JPH0883965A - 電極埋設基板及びその製造方法 - Google Patents
電極埋設基板及びその製造方法Info
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- JPH0883965A JPH0883965A JP21636194A JP21636194A JPH0883965A JP H0883965 A JPH0883965 A JP H0883965A JP 21636194 A JP21636194 A JP 21636194A JP 21636194 A JP21636194 A JP 21636194A JP H0883965 A JPH0883965 A JP H0883965A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 低抵抗の金属材料であっても酸に弱い性質を
有する材料（Ａl等）を電極に使用することを可能とす
る。 【構成】 電極埋設基板における電極を、酸に溶解し難
い材料よりなる２つの保護膜２，４の間に低抵抗材料よ
りなる金属膜３を膜厚方向に挟んで構成する。このよう
にすることで、酸を含む溶液を用いた液相成膜法によっ
て選択的に絶縁膜を形成するときに、低抵抗材料よりな
る金属膜が溶液に晒されないので、耐酸性の低い低抵抗
材料を電極材料として用いることができる。
有する材料（Ａl等）を電極に使用することを可能とす
る。 【構成】 電極埋設基板における電極を、酸に溶解し難
い材料よりなる２つの保護膜２，４の間に低抵抗材料よ
りなる金属膜３を膜厚方向に挟んで構成する。このよう
にすることで、酸を含む溶液を用いた液相成膜法によっ
て選択的に絶縁膜を形成するときに、低抵抗材料よりな
る金属膜が溶液に晒されないので、耐酸性の低い低抵抗
材料を電極材料として用いることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は絶縁基板上に成膜された
絶縁膜に電極が埋設して設けられている電極埋設基板及
びその製造方法に関する。
絶縁膜に電極が埋設して設けられている電極埋設基板及
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、電極埋設基板の製造方法として
は、珪弗化水素酸を含む溶液からの酸化ケイ素（Ｓi
Ｏ2）等の析出堆積によって、親水性の基板表面及び電
極となる金属膜側面への選択的成膜特性を用いて、基板
上に電極を埋設した後の基板表面形状を平坦面にする方
法が知られている。これによれば、Ｃrなどの薄膜の体
積抵抗率で数１０から数１００μΩcm程度の金属材料で
構成される微細な配線電極膜を、基板表面に平坦に埋め
込むことができる。
は、珪弗化水素酸を含む溶液からの酸化ケイ素（Ｓi
Ｏ2）等の析出堆積によって、親水性の基板表面及び電
極となる金属膜側面への選択的成膜特性を用いて、基板
上に電極を埋設した後の基板表面形状を平坦面にする方
法が知られている。これによれば、Ｃrなどの薄膜の体
積抵抗率で数１０から数１００μΩcm程度の金属材料で
構成される微細な配線電極膜を、基板表面に平坦に埋め
込むことができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、体積抵抗率
が２．５μΩcm程度という低抵抗の材料であるアルミニ
ウム（Ａl）を用いて、Ａl配線電極を基板表面に埋設し
ようとする場合、ＳiＯ2の液相成膜時に使用する珪弗化
水素酸を含む溶液に対するＡlの耐腐食性が低いため
に、パターニングされたＡl金属電極が溶液に溶解して
しまうので、結局、Ａlを電極材料として使用すること
ができない。このように、従来の埋設電極基板の製造方
法にあっては、低抵抗の金属材料であっても酸に弱い性
質を有する材料を電極に使用することができない。
が２．５μΩcm程度という低抵抗の材料であるアルミニ
ウム（Ａl）を用いて、Ａl配線電極を基板表面に埋設し
ようとする場合、ＳiＯ2の液相成膜時に使用する珪弗化
水素酸を含む溶液に対するＡlの耐腐食性が低いため
に、パターニングされたＡl金属電極が溶液に溶解して
しまうので、結局、Ａlを電極材料として使用すること
ができない。このように、従来の埋設電極基板の製造方
法にあっては、低抵抗の金属材料であっても酸に弱い性
質を有する材料を電極に使用することができない。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
請求項１の電極埋設基板は、電極を酸に溶解し難い材料
よりなる２つの保護膜の間に低抵抗材料よりなる金属膜
を膜厚方向に挟んでなる構成とした。そして、請求項２
