JPH0882637A - 半導体センサ装置および半導体センサ装置の感度調整方法 - Google Patents
半導体センサ装置および半導体センサ装置の感度調整方法Info
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- JPH0882637A JPH0882637A JP21860894A JP21860894A JPH0882637A JP H0882637 A JPH0882637 A JP H0882637A JP 21860894 A JP21860894 A JP 21860894A JP 21860894 A JP21860894 A JP 21860894A JP H0882637 A JPH0882637 A JP H0882637A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 多くの外部抵抗素子を準備することなく感度
調整が的確に行われ、またその感度調整の自動化を容易
ならしめ、量産に対応できるように改善された半導体セ
ンサ装置を提供すること。 【構成】 加速度検出部２２ａと、その出力信号を増幅
する利得可変増幅器２２ｂとを有するセンサ部２２を電
気回路基板２１に実装する。電気回路基板２１には、加
速度検出部２２ａの感度データを記憶した不揮発性メモ
リ２４と、内部メモリ２４に記憶されている加速度検出
部２２ａの感度データとシステムが要求するセンサ部感
度とに基づいて、利得可変増幅器２２ｂの増幅率を制御
する制御回路２３ｃとを設ける。
調整が的確に行われ、またその感度調整の自動化を容易
ならしめ、量産に対応できるように改善された半導体セ
ンサ装置を提供すること。 【構成】 加速度検出部２２ａと、その出力信号を増幅
する利得可変増幅器２２ｂとを有するセンサ部２２を電
気回路基板２１に実装する。電気回路基板２１には、加
速度検出部２２ａの感度データを記憶した不揮発性メモ
リ２４と、内部メモリ２４に記憶されている加速度検出
部２２ａの感度データとシステムが要求するセンサ部感
度とに基づいて、利得可変増幅器２２ｂの増幅率を制御
する制御回路２３ｃとを設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、加速度検出、圧力検出
などに使用される半導体センサ装置およびその半導体セ
ンサ装置の感度調整方法に関するものである。
などに使用される半導体センサ装置およびその半導体セ
ンサ装置の感度調整方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】各種の制御システムに使用される半導体
センサ装置、たとえば車両用エアバック制御装置に使用
される図５に示すような加速度センサ装置が知られてい
る。この半導体センサ装置は、半導体センサ素子による
加速度検出部１と増幅器２とから成るセンサ部３と、Ａ
／Ｄ変換部４や信号処理部５から成るマイクロコンピュ
ータ６とを電気回路基板７上に実装して構成される。マ
イクロコンピュータ６は、入力される加速度検出信号を
制御システム側から要求される出力レベルに信号処理し
て出力端子８から制御システムに出力する。
センサ装置、たとえば車両用エアバック制御装置に使用
される図５に示すような加速度センサ装置が知られてい
る。この半導体センサ装置は、半導体センサ素子による
加速度検出部１と増幅器２とから成るセンサ部３と、Ａ
／Ｄ変換部４や信号処理部５から成るマイクロコンピュ
ータ６とを電気回路基板７上に実装して構成される。マ
イクロコンピュータ６は、入力される加速度検出信号を
制御システム側から要求される出力レベルに信号処理し
て出力端子８から制御システムに出力する。
【０００３】上述の加速度センサ装置においては、増幅
器２の非反転入力端子９には外部電源１０が接続され、
増幅器２の増幅率は、加速度検出部１の出力端子１１と
増幅器２の反転入力端子１２との間に接続された外部抵
抗素子１３と、増幅器２の反転入力端子１２と増幅器２
の出力端子１４との間に接続された外部抵抗素子１５と
の抵抗比により決まる。加速度検出部１の出力信号は、
増幅器２の増幅率で増幅され、出力端子１４からＡ／Ｄ
変換部４の入力端子１６を介してマイクロコンピュータ
６に入力され、信号処理部５にて制御システムに応じた
信号処理を施される。
器２の非反転入力端子９には外部電源１０が接続され、
増幅器２の増幅率は、加速度検出部１の出力端子１１と
増幅器２の反転入力端子１２との間に接続された外部抵
抗素子１３と、増幅器２の反転入力端子１２と増幅器２
の出力端子１４との間に接続された外部抵抗素子１５と
の抵抗比により決まる。加速度検出部１の出力信号は、
増幅器２の増幅率で増幅され、出力端子１４からＡ／Ｄ
変換部４の入力端子１６を介してマイクロコンピュータ
６に入力され、信号処理部５にて制御システムに応じた
信号処理を施される。
【０００４】増幅器２の出力端子１４からマイクロコン
ピュータ６に入力する信号は制御システムが要求する所
定のレベルに設定されている必要がある。加速度検出部
１には個体差があり、同一加速度であってもその出力信
号レベルは異なる。そこで、所定の信号レベルとなるよ
