JPH0886647A - 傾斜角センサ - Google Patents
傾斜角センサInfo
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- JPH0886647A JPH0886647A JP22025194A JP22025194A JPH0886647A JP H0886647 A JPH0886647 A JP H0886647A JP 22025194 A JP22025194 A JP 22025194A JP 22025194 A JP22025194 A JP 22025194A JP H0886647 A JPH0886647 A JP H0886647A
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- tilt angle
- angle sensor
- conductive
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 応答性が良く、小型、特に薄型で、低コスト
化を実現できる簡単な構成の傾斜角センサを得る。 【構成】 傾斜角センサを、絶縁体の中空の円筒2、こ
の円筒2上面の導電性領域3、この導電性領域3上の円
筒中心位置に固着された円板形の磁石4、円筒下面に少
なくとも3つの扇型に分割された導電性領域6R,6
L,6U,6D、円筒内部の移動可能な円板形の強磁性
体7で構成する。また、円筒下面の導電性領域それぞれ
に固着された電磁石、容量検出回路、フィードバック回
路を備える。また、円筒の内部に、液体を封入する。ま
た、円筒の上面または下面のどちらかを、印刷配線板の
一部分で形成する。
化を実現できる簡単な構成の傾斜角センサを得る。 【構成】 傾斜角センサを、絶縁体の中空の円筒2、こ
の円筒2上面の導電性領域3、この導電性領域3上の円
筒中心位置に固着された円板形の磁石4、円筒下面に少
なくとも3つの扇型に分割された導電性領域6R,6
L,6U,6D、円筒内部の移動可能な円板形の強磁性
体7で構成する。また、円筒下面の導電性領域それぞれ
に固着された電磁石、容量検出回路、フィードバック回
路を備える。また、円筒の内部に、液体を封入する。ま
た、円筒の上面または下面のどちらかを、印刷配線板の
一部分で形成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、重力の方向を検知する
傾斜角センサに関するものである。
傾斜角センサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】図16は例えば日本ロボット学会 編:
「ロボット工学ハンドブック」p72〜73(199
0.10.20 株式会社コロナ社発行)に示された従
来の傾斜角センサを示す構造図で、(a)は気泡変位形
傾斜角センサ、(b)は電解質溶液形傾斜角センサ、
(c)は鉛直振り子式サーボ傾斜角センサである。図1
6(a)において、21は気泡変位形傾斜角センサ、2
2は半球面状容器に封入された気泡入り液体、23はフ
ォトダイオードアレイ、24は暗箱、25はLEDであ
る。図16(b)において、31は電解質溶液形傾斜角
センサ、32は管状容器、33a、33b、33cは電
極、34は管状容器32に封入された気泡入りの電解質
溶液である。図16(c)において、41は鉛直振り子
式サーボ傾斜角センサ、42はフレクチャ部、43は振
り子、44はコイル、45a、45b、45c、45d
はマグネット、46は変位検出器、47はフィードバッ
ク回路、48は抵抗である。
「ロボット工学ハンドブック」p72〜73(199
0.10.20 株式会社コロナ社発行)に示された従
来の傾斜角センサを示す構造図で、(a)は気泡変位形
傾斜角センサ、(b)は電解質溶液形傾斜角センサ、
(c)は鉛直振り子式サーボ傾斜角センサである。図1
6(a)において、21は気泡変位形傾斜角センサ、2
2は半球面状容器に封入された気泡入り液体、23はフ
ォトダイオードアレイ、24は暗箱、25はLEDであ
る。図16(b)において、31は電解質溶液形傾斜角
センサ、32は管状容器、33a、33b、33cは電
極、34は管状容器32に封入された気泡入りの電解質
溶液である。図16(c)において、41は鉛直振り子
式サーボ傾斜角センサ、42はフレクチャ部、43は振
り子、44はコイル、45a、45b、45c、45d
はマグネット、46は変位検出器、47はフィードバッ
ク回路、48は抵抗である。
【0003】従来の傾斜角センサの動作について説明す
る。図16(a)において、気泡変位形傾斜角センサ2
1の暗箱24の中の気泡入り液体22に、上面からLE
D25で光を当て、透過する光を下面に設けられた4分
割形のフォトダイオードアレイ23で受光する。液体と
気泡の光の透過率の違いにより、フォトダイオードアレ
イ23上に陰が投射される。この陰の位置は気泡変位形
傾斜角センサ21の傾きによって変化するので、対角上
のフォトダイオードアレイ23の受光量の差分の計算に
より、2次元的な傾斜角を検出することができる。図1
6(b)において、電解質溶液形傾斜角センサ31を傾
けると、管状容器32内を電解質溶液34が移動するの
で、中央の電極33aと、両端部の電極33b、33c
間の各電気抵抗及び静電容量が変化するインピーダンス
素子となり、傾斜角を検出することができる。図16
(c)において、鉛直振り子式サーボ傾斜角センサ41
を傾けると、薄いフレクチャ部42で支持された振り子
43が鉛直方向を保とうとして、マグネット45a、4
5b、45c、45dによる平衡点からずれる。この平
衡点からのひずみや、ずれ角の関数で与えられる出力信
号により傾斜角を求めることができる。また、大きな傾
斜角を測定するには、振り子を平衡点に押し戻すように
