JPH088642A - デジタル温度補償型発振器のデータの書き込み方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 温度検出回路２１と、メモリ回路３３と、第
１のデータ変換回路２７と、第２のデータ変換回路３５
と、デジタル・アナログ変換回路４５と、周波数調整回
路４７と、発振回路４９とを有するデジタル温度補償型
発振器のデータの書き込み方法。 【効果】 デジタル温度補償型発振器へのデータの書き
込み方法において、管理を簡素化し、デジタル温度補償
型発振器の容器につける識別のための印を不要にし、コ
ンピューターの記憶装置に記憶する検出データと補償デ
ータとに、ソフトウェア的な識別手段を講ずるという作
業を除去し、生産能率が大幅に向上することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、周囲の温度変化に対し
て精度の高い発振周波数精度を得るデジタル温度補償型
発振器のデータの書き込み方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、通信装置の発振器として、温度に
よる発振周波数の変化をデジタル信号で調整するデジタ
ル温度補償型発振器が開発され、より安定な発振特性と
高い周波数精度とが得られるようになっている。

【０００３】図５は従来例のデジタル温度補償型発振器
の回路構成を示すブロック図である。

【０００４】以下に、図５に示すデジタル温度補償型発
振器の構成について説明する。周囲温度に応じて８ビッ
トのデジタルデータである検出データを第１のパラレル
データバス７１に出力する温度検出回路６１と、検出デ
ータをアドレスデータとしてそのアドレスデータに応じ
た８ビットのデジタルデータである補償データを第２の
パラレルデータバス７７に出力するメモリ回路７３とを
有している。

【０００５】また図５に示すデジタル温度補償型発振器
の構成は、デジタルデータである補償データを入力し補
償データに応じてアナログ直流電圧を出力するデジタル
・アナログ変換回路８５と、そのアナログ直流電圧に応
じて発振回路８９の発振周波数を調整する周波数調整回
路８７と、検出データの読み取りと補償データの書き込
みを行うデータ変換回路６７と、発振回路８９とを有し
ている。

【０００６】またメモリ回路７３が出力する補償データ
は、発振回路８９の発振周波数が温度変化によらず、ほ
ぼ一定の発振周波数を供給するため、温度変化に対応す
るデータを格納している。

【０００７】つぎにメモリ回路７３に温度変化に対応す
る補償データを書き込む方法を以下に説明する。

【０００８】まずデジタル温度補償型発振器を恒温槽に
入れて一定の温度に保持し、温度検出回路６１が第１の
パラレルデータバス７１に出力する検出データをデータ
変換回路６７にラッチする。

【０００９】そしてデータ変換回路６７を構成するシフ
トクロック入力端子６５にシフトクロックを入力するこ
とにより、データ変換回路６７にラッチする検出データ
をシリアルデータとして外部端子６３に出力し、コンピ
ュータなどの記憶装置に記憶する。

【００１０】つぎにこの温度における発振回路８９の発
振周波数を測定し、所望する発振周波数との差を求め、
その差を打ち消すような補償データをデータ変換回路６
７を構成する外部端子６３にシリアルデータとして入力
し、シフトクロック入力端子６５にシフトクロックを入
力することで、第２のパラレルデータバス７７に出力す
る。

【００１１】そして第２のパラレルデータバス７７に出
力する補償データをデジタル・アナログ変換回路８５で
アナログ直流電圧に変換し、そのアナログ直流電圧を周
波数調整回路８７に入力し、発振回路８９を発振させ、
その発振周波数が所望の周波数で発振しているかを確認
し、所望の周波数になるまで外部端子６３に入力する補
償データであるシリアルデータを調整し、最終的にその
温度における補償データを決定する。

【００１２】そしてその補償データもコンピュータなど
の記憶装置に記憶することで、一つの温度における一対
の検出データと補償データとをコンピュータなどの記憶
装置に記憶することになる。

【００１３】またデジタル温度補償型発振器の補償温度
範囲内で所望の発振周波数を補償するため、温度検出回
路６１が出力する検出データと、その検出データに対応
する補償データとを上記記載の方法を用い、複数の温度
に対するデータをコンピュータなどの記憶装置に記憶す
る。

【００１４】その後、デジタル温度補償型発振器を構成
するメモリ回路７３に補償データを書き込むために、コ
ンピュータなどの記憶装置に記憶する検出データと補償
データとを読み出し、メモリ回路７３のアドレスデータ
となる検出データのアドレスに補償データを書き込むこ
とで、補償温度範囲内で発振回路８９の安定した発振周
波数を補償することが可能となる。