うに外部抵抗素子１３と１５の抵抗比を変更して増幅器
２の増幅率をセンサ部３毎に調節しなければならない。
ピュータ６に入力する信号は制御システムが要求する所
定のレベルに設定されている必要がある。加速度検出部
１には個体差があり、同一加速度であってもその出力信
号レベルは異なる。そこで、所定の信号レベルとなるよ
うに外部抵抗素子１３と１５の抵抗比を変更して増幅器
２の増幅率をセンサ部３毎に調節しなければならない。
【０００５】このため従来は、センサ部３の出力端子１
１での信号レベル、つまりセンサ出力感度に基づいて、
システムが要求する出力レベルの信号を得るための増幅
率を算出し、その増幅率を実現する外部抵抗素子１３と
１５の抵抗比を算出し、その抵抗比を実現する所要の抵
抗値の外部抵抗素子１３を取り付ける作業が不可欠であ
る。
１での信号レベル、つまりセンサ出力感度に基づいて、
システムが要求する出力レベルの信号を得るための増幅
率を算出し、その増幅率を実現する外部抵抗素子１３と
１５の抵抗比を算出し、その抵抗比を実現する所要の抵
抗値の外部抵抗素子１３を取り付ける作業が不可欠であ
る。
【０００６】
【発明が解決しようする課題】しかしながら、センサ部
３のセンサ感度のばらつきを考慮すると、現状では準備
しなければならない外部抵抗素子の種類は数十種類にな
る。このようなことから、感度調整を自動化することが
難しく、量産対応が困難であると云う問題が生じる。ま
た人手で外部抵抗素子を各センサ部３毎に取り付ける場
合には、コストアップとなる。
３のセンサ感度のばらつきを考慮すると、現状では準備
しなければならない外部抵抗素子の種類は数十種類にな
る。このようなことから、感度調整を自動化することが
難しく、量産対応が困難であると云う問題が生じる。ま
た人手で外部抵抗素子を各センサ部３毎に取り付ける場
合には、コストアップとなる。
【０００７】本発明は、多くの外部抵抗素子を準備する
ことなく感度調整が的確にでき、またその感度調整の自
動化を容易ならしめ、量産に対応できるように改善され
た半導体センサ装置および半導体センサ装置の感度調整
方法を提供することを目的としている。
ことなく感度調整が的確にでき、またその感度調整の自
動化を容易ならしめ、量産に対応できるように改善され
た半導体センサ装置および半導体センサ装置の感度調整
方法を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】一実施例を示す図１に対
応づけて説明すると、本発明による半導体センサ装置
は、半導体センサ素子２２ａと、半導体センサ素子２２
ａの出力信号を所定の増幅率で増幅する利得可変増幅器
２２ｂと、半導体センサ素子２２ａの感度データを記憶
した内部メモリ２４と、内部メモリ２４に記憶されてい
る感度データと要求されるセンサ出力レベルとに基づい
て利得可変増幅器２２ｂの増幅率を制御する制御回路２
３とを具備することを特徴とする。請求項２の半導体セ
ンサ装置の内部メモリ２４は不揮発性メモリである。請
求項３の半導体センサ装置では、利得可変増幅器２２ｂ
は、増幅率を設定する利得制御信号が印加される利得設
定用外部調整端子２２ｅを有し、制御回路２３は、内部
メモリ２４に記憶されている感度データと要求されるセ
ンサ出力レベルとに基づいて増幅率を演算し、演算結果
に応じた利得制御用デジタル信号を出力する演算回路２
３ｃと、この演算回路２３ｃが出力するデジタル信号を
Ｄ／Ａ変換して利得制御信号として利得設定用外部調整
端子２２ｅに印加するＤ／Ａ変換器２３ｄと具備する。
図４に対応して説明すると、請求項４の半導体センサ装
置では、利得可変増幅器２２ｂは、増幅率を設定する利
得制御信号が印加される利得設定用外部調整端子２２ｅ
を有し、制御回路２３は、一端が制御回路２３の複数の
出力端子４１ａ〜４１ｄに接続され、他端が共通接続さ
れて利得設定用外部調整端子２２ｅに接続された複数の
抵抗素子４２ａ〜４２ｄを備え、複数の抵抗素子の組合
せにより利得制御信号を出力する抵抗式電圧印加回路４
０と、内部メモリ２４に記憶されている感度データと要
求されるセンサ出力レベルとに基づいて増幅率を演算
し、演算結果に応じて制御回路２３の複数の出力端子４
１ａ〜４１ｄのオン・オフレベルを設定する演算回路２
３ｃとを具備する。請求項５は、請求項１〜４のいずれ
かに記載の半導体センサ装置の感度調整方法に適用さ
れ、半導体センサ素子２２ａのパッケージに設けられた
データ担持体２５に担持されている半導体センサ素子２
２ａの感度データを読み取り、読み取った半導体センサ
素子２２ａの感度データを内部メモリ２４に書き込むこ
とを特徴とする。請求項６は、請求項１〜４の何れかに
記載の半導体センサ装置の感度調整方法に適用され、半
導体センサ素子２２ａのパッケージに設けられたデータ
担持体２５に担持されている半導体センサ素子２２ａの
個体識別データを読み取り、読み取った半導体センサ素
子２２ａの個体識別データに基づいて、対応する半導体
センサ素子２２ａの感度データを予め準備されている外
部メモリ５０より取り込み、この取り込み感度データを
内部メモリ２４に書き込むことを特徴とする。請求項７
においては、データ担持体２５がバーコードでありバー
