JPH0882754A - マイクロメカニカルデバイス用の自己組立式モノレーヤーコーティング - Google Patents
マイクロメカニカルデバイス用の自己組立式モノレーヤーコーティングInfo
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- JPH0882754A JPH0882754A JP7166507A JP16650795A JPH0882754A JP H0882754 A JPH0882754 A JP H0882754A JP 7166507 A JP7166507 A JP 7166507A JP 16650795 A JP16650795 A JP 16650795A JP H0882754 A JPH0882754 A JP H0882754A
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- G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
- G02B26/0841—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting element being moved or deformed by electrostatic means
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 他の要素と接触し、固着を起こす傾向のある
可動要素を含む型のマイクロメカニカルデバイス（１
０）の当該接触要素（１１、１７）の固着を防止する方
法を得る。 【構成】 マイクロメカニカルデバイスを前駆物質を含
む溶液中へ浸す液相での堆積法によって、マイクロメカ
ニカルデバイスの接触する要素の一方または両方の表面
上に単分子層をコーティングする。前駆物質は前記物質
とコーティングすべき表面との間の配位化学に基づいて
選ばれる。
可動要素を含む型のマイクロメカニカルデバイス（１
０）の当該接触要素（１１、１７）の固着を防止する方
法を得る。 【構成】 マイクロメカニカルデバイスを前駆物質を含
む溶液中へ浸す液相での堆積法によって、マイクロメカ
ニカルデバイスの接触する要素の一方または両方の表面
上に単分子層をコーティングする。前駆物質は前記物質
とコーティングすべき表面との間の配位化学に基づいて
選ばれる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロメカニカルデバ
イスに関するものであり、更に詳細には互いに接触する
要素を有するそのようなデバイスと、そのような接触要
素の固着を防止するための方法とに関する。
イスに関するものであり、更に詳細には互いに接触する
要素を有するそのようなデバイスと、そのような接触要
素の固着を防止するための方法とに関する。
【０００２】
【従来の技術】電気−機械技術分野での最近の進展は、
各種メカニカルデバイスの超小型化にある。そのような
デバイスの代表的なものは、小型のギア、レバー、およ
びバルブである。これら”マイクロメカニカル”デバイ
スは、しばしば電気的な制御回路とともに、集積回路技
術を利用して作製される。一般的な用途としては加速度
計、圧力センサー、およびアクチュエーターが含まれ
る。別の１つの例として、マイクロメカニカル反射性画
素から空間光変調器が構成される。
各種メカニカルデバイスの超小型化にある。そのような
デバイスの代表的なものは、小型のギア、レバー、およ
びバルブである。これら”マイクロメカニカル”デバイ
スは、しばしば電気的な制御回路とともに、集積回路技
術を利用して作製される。一般的な用途としては加速度
計、圧力センサー、およびアクチュエーターが含まれ
る。別の１つの例として、マイクロメカニカル反射性画
素から空間光変調器が構成される。
【０００３】マイクロメカニカル空間光変調器の１つの
型はデジタル・マイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）であ
って、それは変形可能なミラーデバイスと呼ばれること
もある。ＤＭＤは小型の傾くことのできるミラーを数百
または数千個含むアレイを有する。ＤＭＤへ入射する光
は各ミラーによって選択的に反射されないか、もしくは
結像面へ向かって反射されて像を形成する。ミラーが傾
斜することを許容するために、各ミラーは、制御回路の
上方へ空隙を隔てられて、１個または複数個の支柱の上
に設置されている。この制御回路は、各ミラーの選択的
な傾斜を引き起こす静電的な力を供給する。数多くのＤ
ＭＤの中で、ミラーの端部は着地電極に接触するように
なっており、この着地電極は停止物として機能する。
型はデジタル・マイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）であ
って、それは変形可能なミラーデバイスと呼ばれること
もある。ＤＭＤは小型の傾くことのできるミラーを数百
または数千個含むアレイを有する。ＤＭＤへ入射する光
は各ミラーによって選択的に反射されないか、もしくは
結像面へ向かって反射されて像を形成する。ミラーが傾
斜することを許容するために、各ミラーは、制御回路の
上方へ空隙を隔てられて、１個または複数個の支柱の上
に設置されている。この制御回路は、各ミラーの選択的
な傾斜を引き起こす静電的な力を供給する。数多くのＤ
ＭＤの中で、ミラーの端部は着地電極に接触するように
なっており、この着地電極は停止物として機能する。
【０００４】マイクロメカニカルデバイスに関して、信
頼性は達成困難な課題であった。一般的な信頼性の問題
点は、可動要素が互いに接触する時に発生する可能性の
ある固着である。そのような要素が互いに固着してしま
うと、そのデバイスは適正な動作をしなくなってしま
う。
頼性は達成困難な課題であった。一般的な信頼性の問題
点は、可動要素が互いに接触する時に発生する可能性の
ある固着である。そのような要素が互いに固着してしま
うと、そのデバイスは適正な動作をしなくなってしま
う。
【０００５】マイクロメカニカルデバイスの接触する要
素間の固着を防止するためにこれまで取られてきた方法
は、着地電極およびミラーの表面にコーティングを施す
ことであった。”マイクロメカニカルデバイス用のポリ
マーコーティング（Ｐｏｌｙｍｅｒｉｃ Ｃｏａｔｉｎ
ｇｓ ｆｏｒ Ｍｉｃｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｄｅ
ｖｉｃｅｓ）”と題する米国特許出願第０８／２１６，
１９４号には、ポリマー材料の層を用いる方法が述べら
れている。また、”マイクロメカニカルデバイス用のＰ
ＦＰＥコーティング（ＰＦＰＥ Ｃｏａｔｉｎｇｓ ｆ
ｏｒ Ｍｉｃｒｏ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｄｅｖｉｃ
ｅｓ）”と題する米国特許出願第０８／２３９，４９７
号（ケース番号ＴＩ−１８４７８）には、過フルオロポ
リエーテル材料の層を用いる方法が述べられている。更
に、単分子層（モノレーヤー）が接触する要素間の摩擦
を低減でき、それにより固着の可能性を減らすことがで
きることが発見された。”ＤＭＤ用の低リセット電圧プ
ロセス（Ｌｏｗ Ｒｅｓｅｔ Ｖｏｌａｔｇｅ Ｐｒｏ
ｃｅｓｓ ｆｏｒ ＤＭＤ）”と題する米国特許出願第
０７／８２３，５８０号は蒸着法によってモノレーヤー
を形成する方法について述べている。これらの特許出願
はすべてテキサスインスツルメンツ社に譲渡されてい
る。
素間の固着を防止するためにこれまで取られてきた方法
は、着地電極およびミラーの表面にコーティングを施す
ことであった。”マイクロメカニカルデバイス用のポリ
マーコーティング（Ｐｏｌｙｍｅｒｉｃ Ｃｏａｔｉｎ
ｇｓ ｆｏｒ Ｍｉｃｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｄｅ
ｖｉｃｅｓ）”と題する米国特許出願第０８／２１６，
１９４号には、ポリマー材料の層を用いる方法が述べら
れている。また、”マイクロメカニカルデバイス用のＰ
ＦＰＥコーティング（ＰＦＰＥ Ｃｏａｔｉｎｇｓ ｆ
ｏｒ Ｍｉｃｒｏ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｄｅｖｉｃ
ｅｓ）”と題する米国特許出願第０８／２３９，４９７
号（ケース番号ＴＩ−１８４７８）には、過フルオロポ
リエーテル材料の層を用いる方法が述べられている。更
に、単分子層（モノレーヤー）が接触する要素間の摩擦
を低減でき、それにより固着の可能性を減らすことがで
きることが発見された。”ＤＭＤ用の低リセット電圧プ
ロセス（Ｌｏｗ Ｒｅｓｅｔ Ｖｏｌａｔｇｅ Ｐｒｏ
ｃｅｓｓ ｆｏｒ ＤＭＤ）”と題する米国特許出願第
０７／８２３，５８０号は蒸着法によってモノレーヤー
を形成する方法について述べている。これらの特許出願
はすべてテキサスインスツルメンツ社に譲渡されてい
る。
【０００６】
【発明の概要】本発明の１つの特徴は、相対的に移動す
る要素を有し、その要素の部分同士が互いに接触し、そ
の後その接触面において互いに固着してしまうような型
のマイクロメカニカルデバイスを改善することである。
前記改善点は、接触する表面の少なくとも一方の上に形
成される自己組立（ｓｅｌｆ−ａｓｓｅｍｂｌｅ）式の
単分子層（モノレーヤー）を含んでいる。このモノレー
ヤーは前駆物質を含む前駆物質溶液から形成され、前記
前駆物質はその前駆物質と被覆すべき表面とに関する配
位化学の見地から選ばれるようになっている。配位化学
の例として、被覆すべき表面がアルミニウムを含む場
合、適した前駆物質としてはｎ−アルカン酸、アルキル
蓚酸、ヒドロキサム酸、ホスホン酸、または硫酸塩があ
る。この前駆物質溶液はまた、溶液の表面エネルギーを
下げるための溶媒を含むことができ、その場合、その溶
媒は不必要な残留物を除去できるようなものに選ぶこと
ができるという付加的な利点も得られる。最後に、この
前駆物質は溶液の表面張力を減らすための表面活性剤を
含むこともできる。
る要素を有し、その要素の部分同士が互いに接触し、そ
の後その接触面において互いに固着してしまうような型
のマイクロメカニカルデバイスを改善することである。
前記改善点は、接触する表面の少なくとも一方の上に形
成される自己組立（ｓｅｌｆ−ａｓｓｅｍｂｌｅ）式の
単分子層（モノレーヤー）を含んでいる。このモノレー
ヤーは前駆物質を含む前駆物質溶液から形成され、前記
前駆物質はその前駆物質と被覆すべき表面とに関する配
位化学の見地から選ばれるようになっている。配位化学
の例として、被覆すべき表面がアルミニウムを含む場
合、適した前駆物質としてはｎ−アルカン酸、アルキル
蓚酸、ヒドロキサム酸、ホスホン酸、または硫酸塩があ
る。この前駆物質溶液はまた、溶液の表面エネルギーを
下げるための溶媒を含むことができ、その場合、その溶
媒は不必要な残留物を除去できるようなものに選ぶこと
ができるという付加的な利点も得られる。最後に、この
前駆物質は溶液の表面張力を減らすための表面活性剤を
含むこともできる。
【０００７】本発明の１つの特長は、それが熱的にも化
学的にも安定なコーティングを提供するということであ
る。液相での堆積法は、被覆すべき表面上に一旦モノレ
ーヤーが形成されると、そのデバイスを液体中から出さ
なくともコーティングが停止するという点で自己制限的
である。この液相堆積法は蒸着法よりも低温で行うこと
ができ、従って、マイクロメカニカル構造を高温に曝す
ことで発生する損傷が回避できる。最後に、モノレーヤ
ー用の前駆物質を含む溶液は、その前駆物質を供給する
ことの他に、洗浄を行うための物質を含むことができ
る。
学的にも安定なコーティングを提供するということであ
る。液相での堆積法は、被覆すべき表面上に一旦モノレ
ーヤーが形成されると、そのデバイスを液体中から出さ
なくともコーティングが停止するという点で自己制限的
である。この液相堆積法は蒸着法よりも低温で行うこと
ができ、従って、マイクロメカニカル構造を高温に曝す
ことで発生する損傷が回避できる。最後に、モノレーヤ
ー用の前駆物質を含む溶液は、その前駆物質を供給する
ことの他に、洗浄を行うための物質を含むことができ
る。
【０００８】
【実施例】一例として、以下の説明は、しばしば”変形
可能なミラーデバイス”と呼ばれる、一種のマイクロメ
カニカルデバイスである”デジタルマイクロ−ミラーデ
