JPH0887538A - 半導体集積回路の設計方法 - Google Patents
半導体集積回路の設計方法Info
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- JPH0887538A JPH0887538A JP6223756A JP22375694A JPH0887538A JP H0887538 A JPH0887538 A JP H0887538A JP 6223756 A JP6223756 A JP 6223756A JP 22375694 A JP22375694 A JP 22375694A JP H0887538 A JPH0887538 A JP H0887538A
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- 238000013461 design Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 137
- 238000012938 design process Methods 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 10
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- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
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- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体集積回路の設計時間を短縮することの
できる設計方法を提供する。 【構成】 S31のスキャン用テストセル配置位置確保
処理により、スキャン用テストセル配置領域を用意する
と共に、スキャン制御信号を配線する。次に、S32に
おいて、スキャン用テストセル配置領域以外に一般ロジ
ック部を配置、配線し、S33で実配線長を抽出する。
一方、S21でスキャン用テストセルの置換、挿入位置
を決定後、S22でスキャン用テストセルの論理回路に
おける置換、挿入を行なう。ここまでの処理は、並列的
に、独立して実行可能である。S23では、S33の実
配線長をも用いてスキャン用テストセルを含めた仮想配
線長のタイミングが検証される。S34でスキャン用テ
ストセルが配置、配線される。S35でスキャン順序を
決定し、S24で論理上のスキャンパスを生成し、S3
6で実際にスキャンパスを配線する。
できる設計方法を提供する。 【構成】 S31のスキャン用テストセル配置位置確保
処理により、スキャン用テストセル配置領域を用意する
と共に、スキャン制御信号を配線する。次に、S32に
おいて、スキャン用テストセル配置領域以外に一般ロジ
ック部を配置、配線し、S33で実配線長を抽出する。
一方、S21でスキャン用テストセルの置換、挿入位置
を決定後、S22でスキャン用テストセルの論理回路に
おける置換、挿入を行なう。ここまでの処理は、並列的
に、独立して実行可能である。S23では、S33の実
配線長をも用いてスキャン用テストセルを含めた仮想配
線長のタイミングが検証される。S34でスキャン用テ
ストセルが配置、配線される。S35でスキャン順序を
決定し、S24で論理上のスキャンパスを生成し、S3
6で実際にスキャンパスを配線する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、スキャンパス用テスト
セル方式を使用する半導体集積回路の配置、配線などの
レイアウトの設計方法に関するものである。
セル方式を使用する半導体集積回路の配置、配線などの
レイアウトの設計方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体集積回路のテストを容易化
するため、予めラッチやレジスタなどのテスト用の回路
セルを一般の回路の各所に挿入しておき、製造された半
導体集積回路に対してこのテスト用の回路セルを用いた
スキャンパス方式のテストが行なわれている。このよう
なテスト用の回路セル、すなわち、スキャン用テストセ
ルは、半導体集積回路のレイアウト時に一般の回路とと
もに組み込んでおく必要がある。
するため、予めラッチやレジスタなどのテスト用の回路
セルを一般の回路の各所に挿入しておき、製造された半
導体集積回路に対してこのテスト用の回路セルを用いた
スキャンパス方式のテストが行なわれている。このよう
なテスト用の回路セル、すなわち、スキャン用テストセ