変位検出器46、フィードバック回路47、コイル44
でサーボを構成し、フィードバック回路47を通して変
位検出器46の変位の関数としてコイル44にフィード
バックする電流を抵抗48で検出することで傾斜角を検
出することができる。
る。図16(a)において、気泡変位形傾斜角センサ2
1の暗箱24の中の気泡入り液体22に、上面からLE
D25で光を当て、透過する光を下面に設けられた4分
割形のフォトダイオードアレイ23で受光する。液体と
気泡の光の透過率の違いにより、フォトダイオードアレ
イ23上に陰が投射される。この陰の位置は気泡変位形
傾斜角センサ21の傾きによって変化するので、対角上
のフォトダイオードアレイ23の受光量の差分の計算に
より、2次元的な傾斜角を検出することができる。図1
6(b)において、電解質溶液形傾斜角センサ31を傾
けると、管状容器32内を電解質溶液34が移動するの
で、中央の電極33aと、両端部の電極33b、33c
間の各電気抵抗及び静電容量が変化するインピーダンス
素子となり、傾斜角を検出することができる。図16
(c)において、鉛直振り子式サーボ傾斜角センサ41
を傾けると、薄いフレクチャ部42で支持された振り子
43が鉛直方向を保とうとして、マグネット45a、4
5b、45c、45dによる平衡点からずれる。この平
衡点からのひずみや、ずれ角の関数で与えられる出力信
号により傾斜角を求めることができる。また、大きな傾
斜角を測定するには、振り子を平衡点に押し戻すように
変位検出器46、フィードバック回路47、コイル44
でサーボを構成し、フィードバック回路47を通して変
位検出器46の変位の関数としてコイル44にフィード
バックする電流を抵抗48で検出することで傾斜角を検
出することができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記のような、従来の
傾斜角センサでは、気泡変位形、電解質溶液形等の液体
式の傾斜角センサの場合、位置が変化するのは液体中の
気泡なので、傾斜角を検出する応答性を任意に設定する
ことが困難であるという問題があった。
傾斜角センサでは、気泡変位形、電解質溶液形等の液体
式の傾斜角センサの場合、位置が変化するのは液体中の
気泡なので、傾斜角を検出する応答性を任意に設定する
ことが困難であるという問題があった。
【0005】また、鉛直振り子式の傾斜角センサの場
合、振り子を使用する構造上、部品点数が多いととも
に、精密部品が必要なため、小型、薄型化、及び低コス
ト化が難しいという問題があった。
合、振り子を使用する構造上、部品点数が多いととも
に、精密部品が必要なため、小型、薄型化、及び低コス
ト化が難しいという問題があった。
【0006】本発明は、上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、応答性の良い傾斜角を検出する
ことができる。
ためになされたもので、応答性の良い傾斜角を検出する
ことができる。
【0007】さらに、小型、特に薄型で、低コスト化を
実現できる簡単な構成で傾斜角を検出することのでき
る、上述した機能を有する傾斜角センサを得ることを目
的とするものである。
実現できる簡単な構成で傾斜角を検出することのでき
る、上述した機能を有する傾斜角センサを得ることを目
的とするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に係る
傾斜角センサは、絶縁体で構成された中空の円筒、円筒
の上面の導電性領域、導電性領域上の円筒中心位置に固
着された円板形の磁石、円筒の下面に少なくとも3つの
扇型に分割された導電性領域、及び円筒内部を移動可能
な円板形の強磁性体を備えたものである。
傾斜角センサは、絶縁体で構成された中空の円筒、円筒
の上面の導電性領域、導電性領域上の円筒中心位置に固
着された円板形の磁石、円筒の下面に少なくとも3つの
扇型に分割された導電性領域、及び円筒内部を移動可能
な円板形の強磁性体を備えたものである。
【0009】また、本発明の請求項2に係る傾斜角セン
サは、上記円筒下面の少なくとも3つの扇型に分割され
た導電性領域に、それぞれ固着された電磁石、上面及び
下面の導電性領域間の容量変化を検出する容量検出回
路、及び容量検出回路が検出した少なくとも3つの容量
値を常に一定にするため電磁石に流す電流を与えるフィ
ードバック回路を備えたものである。
サは、上記円筒下面の少なくとも3つの扇型に分割され
た導電性領域に、それぞれ固着された電磁石、上面及び
下面の導電性領域間の容量変化を検出する容量検出回
路、及び容量検出回路が検出した少なくとも3つの容量
値を常に一定にするため電磁石に流す電流を与えるフィ
ードバック回路を備えたものである。
【0010】また、本発明の請求項3に係る傾斜角セン
サは、上記円筒の内部に、液体を封入したものである。
サは、上記円筒の内部に、液体を封入したものである。
【0011】また、本発明の請求項4に係る傾斜角セン
サは、上記円筒の上面、または下面のどちらかを、印刷
配線板の一部分で形成したものである。
サは、上記円筒の上面、または下面のどちらかを、印刷
配線板の一部分で形成したものである。
【0012】
【作用】本発明の請求項1に係る傾斜角センサにおいて
は、絶縁体で構成された中空の円筒、円筒の上面の導電
性領域、導電性領域上の円筒中心位置に固着された円板
形の磁石、円筒の下面に少なくとも3つの扇型に分割さ
れた導電性領域、及び円筒内部を移動可能な円板形の強
磁性体を備えたので、傾斜角センサを傾けた傾斜角に応
じて、上面及び下面の導電性領域間の容量を変化させる
ことができる。
は、絶縁体で構成された中空の円筒、円筒の上面の導電
性領域、導電性領域上の円筒中心位置に固着された円板
形の磁石、円筒の下面に少なくとも3つの扇型に分割さ
