JPH088682A - 直列共振デバイス及びその製造方法と試験方法 - Google Patents
直列共振デバイス及びその製造方法と試験方法Info
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- JPH088682A JPH088682A JP6135788A JP13578894A JPH088682A JP H088682 A JPH088682 A JP H088682A JP 6135788 A JP6135788 A JP 6135788A JP 13578894 A JP13578894 A JP 13578894A JP H088682 A JPH088682 A JP H088682A
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders or supports
- H03H9/0504—Holders or supports for bulk acoustic wave devices
- H03H9/0509—Holders or supports for bulk acoustic wave devices consisting of adhesive elements
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- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
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- Y10T29/42—Piezoelectric device making
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- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、圧電デバイス等の直列共振デバイ
スに関し、励振レベルに依存した共振抵抗の変動を抑制
し、ひいては安定した動作に寄与すると共に、工数の低
減及び歩留りの向上を図ることを目的とする。 【構成】 圧電基板２の対向主面に駆動電極３ａ，３ｂ
を形成したストリップ状の振動素子１が絶縁基板４に搭
載され、該絶縁基板上に形成され且つ前記駆動電極に電
気的に接続された端子電極５ａ，５ｂに駆動信号を印加
することで直列共振を生じさせるようにしたデバイスに
おいて、前記振動素子の少なくとも長手方向の側面部分
に界面活性剤１０を塗布するように構成する。
スに関し、励振レベルに依存した共振抵抗の変動を抑制
し、ひいては安定した動作に寄与すると共に、工数の低
減及び歩留りの向上を図ることを目的とする。 【構成】 圧電基板２の対向主面に駆動電極３ａ，３ｂ
を形成したストリップ状の振動素子１が絶縁基板４に搭
載され、該絶縁基板上に形成され且つ前記駆動電極に電
気的に接続された端子電極５ａ，５ｂに駆動信号を印加
することで直列共振を生じさせるようにしたデバイスに
おいて、前記振動素子の少なくとも長手方向の側面部分
に界面活性剤１０を塗布するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、直列共振デバイスに係
り、特に、圧電材料を用いて構成された振動素子を備え
た圧電デバイスにおいて、該デバイスを励振する駆動信
号レベル（以下「励振レベル」と称する）に依存した共
振抵抗の変動を抑制するための技術に関する。
り、特に、圧電材料を用いて構成された振動素子を備え
た圧電デバイスにおいて、該デバイスを励振する駆動信
号レベル（以下「励振レベル」と称する）に依存した共
振抵抗の変動を抑制するための技術に関する。
【０００２】圧電デバイスは、従来のインダクタンス素
子、キャパシタンス素子等を組み合わせた共振回路に比
べて、小型で損失が少なく、且つ温度特性が安定してい
るので、テレビ、ラジオ等を始め、多くの情報・通信機
器に利用されている。特に、発振回路や帯域通過フィル
タ等に好適に使用されるため、アナログ的に広いダイナ
ミックレンジが求められている。そこで、特に低電圧動
作での発振不良、発振周波数の変化等の原因となってい
る励振レベルに依存した共振抵抗の変動を抑制すること
が要望されている。
子、キャパシタンス素子等を組み合わせた共振回路に比
べて、小型で損失が少なく、且つ温度特性が安定してい
るので、テレビ、ラジオ等を始め、多くの情報・通信機
器に利用されている。特に、発振回路や帯域通過フィル
タ等に好適に使用されるため、アナログ的に広いダイナ
ミックレンジが求められている。そこで、特に低電圧動
作での発振不良、発振周波数の変化等の原因となってい
る励振レベルに依存した共振抵抗の変動を抑制すること
が要望されている。
【０００３】
【従来の技術】圧電デバイスの振動素子は、ニオブ酸リ
チウム（ＬｉＮｂＯ3 ）やタンタル酸リチウム（ＬｉＴ
ａＯ3 ）等の圧電材料を用いて構成され、その幾何学的
形状によって決まる共振特性を示す。そして、かかる共
振特性（すなわち共振抵抗値）が振動素子の励振レベル
に大いに依存することは知られている。
チウム（ＬｉＮｂＯ3 ）やタンタル酸リチウム（ＬｉＴ
ａＯ3 ）等の圧電材料を用いて構成され、その幾何学的
形状によって決まる共振特性を示す。そして、かかる共
振特性（すなわち共振抵抗値）が振動素子の励振レベル
に大いに依存することは知られている。
【０００４】図７には従来形における圧電デバイスの励
振レベル変化に対する損失レベル変動を表した特性曲線
が示される。図中、（ａ）は励振レベルを，，と
変化させた場合の直列共振抵抗（損失レベル〔ｄＢ〕の
形で表示）の変動を示しており、（ｂ）は後述するマイ
クロクラックの無い「良品」デバイスの励振レベル変化
に対する損失レベル変動を示している。図中、ΔＲｓは
（最大）損失レベル変動量を表しており、この値は小さ
い程望ましい。図示の例では、図７（ｂ）に示す特性を
持つデバイスの方が、図７（ａ）に示す特性を持つデバ
イスに比べて、損失レベル変動量ΔＲｓは小さい。
振レベル変化に対する損失レベル変動を表した特性曲線
が示される。図中、（ａ）は励振レベルを，，と
変化させた場合の直列共振抵抗（損失レベル〔ｄＢ〕の
形で表示）の変動を示しており、（ｂ）は後述するマイ
クロクラックの無い「良品」デバイスの励振レベル変化
に対する損失レベル変動を示している。図中、ΔＲｓは
（最大）損失レベル変動量を表しており、この値は小さ
い程望ましい。図示の例では、図７（ｂ）に示す特性を
持つデバイスの方が、図７（ａ）に示す特性を持つデバ
イスに比べて、損失レベル変動量ΔＲｓは小さい。
【０００５】このような損失レベル変動の一つの原因と
しては、例えば図８に模式的に示すように、振動素子の
端部に発生したマイクロクラックが挙げられる。図中、
２１は振動素子、２２は圧電基板、２３ａ（２３ａ’）
及び２３ｂ（２３ｂ’）は１対の駆動電極、３０はマイ
クロクラックを示す。このようなマイクロクラックは、
主として、圧電デバイスの製造工程において切削処理時
（つまり、対向主面に予め駆動電極が形成された１枚の
ウエハ（圧電基板）を切削処理して圧電デバイスの振動
素子毎に分割する時）に発生し易い。図示のように振動
素子２１の端部にマイクロクラック３０が発生すると、
スプリアスが生じ、このために当該振動素子は幾つかの
振動素子の特性が重なり合ったような特性を呈する。こ
れによって、励振レベルの変化に依存して直列共振抵抗
すなわち損失レベルも大きく変動する。
しては、例えば図８に模式的に示すように、振動素子の
端部に発生したマイクロクラックが挙げられる。図中、
２１は振動素子、２２は圧電基板、２３ａ（２３ａ’）
及び２３ｂ（２３ｂ’）は１対の駆動電極、３０はマイ
クロクラックを示す。このようなマイクロクラックは、
主として、圧電デバイスの製造工程において切削処理時
（つまり、対向主面に予め駆動電極が形成された１枚の
ウエハ（圧電基板）を切削処理して圧電デバイスの振動
素子毎に分割する時）に発生し易い。図示のように振動
素子２１の端部にマイクロクラック３０が発生すると、
スプリアスが生じ、このために当該振動素子は幾つかの
振動素子の特性が重なり合ったような特性を呈する。こ
れによって、励振レベルの変化に依存して直列共振抵抗
すなわち損失レベルも大きく変動する。
【０００６】ここに、損失レベル変動量が所定の許容レ
ベル範囲にあるデバイス、例えば図７（ｂ）に示すよう
な特性を持つデバイスは「良品」として出荷することが
できるが、図７（ａ）に示すように損失レベル変動量
（ΔＲｓ）が比較的大きいデバイスは「不良品」として
排除されなければならない。従来、このようなデバイス
の良／不良の選別は、圧電デバイスとしての振動素子の
組立後に試験を行うことで実施されていた。係る試験
は、例えば、所定のレベル範囲において任意のレベル差
毎に励振レベルを変えていきながらその都度、各々の励
振レベルでデバイスを駆動した時の直列共振抵抗すなわ
ち損失レベルをそれぞれ測定し、これら測定値のうち最
大値と最小値の差（図７に示す最大損失レベル変動量Δ
Ｒｓ）を評価することにより、行われる。
ベル範囲にあるデバイス、例えば図７（ｂ）に示すよう
な特性を持つデバイスは「良品」として出荷することが
できるが、図７（ａ）に示すように損失レベル変動量
（ΔＲｓ）が比較的大きいデバイスは「不良品」として
排除されなければならない。従来、このようなデバイス
の良／不良の選別は、圧電デバイスとしての振動素子の
組立後に試験を行うことで実施されていた。係る試験
は、例えば、所定のレベル範囲において任意のレベル差
毎に励振レベルを変えていきながらその都度、各々の励
振レベルでデバイスを駆動した時の直列共振抵抗すなわ
ち損失レベルをそれぞれ測定し、これら測定値のうち最
大値と最小値の差（図７に示す最大損失レベル変動量Δ
Ｒｓ）を評価することにより、行われる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述したように従来の
試験方法では、励振レベルを変化させて圧電デバイスの
損失レベル変動量を評価するようにしているので、当該
デバイスの良／不良の選別は行うことができるが、その
一方で、工数が増加するといった問題がある。また、図
８に示したようなマイクロクラックの発生により、励振
レベルの変化に依存して共振抵抗すなわち損失レベルが
大きく変動し、これによって、特に低電圧動作での発振
不良や発振周波数の変化等が生じるといった問題もあ
る。これは、デバイスの安定動作といった観点から、好
ましくない。
試験方法では、励振レベルを変化させて圧電デバイスの
損失レベル変動量を評価するようにしているので、当該
デバイスの良／不良の選別は行うことができるが、その
一方で、工数が増加するといった問題がある。また、図
８に示したようなマイクロクラックの発生により、励振
レベルの変化に依存して共振抵抗すなわち損失レベルが
大きく変動し、これによって、特に低電圧動作での発振
不良や発振周波数の変化等が生じるといった問題もあ
る。これは、デバイスの安定動作といった観点から、好
ましくない。
【０００８】さらに、試験規格を定めるにあたり、発振
不良や発振周波数の変化等が起こる損失レベル変動量を
明確に特定できていないため、例えば、損失レベル変動
量ΔＲｓが１ｄＢｍ以上のデバイスは「不良」といった
ように試験規格を厳しくしなければならないといった不
都合もある。これは、圧電デバイスの製造、試験及び出
荷といった一連の過程において歩留り低下の要因とな
り、好ましくない。
不良や発振周波数の変化等が起こる損失レベル変動量を
明確に特定できていないため、例えば、損失レベル変動
量ΔＲｓが１ｄＢｍ以上のデバイスは「不良」といった
ように試験規格を厳しくしなければならないといった不
都合もある。これは、圧電デバイスの製造、試験及び出
荷といった一連の過程において歩留り低下の要因とな
り、好ましくない。
【０００９】本発明の目的は、かかる従来技術における
課題に鑑み、励振レベルに依存した共振抵抗の変動を抑
制し、ひいては安定した動作に寄与すると共に、工数の
低減及び歩留りの向上を図ることができる圧電デバイス
等の直列共振デバイス及びその製造方法と試験方法を提
供することにある。
課題に鑑み、励振レベルに依存した共振抵抗の変動を抑
制し、ひいては安定した動作に寄与すると共に、工数の
低減及び歩留りの向上を図ることができる圧電デバイス
等の直列共振デバイス及びその製造方法と試験方法を提
供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の基本形態によれば、圧電基板の対向主面に
駆動電極を形成したストリップ状の振動素子が絶縁基板
に搭載され、該絶縁基板上に形成され且つ前記駆動電極
に電気的に接続された端子電極に駆動信号を印加するこ
とで直列共振を生じさせるようにしたデバイスにおい
て、前記振動素子の少なくとも長手方向の側面部分に界
面活性剤を塗布したことを特徴とする直列共振デバイス
が提供される。
め、本発明の基本形態によれば、圧電基板の対向主面に
駆動電極を形成したストリップ状の振動素子が絶縁基板
に搭載され、該絶縁基板上に形成され且つ前記駆動電極
に電気的に接続された端子電極に駆動信号を印加するこ
とで直列共振を生じさせるようにしたデバイスにおい
て、前記振動素子の少なくとも長手方向の側面部分に界
面活性剤を塗布したことを特徴とする直列共振デバイス
が提供される。
【００１１】上記界面活性剤の選定に際しては、形成さ
れる膜（界面活性剤）の質と量に依存して直列共振抵抗
の劣化、発振周波数の変化等が生じる可能性があるた
め、界面活性剤の絶縁抵抗、分子量、及び塗布量（つま
り膜厚）を適宜選択する必要がある。本発明の他の形態
によれば、対向主面に予め駆動電極が形成されている圧
電基板を切削処理して直列共振デバイスの振動素子毎に
分割する第１の段階と、駆動信号を印加するための端子
電極を絶縁基板上に形成し、次いで前記駆動電極が前記
端子電極に電気的に接続されるようにして前記振動素子
を前記絶縁基板上に搭載する第２の段階と、前記絶縁基
板上に搭載された前記振動素子を保護用のキャップで封
止する第３の段階とを具備し、前記第１の段階を実行し
た後で前記第２の段階を実行する前の段階において、ス
プレー又は浸漬により、前記振動素子それ自体に界面活
性剤を塗布することを特徴とする直列共振デバイスの製
造方法が提供される。
れる膜（界面活性剤）の質と量に依存して直列共振抵抗
の劣化、発振周波数の変化等が生じる可能性があるた
め、界面活性剤の絶縁抵抗、分子量、及び塗布量（つま
り膜厚）を適宜選択する必要がある。本発明の他の形態
によれば、対向主面に予め駆動電極が形成されている圧
電基板を切削処理して直列共振デバイスの振動素子毎に
分割する第１の段階と、駆動信号を印加するための端子
電極を絶縁基板上に形成し、次いで前記駆動電極が前記
端子電極に電気的に接続されるようにして前記振動素子
を前記絶縁基板上に搭載する第２の段階と、前記絶縁基
板上に搭載された前記振動素子を保護用のキャップで封
止する第３の段階とを具備し、前記第１の段階を実行し
た後で前記第２の段階を実行する前の段階において、ス
プレー又は浸漬により、前記振動素子それ自体に界面活
性剤を塗布することを特徴とする直列共振デバイスの製
造方法が提供される。
【００１２】また、他の形態にかかる製造方法によれ
ば、前記第２の段階を実行した後で前記第３の段階を実
行する前の段階において、スプレー又は浸漬により、前
記振動素子を含めた前記絶縁基板全体に界面活性剤を塗
布するようにしている。さらに、他の形態にかかる製造
方法によれば、前記第１の段階において、切削処理を行
う際に用いる切削溶液中に界面活性剤を混合すること
で、切削処理と同時に振動素子それ自体に界面活性剤を
塗布するようにしている。
ば、前記第２の段階を実行した後で前記第３の段階を実
行する前の段階において、スプレー又は浸漬により、前
記振動素子を含めた前記絶縁基板全体に界面活性剤を塗
布するようにしている。さらに、他の形態にかかる製造
方法によれば、前記第１の段階において、切削処理を行
う際に用いる切削溶液中に界面活性剤を混合すること
で、切削処理と同時に振動素子それ自体に界面活性剤を
塗布するようにしている。
【００１３】また、本発明の他の形態にかかる製造方法
によれば、対向主面に予め駆動電極が形成されている圧
電基板を切削処理して直列共振デバイスの振動素子毎に
分割する第１の段階と、駆動信号を印加するための端子
電極を絶縁基板上に形成し、次いで前記駆動電極が前記
端子電極に電気的に接続されるようにして前記振動素子
を前記絶縁基板上に搭載する第２の段階と、レーザ等を
用いて前記振動素子の駆動電極の一部をトリミング処理
することで直列共振デバイスの周波数調整を行う第３の
段階と、前記周波数調整が行われたデバイスを保護用の
キャップで封止する第４の段階とを具備し、前記第３の
段階を実行した後で前記第４の段階を実行する前の段階
において、スプレー又は浸漬により、前記振動素子を含
めた前記絶縁基板全体に界面活性剤を塗布するようにし
ている。
によれば、対向主面に予め駆動電極が形成されている圧
電基板を切削処理して直列共振デバイスの振動素子毎に
分割する第１の段階と、駆動信号を印加するための端子
電極を絶縁基板上に形成し、次いで前記駆動電極が前記
端子電極に電気的に接続されるようにして前記振動素子
を前記絶縁基板上に搭載する第２の段階と、レーザ等を
用いて前記振動素子の駆動電極の一部をトリミング処理
することで直列共振デバイスの周波数調整を行う第３の
段階と、前記周波数調整が行われたデバイスを保護用の
キャップで封止する第４の段階とを具備し、前記第３の
段階を実行した後で前記第４の段階を実行する前の段階
において、スプレー又は浸漬により、前記振動素子を含
めた前記絶縁基板全体に界面活性剤を塗布するようにし
ている。
【００１４】さらに、本発明の他の形態によれば、予め
決められたレベル範囲において特定の周波数で任意のレ
ベル差毎に励振レベルを変えていきながらその都度、各
々の励振レベルで直列共振デバイスを駆動した時の該デ
バイスの共振抵抗に応じた損失レベルをそれぞれ測定
し、これら測定された値のうち最大値と最小値の差を求
め、この求めた損失レベル差が所定の許容レベル範囲内
にあるか否かを判定し、この判定結果に基づいて当該デ
バイスの良／不良の選別を行うことを特徴とする直列共
振デバイスの試験方法が提供される。
決められたレベル範囲において特定の周波数で任意のレ
ベル差毎に励振レベルを変えていきながらその都度、各
々の励振レベルで直列共振デバイスを駆動した時の該デ
バイスの共振抵抗に応じた損失レベルをそれぞれ測定
し、これら測定された値のうち最大値と最小値の差を求
め、この求めた損失レベル差が所定の許容レベル範囲内
にあるか否かを判定し、この判定結果に基づいて当該デ
バイスの良／不良の選別を行うことを特徴とする直列共
振デバイスの試験方法が提供される。
【００１５】
【作用】上述した本発明の基本形態に係る直列共振デバ
イスの構成によれば、振動素子の少なくとも長手方向の
側面部分に界面活性剤の膜が形成されているので、例え
ば図８に示したような振動素子の端部に発生したマイク
ロクラックに起因する所望としない振動の発生を機械的
に抑えることができる。
イスの構成によれば、振動素子の少なくとも長手方向の
側面部分に界面活性剤の膜が形成されているので、例え
ば図８に示したような振動素子の端部に発生したマイク
ロクラックに起因する所望としない振動の発生を機械的
に抑えることができる。
【００１６】これによって、励振レベルの変化に依存し
た共振抵抗（損失レベル）の変動を効果的に抑制するこ
とが可能となる。これは、特に低電圧動作時において、
発振不良や発振周波数の変化等の発生を防止するのに大
いに寄与する。なお、本発明の他の構成上の特徴及び作
用の詳細については、添付図面を参照しつつ以下に記述
される実施例を用いて説明する。
た共振抵抗（損失レベル）の変動を効果的に抑制するこ
とが可能となる。これは、特に低電圧動作時において、
発振不良や発振周波数の変化等の発生を防止するのに大
いに寄与する。なお、本発明の他の構成上の特徴及び作
用の詳細については、添付図面を参照しつつ以下に記述
される実施例を用いて説明する。
【００１７】
【実施例】図１には本発明の一実施例に係る圧電デバイ
スの基本構造が一部切り欠いて示される。図中、１はス
トリップ状の振動素子を示し、該振動素子は、ＬｉＮｂ
Ｏ3 又はＬｉＴａＯ3 の単結晶より切り出された圧電基
板２の対向主面（図示の例では上面及び底面）に１対の
駆動電極３ａ，３ｂが形成されて成る構造を有してい
る。また、４は振動素子１を搭載するためのセラミック
等の絶縁基板、５ａ，５ｂはそれぞれ絶縁基板４上に形
成された端子電極を示し、該端子電極は、銀ペースト等
の導電性接着剤６ａ，６ｂを用いてそれぞれ対応する駆
動電極３ａ，３ｂに電気的に接続されている。なお、導
電性接着剤６ａ，６ｂは、振動素子１を絶縁基板４上に
固定するための機能も有している。絶縁基板４上に形成
された端子電極５ａ，５ｂはそれぞれスルーホール７
ａ，７ｂを介して絶縁基板４の反対側に導通しており、
これによって、外部の電源からスルーホール７ａ，７
ｂ、端子電極５ａ，５ｂ及び導電性接着剤６ａ，６ｂを
介して駆動電極３ａ，３ｂに圧電デバイス励振用の駆動
信号が印加されるようになっている。また、８は圧電デ
バイス保護用のセラミック等のキャップを示す。
スの基本構造が一部切り欠いて示される。図中、１はス
トリップ状の振動素子を示し、該振動素子は、ＬｉＮｂ
Ｏ3 又はＬｉＴａＯ3 の単結晶より切り出された圧電基
板２の対向主面（図示の例では上面及び底面）に１対の
駆動電極３ａ，３ｂが形成されて成る構造を有してい
る。また、４は振動素子１を搭載するためのセラミック
等の絶縁基板、５ａ，５ｂはそれぞれ絶縁基板４上に形
成された端子電極を示し、該端子電極は、銀ペースト等
の導電性接着剤６ａ，６ｂを用いてそれぞれ対応する駆
動電極３ａ，３ｂに電気的に接続されている。なお、導
電性接着剤６ａ，６ｂは、振動素子１を絶縁基板４上に
固定するための機能も有している。絶縁基板４上に形成
された端子電極５ａ，５ｂはそれぞれスルーホール７
ａ，７ｂを介して絶縁基板４の反対側に導通しており、
これによって、外部の電源からスルーホール７ａ，７
ｂ、端子電極５ａ，５ｂ及び導電性接着剤６ａ，６ｂを
介して駆動電極３ａ，３ｂに圧電デバイス励振用の駆動
信号が印加されるようになっている。また、８は圧電デ
バイス保護用のセラミック等のキャップを示す。
【００１８】このような基本構造を持つ圧電デバイスに
対して、本発明の各実施例では、後述するように振動素
子１の少なくとも長手方向の側面部分に界面活性剤（図
３において参照番号１０で示す部分、又は図４において
参照番号１１で示す部分）が塗布されている。以下、本
発明の各実施例に係る圧電デバイスの製造方法につい
て、図２に示すフローチャートを参照しながら説明す
る。
対して、本発明の各実施例では、後述するように振動素
子１の少なくとも長手方向の側面部分に界面活性剤（図
３において参照番号１０で示す部分、又は図４において
参照番号１１で示す部分）が塗布されている。以下、本
発明の各実施例に係る圧電デバイスの製造方法につい
て、図２に示すフローチャートを参照しながら説明す
る。
【００１９】＜圧電デバイスの一般的な製造工程＞先
ず、ステップＳＴ１では、ＬｉＮｂＯ3 、ＬｉＴａＯ3
等の単結晶のウエハすなわち圧電基板（ただし、その対
向主面に予め駆動電極が形成されている）を切削溶液
（例えば、水）中に浸して切削処理を行い、圧電デバイ
スの振動素子毎に分割する（素子分割）。この場合、各
振動素子は、図１に示したようにストリップ状の形態を
もって分割される。
ず、ステップＳＴ１では、ＬｉＮｂＯ3 、ＬｉＴａＯ3
等の単結晶のウエハすなわち圧電基板（ただし、その対
向主面に予め駆動電極が形成されている）を切削溶液
（例えば、水）中に浸して切削処理を行い、圧電デバイ
スの振動素子毎に分割する（素子分割）。この場合、各
振動素子は、図１に示したようにストリップ状の形態を
もって分割される。
【００２０】次に、ステップＳＴ２では、駆動信号を印
加するための端子電極を絶縁基板上の所定の位置に形成
し、次いで駆動電極が形成されたストリップ状の振動素
子を絶縁基板上に搭載する。この際、銀ペースト等の導
電性接着剤を用いて振動素子の駆動電極が絶縁基板上の
端子電極に電気的に接続される。これによって、圧電デ
バイス（直列共振デバイス）が実質的に形成されたこと
になる。
加するための端子電極を絶縁基板上の所定の位置に形成
し、次いで駆動電極が形成されたストリップ状の振動素
子を絶縁基板上に搭載する。この際、銀ペースト等の導
電性接着剤を用いて振動素子の駆動電極が絶縁基板上の
端子電極に電気的に接続される。これによって、圧電デ
バイス（直列共振デバイス）が実質的に形成されたこと
になる。
【００２１】次に、ステップＳＴ３では、レーザ等を用
いて振動素子の駆動電極の一部を除去（トリミング）す
ることで圧電デバイスの直列共振周波数の調整を行う。
なお、このステップＳＴ３は、圧電基板としてＬｉＴａ
Ｏ3 を使用した場合に適用されるものであり、圧電基板
としてＬｉＮｂＯ3 を使用した場合には不要のステップ
である（つまりステップＳＴ２から次のステップＳＴ４
に進む）。
いて振動素子の駆動電極の一部を除去（トリミング）す
ることで圧電デバイスの直列共振周波数の調整を行う。
なお、このステップＳＴ３は、圧電基板としてＬｉＴａ
Ｏ3 を使用した場合に適用されるものであり、圧電基板
としてＬｉＮｂＯ3 を使用した場合には不要のステップ
である（つまりステップＳＴ２から次のステップＳＴ４
に進む）。
【００２２】最後に、ステップＳＴ４では、ステップＳ
Ｔ３（又はステップＳＴ２）で形成された圧電デバイス
を保護するためにセラミック等のキャップで封止する。
これによって、図１に示したような製品（圧電デバイ
ス）が完成する。
Ｔ３（又はステップＳＴ２）で形成された圧電デバイス
を保護するためにセラミック等のキャップで封止する。
これによって、図１に示したような製品（圧電デバイ
ス）が完成する。
【００２３】＜本発明の第１実施例＞この第１実施例で
は、図２のフローチャートにおいてで示す段階、すな
わち切削処理により圧電基板から切り出されたストリッ
プ状の振動素子１を絶縁基板４上に搭載する前の段階に
おいて、スプレー又は浸漬により、振動素子それ自体に
界面活性剤を塗布する。
は、図２のフローチャートにおいてで示す段階、すな
わち切削処理により圧電基板から切り出されたストリッ
プ状の振動素子１を絶縁基板４上に搭載する前の段階に
おいて、スプレー又は浸漬により、振動素子それ自体に
界面活性剤を塗布する。
【００２４】図３には、この第１実施例による製造方法
に基づいて作製された圧電デバイスの断面構造が示され
る。ただし、デバイス保護用のキャップは図示を省略し
ている。図３において、参照番号１０で示される部分が
界面活性剤の膜である。なお、界面活性剤としては高分
子材料（例えば、図６に構造式の形態で示される静電防
止剤）を使用し、その諸条件は以下の通りである。
に基づいて作製された圧電デバイスの断面構造が示され
る。ただし、デバイス保護用のキャップは図示を省略し
ている。図３において、参照番号１０で示される部分が
界面活性剤の膜である。なお、界面活性剤としては高分
子材料（例えば、図６に構造式の形態で示される静電防
止剤）を使用し、その諸条件は以下の通りである。
【００２５】・絶縁抵抗：１〔ＭΩ〕以上………この値
は試験規格から決定された。 ・分子量：５０〜３００……………実験に使用したいく
つかの材料より、この程度の値が適当であった。因み
に、図６に示す静電防止剤の分子量は１３２である。 ・膜厚：０．１〜１０〔μｍ〕……実験を通して、これ
以下の値では共振抵抗変動の抑制効果が十分に得られ
ず、これ以上の値では圧電デバイスとしての諸特性が劣
化してしまうため、この程度の値が適当であった。
は試験規格から決定された。 ・分子量：５０〜３００……………実験に使用したいく
つかの材料より、この程度の値が適当であった。因み
に、図６に示す静電防止剤の分子量は１３２である。 ・膜厚：０．１〜１０〔μｍ〕……実験を通して、これ
以下の値では共振抵抗変動の抑制効果が十分に得られ
ず、これ以上の値では圧電デバイスとしての諸特性が劣
化してしまうため、この程度の値が適当であった。
【００２６】この第１実施例によれば、振動素子１の周
りに形成された界面活性剤の膜１０により、マイクロク
ラック等に起因する所望としない振動の発生を抑制し、
これによって、励振レベルの変化に依存した共振抵抗す
なわち損失レベルの変動を効果的に抑制することができ
る。特に低電圧駆動の場合には、発振不良や発振周波数
の変化等が起こり易いが、界面活性剤の膜１０の作用に
より、かかる問題点は解消することができる。
りに形成された界面活性剤の膜１０により、マイクロク
ラック等に起因する所望としない振動の発生を抑制し、
これによって、励振レベルの変化に依存した共振抵抗す
なわち損失レベルの変動を効果的に抑制することができ
る。特に低電圧駆動の場合には、発振不良や発振周波数
の変化等が起こり易いが、界面活性剤の膜１０の作用に
より、かかる問題点は解消することができる。
【００２７】また、振動素子１を絶縁基板４上に搭載す
る前に振動素子それ自体に界面活性剤を塗布するように
しているので、振動素子１が搭載される絶縁基板４の表
面には界面活性剤が付着しない。そのため、最終段階で
のキャップ８によるデバイス封止時に、デバイス封止用
の接着剤と界面活性剤が反応してガスを発生したり、或
いはガスに起因する気泡等を発生したりすることもない
ので、封入されているデバイスに悪影響を及ぼす可能性
を排除できるといった利点がある。
る前に振動素子それ自体に界面活性剤を塗布するように
しているので、振動素子１が搭載される絶縁基板４の表
面には界面活性剤が付着しない。そのため、最終段階で
のキャップ８によるデバイス封止時に、デバイス封止用
の接着剤と界面活性剤が反応してガスを発生したり、或
いはガスに起因する気泡等を発生したりすることもない
ので、封入されているデバイスに悪影響を及ぼす可能性
を排除できるといった利点がある。
【００２８】＜本発明の第２実施例＞この第２実施例で
は、図２のフローチャートにおいてで示す段階、すな
わちストリップ状の振動素子１を絶縁基板４上に搭載し
て実質的な圧電デバイスを形成した後の段階において、
スプレー又は浸漬により、振動素子１を含めた絶縁基板
４全体に界面活性剤を塗布する。
は、図２のフローチャートにおいてで示す段階、すな
わちストリップ状の振動素子１を絶縁基板４上に搭載し
て実質的な圧電デバイスを形成した後の段階において、
スプレー又は浸漬により、振動素子１を含めた絶縁基板
４全体に界面活性剤を塗布する。
【００２９】図４には、この第１実施例による製造方法
に基づいて作製された圧電デバイスの断面構造が示され
る。ただし、デバイス保護用のキャップは図示を省略し
ている。図４において、参照番号１１で示される部分が
界面活性剤の膜である。なお、界面活性剤に関する諸条
件は上記第１実施例と同様である。この第２実施例によ
れば、振動素子１を含めた絶縁基板４全体に界面活性剤
の膜１１が形成されているので、第１実施例と同様に、
マイクロクラック等に起因する所望としない振動の発生
を抑制し、励振レベルの変化に依存した共振抵抗すなわ
ち損失レベルの変動を効果的に抑制することができる。
に基づいて作製された圧電デバイスの断面構造が示され
る。ただし、デバイス保護用のキャップは図示を省略し
ている。図４において、参照番号１１で示される部分が
界面活性剤の膜である。なお、界面活性剤に関する諸条
件は上記第１実施例と同様である。この第２実施例によ
れば、振動素子１を含めた絶縁基板４全体に界面活性剤
の膜１１が形成されているので、第１実施例と同様に、
マイクロクラック等に起因する所望としない振動の発生
を抑制し、励振レベルの変化に依存した共振抵抗すなわ
ち損失レベルの変動を効果的に抑制することができる。
【００３０】＜本発明の第３実施例＞この第３実施例で
は、図２のフローチャートにおいてで示す段階、すな
わちウエハ（圧電基板）を切削処理して素子分割を行い
ストリップ状の振動素子１を形成する段階において、切
削溶液中に界面活性剤を混合することで切削処理と同時
に振動素子それ自体に界面活性剤を塗布する。
は、図２のフローチャートにおいてで示す段階、すな
わちウエハ（圧電基板）を切削処理して素子分割を行い
ストリップ状の振動素子１を形成する段階において、切
削溶液中に界面活性剤を混合することで切削処理と同時
に振動素子それ自体に界面活性剤を塗布する。
【００３１】なお、この第３実施例による製造方法に基
づいて作製された圧電デバイスの断面構造は、図３に示
す第１実施例の場合と同様である。また、界面活性剤に
関する諸条件は上記第１実施例と同様である。この第３
実施例によれば、第１実施例と同様、振動素子１の周り
に形成された界面活性剤の膜により、マイクロクラック
等に起因する所望としない振動の発生を抑制し、励振レ
ベルの変化に依存した共振抵抗すなわち損失レベルの変
動を効果的に抑制することができる。
づいて作製された圧電デバイスの断面構造は、図３に示
す第１実施例の場合と同様である。また、界面活性剤に
関する諸条件は上記第１実施例と同様である。この第３
実施例によれば、第１実施例と同様、振動素子１の周り
に形成された界面活性剤の膜により、マイクロクラック
等に起因する所望としない振動の発生を抑制し、励振レ
ベルの変化に依存した共振抵抗すなわち損失レベルの変
動を効果的に抑制することができる。
【００３２】また、ウエハ（圧電基板）から各振動素子
毎に切削処理を行う際に、同時に、振動素子それ自体に
界面活性剤を塗布するようにしているので、図２に示す
一般的な製造工程と同じ数の工程数で、つまり、第１実
施例ののように追加的な工程を含むことなく、所期の
効果を奏することができる。
毎に切削処理を行う際に、同時に、振動素子それ自体に
界面活性剤を塗布するようにしているので、図２に示す
一般的な製造工程と同じ数の工程数で、つまり、第１実
施例ののように追加的な工程を含むことなく、所期の
効果を奏することができる。
【００３３】＜本発明の第４実施例＞この第４実施例で
は、図２のフローチャートにおいてで示す段階、すな
わちレーザ等を用いたトリミング処理により圧電デバイ
スの周波数調整を行った後の段階において、スプレー又
は浸漬により、振動素子１を含めた絶縁基板４全体に界
面活性剤を塗布する。
は、図２のフローチャートにおいてで示す段階、すな
わちレーザ等を用いたトリミング処理により圧電デバイ
スの周波数調整を行った後の段階において、スプレー又
は浸漬により、振動素子１を含めた絶縁基板４全体に界
面活性剤を塗布する。
【００３４】この場合、界面活性剤塗布により多少周波
数が低めにシフトするため、トリミング処理による圧電
デバイスの周波数調整の際には高めに周波数を設定して
おく必要がある。なお、この第４実施例による製造方法
に基づいて作製された圧電デバイスの断面構造は、図４
に示す第２実施例の場合と同様である。
数が低めにシフトするため、トリミング処理による圧電
デバイスの周波数調整の際には高めに周波数を設定して
おく必要がある。なお、この第４実施例による製造方法
に基づいて作製された圧電デバイスの断面構造は、図４
に示す第２実施例の場合と同様である。
【００３５】また、界面活性剤に関する諸条件は上記第
１実施例と同様である。この第４実施例によれば、第２
実施例と同様、振動素子１を含めた絶縁基板４全体に界
面活性剤の膜が形成されているので、マイクロクラック
等に起因する所望としない振動の発生を抑制し、励振レ
ベルの変化に依存した共振抵抗すなわち損失レベルの変
動を効果的に抑制することができる。
１実施例と同様である。この第４実施例によれば、第２
実施例と同様、振動素子１を含めた絶縁基板４全体に界
面活性剤の膜が形成されているので、マイクロクラック
等に起因する所望としない振動の発生を抑制し、励振レ
ベルの変化に依存した共振抵抗すなわち損失レベルの変
動を効果的に抑制することができる。
【００３６】以上説明した第１〜第４の各実施例に係る
製造方法により作製された圧電デバイスは、出荷に先立
ち、以下の試験を行うことで「良品」又は「不良品」の
選別が行われる。
製造方法により作製された圧電デバイスは、出荷に先立
ち、以下の試験を行うことで「良品」又は「不良品」の
選別が行われる。
【００３７】＜試験方法の一例＞ −４０ｄＢｍ〜０ｄＢｍのレベル範囲において、５
ｄＢｍ毎に励振レベルを変えていきながらその都度、各
々の励振レベル（つまり、−４０ｄＢｍ，−３５ｄＢ
ｍ，−３０ｄＢｍ，………，−５ｄＢｍ，０ｄＢｍ）で
圧電デバイスを駆動した時の該デバイスの共振抵抗（損
失レベル）をそれぞれ測定する。
ｄＢｍ毎に励振レベルを変えていきながらその都度、各
々の励振レベル（つまり、−４０ｄＢｍ，−３５ｄＢ
ｍ，−３０ｄＢｍ，………，−５ｄＢｍ，０ｄＢｍ）で
圧電デバイスを駆動した時の該デバイスの共振抵抗（損
失レベル）をそれぞれ測定する。
【００３８】 上記測定された値のうち最大値と最小
値の差、すなわち最大損失レベル変動量（ΔＲｓ）を求
める。 この求めた最大損失レベル変動量（ΔＲｓ）が１ｄ
Ｂｍ以内にあるか否かを判定し、この判定結果に基づい
て当該デバイスの良／不良の選別を行う。図５には、本
発明の各実施例に係る製造方法により作製された圧電デ
バイスの特性が従来品の場合と対比して示されている。
値の差、すなわち最大損失レベル変動量（ΔＲｓ）を求
める。 この求めた最大損失レベル変動量（ΔＲｓ）が１ｄ
Ｂｍ以内にあるか否かを判定し、この判定結果に基づい
て当該デバイスの良／不良の選別を行う。図５には、本
発明の各実施例に係る製造方法により作製された圧電デ
バイスの特性が従来品の場合と対比して示されている。
【００３９】図示の特性曲線は、圧電デバイスの励振レ
ベルに依存した共振抵抗（損失レベル）の変動量ΔＲｓ
の正規分布を表したものである。従来品に比べて本発明
の適用品の方が、正規分布の広い範囲に亘って損失レベ
ル変動量ΔＲｓが小さく抑制されている（つまり安定し
た動作を行う）ことが分かるであろう。なお、図６には
本発明の各実施例で界面活性剤として用いた静電防止剤
の主成分の構造式が示される。
ベルに依存した共振抵抗（損失レベル）の変動量ΔＲｓ
の正規分布を表したものである。従来品に比べて本発明
の適用品の方が、正規分布の広い範囲に亘って損失レベ
ル変動量ΔＲｓが小さく抑制されている（つまり安定し
た動作を行う）ことが分かるであろう。なお、図６には
本発明の各実施例で界面活性剤として用いた静電防止剤
の主成分の構造式が示される。
【００４０】以上、本発明に係る製造方法を４つの実施
例について説明したが、本発明の実施形態はこれらの実
施例に限定されない。例えば、上述した実施例では界面
活性剤として静電防止剤を使用した例について説明した
が、振動素子の端部に発生したマイクロクラックの振動
を機械的に抑制することが出来れば、界面活性剤の形態
は上述したものに限定されないことは当業者には明らか
であろう。
例について説明したが、本発明の実施形態はこれらの実
施例に限定されない。例えば、上述した実施例では界面
活性剤として静電防止剤を使用した例について説明した
が、振動素子の端部に発生したマイクロクラックの振動
を機械的に抑制することが出来れば、界面活性剤の形態
は上述したものに限定されないことは当業者には明らか
であろう。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、圧
電デバイス等の直列共振デバイスを構成する振動素子の
周りに界面活性剤の膜を形成することにより、マイクロ
クラック等に起因する所望としない振動の発生を抑え、
ひいては励振レベルに依存した共振抵抗（損失レベル）
の変動を効果的に抑制することができる。これは、特に
低電圧動作時において、発振不良や発振周波数の変化等
の発生を防止するのに大いに寄与し、またデバイスの安
定動作に寄与するものである。また同時に、デバイスを
試験するに際して工数の低減と歩留りの向上を図ること
ができる。
電デバイス等の直列共振デバイスを構成する振動素子の
周りに界面活性剤の膜を形成することにより、マイクロ
クラック等に起因する所望としない振動の発生を抑え、
ひいては励振レベルに依存した共振抵抗（損失レベル）
の変動を効果的に抑制することができる。これは、特に
低電圧動作時において、発振不良や発振周波数の変化等
の発生を防止するのに大いに寄与し、またデバイスの安
定動作に寄与するものである。また同時に、デバイスを
試験するに際して工数の低減と歩留りの向上を図ること
ができる。
【図１】本発明の一実施例に係る圧電デバイスの基本構
造を一部切り欠いて示した斜視図である。
造を一部切り欠いて示した斜視図である。
【図２】圧電デバイスの一般的な製造工程を概略的に示
したフローチャートである。
したフローチャートである。
【図３】本発明の第１実施例による製造方法の説明図で
ある。
ある。
【図４】本発明の第２実施例による製造方法の説明図で
ある。
ある。
【図５】本発明を用いて製造された圧電デバイスの特性
を従来品の場合と対比させて示した図である。
を従来品の場合と対比させて示した図である。
【図６】本発明の各実施例で界面活性剤として用いた静
電防止剤の主成分の構造式を示す図である。
電防止剤の主成分の構造式を示す図である。
【図７】従来形における圧電デバイスの励振レベル変化
に対する損失レベル変動を示した特性図である。
に対する損失レベル変動を示した特性図である。
【図８】振動素子にマイクロクラックが発生した様子を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
１…ストリップ状の振動素子 ２…圧電基板 ３ａ，３ｂ…駆動電極 ４…（振動素子を搭載する）絶縁基板 ５ａ，５ｂ…端子電極 ６ａ，６ｂ…導電性接着剤（銀ペースト） ８…保護用キャップ １０，１１…界面活性剤（の形成膜）
Claims (10)
- 【請求項１】 圧電基板（２）の対向主面に駆動電極
（３ａ，３ｂ）を形成したストリップ状の振動素子
（１）が絶縁基板（４）に搭載され、該絶縁基板上に形
成され且つ前記駆動電極に電気的に接続された端子電極
（５ａ，５ｂ）に駆動信号を印加することで直列共振を
生じさせるようにしたデバイスにおいて、 前記振動素子の少なくとも長手方向の側面部分に界面活
性剤（１０，１１）を塗布したことを特徴とする直列共
振デバイス。 - 【請求項２】 前記圧電基板は、ニオブ酸リチウム又は
タンタル酸リチウムの単結晶より切り出したものである
ことを特徴とする請求項１に記載の直列共振デバイス。 - 【請求項３】 前記界面活性剤は、絶縁抵抗が１ＭΩ以
上の高分子材料であることを特徴とする請求項１に記載
の直列共振デバイス。 - 【請求項４】 前記界面活性剤は、分子量が５０〜３０
０の高分子材料であることを特徴とする請求項１に記載
の直列共振デバイス。 - 【請求項５】 前記界面活性剤の塗布による形成膜厚は
０．１μｍ〜１０μｍであることを特徴とする請求項４
に記載の直列共振デバイス。 - 【請求項６】 対向主面に予め駆動電極が形成されてい
る圧電基板を切削処理して直列共振デバイスの振動素子
毎に分割する第１の段階（ＳＴ１）と、 駆動信号を印加するための端子電極を絶縁基板上に形成
し、次いで前記駆動電極が前記端子電極に電気的に接続
されるようにして前記振動素子を前記絶縁基板上に搭載
する第２の段階（ＳＴ２）と、 前記絶縁基板上に搭載された前記振動素子を保護用のキ
ャップで封止する第３の段階（ＳＴ４）とを具備し、 前記第１の段階を実行した後で前記第２の段階を実行す
る前の段階において、スプレー又は浸漬により、前記振
動素子それ自体に界面活性剤を塗布することを特徴とす
る直列共振デバイスの製造方法。 - 【請求項７】 対向主面に予め駆動電極が形成されてい
る圧電基板を切削処理して直列共振デバイスの振動素子
毎に分割する第１の段階（ＳＴ１）と、 駆動信号を印加するための端子電極を絶縁基板上に形成
し、次いで前記駆動電極が前記端子電極に電気的に接続
されるようにして前記振動素子を前記絶縁基板上に搭載
する第２の段階（ＳＴ２）と、 前記絶縁基板上に搭載された前記振動素子を保護用のキ
ャップで封止する第３の段階（ＳＴ４）とを具備し、 前記第２の段階を実行した後で前記第３の段階を実行す
る前の段階において、スプレー又は浸漬により、前記振
動素子を含めた前記絶縁基板全体に界面活性剤を塗布す
ることを特徴とする直列共振デバイスの製造方法。 - 【請求項８】 対向主面に予め駆動電極が形成されてい
る圧電基板を切削溶液中に浸して切削処理を行い、直列
共振デバイスの振動素子毎に分割する第１の段階（ＳＴ
１）と、 駆動信号を印加するための端子電極を絶縁基板上に形成
し、次いで前記駆動電極が前記端子電極に電気的に接続
されるようにして前記振動素子を前記絶縁基板上に搭載
する第２の段階（ＳＴ２）と、 前記絶縁基板上に搭載された前記振動素子を保護用のキ
ャップで封止する第３の段階（ＳＴ４）とを具備し、 前記第１の段階において、前記切削溶液中に界面活性剤
を混合することで切削処理と同時に振動素子それ自体に
界面活性剤を塗布することを特徴とする直列共振デバイ
スの製造方法。 - 【請求項９】 対向主面に予め駆動電極が形成されてい
る圧電基板を切削処理して直列共振デバイスの振動素子
毎に分割する第１の段階（ＳＴ１）と、 駆動信号を印加するための端子電極を絶縁基板上に形成
し、次いで前記駆動電極が前記端子電極に電気的に接続
されるようにして前記振動素子を前記絶縁基板上に搭載
する第２の段階（ＳＴ２）と、 レーザ等を用いて前記振動素子の駆動電極の一部をトリ
ミング処理することで直列共振デバイスの周波数調整を
行う第３の段階（ＳＴ３）と、 前記周波数調整が行われたデバイスを保護用のキャップ
で封止する第４の段階（ＳＴ４）とを具備し、 前記第３の段階を実行した後で前記第４の段階を実行す
る前の段階において、スプレー又は浸漬により、前記振
動素子を含めた前記絶縁基板全体に界面活性剤を塗布す
ることを特徴とする直列共振デバイスの製造方法。 - 【請求項１０】 請求項１から５のいずれか一項に記載
の直列共振デバイス又は請求項６から９のいずれか一項
に記載の製造方法により製造された直列共振デバイスを
試験する方法であって、 予め決められたレベル範囲において特定の周波数で任意
のレベル差毎に励振レベルを変えていきながらその都
度、各々の励振レベルで前記直列共振デバイスを駆動し
た時の該デバイスの共振抵抗に応じた損失レベルをそれ
ぞれ測定し、これら測定された値のうち最大値と最小値
の差を求め、この求めた損失レベル差（ΔＲｓ）が所定
の許容レベル範囲内にあるか否かを判定し、この判定結
果に基づいて当該デバイスの良／不良の選別を行うこと
を特徴とする直列共振デバイスの試験方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6135788A JPH088682A (ja) | 1994-06-17 | 1994-06-17 | 直列共振デバイス及びその製造方法と試験方法 |
| US08/869,222 US5828159A (en) | 1994-06-17 | 1997-06-04 | Resonator device adapted for suppression of fluctuation in resonant resistance, and method of producing same |
| US09/023,091 US6141844A (en) | 1994-06-17 | 1998-02-13 | Method of manufacturing a resonator device adapted for suppression of fluctuation in resonant resistance |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6135788A JPH088682A (ja) | 1994-06-17 | 1994-06-17 | 直列共振デバイス及びその製造方法と試験方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH088682A true JPH088682A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15159857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6135788A Withdrawn JPH088682A (ja) | 1994-06-17 | 1994-06-17 | 直列共振デバイス及びその製造方法と試験方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5828159A (ja) |
| JP (1) | JPH088682A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1078405C (zh) * | 1996-07-18 | 2002-01-23 | 株式会社村田制作所 | 压电谐振器以及使用它的电子元件 |
| JP2006311110A (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Fujitsu Media Device Kk | 圧電振動子及びその製造方法 |
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| US6033852A (en) * | 1996-09-27 | 2000-03-07 | University Of Maine | Monolithic piezoelectric sensor (MPS) for sensing chemical, biochemical and physical measurands |
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| JP3438709B2 (ja) * | 2000-08-31 | 2003-08-18 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電デバイス及びその製造方法と圧電発振器の製造方法 |
| JP2002261577A (ja) * | 2001-03-02 | 2002-09-13 | Seiko Epson Corp | 振動片、振動子、発振器及び携帯用電話装置 |
| JP4244865B2 (ja) * | 2004-06-03 | 2009-03-25 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電発振器および電子機器 |
| US7259499B2 (en) | 2004-12-23 | 2007-08-21 | Askew Andy R | Piezoelectric bimorph actuator and method of manufacturing thereof |
| JP4930569B2 (ja) * | 2009-10-14 | 2012-05-16 | 株式会社村田製作所 | 磁気ヘッド駆動用圧電セラミックアクチュエータ |
| CN111211218A (zh) | 2020-03-25 | 2020-05-29 | 麒盛科技股份有限公司 | 一种非接触式人体睡眠生理参数检测传感器换能单元 |
Family Cites Families (13)
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