コードをバーコードリーダで読み取ることを特徴とす
る。
応づけて説明すると、本発明による半導体センサ装置
は、半導体センサ素子２２ａと、半導体センサ素子２２
ａの出力信号を所定の増幅率で増幅する利得可変増幅器
２２ｂと、半導体センサ素子２２ａの感度データを記憶
した内部メモリ２４と、内部メモリ２４に記憶されてい
る感度データと要求されるセンサ出力レベルとに基づい
て利得可変増幅器２２ｂの増幅率を制御する制御回路２
３とを具備することを特徴とする。請求項２の半導体セ
ンサ装置の内部メモリ２４は不揮発性メモリである。請
求項３の半導体センサ装置では、利得可変増幅器２２ｂ
は、増幅率を設定する利得制御信号が印加される利得設
定用外部調整端子２２ｅを有し、制御回路２３は、内部
メモリ２４に記憶されている感度データと要求されるセ
ンサ出力レベルとに基づいて増幅率を演算し、演算結果
に応じた利得制御用デジタル信号を出力する演算回路２
３ｃと、この演算回路２３ｃが出力するデジタル信号を
Ｄ／Ａ変換して利得制御信号として利得設定用外部調整
端子２２ｅに印加するＤ／Ａ変換器２３ｄと具備する。
図４に対応して説明すると、請求項４の半導体センサ装
置では、利得可変増幅器２２ｂは、増幅率を設定する利
得制御信号が印加される利得設定用外部調整端子２２ｅ
を有し、制御回路２３は、一端が制御回路２３の複数の
出力端子４１ａ〜４１ｄに接続され、他端が共通接続さ
れて利得設定用外部調整端子２２ｅに接続された複数の
抵抗素子４２ａ〜４２ｄを備え、複数の抵抗素子の組合
せにより利得制御信号を出力する抵抗式電圧印加回路４
０と、内部メモリ２４に記憶されている感度データと要
求されるセンサ出力レベルとに基づいて増幅率を演算
し、演算結果に応じて制御回路２３の複数の出力端子４
１ａ〜４１ｄのオン・オフレベルを設定する演算回路２
３ｃとを具備する。請求項５は、請求項１〜４のいずれ
かに記載の半導体センサ装置の感度調整方法に適用さ
れ、半導体センサ素子２２ａのパッケージに設けられた
データ担持体２５に担持されている半導体センサ素子２
２ａの感度データを読み取り、読み取った半導体センサ
素子２２ａの感度データを内部メモリ２４に書き込むこ
とを特徴とする。請求項６は、請求項１〜４の何れかに
記載の半導体センサ装置の感度調整方法に適用され、半
導体センサ素子２２ａのパッケージに設けられたデータ
担持体２５に担持されている半導体センサ素子２２ａの
個体識別データを読み取り、読み取った半導体センサ素
子２２ａの個体識別データに基づいて、対応する半導体
センサ素子２２ａの感度データを予め準備されている外
部メモリ５０より取り込み、この取り込み感度データを
内部メモリ２４に書き込むことを特徴とする。請求項７
においては、データ担持体２５がバーコードでありバー
コードをバーコードリーダで読み取ることを特徴とす
る。
【０００９】
【作用】内部メモリ２４に記憶されている感度データと
要求される出力レベルとに基づいて、制御回路２３は利
得可変増幅器２２ｂの増幅率を制御する。したがって、
センサ部２２の出力レベルはシステムが要求する値とな
る。制御回路２３の演算回路２３ｃは、要求されるセン
サ出力レベルが得られるように利得可変増幅器２２ｂの
利得設定用外部調整端子２２ｅに印加される電圧値を表
すデジタル利得制御信号を出力し、Ｄ／Ａ変換器２３ｄ
はそのデジタル信号をアナログ信号に変換して利得設定
用外部調整端子２２ｅに印加する。あるいは、複数個の
出力端子４１ａ〜４１ｄをオンオフ制御して複数の抵抗
素子４２ａ〜４２ｄの組合せを設定し、抵抗式電圧印加
回路４０から利得設定用外部調整端子２２ｅに適正な電
圧を印加して利得可変増幅器２２ｂの増幅率を制御す
る。内部メモリ２４が不揮発性メモリであれば、半導体
センサ装置の電源がオフされても、メモリに記憶されて
いる感度データが消去されることがなく、再電源投入時
には内部メモリ２４が記憶保持記憶している感度データ
と要求信号レベルとに基づいて利得可変増幅器２２ｂの
増幅率を制御する。半導体センサ装置の感度調整方法に
おいては、半導体センサ素子２２ａのパッケージに設け
られているデータ担持体２５が担持している半導体セン
サ素子２２ａの感度データを読み取り装置３０で読み取
り、読み取った半導体センサ素子２２ａの感度データを
書き込み装置３１で内部メモリ２４に書き込む。あるい
はデータ担持体２５が担持している半導体センサ素子２
２ａの個体識別データを読み取り装置３０により読み取
り、読み取り装置３０により読み取った半導体センサ素
子２２ａの個体識別データに基づいて、対応する半導体
センサ素子２２ａの感度データを予め準備されている外
部メモリ５０より取り込み、この取り込み感度データを
書き込み装置３１によって内部メモリ２４に書き込む。
要求される出力レベルとに基づいて、制御回路２３は利
得可変増幅器２２ｂの増幅率を制御する。したがって、
センサ部２２の出力レベルはシステムが要求する値とな
る。制御回路２３の演算回路２３ｃは、要求されるセン
サ出力レベルが得られるように利得可変増幅器２２ｂの
利得設定用外部調整端子２２ｅに印加される電圧値を表
すデジタル利得制御信号を出力し、Ｄ／Ａ変換器２３ｄ
はそのデジタル信号をアナログ信号に変換して利得設定