【００１５】しかし、このような方法では温度を細かく
設定し、そのつど検出データと補償データとをコンピュ
ータなどの記憶装置に記憶する必要があり、記憶するデ
ータが膨大となる。また同時に測定するデジタル温度補
償型発振器が多くなると、さらに記憶するデータが膨大
になるという課題がある。

【００１６】そこで検出データと補償データとの関係か
ら近似式を導きだし、測定する温度を絞り込みコンピュ
ータなどの記憶装置に記憶するデータ量を大幅に削減
し、その測定で得られた検出データと補償データとを近
似式に代入し、必要な検出データと補償データを導き出
し、メモリ回路７３のアドレスデータとなる検出データ
のアドレスに補償データを書き込むことで、補償温度範
囲内で発振回路８９の安定した発振周波数を補償するこ
とが可能となる。

【００１７】また検出データと補償データとをコンピュ
ータなどの記憶装置に記憶する工程と、デジタル温度補
償型発振器を構成するメモリ回路７３に補償データを書
き込む工程とを別にする理由は、ふたつの工程を一つの
装置で行うと装置が大きくなり高価な装置となる。

【００１８】また検出データと補償データとをコンピュ
ータなどの記憶装置に記憶する工程と、デジタル温度補
償型発振器を構成するメモリ回路７３に補償データを書
き込む工程とでは、片方の工程を処理している間は他の
工程が遊んでしまい、作業効率が悪くなることでデジタ
ル温度補償型発振器の単価の上昇につながるためであ
る。

【００１９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら検出デー
タと補償データとをコンピュータなどの記憶装置に記憶
する工程と、デジタル温度補償型発振器を構成するメモ
リ回路に補償データを書き込む工程とを別の工程にする
ことで、コンピュータなどの記憶装置に記憶する検出デ
ータおよび補償データとデジタル温度補償型発振器との
相互関係を厳密に１対１の管理をしなければならないと
いう課題がある。

【００２０】さらに、管理を厳密にするために、個々の
デジタル温度補償型発振器が識別可能な印を付ける必要
があり、またコンピューターの記憶装置に記憶する検出
データおよび補償データに関しても、ソフトウェア的な
識別手段を講じなければならないという課題もある。

【００２１】さらに、デジタル温度補償型発振器は小型
化の要求が多く、それにより容器の表面積が小さくな
り、そのため識別用の印も必然的に小さくなり、したが
って判別作業が困難になり作業効率が低下するという課
題もある。

【００２２】また、出荷検査終了後には製品番号、ロッ
ト番号等の刻印を打刻するが、これ等の刻印を打刻する
ための容器表面の打刻領域は、識別用の印が付けられて
いる領域に圧迫されて少なくなり、刻印自体も小さくな
り判読が困難になるという課題もある。

【００２３】本発明の目的は、デジタル温度補償型発振
器へのデータの書き込み方法において、管理を簡素化
し、デジタル温度補償型発振器の容器につける識別のた
めの印を不要にし、コンピューターの記憶装置に記憶す
る検出データと補償データとに、ソフトウェア的な識別
手段を講ずるという作業を除去し、生産能率が大幅に向
上するデジタル温度補償型発振器を構成するメモリ回路
へのデータの書き込み方法を提供することである。

【００２４】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明のデジタル温度補償型発振器のデータの書込
み方法は下記記載の方法を採用する。

【００２５】本発明のデジタル温度補償型発振器は温度
検出回路と、メモリ回路と、デジタル・アナログ変換回
路と、周波数調整回路と、発振回路とを有し、メモリ回
路の全データには”１”または”０”のデータを予め書
き込んでおき、その後補償温度範囲のうち複数点の温度
における温度検出回路が出力する検出データのアドレス
に補償データをメモリ回路に書き込み、その検出データ
と補償データとをもとにして近似式を用いて補償温度範
囲の温度における検出データと補償データとを求め、求
めた検出データのアドレスに対応する補償データをメモ
リ回路に書き込むことを特徴とする。

【００２６】本発明のデジタル温度補償型発振器は温度
検出回路と、不揮発性のメモリ回路と、デジタル・アナ
ログ変換回路と、周波数調整回路と、発振回路とを有
し、不揮発性のメモリ回路の全データは予め消去状態に
しておき、その後補償温度範囲のうち複数点の温度にお
ける温度検出回路が出力する検出データのアドレスに補
償データを不揮発性のメモリ回路に書き込み、その検出
データと補償データとをもとにして近似式を用いて補償
温度範囲の温度における検出データと補償データとを求
め、求めた検出データのアドレスに対応する補償データ
を不揮発性のメモリ回路に書き込むことを特徴とする。

【００２７】

【作用】外部からメモリ回路のアドレスを順次設定し、
メモリ回路の全データを”１”または”０”にし、その
後補償温度範囲のうち複数点の温度における温度検出回
路が出力する検出データをメモリ回路のアドレスとす
る。

