JPH0883835A - 被膜を有する石英ガラス製部材 - Google Patents
被膜を有する石英ガラス製部材Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 良好な熱衝撃抵抗性を有し、弗化水素酸や硝
酸への化学的抵抗力及び半導体有害物質の拡散に対し
て、長期安定性を有する被覆された部材を提供する。 【解決手段】 半導体技術プロセスを実施するための、
炭化珪素からなる表面を持つ被膜を有する石英ガラス製
部材において、該被膜が炭化珪素と、炭化珪素よりも硬
度が小さくしかも弾性率も小さい、そして濃度が層の厚
さ方向に内側から外側に向かって減少する少なくとも一
つの付加成分とからなる勾配層を含有することを特徴と
する石英ガラス製部材。
酸への化学的抵抗力及び半導体有害物質の拡散に対し
て、長期安定性を有する被覆された部材を提供する。 【解決手段】 半導体技術プロセスを実施するための、
炭化珪素からなる表面を持つ被膜を有する石英ガラス製
部材において、該被膜が炭化珪素と、炭化珪素よりも硬
度が小さくしかも弾性率も小さい、そして濃度が層の厚
さ方向に内側から外側に向かって減少する少なくとも一
つの付加成分とからなる勾配層を含有することを特徴と
する石英ガラス製部材。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体技術プロセ
スを実施するための、炭化珪素表面を持つ被膜を有する
石英ガラス製部材に関する。
スを実施するための、炭化珪素表面を持つ被膜を有する
石英ガラス製部材に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体部材の製造においては、しばしば
基板表面は、酸化珪素、窒化珪素又は珪素で被覆され
る。既知のＣＶＤ（化学蒸着）法はこの目的のために利
用される。この方法では、炉の壁、基板用容器（例え
ば、ボート）の壁又は他の部材の表面を含む反応空間の
すべての壁に、被覆材料が沈着される。これらの層は、
ある厚さに達すると、薄片となって石英ガラス表面から
剥がれ、そのためパーティクルの問題が発生する場合が
ある。これを防ぐために、問題となる部材は繰り返し洗
浄しなければならない。珪素層を取り除くには、ＨＦ及
びＨＮＯ3の混合物からなる腐蝕液が通常使用される。
しかしながら、この腐蝕液は、石英ガラス自体をも腐蝕
させる。このエッチングに対するバリヤーをＳｉＣで部
材表面を被覆することにより作ることができることは知
られている。
基板表面は、酸化珪素、窒化珪素又は珪素で被覆され
る。既知のＣＶＤ（化学蒸着）法はこの目的のために利
用される。この方法では、炉の壁、基板用容器（例え
ば、ボート）の壁又は他の部材の表面を含む反応空間の
すべての壁に、被覆材料が沈着される。これらの層は、
ある厚さに達すると、薄片となって石英ガラス表面から
剥がれ、そのためパーティクルの問題が発生する場合が
ある。これを防ぐために、問題となる部材は繰り返し洗
浄しなければならない。珪素層を取り除くには、ＨＦ及
びＨＮＯ3の混合物からなる腐蝕液が通常使用される。
しかしながら、この腐蝕液は、石英ガラス自体をも腐蝕
させる。このエッチングに対するバリヤーをＳｉＣで部
材表面を被覆することにより作ることができることは知
られている。
【０００３】特開昭６３−２８２１９５号公報では、エ
ピタキシヤル法において反応炉中のガス流入部として働
く石英ガラス製吹出ノズルが知られている。この既知の
ノズルは、表面層が炭化珪素で出来ている。石英ガラス
表面及び炭化珪素層の間には、珪素又は窒化珪素からな
る中間層が設けられている。石英ガラスと窒化珪素又は
珪素との膨張係数の差が大きいため、既知の層は熱衝撃
に対する抵抗性が殆どない。このことは、一方では石英
ガラスにそのような層が比較的強固に接着していること
により生じ、他方では層形成材料と石英ガラスとの膨張
係数の差、すなわち温度が変化した時に生じる被膜上の
応力により生じる。これにより、層内に小剥がれ又は微
小なひび割れを発生させ、前述の腐蝕液、特にＨＦとＨ