の電極埋設基板の製造方法は、絶縁基板上に酸に溶解し
難い材料よりなる第１保護膜、低抵抗材料よりなる電極
膜及び酸に溶解し難い材料よりなる第２保護膜を順次積
層成膜した後、パターニング及び絶縁膜の液相成膜を行
い、酸に溶解し難い材料よりなる２つの保護膜の間に低
抵抗材料よりなる電極膜を膜厚方向に挟んで電極を埋設
形成するようにした。
請求項１の電極埋設基板は、電極を酸に溶解し難い材料
よりなる２つの保護膜の間に低抵抗材料よりなる金属膜
を膜厚方向に挟んでなる構成とした。そして、請求項２
の電極埋設基板の製造方法は、絶縁基板上に酸に溶解し
難い材料よりなる第１保護膜、低抵抗材料よりなる電極
膜及び酸に溶解し難い材料よりなる第２保護膜を順次積
層成膜した後、パターニング及び絶縁膜の液相成膜を行
い、酸に溶解し難い材料よりなる２つの保護膜の間に低
抵抗材料よりなる電極膜を膜厚方向に挟んで電極を埋設
形成するようにした。
【０００５】また、請求項３の電極埋設基板は、電極を
低抵抗材料よりなる金属膜の周囲に酸に溶解し難い材料
よりなる保護膜が設けられている構成とした。そして、
請求項４の電極埋設基板の製造方法は、絶縁基板上に低
抵抗材料よりなる電極膜を成膜した後、この電極膜のパ
ターニングを行い、次いでパターニング後の電極膜の周
囲に酸に溶解し難い材料よりなる保護膜を成膜した後、
絶縁膜の液相成膜を行って、低抵抗材料よりなる電極膜
の周囲に酸に溶解し難い材料よりなる保護膜が設けられ
ている電極を埋設形成するようにした。
低抵抗材料よりなる金属膜の周囲に酸に溶解し難い材料
よりなる保護膜が設けられている構成とした。そして、
請求項４の電極埋設基板の製造方法は、絶縁基板上に低
抵抗材料よりなる電極膜を成膜した後、この電極膜のパ
ターニングを行い、次いでパターニング後の電極膜の周
囲に酸に溶解し難い材料よりなる保護膜を成膜した後、
絶縁膜の液相成膜を行って、低抵抗材料よりなる電極膜
の周囲に酸に溶解し難い材料よりなる保護膜が設けられ
ている電極を埋設形成するようにした。
【０００６】
【作用】酸に溶解し難い材料よりなる２つの保護膜の間
に低抵抗材料よりなる金属膜を膜厚方向に挟むことによ
って、あるいは電極が低抵抗材料よりなる金属膜の周囲
に酸に溶解し難い材料よりなる保護膜を設けることで、
酸を含む溶液を用いた液相成膜法によって選択的に絶縁
膜を形成するときに、低抵抗材料よりなる金属膜が溶液
に晒されないので、耐酸性の低い低抵抗材料を電極材料
として用いることができる。
に低抵抗材料よりなる金属膜を膜厚方向に挟むことによ
って、あるいは電極が低抵抗材料よりなる金属膜の周囲
に酸に溶解し難い材料よりなる保護膜を設けることで、
酸を含む溶液を用いた液相成膜法によって選択的に絶縁
膜を形成するときに、低抵抗材料よりなる金属膜が溶液
に晒されないので、耐酸性の低い低抵抗材料を電極材料
として用いることができる。
【０００７】
【実施例】以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。図１は請求項１及び２に係る電極埋設基板及
びその製造方法を説明する模式図、図２は請求項３及び
４に係る電極埋設基板及びその製造方法を説明する模式
図である。
説明する。図１は請求項１及び２に係る電極埋設基板及
びその製造方法を説明する模式図、図２は請求項３及び
４に係る電極埋設基板及びその製造方法を説明する模式
図である。
【０００８】先ず、図１を参照して請求項２に係る電極
埋設基板の製造方法によって請求項１に係る電極埋設基
板を製造する過程について説明する。ここでは、同図
（ａ）に示すように、まず絶縁基板１上に、酸に溶解し
難い材料よりなる第１保護膜２、低抵抗材料よりなる電
極膜３及び酸に溶解し難い材料よりなる第２保護膜４を
順次積層成膜し、これらの第１保護膜２、電極膜３及び
第２保護膜４からなる積層電極膜５を形成する。
埋設基板の製造方法によって請求項１に係る電極埋設基
板を製造する過程について説明する。ここでは、同図
（ａ）に示すように、まず絶縁基板１上に、酸に溶解し
難い材料よりなる第１保護膜２、低抵抗材料よりなる電
極膜３及び酸に溶解し難い材料よりなる第２保護膜４を
順次積層成膜し、これらの第１保護膜２、電極膜３及び
第２保護膜４からなる積層電極膜５を形成する。
【０００９】ここで、基板１は低アルカリガラス、アル
カリパーッシベーションを施したようなソーダガラス、
または樹脂基板、例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタ
レート）基板等を用いることができる。この基板１とし
ては、ＳiＯ2の液相で選択的成膜を行うために、その表