れた導電性領域、及び円筒内部を移動可能な円板形の強
磁性体を備えたので、傾斜角センサを傾けた傾斜角に応
じて、上面及び下面の導電性領域間の容量を変化させる
ことができる。
【0013】また、本発明の請求項2に係る傾斜角セン
サにおいては、上記円筒下面の少なくとも3つの扇型に
分割された導電性領域に、それぞれ固着された電磁石、
上面及び下面の導電性領域間の容量変化を検出する容量
検出回路、及びこの容量検出回路が検出した少なくとも
3つの容量値を常に一定にするため電磁石に流す電流を
与えるフィードバック回路を備えたので、傾斜角センサ
を傾けた傾斜角に応じて、電磁石に流れる電流を変化さ
せることができる。
サにおいては、上記円筒下面の少なくとも3つの扇型に
分割された導電性領域に、それぞれ固着された電磁石、
上面及び下面の導電性領域間の容量変化を検出する容量
検出回路、及びこの容量検出回路が検出した少なくとも
3つの容量値を常に一定にするため電磁石に流す電流を
与えるフィードバック回路を備えたので、傾斜角センサ
を傾けた傾斜角に応じて、電磁石に流れる電流を変化さ
せることができる。
【0014】また、本発明の請求項3に係る傾斜角セン
サにおいては、上記円筒の内部に、液体を封入したの
で、液体に対して円板形の強磁性体のサイズや材質によ
って傾斜角を検出する応答性を任意に設定することがで
きる。
サにおいては、上記円筒の内部に、液体を封入したの
で、液体に対して円板形の強磁性体のサイズや材質によ
って傾斜角を検出する応答性を任意に設定することがで
きる。
【0015】また、本発明の請求項4に係る傾斜角セン
サにおいては、上記円筒の上面、または下面のどちらか
を、印刷配線板の一部分で形成したので、上記円筒の上
面、または下面のどちらかの厚さ分を短縮することがで
きる。
サにおいては、上記円筒の上面、または下面のどちらか
を、印刷配線板の一部分で形成したので、上記円筒の上
面、または下面のどちらかの厚さ分を短縮することがで
きる。
【0016】
実施例1 図1は本発明の実施例1における傾斜角センサを示す斜
視図であり、(a)は傾斜角センサを斜め上方から見た
斜視図、(b)は傾斜角センサを斜め下方から見た斜視
図である。図2は図1の2−2線矢視断面図、図3は図
1の3−3線矢視断面図である。図において、1は傾斜
角センサ、2は例えばプラスチック等の絶縁体で構成さ
れた中空の円筒、3は円筒2の上面の導電性領域、4は
磁石、5は絶縁部で、磁石4を導電性領域3の中心に固
着させている。6R、6L、6U、6Dは円筒2の下面
に少なくとも3つの扇型に分割された導電性領域で、本
発明の実施例では4つの扇型に分割された導電性領域の
場合について説明を行う。また、円筒2の上面、及び下
面の導電性領域3、6R、6L、6U、6Dは円筒2に
スパッタリングなどによって形成される。7は円板形の
強磁性体で、質量mを持ち、円筒2内部をx、y方向の
二次元的に移動可能である。
視図であり、(a)は傾斜角センサを斜め上方から見た
斜視図、(b)は傾斜角センサを斜め下方から見た斜視
図である。図2は図1の2−2線矢視断面図、図3は図
1の3−3線矢視断面図である。図において、1は傾斜
角センサ、2は例えばプラスチック等の絶縁体で構成さ
れた中空の円筒、3は円筒2の上面の導電性領域、4は
磁石、5は絶縁部で、磁石4を導電性領域3の中心に固
着させている。6R、6L、6U、6Dは円筒2の下面
に少なくとも3つの扇型に分割された導電性領域で、本
発明の実施例では4つの扇型に分割された導電性領域の
場合について説明を行う。また、円筒2の上面、及び下
面の導電性領域3、6R、6L、6U、6Dは円筒2に
スパッタリングなどによって形成される。7は円板形の
強磁性体で、質量mを持ち、円筒2内部をx、y方向の
二次元的に移動可能である。
【0017】上記構成による対向した導電性領域間の容
量変化について説明する。図2に示すように、導電性領
域3と導電性領域6R、6L、6U、6D間の距離を
d、強磁性体7の厚さをDとすれば、強磁性体7が入っ
ている場合の導電性領域3と導電性領域6R、6L、6
U、6D間の距離はd−Dと等価になる。容量は導体面
間の距離に反比例するので、強磁性体7が入ってない場
合に対して、入っている場合の容量は、同面積で比較す
ると、d/(d−D)倍になる。そこで、例えば図3に
示すように、強磁性体7の位置が中心から導電性領域6
R上に移動すると、導電性領域3、6R間の強磁性体7
が入っている面積が大きくなるので、導電性領域3、6
R間の容量は変化して大きくなる。そこで、導電性領域
6R、6L、6U、6Dの対角上の導体面間の容量を検
出し、その差分を計算することで強磁性体7の位置が得
られる。その結果、傾斜角センサ1を二次元的に傾ける
ことで強磁性体7の位置が移動すると、導電性領域2と
導電性領域6R、6L、6U、6D間の容量が変化する
可変容量素子となる。
量変化について説明する。図2に示すように、導電性領
域3と導電性領域6R、6L、6U、6D間の距離を
d、強磁性体7の厚さをDとすれば、強磁性体7が入っ
ている場合の導電性領域3と導電性領域6R、6L、6
U、6D間の距離はd−Dと等価になる。容量は導体面
間の距離に反比例するので、強磁性体7が入ってない場
合に対して、入っている場合の容量は、同面積で比較す
ると、d/(d−D)倍になる。そこで、例えば図3に
示すように、強磁性体7の位置が中心から導電性領域6
R上に移動すると、導電性領域3、6R間の強磁性体7
が入っている面積が大きくなるので、導電性領域3、6
R間の容量は変化して大きくなる。そこで、導電性領域
6R、6L、6U、6Dの対角上の導体面間の容量を検
出し、その差分を計算することで強磁性体7の位置が得
られる。その結果、傾斜角センサ1を二次元的に傾ける