ＮＯ3の混合物に対する前記ノズル部材の耐性を減少さ
せ、更に半導体有害物質の前記ノズル部材からの拡散を
防ぎにくくする。
ピタキシヤル法において反応炉中のガス流入部として働
く石英ガラス製吹出ノズルが知られている。この既知の
ノズルは、表面層が炭化珪素で出来ている。石英ガラス
表面及び炭化珪素層の間には、珪素又は窒化珪素からな
る中間層が設けられている。石英ガラスと窒化珪素又は
珪素との膨張係数の差が大きいため、既知の層は熱衝撃
に対する抵抗性が殆どない。このことは、一方では石英
ガラスにそのような層が比較的強固に接着していること
により生じ、他方では層形成材料と石英ガラスとの膨張
係数の差、すなわち温度が変化した時に生じる被膜上の
応力により生じる。これにより、層内に小剥がれ又は微
小なひび割れを発生させ、前述の腐蝕液、特にＨＦとＨ
ＮＯ3の混合物に対する前記ノズル部材の耐性を減少さ
せ、更に半導体有害物質の前記ノズル部材からの拡散を
防ぎにくくする。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、既知
の部材に基づき、良好な熱衝撃抵抗性を有し、弗化水素
酸、硝酸及びこれらの混合物に対する化学的抵抗力に関
して、また半導体有害物質の拡散に関して、長期安定性
を有する被覆された部材を提供することである。
の部材に基づき、良好な熱衝撃抵抗性を有し、弗化水素
酸、硝酸及びこれらの混合物に対する化学的抵抗力に関
して、また半導体有害物質の拡散に関して、長期安定性
を有する被覆された部材を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的は、炭化珪素
と、炭化珪素よりも硬度が小さく且つ弾性率が小さく、
そして濃度が層の厚さ方向に内側から外側へ減少する、
少なくとも一つの付加成分とからなる勾配層（gradient
layer）により達成される。
と、炭化珪素よりも硬度が小さく且つ弾性率が小さく、
そして濃度が層の厚さ方向に内側から外側へ減少する、
少なくとも一つの付加成分とからなる勾配層（gradient
layer）により達成される。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明による勾配層を使用するこ
とにより、被膜の熱衝撃抵抗性が著しく改善される。勾
配層という用語は、その一つが炭化珪素である少なくと
も二つの成分を含有する層であって、その成分の濃度が
該勾配層の厚さ方向に向かって勾配を有する層を意味す
る。これは傾斜機能層ということができる。この層の濃
度勾配は連続的であっても、また階段状であってもよ
い。本発明の勾配層においては、それを構成する炭化珪
素及び付加成分が混合状態または固溶状態で存在するこ
とができる。被膜の熱衝撃抵抗性の改善は、一部には付
加成分の熱膨張係数が適切であることに基づく。該成分
の熱膨張係数は、石英ガラスの熱膨張係数と炭化珪素の
熱膨張係数の間にあることが好ましい。
とにより、被膜の熱衝撃抵抗性が著しく改善される。勾
配層という用語は、その一つが炭化珪素である少なくと
も二つの成分を含有する層であって、その成分の濃度が
該勾配層の厚さ方向に向かって勾配を有する層を意味す
る。これは傾斜機能層ということができる。この層の濃
度勾配は連続的であっても、また階段状であってもよ
い。本発明の勾配層においては、それを構成する炭化珪
素及び付加成分が混合状態または固溶状態で存在するこ
とができる。被膜の熱衝撃抵抗性の改善は、一部には付
加成分の熱膨張係数が適切であることに基づく。該成分
の熱膨張係数は、石英ガラスの熱膨張係数と炭化珪素の
熱膨張係数の間にあることが好ましい。
【０００７】付加成分の必須機能は部材と被膜の間の応
力の減少への寄与である。このことは、付加成分の硬度
および弾性率を、炭化珪素よりも小さくすることにより
達成される。その結果応力が減少する理由は、付加成分
の硬度が小さく且つ弾性率も低いために、機械的応力に
より容易に曲がり、石英ガラスと炭化珪素からなる面の
間で機械的緩衝材として作用することにある。文献によ
ると、石英ガラスは硬度７（モース尺度）及び硬度８２