【００２８】そのアドレスの時にメモリ回路が出力する
補償データの代わりに、補償温度範囲内で発振回路がほ
ぼ一定の発振周波数を出力するために、その温度におけ
る補償データを外部からデジタル・アナログ変換回路に
出力する。

【００２９】そして、デジタル・アナログ変換回路はそ
の補償データに応じアナログ直流電圧を周波数調整回路
に出力し、周波数調整回路はそのアナログ直流電圧に応
じて発振回路の周波数を所望の周波数にする。そして複
数点の温度における検出データであるアドレスの補償デ
ータをメモリ回路のそのアドレスに一時的に書き込む。

【００３０】その後、メモリ回路のアドレスである検出
データを順次増加し、そのアドレスのメモリ回路の出力
を確認し、メモリ回路に一時的に書き込まれた補正デー
タが出力されるアドレスである複数点の検出データと補
正データとをコンピュータなどに記憶する。

【００３１】それら複数点の検出データと補正データと
をもとに近似式を用いて補償温度範囲の温度における検
出データと補償データとを求め、求めた検出データをメ
モリ回路のアドレスに出力し、そのアドレスに対応する
補償データをメモリ回路に書き込むことで、補償温度範
囲でほぼ一定の発振周波数を出力するデジタル温度補償
型発振器を提供することができる。

【００３２】

【実施例１】図１は本発明の実施例１におけるデジタル
温度補償型発振器の回路構成を示すブロック図である。
図１を用いて本発明の実施例１におけるデジタル温度補
償型発振器の構成を説明する。

【００３３】本発明の実施例１におけるデジタル温度補
償型発振器は、温度情報を８ビットのデジタルデータで
ある検出データとして出力する温度検出回路２１と、検
出データをアドレスとし８ビットのデジタルデータであ
る補償データを出力する不揮発性でないＳＲＡＭやＤＲ
ＡＭなどや不揮発性のフラッシュＲＯＭやＭＯＮＯＳ構
造のメモリ回路３３と、補償データをアナログ直流電圧
に変換するデジタル・アナログ変換回路４５と、アナロ
グ直流電圧により発振周波数の調整をする周波数調整回
路４７とで構成している。

【００３４】また本発明の実施例１におけるデジタル温
度補償型発振器は、周波数調整回路４７によって発振周
波数が変わる発振回路４９と、検出データをシリアルデ
ータとして入出力する第１の入力端子２３と第１のシフ
トクロック入力端子２５と第１の出力端子３０とを有す
る第１のデータ変換回路２７と、補償データをシリアル
データとして入出力する第２の入力端子３１と第２のシ
フトクロック入力端子３２と第２の出力端子３６とを有
する第２のデータ変換回路３５とで構成している。

【００３５】また温度検出回路２１の出力端子はメモリ
回路３３のアドレス端子と第１のデータ変換回路２７の
入出力端子とに第１のパラレルデータバス２９を介して
接続し、メモリ回路３３の出力端子はデジタル・アナロ
グ変換回路４５の入力端子と第２のデータ変換回路３５
の入出力端子とに第２のパラレルデータバス３９を介し
て接続している。

【００３６】またデジタル・アナログ変換回路４５の出
力端子は周波数調整回路４７の入力端子に接続し、周波
数調整回路４７の出力端子は発振回路４９の入力端子に
接続している。

【００３７】またメモリ回路３３が出力する補償データ
は、発振回路４９の発振周波数が周囲の温度変化によら
ず、補償温度範囲内でほぼ一定の発振周波数を供給する
ため、温度変化に対応するデータを格納している。

【００３８】また周波数調整回路４７は補償温度範囲内
で発振回路４９の発振周波数を十分に調整できるように
設計されているため、メモリ回路３３が出力する補償デ
ータは、全ビット”１”または”０”となることはな
い。

【００３９】つぎに図１を用いて本発明の実施例１にお
けるデジタル温度補償型発振回路の動作について説明す
る。

【００４０】温度検出回路２１は周囲温度により変化す
る検出データを第１のパラレルデータバス２９に出力
し、メモリ回路３３はその検出データをアドレスとして
入力し、メモリ回路３３はそのアドレスに対応して補償
温度範囲内でほぼ一定の発振周波数を出力させるための
補償データを第２のパラレルデータバス３９に出力す
る。

【００４１】デジタル・アナログ変換回路４５は補償デ
ータを入力し、補償データに対応するアナログ直流電圧
を周波数調整回路４７に出力し、そして周波数調整回路
４７はそのアナログ直流電圧に対応して発振回路４９の
発振周波数を補償温度範囲内でほぼ一定に保つことがで
きる。