ルは、半導体集積回路のレイアウト時に一般の回路とと
もに組み込んでおく必要がある。
【0003】図8は、従来の半導体集積回路の設計方法
を示すフローチャートである。S1において、半導体集
積回路に集積させる回路の論理設計を行なう。次に、S
2において、スキャン用テストセルの論理設計を行な
う。S3では、S1で設計された論理回路と、S2で設
計されたスキャン用テストセルの論理設計をもとに、こ
れらを物理的に実現するためのレイアウト設計を行な
う。最後に、S4において、S3でレイアウト設計を行
なった後の実配線長を用いて、タイミングの検証等のシ
ミュレーションを行なう。
を示すフローチャートである。S1において、半導体集
積回路に集積させる回路の論理設計を行なう。次に、S
2において、スキャン用テストセルの論理設計を行な
う。S3では、S1で設計された論理回路と、S2で設
計されたスキャン用テストセルの論理設計をもとに、こ
れらを物理的に実現するためのレイアウト設計を行な
う。最後に、S4において、S3でレイアウト設計を行
なった後の実配線長を用いて、タイミングの検証等のシ
ミュレーションを行なう。
【0004】また、S2におけるスキャン用テストセル
の論理設計においては、S21においてスキャン用テス
トセルを一般の論理回路のどの部分を置換、挿入するか
を決定し、S22において実際に論理回路にスキャン用
テストセルを置換、挿入し、S23においてスキャン用
テストセルを置換、挿入した後の仮想配線長を使用して
シミュレーションによってタイミングを検証する。
の論理設計においては、S21においてスキャン用テス
トセルを一般の論理回路のどの部分を置換、挿入するか
を決定し、S22において実際に論理回路にスキャン用
テストセルを置換、挿入し、S23においてスキャン用
テストセルを置換、挿入した後の仮想配線長を使用して
シミュレーションによってタイミングを検証する。
【0005】このような手法では、S1の論理設計から
S4の実配線長シミュレーションまで順次実行しなけれ
ばならないため、設計時間が長くなるという欠点があっ
た。また、実配線長のシミュレーションは、スキャン用
テストセルを含めたすべての回路をレイアウトした後で
なければ行なうことはできず、論理設計段階まで戻って
修正を行なう場合には、必要のない場合であってもスキ
ャン用テストセルの論理設計、レイアウト設計をやり直
すことになり、さらに設計時間が長くなるという問題が
ある。
S4の実配線長シミュレーションまで順次実行しなけれ
ばならないため、設計時間が長くなるという欠点があっ
た。また、実配線長のシミュレーションは、スキャン用
テストセルを含めたすべての回路をレイアウトした後で
なければ行なうことはできず、論理設計段階まで戻って
修正を行なう場合には、必要のない場合であってもスキ
ャン用テストセルの論理設計、レイアウト設計をやり直
すことになり、さらに設計時間が長くなるという問題が
ある。
【0006】従来の半導体集積回路の設計方法として
は、例えば、特開平4−96252号公報に記載されて
いるものがある。この文献中では、スキャンレジスタに
置換しない場合のレイアウトを行ない、そのレイアウト
情報を使用してスキャンレジスタへの置換を行ない、ス
キャンレジスタの接続、すなわち、スキャンチェーンを
決定し、決定されたスキャンチェーンの情報に合わせテ
ストベクタを作成している。このような技術によって、
スキャンレジスタ、スキャンチェーンを自動挿入するこ
とができ、レイアウト設計を容易化することができる。
しかし、図8に示した各ステップを変更するものではな
く、順次実行することによる設計時間の長期化は避けら
れない。
は、例えば、特開平4−96252号公報に記載されて
いるものがある。この文献中では、スキャンレジスタに
置換しない場合のレイアウトを行ない、そのレイアウト
情報を使用してスキャンレジスタへの置換を行ない、ス
キャンレジスタの接続、すなわち、スキャンチェーンを
決定し、決定されたスキャンチェーンの情報に合わせテ
ストベクタを作成している。このような技術によって、
スキャンレジスタ、スキャンチェーンを自動挿入するこ
とができ、レイアウト設計を容易化することができる。
しかし、図8に示した各ステップを変更するものではな
く、順次実行することによる設計時間の長期化は避けら
れない。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した事
情に鑑みてなされたもので、半導体集積回路の設計時間
を短縮することのできる設計方法を提供することを目的
とするものである。
