JPH0882607A - 炭素質成形体の検査方法 - Google Patents
炭素質成形体の検査方法Info
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- JPH0882607A JPH0882607A JP6242366A JP24236694A JPH0882607A JP H0882607 A JPH0882607 A JP H0882607A JP 6242366 A JP6242366 A JP 6242366A JP 24236694 A JP24236694 A JP 24236694A JP H0882607 A JPH0882607 A JP H0882607A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡便かつ迅速な炭素質成形体の検査方法を提
供する。 【構成】 体積空隙率１０〜８０％を有する炭素成形体
に異なる複数方向からＸ線を照射し、その投影データを
基に画像を再構成することを特徴とする炭素質成形体の
検査方法。
供する。 【構成】 体積空隙率１０〜８０％を有する炭素成形体
に異なる複数方向からＸ線を照射し、その投影データを
基に画像を再構成することを特徴とする炭素質成形体の
検査方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＣ／Ｃコンポジットの製
造工程において、簡便かつ迅速な炭素質成形体の検査方
法に関する。
造工程において、簡便かつ迅速な炭素質成形体の検査方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】成形体の検査方法として、超音波探傷あ
るいは軟Ｘ線探傷が検討されている。これらはＣＦＲＰ
には適用可能であるが、Ｃ／Ｃコンポジットの製造過程
における炭素成形体のように極めて多孔質の炭素材料で
は精度よく検査することができなかった。Ｘ線ＣＴ式探
傷装置は、ＦＲＰのよう空隙率の小さい材料あるいは柱
状の連続孔を有する黒鉛材料の連続孔以外の高密度部分
には検討されているが、成形体全体として体積空隙率１
０〜８０％を有する炭素成形体には好適な検査方法がな
かった。
るいは軟Ｘ線探傷が検討されている。これらはＣＦＲＰ
には適用可能であるが、Ｃ／Ｃコンポジットの製造過程
における炭素成形体のように極めて多孔質の炭素材料で
は精度よく検査することができなかった。Ｘ線ＣＴ式探
傷装置は、ＦＲＰのよう空隙率の小さい材料あるいは柱
状の連続孔を有する黒鉛材料の連続孔以外の高密度部分
には検討されているが、成形体全体として体積空隙率１
０〜８０％を有する炭素成形体には好適な検査方法がな
かった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、簡便かつ迅
速な炭素質成形体の検査方法を提供することを目的とす
る。
速な炭素質成形体の検査方法を提供することを目的とす
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、Ｘ線管と検出
器の間に体積空隙率１０〜８０％を有する炭素質成形体
を配置し、該炭素質成形体に異なる複数方向からＸ線を
照射し、その投影データを基に画像を再構成することを
特徴とする炭素質成形体の検査方法にある。
器の間に体積空隙率１０〜８０％を有する炭素質成形体
を配置し、該炭素質成形体に異なる複数方向からＸ線を
照射し、その投影データを基に画像を再構成することを
特徴とする炭素質成形体の検査方法にある。
【０００５】Ｘ線が通過する炭素質成形体の厚さによっ
て用いられる最適のＸ線の実効エネルギは異なる。
て用いられる最適のＸ線の実効エネルギは異なる。
【０００６】（１）Ｘ線源と検出器の間にあって、Ｘ線
が通過する炭素質成形体の最大の板厚が０．１ｃｍ以
上、５０ｃｍ未満、好ましくは０．２ｃｍ以上、４０ｃ
ｍ未満、より好ましくは０．３ｃｍ以上、３５ｃｍ未満
の炭素質成形体に対して、照射するＸ線の実効エネルギ
が、下限は２０ｋｅＶ以上、好ましくは３０ｋｅＶ以
上、より好ましくは４０ｋｅＶ以上、さらにより好まし
くは５０ｋｅＶ以上、最も好ましくは６０ｋｅＶ以上の
Ｘ線が用いられ、上限は２００ｋｅＶ未満、好ましくは
１５０ｋｅＶ未満、さらにより好ましくは１００ｋｅＶ
未満、最も好ましくは７０ｋｅＶ未満のＸ線が用いられ
る。
が通過する炭素質成形体の最大の板厚が０．１ｃｍ以
上、５０ｃｍ未満、好ましくは０．２ｃｍ以上、４０ｃ
ｍ未満、より好ましくは０．３ｃｍ以上、３５ｃｍ未満
の炭素質成形体に対して、照射するＸ線の実効エネルギ
