JPH088210B2 - 現像方法 - Google Patents
現像方法Info
- Publication number
- JPH088210B2 JPH088210B2 JP7011400A JP1140095A JPH088210B2 JP H088210 B2 JPH088210 B2 JP H088210B2 JP 7011400 A JP7011400 A JP 7011400A JP 1140095 A JP1140095 A JP 1140095A JP H088210 B2 JPH088210 B2 JP H088210B2
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- JP
- Japan
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- substrate
- processed
- developing
- exhaust
- processing chamber
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハ等の被処
理基板の現像方法に関する。
理基板の現像方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体ウエハ等の被処理基板の
現像処理を行なう現像装置では、表面にフォトレジスト
等の感光性膜が形成された被処理基板が配置される処理
室と、この処理室内から排気する手段と、被処理基板と
現像液とを所定の現像時間の間接触させ、感光性膜に所
定の化学変化を生じさせて現像を行なう手段とを備えて
いる。
現像処理を行なう現像装置では、表面にフォトレジスト
等の感光性膜が形成された被処理基板が配置される処理
室と、この処理室内から排気する手段と、被処理基板と
現像液とを所定の現像時間の間接触させ、感光性膜に所
定の化学変化を生じさせて現像を行なう手段とを備えて
いる。
【０００３】そして、処理室内に配置された載置台上に
半導体ウエハ等の被処理基板を配置して、現像液、純水
等のリンス液を順次スプレ―ノズル等から被処理基板に
供給して、現像を行なう。また、現像液は、通常人体に
対して悪影響を及ぼすものが多いため、スプレ―等によ
ってこの現像液が飛散しないように、処理中は、常に10
〜20mmＨ2 Ｏ程度の排気量で排気装置等により処理室内
からの排気が行なわれている。
半導体ウエハ等の被処理基板を配置して、現像液、純水
等のリンス液を順次スプレ―ノズル等から被処理基板に
供給して、現像を行なう。また、現像液は、通常人体に
対して悪影響を及ぼすものが多いため、スプレ―等によ
ってこの現像液が飛散しないように、処理中は、常に10
〜20mmＨ2 Ｏ程度の排気量で排気装置等により処理室内
からの排気が行なわれている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来の現像装置を用いた現像方法では、特に被処理基板
が大型化すると、被処理基板面内で、現像状態が不均一
となり、例えば精密写真技術を用いて、半導体ウエハ上
に微細パタ―ンを形成する場合等では、半導体ウエハ面
に形成される線幅等が不均一になるという問題があっ
た。
従来の現像装置を用いた現像方法では、特に被処理基板
が大型化すると、被処理基板面内で、現像状態が不均一
となり、例えば精密写真技術を用いて、半導体ウエハ上
に微細パタ―ンを形成する場合等では、半導体ウエハ面
に形成される線幅等が不均一になるという問題があっ
た。
【０００５】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、大型の被処理基板でも面内の現像状態が
均一となるように現像処理を行なうことができ、半導体
ウエハ上に微細パタ―ンを形成する場合でも、半導体ウ
エハ面に形成される線幅等を均一化することのできる現
像方法を提供しようとするものである。
されたもので、大型の被処理基板でも面内の現像状態が
均一となるように現像処理を行なうことができ、半導体
ウエハ上に微細パタ―ンを形成する場合でも、半導体ウ
エハ面に形成される線幅等を均一化することのできる現
像方法を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の現像方法は、表