情に鑑みてなされたもので、半導体集積回路の設計時間
を短縮することのできる設計方法を提供することを目的
とするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、スキャンパス
方式により試験を行なうためのテスト回路セルを有する
半導体集積回路の設計方法において、前記テスト回路セ
ルの配置領域を確保し、前記テスト回路セル以外の一般
回路セルの配置を行ない、先に確保したテスト回路セル
の配置領域に前記テスト回路セルを配置し、レイアウト
を決定することを特徴とするものである。
方式により試験を行なうためのテスト回路セルを有する
半導体集積回路の設計方法において、前記テスト回路セ
ルの配置領域を確保し、前記テスト回路セル以外の一般
回路セルの配置を行ない、先に確保したテスト回路セル
の配置領域に前記テスト回路セルを配置し、レイアウト
を決定することを特徴とするものである。
【0009】前記テスト回路セルの配置領域を確保する
際に、該配置領域に配置される前記テスト回路セルを接
続する制御信号線を配線するように構成することもでき
る。
際に、該配置領域に配置される前記テスト回路セルを接
続する制御信号線を配線するように構成することもでき
る。
【0010】
【作用】本発明によれば、一般回路セルのレイアウトを
完了するまではテスト回路セルの論理設計に関する情報
を必要とせずにレイアウト設計を進めることができる。
そのため、テスト回路セルの論理設計とレイアウト設計
を並行して行なうことが可能となる。また、一般回路セ
ルのレイアウトは、テスト回路セルの論理設計とは独立
して行なわれるため、例えば、一般回路セルのレイアウ
ト上のミスが発見されても、テスト回路セルの論理設計
に影響を与えずに修正が可能である。さらに、一般回路
セルのレイアウトが完了した時点で一般回路セルの実配
線長が決定されるので、テスト回路セルの回路配線長の
シミュレーションを行なう際にこれらの情報を用いたテ
ストを行なうことができ、テスト回路セル側の修正を早
期に行なうことができる。
完了するまではテスト回路セルの論理設計に関する情報
を必要とせずにレイアウト設計を進めることができる。
そのため、テスト回路セルの論理設計とレイアウト設計
を並行して行なうことが可能となる。また、一般回路セ
ルのレイアウトは、テスト回路セルの論理設計とは独立
して行なわれるため、例えば、一般回路セルのレイアウ
ト上のミスが発見されても、テスト回路セルの論理設計
に影響を与えずに修正が可能である。さらに、一般回路
セルのレイアウトが完了した時点で一般回路セルの実配
線長が決定されるので、テスト回路セルの回路配線長の
シミュレーションを行なう際にこれらの情報を用いたテ
ストを行なうことができ、テスト回路セル側の修正を早
期に行なうことができる。
【0011】
【実施例】図1は、本発明の半導体集積回路の設計方法
の一実施例を示すフローチャートである。S1では、一
般回路セルの論理回路を決定する論理設計処理が行なわ
れる。S2では、テストを容易化するためのスキャン設
計処理を行なう。S3では、S1で論理設計された一般
回路セルおよびS2でスキャン設計されたスキャン用テ
ストセルを物理的にレイアウトするレイアウト設計処理
が行なわれる。S4では、S3でレイアウト設計を行な
った後の実配線長シミュレーションを行ない、タイミン
グを検証する実配線長シミュレーション処理が行なわれ
る。
の一実施例を示すフローチャートである。S1では、一
般回路セルの論理回路を決定する論理設計処理が行なわ
れる。S2では、テストを容易化するためのスキャン設
計処理を行なう。S3では、S1で論理設計された一般
回路セルおよびS2でスキャン設計されたスキャン用テ
ストセルを物理的にレイアウトするレイアウト設計処理
が行なわれる。S4では、S3でレイアウト設計を行な
った後の実配線長シミュレーションを行ない、タイミン
グを検証する実配線長シミュレーション処理が行なわれ
る。
【0012】S2において行なわれるスキャン設計処理
としては、次の各処理が行なわれる。S21において、
テストセルを論理回路のどの部分と置換、挿入するかを
決定するスキャン用テストセル位置決定処理が行なわれ
る。S22において、論理回路にスキャン用テストセル
を置換、挿入するスキャン用テストセル置換挿入処理が
行なわれる。S23において、スキャン用テストセルを
置換、挿入した後のスキャン部分の仮想配線長と、S3
3で抽出される一般ロジック部分の実配線長を使用して
タイミングを検証する仮想配線長シミュレーション処理
が行なわれる。S24において、S3のレイアウト設計
に合わせたスキャン用テストセルのスキャンパスを作成