が、下限は２０ｋｅＶ以上、好ましくは３０ｋｅＶ以
上、より好ましくは４０ｋｅＶ以上、さらにより好まし
くは５０ｋｅＶ以上、最も好ましくは６０ｋｅＶ以上の
Ｘ線が用いられ、上限は２００ｋｅＶ未満、好ましくは
１５０ｋｅＶ未満、さらにより好ましくは１００ｋｅＶ
未満、最も好ましくは７０ｋｅＶ未満のＸ線が用いられ
る。
【０００７】上記の実効エネルギと実質的に同等の実効
エネルギを有する白色Ｘ線を通常のＸ線管球である封入
管式管球あるいは回転対陰極Ｘ線管をＸ線源として用い
て発生させるには、それぞれＸ線実効エネルギの約１．
５／ｅ倍の印加電圧（単位ｋＶ）が必要であり、そのと
きのＸ線管電流は、通常１０〜５００ｍＡ、好ましくは
５０〜４００ｍＡの範囲が用いられる。
エネルギを有する白色Ｘ線を通常のＸ線管球である封入
管式管球あるいは回転対陰極Ｘ線管をＸ線源として用い
て発生させるには、それぞれＸ線実効エネルギの約１．
５／ｅ倍の印加電圧（単位ｋＶ）が必要であり、そのと
きのＸ線管電流は、通常１０〜５００ｍＡ、好ましくは
５０〜４００ｍＡの範囲が用いられる。
【０００８】（２）次に、Ｘ線源と検出器の間にあっ
て、Ｘ線が通過する炭素質成形体の最大の板厚の下限が
３５ｃｍ以上、好ましくは４０ｃｍ以上、より好ましく
は５０ｃｍ以上、上限が１００ｃｍ未満、好ましくは８
０ｃｍ未満、より好ましくは６０ｃｍ未満の炭素質成形
体に対して、照射するＸ線の実効エネルギが、下限は１
００ｋｅＶ以上、好ましくは１５０ｋｅＶ以上、より好
ましくは２００ｋｅＶ以上のＸ線が用いられ、上限は１
０００ｋｅＶ未満、好ましくは７００ｋｅＶ未満、さら
により好ましくは５００ｋｅＶ未満、最も好ましくは４
００ｋｅＶ未満のＸ線が用いられる。
て、Ｘ線が通過する炭素質成形体の最大の板厚の下限が
３５ｃｍ以上、好ましくは４０ｃｍ以上、より好ましく
は５０ｃｍ以上、上限が１００ｃｍ未満、好ましくは８
０ｃｍ未満、より好ましくは６０ｃｍ未満の炭素質成形
体に対して、照射するＸ線の実効エネルギが、下限は１
００ｋｅＶ以上、好ましくは１５０ｋｅＶ以上、より好
ましくは２００ｋｅＶ以上のＸ線が用いられ、上限は１
０００ｋｅＶ未満、好ましくは７００ｋｅＶ未満、さら
により好ましくは５００ｋｅＶ未満、最も好ましくは４
００ｋｅＶ未満のＸ線が用いられる。
【０００９】上記の実効エネルギと実質的に同等の実効
エネルギを有する白色Ｘ線を通常のＸ線管球である封入
管式管球あるいは回転対陰極Ｘ線管をＸ線源として用い
て発生させるには、それぞれＸ線実効エネルギの約１．
５／ｅ倍の印加電圧（単位ｋＶ）が必要であり、そのと
きのＸ線管電流は、通常下限は０．１ｍＡ以上、好まし
くは１ｍＡ以上、上限は１０ｍＡ未満、好ましくは９ｍ
Ａ未満の範囲が用いられる。また、加速器Ｘ線源を用い
て実質的に同等の実効エネルギを有するパルスＸ線を使
用しても良い。
エネルギを有する白色Ｘ線を通常のＸ線管球である封入
管式管球あるいは回転対陰極Ｘ線管をＸ線源として用い
て発生させるには、それぞれＸ線実効エネルギの約１．
５／ｅ倍の印加電圧（単位ｋＶ）が必要であり、そのと
きのＸ線管電流は、通常下限は０．１ｍＡ以上、好まし
くは１ｍＡ以上、上限は１０ｍＡ未満、好ましくは９ｍ
Ａ未満の範囲が用いられる。また、加速器Ｘ線源を用い
て実質的に同等の実効エネルギを有するパルスＸ線を使
用しても良い。
【００１０】（３）最後に、Ｘ線源と検出器の間にあっ
て、Ｘ線が通過する炭素質成形体の最大の板厚の下限が
６０ｃｍ以上、好ましくは８０ｃｍ以上、より好ましく
は１００ｃｍ以上の炭素質成形体に対して、照射するＸ
線の実効エネルギが、下限は３００ｋｅＶ以上、好まし
くは４００ｋｅＶ以上、より好ましくは１０００ｋｅＶ
以上、最も好ましくは５００００ｋｅＶ以上のＸ線が用
いられる。
て、Ｘ線が通過する炭素質成形体の最大の板厚の下限が
６０ｃｍ以上、好ましくは８０ｃｍ以上、より好ましく
は１００ｃｍ以上の炭素質成形体に対して、照射するＸ
線の実効エネルギが、下限は３００ｋｅＶ以上、好まし
くは４００ｋｅＶ以上、より好ましくは１０００ｋｅＶ
以上、最も好ましくは５００００ｋｅＶ以上のＸ線が用
いられる。
【００１１】上記の実効エネルギと実質的に同等の実効
エネルギを有するＸ線は、加速器Ｘ線源を用いたパルス
Ｘ線が使用される。
エネルギを有するＸ線は、加速器Ｘ線源を用いたパルス
Ｘ線が使用される。
【００１２】Ｘ線エネルギが高いと質量吸収係数（μ／
ρ（ｃｍ2／ｇ））が小さくなるためＸ線が通過する炭
素質成形体の厚さが厚くても、欠陥部分である空隙や異
物を検出することができる。