【００４２】図２は図１に示す第１のデータ変換回路２
７の内部構成を示すブロック図であり、図１と同一の構
成要素には同一の符号を付けている。図２に示すブロッ
ク図の構成と動作を以下に説明する。

【００４３】８個のデータ型フリップフロップ５１が直
列に接続し、初段のデータ型フリップフロップ５１の入
力端子は第１の入力端子２３に接続し、またそれぞれの
データ型フリップフロップ５１の出力は次段のデータ型
フリップフロップ５１のデータ入力端子に接続し、また
８段目のデータ型フリップフロップ５１の出力端子は第
１の出力端子３０に接続している。

【００４４】そして、それぞれのデータ型フリップフロ
ップ５１の出力端子は第１のパラレルデータバス２９の
各ビット線に接続し、またそれぞれのデータ型フリップ
フロップ５１のクロック入力端子は第１のシフトクロッ
ク入力端子２５に接続している。

【００４５】上記構成から明らかなように、図２に示す
第１のデータ変換回路は第１の入力端子２３にシリアル
データを、第１のシフトクロック入力端子２５に入力す
るシフトクロックに同期して入力することで、第１のパ
ラレルデータバス２９にパラレルデータとして出力し、
シリアル・パラレル変換回路として動作する。

【００４６】また図２に示す第１のデータ変換回路は第
１のパラレルデータバス２９に出力するパラレルデータ
をそれぞれのデータ型フリップフロップ５１の出力端子
接続し、第１のシフトクロック入力端子２５にシフトク
ロックを入力することで、第１の出力端子３０にシリア
ルデータとして出力することで、パラレル・シリアル変
換回路として動作する。

【００４７】図２に示す構成と動作の説明は図１に示す
第１のデータ変換回路２７の説明であるが、図１に示す
第２のデータ変換回路３５の構成と動作とも全く同様で
あるので、第２のデータ変換回路３５の構成と動作とに
ついての説明は省略する。

【００４８】つぎに図１および図２のブロック図を用い
てメモリ回路３３への補償データの書き込み方法を説明
する。

【００４９】まず第２のデータ変換回路３５の第２の入
力端子３１にメモリ回路３３の全データが”０”となる
ヘキサ表示で”００”または全データが”１”となるヘ
キサ表示で”ＦＦ”のデータを設定し、シリアル・パラ
レル変換を行い第２のパラレルデータバス３９に出力す
る。

【００５０】つぎに第１のデータ変換回路２７の第１の
入力端子２３に”０”から”２５５”のアドレスを順次
設定しシリアル・パラレル変換を行い第１のパラレルデ
ータバス２９に出力し、メモリ回路３３のアドレスを順
次設定し、アドレスの設定と同期してメモリ回路３３の
全データを”１”または”０”に初期設定をする。これ
からの説明は全データが”１”の場合で説明を進める。

【００５１】その後、デジタル温度補償型発振回路を恒
温層に入れ、補償温度範囲のうち複数点の温度設定を行
い、それぞれの温度における温度検出回路２１が出力す
る検出データとメモリ回路３３に書き込む補償データの
測定を行う。

【００５２】それぞれの温度における温度検出回路２１
が第１のパラレルデータバス２９に出力する検出データ
は、第１のデータ変換回路２７でパラレル・シリアル変
換をし、第１の出力端子３０を介してコンピュータなど
の記憶装置に記憶する。

【００５３】また温度検出回路２１が出力する検出デー
タはメモリ回路３３のアドレスとして機能し、そのアド
レスに対応してメモリ回路３３は記憶している補償デー
タを出力するが、メモリ回路３３が記憶している補償デ
ータは、全データが”１”の初期値が入力されている。

【００５４】したがってその代わりに、その温度におけ
る補償データを第２のデータ変換回路３５の第２の入力
端子３１を介して入力し、シリアル・パラレル変換を
し、第２のパラレルデータバス３９に出力し、発振周波
数が温度変化によらず一定になるように補償データを設
定する。

【００５５】そしてそれぞれの温度における補償データ
をコンピュータなどの記憶装置に記憶しておく。その後
コンピュータなどの記憶装置に記憶したそれぞれの温度
における検出データと補償データとを記憶装置から読み
出す。

【００５６】そして検出データは第１のデータ変換回路
２７の第１の入力端子２３から入力し、シリアル・パラ
レル変換を行い、第１のパラレルデータバス２９にメモ
リ回路３３のアドレスとして出力する。

【００５７】さらに補償データは第２のデータ変換回路
３５の第２の入力端子３１から入力し、シリアル・パラ
レル変換を行い、第２のパラレルデータバス３９にメモ
リ回路３３の入力データとして出力し、それぞれの温度
に対応する検出データであるアドレスに補償データをメ
モリ回路３３に書き込む。