面が親水性であることが好ましい。
カリパーッシベーションを施したようなソーダガラス、
または樹脂基板、例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタ
レート）基板等を用いることができる。この基板１とし
ては、ＳiＯ2の液相で選択的成膜を行うために、その表
面が親水性であることが好ましい。
【００１０】ここで、第１保護膜２、第２保護膜４とし
て用いる酸に溶解し難い材料としては、酸を含む溶液に
溶解し難い性質を有する材料であれば特に限定されない
が、Ｃr、Ｔa、Ｎi、Ｍo、Ｗ、Ｔiなどの金属材料やこ
れらの酸化物、あるいはこれらの金属同士の合金及び複
合酸化物、また、ＳiＯ2、Ａl2Ｏ3、Ｎa2Ｏ、ＭｇＯな
どの酸化物やＳiＮなどの窒化物が好ましい。ただし、
第１，第２保護膜２，４の材料としては、電極の埋設工
程に使用する酸を含む溶液に基板上の薄膜として浸漬し
た場合の膜厚の溶解速度が、埋設工程で用いる液相成膜
によるＳiＯ2などの絶縁膜の成膜速度より遅いことが好
ましい。また、第１保護膜２及び第２保護膜４は同じ材
料でも、異なる材料でもよいが、基板表面上から見て電
極として機能する必要があるので、第２保護膜４には導
電性の材料を用いることが好ましい。
て用いる酸に溶解し難い材料としては、酸を含む溶液に
溶解し難い性質を有する材料であれば特に限定されない
が、Ｃr、Ｔa、Ｎi、Ｍo、Ｗ、Ｔiなどの金属材料やこ
れらの酸化物、あるいはこれらの金属同士の合金及び複
合酸化物、また、ＳiＯ2、Ａl2Ｏ3、Ｎa2Ｏ、ＭｇＯな
どの酸化物やＳiＮなどの窒化物が好ましい。ただし、
第１，第２保護膜２，４の材料としては、電極の埋設工
程に使用する酸を含む溶液に基板上の薄膜として浸漬し
た場合の膜厚の溶解速度が、埋設工程で用いる液相成膜
によるＳiＯ2などの絶縁膜の成膜速度より遅いことが好
ましい。また、第１保護膜２及び第２保護膜４は同じ材
料でも、異なる材料でもよいが、基板表面上から見て電
極として機能する必要があるので、第２保護膜４には導
電性の材料を用いることが好ましい。
【００１１】また、電極膜３として用いる低抵抗材料と
しては、体積抵抗率で１ｍΩｃｍ程度以下の低抵抗材料
であれば良く、特に、Ａl、Ｃu、Ｃr、Ｔa等が抵抗の低
さとコストの上でも好ましいが、Ａu、Ａg、Ｐt等を用
いることもできる。また、これらの合金や複合膜でもよ
く、更にＩＴＯ（インジウム−スズ−酸化物）等の導電
性のある金属酸化物でもよい。ここで、本発明の効果が
特に顕著に現れるのは、ＡlやＡlを主成分とした合金に
代表されるような酸を含む溶液に比較的溶解し易い材料
を用いた場合である。
しては、体積抵抗率で１ｍΩｃｍ程度以下の低抵抗材料
であれば良く、特に、Ａl、Ｃu、Ｃr、Ｔa等が抵抗の低
さとコストの上でも好ましいが、Ａu、Ａg、Ｐt等を用
いることもできる。また、これらの合金や複合膜でもよ
く、更にＩＴＯ（インジウム−スズ−酸化物）等の導電
性のある金属酸化物でもよい。ここで、本発明の効果が
特に顕著に現れるのは、ＡlやＡlを主成分とした合金に
代表されるような酸を含む溶液に比較的溶解し易い材料
を用いた場合である。
【００１２】さらに、第１保護膜２、電極膜３及び第２
保護膜４の膜厚の範囲については限定されないが、例え
ばＴＦＴゲート電極の場合、電極膜３にＡlを用いた場
合にその膜厚を３００ｎｍ程度とすると、第１，第２保
護膜２，４にＣrを選択しているとき、その膜厚は５０
ｎｍ程度にするのが電気特性及び製造工程上で実用的で
ある。また、電極膜３がガラス等の基板表面と密着性が
良くない場合、下地となる第１保護膜２としてガラスと
の密着性が高い材料を選択することによって、電極膜３
の基板表面の密着性が間接的に向上し、パターニング中
や埋設工程中の配線剥離の防止を図れる。
保護膜４の膜厚の範囲については限定されないが、例え
ばＴＦＴゲート電極の場合、電極膜３にＡlを用いた場
合にその膜厚を３００ｎｍ程度とすると、第１，第２保
護膜２，４にＣrを選択しているとき、その膜厚は５０
ｎｍ程度にするのが電気特性及び製造工程上で実用的で
ある。また、電極膜３がガラス等の基板表面と密着性が
良くない場合、下地となる第１保護膜２としてガラスと
の密着性が高い材料を選択することによって、電極膜３
の基板表面の密着性が間接的に向上し、パターニング中
や埋設工程中の配線剥離の防止を図れる。
【００１３】その後、同図（ｂ）に示すように、フォト
リソグラフィ法等に従って、基板上の積層電極膜５上に
レジストを塗布し、このレジストを露光及び現像してレ
ジストパターンを形成した後、このレジストパターンを
エッチング用マスクとして積層電極膜５をエッチングし
