JPH088443B2

JPH088443B2 - Ｔｅｍ伝送路の無反射終端

Info

Publication number: JPH088443B2
Application number: JP1263808A
Authority: JP
Inventors: ハンセンディートハルト; ケーニッヒシュタインディートリッヒ
Original assignee: アゼアブラウンボヴェリアクチェンゲゼルシャフト
Priority date: 1988-10-14
Filing date: 1989-10-09
Publication date: 1996-01-29
Anticipated expiration: 2011-01-29
Also published as: CN1041850A; EP0363831B1; DE58900630D1; CN1012864B; JPH02149102A; HK46493A; CA1323911C; US5055806A; EP0363831A1

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明はTEM伝送路の無反射終端に関し、この伝送路
では、TEM波が内部導体及び外部導体中を伝送されて、
該TEM伝送路の一端部で、場のエネルギーを吸収するRF
吸収体と、TEM波の、伝送路内を案内されたエネルギー
を吸収するオームライン終端とによって吸収される。

（従来技術とその問題点） EMI試験電子設備用の装置が特許出願CH−2026/86−９
により公知となっている。他の試験設備と較べると、こ
れはEMI＝（EMI電磁干渉）試験設備に大きな長所を示
す。特に、これは、広い周波数範囲にわたって明確な場
の分布を作り出すと共に、広帯域放射測定に使用するこ
とができる。

しかし、波の場に有害な、局所的で周波数依存性の異
質性が生じることが分かった。これには、ライン終端が
充分に無反射性でないという事実が伴っている。

TEM伝送路用のライン終端が、例えば、西独公開公報D
E−3130487A1により知られている。特に、この場合、内
部導体には、等電位ライン上に位置する、即ち波の場の
伝播方向を横切る様に位置する終端抵抗器が設けられ
る。この構成による測定から、これは100MHz以上の周波
数には不適当であることが分かった。

（発明の概要）従って、本発明の目的は、最初に述べた種類のTEM伝
送路の新規な無反射終端を提供することである。

本発明による解決策は、TEM伝送路用のかるライン終
端において、ａ）前記ライン終端（７）を内部導体（４）により決ま
る平面内に、且つ波の方向に位置させ、ｂ）内部導体（４）において漸進的、且つ連続的な減衰
を生じさせるオーム抵抗として前記ライン終端（７）を
構成し、ｃ）前記TEM波の進行方向において、抵抗プロフィールd
R/dZを定め、ｄ）RF吸収体（５）により前記ライン終端（７）に付加
的に層じた容量負荷を局所的に補償することから成る。

場のエネルギーは、該オーム端子と平行に設けられた
吸収体区域で吸収される。

好ましくは、該ライン終端は、同時に、TEM波の伝播
方向を横切る電流分布と整合する抵抗プロフィールdR/d
Z（これは単位長さ当たりの抵抗値が一定でなく、Ｚ方
向（電磁波の伝播方向）で変化することを意味する。）
を示す。

RF点吸収体を持った場整合・球形キャップ状RF吸収体
により終端するピラミッド状に広がるTEM伝送路から成
るEMI試験電子設備用の装置に本発明のライン終端を使
うと特に有益である。

そのようにすれば、その電子設備は端に輻射について
信頼性をもって試験され得るのみならず、その放射も正
確に測定することができる。

本発明の他の有益な実施例は、特許請求の範囲の欄の
従属請求項において定義されている。

次に、図面を参照して本発明を更に詳しく説明する。

（実施例）第１図はEMI試験電子設備用の装置の基本的部分を示
す。これは、外部導体１、不平衡内部導体４、給電ウェ
ッジ２及びRF吸収体５を持ったTEM伝送路から成る。同
軸ケーブル３は、例えば、パルス状又は正弦波形の無線
周波数（RF）を給電ウェッジ２に供給し、該給電ウェッ
ジはTEM波（TEM＝transverse electromagnetic）を生成
し、これをTEM伝送路内に接続する。

TEM伝送路は一点からピラミッド状に広がっている。R
F吸収体５はTEM伝送路の広がった端部に位置し、球形キ
ャップの形を有する。これにはRF点吸収体６が設けられ
ており、TEM伝送路内を伝播する所要の波の場に調和し
ている。即ち、これはTEM波のエネルギーの場の伝播を
吸収する。

