JPH0883951A - モード同期リングレーザ装置 - Google Patents

モード同期リングレーザ装置

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JPH0883951A
JPH0883951A JP6215688A JP21568894A JPH0883951A JP H0883951 A JPH0883951 A JP H0883951A JP 6215688 A JP6215688 A JP 6215688A JP 21568894 A JP21568894 A JP 21568894A JP H0883951 A JPH0883951 A JP H0883951A
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JP
Japan
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optical
mode
ring laser
laser device
light
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JP6215688A
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English (en)
Inventor
Satoki Kawanishi
悟基 川西
Hidehiko Takara
秀彦 高良
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NTT Inc
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 簡便な手段で超短光パルスを発生させること
ができるパルスモード同期リングレーザ装置を提供する
こと。 【構成】 光の強度あるいは位相を所定の周波数で変調
する光変調手段と、変調された光パルスを増幅する光増
幅手段と、前記光パルスを外部に取り出す光分岐手段
と、前記各手段を互いに光学的に結合してリング共振器
を形成する光ファイバとを備えたモード同期リングレー
ザ装置において、前記光変調手段として、印加電圧によ
って光の吸収強度あるいは位相を可変することが可能な
半導体素子を用いる。 【効果】

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高速光通信、各種光計
測に用いられる光パルス発生装置に係わり、特に、短光
パルス発生に適用して有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】光パルス発生法の一つであるモード同期
法は、レーザ共振器の縦モード間隔と等しい周波数間隔
で変調することにより、位相の揃った多数の発振モード
を発生させるものであり、時間軸上では、この発振スペ
クトルのフーリエ逆変換に相当する光短パルス列を発生
できる。
【0003】このモード同期法においては、レーザの縦
モード間隔に等しい発振モードを発生されるモードロッ
カとして、光変調器を用いて共振器中を伝播する光の強
度を変調する方法が用いられる。
【0004】従来は、この光変調器としてLiNbO3
などの誘電体を材料とし、電気光学効果によって光強度
の変調を行うデバイスが主として用いられている。
【0005】図7は、従来のLiNbO3光変調器を用
いたモード同期リングレーザの基本構成を示すブロック
図である。
【0006】図7において、401は発振器、402は
パワーアンプ、403は光変調器、404は光ファイ
バ、405は光増幅器、406は光アイソレータ、40
7は出力用光ファイバカップラである。
【0007】図7に示すLiNbO3光変調器を用いた
モード同期リングレーザでは、所定の周波数を有する発
振器401の出力が、パワーアンプ402によって増幅
されて光変調器403に印加される。
【0008】光変調器403では、電気光学効果によっ
て光の損失あるいは位相を、発振器401から出力され
る周波数で変調する。
【0009】この光変調器403と、変調された光パル
スを増幅する光増幅器405と、光パルスの進行方向を
規定し反射戻り光を遮断する光アイソレータ406と、
増幅された光パルスを外部に取り出す出力用光ファイバ
カップラ406とが、光ファイバ404を介してリング
状に結合され、リング共振器が構成される。
【0010】図8は、図7に示すLiNbO3光変調器
を用いたモード同期リングレーザにおける、モード同期
で得られる代表的なスペクトル特性を示し、図9は、そ
の時間波形特性を示す。
【0011】また、図7に示すLiNbO3光変調器を
用いたモード同期リングレーザにおいて、光増幅器40
5としては、主に、エルビウム(Er)やネオジウム
(Nd)などの希土類を添加した希土類ドープ光ファイ
バ増幅器や、半導体レーザ増幅器が用いられる。
【0012】図10は、希土類ドープ光ファイバ増幅器
の一例を示す図であり、図10(a)は後方励起構成、
図10(b)は前方励起構成、図10(c)は双方向励
起構成を示す図である。