用外部調整端子２２ｅに印加する。あるいは、複数個の
出力端子４１ａ〜４１ｄをオンオフ制御して複数の抵抗
素子４２ａ〜４２ｄの組合せを設定し、抵抗式電圧印加
回路４０から利得設定用外部調整端子２２ｅに適正な電
圧を印加して利得可変増幅器２２ｂの増幅率を制御す
る。内部メモリ２４が不揮発性メモリであれば、半導体
センサ装置の電源がオフされても、メモリに記憶されて
いる感度データが消去されることがなく、再電源投入時
には内部メモリ２４が記憶保持記憶している感度データ
と要求信号レベルとに基づいて利得可変増幅器２２ｂの
増幅率を制御する。半導体センサ装置の感度調整方法に
おいては、半導体センサ素子２２ａのパッケージに設け
られているデータ担持体２５が担持している半導体セン
サ素子２２ａの感度データを読み取り装置３０で読み取
り、読み取った半導体センサ素子２２ａの感度データを
書き込み装置３１で内部メモリ２４に書き込む。あるい
はデータ担持体２５が担持している半導体センサ素子２
２ａの個体識別データを読み取り装置３０により読み取
り、読み取り装置３０により読み取った半導体センサ素
子２２ａの個体識別データに基づいて、対応する半導体
センサ素子２２ａの感度データを予め準備されている外
部メモリ５０より取り込み、この取り込み感度データを
書き込み装置３１によって内部メモリ２４に書き込む。
【００１０】なお、本発明の構成を説明する上記課題を
解決するための手段と作用の項では、本発明を分かり易
くするために実施例の図を用いたが、これにより本発明
が実施例に限定されるものではない。
解決するための手段と作用の項では、本発明を分かり易
くするために実施例の図を用いたが、これにより本発明
が実施例に限定されるものではない。
【００１１】
【実施例】図１は本発明による半導体センサ装置を加速
度センサ装置として実施した場合の実施例とその感度調
整方法に使用する装置の一実施例を示している。加速度
センサ装置２０は電気回路基板２１に実装されたセンサ
部２２とマイクロコンピュータ２３と内部メモリである
不揮発性メモリ２４とから成る。センサ部２２は、半導
体加速度センサ素子による加速度検出部２２ａと、利得
可変増幅器２２ｂとから構成され、加速度検出部２２ａ
の信号出力端子２２ｃと、利得可変増幅器２２ｂの出力
端子２２ｄと、利得可変増幅器２２ｂの利得設定用外部
調整端子２２ｅとを有する。利得可変増幅器２２ｂの増
幅率Ｎは、利得設定用外部調整端子２２ｅに印加される
電圧値Ｖｒにより設定される。図２は、利得設定用外部
調整端子２２ｅに印加する電圧（外部調整端子電圧）値
Ｖｒと増幅率Ｎとの関係を示し、この図２からわかるよ
うに、増幅率Ｎは外部調整端子電圧値Ｖｒに比例する。
度センサ装置として実施した場合の実施例とその感度調
整方法に使用する装置の一実施例を示している。加速度
センサ装置２０は電気回路基板２１に実装されたセンサ
部２２とマイクロコンピュータ２３と内部メモリである
不揮発性メモリ２４とから成る。センサ部２２は、半導
体加速度センサ素子による加速度検出部２２ａと、利得
可変増幅器２２ｂとから構成され、加速度検出部２２ａ
の信号出力端子２２ｃと、利得可変増幅器２２ｂの出力
端子２２ｄと、利得可変増幅器２２ｂの利得設定用外部
調整端子２２ｅとを有する。利得可変増幅器２２ｂの増
幅率Ｎは、利得設定用外部調整端子２２ｅに印加される
電圧値Ｖｒにより設定される。図２は、利得設定用外部
調整端子２２ｅに印加する電圧（外部調整端子電圧）値
Ｖｒと増幅率Ｎとの関係を示し、この図２からわかるよ
うに、増幅率Ｎは外部調整端子電圧値Ｖｒに比例する。
【００１２】センサ部２２に加速度が加わると加速度検
出部２２ａは加速度に応じた電圧信号を出力し、利得可
変増幅器２２ｂは上述のように設定された増幅率Ｎでそ
の出力電圧を増幅して出力端子２２ｄより出力する。
出部２２ａは加速度に応じた電圧信号を出力し、利得可
変増幅器２２ｂは上述のように設定された増幅率Ｎでそ
の出力電圧を増幅して出力端子２２ｄより出力する。
【００１３】マイクロコンピュータ２３は、Ａ／Ｄ変換
器２３ａと、信号処理部２３ｂと、演算回路２３ｃと、
Ｄ／Ａ変換器２３ｄとを含む。入力端子２３ｅから入力
されるセンサ部２２の検出信号をＡ／Ｄ変換器２３ａで
デジタル信号に変換し、そのデジタル信号に対して、信
号処理部２３ｂで制御システムに応じた信号処理を行
い、信号処理した信号（加速度検出信号）を出力端子２
３ｆから制御システムに出力する。
器２３ａと、信号処理部２３ｂと、演算回路２３ｃと、
Ｄ／Ａ変換器２３ｄとを含む。入力端子２３ｅから入力
されるセンサ部２２の検出信号をＡ／Ｄ変換器２３ａで
デジタル信号に変換し、そのデジタル信号に対して、信
号処理部２３ｂで制御システムに応じた信号処理を行
い、信号処理した信号（加速度検出信号）を出力端子２
３ｆから制御システムに出力する。
【００１４】演算回路２３ｃは、制御システムから要求
されるセンサ出力感度が得られるように利得可変増幅器
２２ｂの増幅率Ｎを次のようにして求める。後述する要
領にて不揮発性メモリ２４に記憶されているセンサ感
度、すなわち加速度検出部２２ａの１Ｇ当たりの出力電
圧値Ｖｓと、制御システムが要求するセンサ部感度、す
