に、光磁気記録媒体はアクリル樹脂、
エポキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂等の熱硬化性樹
脂、またはガラスからなる基板の表面に鉄やコバルトな
どの遷移金属とテルビウム、ジスプロシウムやカドリニ
ウムのような希土類金属の合金薄膜からなる光磁気記録
膜を高真空状態で成膜し、その表面を無機保護層（Ｓｉ
3Ｎ4等）と有機保護層（紫外線硬化樹脂）で保護するこ
とにより製作される。光磁気記録膜および無機保護層の
成膜には膜厚および組成を再現性よく成膜し、かつ基板
と薄膜の密着性がよい膜が得られるという特徴からスパ
ッタリング法が適している。
エポキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂等の熱硬化性樹
脂、またはガラスからなる基板の表面に鉄やコバルトな
どの遷移金属とテルビウム、ジスプロシウムやカドリニ
ウムのような希土類金属の合金薄膜からなる光磁気記録
膜を高真空状態で成膜し、その表面を無機保護層（Ｓｉ
3Ｎ4等）と有機保護層（紫外線硬化樹脂）で保護するこ
とにより製作される。光磁気記録膜および無機保護層の
成膜には膜厚および組成を再現性よく成膜し、かつ基板
と薄膜の密着性がよい膜が得られるという特徴からスパ
ッタリング法が適している。
【０００４】図２はこのようなスパッタリング法による
成膜装置の従来例を示す断面図である。この成膜装置１
は、真空ポンプ２によって内部が高真空に保持され、ま
たアルゴンガス（Ａｒ）等の低圧不活性ガスを導入する
ための導入部３を有するチャンバー４を備えている。ま
た、チャンバー４の内部には、成膜材料（例えばＴｂ22
Ｆｅ74Ｃｏ4 合金）であるターゲット５と被スパッタリ
ング基材である光磁気記録媒体の基板６がそれぞれ配設
され、スパッタ用電源７に接続されている。また、基板
６は成膜時にモータ８によって回転される基板ホルダー
９に取り付けられている。成膜に際しては、真空ポンプ
２によりチャンバー４内を排気して真空度１０-7Ｔｏｒ
ｒ程度の高真空度に保った状態で、チャンバー４内に不
活性ガスを導入部３から導入しながらターゲット５に負
の電圧を印加する。すると、不活性ガスは電気的に加速
されてターゲット５の表面に衝突し、これによりターゲ
ット５の表面の原子または分子が放出されて基板６の表
面に付着堆積し、所望の記録膜１０が成膜される。この
時、ターゲット５から放出された金属粒子の一部は、チ
ャンバー４の内壁面に付着堆積すると付着膜を形成す
る。そこで、これを防止するため通常チャンバー４内に
防着板１１を設置している。
成膜装置の従来例を示す断面図である。この成膜装置１
は、真空ポンプ２によって内部が高真空に保持され、ま
たアルゴンガス（Ａｒ）等の低圧不活性ガスを導入する
ための導入部３を有するチャンバー４を備えている。ま
た、チャンバー４の内部には、成膜材料（例えばＴｂ22
Ｆｅ74Ｃｏ4 合金）であるターゲット５と被スパッタリ
ング基材である光磁気記録媒体の基板６がそれぞれ配設
され、スパッタ用電源７に接続されている。また、基板
６は成膜時にモータ８によって回転される基板ホルダー
９に取り付けられている。成膜に際しては、真空ポンプ
２によりチャンバー４内を排気して真空度１０-7Ｔｏｒ
ｒ程度の高真空度に保った状態で、チャンバー４内に不
活性ガスを導入部３から導入しながらターゲット５に負
の電圧を印加する。すると、不活性ガスは電気的に加速
されてターゲット５の表面に衝突し、これによりターゲ
ット５の表面の原子または分子が放出されて基板６の表
面に付着堆積し、所望の記録膜１０が成膜される。この
時、ターゲット５から放出された金属粒子の一部は、チ
ャンバー４の内壁面に付着堆積すると付着膜を形成す
る。そこで、これを防止するため通常チャンバー４内に
防着板１１を設置している。
【０００５】ところで、光磁気記録媒体として高い信頼
性を得るためには、ピンホールなどの欠陥が少ないほど
好ましい。そのため、スパッタリング作業はクリーン度
１０００以下の部屋で行われている。しかし、従来の方
法では防着板１１の表面に付着した付着膜１２がスパッ
タリング中に剥離し、チャンバー４内に飛散すると基板
６に付着する可能性がある。そして、剥離片が付着した
まま成膜を継続すると、ピンホール等の欠陥となる。そ
のため、従来は防着板１１に付着堆積した付着膜１２が
剥離する前にクリーニングされた別の防着板と定期的も
しくは不定期に交換していた。交換に際しては、当然の
ことながらチャンバー４内を大気圧に戻して防着板１１
を取り替える必要がある。