【0013】図10において、501は希土類(Er)
ドープファイバ、502は波長多重合波器、503は励
起光源である。
【0014】図10に示す希土類ドープ光ファイバ増幅
器において、光パルスは、希土類ドープ光ファイバ50
1の一端から入射され、他端から出射される。
【0015】励起光は、希土類ドープ光ファイバの光パ
ルスの出射端、入射端、あるいはその両端に接続された
合波器502を介して、励起光源503から希土類ドー
プ光ファイバ501に入射される。
【0016】希土類ドープ光ファイバ501では、この
励起光によって光パルスを増幅する。
【0017】図11は、半導体レーザ増幅器の一例を示
す図である。
【0018】図11において、601は駆動電源、60
2は半導体レーザ増幅器であり、半導体レーザ増幅器6
02は、入力される光パルスを駆動電源601から注入
される電流に応じて増幅する。
【0019】次に、図7を参照して、従来のモード同期
光リングレーザの動作原理について説明する。
【0020】リング共振器の光路長Lは、リング共振器
の各構成要素の物理長をhとし屈折率をnとすると、そ
れぞれの物理長hiそれぞれの屈折率ni乗した値(そ
れぞれの光路長)の和である。
【0021】L=Σhini (1) リング共振器では、fr=C/L(ただし、Cは光速
度)で与えられる周波数間隔をもつ多数の縦モードが存
在する。
【0022】ここで、リング共振器内の光変調器403
で繰り返し周波数fm=N・fr(N:1以上の整数)
の光変調を加えると、図8に示すように、周波数間隔N
・frの全ての縦モードの位相が揃うモード同期発振状
態となり、図9に示すように繰り返し周波数1/(N・
fr)の光パルス列が得られる。
【0023】なお、パルス幅は、多数の縦モードスペク
トルの包絡線で定まる発振スペクトル幅δνの逆数に対
応し、このスペクトル包絡線の中心が中心波長(周波数
ν0)となる。
【0024】このモードロックリングレーザによって、
パルス幅の狭い光パルス列を発生させようとした場合に
は、例えば、下記文献[1]に記載されているように、
光変調器403を高周波で駆動する必要がある。
【0025】[1] A.E.Siegman,Lasers(University
science books,Mill Valley,CA,1986)pp.1041-1103.
【0026】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、モード
ロッカとして通常強誘電体(LiNbO3)の光変調器
403を使用して正弦波信号で変調する場合には、一定
の繰り返し周波数において、モード同期レーザの出力パ
ルス幅はほぼ一定となるため、細いパルス幅の光パルス
列を発生されることは困難であった。
【0027】この場合に、LiNbO3光変調器403
をパルス幅の細い変調電気信号で変調すると、細いパル
ス幅の光パルス列を発生されることができるが、高速で
パルス幅の細い電気信号を得ることは難しいという問題
点があった。
【0028】さらに、従来用いられているLiNbO3
光変調器403には温度ドリフトがあり、安定動作のた
めには別に安定化回路が必要になるという問題点があっ
た。
【0029】本発明は、前記従来技術の問題点を解決す
るためになされたものであり、本発明の目的は、パルス
モード同期リングレーザ装置において、簡便な手段で超
短光パルスを発生させることができる技術を提供するこ
とにある。
【0030】本発明の前記目的並びにその他の目的及び
新規な特徴は、本明細書の記載及び添付図面によって明
らかにする。
【0031】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記の通りである。
【0032】(1)光の強度あるいは位相を所定の周波
数で変調する光変調手段と、変調された光パルスを増幅
する光増幅手段と、前記光パルスを外部に取り出す光分
岐手段と、前記各手段を互いに光学的に結合してリング
共振器を形成する光ファイバとを備えたモード同期リン
グレーザ装置において、前記光変調手段として、印加電
圧によって光の吸収強度あるいは位相を可変することが
可能な半導体素子を用いたことを特徴とする。
【0033】
【作用】前記した手段によれば、モード同期リングレー
ザを駆動するモードロッカとして印加電圧によって光の
吸収強度あるいは位相を可変することが可能な半導体素
子を用い、光の吸収度あるいは位相を変調してモード同
期光パルスを発生させる。
【0034】これにより、シャッター窓が狭い波形でモ
ード同期動作の駆動を行うため、従来技術に比べてパル
ス幅の狭い光パルスを発生させることが可能となる。
【0035】また、電界吸収型光変調器の材料である半
導体素子は、強誘電体に比べてドリフト特性に優れてい
るため、モードロックリングレーザの安定動作をはかる
ことが可能となる。
【0036】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。
【0037】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