バイス”に関して行う。従来の技術の項で述べたよう
に、ＤＭＤの１つの用途として像の形成がある。そこに
おいて、ＤＭＤは結像面の方向へ選択的に光を反射させ
るように働く変形可能なミラーのアレイを含んでいる。
ＤＭＤによって形成される像は表示システムやノンイン
パクトプリント用として利用できる。光学的ステアリン
グ、光学的スイッチング、および加速度計のような像形
成を含まないＤＭＤのその他の用途も可能である。それ
らの用途のうちのいくつかにおいては、”ミラー”は必
ずしも反射性のものでなくてもよい。そのため、”ビー
ム（梁）”と呼ばれることもある。更に、いくつかの応
用において、ＤＭＤはデジタルモードで動作する必要が
必ずしもない。
可能なミラーデバイス”と呼ばれる、一種のマイクロメ
カニカルデバイスである”デジタルマイクロ−ミラーデ
バイス”に関して行う。従来の技術の項で述べたよう
に、ＤＭＤの１つの用途として像の形成がある。そこに
おいて、ＤＭＤは結像面の方向へ選択的に光を反射させ
るように働く変形可能なミラーのアレイを含んでいる。
ＤＭＤによって形成される像は表示システムやノンイン
パクトプリント用として利用できる。光学的ステアリン
グ、光学的スイッチング、および加速度計のような像形
成を含まないＤＭＤのその他の用途も可能である。それ
らの用途のうちのいくつかにおいては、”ミラー”は必
ずしも反射性のものでなくてもよい。そのため、”ビー
ム（梁）”と呼ばれることもある。更に、いくつかの応
用において、ＤＭＤはデジタルモードで動作する必要が
必ずしもない。
【０００９】一般に、”ＤＭＤ”という用語は、少なく
とも１つの偏向可能なビームであって、印加される力に
応じてそれが接触する着地電極の上方に空隙を隔てられ
ているビームを有する任意のマイクロメカニカルデバイ
スを含むものとしてここでは使用されている。本発明
は、ＤＭＤの製造工程において、ビーム要素の表面およ
びそれが着地する表面をコーティングするために用いら
れる。
とも１つの偏向可能なビームであって、印加される力に
応じてそれが接触する着地電極の上方に空隙を隔てられ
ているビームを有する任意のマイクロメカニカルデバイ
スを含むものとしてここでは使用されている。本発明
は、ＤＭＤの製造工程において、ビーム要素の表面およ
びそれが着地する表面をコーティングするために用いら
れる。
【００１０】本発明は、可動な要素を有するその他の型
のマイクロメカニカルデバイスに対しても有用である。
ＤＭＤの傾斜ビームと同様に、その他のマイクロメカニ
カルデバイスもその動作中に他の表面と接触することに
なる小型のローター、レバー、またはその他の移動部分
を有するであろうため、固着の可能性が生まれてくる。
のマイクロメカニカルデバイスに対しても有用である。
ＤＭＤの傾斜ビームと同様に、その他のマイクロメカニ
カルデバイスもその動作中に他の表面と接触することに
なる小型のローター、レバー、またはその他の移動部分
を有するであろうため、固着の可能性が生まれてくる。
【００１１】図１および図２はＤＭＤの１個のミラー要
素１０を示している。この例において、このビームは反
射性のミラー１１である。図１において、ミラー１１は
未偏向位置にあり、他方、図２ではミラー１１は着地電
極１７のほうへ傾斜することによって偏向された状態に
ある。上で述べたように、各種のＤＭＤ応用において、
そのようなミラー要素１０を単独で、あるいはアレイ状
に使用することができる。
素１０を示している。この例において、このビームは反
射性のミラー１１である。図１において、ミラー１１は
未偏向位置にあり、他方、図２ではミラー１１は着地電
極１７のほうへ傾斜することによって偏向された状態に
ある。上で述べたように、各種のＤＭＤ応用において、
そのようなミラー要素１０を単独で、あるいはアレイ状
に使用することができる。
【００１２】図１および図２のミラー要素１０は”捻り
ビーム”要素として知られている。片持ち梁や撓み梁を
含むその他の型のミラー要素１０を作製することもでき
る。”空間光変調器およびその方法（Ｓｐａｔｉａｌ
Ｌｉｇｈｔ Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏ
ｄ）”と題する米国特許第４，６６２，７４６号、”空
間光変調器（Ｓｐａｔｉａｌ Ｌｉｇｈｔ Ｍｏｄｕｌ
ａｔｏｒ）”と題する米国特許第４，９５６，６１０
号、”空間光変調器およびその方法（Ｓｐａｔｉａｌ
Ｌｉｇｈｔ Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏ
ｄ）”と題する米国特許第５，０６１，０４９号、”多
重レベルの変形可能なミラーデバイス（Ｍｕｌｔｉ−ｌ
ｅｖｅｌ Ｄｅｆｏｒｍａｂｌｅ Ｍｉｒｒｏｒ Ｄｅ
ｖｉｃｅ）”と題する米国特許第５，０８３，８５７
号、および米国特許出願第０８／０９７，８２４号には
各種の型のＤＭＤについて述べられている。これらの特
許はすべてテキサスインスツルメンツ社に譲渡されてお
り、ここに参考のために引用する。
ビーム”要素として知られている。片持ち梁や撓み梁を
含むその他の型のミラー要素１０を作製することもでき
る。”空間光変調器およびその方法（Ｓｐａｔｉａｌ
Ｌｉｇｈｔ Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏ
ｄ）”と題する米国特許第４，６６２，７４６号、”空
間光変調器（Ｓｐａｔｉａｌ Ｌｉｇｈｔ Ｍｏｄｕｌ
ａｔｏｒ）”と題する米国特許第４，９５６，６１０
号、”空間光変調器およびその方法（Ｓｐａｔｉａｌ
Ｌｉｇｈｔ Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏ
ｄ）”と題する米国特許第５，０６１，０４９号、”多
重レベルの変形可能なミラーデバイス（Ｍｕｌｔｉ−ｌ
ｅｖｅｌ Ｄｅｆｏｒｍａｂｌｅ Ｍｉｒｒｏｒ Ｄｅ
ｖｉｃｅ）”と題する米国特許第５，０８３，８５７
号、および米国特許出願第０８／０９７，８２４号には
各種の型のＤＭＤについて述べられている。これらの特
許はすべてテキサスインスツルメンツ社に譲渡されてお
り、ここに参考のために引用する。
【００１３】像形成の用途における動作時には、光源が
ＤＭＤの表面を照らす。この光をミラー要素１０のアレ
イの寸法にほぼ合わせ、またこの光をそれらの方向へ向
けるためにレンズ系を使用してもよい。各ミラー要素１
０は、支柱１３に取り付けられた捻りヒンジ１２によっ
てサポートされた傾斜ミラー１１を有する。それらの支
柱１３は基板１５上に形成されて、上方へ延びている。
ミラー１１は制御回路１４の上方に位置している。制御
回路１４は基板１５上に作製された番地およびメモリ回
路を含んでいる。
ＤＭＤの表面を照らす。この光をミラー要素１０のアレ
イの寸法にほぼ合わせ、またこの光をそれらの方向へ向
けるためにレンズ系を使用してもよい。各ミラー要素１
０は、支柱１３に取り付けられた捻りヒンジ１２によっ
てサポートされた傾斜ミラー１１を有する。それらの支
柱１３は基板１５上に形成されて、上方へ延びている。
ミラー１１は制御回路１４の上方に位置している。制御
回路１４は基板１５上に作製された番地およびメモリ回
路を含んでいる。
【００１４】制御回路１４のメモリセル中のデータに依
存した電圧が、ミラー１１の対向する隅下に位置する２
つのアドレス電極１６へ印加される。アドレス電極１６
に対して選択的な電圧供給を行うことによって、ミラー
１１とそれらのアドレス電極１６との間に静電力が生成
される。この静電力が各ミラー１１を約＋１０度（オ
ン）または約−１０度（オフ）のいずれかへ傾斜させ、
それによって、ＤＭＤの表面へ入射する光の変調が行わ
れる。”オン”ミラー１１で反射された光は、表示光学
系を通って結像面へ向かう。”オフ”ミラーからの反射
光は結像面からは外れてしまう。結果のパターンが像を
形成する。各像フレームでの、ミラー１１が”オン”で
ある時間長がグレイ度を決定する。カラーホイール（ｃ
ｏｌｏｒｗｈｅｅｌ）または３ＤＭＤ構成を採用するこ
とによって色を加えることができる。
存した電圧が、ミラー１１の対向する隅下に位置する２
つのアドレス電極１６へ印加される。アドレス電極１６
に対して選択的な電圧供給を行うことによって、ミラー
１１とそれらのアドレス電極１６との間に静電力が生成
される。この静電力が各ミラー１１を約＋１０度（オ
ン）または約−１０度（オフ）のいずれかへ傾斜させ、
それによって、ＤＭＤの表面へ入射する光の変調が行わ
れる。”オン”ミラー１１で反射された光は、表示光学
系を通って結像面へ向かう。”オフ”ミラーからの反射
光は結像面からは外れてしまう。結果のパターンが像を
形成する。各像フレームでの、ミラー１１が”オン”で
ある時間長がグレイ度を決定する。カラーホイール（ｃ
ｏｌｏｒｗｈｅｅｌ）または３ＤＭＤ構成を採用するこ
とによって色を加えることができる。
【００１５】実効的には、ミラー１１とそれのアドレス
電極１６とがコンデンサーを構成する。ミラー１１とそ
れのアドレス電極１６との間に適切な電圧が印加される
と、その結果静電力（引力または斥力）が生じて、ミラ
ー１１を吸引アドレス電極１６の方向へ傾斜させるか、
あるいは反発アドレス電極１６から遠ざける。ミラー１
１はそれの端部が下層の着地電極１７に接するまで傾
く。
電極１６とがコンデンサーを構成する。ミラー１１とそ
れのアドレス電極１６との間に適切な電圧が印加される
と、その結果静電力（引力または斥力）が生じて、ミラ
ー１１を吸引アドレス電極１６の方向へ傾斜させるか、
あるいは反発アドレス電極１６から遠ざける。ミラー１
１はそれの端部が下層の着地電極１７に接するまで傾
く。
【００１６】一旦、アドレス電極１６とミラー１１との
間の静電力が取り除かれると、ヒンジ１２に蓄えられて
いたエネルギーがミラー１１を未偏向位置へ戻す復帰力
を提供する。ミラー１１をそれの未偏向位置へ戻すのを
助けるために、ミラー１１またはアドレス電極１６に対
して適当な電圧を供給することもできる。
間の静電力が取り除かれると、ヒンジ１２に蓄えられて
いたエネルギーがミラー１１を未偏向位置へ戻す復帰力
を提供する。ミラー１１をそれの未偏向位置へ戻すのを
助けるために、ミラー１１またはアドレス電極１６に対
して適当な電圧を供給することもできる。
【００１７】図１および図２に示されたように、ミラー
要素１０は着地電極１７の上面およびミラー１１の下面
を含む露出した表面を覆って層１９を有している。この
層１９はここでは”単分子層（モノレーヤー）”と呼ば
れ、その層を構成する分子の長さにほぼ等しい厚さを有
する膜として定義される。モノレーヤー１９は電極１７
およびミラー１１の表面上にのみ示されているが、後に
述べるように、この堆積工程は必ずしも選択的でなくと
もよく、モノレーヤー１９はモノレーヤー１９の形成に
関するそれらの表面の取り扱い易さに依存して、その他
の露出面にも形成することができる。
要素１０は着地電極１７の上面およびミラー１１の下面
を含む露出した表面を覆って層１９を有している。この
層１９はここでは”単分子層（モノレーヤー）”と呼ば
れ、その層を構成する分子の長さにほぼ等しい厚さを有
する膜として定義される。モノレーヤー１９は電極１７
およびミラー１１の表面上にのみ示されているが、後に
述べるように、この堆積工程は必ずしも選択的でなくと
もよく、モノレーヤー１９はモノレーヤー１９の形成に
関するそれらの表面の取り扱い易さに依存して、その他
の露出面にも形成することができる。
【００１８】図３はモノレーヤー１９を形成するために
使用される本発明の方法を示す。一例ということで、上
で述べた型のＤＭＤのミラー要素１０を１個だけ作製す
る場合について本発明の方法を説明する。一般に本方法
は、ミラー要素１０のアレイを有するＤＭＤの作製に対
して、あるいは少なくとも１個の可動要素を有するその
他の任意のマイクロメカニカルデバイスの作製に対して
用いられよう。
使用される本発明の方法を示す。一例ということで、上
で述べた型のＤＭＤのミラー要素１０を１個だけ作製す
る場合について本発明の方法を説明する。一般に本方法
は、ミラー要素１０のアレイを有するＤＭＤの作製に対
して、あるいは少なくとも１個の可動要素を有するその
他の任意のマイクロメカニカルデバイスの作製に対して
用いられよう。
【００１９】図３の方法は、ＤＭＤまたはその他のマイ
クロメカニカルデバイスの接触要素が本質的に作製され