ρ（ｃｍ2／ｇ））が小さくなるためＸ線が通過する炭
素質成形体の厚さが厚くても、欠陥部分である空隙や異
物を検出することができる。
【００１３】一方、Ｘ線エネルギが低いと質量吸収係数
（μ／ρ（ｃｍ2／ｇ））が大きくなるため物体を透過
しにくくなるが、元素番号順でＨ〜Ｃａ等の元素、好ま
しくはＨ〜Ｏの軽元素、より好ましくはＨ〜Ｃの軽元素
を主体とする物質や炭素質成形体はＸ線が透過しやす
く、欠陥部分である空隙や異物に対する検出感度が増
し、かつ操作上の安全性が高まり、装置のコストも低下
するため、上記に開示するようにＸ線が通過する炭素質
成形体の厚さに最適のＸ線実効エネルギを用いることが
好ましい。
（μ／ρ（ｃｍ2／ｇ））が大きくなるため物体を透過
しにくくなるが、元素番号順でＨ〜Ｃａ等の元素、好ま
しくはＨ〜Ｏの軽元素、より好ましくはＨ〜Ｃの軽元素
を主体とする物質や炭素質成形体はＸ線が透過しやす
く、欠陥部分である空隙や異物に対する検出感度が増
し、かつ操作上の安全性が高まり、装置のコストも低下
するため、上記に開示するようにＸ線が通過する炭素質
成形体の厚さに最適のＸ線実効エネルギを用いることが
好ましい。
【００１４】１０００ｋｅＶ未満の実効エネルギを有す
る白色Ｘ線は、通常Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｗ
等の対陰極に熱電子を衝突させて発生したＸ線が通常使
用されるが、Ｘ線の発生効率が高いことからＷが好まし
く用いられる。この光源にＮｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｒ
ｈ、Ｈｆ等のフィルターあるいは黒鉛等のモノクロメー
タを用いて得られる特性Ｘ線を白色Ｘ線の代わりに用い
ても良い。
る白色Ｘ線は、通常Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｗ
等の対陰極に熱電子を衝突させて発生したＸ線が通常使
用されるが、Ｘ線の発生効率が高いことからＷが好まし
く用いられる。この光源にＮｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｒ
ｈ、Ｈｆ等のフィルターあるいは黒鉛等のモノクロメー
タを用いて得られる特性Ｘ線を白色Ｘ線の代わりに用い
ても良い。
【００１５】検出器としてはＺｎＳ、ＣｄＳ、ＣｄＷＯ
4、ＮａＩ、ＣａＦ2、Ｂｉ4Ｇｅ3Ｏ12等を用いたシンチ
レーションカウンター（ｓｃｉｎｔｉｌｌａｔｉｏｎ
ｃｏｕｎｔｅｒ）やＡｒ、Ｘｅ、Ｋｒガスを封入した比
例計数管（ｐｒｏｐｏｒｔｉｏｎａｌ ｃｏｕｎｔｅ
ｒ）およびＰＳＰＣ（位置敏感型比例計数管）等これら
の検出器を一次元的あるいは二次元的に稠密に配列した
１０〜２０００チャンネルを有する多チャンネル検出器
が挙げられ、その他ＳＳＤと呼ばれる半導体検出器やＩ
Ｐと呼ばれるイメージングプレートを使用してもよい。
4、ＮａＩ、ＣａＦ2、Ｂｉ4Ｇｅ3Ｏ12等を用いたシンチ
レーションカウンター（ｓｃｉｎｔｉｌｌａｔｉｏｎ
ｃｏｕｎｔｅｒ）やＡｒ、Ｘｅ、Ｋｒガスを封入した比
例計数管（ｐｒｏｐｏｒｔｉｏｎａｌ ｃｏｕｎｔｅ
ｒ）およびＰＳＰＣ（位置敏感型比例計数管）等これら
の検出器を一次元的あるいは二次元的に稠密に配列した
１０〜２０００チャンネルを有する多チャンネル検出器
が挙げられ、その他ＳＳＤと呼ばれる半導体検出器やＩ
Ｐと呼ばれるイメージングプレートを使用してもよい。
【００１６】物体内部のＸ線吸収係数の程度により変調
された透過データを多数収集し、計算機によって断面像
を再構成する。多方向からのデータは回転および走査に
よって収集することができ、測定点が多い方がノイズの
少ない画像が得られ、空隙や異物とノイズを間違って検
出する確率は低下する。
された透過データを多数収集し、計算機によって断面像
を再構成する。多方向からのデータは回転および走査に
よって収集することができ、測定点が多い方がノイズの
少ない画像が得られ、空隙や異物とノイズを間違って検
出する確率は低下する。
【００１７】また、照射するＸ線の太さが細くて、検出
器にノイズとして飛び込む二次Ｘ線や散乱Ｘ線が少なく
することができれば、より小さな空隙や異物を検出する
ことができる。
器にノイズとして飛び込む二次Ｘ線や散乱Ｘ線が少なく
することができれば、より小さな空隙や異物を検出する
ことができる。
【００１８】再構成されたデータは水の吸収係数を０、
空気を−１０００とするＣＴ値に式を用いて換算し、
複数階調の表示をすることによって作業を容易にするこ
とができる。吸収係数はほぼ密度に比例するので、吸収