ことで強磁性体7の位置が移動すると、導電性領域2と
導電性領域6R、6L、6U、6D間の容量が変化する
可変容量素子となる。
【0018】次に、傾斜角センサ1が水平な場合の強磁
性体7の位置について説明する。図4は傾斜角センサ1
が水平な場合に強磁性体7に作用する力を示す図であ
る。図において、磁石4は、強磁性体7を中心位置に移
動させるもので、例えば円筒形の両端の平面を磁極とし
て着磁されたフェライト磁石の場合、円筒2に接する面
側の磁極の強さが一点に集まった点を仮定して、その磁
荷をM、その位置を原点とし、円筒2の内部上面までの
距離をaとする。強磁性体7の半径はr、質量はmであ
る。磁荷Mの磁場により、強磁性体7の上面の微小部分
dxは磁化されて磁気分極を生じ、この磁気分極と磁荷
Mによる磁場との間に作用する磁気力をdF、dFのx
方向成分をdFx、z方向成分をdFzとする。dFは
原点までの距離の自乗に反比例し、磁荷Mに比例する。
この比例定数をkとする。また、強磁性体7と円筒2内
部上面との摩擦係数をμとする。ところで、絶縁部5
は、磁石4をフェライト磁石とすれば必要となるが、磁
石4をゴム磁石のような絶縁体とすれば必要ないことは
言うまでもない。
性体7の位置について説明する。図4は傾斜角センサ1
が水平な場合に強磁性体7に作用する力を示す図であ
る。図において、磁石4は、強磁性体7を中心位置に移
動させるもので、例えば円筒形の両端の平面を磁極とし
て着磁されたフェライト磁石の場合、円筒2に接する面
側の磁極の強さが一点に集まった点を仮定して、その磁
荷をM、その位置を原点とし、円筒2の内部上面までの
距離をaとする。強磁性体7の半径はr、質量はmであ
る。磁荷Mの磁場により、強磁性体7の上面の微小部分
dxは磁化されて磁気分極を生じ、この磁気分極と磁荷
Mによる磁場との間に作用する磁気力をdF、dFのx
方向成分をdFx、z方向成分をdFzとする。dFは
原点までの距離の自乗に反比例し、磁荷Mに比例する。
この比例定数をkとする。また、強磁性体7と円筒2内
部上面との摩擦係数をμとする。ところで、絶縁部5
は、磁石4をフェライト磁石とすれば必要となるが、磁
石4をゴム磁石のような絶縁体とすれば必要ないことは
言うまでもない。
【0019】図5は傾斜角センサ1が水平な場合に強磁
性体7に作用する力の位置xによる変化を示す図であ
り、(a)はdFxの位置xによる変化を、(b)はd
Fxを強磁性体7全てについて合成した力Fxの位置x
による変化を、(c)はFxによるポテンシャルUxの
位置xによる変化を示したものである。
性体7に作用する力の位置xによる変化を示す図であ
り、(a)はdFxの位置xによる変化を、(b)はd
Fxを強磁性体7全てについて合成した力Fxの位置x
による変化を、(c)はFxによるポテンシャルUxの
位置xによる変化を示したものである。
【0020】傾斜角センサ1が水平な場合に、強磁性体
7のx方向に作用する力について説明する。dFxの位
置xによる変化は、図5(a)に示すように、dFは引
力なので、dFxは、x>0で負方向、x<0で正方向
に作用し、その大きさは、x=0でdFは最大となるが
x方向成分がないので0、x=0から離れる程、その成
分は大きくなるが、dFは原点までの距離の自乗に反比
例するので±a/√2で最小及び最大値をとり、再び0
に近づくように変化する。
7のx方向に作用する力について説明する。dFxの位
置xによる変化は、図5(a)に示すように、dFは引
力なので、dFxは、x>0で負方向、x<0で正方向
に作用し、その大きさは、x=0でdFは最大となるが
x方向成分がないので0、x=0から離れる程、その成
分は大きくなるが、dFは原点までの距離の自乗に反比
例するので±a/√2で最小及び最大値をとり、再び0
に近づくように変化する。
【0021】強磁性体7にx方向に作用する力Fxは、
dFxを強磁性体7全てについて合成したもので、dF
xをx−rからx+rまで積分し、位置xを変化させた
ときの値として得られる。図5(b)では半径rとして
2a、4a、6aの場合を示す。このFxが強磁性体7
に作用して円筒2の内部上面を移動させる。また、重力
加速度gにより強磁性体7に作用する重力mgには、傾
斜角センサ1が水平な場合はx方向成分がないので、x
方向の移動には関係ない。Fxは、図5(b)に示すよ
うに、x=0では、−rから0と、0からrまでのdF
xが打ち消し合うので0、x=0から離れる程dFxが
打ち消し合う量が減少するのでFxの絶対値は大きくな
り、x=±rで、dFxは打ち消し合わなくなり、か
つ、dFxのx>|a/√2|の変化はx<|a/√2
|の変化より小さいので最小及び最大になる。強磁性体
7が静止する
dFxを強磁性体7全てについて合成したもので、dF
xをx−rからx+rまで積分し、位置xを変化させた
ときの値として得られる。図5(b)では半径rとして
2a、4a、6aの場合を示す。このFxが強磁性体7
に作用して円筒2の内部上面を移動させる。また、重力
加速度gにより強磁性体7に作用する重力mgには、傾
斜角センサ1が水平な場合はx方向成分がないので、x
方向の移動には関係ない。Fxは、図5(b)に示すよ
うに、x=0では、−rから0と、0からrまでのdF
xが打ち消し合うので0、x=0から離れる程dFxが
打ち消し合う量が減少するのでFxの絶対値は大きくな
り、x=±rで、dFxは打ち消し合わなくなり、か
つ、dFxのx>|a/√2|の変化はx<|a/√2
|の変化より小さいので最小及び最大になる。強磁性体
7が静止する
【0022】図5(c)は、強磁性体7が静止する位置
を定性的に示すもので、UxはFxによるポテンシャル
で、r=2aの場合のものである。強磁性体7の安定な
釣り合い位置はUxの谷であるx=0の位置となる。す