０（ヌープ尺度）を有し、炭化珪素は少なくとも硬度
９．２（モース尺度）及び硬度２４８０（ヌープ尺度）
を有すると記載されている。石英ガラスの弾性率は約７
５ＧＮ／ｍ2であり、炭化珪素の弾性率は２４０ＧＮ／
ｍ2〜４００ＧＮ／ｍ2の範囲にある。
力の減少への寄与である。このことは、付加成分の硬度
および弾性率を、炭化珪素よりも小さくすることにより
達成される。その結果応力が減少する理由は、付加成分
の硬度が小さく且つ弾性率も低いために、機械的応力に
より容易に曲がり、石英ガラスと炭化珪素からなる面の
間で機械的緩衝材として作用することにある。文献によ
ると、石英ガラスは硬度７（モース尺度）及び硬度８２
０（ヌープ尺度）を有し、炭化珪素は少なくとも硬度
９．２（モース尺度）及び硬度２４８０（ヌープ尺度）
を有すると記載されている。石英ガラスの弾性率は約７
５ＧＮ／ｍ2であり、炭化珪素の弾性率は２４０ＧＮ／
ｍ2〜４００ＧＮ／ｍ2の範囲にある。
【０００８】勾配層内の濃度勾配も応力を減少させるの
に役立つ。外側から内側への濃度勾配は、最大応力を、
応力を受け易い石英ガラスと被膜の間の界面から離れ
て、被膜自体に移動させるものと推定される。被膜の熱
衝撃抵抗性の改善により、被膜内にひび割れが発生する
危険は減少し、そのため化学的安定性及び半導体有害物
質の拡散に関する長期安定性が改良される。
に役立つ。外側から内側への濃度勾配は、最大応力を、
応力を受け易い石英ガラスと被膜の間の界面から離れ
て、被膜自体に移動させるものと推定される。被膜の熱
衝撃抵抗性の改善により、被膜内にひび割れが発生する
危険は減少し、そのため化学的安定性及び半導体有害物
質の拡散に関する長期安定性が改良される。
【０００９】付加成分が珪素、特に珪素、窒化珪素及び
／又は酸化珪素を含有する部材が特に有効である。付加
成分として珪素を用いると、付加成分への炭化珪素の化
学的溶解が容易になる。付加成分中のＳｉＣ粒子の分散
物に比べて、この方が勾配層の厚さ方向により均一に応
力を分布させることができる。そのため被覆された部材
の熱衝撃抵抗性が改善される。特に、金属珪素は炭化珪
素と比較して硬度が非常に小さいことが特徴である。珪
素の硬度は、石英ガラスに対して引用される値よりもい
っそう小さい。文献には、単結晶珪素の弾性率について
は、約１００ＧＮ／ｍ2の値が報告されており、また窒
化珪素の弾性率については、１４０ＧＮ／ｍ2及び２１
０ＧＮ／ｍ2の間の値が報告されている。付加成分の熱
膨張係数は、室温付近領域では石英の熱膨張係数（α＝
０．５×１０-6／度）及び炭化珪素の熱膨張係数（α＝
４．３×１０-6／度〜５．８×１０-6／度）の間に位置
するため、炭化珪素を含有する付加成分により達成され
る応力の減少は更に助長される。例えば、珪素の対応す
る熱膨張係数αは約３×１０-6／度であり、窒化珪素の
熱膨張係数α20/1000は２．９×１０-6／度〜３．５×
１０-6／度の範囲にある。
／又は酸化珪素を含有する部材が特に有効である。付加
成分として珪素を用いると、付加成分への炭化珪素の化
学的溶解が容易になる。付加成分中のＳｉＣ粒子の分散
物に比べて、この方が勾配層の厚さ方向により均一に応
力を分布させることができる。そのため被覆された部材
の熱衝撃抵抗性が改善される。特に、金属珪素は炭化珪
素と比較して硬度が非常に小さいことが特徴である。珪
素の硬度は、石英ガラスに対して引用される値よりもい
っそう小さい。文献には、単結晶珪素の弾性率について
は、約１００ＧＮ／ｍ2の値が報告されており、また窒
化珪素の弾性率については、１４０ＧＮ／ｍ2及び２１
０ＧＮ／ｍ2の間の値が報告されている。付加成分の熱
膨張係数は、室温付近領域では石英の熱膨張係数（α＝
０．５×１０-6／度）及び炭化珪素の熱膨張係数（α＝
４．３×１０-6／度〜５．８×１０-6／度）の間に位置
するため、炭化珪素を含有する付加成分により達成され
る応力の減少は更に助長される。例えば、珪素の対応す
る熱膨張係数αは約３×１０-6／度であり、窒化珪素の
熱膨張係数α20/1000は２．９×１０-6／度〜３．５×
１０-6／度の範囲にある。