係数の分布より密度分布を知ることができる。
空気を−１０００とするＣＴ値に式を用いて換算し、
複数階調の表示をすることによって作業を容易にするこ
とができる。吸収係数はほぼ密度に比例するので、吸収
係数の分布より密度分布を知ることができる。
【００１９】
【数１】
【００２０】ここで、μｔは求める点の炭素質物質の線
吸収係数（μ（ｃｍ-1））、μｗは水の線吸収係数であ
る。実効エネルギ１００ｋｅＶのＸ線で、空気の場合は
μｔ＝２．７９×１０-4、水はμｔ＝０．１７１であ
る。
吸収係数（μ（ｃｍ-1））、μｗは水の線吸収係数であ
る。実効エネルギ１００ｋｅＶのＸ線で、空気の場合は
μｔ＝２．７９×１０-4、水はμｔ＝０．１７１であ
る。
【００２１】該分析法に適用される炭素質物質のμｔは
０．０７以上で０．３４２以下、好ましくは０．３以
下、より好ましくは０．２３以下の物質である。炭素質
形成体の場合、スキャン速度は１００〜２００ｍｍ／ｍ
ｉｎである。
０．０７以上で０．３４２以下、好ましくは０．３以
下、より好ましくは０．２３以下の物質である。炭素質
形成体の場合、スキャン速度は１００〜２００ｍｍ／ｍ
ｉｎである。
【００２２】本発明におけるＸ線実効エネルギとは、白
色Ｘ線に用いられる概念で、平均のＸ線光量子エネルギ
ｈυmのことである。ｈはプランク定数（６．６２４×
１０-27ｅｒｇ・ｓｅｃ）、υmは白色Ｘ線の平均の電磁
波振動数である。また、白色Ｘ線を照射した場合の線吸
収係数は、このｈυmから求められるいわば平均の線吸
収係数を意味する。
色Ｘ線に用いられる概念で、平均のＸ線光量子エネルギ
ｈυmのことである。ｈはプランク定数（６．６２４×
１０-27ｅｒｇ・ｓｅｃ）、υmは白色Ｘ線の平均の電磁
波振動数である。また、白色Ｘ線を照射した場合の線吸
収係数は、このｈυmから求められるいわば平均の線吸
収係数を意味する。
【００２３】本発明における炭素質成形体の体積空隙率
は、１０〜８０％、好ましくは３０〜７０％である。
は、１０〜８０％、好ましくは３０〜７０％である。
【００２４】炭素質成形体は、炭素繊維あるいは炭素繊
維および炭素質母材よりなる。織物積層材、フェルト、
マット等が挙げられる。
維および炭素質母材よりなる。織物積層材、フェルト、
マット等が挙げられる。
【００２５】炭素質繊維の繊維体積含有率は、１０〜５
０％、好ましくは１５〜３５％である。炭素質母材の体
積含有率は０〜４０％であるが、炭素質成形体が炭素繊
維および炭素質母材の両者よりなる場合には、炭素質母
材の体積含有率は５〜４０％、好ましくは１０〜３５％
である。
０％、好ましくは１５〜３５％である。炭素質母材の体
積含有率は０〜４０％であるが、炭素質成形体が炭素繊
維および炭素質母材の両者よりなる場合には、炭素質母
材の体積含有率は５〜４０％、好ましくは１０〜３５％
である。
【００２６】炭素質繊維および炭素質母材の熱履歴温度
は特に限定されないが、品質管理上からは、１０００℃
未満、好ましくは８１０℃未満、さらに好ましくは５６
０℃未満である。
は特に限定されないが、品質管理上からは、１０００℃
未満、好ましくは８１０℃未満、さらに好ましくは５６
０℃未満である。
【００２７】炭素質繊維の前駆体は特に限定されない
が、ポリアクリロニトリル、レーヨンおよびピッチが挙
げられ、中でもピッチが好ましい。また、炭素質母材の
前駆体は特に限定されないが、フェノール、フラン等の
熱硬化性樹脂、炭化水素ガス、および熱可塑性ピッチが
挙げられ、中でもピッチが好ましい。
が、ポリアクリロニトリル、レーヨンおよびピッチが挙
げられ、中でもピッチが好ましい。また、炭素質母材の
前駆体は特に限定されないが、フェノール、フラン等の
熱硬化性樹脂、炭化水素ガス、および熱可塑性ピッチが
挙げられ、中でもピッチが好ましい。
【００２８】本発明における炭素質成形体の検査方法
は、特にＣ／Ｃコンポジットの製造工程における中間製
品検査に有効である。ここでいう中間製品とは、炭素繊
維あるいは炭素繊維および炭素質母材よりなる炭素質成
形体であり、体積空隙率１０〜８０％、より具体的には
３０〜７０％のものである。これらの中間製品を緻密化
することによりＣ／Ｃコンポジットを製造することがで
きる。緻密化の方法としては公知の方法が適用でき、炭
化水素ガスの熱分解を利用する化学気相析出法（ＣＶ
Ｄ）、熱可塑性ピッチや熱硬化性樹脂の含浸／炭化を繰
り返す方法が挙げられる。
は、特にＣ／Ｃコンポジットの製造工程における中間製
品検査に有効である。ここでいう中間製品とは、炭素繊
維あるいは炭素繊維および炭素質母材よりなる炭素質成