ていると仮定する。従って、ミラー要素１０の場合に
は、電極１７とミラー１１とは図３の方法に先だって作
製されている。
クロメカニカルデバイスの接触要素が本質的に作製され
ていると仮定する。従って、ミラー要素１０の場合に
は、電極１７とミラー１１とは図３の方法に先だって作
製されている。
【００２０】工程３２において、ＤＭＤは洗浄されて、
汚染物質が除去される。工程３２は、ドライプロセスや
溶液に基づくプロセス等の従来の洗浄方法でよい。
汚染物質が除去される。工程３２は、ドライプロセスや
溶液に基づくプロセス等の従来の洗浄方法でよい。
【００２１】工程３３において、層１９を形成するため
の前駆物質分子を含む溶液が準備される。この溶液は前
駆物質の液相堆積に用いられ、自己組立式のモノレーヤ
ー１９が得られる。この溶液をここでは”前駆物質溶
液”と呼ぶ。
の前駆物質分子を含む溶液が準備される。この溶液は前
駆物質の液相堆積に用いられ、自己組立式のモノレーヤ
ー１９が得られる。この溶液をここでは”前駆物質溶
液”と呼ぶ。
【００２２】前駆物質は、前駆物質とコーティングされ
る表面とに関する配位化学に基づいて選択される。テキ
サスインスツルメンツ社に譲渡され、ここに参考のため
に引用された”マイクロメカニカルデバイス用の分子認
識を利用したモノレーヤーコーティング（Ｍｏｎｏｌａ
ｙｅｒ Ｃｏａｔｉｎｇ Ｕｓｉｎｇ Ｍｏｌｅｃｕｌ
ａｒ Ｒｅｃｏｇｎｉｔｉｏｎ ｆｏｒ Ｍｉｃｒｏ−
ｍｅｃｈａｎｉｃａｌＤｅｖｉｃｅｓ）”と題する米国
特許出願第０８／２６８，９０１号はコーティングすべ
き表面がアルミニウム酸化物または貴金属である場合の
そのような化学の例について述べている。アルミニウム
酸化物表面の場合、それに先行する処理の結果として、
表面は必ずしも純粋な酸化物表面ではない。このよう
な”処理されたアルミニウム酸化物”表面に対して、適
した前駆物質は、アルキル蓚酸、ヒドロキサム酸、ホス
ホン酸、硫酸塩、アミン、およびアルコールである。ア
ルミニウムであれその他の金属であれ、その表面は大気
に曝すことあるいは処理することのために、かなりの量
の酸化物層を含むことが考えられる。前駆物質の種類は
このような金属酸化物と反応するものに選ばれる。理論
上は酸化物の存在しない貴金属表面はその他の前駆物質
種を含む。金表面の場合には、適した前駆物質は硫黄、
リン、あるいは砒素を含むものである。
る表面とに関する配位化学に基づいて選択される。テキ
サスインスツルメンツ社に譲渡され、ここに参考のため
に引用された”マイクロメカニカルデバイス用の分子認
識を利用したモノレーヤーコーティング（Ｍｏｎｏｌａ
ｙｅｒ Ｃｏａｔｉｎｇ Ｕｓｉｎｇ Ｍｏｌｅｃｕｌ
ａｒ Ｒｅｃｏｇｎｉｔｉｏｎ ｆｏｒ Ｍｉｃｒｏ−
ｍｅｃｈａｎｉｃａｌＤｅｖｉｃｅｓ）”と題する米国
特許出願第０８／２６８，９０１号はコーティングすべ
き表面がアルミニウム酸化物または貴金属である場合の
そのような化学の例について述べている。アルミニウム
酸化物表面の場合、それに先行する処理の結果として、
表面は必ずしも純粋な酸化物表面ではない。このよう
な”処理されたアルミニウム酸化物”表面に対して、適
した前駆物質は、アルキル蓚酸、ヒドロキサム酸、ホス
ホン酸、硫酸塩、アミン、およびアルコールである。ア
ルミニウムであれその他の金属であれ、その表面は大気
に曝すことあるいは処理することのために、かなりの量
の酸化物層を含むことが考えられる。前駆物質の種類は
このような金属酸化物と反応するものに選ばれる。理論
上は酸化物の存在しない貴金属表面はその他の前駆物質
種を含む。金表面の場合には、適した前駆物質は硫黄、
リン、あるいは砒素を含むものである。
【００２３】この説明の目的のために、上述の前駆物質
の指定は任意の各種過ハロゲン化物（ｐｅｒｈａｌｏｇ
ｅｎａｔｅｄ ｖａｒｉａｎｔ）を含むものとする。例
えば、ｎ−アルカン酸およびホスホン酸は抗接着性およ
び潤滑性を改善するために過フッ素化することができ
る。
の指定は任意の各種過ハロゲン化物（ｐｅｒｈａｌｏｇ
ｅｎａｔｅｄ ｖａｒｉａｎｔ）を含むものとする。例
えば、ｎ−アルカン酸およびホスホン酸は抗接着性およ
び潤滑性を改善するために過フッ素化することができ
る。
【００２４】前駆物質溶液は、前駆物質に加えて溶媒を
含むことができる。過フッ素化された溶媒および過フッ
素化されていない溶媒を使用することができる。前者は
表面張力を減ずるためのもので、後者は洗浄のためのも
のである。更に詳細には、過フッ素化された溶媒を使用
することの利点は、脆いマイクロメカニカル部品に損傷
を与える可能性のある毛管力が溶液の低い表面張力のた
めに減じられるということである。そのような溶媒の例
としては、３Ｍ社から市販されている製品であるＦＬＵ
ＯＲＩＮＥＲＴのような過フッ素化された溶媒がある。
その他、トルエンのような、フッ素化されていない溶媒
を用いて自己組立することもできる。このような溶媒を
使用することの利点は、ＤＭＤの場合のフォトレジスト
残滓のような、先行の製造工程での不要な残留物を除去
することの手助けとなるということである。コーティン
グすべき表面が、処理されたアルミニウム酸化物である
場合には、適当な溶液として１ミリモルオーダーの濃度
の過フッ素化されたｎ−アルカン酸がある。
含むことができる。過フッ素化された溶媒および過フッ
素化されていない溶媒を使用することができる。前者は
表面張力を減ずるためのもので、後者は洗浄のためのも
のである。更に詳細には、過フッ素化された溶媒を使用
することの利点は、脆いマイクロメカニカル部品に損傷
を与える可能性のある毛管力が溶液の低い表面張力のた
めに減じられるということである。そのような溶媒の例
としては、３Ｍ社から市販されている製品であるＦＬＵ
ＯＲＩＮＥＲＴのような過フッ素化された溶媒がある。
その他、トルエンのような、フッ素化されていない溶媒
を用いて自己組立することもできる。このような溶媒を
使用することの利点は、ＤＭＤの場合のフォトレジスト
残滓のような、先行の製造工程での不要な残留物を除去
することの手助けとなるということである。コーティン
グすべき表面が、処理されたアルミニウム酸化物である
場合には、適当な溶液として１ミリモルオーダーの濃度
の過フッ素化されたｎ−アルカン酸がある。
【００２５】前駆物質溶液は、前記物質溶液の表面張力
を減じるために表面活性剤を含むこともできる。そのよ
うな表面活性剤の例として、３Ｍ社から市販されている
製品のＰＦ５０５２がある。
を減じるために表面活性剤を含むこともできる。そのよ
うな表面活性剤の例として、３Ｍ社から市販されている
製品のＰＦ５０５２がある。
【００２６】満足できる前駆物質溶液を選ぶ場合に考慮
すべき別のことは、前駆物質分子の結晶化または集合を
避けるべきであるということである。過フッ素化溶媒の
決定はこの要求を満たすように行われた。
すべき別のことは、前駆物質分子の結晶化または集合を
避けるべきであるということである。過フッ素化溶媒の
決定はこの要求を満たすように行われた。
【００２７】工程３４は液相での堆積工程であり、コー
ティングすべき表面が前駆物質溶液中に浸される。典型
的には、この堆積はデバイス全体を溶液中に浸すことに
よって行われる。しかし、少なくともコーティングすべ
き表面を浸すようにする任意の方法でも構わない。図１
および図２に関して上述したように、液相での堆積は必
ずしも空間的に選択的でなくてもよい。電極１７とミラ
ー１１の表面以外の表面にモノレーヤー１９の層を形成
することが典型的なマイクロメカニカルデバイスの動作
に影響を及ぼすとは考えられない。
ティングすべき表面が前駆物質溶液中に浸される。典型
的には、この堆積はデバイス全体を溶液中に浸すことに
よって行われる。しかし、少なくともコーティングすべ
き表面を浸すようにする任意の方法でも構わない。図１
および図２に関して上述したように、液相での堆積は必
ずしも空間的に選択的でなくてもよい。電極１７とミラ
ー１１の表面以外の表面にモノレーヤー１９の層を形成
することが典型的なマイクロメカニカルデバイスの動作
に影響を及ぼすとは考えられない。
【００２８】デバイスは前駆物質溶液中に十分な時間長
留められ、自己組立式モノレーヤー１９の形成が許容さ
れる。必要な時間は実験的に決定され、また関連する材
料に依存する。一般に、デバイスは前駆物質溶液中に、
少なくともコーティングすべき表面が飽和するのに十分
な時間だけ置かれる。もし前駆物質溶液が低い表面張力
を有するように準備されていれば、必要な時間を越えて
浸しておいても脆いマイクロメカニカル要素が損傷を受
けることはない。
留められ、自己組立式モノレーヤー１９の形成が許容さ
れる。必要な時間は実験的に決定され、また関連する材
料に依存する。一般に、デバイスは前駆物質溶液中に、
少なくともコーティングすべき表面が飽和するのに十分
な時間だけ置かれる。もし前駆物質溶液が低い表面張力
を有するように準備されていれば、必要な時間を越えて
浸しておいても脆いマイクロメカニカル要素が損傷を受
けることはない。
【００２９】本発明の１つの特徴は、モノレーヤー１９
を形成する液相での堆積がその他のコーティングでの気
相堆積における温度よりも大幅に低い温度で行われると
いうことである。これによってデバイスに対する損傷の
可能性が減る。
を形成する液相での堆積がその他のコーティングでの気
相堆積における温度よりも大幅に低い温度で行われると
いうことである。これによってデバイスに対する損傷の
可能性が減る。
【００３０】マイクロメカニカルデバイスを前駆物質溶
液から取り出す工程３５は、脆いマイクロメカニカル部
品に対する損傷を最小限に留めるようにゆっくり行わな
ければならない。デバイスを類似の溶液から分離するた
めの方法が、テキサスインスツルメンツ社に譲渡され
た”マイクロメカニカルデバイス部品の剥離方法（Ｍｅ
ｔｈｏｄ ｏｆ ｕｎｓｔｉｃｋｉｎｇ ｃｏｍｐｏｎ
ｅｎｔｓ ｏｆ ｍｉｃｒｏ−ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ
ｄｅｖｉｃｅｓ）”と題する米国特許出願第０８／２６
３，２９２号（ケース番号ＴＩ−１８７０５）に述べら
れている。この出願をここに参考のために引用する。
液から取り出す工程３５は、脆いマイクロメカニカル部
品に対する損傷を最小限に留めるようにゆっくり行わな
ければならない。デバイスを類似の溶液から分離するた
めの方法が、テキサスインスツルメンツ社に譲渡され
た”マイクロメカニカルデバイス部品の剥離方法（Ｍｅ
ｔｈｏｄ ｏｆ ｕｎｓｔｉｃｋｉｎｇ ｃｏｍｐｏｎ
ｅｎｔｓ ｏｆ ｍｉｃｒｏ−ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ
ｄｅｖｉｃｅｓ）”と題する米国特許出願第０８／２６
３，２９２号（ケース番号ＴＩ−１８７０５）に述べら
れている。この出願をここに参考のために引用する。
【００３１】実験の結果、浸漬以外の方法でも、モノレ
ーヤー１９を自己組立することができることが分かっ
た。例えば、前駆物質を噴霧して得られる小滴をコーテ
ィングすべき表面へ吹き付けることによっても浸漬と同
じような自己組立を実現できる。
ーヤー１９を自己組立することができることが分かっ
た。例えば、前駆物質を噴霧して得られる小滴をコーテ
ィングすべき表面へ吹き付けることによっても浸漬と同
じような自己組立を実現できる。
【００３２】工程３４の結果、モノレーヤー１９が自発
的に形成される。前駆物質とコーティングすべき表面と
の配位化学のために、化学的結合手が形成されて、前駆
物質分子をこれらの表面へつなぎ止める。前駆物質の分
子は溶液に曝される表面上の利用できるすべての結合サ
イトを占有しようとする。
的に形成される。前駆物質とコーティングすべき表面と
の配位化学のために、化学的結合手が形成されて、前駆
物質分子をこれらの表面へつなぎ止める。前駆物質の分
子は溶液に曝される表面上の利用できるすべての結合サ
イトを占有しようとする。
【００３３】図４はマイクロメカニカルデバイスの表面
上の自己組立されたモノレーヤー１９の分子構造を示
す。一例として、図示の表面は先に図１および図２に関
して説明したように基板１５上に作製された電極１７の
表面としてある。前駆物質分子４０の化学的に活性な官
能基は、電極１７の表面へ結合する。前駆物質分子４０
はファン・デル・ワールス相互作用のために、それら自
身で整列する。分子４０のヘッドグループ（ｈｅａｄ