【００１０】被膜の表面が勾配層で形成されている被覆
部材が好ましい。該被覆部材の具体化は特に簡単であ
り、酸による腐蝕に対して良好な化学的耐性が確保され
る。勾配層の厚さ方向への力学的応力の好ましい分散
は、勾配層中の炭化珪素含量が内側から外側へ層の厚さ
方向に連続的に増加するような被膜により達成される。
ＳｉＣ濃度の連続的な増加は、熱衝撃抵抗性を改善す
る。
部材が好ましい。該被覆部材の具体化は特に簡単であ
り、酸による腐蝕に対して良好な化学的耐性が確保され
る。勾配層の厚さ方向への力学的応力の好ましい分散
は、勾配層中の炭化珪素含量が内側から外側へ層の厚さ
方向に連続的に増加するような被膜により達成される。
ＳｉＣ濃度の連続的な増加は、熱衝撃抵抗性を改善す
る。
【００１１】付加成分としての金属珪素の濃度が勾配層
の被膜表面領域でゼロになるような、珪素及び炭化珪素
を含有する勾配層を有する部材は、特に有利である。そ
の表面は炭化珪素だけで形成される。そのような部材
は、酸による腐蝕に対する化学的耐性が良好であること
が特徴であり、珪素の腐蝕除去に通常使用されるような
弗化水素酸及び硝酸からなる酸混合液による腐蝕に対し
て特に良好である。この酸に対する耐性は、その部材の
炭化珪素表面が不浸透性であることにより達成される。
金属珪素は、ＳｉＣと比較して硬度が非常に小さい。勾
配層中の金属珪素濃度は、内側（例えば、その濃度を１
００％にしてもよい）から外側へ減少させる。部材の石
英ガラスと接する勾配層領域での勾配層中の珪素濃度を
高くすると、力学的応力が減少するが、さもなければ、
ＳｉＣ含有表面と石英ガラスの間に力学的応力が発生す
る。力学的応力が減少した結果、被膜の非常に優れた熱
衝撃抵抗性が達成される。表面領域の金属珪素の濃度を
ゼロにすると、所望の化学的耐性も確保される。厚さが
５μｍ〜１００μｍの範囲にある勾配層を有する部材が
有効であることが判明した。層の厚さを薄くすると、勾
配層によって達成された応力の減少が不十分となり、層
の厚さを厚くすると、剥げ落ちる傾向になる。
の被膜表面領域でゼロになるような、珪素及び炭化珪素
を含有する勾配層を有する部材は、特に有利である。そ
の表面は炭化珪素だけで形成される。そのような部材
は、酸による腐蝕に対する化学的耐性が良好であること
が特徴であり、珪素の腐蝕除去に通常使用されるような
弗化水素酸及び硝酸からなる酸混合液による腐蝕に対し
て特に良好である。この酸に対する耐性は、その部材の
炭化珪素表面が不浸透性であることにより達成される。
金属珪素は、ＳｉＣと比較して硬度が非常に小さい。勾
配層中の金属珪素濃度は、内側（例えば、その濃度を１
００％にしてもよい）から外側へ減少させる。部材の石
英ガラスと接する勾配層領域での勾配層中の珪素濃度を
高くすると、力学的応力が減少するが、さもなければ、
ＳｉＣ含有表面と石英ガラスの間に力学的応力が発生す
る。力学的応力が減少した結果、被膜の非常に優れた熱
衝撃抵抗性が達成される。表面領域の金属珪素の濃度を
ゼロにすると、所望の化学的耐性も確保される。厚さが
５μｍ〜１００μｍの範囲にある勾配層を有する部材が
有効であることが判明した。層の厚さを薄くすると、勾
配層によって達成された応力の減少が不十分となり、層
の厚さを厚くすると、剥げ落ちる傾向になる。
【００１２】勾配層の下に珪素の中間層を設けることが
有効であることが判明した。勾配層が石英ガラスに直接
に面で接触しないで、厚さを持った珪素の層（中間層）
を介して石英ガラスに接触するので、石英ガラスと炭化
珪素の異なる熱膨張係数によって発生する応力が特に効
果的に減少する。つまり、応力を受けやすい石英ガラス
表面から離れた被膜内の領域に応力が移る。珪素層の厚
さは、５μｍ〜１００μｍの間の領域にあることが有効
であることが判明した。
有効であることが判明した。勾配層が石英ガラスに直接
に面で接触しないで、厚さを持った珪素の層（中間層）
を介して石英ガラスに接触するので、石英ガラスと炭化
珪素の異なる熱膨張係数によって発生する応力が特に効
果的に減少する。つまり、応力を受けやすい石英ガラス
表面から離れた被膜内の領域に応力が移る。珪素層の厚