【００５８】メモリ回路３３に検出データであるアドレ
スに補償データを書き込むことで、コンピュータなどの
記憶装置に記録してあるデータは不要となり消去するこ
とが可能である。

【００５９】これまでの説明では、補償温度範囲の複数
点の温度における検出データと補償データとをコンピュ
ータなどの記憶装置にすべて記憶し、すべての測定が終
了してからまとめて補償データをメモリ回路３３に書き
込む方法が採られているが、それぞれの温度での測定が
終了した時点で、その都度補償データをメモリ回路３３
に書き込んでも同じことになる。

【００６０】またメモリ回路３３に書き込まれる補償デ
ータは構成の説明のところでも述べたが全ビット”１”
または”０”となることはなく、ここで書き込まれるア
ドレス以外のアドレスに書き込まれているメモリ回路３
３の補償データは全ビット”１”となっている。

【００６１】つぎにメモリ回路３３の全アドレスに補償
データを書き込む方法を説明する。本発明の実施例１に
おけるデジタル温度補償型発振回路を構成する温度検出
回路２１が出力する検出データは８ビットの構成である
ので、メモリ回路３３のアドレスも８ビットとなり、全
アドレスは”０”から”２５５”の２５６のアドレスと
なる。

【００６２】まずメモリ回路３３に書き込まれている補
償温度範囲の複数点の温度における補償データを、第１
のデータ変換回路２７の第１の入力端子２３に”０”か
ら”２５５”のアドレスを順次設定し、シリアル・パラ
レル変換を行いメモリ回路３３のアドレスを順次設定す
る。

【００６３】そしてメモリ回路３３に書き込まれている
補償データをアドレスに同期して出力し、第２のデータ
変換回路３５でパラレル・シリアル変換を行い第２の出
力端子３６を介してコンピュータにアドレスとアドレス
に対応する補償データを読み込む。

【００６４】そしてコンピュータに読み込んだ補償デー
タの内容が全ビット”１”でない補償データのみの複数
点のアドレスとその補償データとを抽出する。

【００６５】抽出した複数点のアドレスと補償データと
をもとに高次の近似式より、全アドレスに対応する補償
データを算出する。

【００６６】つぎに第１のデータ変換回路２７の第１の
入力端子２３に”０”から”２５５”のアドレスを順次
設定し、シリアル・パラレル変換を行いメモリ回路３３
のアドレスを順次設定する。

【００６７】そして算出した全アドレスの補償データを
アドレスに同期して、第２のデータ変換回路３５の第１
の入力端子３１に入力し、シリアル・パラレル変換を行
いメモリ回路３３の入力データとし、メモリ回路３３に
それぞれのアドレスに対応して補償データを書き込むこ
とで、補償温度範囲でほぼ一定の発振周波数を出力する
デジタル温度補償型発振器を提供することができる。

【００６８】

【実施例２】図３は本発明の実施例２におけるデジタル
温度補償型発振回路の構成を示すブロック図である。本
発明の実施例２におけるデジタル温度補償型発振回路は
メモリ回路として不揮発性のメモリ回路を用いた例であ
る。

【００６９】図３に示す実施例２のブロック図の構成を
簡単に説明する。図１に示す実施例１のブロック図の構
成とほぼ同じであるが、図１に示すメモリ回路３３がフ
ラッシュＲＯＭやＭＯＮＯＳ構造の不揮発性のメモリ回
路３３に変更になった点と不揮発性のメモリ回路３３へ
の書き込みおよび消去の時に高い電圧を供給するための
高電圧供給端子３４が追加されている点とが違ってい
る。

【００７０】図３に示す本発明の実施例２におけるデジ
タル温度補償型発振回路の動作は、図１に示す本発明の
実施例１におけるデジタル温度補償型発振回路の動作と
同じであるので説明は省略する。

【００７１】つぎに図３に示す本発明の実施例２におけ
るブロック図を用いて不揮発性のメモリ回路３３への補
償データの書き込み方法を説明する。

【００７２】まず高電圧供給端子３４に１８Ｖ程度の高
電圧を数百ｍ秒間印加することで、不揮発性のメモリ回
路３３の全データを”１”または”０”に消去する。こ
れからの説明は全データが”１”の場合で説明を進め
る。

【００７３】その後、デジタル温度補償型発振回路を恒
温層に入れ、補償温度範囲のうち複数点の温度設定を行
い、それぞれの温度における温度検出回路２１が出力す
る検出データと不揮発性のメモリ回路３３に書き込む補
償データの測定を行う。