ｇｒｏｕｐ）は電極１７の表面に結合する。
上の自己組立されたモノレーヤー１９の分子構造を示
す。一例として、図示の表面は先に図１および図２に関
して説明したように基板１５上に作製された電極１７の
表面としてある。前駆物質分子４０の化学的に活性な官
能基は、電極１７の表面へ結合する。前駆物質分子４０
はファン・デル・ワールス相互作用のために、それら自
身で整列する。分子４０のヘッドグループ（ｈｅａｄ
ｇｒｏｕｐ）は電極１７の表面に結合する。
【００３４】電極１７の表面と前駆物質との反応は、雰
囲気環境に存在する可能性のある湿気やその他の汚染物
と表面とが反応することを排除する。
囲気環境に存在する可能性のある湿気やその他の汚染物
と表面とが反応することを排除する。
【００３５】
【その他の実施例】本発明は特定の実施例に関して説明
してきたが、この説明は限定的なものではない。例示実
施例に関する各種修正や、代替え実施例が当業者には明
らかであろう。従って、特許請求の範囲は本発明の真の
スコープに含まれるすべての修正および代替え実施例を
包含するものと解釈されるべきである。
してきたが、この説明は限定的なものではない。例示実
施例に関する各種修正や、代替え実施例が当業者には明
らかであろう。従って、特許請求の範囲は本発明の真の
スコープに含まれるすべての修正および代替え実施例を
包含するものと解釈されるべきである。
【００３６】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 （１）相対的に移動する要素を有し、前記移動要素の部
分同士が互いに接触し、その後、その接触面において互
いに固着してしまう型の改良されたマイクロメカニカル
デバイスであって、前記接触する表面の少なくとも一方
の上に、前駆物質を含む前駆物質溶液から形成される自
己組立された単分子層、を含んでいるデバイス。
る。 （１）相対的に移動する要素を有し、前記移動要素の部
分同士が互いに接触し、その後、その接触面において互
いに固着してしまう型の改良されたマイクロメカニカル
デバイスであって、前記接触する表面の少なくとも一方
の上に、前駆物質を含む前駆物質溶液から形成される自
己組立された単分子層、を含んでいるデバイス。
【００３７】（２）第１項記載のデバイスであって、前
記前駆物質が前記前駆物質とコーティングすべき表面と
の間の配位化学に基づいて選ばれるものであるデバイ
ス。
記前駆物質が前記前駆物質とコーティングすべき表面と
の間の配位化学に基づいて選ばれるものであるデバイ
ス。
【００３８】（３）第１項記載のデバイスであって、前
記接触する表面の少なくとも一方の面が金属を含み、前
記前駆物質溶液が炭化水素またはフッ化炭化水素前駆物
質を含んでいるデバイス。
記接触する表面の少なくとも一方の面が金属を含み、前
記前駆物質溶液が炭化水素またはフッ化炭化水素前駆物
質を含んでいるデバイス。
【００３９】（４）第１項記載のデバイスであって、前
記接触する表面の少なくとも一方の面が主としてアルミ
ニウム酸化物であり、前記前駆物質がｎ−アルカン酸で
あるデバイス。
記接触する表面の少なくとも一方の面が主としてアルミ
ニウム酸化物であり、前記前駆物質がｎ−アルカン酸で
あるデバイス。
【００４０】（５）第１項記載のデバイスであって、前
記接触する表面の少なくとも一方の面が主としてアルミ
ニウム酸化物であり、前記前駆物質がアルキル蓚酸であ
るデバイス。
記接触する表面の少なくとも一方の面が主としてアルミ
ニウム酸化物であり、前記前駆物質がアルキル蓚酸であ
るデバイス。
【００４１】（６）第１項記載のデバイスであって、前
記接触する表面の少なくとも一方の面が主としてアルミ
ニウム酸化物であり、前記前駆物質がヒドロキサム酸で
あるデバイス。
記接触する表面の少なくとも一方の面が主としてアルミ
ニウム酸化物であり、前記前駆物質がヒドロキサム酸で
あるデバイス。
【００４２】（７）第１項記載のデバイスであって、前
記接触する表面の少なくとも一方の面が主としてアルミ
ニウム酸化物であり、前記前駆物質がホスホン酸である
デバイス。
記接触する表面の少なくとも一方の面が主としてアルミ
ニウム酸化物であり、前記前駆物質がホスホン酸である
デバイス。
【００４３】（８）第１項記載のデバイスであって、前
記前駆物質溶液が更に溶媒を含んでいるデバイス。
記前駆物質溶液が更に溶媒を含んでいるデバイス。
【００４４】（９）第１項記載のデバイスであって、前
記前駆物質溶液が更に前記溶液の表面張力を減ずるため
の表面活性剤を含んでいるデバイス。
記前駆物質溶液が更に前記溶液の表面張力を減ずるため
の表面活性剤を含んでいるデバイス。
【００４５】（１０）マイクロメカニカルデバイスの接
触要素が固着するのを防止する方法であって、前記接触
する要素の少なくとも一方が実質的に作製されるよう
に、前記マイクロメカニカルデバイスを少なくとも部分
的に作製すること、および前記少なくとも一方の接触す
る要素の少なくとも表面を前駆物質を含む前駆物質溶液
中に浸し、前記前駆物質の分子が前記表面に結合して、
自己組立されたモノレーヤーを形成するようにするこ
と、の工程を含む方法。
触要素が固着するのを防止する方法であって、前記接触
する要素の少なくとも一方が実質的に作製されるよう
に、前記マイクロメカニカルデバイスを少なくとも部分
的に作製すること、および前記少なくとも一方の接触す
る要素の少なくとも表面を前駆物質を含む前駆物質溶液
中に浸し、前記前駆物質の分子が前記表面に結合して、
自己組立されたモノレーヤーを形成するようにするこ
と、の工程を含む方法。
【００４６】（１１）第１０項記載の方法であって、前
記前駆物質が前記前駆物質とコーティングすべき表面と
の間の配位化学に基づいて選ばれるものである方法。
記前駆物質が前記前駆物質とコーティングすべき表面と
の間の配位化学に基づいて選ばれるものである方法。
【００４７】（１２）第１０項記載の方法であって、前
記表面が金属を含み、前記前駆物質溶液が炭化水素また
はフッ化炭化水素前駆物質を含んでいる方法。
記表面が金属を含み、前記前駆物質溶液が炭化水素また
はフッ化炭化水素前駆物質を含んでいる方法。
【００４８】（１３）第１０項記載の方法であって、前
記表面が主としてアルミニウム酸化物であり、前記前駆
物質がｎ−アルカン酸である方法。
記表面が主としてアルミニウム酸化物であり、前記前駆
物質がｎ−アルカン酸である方法。
【００４９】（１４）第１０項記載の方法であって、前
記表面が主としてアルミニウム酸化物であり、前記前駆
物質がアルキル蓚酸である方法。
記表面が主としてアルミニウム酸化物であり、前記前駆
物質がアルキル蓚酸である方法。
【００５０】（１５）第１０項記載の方法であって、前
記表面が主としてアルミニウム酸化物であり、前記前駆
物質がヒドロキサム酸である方法。
記表面が主としてアルミニウム酸化物であり、前記前駆
物質がヒドロキサム酸である方法。
【００５１】（１６）第１０項記載の方法であって、前
記表面が主としてアルミニウム酸化物であり、前記前駆
物質がホスホン酸である方法。
記表面が主としてアルミニウム酸化物であり、前記前駆
物質がホスホン酸である方法。
【００５２】（１７）第１０項記載の方法であって、前
記前駆物質溶液が更に溶媒を含んでいる方法。
記前駆物質溶液が更に溶媒を含んでいる方法。
【００５３】（１８）第１０項記載の方法であって、前
記前駆物質溶液が更に前記溶液の表面張力を減ずるため
の表面活性剤を含んでいる方法。
記前駆物質溶液が更に前記溶液の表面張力を減ずるため
の表面活性剤を含んでいる方法。
【００５４】（１９）デジタル・マイクロミラーデバイ
スであって、次のような要素：少なくとも１つの着地電
極、支柱、前記支柱から延びたヒンジ、前記ヒンジに取
り付けられた質量物、をその上に作製された基板であっ
て、そこにおいて、前記ヒンジが変形可能であり、それ
によって力が印加された時に前記質量物が前記着地電極
に接するようになった基板、およびそこにおいて、前記
質量物または前記着地電極のいずれかの表面、あるいは
前記接触する両方の表面が自己組立される単分子層によ
ってコーティングされるようになった、デジタルミラー
デバイス。
スであって、次のような要素：少なくとも１つの着地電
極、支柱、前記支柱から延びたヒンジ、前記ヒンジに取
り付けられた質量物、をその上に作製された基板であっ
て、そこにおいて、前記ヒンジが変形可能であり、それ
によって力が印加された時に前記質量物が前記着地電極
に接するようになった基板、およびそこにおいて、前記
質量物または前記着地電極のいずれかの表面、あるいは
前記接触する両方の表面が自己組立される単分子層によ
ってコーティングされるようになった、デジタルミラー
デバイス。
【００５５】（２０）第１９項記載のデバイスであっ
て、前記一方の表面または両方の表面が主としてアルミ
ニウム酸化物であり、前記自己組立された単分子層がｎ
−アルカン前駆物質を含んでいるデバイス。
て、前記一方の表面または両方の表面が主としてアルミ
ニウム酸化物であり、前記自己組立された単分子層がｎ
−アルカン前駆物質を含んでいるデバイス。
【００５６】（２１）マイクロメカニカルデバイス１
０、特に他の要素と接触する可動要素であって、接触の
結果、固着する傾向を有する要素を有するデバイスの接
触要素１１、１７の表面に単分子層のコーティング１９
を形成する方法。本方法では液相での堆積法が用いら
れ、本デバイスはコーティングを形成するための前駆物
質を含む溶液中へ浸される。前駆物質は前記物質とコー
ティングすべき表面との間の配位化学に基づいて選ばれ
る。
０、特に他の要素と接触する可動要素であって、接触の
結果、固着する傾向を有する要素を有するデバイスの接
触要素１１、１７の表面に単分子層のコーティング１９
を形成する方法。本方法では液相での堆積法が用いら
れ、本デバイスはコーティングを形成するための前駆物
質を含む溶液中へ浸される。前駆物質は前記物質とコー
ティングすべき表面との間の配位化学に基づいて選ばれ
る。
【図１】ビーム要素が未偏向の位置にある、本発明に従
って作製されたマイクロメカニカルデバイスの１つの型
であるデジタルマイクロ−ミラーデバイス（ＤＭＤ）を
示す図。
って作製されたマイクロメカニカルデバイスの１つの型
であるデジタルマイクロ−ミラーデバイス（ＤＭＤ）を
示す図。
【図２】ビーム要素が偏向位置にある図１のＤＭＤを示
す図。
す図。
【図３】本発明の方法の工程図。
【図４】図１および図２のモノレーヤー構造を示す図。
１０ ミラー要素 １１ ミラー １２ 捻りヒンジ １３ 支柱 １４ 制御回路 １５ 基板 １６ アドレス電極 １７ 着地電極 １９ 単分子層 ３２ 洗浄工程 ３３ 前駆物質溶液準備工程 ３４ 液相堆積工程 ３５ 取出し工程 ４０ 前駆物質分子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ブルース イー．グナーデ アメリカ合衆国テキサス州ダラス，クロス クリーク 12219
Claims (2)
- 【請求項１】 相対的に移動する要素を有し、前記移動
要素の部分同士が互いに接触し、その後、その接触面に
おいて互いに固着してしまう型の改良されたマイクロメ
カニカルデバイスであって、 前記接触する表面の少なくとも一方の上に、前駆物質を
含む前駆物質溶液から形成される自己組立された単分子
層、を含んでいるデバイス。 - 【請求項２】 マイクロメカニカルデバイスの接触要素
が固着するのを防止する方法であって、 前記接触する要素の少なくとも一方が実質的に作製され
るように、前記マイクロメカニカルデバイスを少なくと
も部分的に作製すること、および前記少なくとも一方の
接触する要素の少なくとも表面を前駆物質を含む前駆物
質溶液中に浸し、前記前駆物質の分子が前記表面に結合
して、自己組立されたモノレーヤーを形成するようにす
ること、の工程を含む方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/268,485 US5523878A (en) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | Self-assembled monolayer coating for micro-mechanical devices |
| US268485 | 1994-06-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0882754A true JPH0882754A (ja) | 1996-03-26 |