性を得るためには、ピンホールなどの欠陥が少ないほど
好ましい。そのため、スパッタリング作業はクリーン度
１０００以下の部屋で行われている。しかし、従来の方
法では防着板１１の表面に付着した付着膜１２がスパッ
タリング中に剥離し、チャンバー４内に飛散すると基板
６に付着する可能性がある。そして、剥離片が付着した
まま成膜を継続すると、ピンホール等の欠陥となる。そ
のため、従来は防着板１１に付着堆積した付着膜１２が
剥離する前にクリーニングされた別の防着板と定期的も
しくは不定期に交換していた。交換に際しては、当然の
ことながらチャンバー４内を大気圧に戻して防着板１１
を取り替える必要がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
のこの種の成膜装置においては、成膜時に防着板１１に
付着堆積した付着層１２が剥離する前に防着板１１を交
換していた。しかしながら、防着板１１の交換は面倒で
時間を要し、しかもチャンバー４を大気圧に戻して行な
うため連続運転することができないという問題があっ
た。また、交換のための新しい防着板１１を用意してお
かなければならないという問題もあった。
のこの種の成膜装置においては、成膜時に防着板１１に
付着堆積した付着層１２が剥離する前に防着板１１を交
換していた。しかしながら、防着板１１の交換は面倒で
時間を要し、しかもチャンバー４を大気圧に戻して行な
うため連続運転することができないという問題があっ
た。また、交換のための新しい防着板１１を用意してお
かなければならないという問題もあった。
【０００７】したがって、本発明は上記したような従来
の問題点に鑑みてなされたもので、その目的とするとこ
ろは、付着膜の剥離を抑えることにより、ピンホール等
の欠陥の発生を低減すると共に防着板の交換回数を低減
することができ、連続運転を可能にした成膜装置および
成膜方法を提供することにある。
の問題点に鑑みてなされたもので、その目的とするとこ
ろは、付着膜の剥離を抑えることにより、ピンホール等
の欠陥の発生を低減すると共に防着板の交換回数を低減
することができ、連続運転を可能にした成膜装置および
成膜方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明は、低圧不活性ガスの導入部
を有し内部が高真空に保持されるチャンバー内にターゲ
ットと基板を配置し、ターゲットのイオン照射によって
基板表面に金属薄膜を成膜する成膜装置において、前記
チャンバー内に配設されチャンバー内壁を金属粒子から
保護する防着板を備え、この防着板の表面に剥離防止膜
を形成したことを特徴とする。請求項２に記載の発明
は、低圧不活性ガスの導入部を有し内部が高真空に保持
されたチャンバー内にターゲットと基板を配置し、ター
ゲットのイオン照射によって基板表面に金属薄膜を成膜
する成膜方法において、前記チャンバー内に配設されチ
ャンバー内壁を金属粒子から保護する防着板の表面に直
接剥離防止膜を形成するかもしくは防着板表面に付着膜
が形成されるとその上に剥離防止膜を形成して成膜を行
い、さらに剥離防止膜上に付着膜が形成されると更にそ
の上に新たな剥離防止膜を形成して成膜を行うことを特
徴とする。請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の
発明において、剥離防止膜がＡｌ、Ｃｕ、Ｔｉのうちの
いずれかであることを特徴とする。
め、請求項１に記載の発明は、低圧不活性ガスの導入部
を有し内部が高真空に保持されるチャンバー内にターゲ
ットと基板を配置し、ターゲットのイオン照射によって
基板表面に金属薄膜を成膜する成膜装置において、前記
チャンバー内に配設されチャンバー内壁を金属粒子から
保護する防着板を備え、この防着板の表面に剥離防止膜
を形成したことを特徴とする。請求項２に記載の発明
は、低圧不活性ガスの導入部を有し内部が高真空に保持
されたチャンバー内にターゲットと基板を配置し、ター
ゲットのイオン照射によって基板表面に金属薄膜を成膜
する成膜方法において、前記チャンバー内に配設されチ
ャンバー内壁を金属粒子から保護する防着板の表面に直
接剥離防止膜を形成するかもしくは防着板表面に付着膜
が形成されるとその上に剥離防止膜を形成して成膜を行
い、さらに剥離防止膜上に付着膜が形成されると更にそ
の上に新たな剥離防止膜を形成して成膜を行うことを特
徴とする。請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の
発明において、剥離防止膜がＡｌ、Ｃｕ、Ｔｉのうちの