なわち、強磁性体7は、傾斜角センサ1が水平な場合に
は、磁石4により、常に円筒2の中心位置の安定な釣り
合い位置に移動する。
を定性的に示すもので、UxはFxによるポテンシャル
で、r=2aの場合のものである。強磁性体7の安定な
釣り合い位置はUxの谷であるx=0の位置となる。す
なわち、強磁性体7は、傾斜角センサ1が水平な場合に
は、磁石4により、常に円筒2の中心位置の安定な釣り
合い位置に移動する。
【0023】次に、傾斜角センサ1を傾けた場合の強磁
性体7の位置について説明する。図6は傾斜角センサ1
を傾けた場合に強磁性体7に作用する力を示す図であ
る。図において、傾斜角センサ1を水平から角度θ傾け
ると、強磁性体7には重力加速度gによる重力mgのx
方向成分mg・sinθが作用する。このため、強磁性
体7をx方向に移動させる力はFx+mg・sinθと
なる。
性体7の位置について説明する。図6は傾斜角センサ1
を傾けた場合に強磁性体7に作用する力を示す図であ
る。図において、傾斜角センサ1を水平から角度θ傾け
ると、強磁性体7には重力加速度gによる重力mgのx
方向成分mg・sinθが作用する。このため、強磁性
体7をx方向に移動させる力はFx+mg・sinθと
なる。
【0024】図7は傾斜角センサ1を傾けた場合に強磁
性体7に作用する力の位置xによる変化を示す図であ
り、(a)はFx+mg・sinθの位置xによる変化
を、(b)はFx+mg・sinθによるポテンシャル
の位置xによる変化を示したものである。図7では、半
径をr=2aの場合について示している。
性体7に作用する力の位置xによる変化を示す図であ
り、(a)はFx+mg・sinθの位置xによる変化
を、(b)はFx+mg・sinθによるポテンシャル
の位置xによる変化を示したものである。図7では、半
径をr=2aの場合について示している。
【0025】傾斜角センサ1を傾けた場合に、強磁性体
7にx方向に作用する力について説明する。Fx+mg
・sinθの位置xによる変化は、図7(a)に示すよ
うに、強磁性体7に作用する力Fx+mg・sinθの
mg・sinθの大きさを変化させたとき、ポテンシャ
ルUxは、図7(b)に示すように、mg・sinθを
大きくすると、安定な釣り合い位置となる谷の位置が移
動する。mg・sinθが大きくなることは角度θの傾
きが大きくなることに対応する。ところで、図7(a)
のmg・sinθ=kMの様に、常にFx+mg・si
nθ>0となる場合には、図7(b)のmg・sinθ
=kMが谷の位置が得られない。このため、強磁性体7
を最大に傾けたθ=90degまで、安定な釣り合い位
置を得るには、Fx+mg=0の条件を満たす位置xが
存在する必要がある。
7にx方向に作用する力について説明する。Fx+mg
・sinθの位置xによる変化は、図7(a)に示すよ
うに、強磁性体7に作用する力Fx+mg・sinθの
mg・sinθの大きさを変化させたとき、ポテンシャ
ルUxは、図7(b)に示すように、mg・sinθを
大きくすると、安定な釣り合い位置となる谷の位置が移
動する。mg・sinθが大きくなることは角度θの傾
きが大きくなることに対応する。ところで、図7(a)
のmg・sinθ=kMの様に、常にFx+mg・si
nθ>0となる場合には、図7(b)のmg・sinθ
=kMが谷の位置が得られない。このため、強磁性体7
を最大に傾けたθ=90degまで、安定な釣り合い位
置を得るには、Fx+mg=0の条件を満たす位置xが
存在する必要がある。
【0026】図8は強磁性体7の安定な釣り合い位置x
の角度θによる変化を示すもので、例えばmg=0.5
kMならば、θ=90degまで釣り合い位置xは存在
するので、角度θの傾きの変位の関数として得られる。
しかし、例えばmg=kMならば、θ=55degま
で、mg=2kMならば、θ=22degまでは安定な
釣り合い位置で静止するが、それ以上大きくなると安定
な釣り合い位置は存在せず円筒2の端まで移動する。
の角度θによる変化を示すもので、例えばmg=0.5
kMならば、θ=90degまで釣り合い位置xは存在
するので、角度θの傾きの変位の関数として得られる。
しかし、例えばmg=kMならば、θ=55degま
で、mg=2kMならば、θ=22degまでは安定な
釣り合い位置で静止するが、それ以上大きくなると安定
な釣り合い位置は存在せず円筒2の端まで移動する。
【0027】したがって、質量m、磁荷M等の値を変え
ることで、傾斜角センサ1は、角度θの傾きの変位の関
数として得ることができる。また逆に、任意の角度θ以
上に傾斜角センサ1を傾けると強磁性体7が円筒2の端
まで移動するように設定すれば、ON−OFF動作検出
を行うセンサースイッチとしても使用することができ
る。
ることで、傾斜角センサ1は、角度θの傾きの変位の関
数として得ることができる。また逆に、任意の角度θ以
上に傾斜角センサ1を傾けると強磁性体7が円筒2の端
まで移動するように設定すれば、ON−OFF動作検出
を行うセンサースイッチとしても使用することができ
る。
【0028】以上の説明は、強磁性体7にx方向に作用
する力について行ったが、次に、磁性体7にz方向に作
用する力について説明する。図9は傾斜角センサ1が水
平な場合に強磁性体7にz方向に作用する力の位置xに
よる変化を示す図であり、(a)はdFzの位置xによ
る変化を、(b)はdFzを強磁性体7全てについて合
成した力Fzの位置xによる変化を示したもので、dF
zをx−rからx+rまで積分し、位置xを変化させた
ときの値である。半径rとして2a、4a、6aの場合
を示す。
する力について行ったが、次に、磁性体7にz方向に作
用する力について説明する。図9は傾斜角センサ1が水
平な場合に強磁性体7にz方向に作用する力の位置xに
よる変化を示す図であり、(a)はdFzの位置xによ