するスキャンパス生成処理が行なわれる。
としては、次の各処理が行なわれる。S21において、
テストセルを論理回路のどの部分と置換、挿入するかを
決定するスキャン用テストセル位置決定処理が行なわれ
る。S22において、論理回路にスキャン用テストセル
を置換、挿入するスキャン用テストセル置換挿入処理が
行なわれる。S23において、スキャン用テストセルを
置換、挿入した後のスキャン部分の仮想配線長と、S3
3で抽出される一般ロジック部分の実配線長を使用して
タイミングを検証する仮想配線長シミュレーション処理
が行なわれる。S24において、S3のレイアウト設計
に合わせたスキャン用テストセルのスキャンパスを作成
するスキャンパス生成処理が行なわれる。
【0013】また、S3において行なわれるレイアウト
設計処理としては、次の各処理が行なわれる。S31に
おいて、スキャン用テストセルを配置する領域を確保す
るスキャン用テストセル配置位置確保処理が行なわれ
る。S32において、スキャン用テストセルを除く一般
ロジック部の配置配線を行なう一般ロジック部レイアウ
ト設計処理が行なわれる。S33において、S32の結
果の実配線長を抽出する実配線長抽出処理が行なわれ
る。S34において、S21で決定したスキャン用テス
トセルをS31で確保した位置に配置するスキャン用テ
ストセル配置処理が行なわれる。S35において、テス
トベクタを作成するために必要になるスキャン用テスト
セルのチェーンの順番を決定するための35のスキャン
用テストセル位置抽出処理が行なわれる。S36におい
て、S24で決定したスキャンパスを実現するスキャン
パス配線処理が行なわれる。
設計処理としては、次の各処理が行なわれる。S31に
おいて、スキャン用テストセルを配置する領域を確保す
るスキャン用テストセル配置位置確保処理が行なわれ
る。S32において、スキャン用テストセルを除く一般
ロジック部の配置配線を行なう一般ロジック部レイアウ
ト設計処理が行なわれる。S33において、S32の結
果の実配線長を抽出する実配線長抽出処理が行なわれ
る。S34において、S21で決定したスキャン用テス
トセルをS31で確保した位置に配置するスキャン用テ
ストセル配置処理が行なわれる。S35において、テス
トベクタを作成するために必要になるスキャン用テスト
セルのチェーンの順番を決定するための35のスキャン
用テストセル位置抽出処理が行なわれる。S36におい
て、S24で決定したスキャンパスを実現するスキャン
パス配線処理が行なわれる。
【0014】次に、具体例を用いて本発明の設計方法の
流れを説明する。図2は、本発明の設計方法によるレイ
アウトの一具体例を示す模式図である。図中、41は半
導体集積回路、42はI/O部、T1ないしTnはスキ
ャン用テストセル、TE,SE,TCはスキャン用制御
信号、SI,SOはスキャン信号、DI1ないしDIn
は内部データ観測信号、DO1ないしDOnは内部デー
タ制御信号である。以下の説明では、図2に示すレイア
ウトを得る場合について説明する。
流れを説明する。図2は、本発明の設計方法によるレイ
アウトの一具体例を示す模式図である。図中、41は半
導体集積回路、42はI/O部、T1ないしTnはスキ
ャン用テストセル、TE,SE,TCはスキャン用制御
信号、SI,SOはスキャン信号、DI1ないしDIn
は内部データ観測信号、DO1ないしDOnは内部デー
タ制御信号である。以下の説明では、図2に示すレイア
ウトを得る場合について説明する。
【0015】半導体集積回路41内には、複数のスキャ
ン用テストセルT1〜Tnが配置されている。各スキャ
ン用テストセルT1〜Tnには、スキャン用制御信号T
E,SE,TCが入力されている。スキャン用信号T
E,SEは、各スキャン用テストセルT1〜Tnの動作
モードを設定するための信号であり、スキャン用信号T
Cは、各スキャン用テストセルT1〜Tnが動作するた
めのタイミングを供給するための信号である。スキャン
用信号TE,SE,TCは、半導体集積回路41のI/
O部42を介して外部より与える。
ン用テストセルT1〜Tnが配置されている。各スキャ
ン用テストセルT1〜Tnには、スキャン用制御信号T
E,SE,TCが入力されている。スキャン用信号T
E,SEは、各スキャン用テストセルT1〜Tnの動作
モードを設定するための信号であり、スキャン用信号T
Cは、各スキャン用テストセルT1〜Tnが動作するた
めのタイミングを供給するための信号である。スキャン
用信号TE,SE,TCは、半導体集積回路41のI/
O部42を介して外部より与える。
【0016】スキャン用テストセルT1のスキャン信号