てパターニングし、レジストパターン（レジスト膜）６
を残したままとする。
リソグラフィ法等に従って、基板上の積層電極膜５上に
レジストを塗布し、このレジストを露光及び現像してレ
ジストパターンを形成した後、このレジストパターンを
エッチング用マスクとして積層電極膜５をエッチングし
てパターニングし、レジストパターン（レジスト膜）６
を残したままとする。
【００１４】ここで、エッチング用レジスト膜（耐腐食
膜）は、フォトリソグラフィに通常用いられるフォトレ
ジストを用いることができる。また、レジスト膜の成膜
方法は、スピンコート、ロールコータなどの成膜方法を
用いることができる。更に、レジスト膜は印刷法等によ
る他のレジスト材料の部分成膜であってもよく、フォト
リソグラフィ以外の方法でパターニングすることもでき
る。
膜）は、フォトリソグラフィに通常用いられるフォトレ
ジストを用いることができる。また、レジスト膜の成膜
方法は、スピンコート、ロールコータなどの成膜方法を
用いることができる。更に、レジスト膜は印刷法等によ
る他のレジスト材料の部分成膜であってもよく、フォト
リソグラフィ以外の方法でパターニングすることもでき
る。
【００１５】次いで、珪弗化水素酸を含む溶液を用いた
ＳiＯ2の液相析出成膜法を用いて、同図（ｃ）に示すよ
うに積層電極膜５がエッチングされて露出した基板１表
面部分に、ＳiＯ2絶縁膜７を積層電極５と同じ厚さだけ
成膜し、その後、同図（ｄ）に示すようにレジストパタ
ーン６を剥離する。
ＳiＯ2の液相析出成膜法を用いて、同図（ｃ）に示すよ
うに積層電極膜５がエッチングされて露出した基板１表
面部分に、ＳiＯ2絶縁膜７を積層電極５と同じ厚さだけ
成膜し、その後、同図（ｄ）に示すようにレジストパタ
ーン６を剥離する。
【００１６】ここで、絶縁膜７の成膜方法は、上記のよ
うに珪弗化水素酸を含む溶液からＳiＯ2を析出する方法
を用いるのが好ましいが、その他の溶液組成については
特に限定されるものではない。積層電極膜５以外の表面
に成膜可能で本発明の効果を発揮するものであれば、例
えばＡl2Ｏ3、ＭgＯ、Ｂ2Ｏ3、ＣrＯ2、Ｔa2Ｏ5等の電
気的絶縁性を有する金属酸化物やその他の絶縁性無機材
料をも用いることができる。更に、本用途に耐え得れ
ば、有機材料組成などを含む溶液から成膜する絶縁性有
機系材料を用いることもできる。
うに珪弗化水素酸を含む溶液からＳiＯ2を析出する方法
を用いるのが好ましいが、その他の溶液組成については
特に限定されるものではない。積層電極膜５以外の表面
に成膜可能で本発明の効果を発揮するものであれば、例
えばＡl2Ｏ3、ＭgＯ、Ｂ2Ｏ3、ＣrＯ2、Ｔa2Ｏ5等の電
気的絶縁性を有する金属酸化物やその他の絶縁性無機材
料をも用いることができる。更に、本用途に耐え得れ
ば、有機材料組成などを含む溶液から成膜する絶縁性有
機系材料を用いることもできる。
【００１７】このようにして、基板１上に酸に溶解し難
い材料よりなる２つの保護膜２，４の間に低抵抗材料よ
りなる金属膜３を膜厚方向に挟んでなる低抵抗の微細配
線電極をなす積層電極膜５が絶縁膜７に埋設され、表面
が平坦面をなす電極埋設基板が得られる。
い材料よりなる２つの保護膜２，４の間に低抵抗材料よ
りなる金属膜３を膜厚方向に挟んでなる低抵抗の微細配
線電極をなす積層電極膜５が絶縁膜７に埋設され、表面
が平坦面をなす電極埋設基板が得られる。
【００１８】次に、図２を参照して請求項４に係る電極
埋設基板の製造方法によって請求項３に係る電極埋設基
板を製造する過程について説明する。ここでは、同図
（ａ）に示すように、まず絶縁基板１上に低抵抗材料よ
りなる電極膜３を成膜し、上記の場合と同様に、フォト
リソグラフィ法等により、所望の電極パターンにパター
ニングした後、そのときに使用したレジストパターン６
を残したままにし、同図（ｂ）に示すように電極膜３の
側面（周囲）に酸に溶解し難い材料よりなる保護膜８を
形成して、保護膜付き金属膜９を形成する。
埋設基板の製造方法によって請求項３に係る電極埋設基
板を製造する過程について説明する。ここでは、同図
（ａ）に示すように、まず絶縁基板１上に低抵抗材料よ
りなる電極膜３を成膜し、上記の場合と同様に、フォト
リソグラフィ法等により、所望の電極パターンにパター
ニングした後、そのときに使用したレジストパターン６
を残したままにし、同図（ｂ）に示すように電極膜３の
側面（周囲）に酸に溶解し難い材料よりなる保護膜８を
形成して、保護膜付き金属膜９を形成する。
【００１９】ここで、電極膜３に用いる材料及び保護膜
８に用いる酸に溶解し難い材料も前述したと同様であ
る。この保護膜８を設ける手段は特に限定されないが、