なわちセンサ部２２の１Ｇ当たりの出力電圧Ｖｔとに基
づいて、増幅率ＮはＶｔ／Ｖsから求められる。演算回
路２３ｃは、図２のＮ−Ｖｒ線図から、求められた増幅
率Ｎを実現するに必要な外部調整出力端子電圧Ｖｒを算
出し、その利得制御用電圧Ｖｒのデジタル信号をＤ／Ａ
変換器２３ｄへ出力する。Ｄ／Ａ変換器２３ｄは、演算
回路２３ｃが出力するデジタル信号ＶｒをＤ／Ａ変換
し、所定の電圧値Ｖｒの利得制御信号を出力端子２３ｇ
から利得可変増幅器２２ｂの外部調整端子２２ｅに印加
する。なお、上記センサ部感度は、制御システムを達成
する為のソフトウェアプログラム入力時と同時にマイク
ロコンピュータ２３に入力される。
されるセンサ出力感度が得られるように利得可変増幅器
２２ｂの増幅率Ｎを次のようにして求める。後述する要
領にて不揮発性メモリ２４に記憶されているセンサ感
度、すなわち加速度検出部２２ａの１Ｇ当たりの出力電
圧値Ｖｓと、制御システムが要求するセンサ部感度、す
なわちセンサ部２２の１Ｇ当たりの出力電圧Ｖｔとに基
づいて、増幅率ＮはＶｔ／Ｖsから求められる。演算回
路２３ｃは、図２のＮ−Ｖｒ線図から、求められた増幅
率Ｎを実現するに必要な外部調整出力端子電圧Ｖｒを算
出し、その利得制御用電圧Ｖｒのデジタル信号をＤ／Ａ
変換器２３ｄへ出力する。Ｄ／Ａ変換器２３ｄは、演算
回路２３ｃが出力するデジタル信号ＶｒをＤ／Ａ変換
し、所定の電圧値Ｖｒの利得制御信号を出力端子２３ｇ
から利得可変増幅器２２ｂの外部調整端子２２ｅに印加
する。なお、上記センサ部感度は、制御システムを達成
する為のソフトウェアプログラム入力時と同時にマイク
ロコンピュータ２３に入力される。
【００１５】これにより利得可変増幅器２２ｂの増幅率
Ｎが、制御システムから要求されるセンサ部感度を得る
ために必要な適正値に設定され、センサ部２２から出力
される信号は、各センサ素子２２ａの感度に拘らず制御
システムから要求される所定のセンサ出力感度を持つこ
とになる。
Ｎが、制御システムから要求されるセンサ部感度を得る
ために必要な適正値に設定され、センサ部２２から出力
される信号は、各センサ素子２２ａの感度に拘らず制御
システムから要求される所定のセンサ出力感度を持つこ
とになる。
【００１６】なお、電源がオフされると利得可変増幅器
２２ｂの外部調整端子２２ｅの印加電圧もオフされる
が、不揮発性メモリ２４に記憶されている１Ｇ当たりの
出力電圧Ｖｓのデータは消去されない。したがって再電
源投入時には、システムが要求する出力レベルと不揮発
性メモリ２４が記憶保持している出力電圧Ｖｓに基づい
て演算回路２３ｃが電圧値Ｖｒを再度算出するから、利
得可変増幅器２２ｂの増幅率Ｎは要求センサ部出力感度
を得るために必要な適正値に設定される。
２２ｂの外部調整端子２２ｅの印加電圧もオフされる
が、不揮発性メモリ２４に記憶されている１Ｇ当たりの
出力電圧Ｖｓのデータは消去されない。したがって再電
源投入時には、システムが要求する出力レベルと不揮発
性メモリ２４が記憶保持している出力電圧Ｖｓに基づい
て演算回路２３ｃが電圧値Ｖｒを再度算出するから、利
得可変増幅器２２ｂの増幅率Ｎは要求センサ部出力感度
を得るために必要な適正値に設定される。
【００１７】次に不揮発性メモリ２４にセンサ感度を示
す１Ｇ当りのセンサ出力電圧値Ｖｓを書き込む手順につ
いて説明する。センサ部２２の工場出荷時、センサ感度
検査工程にてセンサ部２２に規定の加速度Ｇｓを印加し
た時に加速度検出部２２ａが出力する電圧Ｖｇを各セン
サ部２２毎に予め計測し、加速度検出部２２ａのセンサ
感度Ｖｓ、つまり１Ｇあたりの出力電圧ＶsをＶｇ／Ｇ
ｓから求める。このセンサ感度Ｖsはバーコードラベル
（データ担持体）２５上にバーコード表示され、このラ
ベル２５がセンサ部２２に貼着される。
す１Ｇ当りのセンサ出力電圧値Ｖｓを書き込む手順につ
いて説明する。センサ部２２の工場出荷時、センサ感度
検査工程にてセンサ部２２に規定の加速度Ｇｓを印加し
た時に加速度検出部２２ａが出力する電圧Ｖｇを各セン
サ部２２毎に予め計測し、加速度検出部２２ａのセンサ
感度Ｖｓ、つまり１Ｇあたりの出力電圧ＶsをＶｇ／Ｇ
ｓから求める。このセンサ感度Ｖsはバーコードラベル
（データ担持体）２５上にバーコード表示され、このラ
ベル２５がセンサ部２２に貼着される。
【００１８】センサ部２２を電気回路基板２１に実装し
たのちに、バーコードラベル２５に印刷されているバー
コードをバーコードリーダ３０によって読み取る。バー
コードリーダ３０によるバーコード読み取り情報、すな
わちセンサ感度Ｖｓを示すデータは書き込み装置３１へ
転送され、書き込み装置３１はバーコードリーダ３０か
ら入力したセンサ感度Ｖｓを不揮発性メモリ２４に書き
込む。
たのちに、バーコードラベル２５に印刷されているバー
コードをバーコードリーダ３０によって読み取る。バー
コードリーダ３０によるバーコード読み取り情報、すな
わちセンサ感度Ｖｓを示すデータは書き込み装置３１へ
転送され、書き込み装置３１はバーコードリーダ３０か
ら入力したセンサ感度Ｖｓを不揮発性メモリ２４に書き
込む。
【００１９】図３は本発明による半導体センサ装置を加
速度センサ装置として実施した場合の実施例とその感度