該TEM伝送路自体はスイス特許出願CH−2026/86−９に
詳しく記載されており、その内容を本明細書に含めるも
のとする。

内部導体１は板状であり、TEM伝送路１の広い端部に
ライン終端７を備えている。本発明においては、このラ
イン終端７は、TEM波のエネルギーの、伝送路に案内さ
れる部分が吸収されるように構成されている。このライ
ン終端は、干渉を生じるこがなく、同時に、他の理由か
ら生じた干渉モードは減衰させられる。以下の記述にお
いて、所望の効果を得るのに不可欠の点について説明を
する。

最初に、ライン終端７は、その位置に関して、内部導
体４により決定される平面内に配置されなければならな
い。従って、該ライン終端は内部導体４の、波の場の方
向の、同じ高さの延長部分となる。（Ｚで示した矢は、
第１図における波の場の方向を示す。）そこで、内部導
体４内を流れる電流は、不連続を伴わずに除去される。
波の方向の電流伝播を乱されないので、有害なモードは
生じない。

第２に、ライン終端７は、内部導体４上で漸進的で、
且つ連続的な減衰を生じさせるオーム抵抗として構成さ
れなければならない。これについて第２図及び第３図を
参照して説明をする。

第２図は、従来技術において内部導体４が如何にして
終端されるかを示す。（第２図及び第３図は、内部導体
４を上から見た図である。）生成された波の場は、RF吸
収体５の厚みで与えられる端部領域Ｔで減衰させられ
る。この端部領域で、内部導体４の輪郭は歯の形状を成
して、RF点吸収体６が互いに衝合する点で終端してい
る。該歯点は、ワイアによりRF吸収体５の密着した部分
を通過して、その背後のオーム抵抗Ｒで終端している。

第３図は、本発明のライン終端７が内部導体４をどの
様に終端させるかを示す。RF吸収体５及びRF点吸収体６
は第２図と同様に示されている。ライン終端７は端部領
域Ｔの全体を覆っている。従って、該ライン終端もRF吸
収体５の密着部分を通過する。それは、波の場の伝播方
向に抵抗プロフィールdR/dZを有する区域として構成さ
れており、これはRF吸収体５によってライン７に付加的
に生じた容量付加を局所的に補償する。何故ならばRF吸
収体５によって生じた容量付加は、単位長さ当たりで変
化しているので、ライン終端はあらゆる点で特性インピ
ーダンスに整合されるように単位長さ当たりで変化する
抵抗プロフィールが定められるからである。

一般的な場合には、第３図に示されたように、抵抗プ
ロフィールdR/dZは、内部導体とライン終端との移行部
で小さな値から上昇して最大値となり、次に再び端部領
域の端部に向かって小さな値へと下降する。

本発明の好適な実施例においては、ライン終端は同時
にTEM波の伝播方向を横切る電流分布と整合する抵抗プ
ロフィールを示す。これにより、内部導体の横のエッジ
での大きな電流成分がTEM波の伝播方向を横切って分散
されることが防止される。これに対応して、該抵抗プロ
フィールは波の場の方向を横切って、即ちライン終端の
中心から側部へ向かって、減少する。量的に見ると、該
抵抗プロフィールはライン終端の縁において最小値を有
する。

最終的に、ライン終端７は、RF吸収体５及びRF点吸収
体６により内部導体４に局所的に生じた容量負荷が補償
されるように構成される。すなわち、抵抗プロフィール
はライン終端のあらゆる点で特性インピーダンスと整合
するように求められ、これにより電磁波は反射すること
なく伝播することができる。

本発明のライン終端７は、好ましくは、例えば合板な
どの支持板に、例えば、場所に依存する適当な厚みを持
ったグラファイト被膜を設けて具体化することが出来る
ものである。電流が干渉無しに内部導体４から該抵抗皮
膜へ伝導されるように、第２図に示されているような従
来の金属の歯状移行領域を本発明に組み合わせて該支持
板上に設けることもできる。

第４図は他の実施例を示す。この実施例では、ライン
終端におけるオーム連続減衰は、別々の抵抗器のネット
ワークにより実現される。

支持板としては、繊維強化プラスチック板が適当であ
る。この板は、適当な抵抗層で被覆され、或は、材料に
よっては板自体が抵抗として直接使用される。

本発明は、以下に記載した代表的実施例に限定される
ものではない。特に、本発明は、外部導体の一つの端部
又は数個の端部が開いている開放型又は半開放型TEM伝
送路にも適している。

（効果）以下に、本発明の別の特徴及び利点をキーワードとし
て列記する。

1. 本発明は、試験体積及び周波数範囲の全域に亙って
場の均一性を明確に向上させる。

2. 従って、遥かに大きくて高品質の試験チャンバ（例
えばシステム及び車両用の）を作ることが可能となる。

3. 広帯域セルの終端区域の製造コストを減少させる。

4. 従来技術における別々の抵抗器と較べると、或る区
域に分布させられた終端抵抗の冷却が良好に且つ簡単に
行なわれる。従って、試験チャンバを大電磁場強度に使
用することができる。同様に、これによって、より大き
な構造高さが可能となる。