る変化を、(b)はdFzを強磁性体7全てについて合
成した力Fzの位置xによる変化を示したもので、dF
zをx−rからx+rまで積分し、位置xを変化させた
ときの値である。半径rとして2a、4a、6aの場合
を示す。
【0029】図9(a)に示すように、dFzは、原点
までの距離の自乗に反比例するdFのz方向成分なの
で、x=0で最大になり、x=0から離れる程、距離及
びz方向成分が小さくなるのに応じて小さくなる。この
dFzを強磁性体7全てについて合成した力Fzと重力
mgの和が強磁性体7に働く抗力となり、強磁性体7に
は摩擦力としてμ(Fz+mg)が働く。図9(b)に
示すように、Fzはx=0で最大になり、x=0から離
れる程小さくなる。このため、傾斜角センサ1を傾けた
状態から水平に戻す場合、強磁性体7に対する摩擦力
は、中心位置に移動するほど大きくなり中心で最大にな
るので、振動を起こすことなく収束する。また摩擦力は
強磁性体7の質量mを調節することで任意に設定でき
る。
までの距離の自乗に反比例するdFのz方向成分なの
で、x=0で最大になり、x=0から離れる程、距離及
びz方向成分が小さくなるのに応じて小さくなる。この
dFzを強磁性体7全てについて合成した力Fzと重力
mgの和が強磁性体7に働く抗力となり、強磁性体7に
は摩擦力としてμ(Fz+mg)が働く。図9(b)に
示すように、Fzはx=0で最大になり、x=0から離
れる程小さくなる。このため、傾斜角センサ1を傾けた
状態から水平に戻す場合、強磁性体7に対する摩擦力
は、中心位置に移動するほど大きくなり中心で最大にな
るので、振動を起こすことなく収束する。また摩擦力は
強磁性体7の質量mを調節することで任意に設定でき
る。
【0030】実施例2 実施例2は、実施例1にフィードバックをかけたもの
で、図10は本発明の実施例2における傾斜角センサの
斜め下方から見た斜視図、図11はフィードバックを構
成する一例を示すブロック線図で、(a)はx方向、
(b)はy方向について示すものである。図12は傾斜
角センサ1を傾けた場合に強磁性体7に働く力を示す図
である。図において、8R、8L、8U、8Dは電磁石
で、それぞれコイル9R、9L、9U、9Dとコア10
R、10L、10U、10Dで構成され、絶縁部11
R、11L、11U、11Dを介して導電性領域6R、
6L、6U、6Dに固着されている。12R、12L、
12U、12Dは上面及び下面の導電性領域間の容量変
化を検出する容量検出回路、13x、13yは容量検出
回路12R、12L、12U、12Dで検出した容量の
導電性領域6R、6L間、及び6U、6D間の対角上の
差分を計算し、強磁性体7を導電性領域6R、6L、6
U、6Dの平衡点に引き戻すように電磁石8R、8L、
8U、8Dに電流を流すフィードバック回路、14R、
14L、14U、14Dはフィードバック電流を検出す
る抵抗である。
で、図10は本発明の実施例2における傾斜角センサの
斜め下方から見た斜視図、図11はフィードバックを構
成する一例を示すブロック線図で、(a)はx方向、
(b)はy方向について示すものである。図12は傾斜
角センサ1を傾けた場合に強磁性体7に働く力を示す図
である。図において、8R、8L、8U、8Dは電磁石
で、それぞれコイル9R、9L、9U、9Dとコア10
R、10L、10U、10Dで構成され、絶縁部11
R、11L、11U、11Dを介して導電性領域6R、
6L、6U、6Dに固着されている。12R、12L、
12U、12Dは上面及び下面の導電性領域間の容量変
化を検出する容量検出回路、13x、13yは容量検出
回路12R、12L、12U、12Dで検出した容量の
導電性領域6R、6L間、及び6U、6D間の対角上の
差分を計算し、強磁性体7を導電性領域6R、6L、6
U、6Dの平衡点に引き戻すように電磁石8R、8L、
8U、8Dに電流を流すフィードバック回路、14R、
14L、14U、14Dはフィードバック電流を検出す
る抵抗である。
【0031】本発明の動作について説明する。図11
(a)、(b)に示すように、傾斜角センサ1を傾ける
ことで変化する上面及び下面の導電性領域間の容量変化
を容量検出回路12R、12L、12U、12Dで検出
し、この容量の導電性領域6R、6L間、及び6U、6
D間の対角上の差分を計算し、強磁性体7を導電性領域
6R、6L、6U、6Dの平衡点に引き戻すように電磁
石8R、8L、8U、8Dにフィードバック回路13
x、13yが電流を流す。たとえば、図12に示すよう
に、フィードバック回路13xが電磁石8Lに流す電流
により生じる磁場MLによって強磁性体7に作用する力
fのx方向成分fxは、傾斜角センサ1を導電性領域6
Rの方向に傾けた場合の重力のx方向成分mg・sin
θと逆向きで、同じ大きさの力となる。この電流を傾斜
角センサ1の傾斜角の関数として抵抗14Lで検出する
ことで傾斜角を検出できる。また、この実施例2によれ
ば、強磁性体7は常に平衡点に位置するので、実施例1
のように傾斜角の測定可能な範囲を考慮する必要なく、
大きな傾斜角を測定することができる。
(a)、(b)に示すように、傾斜角センサ1を傾ける
ことで変化する上面及び下面の導電性領域間の容量変化
を容量検出回路12R、12L、12U、12Dで検出
し、この容量の導電性領域6R、6L間、及び6U、6
D間の対角上の差分を計算し、強磁性体7を導電性領域
6R、6L、6U、6Dの平衡点に引き戻すように電磁
石8R、8L、8U、8Dにフィードバック回路13
x、13yが電流を流す。たとえば、図12に示すよう
に、フィードバック回路13xが電磁石8Lに流す電流
により生じる磁場MLによって強磁性体7に作用する力
fのx方向成分fxは、傾斜角センサ1を導電性領域6
Rの方向に傾けた場合の重力のx方向成分mg・sin