調整方法に使用する装置の他の実施例を示している。な
お、図３において、図１に対応する部分は図１に付した
符号と同一の符号を付して相違点を主に説明する。この
実施例では、バーコードラベル２５には、製造シリアル
番号など、加速度検出部２２ａの個体識別情報を示すバ
ーコードが印刷されており、個体識別情報を検索キーと
して各加速度検出部２２ａのセンサ感度Ｖｓを記憶した
磁気記憶テープ、磁気記憶ディスクなどの外部メモリ５
０が別に設けられている。
速度センサ装置として実施した場合の実施例とその感度
調整方法に使用する装置の他の実施例を示している。な
お、図３において、図１に対応する部分は図１に付した
符号と同一の符号を付して相違点を主に説明する。この
実施例では、バーコードラベル２５には、製造シリアル
番号など、加速度検出部２２ａの個体識別情報を示すバ
ーコードが印刷されており、個体識別情報を検索キーと
して各加速度検出部２２ａのセンサ感度Ｖｓを記憶した
磁気記憶テープ、磁気記憶ディスクなどの外部メモリ５
０が別に設けられている。
【００２０】書き込み装置３１は、バーコードリーダ３
０より加速度検出部２２ａの個体識別情報を入力し、こ
の個体識別情報を検索キーとして外部メモリ５０をアク
セスして対応する加速度検出部２２ａのセンサ感度Ｖｓ
を読み取り、これを不揮発性メモリ２４に書き込む。こ
の場合も上述の実施例と同等の作用が得られる。
０より加速度検出部２２ａの個体識別情報を入力し、こ
の個体識別情報を検索キーとして外部メモリ５０をアク
セスして対応する加速度検出部２２ａのセンサ感度Ｖｓ
を読み取り、これを不揮発性メモリ２４に書き込む。こ
の場合も上述の実施例と同等の作用が得られる。
【００２１】図４は本発明による半導体センサ装置を加
速度センサ装置として実施した場合の他の実施例とその
感度調整方法に使用する装置の実施例を示している。な
お、図４においても、図１に対応する部分は図１に付し
た符号と同一の符号を付して相違点を説明する。この実
施例においては、演算回路２３ｃに４個の出力端子４１
ａ、４１ｂ、４１ｃ、４１ｄが設けられ、出力端子４１
ａ〜４１ｄの各々には抵抗素子４２ａ、４２ｂ、４２
ｃ、４２ｄの一方の端子が接続されており、抵抗素子４
２ａ〜４２ｄの他方の端子は利得可変増幅器２２ｂの外
部調整端子２２ｅに共通接続され、これら抵抗素子４２
ａ〜４２ｄが抵抗式電圧印加回路４０をなしている。
速度センサ装置として実施した場合の他の実施例とその
感度調整方法に使用する装置の実施例を示している。な
お、図４においても、図１に対応する部分は図１に付し
た符号と同一の符号を付して相違点を説明する。この実
施例においては、演算回路２３ｃに４個の出力端子４１
ａ、４１ｂ、４１ｃ、４１ｄが設けられ、出力端子４１
ａ〜４１ｄの各々には抵抗素子４２ａ、４２ｂ、４２
ｃ、４２ｄの一方の端子が接続されており、抵抗素子４
２ａ〜４２ｄの他方の端子は利得可変増幅器２２ｂの外
部調整端子２２ｅに共通接続され、これら抵抗素子４２
ａ〜４２ｄが抵抗式電圧印加回路４０をなしている。
【００２２】演算回路２３ｃは上述したようにして算出
された外部調整出力端子電圧Ｖｒが得られるように、４
個の抵抗素子４２ａ〜４２ｄの組み合わせを選択して、
出力端子４１ａ〜４１ｄの信号レベルを決定する。その
組み合わせは１６通りになり、利得可変増幅器２２ｂの
外部調整端子２２ｅに印加する電圧値により利得可変増
幅器２２ｂの増幅率Ｎはほぼ所望の値となる。
された外部調整出力端子電圧Ｖｒが得られるように、４
個の抵抗素子４２ａ〜４２ｄの組み合わせを選択して、
出力端子４１ａ〜４１ｄの信号レベルを決定する。その
組み合わせは１６通りになり、利得可変増幅器２２ｂの
外部調整端子２２ｅに印加する電圧値により利得可変増
幅器２２ｂの増幅率Ｎはほぼ所望の値となる。
【００２３】この実施例においてセンサ部出力感度の精
度を高める必要がある場合には、演算回路２３ｃの出力
端子およびこれに接続される抵抗の個数を増加すればよ
い。
度を高める必要がある場合には、演算回路２３ｃの出力
端子およびこれに接続される抵抗の個数を増加すればよ
い。
【００２４】なお、上述の何れの実施例においても、加
速度検出部２２ａのセンサ感度や、加速度検出部２２ａ
の個体識別情報をバーコードで表示し、データ担持体と
してバーコードラベル２５を使用したが、データ担持体
を、これらのデータを数字、文字で表記したラベルとし
ても、また磁気記憶シールなどとしてもよく、読み取り
手段は、データ担持体の種類に応じて光学式文字読み取
り装置、磁気データ読み出し装置などを使用できる。
速度検出部２２ａのセンサ感度や、加速度検出部２２ａ
の個体識別情報をバーコードで表示し、データ担持体と
してバーコードラベル２５を使用したが、データ担持体
を、これらのデータを数字、文字で表記したラベルとし
ても、また磁気記憶シールなどとしてもよく、読み取り
手段は、データ担持体の種類に応じて光学式文字読み取
り装置、磁気データ読み出し装置などを使用できる。
【００２５】また本発明による半導体センサ装置および
半導体センサ装置の感度調整方法は、加速度センサ装置
に限定されるものではなく、圧力センサ装置など、半導
体センサ素子を使用した各種の半導体センサ装置に適用