5. 高電圧強度が大きくなる。

6. 場の質が高いので、標準化された自由電磁場放射値
との精密な相関が可能となる。

7. 本発明は、開放型伝送路構成にも使用することので
きるものである。

8. 最後に、本発明に従って、広帯域、大出力、耐高電
圧終端負荷（いわゆるダミーロード）を作ることができ
る。

結論として、本発明は、大電力を消費しなければなら
ない場合に有利に使うことのできる広帯域無反射ライン
終端を創造したと言うことができる。

明らかに、以上の記述内容から本発明を色々に修正、
変形することができる。従って、特許請求の範囲の欄の
記載内容の範囲内で、本発明を、本書に詳しく記載した
態様以外の態様で実施することができるということが理
解されなければならない。

【図面の簡単な説明】

第１図は、EMI試験電子設備用の装置を示す。第２図は、従来技術のライン終端を示す。第３図は、本発明のライン終端を示す。第４図は、別々の抵抗のネットワークの形のライン終端
を示す。図中符号：１……外部導体２……給電ウェッジ３……同軸ケーブル４……内部導体５……RF吸収体６……RF点吸収体７……ライン終端 dR/dZ……抵抗プロフィールＴ……移行領域

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】TEM伝送路の無反射終端であって、TEM波が
内部導体（４）及び外部導体（１）中を伝送され、前記
TEM伝送路の一端部で、場のエネルギーを吸収するRF吸
収体（５）と、TEM波の、伝送路内を案内されたエネル
ギーを吸収する抵抗性ライン終端（７）とによって吸収
されるようになっており、ａ）前記ライン終端（７）を内部導体（４）により決ま
る平面内に、且つ波の方向に位置させ、ｂ）内部導体（４）上に漸進的、且つ連続的な減衰を生
じさせるオーム抵抗として前記ライン終端（７）を構成
し、ｃ）前記TEM波の進行方向において、前記ライン終端
（７）の抵抗プロフィールdR/dZを定め、ｄ）RF吸収体（５）により前記ライン終端（７）に付加
的に生じた容量負荷を局所的に補償することを特徴とす
るTEM伝送路の無反射終端。
【請求項２】前記TEM伝送路は、閉鎖型TEM伝送路である
ことを特徴とする請求項１に記載ののTEM伝送路の無反
射終端。
【請求項３】前記TEM伝送路は、開放型TEM伝送路である
ことを特徴とする請求項１に記載のTEM伝送路の無反射
終端。
【請求項４】前記ライン終端は、抵抗層を持った支持板
を有することを特徴とする請求項１に記載のTEM伝送路
の無反射終端。
【請求項５】前記ライン終端は、個別の抵抗器のネット
ワークを有することを特徴とする請求項１に記載のTEM
伝送路の無反射終端。
【請求項６】前記抵抗層は、グラファイトからなり、場
所に依存する厚みを呈することを特徴とする請求項４に
記載のTEM伝送路の無反射終端。
【請求項７】前記支持板は、繊維強化プラスチックス板
であることを特徴とする請求項４に記載のTEM伝送路の
無反射終端。
【請求項８】前記ライン終端は、繊維強化プラスチック
ス板から形成されていることを特徴とする請求項１に記
載のTEM伝送路の無反射終端。
【請求項９】前記ライン終端は、同時に、TEM波の伝播
方向を横切る電流分布と整合する抵抗プロフィールを示
すことを特徴とする請求項１に記載のTEM伝送路の無反
射終端。
【請求項１０】RF点吸収体（６）を持った場整合・球形
キャップ状RF吸収体（５）で終端し、ライン終端（７）
を持った板状内部導体（４）を有する、ピラミッド状に
広がるTEM伝送路によるEMI試験電子設備用の装置であっ
て、ａ）前記ライン終端（７）を内部導体（４）により決ま
る平面内に、且つ波の方向に位置させ、ｂ）内部導体（４）上に漸進的、且つ連続的な減衰を生
じさせるオーム抵抗として前記ライン終端（７）を構成
し、ｃ）前記TEM波の進行方向において、前記ライン終端
（７）の抵抗プロフィールdR/dZを定め、ｄ）RF吸収体（５）により前記ライン終端（７）に付加
的に生じた容量負荷を局所的に補償することを特徴とす
るEMI試験電子設備用の装置。