形体であり、体積空隙率１０〜８０％、より具体的には
３０〜７０％のものである。これらの中間製品を緻密化
することによりＣ／Ｃコンポジットを製造することがで
きる。緻密化の方法としては公知の方法が適用でき、炭
化水素ガスの熱分解を利用する化学気相析出法（ＣＶ
Ｄ）、熱可塑性ピッチや熱硬化性樹脂の含浸／炭化を繰
り返す方法が挙げられる。
【００２９】緻密化前の炭素質成形体に異なる方向から
Ｘ線を照射し、その投影データを基に画像を再構成し、
再構成されたデータは水の吸収係数を０、空気を−１０
００とする絶対値（ＣＴ値）に換算する。（１）Ｃ／Ｃ
コンポジットの製造工程においては、ＣＴ値の標準偏差
が４００以下、好ましくは２００以下、より好ましくは
１００以下の炭素質成形体を緻密化することが好まし
い。（２）またＣ／Ｃコンポジットの製造工程において
は、ＣＴ値が−９００未満である部分の長手方向および
その直角方向の長さの比（Ｌ／Ｄ）が１００以下、好ま
しくは５０以下、より好ましくは１０以下の炭素質成形
体を緻密化することが好ましい。（３）またＣ／Ｃコン
ポジットの製造工程においてはＣＴ値が−９００未満で
ある部分の、長手方向に直角方向の長が２ｍｍ以下、好
ましくは１ｍｍ以下、より好ましくは０．５ｍｍ以下の
炭素質成形体を緻密化することが好ましい。
Ｘ線を照射し、その投影データを基に画像を再構成し、
再構成されたデータは水の吸収係数を０、空気を−１０
００とする絶対値（ＣＴ値）に換算する。（１）Ｃ／Ｃ
コンポジットの製造工程においては、ＣＴ値の標準偏差
が４００以下、好ましくは２００以下、より好ましくは
１００以下の炭素質成形体を緻密化することが好まし
い。（２）またＣ／Ｃコンポジットの製造工程において
は、ＣＴ値が−９００未満である部分の長手方向および
その直角方向の長さの比（Ｌ／Ｄ）が１００以下、好ま
しくは５０以下、より好ましくは１０以下の炭素質成形
体を緻密化することが好ましい。（３）またＣ／Ｃコン
ポジットの製造工程においてはＣＴ値が−９００未満で
ある部分の、長手方向に直角方向の長が２ｍｍ以下、好
ましくは１ｍｍ以下、より好ましくは０．５ｍｍ以下の
炭素質成形体を緻密化することが好ましい。
【００３０】以上の（１）〜（３）の条件の１つ以上を
Ｃ／Ｃコンポジットの製造工程で満たさない炭素質成形
体は欠陥品とみなし、製造工程から除外する。
Ｃ／Ｃコンポジットの製造工程で満たさない炭素質成形
体は欠陥品とみなし、製造工程から除外する。
【００３１】
【実施例】以下に実施例を挙げ、本発明を具体的に説明
する。
する。
【００３２】実施例１ 焼成温度７００℃のピッチ系炭素質繊維およびピッチを
８００℃において炭化成形し、炭素質繊維３０％および
炭素質マトリックス３０％よりなる直径３５ｃｍ、厚さ
３ｃｍの円板状成形体を製作した。成形体は体積空隙率
４０％であった。この円板状成形体をＸ線管と検出器の
間に配置し、該炭素質成形体に異なる方向からＸ線を照
射し、その投影データを基に画像を再構成した。但し、
Ｘ線実効エネルギ２００ｋｅＶの白色Ｘ線を使用し、検
出器としては、ＣｄＷＯ4を使用した。円板のｘｚ平面
をスキャンし、スキャン速度は２００ｍｍ／分とした。
スキャン時間は約２分であった。
８００℃において炭化成形し、炭素質繊維３０％および
炭素質マトリックス３０％よりなる直径３５ｃｍ、厚さ
３ｃｍの円板状成形体を製作した。成形体は体積空隙率
４０％であった。この円板状成形体をＸ線管と検出器の
間に配置し、該炭素質成形体に異なる方向からＸ線を照
射し、その投影データを基に画像を再構成した。但し、
Ｘ線実効エネルギ２００ｋｅＶの白色Ｘ線を使用し、検
出器としては、ＣｄＷＯ4を使用した。円板のｘｚ平面
をスキャンし、スキャン速度は２００ｍｍ／分とした。
スキャン時間は約２分であった。
【００３３】再構成されたデータは水の吸収係数を０、
空気を−１０００とする絶対値（ＣＴ値）に換算し、１
０２４×１０２４画素の一つ一つに対して２５６階調の
表示を行った。そのＸ線写真を図１に示す。
空気を−１０００とする絶対値（ＣＴ値）に換算し、１
０２４×１０２４画素の一つ一つに対して２５６階調の
表示を行った。そのＸ線写真を図１に示す。
【００３４】この時のＣＴ値の標準偏差は９００であっ
た。ＣＴ値が−９００未満である部分の長手方向および
その直角方向の長さの比（Ｌ／Ｄ）が２５、ＣＴ値が−
９００未満である部分の長手方向に直角方向の長さは４
ｍｍであった。
た。ＣＴ値が−９００未満である部分の長手方向および
その直角方向の長さの比（Ｌ／Ｄ）が２５、ＣＴ値が−
９００未満である部分の長手方向に直角方向の長さは４