θと逆向きで、同じ大きさの力となる。この電流を傾斜
角センサ1の傾斜角の関数として抵抗14Lで検出する
ことで傾斜角を検出できる。また、この実施例2によれ
ば、強磁性体7は常に平衡点に位置するので、実施例1
のように傾斜角の測定可能な範囲を考慮する必要なく、
大きな傾斜角を測定することができる。
【0032】実施例3 図13は本発明の実施例3における傾斜角センサの断面
図であり、図において、15は円筒2の内部に封入され
たオイルである。図13に示すように、円筒2の内部に
オイル15を封入することで、オイル15の粘性、強磁
性体7のサイズや材質を調整によって傾斜角を検出する
応答性を任意に設定することができる。このため、応答
性と静止時の収束性の両立を可能することができる。
図であり、図において、15は円筒2の内部に封入され
たオイルである。図13に示すように、円筒2の内部に
オイル15を封入することで、オイル15の粘性、強磁
性体7のサイズや材質を調整によって傾斜角を検出する
応答性を任意に設定することができる。このため、応答
性と静止時の収束性の両立を可能することができる。
【0033】実施例4 図14は本発明の実施例4における傾斜角センサを示す
斜視図であり、(a)は傾斜角センサを斜め上方から見
た斜視図、(b)は傾斜角センサを斜め下方から見た斜
視図、図15は図14の15−15線矢視断面図で、上
記実施例1の円筒2の下面を、印刷配線板の一部分で形
成したものである。図において、16はカバー、17は
印刷配線板である。このように、傾斜角センサ1を印刷
配線板17上に構成することで、印刷配線板上に導電性
領域6R、6L、6U、6Dを形成でき、厚さを短縮す
ることができる。また、導電性領域6R、6L、6U、
6Dの結線を印刷配線板上に直接に形成できる。ところ
で、上記実施例1の円筒2の上面を印刷配線板の一部分
で導電性領域3を形成したり、上記実施例2の電磁石8
R、8L、8U、8Dを印刷配線板17下に備えてもよ
いことは言うまでもない。
斜視図であり、(a)は傾斜角センサを斜め上方から見
た斜視図、(b)は傾斜角センサを斜め下方から見た斜
視図、図15は図14の15−15線矢視断面図で、上
記実施例1の円筒2の下面を、印刷配線板の一部分で形
成したものである。図において、16はカバー、17は
印刷配線板である。このように、傾斜角センサ1を印刷
配線板17上に構成することで、印刷配線板上に導電性
領域6R、6L、6U、6Dを形成でき、厚さを短縮す
ることができる。また、導電性領域6R、6L、6U、
6Dの結線を印刷配線板上に直接に形成できる。ところ
で、上記実施例1の円筒2の上面を印刷配線板の一部分
で導電性領域3を形成したり、上記実施例2の電磁石8
R、8L、8U、8Dを印刷配線板17下に備えてもよ
いことは言うまでもない。
【0034】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、以下に述べるような効果を奏する。
ているので、以下に述べるような効果を奏する。
【0035】本発明の請求項1記載の傾斜角センサによ
れば、傾斜角センサを傾けた傾斜角に応じて、上面及び
下面の導電性領域間の容量が変化することができ、この
ため、小型、特に薄型の傾斜角センサを実現できる。
れば、傾斜角センサを傾けた傾斜角に応じて、上面及び
下面の導電性領域間の容量が変化することができ、この
ため、小型、特に薄型の傾斜角センサを実現できる。
【0036】また、本発明の請求項2記載の傾斜角セン
サによれば、傾斜角センサを傾けた傾斜角に応じて、電
磁石に流す電流が変化することができ、このため、大き
な傾斜角を測定することができる傾斜角センサを実現で
きる。
サによれば、傾斜角センサを傾けた傾斜角に応じて、電
磁石に流す電流が変化することができ、このため、大き
な傾斜角を測定することができる傾斜角センサを実現で
きる。
【0037】また、本発明の請求項3記載の傾斜角セン
サによれば、液体に対して円板形の強磁性体のサイズや
材質によって傾斜角を検出する応答性を任意に設定する
ことができ、このため、応答性と静止時の収束性の両立
が可能になる。
サによれば、液体に対して円板形の強磁性体のサイズや
材質によって傾斜角を検出する応答性を任意に設定する
ことができ、このため、応答性と静止時の収束性の両立
が可能になる。
【0038】また、本発明の請求項4記載の傾斜角セン
サによれば、上記円筒の上面、または下面のどちらかの
厚さ分を短縮することができ、このため、更に薄型の傾
斜角センサを得ることが可能になる。
サによれば、上記円筒の上面、または下面のどちらかの
厚さ分を短縮することができ、このため、更に薄型の傾
斜角センサを得ることが可能になる。
【図1】 本発明の実施例1における傾斜角センサを示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図2】 図1の3−3線矢視断面図である。
【図3】 図1の4−4線矢視断面図である。
【図4】 本発明の実施例1における傾斜角センサが水
平な場合に強磁性体に作用する力を示す図である。
平な場合に強磁性体に作用する力を示す図である。
【図5】 本発明の実施例1における傾斜角センサが水
平な場合に強磁性体に作用する力の位置による変化を示
す図である。
平な場合に強磁性体に作用する力の位置による変化を示
す図である。
【図6】 本発明の実施例1における傾斜角センサを傾
けた場合に強磁性体に作用する力を示す図である
けた場合に強磁性体に作用する力を示す図である
【図7】 本発明の実施例1における傾斜角センサを傾
けた場合に強磁性体に作用する力の位置xによる変化を
示す図である。
けた場合に強磁性体に作用する力の位置xによる変化を
示す図である。
【図8】 本発明の実施例1における強磁性体の安定な