例えば金属膜３がＡlのときには、陽極酸化法を用い
て、金属膜３を陽極とし、クエン酸溶液に浸漬した陰極
と直流電源を介して接続し、これに電圧を印加すること
によって、露出した電極膜３側面を選択的にアルミニウ
ム酸化物（Ａl2Ｏ3）の膜で被覆し、これを保護膜８と
する方法が、電極膜３側面に選択的に成膜ができるとい
う点で好ましい。この陽極酸化法は、ＴＦＴＬＣＤプロ
セス中でのゲート電極の表面酸化プロセスとして用いら
れており、また、電極膜３がＴaやＭoの場合にも適用す
ることができる。
８に用いる酸に溶解し難い材料も前述したと同様であ
る。この保護膜８を設ける手段は特に限定されないが、
例えば金属膜３がＡlのときには、陽極酸化法を用い
て、金属膜３を陽極とし、クエン酸溶液に浸漬した陰極
と直流電源を介して接続し、これに電圧を印加すること
によって、露出した電極膜３側面を選択的にアルミニウ
ム酸化物（Ａl2Ｏ3）の膜で被覆し、これを保護膜８と
する方法が、電極膜３側面に選択的に成膜ができるとい
う点で好ましい。この陽極酸化法は、ＴＦＴＬＣＤプロ
セス中でのゲート電極の表面酸化プロセスとして用いら
れており、また、電極膜３がＴaやＭoの場合にも適用す
ることができる。
【００２０】また、保護膜８を設ける他の方法として
は、例えばパターニングした電極膜３にレジストを残留
させたまま、必要な電圧を与えて行う電界メッキ法を用
いて、Ｎi、Ｚn、Ａu、Ｐt、Ａg、Ｐbなどの耐酸性の比
較的高い材料の被膜を選択的に電極膜３の側面に成膜す
る方法も電極膜３側面に選択的に成膜ができるという点
で好ましい。
は、例えばパターニングした電極膜３にレジストを残留
させたまま、必要な電圧を与えて行う電界メッキ法を用
いて、Ｎi、Ｚn、Ａu、Ｐt、Ａg、Ｐbなどの耐酸性の比
較的高い材料の被膜を選択的に電極膜３の側面に成膜す
る方法も電極膜３側面に選択的に成膜ができるという点
で好ましい。
【００２１】次いで、珪弗化水素酸を含む溶液を用いた
ＳiＯ2の液相析出成膜法を用いて、同図（ｃ）に示すよ
うに保護膜付き電極膜９のない基板１表面部分に、Ｓi
Ｏ2絶縁膜７を保護膜付き電極膜９と同じ厚さだけ成膜
し、その後、同図（ｄ）に示すようにレジストパターン
６を剥離する。
ＳiＯ2の液相析出成膜法を用いて、同図（ｃ）に示すよ
うに保護膜付き電極膜９のない基板１表面部分に、Ｓi
Ｏ2絶縁膜７を保護膜付き電極膜９と同じ厚さだけ成膜
し、その後、同図（ｄ）に示すようにレジストパターン
６を剥離する。
【００２２】このようにして、基板１上に低抵抗材料よ
りなる金属膜３の周囲に酸に溶解し難い材料よりなる保
護膜８が設けられている低抵抗の微細配線電極をなす保
護膜付き電極膜９が絶縁膜７に埋設され、表面が平坦面
をなす電極埋設基板が得られる。
りなる金属膜３の周囲に酸に溶解し難い材料よりなる保
護膜８が設けられている低抵抗の微細配線電極をなす保
護膜付き電極膜９が絶縁膜７に埋設され、表面が平坦面
をなす電極埋設基板が得られる。
【００２３】以下に本発明の具体的な実施例について説
明する。 実施例１ 縦３５０ｍｍ、横４００ｍｍ、厚さ２ｍｍのサイズのＴ
ＦＴＬＣＤ用低アルカリガラス基板を用いて、これを洗
浄した後、スパッタ成膜によって第１保護膜となるＣr
膜を膜厚５０ｎｍで、電極膜となるＡl膜を膜厚３００
ｎｍで、第２保護膜となるＣr膜を膜厚５０ｎｍで順次
積層成膜し、総和で膜厚４００ｎｍの積層電極膜を成膜
した。
明する。 実施例１ 縦３５０ｍｍ、横４００ｍｍ、厚さ２ｍｍのサイズのＴ
ＦＴＬＣＤ用低アルカリガラス基板を用いて、これを洗
浄した後、スパッタ成膜によって第１保護膜となるＣr
膜を膜厚５０ｎｍで、電極膜となるＡl膜を膜厚３００
ｎｍで、第２保護膜となるＣr膜を膜厚５０ｎｍで順次
積層成膜し、総和で膜厚４００ｎｍの積層電極膜を成膜
した。
【００２４】次に、フォトレジスト樹脂溶液をスピンコ
ートで１μｍの膜厚で積層電極膜（より詳細には第２保
護膜）上に成膜し、レジスト膜を得た。これをオーブン
にて乾燥し、パターニングのための所定のポジ用フォト
マスクを通して紫外線露光し、現像液にてレジストを現
像した。そして、Ｃr用エッチャントとＡl用エッチャン
トを順次用いて積層電極膜のエッチングを行い、所定の
パターンの積層電極膜を得た。
ートで１μｍの膜厚で積層電極膜（より詳細には第２保
護膜）上に成膜し、レジスト膜を得た。これをオーブン
にて乾燥し、パターニングのための所定のポジ用フォト
マスクを通して紫外線露光し、現像液にてレジストを現
像した。そして、Ｃr用エッチャントとＡl用エッチャン
トを順次用いて積層電極膜のエッチングを行い、所定の
パターンの積層電極膜を得た。