SIの端子には、I/O部42を介して外部からスキャ
ン信号SIが入力される。スキャン用テストセルT2〜
Tnのスキャン信号SIの端子には、別のスキャン用テ
ストセルT1〜Tn−1のスキャン信号SOの端子と接
続され、スキャン用テストセルT1〜Tnはシリアルに
接続されている。そして、スキャン用テストセルTnの
スキャン信号SOの端子からI/O部42を介してスキ
ャン信号SOが外部に出力されている。ここではすべて
のスキャン用テストセルがシリアルに接続されている
が、いくつかのグループごとにシリアルに接続する構成
であってもよい。テストを行なう際には、スキャン信号
SIを外部より与えたり、スキャン信号SOを観測する
ことによって一般ロジック部の動作状態を把握すること
ができ、半導体集積回路41のテストを行なうことがで
きる。
SIの端子には、I/O部42を介して外部からスキャ
ン信号SIが入力される。スキャン用テストセルT2〜
Tnのスキャン信号SIの端子には、別のスキャン用テ
ストセルT1〜Tn−1のスキャン信号SOの端子と接
続され、スキャン用テストセルT1〜Tnはシリアルに
接続されている。そして、スキャン用テストセルTnの
スキャン信号SOの端子からI/O部42を介してスキ
ャン信号SOが外部に出力されている。ここではすべて
のスキャン用テストセルがシリアルに接続されている
が、いくつかのグループごとにシリアルに接続する構成
であってもよい。テストを行なう際には、スキャン信号
SIを外部より与えたり、スキャン信号SOを観測する
ことによって一般ロジック部の動作状態を把握すること
ができ、半導体集積回路41のテストを行なうことがで
きる。
【0017】各スキャン用テストセルT1〜Tnには、
それぞれ、内部データ観測信号DI1〜DInが入力さ
れ、また、内部データ制御信号DO1〜DOnが出力さ
れている。内部データ観測信号DI1〜DInは、一般
の論理回路(一般ロジック部)から出力される信号であ
って、テストの際に観測対象となる信号である。また、
内部データ制御信号DO1〜DOnは一般ロジック部に
入力される信号であって、通常の動作時には内部データ
観測信号DI1〜DInが入力されるべき信号である。
テストの際には、この内部データ制御信号DO1〜DO
nを作成して与えることによって、種々のテストを行な
うことが可能である。内部データ制御信号DO1〜DO
nは、スキャン信号SIによって与えることができ、そ
のときの内部データ観測信号DI1〜DInは、スキャ
ン信号SOを観測することによって得ることができる。
それぞれ、内部データ観測信号DI1〜DInが入力さ
れ、また、内部データ制御信号DO1〜DOnが出力さ
れている。内部データ観測信号DI1〜DInは、一般
の論理回路(一般ロジック部)から出力される信号であ
って、テストの際に観測対象となる信号である。また、
内部データ制御信号DO1〜DOnは一般ロジック部に
入力される信号であって、通常の動作時には内部データ
観測信号DI1〜DInが入力されるべき信号である。
テストの際には、この内部データ制御信号DO1〜DO
nを作成して与えることによって、種々のテストを行な
うことが可能である。内部データ制御信号DO1〜DO
nは、スキャン信号SIによって与えることができ、そ
のときの内部データ観測信号DI1〜DInは、スキャ
ン信号SOを観測することによって得ることができる。
【0018】図3は、スキャン用テストセルへの置換時
のスキャンチェーン回路の一例を示す模式図、図4はス
キャン用テストセルの挿入時のスキャンチェーン回路の
一例を示す模式図である。51ないし53は一般ロジッ
ク部である。スキャン用テストセルは、論理設計によっ
て作成された一般ロジック部内の例えばラッチやレジス
タなどの回路セルを置換して配置する場合と、一般ロジ
ック部外に配置し、一般ロジック部に挿入する場合があ
る。図3では、一般ロジック部51と一般ロジック部5
2の間に設けられていた回路セル、および、一般ロジッ
ク部52と一般ロジック部53の間に設けられていた回
路セルを、スキャン用テストセルT1〜T4に置換した
例を示している。置換されたスキャン用テストセルT1
〜T4は、それぞれ、スキャン信号SI,SOによりシ
リアルに接続されるとともに、スキャン用制御信号T
E,SE,TCが並列的に入力されている。
のスキャンチェーン回路の一例を示す模式図、図4はス
キャン用テストセルの挿入時のスキャンチェーン回路の
一例を示す模式図である。51ないし53は一般ロジッ
ク部である。スキャン用テストセルは、論理設計によっ
て作成された一般ロジック部内の例えばラッチやレジス