Family
ID=23023218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7166507A Pending JPH0882754A (ja) | 1994-06-30 | 1995-06-30 | マイクロメカニカルデバイス用の自己組立式モノレーヤーコーティング |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5523878A (ja) |
| JP (1) | JPH0882754A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004102227A (ja) * | 2002-05-28 | 2004-04-02 | Korea Advanced Inst Of Science & Technol | マイクロミラーアクチュエーター |
Families Citing this family (143)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6219015B1 (en) | 1992-04-28 | 2001-04-17 | The Board Of Directors Of The Leland Stanford, Junior University | Method and apparatus for using an array of grating light valves to produce multicolor optical images |
| US5841579A (en) | 1995-06-07 | 1998-11-24 | Silicon Light Machines | Flat diffraction grating light valve |
| US5982553A (en) | 1997-03-20 | 1999-11-09 | Silicon Light Machines | Display device incorporating one-dimensional grating light-valve array |
| US6076256A (en) * | 1997-04-18 | 2000-06-20 | Seagate Technology, Inc. | Method for manufacturing magneto-optical data storage system |
| US5903383A (en) * | 1997-05-19 | 1999-05-11 | The Charles Stark Draper Laboratory Inc. | Electrostatic memory micromirror display system |
| US6088102A (en) | 1997-10-31 | 2000-07-11 | Silicon Light Machines | Display apparatus including grating light-valve array and interferometric optical system |
| US6271808B1 (en) | 1998-06-05 | 2001-08-07 | Silicon Light Machines | Stereo head mounted display using a single display device |
| US6004912A (en) | 1998-06-05 | 1999-12-21 | Silicon Light Machines | Vapor phase low molecular weight lubricants |
| US6046966A (en) * | 1998-06-10 | 2000-04-04 | Seagate Technology, Inc. | Magneto-optical data storage system |
| US6200882B1 (en) | 1998-06-10 | 2001-03-13 | Seagate Technology, Inc. | Method for processing a plurality of micro-machined mirror assemblies |
| US6130770A (en) | 1998-06-23 | 2000-10-10 | Silicon Light Machines | Electron gun activated grating light valve |
| US6101036A (en) | 1998-06-23 | 2000-08-08 | Silicon Light Machines | Embossed diffraction grating alone and in combination with changeable image display |
| US6215579B1 (en) | 1998-06-24 | 2001-04-10 | Silicon Light Machines | Method and apparatus for modulating an incident light beam for forming a two-dimensional image |
| US6303986B1 (en) | 1998-07-29 | 2001-10-16 | Silicon Light Machines | Method of and apparatus for sealing an hermetic lid to a semiconductor die |
| US6872984B1 (en) | 1998-07-29 | 2005-03-29 | Silicon Light Machines Corporation | Method of sealing a hermetic lid to a semiconductor die at an angle |
| US6198180B1 (en) * | 1999-06-30 | 2001-03-06 | Sandia Corporation | Micromechanisms with floating pivot |
| US6744550B2 (en) * | 1999-11-16 | 2004-06-01 | Xros, Inc. | Two-dimensional micro-mirror array enhancements |
| DE19959707A1 (de) * | 1999-12-10 | 2001-06-13 | Bosch Gmbh Robert | Mikromechanische Struktur, insbesondere für einen Beschleunigungssensor |
| US6956878B1 (en) | 2000-02-07 | 2005-10-18 | Silicon Light Machines Corporation | Method and apparatus for reducing laser speckle using polarization averaging |
| US6252307B1 (en) | 2000-03-28 | 2001-06-26 | International Business Machines Corporation | Structure for preventing adhesive bleed onto surfaces |
| US6867897B2 (en) * | 2003-01-29 | 2005-03-15 | Reflectivity, Inc | Micromirrors and off-diagonal hinge structures for micromirror arrays in projection displays |
| US7177081B2 (en) | 2001-03-08 | 2007-02-13 | Silicon Light Machines Corporation | High contrast grating light valve type device |
| US6707591B2 (en) | 2001-04-10 | 2004-03-16 | Silicon Light Machines | Angled illumination for a single order light modulator based projection system |
| US6865346B1 (en) | 2001-06-05 | 2005-03-08 | Silicon Light Machines Corporation | Fiber optic transceiver |
| US6747781B2 (en) | 2001-06-25 | 2004-06-08 | Silicon Light Machines, Inc. | Method, apparatus, and diffuser for reducing laser speckle |
| US6782205B2 (en) | 2001-06-25 | 2004-08-24 | Silicon Light Machines | Method and apparatus for dynamic equalization in wavelength division multiplexing |
| US6614581B2 (en) * | 2001-07-03 | 2003-09-02 | Network Photonics, Inc. | Methods and apparatus for providing a multi-stop micromirror |
| US6625342B2 (en) * | 2001-07-03 | 2003-09-23 | Network Photonics, Inc. | Systems and methods for overcoming stiction using a lever |
| US6829092B2 (en) | 2001-08-15 | 2004-12-07 | Silicon Light Machines, Inc. | Blazed grating light valve |
| US6930364B2 (en) | 2001-09-13 | 2005-08-16 | Silicon Light Machines Corporation | Microelectronic mechanical system and methods |
| US6956995B1 (en) | 2001-11-09 | 2005-10-18 | Silicon Light Machines Corporation | Optical communication arrangement |
| US6800238B1 (en) | 2002-01-15 | 2004-10-05 | Silicon Light Machines, Inc. | Method for domain patterning in low coercive field ferroelectrics |
| US6767751B2 (en) | 2002-05-28 | 2004-07-27 | Silicon Light Machines, Inc. | Integrated driver process flow |
| US6728023B1 (en) | 2002-05-28 | 2004-04-27 | Silicon Light Machines | Optical device arrays with optimized image resolution |
| US7054515B1 (en) | 2002-05-30 | 2006-05-30 | Silicon Light Machines Corporation | Diffractive light modulator-based dynamic equalizer with integrated spectral monitor |