【００２５】次いで、このレジスト膜を残したままの状
態で、積層電極膜をメッキ用電極としてＮiの電界メッ
キ用溶液に浸漬し、積層電極膜の側壁にＮiを析出させ
てＮi保護膜を膜厚１００ｎｍで成膜した。
態で、積層電極膜をメッキ用電極としてＮiの電界メッ
キ用溶液に浸漬し、積層電極膜の側壁にＮiを析出させ
てＮi保護膜を膜厚１００ｎｍで成膜した。
【００２６】更に、レジスト膜を残したままの状態で、
珪弗化水素酸溶液中でのＳiＯ2の析出を用いた液相成膜
法によって、レジスト膜の存在しない部分で、親水性で
ある基板表面及び積層電極膜の側壁の部分に析出するよ
うにして、積層電極膜と同じ膜厚４００ｎｍのＳiＯ2の
絶縁膜を成膜した。そして、残留しているレジスト膜を
剥離液にて剥離することによって、基板上に所定パター
ンの積層電極膜が絶縁膜と同じ膜厚で埋め込まれて、表
面が平坦に形成された電極埋設基板が得られた。
珪弗化水素酸溶液中でのＳiＯ2の析出を用いた液相成膜
法によって、レジスト膜の存在しない部分で、親水性で
ある基板表面及び積層電極膜の側壁の部分に析出するよ
うにして、積層電極膜と同じ膜厚４００ｎｍのＳiＯ2の
絶縁膜を成膜した。そして、残留しているレジスト膜を
剥離液にて剥離することによって、基板上に所定パター
ンの積層電極膜が絶縁膜と同じ膜厚で埋め込まれて、表
面が平坦に形成された電極埋設基板が得られた。
【００２７】実施例２ 縦３５０ｍｍ、横４００ｍｍ、厚さ２ｍｍのサイズのパ
ッシベーション用ＳiＯ2膜付きソーダライムガラス基板
を用いて、これを洗浄した後、スパッタ成膜によって電
極膜となるＡl膜を膜厚３００ｎｍで成膜した。次に、
フォトレジスト樹脂溶液をスピンコートで１μｍの膜厚
で電極膜上に成膜し、レジスト膜を得た。これをオーブ
ンにて乾燥し、パターニングのための所定のポジ用フォ
トマスクを通して紫外線露光し、現像液にてレジストを
現像した。
ッシベーション用ＳiＯ2膜付きソーダライムガラス基板
を用いて、これを洗浄した後、スパッタ成膜によって電
極膜となるＡl膜を膜厚３００ｎｍで成膜した。次に、
フォトレジスト樹脂溶液をスピンコートで１μｍの膜厚
で電極膜上に成膜し、レジスト膜を得た。これをオーブ
ンにて乾燥し、パターニングのための所定のポジ用フォ
トマスクを通して紫外線露光し、現像液にてレジストを
現像した。
【００２８】その後、Ａl用エッチャントをＡl膜のエッ
チングを行い、所定のパターンの電極膜を得た。次い
で、このレジスト膜を残したままの状態で、電極膜を陽
極とし、白金板を陰極として所定の電圧を印加しながら
陽極酸化用溶液に浸漬し、電極膜の側面に保護膜となる
Ａl2Ｏ3膜を膜厚２００ｎｍで形成した。
チングを行い、所定のパターンの電極膜を得た。次い
で、このレジスト膜を残したままの状態で、電極膜を陽
極とし、白金板を陰極として所定の電圧を印加しながら
陽極酸化用溶液に浸漬し、電極膜の側面に保護膜となる
Ａl2Ｏ3膜を膜厚２００ｎｍで形成した。
【００２９】更に、レジスト膜を残したままの状態で、
珪弗化水素酸溶液中でのＳiＯ2の析出を用いた液相成膜
法によって、レジスト膜の存在しない部分で、親水性で
ある基板表面及び電極膜の側壁の部分に析出するように
して、電極膜と同じ膜厚３００ｎｍのＳiＯ2の絶縁膜を
成膜した。そして、残留しているレジスト膜を剥離液に
て剥離することによって、基板上に所定パターンの電極
膜が絶縁膜と同じ膜厚で埋め込まれて、表面が平坦に形
成された電極埋設基板が得られた。
珪弗化水素酸溶液中でのＳiＯ2の析出を用いた液相成膜
法によって、レジスト膜の存在しない部分で、親水性で
ある基板表面及び電極膜の側壁の部分に析出するように
して、電極膜と同じ膜厚３００ｎｍのＳiＯ2の絶縁膜を
成膜した。そして、残留しているレジスト膜を剥離液に
て剥離することによって、基板上に所定パターンの電極
膜が絶縁膜と同じ膜厚で埋め込まれて、表面が平坦に形
成された電極埋設基板が得られた。
【００３０】
【発明の効果】以上に説明したように請求項１及び請求
項２の電極埋設基板及びその製造方法によれば、絶縁基
板上に酸に溶解し難い材料よりなる第１保護膜、低抵抗
材料よりなる電極膜及び酸に溶解し難い材料よりなる第
２保護膜を順次積層成膜し、電極が酸に溶解し難い材料
よりなる２つの保護膜の間に低抵抗材料よりなる金属膜
を膜厚方向に挟んでなる構成としたので、酸を含む溶液
を用いた液相成膜法によって選択的に絶縁膜を形成する
ときに、低抵抗材料よりなる金属膜が溶液に晒されない
ので、耐酸性の低い低抵抗材料を電極材料として用いる
ことができ、低抵抗の電極を容易にかつ低コストで埋設
することが可能になる。
項２の電極埋設基板及びその製造方法によれば、絶縁基