いずれかであることを特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明において、剥離防止膜は金属粒子の付着
堆積によって形成される付着膜の応力を緩和し、付着膜
の剥離を防止する。また、剥離防止膜は、金属粒子の付
着堆積によって付着膜が形成されると、その上にさらに
形成されることにより、新たに付着堆積される付着膜の
応力を緩和し、付着膜の剥離を防止する。これにより、
防着板の交換を不要にする。
堆積によって形成される付着膜の応力を緩和し、付着膜
の剥離を防止する。また、剥離防止膜は、金属粒子の付
着堆積によって付着膜が形成されると、その上にさらに
形成されることにより、新たに付着堆積される付着膜の
応力を緩和し、付着膜の剥離を防止する。これにより、
防着板の交換を不要にする。
【００１０】
【実施例】以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて
詳細に説明する。図１は本発明に係る成膜装置の一実施
例を示す要部断面図である。本発明はチャンバー４（図
１参照）内に配置される防着板１１の表面全体に剥離防
止膜２０を形成して成膜を行うようにしたものである。
剥離防止膜２０としては、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉの金属をス
パッタリングすることで形成される。また、成膜中にタ
ーゲット５の金属粒子はその一部が剥離防止膜２０に付
着堆積して付着膜１２を形成するので、その膜厚が一定
の値になるかもしくは目的の記録膜１０を数十ロット成
膜した後、付着膜１２の上に更に新たな剥離防止膜２
０’を形成して成膜を行う。つまり、本発明において
は、剥離防止膜２０を繰り返し形成することにより同一
の防着板１１を何回でも使用するようにしたものであ
る。この場合、最初は防着板１１の表面に剥離防止膜２
０を形成しておかず、成膜によって形成される付着膜１
２の厚みが一定の厚みになったらその上に剥離防止膜２
０を形成するようにしてもよい。
詳細に説明する。図１は本発明に係る成膜装置の一実施
例を示す要部断面図である。本発明はチャンバー４（図
１参照）内に配置される防着板１１の表面全体に剥離防
止膜２０を形成して成膜を行うようにしたものである。
剥離防止膜２０としては、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉの金属をス
パッタリングすることで形成される。また、成膜中にタ
ーゲット５の金属粒子はその一部が剥離防止膜２０に付
着堆積して付着膜１２を形成するので、その膜厚が一定
の値になるかもしくは目的の記録膜１０を数十ロット成
膜した後、付着膜１２の上に更に新たな剥離防止膜２
０’を形成して成膜を行う。つまり、本発明において
は、剥離防止膜２０を繰り返し形成することにより同一
の防着板１１を何回でも使用するようにしたものであ
る。この場合、最初は防着板１１の表面に剥離防止膜２
０を形成しておかず、成膜によって形成される付着膜１
２の厚みが一定の厚みになったらその上に剥離防止膜２
０を形成するようにしてもよい。
【００１１】基板６への成膜に際しては、図１に示すよ
うに先ず成膜装置１の基板ホルダー９に例えば直径１２
インチのガラス２Ｐ基板６をセットした状態で真空ポン
プ２によってチャンバー４内を真空度１０-7Ｔｏｒｒ程
度まで排気する。基板ホルダー９を回転させながら基板
６上に無機保護層（Ｓｉ3Ｎ4）、記録層（Ｔｂ22Ｆｅ74
Ｃｏ4 ）、さらに無機保護層（Ｓｉ3Ｎ4）をスパッタリ
ング法によって成膜する。この構成を５０ロットにわた
りスパッタリングを行った結果、防着板１１の表面に付
着膜１２が形成された。その後、防着板１１の表面に形
成されている付着膜１２の上に剥離防止膜２０をＡｌの
スパッタリングによって基板６をセットしない状態で形
成した。以上の作業を繰り返したところ、従来の成膜方
法では防着板１１からの付着膜１２の剥離が見られた時
点になっても付着膜１２の剥離は全く見られず、剥離防
止膜２０の効果を確認することができた。これは、剥離
防着膜２０によって付着膜１２の応力を吸収緩和するこ
とにより付着膜１２が剥離し難くなるためと思われる。
うに先ず成膜装置１の基板ホルダー９に例えば直径１２
インチのガラス２Ｐ基板６をセットした状態で真空ポン
プ２によってチャンバー４内を真空度１０-7Ｔｏｒｒ程
度まで排気する。基板ホルダー９を回転させながら基板
６上に無機保護層（Ｓｉ3Ｎ4）、記録層（Ｔｂ22Ｆｅ74
Ｃｏ4 ）、さらに無機保護層（Ｓｉ3Ｎ4）をスパッタリ