される。
半導体センサ装置の感度調整方法は、加速度センサ装置
に限定されるものではなく、圧力センサ装置など、半導
体センサ素子を使用した各種の半導体センサ装置に適用
される。
【００２６】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、この発明に
よる半導体センサ装置および半導体センサ装置の感度調
整方法によれば、センサ部に設けられているデータ担持
体が担持している半導体センサ素子の感度データあるい
は個体識別データを読み取り、読み取った半導体センサ
素子の感度データあるいは個体識別データによって半導
体センサ素子の感度データを内部メモリに書き込み、こ
の感度データとシステムが要求するセンサ部出力感度と
に基づいて利得可変増幅器の増幅率を適正値に設定する
ようにしたので、多くの外部抵抗素子を準備することな
く感度調整が的確に行われるようになる。また、感度調
整過程で半導体センサ装置毎に所要の抵抗値を有する外
部抵抗素子を選んで取り付ける必要がなくなり、この感
度調整の自動化が容易に可能になり、この感度調整が人
手を要することなく行われ得るようになることにより、
低コストで量産に対応できるようになる。
よる半導体センサ装置および半導体センサ装置の感度調
整方法によれば、センサ部に設けられているデータ担持
体が担持している半導体センサ素子の感度データあるい
は個体識別データを読み取り、読み取った半導体センサ
素子の感度データあるいは個体識別データによって半導
体センサ素子の感度データを内部メモリに書き込み、こ
の感度データとシステムが要求するセンサ部出力感度と
に基づいて利得可変増幅器の増幅率を適正値に設定する
ようにしたので、多くの外部抵抗素子を準備することな
く感度調整が的確に行われるようになる。また、感度調
整過程で半導体センサ装置毎に所要の抵抗値を有する外
部抵抗素子を選んで取り付ける必要がなくなり、この感
度調整の自動化が容易に可能になり、この感度調整が人
手を要することなく行われ得るようになることにより、
低コストで量産に対応できるようになる。
【図１】本発明による半導体センサ装置を加速度センサ
装置に適用した場合の実施例とその感度調整方法に使用
する装置の一実施例を示すブロック図。
装置に適用した場合の実施例とその感度調整方法に使用
する装置の一実施例を示すブロック図。
【図２】本発明による加速度センサ装置における可変利
得増幅器の増幅率と外部調整出力端子電圧との関係を示
すグラフ。
得増幅器の増幅率と外部調整出力端子電圧との関係を示
すグラフ。
【図３】本発明による半導体センサ装置を加速度センサ
装置に適用した場合の実施例とその感度調整方法に使用
する装置の他の実施例を示すブロック図。
装置に適用した場合の実施例とその感度調整方法に使用
する装置の他の実施例を示すブロック図。
【図４】本発明による半導体センサ装置を加速度センサ
装置に適用した場合のその実施例と感度調整方法に使用
する装置の他の実施例を示すブロック図。
装置に適用した場合のその実施例と感度調整方法に使用
する装置の他の実施例を示すブロック図。
【図５】従来の加速度センサ装置の一例を示すブロック
図。
図。
２０ 加速度センサ装置 ２１ 電気回路基板 ２２ センサ部 ２２ａ 加速度検出部 ２２ｂ 利得可変増幅器 ２２ｅ 利得設定用外部調整端子 ２３ マイクロコンピュータ ２３ａ Ａ／Ｄ変換部 ２３ｂ 信号処理部 ２３ｃ 演算回路 ２３ｄ Ｄ／Ａ変換部 ２４ 不揮発性メモリ ２５ バーコードラベル ３０ バーコードリーダ ３１ 書き込み装置 ４０ 電圧印加回路 ４１ａ〜４１ｄ 出力端子 ４２ａ〜４２ｄ 抵抗素子 ５０ 外部メモリ
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体センサ素子と、 前記半導体センサ素子の出力信号を所定の増幅率で増幅
する利得可変増幅器と、 前記半導体センサ素子の感度データを記憶した内部メモ
リと、 前記内部メモリに記憶されている感度データと要求され
るセンサ出力レベルとに基づいて前記利得可変増幅器の
増幅率を制御する制御回路とを具備することを特徴とす
る半導体センサ装置。 - 【請求項２】 前記内部メモリは不揮発性メモリである
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体センサ装置。 - 【請求項３】 前記利得可変増幅器は、前記増幅率を設
定する利得制御信号が印加される利得設定用外部調整端
子を有し、 前記制御回路は、前記内部メモリに記憶されている感度
データと要求されるセンサ出力レベルとに基づいて前記
増幅率を演算し、演算結果に応じた利得制御用デジタル
信号を出力する演算回路と、 この演算回路が出力するデジタル信号をＤ／Ａ変換して
前記利得制御信号として前記利得設定用外部調整端子に
印加するＤ／Ａ変換器と具備することを特徴とする請求
項１また２に記載の半導体センサ装置。 - 【請求項４】 前記利得可変増幅器は、前記増幅率を設
定する利得制御信号が印加される利得設定用外部調整端
子を有し、 前記制御回路は、 一端が前記制御回路の複数の出力端子に接続され、他端
が共通接続されて前記利得設定用外部調整端子に接続さ