【００７４】それぞれの温度における温度検出回路２１
が第１のパラレルデータバス２９に出力する検出データ
は、第１のデータ変換回路２７でパラレル・シリアル変
換をし、第１の出力端子３０を介してコンピュータなど
の記憶装置に記憶する。

【００７５】また温度検出回路２１が出力する検出デー
タはメモリ回路３３のアドレスとして機能し、そのアド
レスに対応してメモリ回路３３は記憶している補償デー
タを出力するが、不揮発性のメモリ回路３３が記憶して
いる補償データは、全データが”１”の初期値が入力さ
れている。

【００７６】したがってその代わりに、その温度におけ
る補償データを第２のデータ変換回路３５の第２の入力
端子３１を介して入力し、シリアル・パラレル変換を
し、第２のパラレルデータバス３９に出力し、発振周波
数が温度変化によらず一定になるように補償データを設
定する。

【００７７】そしてそれぞれの温度における補償データ
をコンピュータなどの記憶装置に記憶しておく。その後
コンピュータなどの記憶装置に記憶したそれぞれの温度
における検出データと補償データとを記憶装置から読み
出す。

【００７８】そして検出データは第１のデータ変換回路
２７の第１の入力端子２３から入力し、シリアル・パラ
レル変換を行い、第１のパラレルデータバス２９に不揮
発性のメモリ回路３３のアドレスとして出力する。

【００７９】さらに補償データは第２のデータ変換回路
３５の第２の入力端子３１から入力し、シリアル・パラ
レル変換を行い、第２のパラレルデータバス３９に不揮
発性のメモリ回路３３の入力データとして出力し、高電
圧供給端子３４に高電圧を数十μ秒間印加することで、
それぞれの温度に対応する検出データであるアドレスに
補償データを不揮発性のメモリ回路３３に書き込む。

【００８０】不揮発性のメモリ回路３３に検出データで
あるアドレスに補償データを書き込むことで、コンピュ
ータなどの記憶装置に記録してあるデータは不要となり
消去することが可能である。

【００８１】これまでの説明では、補償温度範囲の複数
点の温度における検出データと補償データとをコンピュ
ータなどの記憶装置にすべて記憶し、すべての測定が終
了してからまとめて補償データを不揮発性のメモリ回路
３３に書き込む方法が採られているが、それぞれの温度
での測定が終了した時点で、その都度補償データを不揮
発性のメモリ回路３３に書き込んでも同じことになる。

【００８２】また不揮発性のメモリ回路３３に書き込ま
れる補償データは構成の説明のところでも述べたが全ビ
ット”１”または”０”となることはなく、ここで書き
込まれるアドレス以外のアドレスに書き込まれている不
揮発性のメモリ回路３３の補償データは全ビット”１”
となっている。

【００８３】つぎに不揮発性のメモリ回路３３の全アド
レスに補償データを書き込む方法を説明する。本発明の
実施例２におけるデジタル温度補償型発振回路を構成す
る温度検出回路２１が出力する検出データは８ビットの
構成であるので、不揮発性のメモリ回路３３のアドレス
も８ビットとなり、全アドレスは”０”から”２５５”
の２５６のアドレスとなる。

【００８４】まず不揮発性のメモリ回路３３に書き込ま
れている補償温度範囲の複数点の温度における補償デー
タを、第１のデータ変換回路２７の第１の入力端子２３
に”０”から”２５５”のアドレスを順次設定し、シリ
アル・パラレル変換を行い不揮発性のメモリ回路３３の
アドレスを順次設定する。

【００８５】そして不揮発性のメモリ回路３３に書き込
まれている補償データをアドレスに同期して出力し、第
２のデータ変換回路３５でパラレル・シリアル変換を行
い第２の出力端子３６を介してコンピュータにアドレス
とアドレスに対応する補償データを読み込む。

【００８６】そしてコンピュータに読み込んだ補償デー
タの内容が全ビット”１”でない補償データのみの複数
点のアドレスとその補償データとを抽出する。

【００８７】抽出した複数点のアドレスと補償データと
をもとに高次の近似式より、全アドレスに対応する補償
データを算出する。

【００８８】つぎに高電圧供給端子３４に１高電圧を数
百ｍ秒間印加することで、不揮発性のメモリ回路３３の
全データを”１”に消去する。

【００８９】つぎに第１のデータ変換回路２７の第１の
入力端子２３に”０”から”２５５”のアドレスを順次
設定し、シリアル・パラレル変換を行い不揮発性のメモ
リ回路３３のアドレスを順次設定する。