釣り合い位置xの角度θによる変化を示す図である。
釣り合い位置xの角度θによる変化を示す図である。
【図9】 本発明の実施例1における傾斜角センサが水
平な場合に強磁性体にz方向に作用する力の位置xによ
る変化を示す図である。
平な場合に強磁性体にz方向に作用する力の位置xによ
る変化を示す図である。
【図10】 本発明の実施例2におけるサーボをかけた
傾斜角センサの斜め下方から見た斜視図である。
傾斜角センサの斜め下方から見た斜視図である。
【図11】 本発明の実施例2における傾斜角センサの
サーボを構成するブロック線図である。
サーボを構成するブロック線図である。
【図12】 本発明の実施例2における傾斜角センサを
傾けた場合に強磁性体に働く力を示す図である。
傾けた場合に強磁性体に働く力を示す図である。
【図13】 本発明の実施例3における傾斜角センサの
断面図である。
断面図である。
【図14】 本発明の実施例4における傾斜角センサを
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図15】 図14の15−15線矢視断面図である。
【図16】 従来の傾斜角センサの構造図である。
1 傾斜角センサ、2 円筒、3,6R,6L,6U,
6D 導電性領域、4磁石、5,11R,11L,11
U,11D 絶縁部、7 強磁性体、8R,8L,8
U,8D 電磁石、9R,9L,9U,9D コイル、
10R,10L,10U,10D コア、12R,12
L,12U,12D 容量検出回路、13x,13y
フィードバック回路、14R,14L,14U,14D
抵抗、15 オイル、16 カバー、17 印刷配線
板。
6D 導電性領域、4磁石、5,11R,11L,11
U,11D 絶縁部、7 強磁性体、8R,8L,8
U,8D 電磁石、9R,9L,9U,9D コイル、
10R,10L,10U,10D コア、12R,12
L,12U,12D 容量検出回路、13x,13y
フィードバック回路、14R,14L,14U,14D
抵抗、15 オイル、16 カバー、17 印刷配線
板。
Claims (4)
- 【請求項1】 絶縁体で構成された中空の円筒、この円
筒の上面の導電性領域、この導電性領域上の円筒中心位
置に固着された円板形の磁石、この円筒の下面に少なく
とも3つの扇型に分割された導電性領域、及びこの円筒
の内部に配設された移動可能な円板形の強磁性体を備え
たことを特徴とする傾斜角センサ。 - 【請求項2】 上記円筒下面の少なくとも3つの扇型に
分割された導電性領域にそれぞれ固着された電磁石、上
面及び下面の導電性領域間の容量変化を検出する容量検
出回路、及びこの容量検出回路が検出した少なくとも3
つの容量値を常に一定にするため電磁石に流す電流を与
えるフィードバック回路を備えたことを特徴とする請求
項1記載の傾斜角センサ。 - 【請求項3】 上記円筒の内部に、液体を封入したこと
を特徴とする請求項1または請求項2記載の傾斜角セン
サ。 - 【請求項4】 上記円筒の上面、または下面のどちらか
を、印刷配線板の一部分で形成したことを特徴とする請
求項1または請求項2記載の傾斜角センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22025194A JPH0886647A (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | 傾斜角センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22025194A JPH0886647A (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | 傾斜角センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0886647A true JPH0886647A (ja) | 1996-04-02 |
Family
ID=16748263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22025194A Pending JPH0886647A (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | 傾斜角センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0886647A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011047812A (ja) * | 2009-08-27 | 2011-03-10 | Yasuo Ueno | 傾斜センサー |
| CN115149744A (zh) * | 2022-07-07 | 2022-10-04 | 宁波普瑞均胜汽车电子有限公司 | 电机控制结构 |
-
1994
- 1994-09-14 JP JP22025194A patent/JPH0886647A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011047812A (ja) * | 2009-08-27 | 2011-03-10 | Yasuo Ueno | 傾斜センサー |
| CN115149744A (zh) * | 2022-07-07 | 2022-10-04 | 宁波普瑞均胜汽车电子有限公司 | 电机控制结构 |
| CN115149744B (zh) * | 2022-07-07 | 2024-06-04 | 宁波普瑞均胜汽车电子有限公司 | 电机控制结构 |
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