れた複数の抵抗素子を備え、複数の抵抗素子の組合せに
より前記利得制御信号を出力する抵抗式電圧印加回路
と、 前記内部メモリに記憶されている感度データと要求され
るセンサ出力レベルとに基づいて前記増幅率を演算し、
演算結果に応じて前記制御回路の複数の出力端子のオン
・オフレベルを設定する演算回路とを具備することを特
徴とする請求項１また２に記載の半導体センサ装置。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載の半導体
センサ装置の感度調整方法において、 前記半導体センサ素子のパッケージに設けられたデータ
担持体に担持されている半導体センサ素子の感度データ
を読み取り、 読み取った半導体センサ素子の感度データを前記内部メ
モリに書き込むことを特徴とする半導体センサ装置の感
度調整方法。 - 【請求項６】 請求項１〜４の何れかに記載の半導体セ
ンサ装置の感度調整方法において、 前記半導体センサ素子のパッケージに設けられたデータ
担持体に担持されている半導体センサ素子の個体識別デ
ータを読み取り、 読み取った半導体センサ素子の個体識別データに基づい
て、対応する半導体センサ素子の感度データを予め準備
されている外部メモリより取り込み、 この取り込んだ感度データを前記内部メモリに書き込む
ことを特徴とする半導体センサ装置の感度調整方法。 - 【請求項７】 前記データ担持体はバーコードであり前
記バーコードをバーコードリーダで読み取ることを特徴
とする請求項５または６に記載の半導体センサ装置の感
度調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21860894A JPH0882637A (ja) | 1994-09-13 | 1994-09-13 | 半導体センサ装置および半導体センサ装置の感度調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21860894A JPH0882637A (ja) | 1994-09-13 | 1994-09-13 | 半導体センサ装置および半導体センサ装置の感度調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0882637A true JPH0882637A (ja) | 1996-03-26 |
Family
ID=16722625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21860894A Pending JPH0882637A (ja) | 1994-09-13 | 1994-09-13 | 半導体センサ装置および半導体センサ装置の感度調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0882637A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006208031A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Hitachi Ulsi Systems Co Ltd | 半導体センサ装置とその製造方法と補正方法 |
| JP2009063471A (ja) * | 2007-09-07 | 2009-03-26 | Denso Corp | センサ装置 |
| CN114089249A (zh) * | 2021-11-26 | 2022-02-25 | 广东美的暖通设备有限公司 | 滤波电路、电涡流传感器、调试方法和调试装置 |
| CN116183067A (zh) * | 2022-12-06 | 2023-05-30 | 歌尔科技有限公司 | 手柄抓握力度检测电路、方法及装置 |
-
1994
- 1994-09-13 JP JP21860894A patent/JPH0882637A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006208031A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Hitachi Ulsi Systems Co Ltd | 半導体センサ装置とその製造方法と補正方法 |
| JP2009063471A (ja) * | 2007-09-07 | 2009-03-26 | Denso Corp | センサ装置 |
| CN114089249A (zh) * | 2021-11-26 | 2022-02-25 | 广东美的暖通设备有限公司 | 滤波电路、电涡流传感器、调试方法和调试装置 |
| CN114089249B (zh) * | 2021-11-26 | 2024-05-28 | 广东美的暖通设备有限公司 | 滤波电路、电涡流传感器、调试方法和调试装置 |
| CN116183067A (zh) * | 2022-12-06 | 2023-05-30 | 歌尔科技有限公司 | 手柄抓握力度检测电路、方法及装置 |
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