【００９０】そして算出した全アドレスの補償データを
アドレスに同期して、第２のデータ変換回路３５の第１
の入力端子３１に入力し、シリアル・パラレル変換を行
い不揮発性のメモリ回路３３の入力データとし、高電圧
供給端子３４に高電圧を数十μ秒間印加することで、不
揮発性のメモリ回路３３にそれぞれのアドレスに対応し
て補償データを書き込み、補償温度範囲でほぼ一定の発
振周波数を出力するデジタル温度補償型発振器を提供す
ることができる。

【００９１】

【実施例３】図３は本発明の実施例３におけるデジタル
温度補償型発振回路の構成を示すブロック図である。本
発明の実施例３におけるデジタル温度補償型発振回路は
メモリ回路としてＭＯＮＯＳ型不揮発性のメモリ回路を
用いた例である。

【００９２】図３に示す実施例３のブロック図の構成は
実施例２の構成と全く同じ構成になっているので説明は
省略する。

【００９３】図３に示す本発明の実施例３におけるデジ
タル温度補償型発振回路の動作は、図１に示す本発明の
実施例１または図３に示す本発明の実施例２に示すにお
けるデジタル温度補償型発振回路の動作と同じであるの
で説明は省略する。

【００９４】また図３に示す本発明の実施例３における
ＭＯＮＯＳ型不揮発性のメモリ回路３３への補償データ
の書き込み方法は、実施例２における不揮発性のメモリ
回路３３への補償データの書き込み方法とほぼ同じであ
るが、消去時に印加する電圧が９Ｖ程度で印加時間が数
十ｍ秒である点と、書き込み時に印加する電圧が９Ｖ程
度で印加時間が数ｍ秒である点とが違っているだけなの
で説明は省略する。

【００９５】実施例１および実施例２および実施例３に
おける第１のデータ変換回路２７と第２のデータ変換回
路３５とはふたつのデータ変換回路を別々に使用してい
るが、従来例のように一つのデータ変換回路で検出デー
タと補償データとを交互に操作する構成でも、またパラ
レルデータを直接操作する構成でも同様の効果を得るこ
とは明らかである。

【００９６】実施例１および実施例２および実施例３に
おける第１のパラレルデータバス２９と第２のパラレル
データバス３９とは８ビットで構成しているが、補償温
度範囲を何ビットで分解するかによるため、細かく分解
する場合にはビット数が大きくなり、大まかに分解する
場合にはビット数を小さくする事になる。

【００９７】実施例１および実施例２および実施例３に
おける温度検出回路２１は、温度情報をデジタルデータ
で出力する構成のものであればよい。例えば温度検出回
路２１としては、定電流源にサーミスタを接続して、サ
ーミスタの電圧変化をアナログ・デジタル変換器で変換
するものや、異なる温度特性を有するリングオシレータ
からなる２つの発振計数回路の発振周波数の比を用いる
ものでも可能である。

【００９８】実施例１および実施例２および実施例３に
おける周波数調整回路４７は、可変容量ダイオードで構
成するものでも可能である。

【００９９】実施例１および実施例２および実施例３に
おける発振回路４９は、水晶発振回路、その他の圧電振
動子発振回路などでも可能である。

【０１００】実施例１および実施例２および実施例３に
おける補償温度範囲は−３０度から９０度に設定してい
る。

【０１０１】図４はＡＴカット水晶振動子を用いた場合
の温度と発振周波数との関係を示す図である。

【０１０２】横軸は温度を表し、縦軸は周波数の変化率
を表しており、温度補償を行っていない曲線８０と温度
補償を行った曲線８１とを示している。図４から明らか
なように温度変化によらずほぼ一定の発振周波数で動作
しているのがわかる。

【０１０３】

【発明の効果】上記記載のように本発明によれば、補償
温度範囲の複数点の温度における補償データをメモリ回
路に書き込むことで、デジタル温度補償型発振器の容器
につける識別のための印を不要にし、またコンピュータ
ーの記憶装置に記憶する検出データと補償データとにソ
フトウェア的な識別手段を講ずるという煩雑な作業を除
去する事が可能となり、生産効率が大幅に向上すること
ができる。

【０１０４】さらにメモリ回路を不揮発性のメモリ回路
で構成することで、あらかじめ不揮発性のメモリ回路の
全アドレスを消去状態にする作業が一括で行うことがで
き、消去操作を行う作業が大幅に簡素化でき、また電源
の供給がなくてもデータが消えることがなくなるため、
まとめて生産しておくことで、デジタル温度補償型発振
回路の出荷ごとに補償データを書き込む必要がなくな
る。

【０１０５】特にメモリ回路をＭＯＮＯＳ型不揮発性の
メモリ回路で構成した場合は、消去、書き込み時に外部
から供給する電圧が低いので、メモリ回路を構成する素
子の耐圧を下げることが出来るので、デジタル温度補償
型発振器の回路を半導体集積回路で構成する場合、半導
体集積回路チップを小型に出来るだけではなく、消去、
書き込み時の電圧を供給する書き込み装置の耐圧も下げ
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１におけるデジタル温度補償型
発振器の構成を示すブロック図である。