タなどの回路セルを置換して配置する場合と、一般ロジ
ック部外に配置し、一般ロジック部に挿入する場合があ
る。図3では、一般ロジック部51と一般ロジック部5
2の間に設けられていた回路セル、および、一般ロジッ
ク部52と一般ロジック部53の間に設けられていた回
路セルを、スキャン用テストセルT1〜T4に置換した
例を示している。置換されたスキャン用テストセルT1
〜T4は、それぞれ、スキャン信号SI,SOによりシ
リアルに接続されるとともに、スキャン用制御信号T
E,SE,TCが並列的に入力されている。
【0019】図4では、一般ロジック部51に対して、
スキャン用テストセルT1〜Tnを用意し、一般ロジッ
ク部51内のn本の信号線に、それぞれ、スキャン用テ
ストセルT1〜Tnを挿入する。すなわち、信号線上の
信号は、スキャン用テストセルに内部データ観測信号D
I1〜DInとして取り出され、スキャン用テストセル
からの内部データ制御信号DO1〜DOnがもとの信号
線上の信号として一般ロジック部51に返される。各ス
キャン用テストセルT1〜Tnは、それぞれ、スキャン
信号SI,SOによりシリアルに接続されるとともに、
スキャン用制御信号TE,SE,TCが入力されてい
る。
スキャン用テストセルT1〜Tnを用意し、一般ロジッ
ク部51内のn本の信号線に、それぞれ、スキャン用テ
ストセルT1〜Tnを挿入する。すなわち、信号線上の
信号は、スキャン用テストセルに内部データ観測信号D
I1〜DInとして取り出され、スキャン用テストセル
からの内部データ制御信号DO1〜DOnがもとの信号
線上の信号として一般ロジック部51に返される。各ス
キャン用テストセルT1〜Tnは、それぞれ、スキャン
信号SI,SOによりシリアルに接続されるとともに、
スキャン用制御信号TE,SE,TCが入力されてい
る。
【0020】図1に示したフローチャートにおいて、ま
ず、S1において、一般ロジック部の回路の論理設計が
行なわれる。そして、一般ロジック部の論理設計情報
は、S2のスキャン設計処理とS3のレイアウト設計処
理で用いられる。S2のスキャン設計処理とS3のレイ
アウト設計処理は、相互に関連しながら並列的に進めら
れる。
ず、S1において、一般ロジック部の回路の論理設計が
行なわれる。そして、一般ロジック部の論理設計情報
は、S2のスキャン設計処理とS3のレイアウト設計処
理で用いられる。S2のスキャン設計処理とS3のレイ
アウト設計処理は、相互に関連しながら並列的に進めら
れる。
【0021】まず、S2のスキャン設計処理では、S2
1のスキャン用テストセル位置決定処理において、スキ
ャン用テストセルを一般ロジック部の論理回路のうち、
どの部分をスキャン用テストセルに置換するか、あるい
は、どの部分にスキャン用テストセルを挿入するかを決
定する。例えば、図3や図4に示すような、論理設計上
のスキャン用テストセルの置換、挿入位置を決定する。
そして、S22のスキャン用テストセル置換挿入処理に
おいて、一般ロジック部の論理回路に対して、論理的な
スキャン用テストセルの置換、挿入が行なわれ、スキャ
ン用テストセルを含む論理回路が作成される。
1のスキャン用テストセル位置決定処理において、スキ
ャン用テストセルを一般ロジック部の論理回路のうち、
どの部分をスキャン用テストセルに置換するか、あるい
は、どの部分にスキャン用テストセルを挿入するかを決
定する。例えば、図3や図4に示すような、論理設計上
のスキャン用テストセルの置換、挿入位置を決定する。
そして、S22のスキャン用テストセル置換挿入処理に
おいて、一般ロジック部の論理回路に対して、論理的な
スキャン用テストセルの置換、挿入が行なわれ、スキャ
ン用テストセルを含む論理回路が作成される。
【0022】スキャン設計処理のうち、S21のスキャ
ン用テストセル位置決定処理、および、S22のスキャ
ン用テストセル置換挿入処理と独立して、S3のレイア
ウト設計処理のうち、S31のスキャン用テストセル配
置位置確保処理、S32の一般ロジック部レイアウト設
計処理、S33の実配線長抽出処理を行なうことができ
る。これらの処理は、S21およびS22の処理と前後
して、あるいは並行して処理を行なうことができる。
ン用テストセル位置決定処理、および、S22のスキャ
ン用テストセル置換挿入処理と独立して、S3のレイア
ウト設計処理のうち、S31のスキャン用テストセル配
置位置確保処理、S32の一般ロジック部レイアウト設
計処理、S33の実配線長抽出処理を行なうことができ
る。これらの処理は、S21およびS22の処理と前後
して、あるいは並行して処理を行なうことができる。
【0023】まず、S31のスキャン用テストセル配置