板上に酸に溶解し難い材料よりなる第１保護膜、低抵抗
材料よりなる電極膜及び酸に溶解し難い材料よりなる第
２保護膜を順次積層成膜し、電極が酸に溶解し難い材料
よりなる２つの保護膜の間に低抵抗材料よりなる金属膜
を膜厚方向に挟んでなる構成としたので、酸を含む溶液
を用いた液相成膜法によって選択的に絶縁膜を形成する
ときに、低抵抗材料よりなる金属膜が溶液に晒されない
ので、耐酸性の低い低抵抗材料を電極材料として用いる
ことができ、低抵抗の電極を容易にかつ低コストで埋設
することが可能になる。
【００３１】また請求項３及び請求項４の電極埋設基板
及びその製造方法によれば、基板上に低抵抗材料よりな
る電極膜を成膜した後、この電極膜のパターニングを行
い、次いでパターニング後の電極膜の周囲に酸に溶解し
難い材料よりなる保護膜を成膜し、電極が低抵抗材料よ
りなる金属膜の周囲に酸に溶解し難い材料よりなる保護
膜が設けられている構成としたので、酸を含む溶液を用
いた液相成膜法によって選択的に絶縁膜を形成するとき
に、低抵抗材料よりなる金属膜が溶液に晒されないの
で、耐酸性の低い低抵抗材料を電極材料として用いるこ
とができ、低抵抗の電極を容易にかつ低コストで埋設す
ることが可能になる。
及びその製造方法によれば、基板上に低抵抗材料よりな
る電極膜を成膜した後、この電極膜のパターニングを行
い、次いでパターニング後の電極膜の周囲に酸に溶解し
難い材料よりなる保護膜を成膜し、電極が低抵抗材料よ
りなる金属膜の周囲に酸に溶解し難い材料よりなる保護
膜が設けられている構成としたので、酸を含む溶液を用
いた液相成膜法によって選択的に絶縁膜を形成するとき
に、低抵抗材料よりなる金属膜が溶液に晒されないの
で、耐酸性の低い低抵抗材料を電極材料として用いるこ
とができ、低抵抗の電極を容易にかつ低コストで埋設す
ることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】請求項１及び２に係る電極埋設基板及びその製
造方法を説明する模式図
造方法を説明する模式図
【図２】請求項３及び４に係る電極埋設基板及びその製
造方法を説明する模式図
造方法を説明する模式図
１…基板、２…第１保護膜、３…電極膜、４…第２保護
膜、５…積層電極膜、６…レジストパターン、７…絶縁
膜、８…保護膜、９…保護膜付き電極膜。
膜、５…積層電極膜、６…レジストパターン、７…絶縁
膜、８…保護膜、９…保護膜付き電極膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/40 Ｃ 7511−4Ｅ // Ｈ０１Ｂ 5/14 Ｚ (72)発明者 青木 裕一 大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11号 日本板硝子株式会社内 (72)発明者 斉藤 英昭 大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11号 日本板硝子株式会社内 (72)発明者 楠田 幸久 大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11号 日本板硝子株式会社内 (72)発明者 竹村 和夫 大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11号 日本板硝子株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁基板上に成膜された絶縁膜に電極が
埋設された電極埋設基板において、前記電極は、酸に溶
解し難い材料よりなる２つの保護膜の間に低抵抗材料よ
りなる金属膜を膜厚方向に挟んで構成したことを特徴と
する電極埋設基板。 - 【請求項２】 絶縁基板上に電極膜をパターニングした
後、このパターニングに用いたレジストを前記電極膜上
に残留させたまま前記基板上の電極膜が除去された部分
に、酸を含む溶液を用いた液相成膜法によって選択的に
絶縁膜を形成することで絶縁膜に電極が埋設された電極
埋設基板を製造する方法において、前記絶縁基板上に酸
に溶解し難い材料よりなる第１保護膜、低抵抗材料より
なる電極膜及び酸に溶解し難い材料よりなる第２保護膜
を順次積層成膜した後、前記パターニング及び絶縁膜の
液相成膜を行い、酸に溶解し難い材料よりなる２つの保
護膜の間に低抵抗材料よりなる電極膜を膜厚方向に挟ん
でなる電極を埋設形成することを特徴とする電極埋設基
板の製造方法。 - 【請求項３】 絶縁基板上に成膜された絶縁膜に電極が
埋設された電極埋設基板において、前記電極は、低抵抗
材料よりなる金属膜の周囲に酸に溶解し難い材料よりな