【図２】本発明のデジタル温度補償型発振器のデータ変
換回路の構成を示すブロック図である。

【図３】本発明の実施例２および実施例３におけるデジ
タル温度補償型発振器の構成を示すブロック図である。

【図４】ＡＴカット水晶振動子を用いた場合の温度と発
振周波数との関係を示す図である。

【図５】従来例のデジタル温度補償型発振器の構成を示
すブロック図である。

【符号の説明】

２１ 温度検出回路 ２７ 第１のデータ変換回路 ３３ メモリ回路 ３５ 第２のデータ変換回路 ４５ デジタル・アナログ変換回路 ４７ 周波数調整回路 ４９ 発振回路

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 温度検出回路と、メモリ回路と、デジタ
   ル・アナログ変換回路と、周波数調整回路と、発振回路
   とを有し、補償温度範囲のうち複数点の温度における温
   度検出回路が出力する検出データのアドレスに補償デー
   タをメモリ回路に書き込むことを特徴とするデジタル温
   度補償型発振器のデータの書き込み方法。
2. 【請求項２】 温度検出回路と、メモリ回路と、デジタ
   ル・アナログ変換回路と、周波数調整回路と、発振回路
   とを有し、補償温度範囲のうち複数点の温度における温
   度検出回路が出力する検出データのアドレスに補償デー
   タをメモリ回路に書き込み、その検出データと補償デー
   タとをもとにして近似式を用いて補償温度範囲の温度に
   おける検出データと補償データとを求め、求めた検出デ
   ータのアドレスに対応する補償データをメモリ回路に書
   き込むことを特徴とするデジタル温度補償型発振器のデ
   ータの書き込み方法。
3. 【請求項３】 温度検出回路と、メモリ回路と、デジタ
   ル・アナログ変換回路と、周波数調整回路と、発振回路
   とを有し、メモリ回路の全データには”１”または”
   ０”のデータを予め書き込んでおき、その後補償温度範
   囲のうち複数点の温度における温度検出回路が出力する
   検出データのアドレスに補償データをメモリ回路に書き
   込み、その検出データと補償データとをもとにして近似
   式を用いて補償温度範囲の温度における検出データと補
   償データとを求め、求めた検出データのアドレスに対応
   する補償データをメモリ回路に書き込むことを特徴とす
   るデジタル温度補償型発振器のデータの書き込み方法。
4. 【請求項４】 温度検出回路と、不揮発性のメモリ回路
   と、デジタル・アナログ変換回路と、周波数調整回路
   と、発振回路とを有し、補償温度範囲のうち複数点の温
   度における温度検出回路が出力する検出データのアドレ
   スに補償データを不揮発性のメモリ回路に書き込むこと
   を特徴とするデジタル温度補償型発振器のデータの書き
   込み方法。
5. 【請求項５】 温度検出回路と、不揮発性のメモリ回路
   と、デジタル・アナログ変換回路と、周波数調整回路
   と、発振回路とを有し、補償温度範囲のうち複数点の温
   度における温度検出回路が出力する検出データのアドレ
   スに補償データを不揮発性のメモリ回路に書き込み、そ
   の検出データと補償データとをもとにして近似式を用い
   て補償温度範囲の温度における検出データと補償データ
   とを求め、求めた検出データのアドレスに対応する補償
   データを不揮発性のメモリ回路に書き込むことを特徴と
   するデジタル温度補償型発振器のデータの書き込み方
   法。
6. 【請求項６】 温度検出回路と、不揮発性のメモリ回路
   と、デジタル・アナログ変換回路と、周波数調整回路
   と、発振回路とを有し、不揮発性のメモリ回路の全デー
   タは予め消去状態にしておき、その後補償温度範囲のう
   ち複数点の温度における温度検出回路が出力する検出デ
   ータのアドレスに補償データを不揮発性のメモリ回路に
   書き込み、その検出データと補償データとをもとにして
   近似式を用いて補償温度範囲の温度における検出データ
   と補償データとを求め、求めた検出データのアドレスに
   対応する補償データを不揮発性のメモリ回路に書き込む
   ことを特徴とするデジタル温度補償型発振器のデータの
   書き込み方法。
7. 【請求項７】 不揮発性のメモリ回路はＭＯＮＯＳ型不
   揮発性のメモリ回路で構成することを特徴とする請求項
   ４および請求項５および請求項６に記載のデジタル温度
   補償型発振器のデータの書き込み方法。