ｍｍであった。
【００３５】この円板状成形体を１０００℃においてメ
タンガスの熱分解により緻密化を行った。緻密化後、Ｃ
／Ｃコンポジットを切断したところ、内部に層間剥離に
近い欠陥のあることが明らかとなった。
タンガスの熱分解により緻密化を行った。緻密化後、Ｃ
／Ｃコンポジットを切断したところ、内部に層間剥離に
近い欠陥のあることが明らかとなった。
【００３６】実施例２ 焼成温度６００℃のピッチ系炭素質繊維およびピッチを
８００℃において炭化成形し、炭素質繊維３５％および
炭素質マトリックス２５％よりなる直径３０ｃｍ、厚さ
３ｃｍの円板状成形体を製作した。成形体は体積空隙率
４０％であり、外観上は全く問題がなかった。この円板
状成形体をＸ線管と検出器の間に配置し、該炭素質成形
体に異なる方向からＸ線を照射し、その投影データを基
に画像を再構成した。但し、Ｘ線実効エネルギ１００ｋ
ｅＶの白色Ｘ線を使用し、検出器としては、ＣｄＷＯ4
を使用した。円板のｘｚ平面をスキャンし、スキャン速
度は８０ｍｍ／分とした。スキャン時間は約５分であっ
た。
８００℃において炭化成形し、炭素質繊維３５％および
炭素質マトリックス２５％よりなる直径３０ｃｍ、厚さ
３ｃｍの円板状成形体を製作した。成形体は体積空隙率
４０％であり、外観上は全く問題がなかった。この円板
状成形体をＸ線管と検出器の間に配置し、該炭素質成形
体に異なる方向からＸ線を照射し、その投影データを基
に画像を再構成した。但し、Ｘ線実効エネルギ１００ｋ
ｅＶの白色Ｘ線を使用し、検出器としては、ＣｄＷＯ4
を使用した。円板のｘｚ平面をスキャンし、スキャン速
度は８０ｍｍ／分とした。スキャン時間は約５分であっ
た。
【００３７】再構成されたデータは水の吸収係数を０、
空気を−１０００とする絶対値（ＣＴ値）に換算し、１
０２４×１０２４画素の一つ一つに対して２５６階調の
表示を行った。。そのＸ線写真を図２に示す。この時の
ＣＴ値の標準偏差は５６０であった。ＣＴ値が−９００
未満である部分の長手方向およびその直角方向の長さの
比（Ｌ／Ｄ）が３４、ＣＴ値が−９００未満である部分
の長手方向に直角方向の長さは１．８ｍｍであった。
空気を−１０００とする絶対値（ＣＴ値）に換算し、１
０２４×１０２４画素の一つ一つに対して２５６階調の
表示を行った。。そのＸ線写真を図２に示す。この時の
ＣＴ値の標準偏差は５６０であった。ＣＴ値が−９００
未満である部分の長手方向およびその直角方向の長さの
比（Ｌ／Ｄ）が３４、ＣＴ値が−９００未満である部分
の長手方向に直角方向の長さは１．８ｍｍであった。
【００３８】この円板状成形体を１０００℃においてメ
タンガスの熱分解により緻密化を行った。緻密化後、Ｃ
／Ｃコンポジットを切断したところ、内部に層間剥離に
近い欠陥のあることが明らかとなった。
タンガスの熱分解により緻密化を行った。緻密化後、Ｃ
／Ｃコンポジットを切断したところ、内部に層間剥離に
近い欠陥のあることが明らかとなった。
【００３９】実施例３ 焼成温度６００℃のピッチ系炭素質繊維をフェルト化
し、８００℃において炭化成形し、炭素質繊維３５％の
直径４０ｃｍ、厚さ３ｃｍの円板状成形体を製作した。
成形体は体積空隙率６５％であり、外観上は全く問題が
なかった。この円板状成形体をＸ線管と検出器の間に配
置し、該炭素質成形体に異なる方向からＸ線を照射し、
その投影データを基に画像を再構成した。但し、Ｘ線実
効エネルギ２００ｋｅＶの白色Ｘ線を使用し、検出器と
しては、ＣｄＷＯ4を使用した。円板のｘｚ平面をスキ
ャンし、スキャン速度は２００ｍｍ／分とした。スキャ
ン時間は約２分であった。
し、８００℃において炭化成形し、炭素質繊維３５％の
直径４０ｃｍ、厚さ３ｃｍの円板状成形体を製作した。
成形体は体積空隙率６５％であり、外観上は全く問題が
なかった。この円板状成形体をＸ線管と検出器の間に配
置し、該炭素質成形体に異なる方向からＸ線を照射し、
その投影データを基に画像を再構成した。但し、Ｘ線実
効エネルギ２００ｋｅＶの白色Ｘ線を使用し、検出器と
しては、ＣｄＷＯ4を使用した。円板のｘｚ平面をスキ
ャンし、スキャン速度は２００ｍｍ／分とした。スキャ
ン時間は約２分であった。
【００４０】再構成されたデータは水の吸収係数を０、
空気を−１０００とする絶対値（ＣＴ値）に換算し、１
０２４×１０２４画素の一つ一つに対して２５６階調の
表示を行った。。そのＸ線写真を図３に示す。この時の
ＣＴ値の標準偏差は７５であった。ＣＴ値が−９００未
満である部分の長手方向およびその直角方向の長さの比
（Ｌ／Ｄ）が１．５、ＣＴ値が−９００未満である部分
の長手方向に直角方向の長さは０．６ｍｍであった。