ング法によって成膜する。この構成を５０ロットにわた
りスパッタリングを行った結果、防着板１１の表面に付
着膜１２が形成された。その後、防着板１１の表面に形
成されている付着膜１２の上に剥離防止膜２０をＡｌの
スパッタリングによって基板６をセットしない状態で形
成した。以上の作業を繰り返したところ、従来の成膜方
法では防着板１１からの付着膜１２の剥離が見られた時
点になっても付着膜１２の剥離は全く見られず、剥離防
止膜２０の効果を確認することができた。これは、剥離
防着膜２０によって付着膜１２の応力を吸収緩和するこ
とにより付着膜１２が剥離し難くなるためと思われる。
【００１２】剥離防止膜２０を形成した本発明方法と、
剥離防止膜を形成しない従来方法によって２００ロット
のディスクをそれぞれ作製し、最後の２０枚のディスク
について全領域でのビット・エラー・レートを測定した
ところ以下のような結果が得られた。本発明方法におい
ては、 ２０枚の平均ビット・エラー・レートが７．０×１０-7
で、エラーレートが１×１０-6以上のディスクは０枚で
あった。これに対して、従来方法においては、 ２０枚の平均ビット・エラー・レートが１．５×１０-6
で、エラーレートが１×１０-6以上のディスクは８枚で
あった。 この測定結果からも明かなように、本発明方法によれば
構造簡易にしてビット・エラー・レートを小さくするこ
とができ、付着膜の剥離によるディスクの欠陥を効果的
に軽減防止し得るものである。
剥離防止膜を形成しない従来方法によって２００ロット
のディスクをそれぞれ作製し、最後の２０枚のディスク
について全領域でのビット・エラー・レートを測定した
ところ以下のような結果が得られた。本発明方法におい
ては、 ２０枚の平均ビット・エラー・レートが７．０×１０-7
で、エラーレートが１×１０-6以上のディスクは０枚で
あった。これに対して、従来方法においては、 ２０枚の平均ビット・エラー・レートが１．５×１０-6
で、エラーレートが１×１０-6以上のディスクは８枚で
あった。 この測定結果からも明かなように、本発明方法によれば
構造簡易にしてビット・エラー・レートを小さくするこ
とができ、付着膜の剥離によるディスクの欠陥を効果的
に軽減防止し得るものである。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る成膜装
置は、低圧不活性ガスの導入部を有し内部が高真空に保
持されるチャンバー内にターゲットと基板を配置し、タ
ーゲットのイオン照射によって基板表面に金属薄膜を成
膜する成膜装置において、前記チャンバー内に配設され
チャンバー内壁を金属粒子から保護する防着板を備え、
この防着板の表面に剥離防止膜を形成したので、付着膜
の剥離が少なく、付着膜の剥離によるピンホール等の欠
陥を軽減防止することができる。さらに、剥離防止膜を
スパッタリングによって形成すれば、チャンバー内を真
空に保つことができるので、防着板の交換回数を減らす
ことができ、長時間の連続運転が可能である。
置は、低圧不活性ガスの導入部を有し内部が高真空に保
持されるチャンバー内にターゲットと基板を配置し、タ
ーゲットのイオン照射によって基板表面に金属薄膜を成
膜する成膜装置において、前記チャンバー内に配設され
チャンバー内壁を金属粒子から保護する防着板を備え、
この防着板の表面に剥離防止膜を形成したので、付着膜
の剥離が少なく、付着膜の剥離によるピンホール等の欠
陥を軽減防止することができる。さらに、剥離防止膜を
スパッタリングによって形成すれば、チャンバー内を真
空に保つことができるので、防着板の交換回数を減らす
ことができ、長時間の連続運転が可能である。
【００１４】また、本発明による成膜方法は、付着膜が
形成される度にその上に新たな剥離防止膜を形成するよ
うにしているので、防着板を交換する必要がなく、１つ
の防着板を何度でも使用することができる。
形成される度にその上に新たな剥離防止膜を形成するよ
うにしているので、防着板を交換する必要がなく、１つ
の防着板を何度でも使用することができる。
【図１】 本発明に係る成膜装置の一実施例を示す要部
断面図である。
断面図である。
【図２】 成膜装置の従来例を示す概略断面図である。
１…成膜装置、２…真空ポンプ、３…導入部、４…チャ
ンバー、５…ターゲット、６…基板、７…電源、８…モ
ータ、９…基板ホルダ、１０記録膜、１１…防着板、１
２…付着膜、２０…剥離防止膜。
ンバー、５…ターゲット、６…基板、７…電源、８…モ
ータ、９…基板ホルダ、１０記録膜、１１…防着板、１
２…付着膜、２０…剥離防止膜。
Claims (3)