さは、５μｍ〜１００μｍの間の領域にあることが有効
であることが判明した。
【００１３】石英ガラス製部材の表面が化学的に粗面化
されている実施態様が好ましい。表面を粗くすることに
より石英ガラスへの被膜の密着性が改良される。例えば
サンドプラストのような機械的粗面化に比べて、化学的
粗面化は石英ガラス表面にいかなる損傷も起こさない。
しかしながら、この粗面化は、勾配層と組み合わせた時
にその本質的な機能が達成される。すなわち、粗面化し
た表面は、勾配層の応力の減少に大きく寄与することが
判明した。この効果の理由は、部材とその被膜との間の
界面の領域でのクラックの進行が防止されるためである
と思われる。石英ガラスを粗面化して、平均表面粗さを
０．５μｍ〜１０μｍの範囲、例えば約１μｍにする
と、特に効果的であることが判明した。
されている実施態様が好ましい。表面を粗くすることに
より石英ガラスへの被膜の密着性が改良される。例えば
サンドプラストのような機械的粗面化に比べて、化学的
粗面化は石英ガラス表面にいかなる損傷も起こさない。
しかしながら、この粗面化は、勾配層と組み合わせた時
にその本質的な機能が達成される。すなわち、粗面化し
た表面は、勾配層の応力の減少に大きく寄与することが
判明した。この効果の理由は、部材とその被膜との間の
界面の領域でのクラックの進行が防止されるためである
と思われる。石英ガラスを粗面化して、平均表面粗さを
０．５μｍ〜１０μｍの範囲、例えば約１μｍにする
と、特に効果的であることが判明した。
【００１４】
【実施例】添付の図面は、本発明による被膜を有する部
材の断面を示す。部材（基体）１は、シリコンウエーハ
を保持するための石英ガラスボートである。部材１の表
面は、平均表面粗さが約１μｍとなるように化学的に粗
面化されている。被膜２は三つの層、３、４及び５から
なる。部材１と直接隣接する層は、厚さ約１０μｍの多
結晶質珪素からなる中間層３である。中間層３に続いて
勾配層４がある。珪素及び炭化珪素からなる勾配層４
は、厚さ約１５μｍである。勾配層４内では、炭化珪素
濃度が中間層３と隣接する領域から外に向かって連続的
に増加している。それに対応して、金属珪素濃度は、勾
配層４の厚さ方向に減少している。炭化珪素からなる表
面層５は、勾配層４に接している。表面層５は、厚さ約
３５μｍである。表面層５の表面は、被膜２の外表面６
を同時に形成しているが、高純度炭化珪素からなる。被
膜２の合計厚さは約６０μｍである。被膜２は、標準的
なＣＶＤ炉中で単一操作で成膜される。非晶性珪素で成
膜するために、温度約６００℃でＳｉＨ4を炉に入れ、
部材の表面に沈着させる。勾配層４を形成させるため
に、例えばＣＨ4のような炭素含有ガスが、水素と共に
処理ガスへ増加するように加えられる。また、それと同
時に、炉の温度も上げられる。表面層５を形成させるた
めに、炉の温度を約８５０℃にする。ＳｉＨ4の珪素と
ＣＨ4の炭素の比は、化学量論的な比１：１に対応させ
る。
材の断面を示す。部材（基体）１は、シリコンウエーハ
を保持するための石英ガラスボートである。部材１の表
面は、平均表面粗さが約１μｍとなるように化学的に粗
面化されている。被膜２は三つの層、３、４及び５から
なる。部材１と直接隣接する層は、厚さ約１０μｍの多
結晶質珪素からなる中間層３である。中間層３に続いて
勾配層４がある。珪素及び炭化珪素からなる勾配層４
は、厚さ約１５μｍである。勾配層４内では、炭化珪素
濃度が中間層３と隣接する領域から外に向かって連続的
に増加している。それに対応して、金属珪素濃度は、勾
配層４の厚さ方向に減少している。炭化珪素からなる表
面層５は、勾配層４に接している。表面層５は、厚さ約
３５μｍである。表面層５の表面は、被膜２の外表面６
を同時に形成しているが、高純度炭化珪素からなる。被
膜２の合計厚さは約６０μｍである。被膜２は、標準的
なＣＶＤ炉中で単一操作で成膜される。非晶性珪素で成
膜するために、温度約６００℃でＳｉＨ4を炉に入れ、
部材の表面に沈着させる。勾配層４を形成させるため
に、例えばＣＨ4のような炭素含有ガスが、水素と共に