面に感光性膜が形成された被処理基板が配置される処理
室内を、所定の排気量で排気しつつ、回転テーブルに保
持された前記被処理基板を第１の回転速度で回転させな
がら現像液を前記被処理基板表面に供給する工程と、前
記現像液の供給を停止するとともに前記回転テーブルを
停止させ、前記処理室内の排気を前記被処理基板の現像
処理の均一性が所望の範囲となる排気量にまで減少さ
せ、前記被処理基板を前記被処理基板表面に供給した前
記現像液で現像する工程と、前記処理室内の排気量を増
加させると共に、前記回転テーブルを前記第１の回転速
度より速い第２の回転速度で回転させつつ、前記被処理
基板表面にリンス液を供給する工程と、前記リンス液の
供給を停止した後、前記回転テーブルを前記第２の回転
速度より速い第３の回転速度で回転させ、前記被処理基
板表面を乾燥させる工程とを有することを特徴とする。
面に感光性膜が形成された被処理基板が配置される処理
室内を、所定の排気量で排気しつつ、回転テーブルに保
持された前記被処理基板を第１の回転速度で回転させな
がら現像液を前記被処理基板表面に供給する工程と、前
記現像液の供給を停止するとともに前記回転テーブルを
停止させ、前記処理室内の排気を前記被処理基板の現像
処理の均一性が所望の範囲となる排気量にまで減少さ
せ、前記被処理基板を前記被処理基板表面に供給した前
記現像液で現像する工程と、前記処理室内の排気量を増
加させると共に、前記回転テーブルを前記第１の回転速
度より速い第２の回転速度で回転させつつ、前記被処理
基板表面にリンス液を供給する工程と、前記リンス液の
供給を停止した後、前記回転テーブルを前記第２の回転
速度より速い第３の回転速度で回転させ、前記被処理基
板表面を乾燥させる工程とを有することを特徴とする。
【０００７】
【作用】縦軸を現像液温度、横軸を現像時間とした第４
図のグラフは、本発明者等が実測した6 インチの半導体
ウエハを従来の現像方法を用いて現像した場合の設定温
度25℃の現像液の温度変化を示すもので、実線Ａ、点線
Ｂ、一点鎖線Ｃは、それぞれ半導体ウエハ中央部、中央
部から周辺方向へ30mm離れた位置、さらにこの位置から
周辺方向へ30mm離れた位置における現像液の温度変化を
示している。このグラフに示されるように、現像液の温
度は、被処理基板周辺部へ向かうにしたがつて、急激に
低下しており、この現像液の温度低下が被処理基板の現
像状態の不均一さの原因となっていることが判明した。
図のグラフは、本発明者等が実測した6 インチの半導体
ウエハを従来の現像方法を用いて現像した場合の設定温
度25℃の現像液の温度変化を示すもので、実線Ａ、点線
Ｂ、一点鎖線Ｃは、それぞれ半導体ウエハ中央部、中央
部から周辺方向へ30mm離れた位置、さらにこの位置から
周辺方向へ30mm離れた位置における現像液の温度変化を
示している。このグラフに示されるように、現像液の温
度は、被処理基板周辺部へ向かうにしたがつて、急激に
低下しており、この現像液の温度低下が被処理基板の現
像状態の不均一さの原因となっていることが判明した。
【０００８】本発明の現像方法では、被処理基板と現像
液とを接触させ、感光性膜に所定の化学変化を生じさせ
る現像工程を、被処理基板の現像処理の均一性が所望の
範囲となる排気量にまで減少させて行なっており、現像
液の温度低下を抑制し、現像液の被処理基板の面内にお
ける温度不均一の発生を抑制しているため、現像状態の
均一化を図ることができる。
液とを接触させ、感光性膜に所定の化学変化を生じさせ
る現像工程を、被処理基板の現像処理の均一性が所望の
範囲となる排気量にまで減少させて行なっており、現像
液の温度低下を抑制し、現像液の被処理基板の面内にお
ける温度不均一の発生を抑制しているため、現像状態の
均一化を図ることができる。
【０００９】
【実施例】以下本発明の現像方法を図面を参照して実施
例について説明する。
例について説明する。
【００１０】第１図は、本発明の現像方法を適用した一
実施例の現像装置１の構成を示している。この実施例に
おける現像装置１では、処理室２内に半導体ウエハ等の
被処理基板３を真空チャック等により吸着保持する載置
台４が配置されており、この載置台４には、被処理基板
３を載置台４とともに回転させる回転機構５が接続され
ている。
実施例の現像装置１の構成を示している。この実施例に