| US6822797B1 (en) | 2002-05-31 | 2004-11-23 | Silicon Light Machines, Inc. | Light modulator structure for producing high-contrast operation using zero-order light |
| US7256467B2 (en) * | 2002-06-04 | 2007-08-14 | Silecs Oy | Materials and methods for forming hybrid organic-inorganic anti-stiction materials for micro-electromechanical systems |
| US6829258B1 (en) | 2002-06-26 | 2004-12-07 | Silicon Light Machines, Inc. | Rapidly tunable external cavity laser |
| US6908201B2 (en) | 2002-06-28 | 2005-06-21 | Silicon Light Machines Corporation | Micro-support structures |
| US6813059B2 (en) | 2002-06-28 | 2004-11-02 | Silicon Light Machines, Inc. | Reduced formation of asperities in contact micro-structures |
| US6714337B1 (en) | 2002-06-28 | 2004-03-30 | Silicon Light Machines | Method and device for modulating a light beam and having an improved gamma response |
| US7077992B2 (en) | 2002-07-11 | 2006-07-18 | Molecular Imprints, Inc. | Step and repeat imprint lithography processes |
| US7057795B2 (en) | 2002-08-20 | 2006-06-06 | Silicon Light Machines Corporation | Micro-structures with individually addressable ribbon pairs |
| US6801354B1 (en) | 2002-08-20 | 2004-10-05 | Silicon Light Machines, Inc. | 2-D diffraction grating for substantially eliminating polarization dependent losses |
| US6712480B1 (en) | 2002-09-27 | 2004-03-30 | Silicon Light Machines | Controlled curvature of stressed micro-structures |
| US8349241B2 (en) | 2002-10-04 | 2013-01-08 | Molecular Imprints, Inc. | Method to arrange features on a substrate to replicate features having minimal dimensional variability |
| US6929762B2 (en) | 2002-11-13 | 2005-08-16 | Molecular Imprints, Inc. | Method of reducing pattern distortions during imprint lithography processes |
| US6871558B2 (en) | 2002-12-12 | 2005-03-29 | Molecular Imprints, Inc. | Method for determining characteristics of substrate employing fluid geometries |
| US6928207B1 (en) | 2002-12-12 | 2005-08-09 | Silicon Light Machines Corporation | Apparatus for selectively blocking WDM channels |
| US6987600B1 (en) | 2002-12-17 | 2006-01-17 | Silicon Light Machines Corporation | Arbitrary phase profile for better equalization in dynamic gain equalizer |
| US7057819B1 (en) | 2002-12-17 | 2006-06-06 | Silicon Light Machines Corporation | High contrast tilting ribbon blazed grating |
| US6934070B1 (en) | 2002-12-18 | 2005-08-23 | Silicon Light Machines Corporation | Chirped optical MEM device |
| US6927891B1 (en) | 2002-12-23 | 2005-08-09 | Silicon Light Machines Corporation | Tilt-able grating plane for improved crosstalk in 1×N blaze switches |
| US7068372B1 (en) | 2003-01-28 | 2006-06-27 | Silicon Light Machines Corporation | MEMS interferometer-based reconfigurable optical add-and-drop multiplexor |
| US7286764B1 (en) | 2003-02-03 | 2007-10-23 | Silicon Light Machines Corporation | Reconfigurable modulator-based optical add-and-drop multiplexer |
| US6947613B1 (en) | 2003-02-11 | 2005-09-20 | Silicon Light Machines Corporation | Wavelength selective switch and equalizer |
| US7411717B2 (en) * | 2003-02-12 | 2008-08-12 | Texas Instruments Incorporated | Micromirror device |
| US6922272B1 (en) | 2003-02-14 | 2005-07-26 | Silicon Light Machines Corporation | Method and apparatus for leveling thermal stress variations in multi-layer MEMS devices |
| US7452574B2 (en) * | 2003-02-27 | 2008-11-18 | Molecular Imprints, Inc. | Method to reduce adhesion between a polymerizable layer and a substrate employing a fluorine-containing layer |
| US6922273B1 (en) | 2003-02-28 | 2005-07-26 | Silicon Light Machines Corporation | PDL mitigation structure for diffractive MEMS and gratings |
| US7391973B1 (en) | 2003-02-28 | 2008-06-24 | Silicon Light Machines Corporation | Two-stage gain equalizer |
| US6806997B1 (en) | 2003-02-28 | 2004-10-19 | Silicon Light Machines, Inc. | Patterned diffractive light modulator ribbon for PDL reduction |
| US6829077B1 (en) | 2003-02-28 | 2004-12-07 | Silicon Light Machines, Inc. | Diffractive light modulator with dynamically rotatable diffraction plane |
| US7027202B1 (en) | 2003-02-28 | 2006-04-11 | Silicon Light Machines Corp | Silicon substrate as a light modulator sacrificial layer |
| US7042611B1 (en) | 2003-03-03 | 2006-05-09 | Silicon Light Machines Corporation | Pre-deflected bias ribbons |
| US7122079B2 (en) | 2004-02-27 | 2006-10-17 | Molecular Imprints, Inc. | Composition for an etching mask comprising a silicon-containing material |
| US7157036B2 (en) | 2003-06-17 | 2007-01-02 | Molecular Imprints, Inc | Method to reduce adhesion between a conformable region and a pattern of a mold |
| US7307118B2 (en) * | 2004-11-24 | 2007-12-11 | Molecular Imprints, Inc. | Composition to reduce adhesion between a conformable region and a mold |
| US7136150B2 (en) | 2003-09-25 | 2006-11-14 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint lithography template having opaque alignment marks |
| US7410820B2 (en) * | 2004-01-05 | 2008-08-12 | Texas Instruments Incorporated | MEMS passivation with phosphonate surfactants |
| US8076386B2 (en) | 2004-02-23 | 2011-12-13 | Molecular Imprints, Inc. | Materials for imprint lithography |
| US7906180B2 (en) | 2004-02-27 | 2011-03-15 | Molecular Imprints, Inc. | Composition for an etching mask comprising a silicon-containing material |
| US20060062922A1 (en) * | 2004-09-23 | 2006-03-23 | Molecular Imprints, Inc. | Polymerization technique to attenuate oxygen inhibition of solidification of liquids and composition therefor |