処理ガスへ増加するように加えられる。また、それと同
時に、炉の温度も上げられる。表面層５を形成させるた
めに、炉の温度を約８５０℃にする。ＳｉＨ4の珪素と
ＣＨ4の炭素の比は、化学量論的な比１：１に対応させ
る。
【００１５】高純度石英ガラスと珪素、及び特に高純度
石英ガラスと炭化珪素の熱膨張係数が異なるために、処
理温度から冷却する際、被膜２に応力が発生する。これ
らの応力により、層３、４及び５が剥がれる場合があ
る。部材１の表面を粗面化することは、被膜２の密着を
改良するばかりでなく、被膜２中の応力の減少にも寄与
する。中間層３は、部材１の石英ガラス表面に非常に良
く密着する。勾配層４は、被膜２中の応力減少に効果的
である。応力が減少するのは、炭化珪素に添加される勾
配層４の付加成分、この場合は珪素が、炭化珪素自体よ
りも著しく低い硬度を有し、かつ著しく低い弾性率を有
するという事実からくるものである。珪素の熱膨張係数
が約３×１０-6／度、すなわち石英ガラス及び炭化珪素
の熱膨張係数の間にあるため、勾配層４中の珪素は、更
に部材１の表面と表面層５の間の応力の減少に寄与す
る。高純度炭化珪素からなる表面層５は、部材１からの
不純物の拡散に対して、被膜の高い不透過性を、また酸
による腐蝕、特に弗化水素酸及び硝酸これら混合物によ
る腐蝕に対して、高い化学的耐性をももたらす。従っ
て、被膜２は、全体として、良好な熱衝撃抵抗性、及び
化学的耐性及び半導体毒性物質の拡散に関して長期間に
亙る安定性を有する。
石英ガラスと炭化珪素の熱膨張係数が異なるために、処
理温度から冷却する際、被膜２に応力が発生する。これ
らの応力により、層３、４及び５が剥がれる場合があ
る。部材１の表面を粗面化することは、被膜２の密着を
改良するばかりでなく、被膜２中の応力の減少にも寄与
する。中間層３は、部材１の石英ガラス表面に非常に良
く密着する。勾配層４は、被膜２中の応力減少に効果的
である。応力が減少するのは、炭化珪素に添加される勾
配層４の付加成分、この場合は珪素が、炭化珪素自体よ
りも著しく低い硬度を有し、かつ著しく低い弾性率を有
するという事実からくるものである。珪素の熱膨張係数
が約３×１０-6／度、すなわち石英ガラス及び炭化珪素
の熱膨張係数の間にあるため、勾配層４中の珪素は、更
に部材１の表面と表面層５の間の応力の減少に寄与す
る。高純度炭化珪素からなる表面層５は、部材１からの
不純物の拡散に対して、被膜の高い不透過性を、また酸
による腐蝕、特に弗化水素酸及び硝酸これら混合物によ
る腐蝕に対して、高い化学的耐性をももたらす。従っ
て、被膜２は、全体として、良好な熱衝撃抵抗性、及び
化学的耐性及び半導体毒性物質の拡散に関して長期間に
亙る安定性を有する。
【図１】本発明による被膜を有する部材の断面を示す。
１ 部材 ２ 被膜全体 ３ 多結晶質珪素からなる中間層 ４ 珪素及び炭化珪素からなる勾配層 ５ 炭化珪素からなる表面層 ６ 高純度炭化珪素からなる表面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０４Ｂ 41/87 Ｇ Ｃ２３Ｃ 16/32 Ｈ０１Ｌ 21/205 21/31 Ｆ (71)出願人 592164085 ヘレウス・クアルツグラース・ゲゼルシャ フト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツ ング ＨＥＲＡＥＵＳ ＱＵＡＲＺＧＬＡＳ Ｇ ＥＳＥＬＬＳＣＨＡＦＴ ＭＩＴ ＢＥＳ ＣＨＲＡＮＫＴＥＲ ＨＡＦＴＵＮＧ ドイツ連邦共和国、63450 ハナウ、クア ルツシュトラーセ（番地なし） ＃ ＱＵ ＡＲＺＳＴＲＡＳＳＥ， 63450 ＨＡＮ ＡＵ， ＧＥＲＭＡＮＹ (72)発明者 ポウル・エー・ブライデンバッハ ドイツ連邦共和国、63486 ブルッフケー ベル、トーマス−マン−シュトラーセ 34 (72)発明者 ディートマール・ヘルマン ドイツ連邦共和国、63589 リンゼンゲリ ッヒト、バッハヴェーク ２ (72)発明者 ヘルムート・レーバー ドイツ連邦共和国、63454 ハナウ、ファ ルケンリング ８
Claims (9)