おける現像装置１では、処理室２内に半導体ウエハ等の
被処理基板３を真空チャック等により吸着保持する載置
台４が配置されており、この載置台４には、被処理基板
３を載置台４とともに回転させる回転機構５が接続され
ている。
【００１１】載置台４上方には、ノズル６ａとリンスノ
ズル７ａが配置されており、これらのノズル６ａ、７ａ
を介して、現像液供給部６およびリンス液供給部７から
被処理基板３へ向けて現像液およびリンス液が供給され
る。
ズル７ａが配置されており、これらのノズル６ａ、７ａ
を介して、現像液供給部６およびリンス液供給部７から
被処理基板３へ向けて現像液およびリンス液が供給され
る。
【００１２】また、処理室２の下部には、廃液排出用開
口８と、排気装置９に接続された排気用開口１０が配置
されており、排気装置９と排気用開口１０との間には、
排気路の開閉を行なうシャッタ１１が介挿されている。
口８と、排気装置９に接続された排気用開口１０が配置
されており、排気装置９と排気用開口１０との間には、
排気路の開閉を行なうシャッタ１１が介挿されている。
【００１３】そして、載置台４、回転機構５、現像液供
給部６、リンス液供給部７、シャッタ１１は、それぞれ
マイクロコンピュ―タ等からなる制御部１２に接続さ
れ、この制御部１２によって制御される。
給部６、リンス液供給部７、シャッタ１１は、それぞれ
マイクロコンピュ―タ等からなる制御部１２に接続さ
れ、この制御部１２によって制御される。
【００１４】上記構成の現像装置１を用いた一実施例の
現像方法について述べる。
現像方法について述べる。
【００１５】すなわち、まず、図示しない搬送装置等に
より被処理基板３を載置台４上に載置し、載置台４の真
空チャックを作動し、被処理基板３を載置台４上に吸着
保持する。
より被処理基板３を載置台４上に載置し、載置台４の真
空チャックを作動し、被処理基板３を載置台４上に吸着
保持する。
【００１６】次に、回転機構５により被処理基板３を例
えば10rpm 〜40rpm で回転させ、現像液供給部６によ
り、ノズル６ａからスプレ―スキャンしながら被処理基
板３へ向けて現像液を供給する。この間は、シャッタ１
１を開とし、10〜 20mmH2 O 程度の排気量で処理室２か
らの排気を行なう。
えば10rpm 〜40rpm で回転させ、現像液供給部６によ
り、ノズル６ａからスプレ―スキャンしながら被処理基
板３へ向けて現像液を供給する。この間は、シャッタ１
１を開とし、10〜 20mmH2 O 程度の排気量で処理室２か
らの排気を行なう。
【００１７】この後、回転およびスプレ―スキャンを停
止し、あらかじめ設定された例えば30秒等の所定の現像
時間の間、パドル現像により、被処理基板表面に形成さ
れたフォトレジスト等の感光性膜の現像を行なう。本実
施例において、この現像工程中は、制御部１２によって
シャッタ１１を閉塞し、処理室２内からの排気をほとん
どゼロとする。なお、この時の排気量の設定は、後述す
るように、所望の均一性が得られる排気量とする。
止し、あらかじめ設定された例えば30秒等の所定の現像
時間の間、パドル現像により、被処理基板表面に形成さ
れたフォトレジスト等の感光性膜の現像を行なう。本実
施例において、この現像工程中は、制御部１２によって
シャッタ１１を閉塞し、処理室２内からの排気をほとん
どゼロとする。なお、この時の排気量の設定は、後述す
るように、所望の均一性が得られる排気量とする。
【００１８】しかる後、上記現像液の供給工程時の回転
速度より速い回転速度、例えば 500rpm 〜2000rpm 程度
の回転数で被処理基板３を回転させ、リンス液供給部７
によりリンスノズル７ａから純水等のリンス液を被処理
基板３表面に供給する。この時は、シャッタ１１を開と
し、10〜 20mmH2 O 程度の排気量で処理室２からの排気
を行なう。
速度より速い回転速度、例えば 500rpm 〜2000rpm 程度
の回転数で被処理基板３を回転させ、リンス液供給部７
によりリンスノズル７ａから純水等のリンス液を被処理
基板３表面に供給する。この時は、シャッタ１１を開と
し、10〜 20mmH2 O 程度の排気量で処理室２からの排気
を行なう。
【００１９】上記リンス操作を、例えば10秒〜20秒程度
の所定時間行なった後、リンス液の供給を停止して、被
処理基板３の回転を、現像工程時の回転速度より速い回