空気を−１０００とする絶対値（ＣＴ値）に換算し、１
０２４×１０２４画素の一つ一つに対して２５６階調の
表示を行った。。そのＸ線写真を図３に示す。この時の
ＣＴ値の標準偏差は７５であった。ＣＴ値が−９００未
満である部分の長手方向およびその直角方向の長さの比
（Ｌ／Ｄ）が１．５、ＣＴ値が−９００未満である部分
の長手方向に直角方向の長さは０．６ｍｍであった。
【００４１】この円板状成形体を１０００℃においてメ
タンガスの熱分解により緻密化を行った。緻密化後、Ｃ
／Ｃコンポジットを切断したところ、内部に欠陥は全く
認められなかった。
タンガスの熱分解により緻密化を行った。緻密化後、Ｃ
／Ｃコンポジットを切断したところ、内部に欠陥は全く
認められなかった。
【００４２】実施例４ 焼成温度６００℃のピッチ系炭素質繊維およびピッチを
８００℃において炭化成形し、炭素質繊維３５％および
炭素質マトリックス２５％よりなる直径２０ｃｍ、厚さ
３ｃｍの円板状成形体を製作した。成形体は体積空隙率
４０％であり、外観上は全く問題がなかった。この円板
状成形体をＸ線管と検出器の間に配置し、該炭素質成形
体に異なる方向からＸ線を照射し、その投影データを基
に画像を再構成した。但し、Ｘ線実効エネルギ６５ｋｅ
Ｖの白色Ｘ線を使用して測定した。円板のｘｚ平面をス
キャンし、スキャン速度は８０ｍｍ／分とした。スキャ
ン時間は約５分であった。
８００℃において炭化成形し、炭素質繊維３５％および
炭素質マトリックス２５％よりなる直径２０ｃｍ、厚さ
３ｃｍの円板状成形体を製作した。成形体は体積空隙率
４０％であり、外観上は全く問題がなかった。この円板
状成形体をＸ線管と検出器の間に配置し、該炭素質成形
体に異なる方向からＸ線を照射し、その投影データを基
に画像を再構成した。但し、Ｘ線実効エネルギ６５ｋｅ
Ｖの白色Ｘ線を使用して測定した。円板のｘｚ平面をス
キャンし、スキャン速度は８０ｍｍ／分とした。スキャ
ン時間は約５分であった。
【００４３】再構成されたデータは水の吸収係数を０、
空気を−１０００とする絶対値（ＣＴ値）に換算し、１
０２４×１０２４画素の一つ一つに対して２５６階調の
表示を行った。この時のＣＴ値の標準偏差は５８５であ
った。ＣＴ値が−９００未満である部分の長手方向およ
びその直角方向の長さの比（Ｌ／Ｄ）が３４、ＣＴ値が
−９００未満である部分の長手方向に直角方向の長さは
１．９ｍｍであった。
空気を−１０００とする絶対値（ＣＴ値）に換算し、１
０２４×１０２４画素の一つ一つに対して２５６階調の
表示を行った。この時のＣＴ値の標準偏差は５８５であ
った。ＣＴ値が−９００未満である部分の長手方向およ
びその直角方向の長さの比（Ｌ／Ｄ）が３４、ＣＴ値が
−９００未満である部分の長手方向に直角方向の長さは
１．９ｍｍであった。
【００４４】この円板状成形体を１０００℃においてメ
タンガスの熱分解により緻密化を行った。緻密化後、Ｃ
／Ｃコンポジットを切断したところ、内部に層間剥離に
近い欠陥のあることが明らかとなった。
タンガスの熱分解により緻密化を行った。緻密化後、Ｃ
／Ｃコンポジットを切断したところ、内部に層間剥離に
近い欠陥のあることが明らかとなった。
【００４５】実施例５ 焼成温度６００℃のピッチ系炭素質繊維およびピッチを
８００℃において炭化成形し、炭素質繊維３５％および
炭素質マトリックス２５％よりなる直径１００ｃｍ、厚
さ１０ｃｍの円板状成形体を製作した。成形体は体積空
隙率４０％であり、外観上は全く問題がなかった。この
円板状成形体をＸ線管と検出器の間に配置し、該炭素質
成形体に異なる方向からＸ線を照射し、その投影データ
を基に画像を再構成した。但し、加速器Ｘ線源によって
Ｘ線実効エネルギー１０ＭｅＶのパルスＸ線を使用し
た。円板のｘｚ平面をスキャンし、スキャン時間は約６
分であった。
８００℃において炭化成形し、炭素質繊維３５％および
炭素質マトリックス２５％よりなる直径１００ｃｍ、厚
さ１０ｃｍの円板状成形体を製作した。成形体は体積空
隙率４０％であり、外観上は全く問題がなかった。この
円板状成形体をＸ線管と検出器の間に配置し、該炭素質
成形体に異なる方向からＸ線を照射し、その投影データ
を基に画像を再構成した。但し、加速器Ｘ線源によって
Ｘ線実効エネルギー１０ＭｅＶのパルスＸ線を使用し
た。円板のｘｚ平面をスキャンし、スキャン時間は約６
分であった。
【００４６】再構成されたデータは水の吸収係数を０、
空気を−１０００とする絶対値（ＣＴ値）に換算し、１
０２４×１０２４画素の一つ一つに対して２５６階調の
表示を行った。この時のＣＴ値の標準偏差は５８０であ