【0038】〔実施例1〕図1は、本発明の一実施例
(実施例1)でモード同期リングレーザ装置の概略構成
を示すブロック図である。
【0039】図1において、101は発振器、102は
バイアスT、103は直流電源、104は電界吸収型光
変調器、105は光ファイバ、106は光増幅器、10
7は光アイソレータ、108は出力用光ファイバカップ
ラ、109は光出力ポートである。
【0040】本実施例1のモード同期リングレーザ装置
では、全体で光学長Lcのリング共振器を構成し、共振
器内の全ての構成要素を偏光依存型とし、かつ、それら
の光学主軸を合わせて結合することにより、共振器内の
光パルスの偏光方向を一定にすることができる。
【0041】すなわち、光パルスは同一偏光方向に保持
されて各構成要素を導波するので、不安定動作をもたら
す偏光状態の変化を防ぐことができる。
【0042】また、本実施例のモード同期リングレーザ
装置は、光変調器として電界吸収型光変調器104を使
用している以外は、前記図4に示す従来のモード同期リ
ングレーザ装置と同じ構成であり、その動作も、前記図
4に示す従来のモード同期リングレーザ装置と何等相違
しないのでその詳細な説明は省略する。
【0043】図2は、本実施例1における電界吸収型光
変調器104の基本構成の一例を示す図であり、同図
(A)はその平面図を表しており、また、同図(B)
は、同図(A)に示す線a−a′における断面図を表し
ている。
【0044】図2において、201は半導体基板、20
2は上部ストライプ電極、203は変調層、204はク
ラッド層、205は入出射端面、206は埋め込み層、
207は下部電極であり、変調層203と2つのクラッ
ド層204および半導体基板201によりpn接合が形
成され、上部ストライプ電極202に逆方向の電圧が印
加されると、変調層203に電界が印加される構造とな
っている。
【0045】本実施例1の電界吸収型光変調器104
は、逆方向印加電圧によって駆動される。
【0046】図3は、電界吸収型光変調器104の特性
の一例を示す図である。
【0047】図3に示すように、電界吸収型光変調器1
04は、上部ストライプ電極202に逆方向の電圧を印
加すると、入出射端面205から入射され電界吸収型光
変調器104を通って入出射端面205から出射させる
光の吸収度は指数関数的に増加する。
【0048】従って、図4に示すような正弦波の電圧を
逆方向の直流電圧に重畳して、電界吸収型光変調器10
4の変調電圧として印加すると、出力光波形は、図5に
示すような波形となる。
【0049】この電界吸収型光変調器104の詳細につ
いては、下記文献[2]を参照されたい。
【0050】[2] M.Suzuki et.al.,"Transform-lim
ited optical pulse generation up to 20-GHz repetit
ion rate by asinusoidally driven InGaAsP electroab
sorption modulator,"IEEEJ.Lightwave Technol.vol.1
1,pp.468-473,1993.前記したように、電界吸収型光変調
器104の駆動に正弦波を用いても、光に対するシャッ
ター作用としては、図5に示すように時間幅の狭いシャ
ッター窓が実現される。
【0051】この時間幅の狭いシャッター窓は、モード
同期動作においては短光パルス発生に重要な役割を果た
しており、このモード同期動作におけるシャッター窓と
パルス幅の関係は、均一広がりを有する増幅媒質を用い
た場合、シャッター窓が狭いほどパルス幅が細くなる。
【0052】これについては、下記文献[3]を参照さ
れたい。
【0053】[3] 高良他:「モード同期Erドープ
ファイバリングレーザの駆動周波数混合による、光パル
ス幅制御」、1994年電子情報通学会春季大会No.B−
1076,p.4−142.この電界吸収型光変調器1
04をモード同期駆動用に用いることによって、シャッ
ター窓が狭い駆動波形によるモード同期を実現すること
ができるため、同じ繰り返し周波数において発生する光
パルスのパルス幅が従来の光変調器を用いた場合に比べ
て狭い光パルスを発生されることができる。
【0054】また、電界吸収型光変調器104は、従来
で用いられているLiNbO3等の強誘電体に比べて温
度ドリフト等の変動が極めて小さく、レーザの安定動作
の点でも非常に有効である。
【0055】また、本発明のモード同期リングレーザ
を、各種光通信・信号処理ならびに光計測等に適用する
ことにより、そのメリットとしては大きいものと言え
る。
【0056】〔実施例2〕図6は、本発明の他の実施例
(実施例2)でモード同期リングレーザ装置の概略構成
を示すブロック図である。
【0057】図6において、301は発振器、302は
バイアスT、303は直流電源、304は電界吸収型光
変調器、305は光ファイバ、306は光増幅器、30
7は光アイソレータ、308は出力用光ファイバカップ
ラ、309は光出力ポート、310は波長可変光学バン
ドパスフィルタ、311は光遅延回路である。
【0058】本実施例2のモード同期リングレーザ装置