| US7759407B2 (en) * | 2005-07-22 | 2010-07-20 | Molecular Imprints, Inc. | Composition for adhering materials together |
| US8557351B2 (en) | 2005-07-22 | 2013-10-15 | Molecular Imprints, Inc. | Method for adhering materials together |
| US7580174B2 (en) | 2005-11-23 | 2009-08-25 | Miradia, Inc. | Anti-stiction gas-phase lubricant for micromechanical systems |
| US7471439B2 (en) * | 2005-11-23 | 2008-12-30 | Miradia, Inc. | Process of forming a micromechanical system containing an anti-stiction gas-phase lubricant |
| US7723812B2 (en) * | 2005-11-23 | 2010-05-25 | Miradia, Inc. | Preferentially deposited lubricant to prevent anti-stiction in micromechanical systems |
| US7463404B2 (en) * | 2005-11-23 | 2008-12-09 | Miradia, Inc. | Method of using a preferentially deposited lubricant to prevent anti-stiction in micromechanical systems |
| US7616370B2 (en) * | 2005-11-23 | 2009-11-10 | Miradia, Inc. | Preferentially deposited lubricant to prevent anti-stiction in micromechanical systems |
| US7618682B2 (en) * | 2006-09-25 | 2009-11-17 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method for providing an anti-stiction coating on a metal surface |
| US8096665B2 (en) * | 2006-10-11 | 2012-01-17 | Miradia, Inc. | Spatially offset multi-imager-panel architecture for projecting an image |
| US8134772B2 (en) | 2007-05-03 | 2012-03-13 | Silicon Quest Kabushiki-Kaisha | Mirror device with an anti-stiction layer |
| WO2009012479A1 (en) | 2007-07-19 | 2009-01-22 | Swagelok Company | Coated seals |
| US20090035455A1 (en) * | 2007-07-31 | 2009-02-05 | Endicott Interconnect Technologies, Inc. | Adhesive bleed prevention method and product produced from same |
| CN101556273B (zh) | 2008-04-08 | 2013-03-20 | 博奥生物有限公司 | 利用电阻抗传感技术分析细胞迁移的方法及其专用装置 |
| DE09770219T8 (de) * | 2008-06-25 | 2013-04-25 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Bewegliche struktur und lichtabtastspiegel damit |
| US9157581B2 (en) | 2009-10-05 | 2015-10-13 | Lighting Science Group Corporation | Low profile luminaire with light guide and associated systems and methods |
| US9581756B2 (en) | 2009-10-05 | 2017-02-28 | Lighting Science Group Corporation | Light guide for low profile luminaire |
| US8686641B2 (en) | 2011-12-05 | 2014-04-01 | Biological Illumination, Llc | Tunable LED lamp for producing biologically-adjusted light |
| US8547391B2 (en) | 2011-05-15 | 2013-10-01 | Lighting Science Group Corporation | High efficacy lighting signal converter and associated methods |
| US9681522B2 (en) | 2012-05-06 | 2017-06-13 | Lighting Science Group Corporation | Adaptive light system and associated methods |
| US8743023B2 (en) | 2010-07-23 | 2014-06-03 | Biological Illumination, Llc | System for generating non-homogenous biologically-adjusted light and associated methods |
| US8465167B2 (en) | 2011-09-16 | 2013-06-18 | Lighting Science Group Corporation | Color conversion occlusion and associated methods |
| US9532423B2 (en) | 2010-07-23 | 2016-12-27 | Lighting Science Group Corporation | System and methods for operating a lighting device |
| US9827439B2 (en) | 2010-07-23 | 2017-11-28 | Biological Illumination, Llc | System for dynamically adjusting circadian rhythm responsive to scheduled events and associated methods |
| US8841864B2 (en) | 2011-12-05 | 2014-09-23 | Biological Illumination, Llc | Tunable LED lamp for producing biologically-adjusted light |
| US9024536B2 (en) | 2011-12-05 | 2015-05-05 | Biological Illumination, Llc | Tunable LED lamp for producing biologically-adjusted light and associated methods |
| US8760370B2 (en) | 2011-05-15 | 2014-06-24 | Lighting Science Group Corporation | System for generating non-homogenous light and associated methods |
| US8401231B2 (en) | 2010-11-09 | 2013-03-19 | Biological Illumination, Llc | Sustainable outdoor lighting system for use in environmentally photo-sensitive area |
| US8384984B2 (en) | 2011-03-28 | 2013-02-26 | Lighting Science Group Corporation | MEMS wavelength converting lighting device and associated methods |
| US8608348B2 (en) | 2011-05-13 | 2013-12-17 | Lighting Science Group Corporation | Sealed electrical device with cooling system and associated methods |
| US9151482B2 (en) | 2011-05-13 | 2015-10-06 | Lighting Science Group Corporation | Sealed electrical device with cooling system |
| US9360202B2 (en) | 2011-05-13 | 2016-06-07 | Lighting Science Group Corporation | System for actively cooling an LED filament and associated methods |
| US8729832B2 (en) | 2011-05-15 | 2014-05-20 | Lighting Science Group Corporation | Programmable luminaire system |
| US8901850B2 (en) | 2012-05-06 | 2014-12-02 | Lighting Science Group Corporation | Adaptive anti-glare light system and associated methods |
| US8754832B2 (en) | 2011-05-15 | 2014-06-17 | Lighting Science Group Corporation | Lighting system for accenting regions of a layer and associated methods |
| US9420240B2 (en) | 2011-05-15 | 2016-08-16 | Lighting Science Group Corporation | Intelligent security light and associated methods |
| US9185783B2 (en) | 2011-05-15 | 2015-11-10 | Lighting Science Group Corporation | Wireless pairing system and associated methods |
| US9648284B2 (en) | 2011-05-15 | 2017-05-09 | Lighting Science Group Corporation | Occupancy sensor and associated methods |
| US8674608B2 (en) | 2011-05-15 | 2014-03-18 | Lighting Science Group Corporation | Configurable environmental condition sensing luminaire, system and associated methods |