転速度、例えば3000rpm 〜5000rpm 程度の回転数に上昇
させて被処理基板３表面に付着した液体を遠心力により
除去し、乾燥させる。この間もシャッタ１１を開とし、
10〜 20mmH2 O 程度の排気量で処理室２からの排気を行
なう。
の所定時間行なった後、リンス液の供給を停止して、被
処理基板３の回転を、現像工程時の回転速度より速い回
転速度、例えば3000rpm 〜5000rpm 程度の回転数に上昇
させて被処理基板３表面に付着した液体を遠心力により
除去し、乾燥させる。この間もシャッタ１１を開とし、
10〜 20mmH2 O 程度の排気量で処理室２からの排気を行
なう。
【００２０】被処理基板３の乾燥が終了すると、回転機
構５を停止し、図示しない搬送装置によって、被処理基
板３を処理室２内から搬出する。
構５を停止し、図示しない搬送装置によって、被処理基
板３を処理室２内から搬出する。
【００２１】縦軸を現像液温度、横軸を現像時間とした
第２図のグラフは、この実施例の現像方法において実測
した6 インチの半導体ウエハを現像した場合の設定温度
25℃の現像液の温度変化を示すもので、実線Ｄ、点線
Ｅ、一点鎖線Ｆは、それぞれ半導体ウエハ中央部、中央
部から周辺方向へ30mm離れた位置、さらにこの位置から
周辺方向へ30mm離れた位置における現像液の温度変化を
示している。
第２図のグラフは、この実施例の現像方法において実測
した6 インチの半導体ウエハを現像した場合の設定温度
25℃の現像液の温度変化を示すもので、実線Ｄ、点線
Ｅ、一点鎖線Ｆは、それぞれ半導体ウエハ中央部、中央
部から周辺方向へ30mm離れた位置、さらにこの位置から
周辺方向へ30mm離れた位置における現像液の温度変化を
示している。
【００２２】このグラフに示されるように、この実施例
の現像装置では、第４図のグラフに示した従来の現像装
置の場合に比べて、現像中の現像液の温度低下が少な
く、また、半導体ウエハの中央部、周辺部等の位置の違
いによる現像液の温度の差も少なくすることができる。
の現像装置では、第４図のグラフに示した従来の現像装
置の場合に比べて、現像中の現像液の温度低下が少な
く、また、半導体ウエハの中央部、周辺部等の位置の違
いによる現像液の温度の差も少なくすることができる。
【００２３】なお、この実施例では、現像時間中の処理
室２内からの排気をほとんどゼロとしたが、縦軸を半導
体ウエハ面内に形成された線幅のバラツキ、横軸を排気
量とした第３図のグラフに実線Ｇで示すように、従来の
現像方法における排気量10〜20mm H2 O を現像工程中
は、5mmH2 O 以下、好ましくは1mmH2 O 以下に減少させ
ても、従来に比べて現像状態を均一化することができ
る。したがって、予め第３図に示すようなウエハ面内の
線幅バラツキと排気量との関係のデータを取っておき、
現像工程中の排気量を、所望の均一性（線幅バラツキ）
が得られる排気量とすれば、例えば現像液のミスト等が
外部に漏洩することも防止できる。
室２内からの排気をほとんどゼロとしたが、縦軸を半導
体ウエハ面内に形成された線幅のバラツキ、横軸を排気
量とした第３図のグラフに実線Ｇで示すように、従来の
現像方法における排気量10〜20mm H2 O を現像工程中
は、5mmH2 O 以下、好ましくは1mmH2 O 以下に減少させ
ても、従来に比べて現像状態を均一化することができ
る。したがって、予め第３図に示すようなウエハ面内の
線幅バラツキと排気量との関係のデータを取っておき、
現像工程中の排気量を、所望の均一性（線幅バラツキ）
が得られる排気量とすれば、例えば現像液のミスト等が
外部に漏洩することも防止できる。
【００２４】
【発明の効果】上述のように、本発明の現像方法では、
大型の被処理基板でも従来の現像方法に比べて基板面内
の現像状態が均一となるように現像処理を行なうことが
でき、半導体ウエハ上に微細パタ―ンを形成する場合で
も、半導体ウエハ面に形成される線幅等を均一化するこ
とができる。
大型の被処理基板でも従来の現像方法に比べて基板面内
の現像状態が均一となるように現像処理を行なうことが
でき、半導体ウエハ上に微細パタ―ンを形成する場合で
も、半導体ウエハ面に形成される線幅等を均一化するこ
とができる。
【図１】本発明の現像方法を適用した一実施例の現像装
置を示す構成図。
置を示す構成図。