は、前記実施例1の構成に、波長可変光学バンドパスフ
ィルタ310と光遅延回路311をリング共振器内に、
偏波保持構成を維持したまま追加したものである。
【0059】本実施例2のモード同期リングレーザ装置
においても、モード同期の動作は前記実施例1における
動作と同じであるが、波長可変光学バンドパスフィルタ
310の中心波長を変えることによって、発振波長を自
由に変えることができる。
【0060】この場合、波長可変光学バンドパスフィル
タ310の中心波長を変化させるときに、リング共振器
内に波長分散があると、波長を変えたときの共振器長が
変化して、モード同期条件が満たされなくなるため、光
遅延回路311によって共振器長の変化を補正して希望
の繰り返し周波数を保ったまま波長可変のモード同期動
作を実現するようにしている。
【0061】なお、前記各実施例では、電界吸収型光変
調器により、光の吸収強度を可変するようにしたが、電
界吸収型光変調器により、光の位相を可変することも可
能である。
【0062】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
【0063】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。
【0064】(1)モード同期リングレーザのモードロ
ッカとして、電界吸収型光変調器を用いるようにしたの
で、シャッター窓が狭い波形でモード同期動作の駆動を
行うことができ、従来技術に比べてパルス幅の狭い光パ
ルスを発生させることが可能となる。
【0065】また、電界吸収型光変調器の材料である半
導体は、強誘電体に比べてドリフト特性に優れているた
め、モードロックリングレーザの安定動作をはかること
が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例(実施例1)でモード同期
リングレーザ装置の概略構成を示すブロック図である。
【図2】 本実施例1における電界吸収型光変調器の基
本構成の一例を示す図である。
【図3】 本実施例1における電界吸収型光変調器の特
性の一例を示す図である。
【図4】 本実施例1における電界吸収型光変調器を駆
動するための正弦波の電圧波形である。
【図5】 本実施例1における電界吸収型光変調器の出
力光波形である。
【図6】 本発明の一実施例(実施例1)でモード同期
リングレーザ装置の概略構成を示すブロック図である。
【図7】 従来のLiNbO3光変調器を用いたモード
同期リングレーザの基本構成を示すブロック図である。
【図8】 図7に示すLiNbO3光変調器を用いたモ
ード同期リングレーザにおける、モード同期で得られる
代表的なスペクトル特性を示す図である。
【図9】 図7に示すLiNbO3光変調器を用いたモ
ード同期リングレーザにおける、モード同期で得られる
代表的な時間波形特性を示す図である。
【図10】 希土類ドープ光ファイバ増幅器の一例を示
す図である。
【図11】 半導体レーザ増幅器の一例を示す図であ
る。
【符号の説明】
101,301,401…発振器、102,302…バ
イアスT、103,303…直流電源、104,304
…電界吸収型光変調器、105,305,404…光フ
ァイバ、106,306,405…光増幅器、107,
307,406…光アイソレータ、108,308,4
07…出力用光ファイバカップラ、109,309…光
出力ポート、201…半導体基板、202…上部ストラ
イプ電極、203…変調層、204…クラッド層、20
5…入出射端面、206…埋め込み層、207…下部電
極、310…波長可変光学バンドパスフィルタ、311
…光遅延回路、402…パワーアンプ、403…光変調
器、501…希土類(Er)ドープファイバ、502…
波長多重合波器、503…励起光源、601…駆動電
源、602…半導体レーザ増幅器。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光の強度あるいは位相を所定の周波数で
    変調する光変調手段と、変調された光パルスを増幅する
    光増幅手段と、前記光パルスを外部に取り出す光分岐手
    段と、前記各手段を互いに光学的に結合してリング共振
    器を形成する光ファイバとを備えたモード同期リングレ
    ーザ装置において、 前記光変調手段として、印加電圧によって光の吸収強度
    あるいは位相を可変することが可能な半導体素子を用い
    たことを特徴とするモード同期リングレーザ装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載されたモード同期リング
    レーザ装置において、 リング共振器内に、特定の波長
    のみを透過させる光透過手段と、光路に可変の遅延を与
    える光遅延手段とを、さらに備えることを特徴とするモ
    ード同期リングレーザ装置。
JP6215688A 1994-09-09 1994-09-09 モード同期リングレーザ装置 Pending JPH0883951A (ja)

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