| US9173269B2 (en) | 2011-05-15 | 2015-10-27 | Lighting Science Group Corporation | Lighting system for accentuating regions of a layer and associated methods |
| US8847436B2 (en) | 2011-09-12 | 2014-09-30 | Lighting Science Group Corporation | System for inductively powering an electrical device and associated methods |
| US8408725B1 (en) | 2011-09-16 | 2013-04-02 | Lighting Science Group Corporation | Remote light wavelength conversion device and associated methods |
| US8492995B2 (en) | 2011-10-07 | 2013-07-23 | Environmental Light Technologies Corp. | Wavelength sensing lighting system and associated methods |
| US8515289B2 (en) | 2011-11-21 | 2013-08-20 | Environmental Light Technologies Corp. | Wavelength sensing lighting system and associated methods for national security application |
| US8439515B1 (en) | 2011-11-28 | 2013-05-14 | Lighting Science Group Corporation | Remote lighting device and associated methods |
| US9289574B2 (en) | 2011-12-05 | 2016-03-22 | Biological Illumination, Llc | Three-channel tuned LED lamp for producing biologically-adjusted light |
| US9913341B2 (en) | 2011-12-05 | 2018-03-06 | Biological Illumination, Llc | LED lamp for producing biologically-adjusted light including a cyan LED |
| US8866414B2 (en) | 2011-12-05 | 2014-10-21 | Biological Illumination, Llc | Tunable LED lamp for producing biologically-adjusted light |
| US9220202B2 (en) | 2011-12-05 | 2015-12-29 | Biological Illumination, Llc | Lighting system to control the circadian rhythm of agricultural products and associated methods |
| US8963450B2 (en) | 2011-12-05 | 2015-02-24 | Biological Illumination, Llc | Adaptable biologically-adjusted indirect lighting device and associated methods |
| US8545034B2 (en) | 2012-01-24 | 2013-10-01 | Lighting Science Group Corporation | Dual characteristic color conversion enclosure and associated methods |
| US9366409B2 (en) | 2012-05-06 | 2016-06-14 | Lighting Science Group Corporation | Tunable lighting apparatus |
| US9402294B2 (en) | 2012-05-08 | 2016-07-26 | Lighting Science Group Corporation | Self-calibrating multi-directional security luminaire and associated methods |
| US8680457B2 (en) | 2012-05-07 | 2014-03-25 | Lighting Science Group Corporation | Motion detection system and associated methods having at least one LED of second set of LEDs to vary its voltage |
| US8899776B2 (en) | 2012-05-07 | 2014-12-02 | Lighting Science Group Corporation | Low-angle thoroughfare surface lighting device |
| US9006987B2 (en) | 2012-05-07 | 2015-04-14 | Lighting Science Group, Inc. | Wall-mountable luminaire and associated systems and methods |
| US8899775B2 (en) | 2013-03-15 | 2014-12-02 | Lighting Science Group Corporation | Low-angle thoroughfare surface lighting device |
| US9127818B2 (en) | 2012-10-03 | 2015-09-08 | Lighting Science Group Corporation | Elongated LED luminaire and associated methods |
| US9174067B2 (en) | 2012-10-15 | 2015-11-03 | Biological Illumination, Llc | System for treating light treatable conditions and associated methods |
| US9322516B2 (en) | 2012-11-07 | 2016-04-26 | Lighting Science Group Corporation | Luminaire having vented optical chamber and associated methods |
| US9303825B2 (en) | 2013-03-05 | 2016-04-05 | Lighting Science Group, Corporation | High bay luminaire |
| US9353935B2 (en) | 2013-03-11 | 2016-05-31 | Lighting Science Group, Corporation | Rotatable lighting device |
| US9347655B2 (en) | 2013-03-11 | 2016-05-24 | Lighting Science Group Corporation | Rotatable lighting device |
| US9459397B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-10-04 | Lighting Science Group Corporation | Edge lit lighting device |
| US9018854B2 (en) | 2013-03-14 | 2015-04-28 | Biological Illumination, Llc | Lighting system with reduced physioneural compression and associate methods |
| US9255670B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-02-09 | Lighting Science Group Corporation | Street lighting device for communicating with observers and associated methods |
| US20140268731A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Lighting Science Group Corpporation | Low bay lighting system and associated methods |
| US9222653B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-12-29 | Lighting Science Group Corporation | Concave low profile luminaire with magnetic lighting devices and associated systems and methods |
| US9157618B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-10-13 | Lighting Science Group Corporation | Trough luminaire with magnetic lighting devices and associated systems and methods |
| US9151453B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-10-06 | Lighting Science Group Corporation | Magnetically-mountable lighting device and associated systems and methods |
| US9429294B2 (en) | 2013-11-11 | 2016-08-30 | Lighting Science Group Corporation | System for directional control of light and associated methods |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5331454A (en) * | 1990-11-13 | 1994-07-19 | Texas Instruments Incorporated | Low reset voltage process for DMD |
-
1994
- 1994-06-30 US US08/268,485 patent/US5523878A/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-06-30 JP JP7166507A patent/JPH0882754A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004102227A (ja) * | 2002-05-28 | 2004-04-02 | Korea Advanced Inst Of Science & Technol | マイクロミラーアクチュエーター |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5523878A (en) | 1996-06-04 |
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