位置確保処理では、半導体集積回路のレイアウト面に、
あらかじめ回路規模に応じた数、あるいはそれより多く
のスキャン用テストセルを配置するための配置領域を確
保する。そして、各スキャン用テストセルにスキャン制
御信号TE,SE,TCを供給するための配線を行な
う。このとき、このとき、スキャン制御信号TE,S
E,TCに接続される端子が同一Y座標になるようにス
キャン用テストセルを配置し、スキャン制御信号を配線
する。図5は、スキャン用テストセルの配置領域を確保
した時点の一例を示すレイアウト図である。図中、Td
1〜Tdnはスキャン用テストセル配置領域である。図
5に示すように、スキャン用テストセル配置領域Td1
〜Tdnを確保し、スキャン制御信号TE,SE,TC
を配線している。なお、この段階では、配置領域を確保
するのみであり、スキャン用テストセルは配置されてい
ない。また、スキャン制御信号TE,SE,TC以外は
配線されていない。
位置確保処理では、半導体集積回路のレイアウト面に、
あらかじめ回路規模に応じた数、あるいはそれより多く
のスキャン用テストセルを配置するための配置領域を確
保する。そして、各スキャン用テストセルにスキャン制
御信号TE,SE,TCを供給するための配線を行な
う。このとき、このとき、スキャン制御信号TE,S
E,TCに接続される端子が同一Y座標になるようにス
キャン用テストセルを配置し、スキャン制御信号を配線
する。図5は、スキャン用テストセルの配置領域を確保
した時点の一例を示すレイアウト図である。図中、Td
1〜Tdnはスキャン用テストセル配置領域である。図
5に示すように、スキャン用テストセル配置領域Td1
〜Tdnを確保し、スキャン制御信号TE,SE,TC
を配線している。なお、この段階では、配置領域を確保
するのみであり、スキャン用テストセルは配置されてい
ない。また、スキャン制御信号TE,SE,TC以外は
配線されていない。
【0024】図5では、テストセルの端子が同一Y座標
になるように設定したが、構成によっては同一X座標と
なるように設定しても構わない。また、複数行にわたり
スキャン用テストセルが配置されているとき、図5では
一筆書きのように接続しているが、これに限らず、スト
ライプ状の配線を行なったり、いくつかのブロックに分
割して配線するなど、種々の形状の配線を行なうことが
できる。
になるように設定したが、構成によっては同一X座標と
なるように設定しても構わない。また、複数行にわたり
スキャン用テストセルが配置されているとき、図5では
一筆書きのように接続しているが、これに限らず、スト
ライプ状の配線を行なったり、いくつかのブロックに分
割して配線するなど、種々の形状の配線を行なうことが
できる。
【0025】S31においてスキャン用テストセル配置
領域が確保された後の半導体集積回路のレイアウトに対
し、S32において、一般ロジック部のレイアウト設計
を行ない、一般ロジック部の配置および配線を行なう。
この時点で、一般ロジック部内の配線は確定するので、
S33の実配線長抽出処理において、一般ロジック部内
の実配線長を抽出する。
領域が確保された後の半導体集積回路のレイアウトに対
し、S32において、一般ロジック部のレイアウト設計
を行ない、一般ロジック部の配置および配線を行なう。
この時点で、一般ロジック部内の配線は確定するので、
S33の実配線長抽出処理において、一般ロジック部内
の実配線長を抽出する。
【0026】S33において得られた実配線長の情報
は、S2のスキャン設計処理で用いられる。S23の仮
想配線長シミュレーション処理において、S22のスキ
ャン用テストセル置換挿入処理で論理回路に対してスキ
ャン用テストセルを置換、挿入した後のスキャン部分の
仮想配線長と、S33で抽出される一般ロジック部の実
配線長を使用して、一般ロジック部の動作タイミングが
所定の通り行なわれるか否かをシミュレーションし、タ
イミングの検証を行なう。この段階では、スキャン用テ
ストセルの部分については、論理回路のままであり、レ
イアウトは行なわれていない。
は、S2のスキャン設計処理で用いられる。S23の仮
想配線長シミュレーション処理において、S22のスキ
ャン用テストセル置換挿入処理で論理回路に対してスキ
ャン用テストセルを置換、挿入した後のスキャン部分の
仮想配線長と、S33で抽出される一般ロジック部の実
配線長を使用して、一般ロジック部の動作タイミングが
所定の通り行なわれるか否かをシミュレーションし、タ
イミングの検証を行なう。この段階では、スキャン用テ
ストセルの部分については、論理回路のままであり、レ
イアウトは行なわれていない。