- 【請求項１】 低圧不活性ガスの導入部を有し内部が高
真空に保持されるチャンバー内にターゲットと基板を配
置し、ターゲットのイオン照射によって基板表面に金属
薄膜を成膜する成膜装置において、前記チャンバー内に
配設されチャンバー内壁を金属粒子から保護する防着板
を備え、この防着板の表面に剥離防止膜を形成したこと
を特徴とする成膜装置。 - 【請求項２】 低圧不活性ガスの導入部を有し内部が高
真空に保持されたチャンバー内にターゲットと基板を配
置し、ターゲットのイオン照射によって基板表面に金属
薄膜を成膜する成膜方法において、前記チャンバー内に
配設されチャンバー内壁を金属粒子から保護する防着板
の表面に直接剥離防止膜を形成するかもしくは防着板表
面に付着膜が形成されるとその上に剥離防止膜を形成し
て成膜を行い、さらに剥離防止膜上に付着膜が形成され
ると更にその上に新たな剥離防止膜を形成して成膜を行
うことを特徴とする成膜方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の成膜装置において、剥離
防止膜がＡｌ、Ｃｕ、Ｔｉのうちのいずれかであること
を特徴とする成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6221495A JPH0881771A (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | 成膜装置および成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6221495A JPH0881771A (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | 成膜装置および成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0881771A true JPH0881771A (ja) | 1996-03-26 |
Family
ID=16767612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6221495A Pending JPH0881771A (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | 成膜装置および成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0881771A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001316812A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-16 | Ulvac Japan Ltd | 窒化アルミ膜成膜方法 |
| WO2006049022A1 (ja) * | 2004-11-04 | 2006-05-11 | Asahi Glass Company, Limited | イオンビームスパッタリング装置およびｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクの多層膜の成膜方法 |
| JP2014047398A (ja) * | 2012-08-31 | 2014-03-17 | Ulvac Japan Ltd | 絶縁膜の形成方法 |
-
1994
- 1994-09-16 JP JP6221495A patent/JPH0881771A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001316812A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-16 | Ulvac Japan Ltd | 窒化アルミ膜成膜方法 |
| WO2006049022A1 (ja) * | 2004-11-04 | 2006-05-11 | Asahi Glass Company, Limited | イオンビームスパッタリング装置およびｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクの多層膜の成膜方法 |
| JP2014047398A (ja) * | 2012-08-31 | 2014-03-17 | Ulvac Japan Ltd | 絶縁膜の形成方法 |
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