- 【請求項１】 半導体技術プロセスを実施するための、
炭化珪素からなる表面を持つ被膜を有する石英ガラス製
部材において、該被膜が炭化珪素と、炭化珪素よりも硬
度が小さくしかも弾性率も小さい、そして濃度が層の厚
さ方向に内側から外側に向かって減少する少なくとも一
つの付加成分とからなる勾配層を含有することを特徴と
する石英ガラス製部材。 - 【請求項２】 前記付加成分が、珪素、窒化珪素および
酸化珪素の少なくとも一つを含有する請求項１記載の部
材。 - 【請求項３】 前記被膜の表面が勾配層により形成され
ている請求項１または２記載の部材。 - 【請求項４】 前記勾配層中の炭化珪素が、該層の厚さ
方向に内側から外側に向かって連続的に増加する請求項
１〜３のいずれか１項に記載の部材。 - 【請求項５】 前記勾配層が珪素および炭化珪素を含有
し、そして前記被膜の表面領域において、該層中の付加
成分としての金属珪素の濃度がゼロに等しい請求項１〜
４のいずれか１項に記載の部材。 - 【請求項６】 前記勾配層の厚さが５μｍ〜１００μｍ
の範囲にある請求項１〜５のいずれか１項に記載の部
材。 - 【請求項７】 前記部材及び前記勾配層の間に、珪素か
らなる中間層を更に含有する請求項１〜６のいずれか１
項に記載の部材。 - 【請求項８】 前記部材の表面が化学的に粗面化されて
いる請求項１〜７のいずれか１項に記載の部材。 - 【請求項９】 前記部材の表面の平均表面粗さが０．５
μｍ〜１０μｍである請求項８記載の部材。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4429825A DE4429825C1 (de) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | Beschichtetes Bauteil aus Quarzglas |
| DE4429825.0 | 1994-08-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0883835A true JPH0883835A (ja) | 1996-03-26 |
| JP2883028B2 JP2883028B2 (ja) | 1999-04-19 |
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ID=6526316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20813595A Expired - Fee Related JP2883028B2 (ja) | 1994-08-23 | 1995-08-15 | 被膜を有する石英ガラス製部材 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5562774A (ja) |
| EP (1) | EP0698584B1 (ja) |
| JP (1) | JP2883028B2 (ja) |
| KR (1) | KR0162545B1 (ja) |
| DE (1) | DE4429825C1 (ja) |
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| KR20140056268A (ko) * | 2011-07-29 | 2014-05-09 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 소크 성능을 개선하기 위한 코팅을 갖는 기판 지지 엣지 링 |
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| JPWO2022158457A1 (ja) * | 2021-01-20 | 2022-07-28 | ||
| US12570571B2 (en) | 2020-06-10 | 2026-03-10 | AGC Inc. | Glass |
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