る保護膜を設けて構成したことを特徴とする電極埋設基
板。 - 【請求項４】 絶縁基板上に電極膜をパターニングした
後、このパターニングに用いたレジストを前記電極膜上
に残留させたまま前記基板上の電極膜が除去された部分
に、酸を含む溶液を用いた液相成膜法によって選択的に
絶縁膜を形成することで絶縁膜に電極が埋設された電極
埋設基板を製造する方法において、前記絶縁基板上に低
抵抗材料よりなる電極膜を成膜した後、この電極膜のパ
ターニングを行い、次いでパターニング後の電極膜の周
囲に酸に溶解し難い材料よりなる保護膜を成膜した後、
前記絶縁膜の液相成膜を行って、低抵抗材料よりなる電
極膜の周囲に酸に溶解し難い材料よりなる保護膜が設け
られている電極を埋設形成することを特徴とする電極埋
設基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6216361A JP2907318B2 (ja) | 1994-09-09 | 1994-09-09 | 電極埋設基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6216361A JP2907318B2 (ja) | 1994-09-09 | 1994-09-09 | 電極埋設基板及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0883965A true JPH0883965A (ja) | 1996-03-26 |
| JP2907318B2 JP2907318B2 (ja) | 1999-06-21 |
Family
ID=16687367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6216361A Expired - Lifetime JP2907318B2 (ja) | 1994-09-09 | 1994-09-09 | 電極埋設基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2907318B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6514801B1 (en) | 1999-03-30 | 2003-02-04 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing thin-film transistor |
| US6593591B2 (en) | 1996-05-15 | 2003-07-15 | Seiko Epson Corporation | Thin film device provided with coating film, liquid crystal panel and electronic device, and method the thin film device |
| US12022668B2 (en) | 2021-09-22 | 2024-06-25 | Kioxia Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
-
1994
- 1994-09-09 JP JP6216361A patent/JP2907318B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6593591B2 (en) | 1996-05-15 | 2003-07-15 | Seiko Epson Corporation | Thin film device provided with coating film, liquid crystal panel and electronic device, and method the thin film device |
| US6514801B1 (en) | 1999-03-30 | 2003-02-04 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing thin-film transistor |
| US12022668B2 (en) | 2021-09-22 | 2024-06-25 | Kioxia Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2907318B2 (ja) | 1999-06-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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