った。ＣＴ値が−９００未満である部分の長手方向およ
びその直角方向の長さの比（Ｌ／Ｄ）が３４、ＣＴ値が
−９００未満である部分の長手方向に直角方向の長さは
１．８ｍｍであった。
空気を−１０００とする絶対値（ＣＴ値）に換算し、１
０２４×１０２４画素の一つ一つに対して２５６階調の
表示を行った。この時のＣＴ値の標準偏差は５８０であ
った。ＣＴ値が−９００未満である部分の長手方向およ
びその直角方向の長さの比（Ｌ／Ｄ）が３４、ＣＴ値が
−９００未満である部分の長手方向に直角方向の長さは
１．８ｍｍであった。
【００４７】この円板状成形体を１０００℃においてメ
タンガスの熱分解により緻密化を行った。緻密化後、Ｃ
／Ｃコンポジットを切断したところ、内部に層間剥離に
近い欠陥のあることが明らかとなった。
タンガスの熱分解により緻密化を行った。緻密化後、Ｃ
／Ｃコンポジットを切断したところ、内部に層間剥離に
近い欠陥のあることが明らかとなった。
【００４８】
【発明の効果】本発明により、簡便かつ迅速な炭素質成
形体の検査方法が提供される。
形体の検査方法が提供される。
【図１】 実施例１における炭素質成形体のＸ線写真。
【図２】 実施例２における炭素質成形体のＸ線写真。
【図３】 実施例３における炭素質成形体のＸ線写真。
【手続補正書】
【提出日】平成６年１１月１１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２】
【図３】
Claims (1)
- 【請求項１】 体積空隙率１０〜８０％を有する炭素成
形体に異なる複数方向からＸ線を照射し、その投影デー
タを基に画像を再構成することを特徴とする炭素質成形
体の検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6242366A JPH0882607A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | 炭素質成形体の検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6242366A JPH0882607A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | 炭素質成形体の検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0882607A true JPH0882607A (ja) | 1996-03-26 |
Family
ID=17088117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6242366A Pending JPH0882607A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | 炭素質成形体の検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0882607A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019215328A (ja) * | 2018-04-24 | 2019-12-19 | エクスロン インターナショナル ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＹｘｌｏｎ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｇｍｂｈ | 短繊維強化プラスチック部品の射出成形プロセスを最適化するためにｘ線コンピュータ断層撮影データから情報を取得する方法 |
-
1994
- 1994-09-12 JP JP6242366A patent/JPH0882607A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019215328A (ja) * | 2018-04-24 | 2019-12-19 | エクスロン インターナショナル ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＹｘｌｏｎ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｇｍｂｈ | 短繊維強化プラスチック部品の射出成形プロセスを最適化するためにｘ線コンピュータ断層撮影データから情報を取得する方法 |
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