【図２】図１に示す現像装置を用いて実施した現像処理
における現像液の温度変化を示すグラフ。
における現像液の温度変化を示すグラフ。
【図３】半導体ウエハ面内に形成された線幅のバラツキ
と排気量との関係を示すグラフ。
と排気量との関係を示すグラフ。
【図４】従来の現像方法における現像液の温度変化を示
すグラフ。
すグラフ。
１……現像装置、２……処理室、３……被処理基板、４
……載置台、６……現像液供給部、９……排気装置、１
０……排気用開口、１１……シャッタ、１２……制御
部。
……載置台、６……現像液供給部、９……排気装置、１
０……排気用開口、１１……シャッタ、１２……制御
部。
Claims (2)
- 【請求項１】 表面に感光性膜が形成された被処理基板
が配置される処理室内を、所定の排気量で排気しつつ、
回転テーブルに保持された前記被処理基板を第１の回転
速度で回転させながら現像液を前記被処理基板表面に供
給する工程と、 前記現像液の供給を停止するとともに前記回転テーブル
を停止させ、前記処理室内の排気を前記被処理基板の現
像処理の均一性が所望の範囲となる排気量にまで減少さ
せ、前記被処理基板を前記被処理基板表面に供給した前
記現像液で現像する工程と、 前記処理室内の排気量を増加させると共に、前記回転テ
ーブルを前記第１の回転速度より速い第２の回転速度で
回転させつつ、前記被処理基板表面にリンス液を供給す
る工程と、 前記リンス液の供給を停止した後、前記回転テーブルを
前記第２の回転速度より速い第３の回転速度で回転さ
せ、前記被処理基板表面を乾燥させる工程とを有するこ
とを特徴とする現像方法。 - 【請求項２】 現像工程中の処理室内からの排気量を、
少なくとも5mmH2 O 以下とする特許請求の範囲第１項記
載の現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7011400A JPH088210B2 (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7011400A JPH088210B2 (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 現像方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61311166A Division JPH0611023B2 (ja) | 1986-12-29 | 1986-12-29 | 現像方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07263336A JPH07263336A (ja) | 1995-10-13 |
| JPH088210B2 true JPH088210B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=11776973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7011400A Expired - Lifetime JPH088210B2 (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH088210B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100283442B1 (ko) * | 1996-12-26 | 2001-04-02 | 이시다 아키라 | 현상장치및현상방법 |
| TW464970B (en) | 1999-04-21 | 2001-11-21 | Sharp Kk | Ultrasonic cleaning device and resist-stripping device |
-
1995
- 1995-01-27 JP JP7011400A patent/JPH088210B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07263336A (ja) | 1995-10-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980331 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |