JPH0887032A - 多結晶Ｓｉ薄膜トランジスター型ＬＣＤ基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】縮み量が１０ｐｐｍ以下である多結晶Ｓｉ薄膜
トランジスター型ＬＣＤ基板及び精製した四塩化珪素等
の珪素化合物を酸水素炎中で加水分解させシリカ多孔質
体を形成させ、次いで水素含有雰囲気下で加熱処理する
ことにより脱ＯＨ基した後、更に高温雰囲気下で加熱す
ることにより透明ガラス化して得られる石英ガラスをス
ライス及び研磨することを特徴とする多結晶Ｓｉ薄膜ト
ランジスター型ＬＣＤ基板の製造方法。 【効果】本発明の多結晶Ｓｉ薄膜トランジスター型ＬＣ
Ｄ基板は、極めて高純度で、１０００℃以上の高温処理
でも反りの少ない高耐熱性を有し、更に、高温処理後の
ガラス基板の縮みの少なく、合成石英ガラスとしては今
までにない優れた特性を有する多結晶ＳｉＴＦＴ型ＬＣ
Ｄ用石英ガラス基板である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶ディスプレイ（Ｌ
ＣＤ）用石英ガラス基板に関するものであり、特に、多
結晶Ｓｉ薄膜トランジスター（ＴＦＴ）型ＬＣＤ基板及
びその製造方法に関するものである。

【０００２】近年、アクティブマトリックス駆動方式と
してアモルファスＳｉＴＦＴ型、多結晶ＳｉＴＦＴ型、
ＭＩＭダイオード型の方式が採用され、その表示性能も
ＣＲＴと遜色ないものが得られてきている。この内、多
結晶ＳｉＴＦＴ型ＬＣＤの場合、基板上に液晶駆動ドラ
イバーが内蔵でき、また、ＬＳＩ製造ラインを大幅に変
更することなく使用することができるためＴＦＴの信頼
性も非常に高く、高密度化、高品質が可能である特色を
もつため、現在、ビデオ・カメラ用ビューファインダー
や液晶プロジェクター用小型ＬＣＤ等に採用されてい
る。

【０００３】

【従来の技術】この多結晶ＳｉＴＦＴ型ＬＣＤの基板に
使用されるガラス基板としては、１０００℃以上の半導
体製造プロセスが必要になるため、通常石英ガラス製の
ものが採用されている。この石英ガラス基板に対して
は、以下の特性、品質が要求されている。

【０００４】 高純度であること。

【０００５】ＴＦＴ型の場合、そのガラス基板上に半導
体を形成しているために、ハロゲン不純物や金属不純
物、特に、アルカリ成分の存在により、その電気特性及
び応答速度が著しく低下する恐れがある。このため、ガ
ラス基板として使用されるためには石英ガラス中に含ま
れる不純物を極力抑えること、例えば、金属不純物量を
５０ｐｐｂ以下にすることが要求されている。

【０００６】 処理温度での熱による反りに耐え得る
耐熱性を有すること。

【０００７】多結晶ＳｉＴＦＴを製造する場合、ガラス
基板上への半導体製造プロセスの際に１０００℃以上の
温度での処理が必要となるため、処理後のガラス基板に
反りが生じる恐れがある。ここでいう反りとは、基板上
に生じた１〜２回程度のうねりを指し、この反りがある
とＬＣＤ製造工程中でのガラス基板を搬送する際に不都
合が生じたり、また、ＴＦＴを形成する際のフォトリソ
グラフ工程での微細なパターンにズレが生じたりする。
従って、高耐熱性を有するガラス基板が要求されてお
り、その保持方法、基板の厚み等にも影響されるが、例
えば、高温処理後のガラス基板の反り量が３０μｍ程度
以下、好ましくは２０μｍ以下のものが要求されてい
る。

【０００８】 熱変形、特に熱収縮が極力抑えられて
いること。

【０００９】前記高温下での熱処理によりガラス基板が
縮んでしまうという問題が生じている。このガラス基板
の縮みについては、非晶質のガラスの場合、結晶質のも
のとは異なり、高温状態に再加熱されると、その温度で
の平衡状態（例えば石英ガラスの場合、ＳｉＯ₄四面体
構造のつながり方がより安定な角度、間隔）をとろうと
し、この時に収縮が生じると考えられる。このような熱
収縮が発生すると、ＴＦＴを形成する際のフォトリソグ
ラフ工程での微細なパターンにズレが生じてしまう。こ
のため、ガラス基板での縮み量が１０ｐｐｍ以下のもの
が要求されている。また、各ガラス基板間での熱収縮の
バラツキをも極力抑える必要がある。

【００１０】従来、この石英ガラス基板としては、溶融
天然石英ガラス製のものが使用されていた。この溶融天
然石英ガラスは、原料として天然の水晶粉を用い、酸水
素炎バーナ中で加熱溶融し堆積されたものであるが、こ
の溶融天然石英ガラスの場合、例えば、ガラス基板にし
た際の高温処理後の反り量が３０〜５０μｍ程度の比較
的高い耐熱性を有するものの、原料として天然の水晶を
使用しているため、アルカリ金属不純物やＦｅ、Ａｌ等
の金属不純物の混入が避けられず、半導体の電気特性等
著しく低下する問題を持っていた。

【００１１】このため、最近では、合成石英ガラス製に
転換されてきている。この合成石英ガラスの製造方法と
しては、四塩化珪素等の珪素化合物を酸水素炎中で加水
分解させ、得られたシリカ粉をターゲットに堆積、軸方
向に成長させることにより得られるシリカ多孔質体を加
熱溶融して石英ガラスを得るＶＡＤ法、更には、アルキ
ルシリケートの加水分解により得られるシリカ粉を成形
した後、焼結して石英ガラスを得るゾル−ゲル法等が挙
げられる。

【００１２】このような合成石英ガラスでは、極めて高
純度なものが得られるものの、耐熱性に関しては充分満
足のいくものではなく、例えば、ガラス基板にした際の
高温処理後の反り量が７０〜１５０μｍ程度であった。
また、基板の縮みについても、前記溶融天然石英ガラス
の場合で５〜８ｐｐｍ程度であったものが、合成石英ガ
ラスの場合では、１５ｐｐｍ以上であった。

【００１３】そこで、最近では、耐熱性を向上させるた
めに、Ａｌをドープしたものが提案されている（特開平
３−１９３６３７）が、本来純粋な石英ガラス中にあえ
て金属不純物を添加することは、工程を複雑にするばか
りでなく、この金属不純物による影響が生じる恐れもあ
り好ましくない。また、耐熱性の向上の為、従来ＯＨ基
濃度が１００〜２００ｐｐｍ程度のものを、シリカ多孔
質体の仮焼処理や真空加熱処理の条件変更により１００
ｐｐｍ以下、更には、５０ｐｐｍ程度まで低下させたも
のも提案されているが、耐熱性については例えばガラス
基板にした際の高温処理後の反り量が前記溶融天然石英
ガラス程度までは向上するものの、基板の縮みの改善ま
でには至っていない。

【００１４】最近、ハロゲン含有量が１０ｐｐｍ以下、
ＯＨ含有量が１００ｐｐｍ以下、重金属およびアルカリ
の含有量の総計が１ｐｐｍ以下であって、徐冷点が１１
５０℃以上であるポリシリコンＴＦＴ式ＬＣＤ基板が提
案されている（特開平５−１３９７７５）。この中で、
ガラス形成原料を加熱加水分解して得られる石英ガラス
微粒子を基材に堆積・成長させた多孔質石英ガラス体を
透明ガラス化する温度以下の温度域で水蒸気分圧の低い
雰囲気中に一定時間加熱保持した後、透明ガラス化する
方法が開示されている。この特許では、屈折率分布及び
透過率の変化は評価しているが、基板の反り量や縮み量
についての評価は全く実施されていない。

【００１５】別に、ＯＨ含有量が５０ｐｐｍ以下、塩素
を含有せず、しかも金属不純物含有量が１ｐｐｍ以下で
ある薄膜トランジスター用石英ガラス基板が提案されて
いる（特開平６−０６７１９８）。この中では、基板の
反り量については評価しているが、基板の縮み量につい
ての評価は全く実施されていない。又、その基板の製造
方法において、多孔質石英ガラス体の嵩密度が０．４０
ｇ／ｃｍ³以上にするべきことは記載されているが、そ
の加熱処理後の嵩密度に関しては、何の記載もなされて
いない。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、多結
晶ＳｉＴＦＴ型ＬＣＤ用ガラス基板に関して要求されて
いる前記特性・品質を満足させる石英ガラス基板を提供
することであり、即ち、高純度で、１１００℃以上の高
温処理でも反りの少ない高耐熱性を有し、更に、高温処
理後のガラス基板の縮みの少ない、合成石英ガラスとし
ては今までにない優れた特性を有する石英ガラス基板を
提供することである。

【００１７】

【課題を解決するための手段】そこで、上記課題を解決
するために鋭意検討した結果、精製した四塩化珪素等の
珪素化合物を酸水素炎中で加水分解させシリカ多孔質体
を形成させ、次いで水素含有雰囲気下で加熱処理するこ
とにより脱ＯＨ基した後、更に高温雰囲気下で加熱する
ことにより透明ガラス化して得られた石英ガラス素材を
多結晶ＳｉＴＦＴ型ＬＣＤ用ガラス基板として使用する
ことにより、前記課題を解決させ、更に合成石英ガラス
としては今までにない優れた特性を有することを見出し
本発明に至った。以下本発明を詳細に説明する。

【００１８】

【作用】本発明で使用されるシリカ多孔質体は、精製さ
れた四塩化珪素やアルキルシリケートなどの珪素化合物
を原料として、気化した該原料を酸水素火炎中で加水分
解させ、得られたシリカ粉をターゲットに堆積、軸方向
に成長させることにより得られるシリカ多孔質体（いわ
ゆる、ＶＡＤ法により合成されたシリカ多孔質体）を形
成させることにより得られるが、この際、原料（シリカ
源）として使用される四塩化珪素やアルキルシリケート
などの珪素化合物に含有される金属元素、例えば、Ｎ
ａ，Ｌｉ，Ｋなどのアルカリ金属、Ｃａ，Ｍｇなどのア
ルカリ土類金属、Ｆｅ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｃｏ，Ｃ
ｒ，Ｎｉ，Ｔｉなどの遷移金属が、それぞれ、５０ｐｐ
ｂ以下、好ましくは２０ｐｐｂ以下のものを使用するこ
とが重要なことである。このような純度の四塩化珪素や
アルキルシリケートなどの珪素化合物は、例えば蒸留精
製することにより容易に得ることができる。このような
高純度の原料を使用することにより、金属不純物が５０
ｐｐｂ以下の高純度シリカ多孔質体を得ることができ、
その結果、高純度な石英ガラス素材を得ることができ
る。例えば、前記濃度の原料を使用して前記ＶＡＤ法に
よりシリカ多孔質母材を作成した場合、該原料を気化さ
せる際にさらに精製され、各金属不純物濃度が５０ｐｐ
ｂ以下、さらには１０ｐｐｂ以下の高純度なシリカ多孔
質体を得ることができ、更に得られた石英ガラスは多結
晶ＳｉＴＦＴ型ＬＣＤ用ガラス基板での使用に満足する
純度となる。

【００１９】本発明における石英ガラスは、この様にし
て得られた高純度シリカ多孔質体を水素含有雰囲気下で
加熱処理することにより脱ＯＨ基した後、更に高温雰囲
気下で加熱することにより透明ガラス化させることによ
り得られる。水素によりＯＨ基が低減する機構について
は不明であるが、水素のもつ還元力がＯＨ基の脱離を促
進させているものと推定される。

【００２０】本発明では、前記水素雰囲気中での加熱処
理後のシリカ多孔質体の嵩密度を０．９〜１．９ｇ／ｃ
ｍ³になるように調整することが特に重要である。この
処理後の嵩密度が低過ぎると水素による脱ＯＨ基の効果
が充分得られず、得られたガラスも充分な耐熱性を持た
ない。また、高過ぎるとシリカ多孔質体表面部でガラス
微粒子間の融着が先行して生じてしまうために雰囲気の
ガスがガラス内に閉じ込められてしまい透明なガラスが
得られない。

【００２１】この水素雰囲気下で加熱脱水処理させる際
の温度及び時間は、前記処理後のシリカ多孔質体の嵩密
度が０．９〜１．９ｇ／ｃｍ³の範囲になるように調整
されれば特に限定されないが、焼結速度による生産性か
ら１２００〜１３５０℃、３０分〜１５時間程度が望ま
しい。

【００２２】また、脱ＯＨ基処理させる際の水素濃度
は、低過ぎるとＯＨ基を低減することができなくなるた
め５０〜１００ｖｏｌ％が好ましく、さらに、効率的に
脱水させるためには７５〜１００ｖｏｌ％が好ましい。
このようなガス組成にするためには、Ｈｅ、Ｎ２、Ａｒ
などの不活性ガスと混合し希釈すればよい。また、この
脱ＯＨ基処理させる際の雰囲気中の露点が−８０℃以上
になると、水素の脱水能力が大幅に低下するため、雰囲
気ガスの露点を−８０℃以下にしなければならない。

【００２３】また、酸素が混入すると、爆発の恐れがあ
り、さらに水素の脱ＯＨ基の作用が弱まるために、雰囲
気中に酸素を含まないように充分注意する必要がある。

【００２４】この際、水素含有雰囲気中高温下（１２０
０〜１３５０℃程度）で処理するため、電気炉からの金
属不純物、特にＮａ，Ｋ等のアルカリ金属やあるいは水
素ガスにより還元される恐れのあるＦｅ、Ｃｒ等の汚染
を防止するため、石英ガラス製炉芯管中で行なうことが
好ましい。

【００２５】また、水素含有雰囲気中での加熱処理によ
る効果を径方向および軸方向において均一に行なうた
め、電気炉の均熱長（例えば、温度差が１０℃以内とな
る温度域）が、被処理物の長さよりも長い、均熱加熱方
式の電気炉で行なうことが好ましい。

【００２６】次に、前記水素含有雰囲気中で処理を行っ
たシリカ多孔質体は、引続き、１４５０〜１６００℃、
Ｈｅ雰囲気もしくは真空雰囲気下で加熱処理することに
より、容易に透明なガラスとなる。特に、Ｈｅ雰囲気で
透明ガラス化処理する場合には、電気炉の均熱長（例え
ば、温度差が１０℃以内となる温度域）が、被処理物の
長さよりも短い、ゾーン加熱方式の電気炉で、上部より
引下げながら透明ガラス化を行なう方が残存気泡も少な
くなり好ましい。

【００２７】この様にして得られた石英ガラスインゴッ
トは、そのまま所望の大きさに削り出してスライスする
か、もしくは溶融温度以上、例えば１７００〜２０００
℃程度で所望の形状の鋳型中で溶融させることにより成
型させこれをスライスすることにより、石英ガラス板と
し、粗研磨、精密研磨することにより、石英ガラス基板
とすることができる。

【００２８】以下、この様にして得られた石英ガラス基
板について評価した結果を、実施例にて詳細に説明する
が、本発明は、これらの実施例により何等限定されるも
のでない。

【００２９】

【実施例】下記実施例で行なった石英ガラス基板の評価
は、次の方法による反り量及び縮み量を測定することに
より行なった。

【００３０】＜反り量の評価方法＞得られた石英ガラス
基板を２．５ｍｍのスリットを有する４点支持の縦型ボ
ートに載せ、電気炉中窒素雰囲気下で１１５０℃、３０
分間加熱した後、降温し取り出した。反り量は、触針法
により測定した。

【００３１】＜縮み量の評価方法＞得られた石英ガラス
基板にＨＦエッチングによりパターンをマーキング（基
板中心Ｏ点及びＡ〜Ｄの４点）した後、２．５ｍｍのス
リットを有する横型ボートに載せ、電気炉中窒素雰囲気
下で１１５０℃、１時間加熱した後、降温し取り出し
た。各パターンの位置は光波干渉式座標測定機により中
心Ｏ点を基準とし、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの加熱前後での座標
を測定し、縮み量を求めた。また、縮み量の評価値は、
各点間の平均値を使用した。

【００３２】実施例１ 蒸留精製することにより得られた四塩化珪素（Ｆｅ，Ｃ
ａ：２０ｐｐｂ、その他の金属元素は＜１０ｐｐｂ）を
気化させ、酸水素火炎を形成しているバーナーの中心層
に導入することにより、加水分解させ、シリカ粉をター
ゲット上に付着させ、軸方向に引上げ成長させることに
より、３５０ｍｍφ、嵩密度０．３０ｇ／ｃｍ３のシリ
カ多孔質体を得た。このシリカ多孔質体をフッ酸に溶解
させ、ＩＣＰ−質量分析装置にて金属不純物の濃度を測
定したところ、全ての金属について１０ｐｐｂ以下であ
った。

【００３３】前記した方法により作成された別のシリカ
多孔質体を、石英ガラス製炉芯管を装着した均熱加熱方
式の縦型管状炉内に挿入し、下部ノズルより、１００ｖ
ｏｌ％Ｎ２ガスを流通させ、炉芯管内の酸素濃度を測定
し、Ｎ₂ガスと充分置換していることを確認した。引続
き、露点−９５℃以下７５ｖｏｌ％水素−２５ｖｏｌ％
窒素の混合ガスを流通させ、この電気炉を１３００℃ま
で昇温、１２時間加熱処理した後、冷却した。

【００３４】このシリカ多孔質体を取り出し、嵩密度を
測定したところ１．３０ｇ／ｃｍ³であった。次に、ゾ
ーン加熱方式の縦型管状炉内に挿入した。１００ｖｏｌ
％Ｈｅガスを流通し、温度を１５５０℃まで昇温させ、
上部よりシリカ多孔質体を引下げることにより透明ガラ
ス化し、１６０ｍｍφの透明な石英ガラスインゴットを
得た。この石英ガラスインゴット中の一部を切断し、中
心部でのサンプルについて、赤外吸収スペクトルにより
ＯＨ基濃度を測定したところ、１ｐｐｍであった。

【００３５】この石英ガラスインゴットの表面を研削し
た後、スライス、研磨することにより、１５０ｍｍφ、
厚さ１ｍｍの石英ガラス基板を作成した。得られた石英
ガラス基板より３枚を抜き取り、前記評価を行なった。

【００３６】実施例２ 実施例１と同様にしてシリカ多孔質体を作成し、このシ
リカ多孔質体を露点−９０℃以下水素濃度１００ｖｏｌ
％、１３００℃で１２時間加熱処理した後、取り出し、
嵩密度を測定したところ、１．３５ｇ／ｃｍ³であっ
た。その後、実施例１と同様にして石英ガラスインゴッ
トを作成し、中心部でのサンプルについて、赤外吸収ス
ペクトルによりＯＨ基濃度を測定したところ、＜１ｐｐ
ｍであった。また、残りのガラスインゴットをスライ
ス、研磨して得られた石英ガラス基板についても同様に
評価した。

【００３７】比較例１ 実施例１と同様にしてシリカ多孔質体を作成し、このシ
リカ多孔質体を露点−９０℃以下水素濃度１００ｖｏｌ
％、１３００℃で８時間加熱処理した後、取り出し、嵩
密度を測定したところ、０．８５ｇ／ｃｍ³であった。
その後、実施例１と同様にして石英ガラスインゴットを
作成し、中心部でのサンプルについて、赤外吸収スペク
トルによりＯＨ基濃度を測定したところ、１００ｐｐｍ
であった。また、残りのガラスインゴットをスライス、
研磨して得られた石英ガラス基板についても同様に評価
した。

【００３８】比較例２ 実施例１と同様にしてシリカ多孔質体を作成し、このシ
リカ多孔質体を露点−７５℃水素濃度１００ｖｏｌ％、
１３００℃で１２時間加熱処理した後、取り出し、嵩密
度を測定したところ、１．２５ｇ／ｃｍ³であった。そ
の後、実施例１と同様にして石英ガラスインゴットを作
成し、中心部でのサンプルについて、赤外吸収スペクト
ルによりＯＨ基濃度を測定したところ、４５ｐｐｍであ
った。また、残りのガラスインゴットをスライス、研磨
して得られた石英ガラス基板についても同様に評価し
た。

【００３９】比較例３ 実施例１と同様にしてシリカ多孔質体を作成し、このシ
リカ多孔質体を、水素を含まず、窒素濃度１００ｖｏｌ
％であるガス中で、１３００℃の温度で１２時間加熱処
理した後、取り出し、嵩密度を測定したところ、１．２
０ｇ／ｃｍ³であった。その後、実施例１と同様にして
石英ガラスインゴットを作成し、中心部でのサンプルに
ついて、赤外吸収スペクトルによりＯＨ基濃度を測定し
たところ、７５ｐｐｍであった。また、残りのガラスイ
ンゴットをスライス、研磨して得られた石英ガラス基板
についても同様に評価した。

【００４０】比較例４ 実施例１と同様にしてシリカ多孔質体を作成し、このシ
リカ多孔質体を、水素を含まず、窒素濃度１００ｖｏｌ
％であるガス中で、１３００℃の温度で８時間加熱処理
した後、取り出し、嵩密度を測定したところ、０．８０
ｇ／ｃｍ³であった。その後、実施例１と同様にして石
英ガラスインゴットを作成し、中心部でのサンプルにつ
いて、赤外吸収スペクトルによりＯＨ基濃度を測定した
ところ、１２０ｐｐｍであった。また、残りのガラスイ
ンゴットをスライス、研磨して得られた石英ガラス基板
についても同様に評価した。

【００４１】参考例１ 天然水晶を酸水素炎バーナ中で溶融して得られた石英ガ
ラスインゴットについても同様に不純物量を測定したと
ころ、金属元素については、Ｎａ ０．５ｐｐｍ、Ｋ、
Ｌｉ ０．５ｐｐｍ、Ｆｅ、Ｃａ ０．６ｐｐｍ、Ａｌ
１７ｐｐｍ、Ｍｇ ０．２ｐｐｍ、Ｃｕ ０．０５ｐ
ｐｍであった。また、ガラスインゴットをスライス、研
磨して得られた石英ガラス基板についても同様に評価し
た。

【００４２】実施例１〜２、比較例１〜４及び参考例１
の石英ガラス基板の反り量および縮み量の評価結果を表
１に示した。

【００４３】

【表１】

【００４４】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、精製した四
塩化珪素等の珪素化合物を酸水素炎中で加水分解させシ
リカ多孔質体を形成させ、次いで水素含有雰囲気下で加
熱処理することにより脱ＯＨ基した後、更に高温雰囲気
下で加熱することにより透明ガラス化して得られた石英
ガラス素材を多結晶ＳｉＴＦＴ型ＬＣＤ用ガラス基板と
して使用することにより、極めて高純度で、１０００℃
以上の高温処理でも反りの少ない高耐熱性を有し、更
に、高温処理後のガラス基板の縮みの少なく、合成石英
ガラスとしては今までにない優れた特性を有する石英ガ
ラス基板であり、多結晶ＳｉＴＦＴ型ＬＣＤ用石英ガラ
ス基板に最適な石英ガラス基板を提供するものである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/786

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】縮み量が１０ｐｐｍ以下である多結晶Ｓｉ
   薄膜トランジスター型ＬＣＤ基板。
2. 【請求項２】請求項１に記載の多結晶Ｓｉ薄膜トランジ
   スター型ＬＣＤ基板を製造する方法において、精製した
   四塩化珪素等の珪素化合物を酸水素炎中で加水分解させ
   シリカ多孔質体を形成させ、次いで水素含有雰囲気下で
   加熱処理することにより脱ＯＨ基した後、更に高温雰囲
   気下で加熱することにより透明ガラス化して得られる石
   英ガラスをそのまま、もしくは得られる石英ガラスを溶
   融温度以上で所望の形状に成型した後、スライス及び研
   磨することを特徴とする多結晶Ｓｉ薄膜トランジスター
   型ＬＣＤ基板の製造方法。
3. 【請求項３】請求項２に記載の石英ガラスのＯＨ基濃度
   が１０ｐｐｍ以下であることを特徴とする多結晶Ｓｉ薄
   膜トランジスター型ＬＣＤ基板の製造方法。
4. 【請求項４】請求項２または請求項３のいずれかの多結
   晶Ｓｉ薄膜トランジスター型ＬＣＤ基板の製造方法にお
   いて、水素含有雰囲気下で加熱処理した後のシリカ多孔
   質体の嵩密度が０．９〜１．９ｇ／ｃｍ³に調整するこ
   とを特徴とする請求項２及び請求項３に記載の多結晶Ｓ
   ｉ薄膜トランジスター型ＬＣＤ基板の製造方法。
5. 【請求項５】請求項２〜４のいずれかの多結晶Ｓｉ薄膜
   トランジスター型ＬＣＤ基板の製造方法において、水素
   含有雰囲気として使用される雰囲気ガス中の露点が−８
   ０℃以下であることを特徴とする請求項２〜４に記載の
   多結晶Ｓｉ薄膜トランジスター型ＬＣＤ基板用石英ガラ
   スの製造方法。