【0027】次に、S3のレイアウト設計処理におい
て、S34のスキャン用テストセル配置処理で、実際に
スキャン用テストセルをレイアウトする。スキャン用テ
ストセルは、S31のスキャン用テストセル配置位置確
保処理によって確保されているスキャン用テストセル配
置領域に配置される。スキャン用テストセルの配置は、
各内部データ観測信号および内部データ制御信号によっ
て、その一般ロジック部の近くに配置されることにな
る。
て、S34のスキャン用テストセル配置処理で、実際に
スキャン用テストセルをレイアウトする。スキャン用テ
ストセルは、S31のスキャン用テストセル配置位置確
保処理によって確保されているスキャン用テストセル配
置領域に配置される。スキャン用テストセルの配置は、
各内部データ観測信号および内部データ制御信号によっ
て、その一般ロジック部の近くに配置されることにな
る。
【0028】図6、図7は、スキャン用テストセル配置
処理後の一例を示す回路図である。この段階では、S2
1、S22で発生したスキャン用テストセルの配置を行
なうのみであるので、S31で配線したスキャン制御信
号TE,SE,TCのための配線と、S32で行なわれ
た一般ロジック部のレイアウトが行なわれた状態であ
る。スキャン信号SI,SOはまだ接続されていない。
そのため、図6、図7に示すように、スキャン信号S
I,SOの接続されていない回路がレイアウトされたこ
とになる。
処理後の一例を示す回路図である。この段階では、S2
1、S22で発生したスキャン用テストセルの配置を行
なうのみであるので、S31で配線したスキャン制御信
号TE,SE,TCのための配線と、S32で行なわれ
た一般ロジック部のレイアウトが行なわれた状態であ
る。スキャン信号SI,SOはまだ接続されていない。
そのため、図6、図7に示すように、スキャン信号S
I,SOの接続されていない回路がレイアウトされたこ
とになる。
【0029】次に、S35のスキャン用テストセル位置
抽出処理において、まず、各スキャン用テストセルの座
標を抽出する。また、各スキャン用テストセルをスキャ
ン信号によってシリアルに接続する際の順番、すなわ
ち、シフトクロック接続順を決定する。そして、各スキ
ャン用テストセルの座標を決定したシフトクロック接続
順に従って順番付る。
抽出処理において、まず、各スキャン用テストセルの座
標を抽出する。また、各スキャン用テストセルをスキャ
ン信号によってシリアルに接続する際の順番、すなわ
ち、シフトクロック接続順を決定する。そして、各スキ
ャン用テストセルの座標を決定したシフトクロック接続
順に従って順番付る。
【0030】S2のスキャン設計手段に戻り、S24の
スキャンパス生成手段では、S35決定されたシフトク
ロック接続順、および、順番づけられたスキャン用テス
トセルの座標をもとに、スキャン信号SI,SOの配線
を論理的に行なう。この論理的なスキャン信号SI,S
Oの配線情報をもとに、S3のレイアウト設計処理にお
けるS36のスキャンパス配線手段において、スキャン
信号SI,SOの配線を行ない、図3、図4に示すよう
な回路を実現するための図2に示すようなレイアウトが
完成する。
スキャンパス生成手段では、S35決定されたシフトク
ロック接続順、および、順番づけられたスキャン用テス
トセルの座標をもとに、スキャン信号SI,SOの配線
を論理的に行なう。この論理的なスキャン信号SI,S
Oの配線情報をもとに、S3のレイアウト設計処理にお
けるS36のスキャンパス配線手段において、スキャン
信号SI,SOの配線を行ない、図3、図4に示すよう
な回路を実現するための図2に示すようなレイアウトが
完成する。
【0031】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、スキャン用テストセルの配置領域を他の素子
に先だって確保し、他の素子の配置後スキャン用テスト
セルを配置するので、スキャン設計とレイアウト設計を
並列的に行なうことができる。これによって、一般ロジ
ック部のデバックとスキャン部のデバッグが独立に行な
えるため、開発期間の短縮を図ることができる。また、
スキャン用テストセル挿入後の仮想配線長シミュレーシ
ョンに一般ロジック部のレイアウトの結果を反映するこ
とができるため、開発期間の短縮が図れる。もしこのと
きタイミング不良が生じた場合であっても、スキャン用
テストセル配置処理およびスキャンパス配線処理と同時
にレイアウトの修正を行なうことができるので、処理に
無駄が発生せず、効率よく設計を行なうことができる。
また、スキャン制御信号の配線を他の信号配線に先だっ
て接続できるため、一筆書きとなる接続法やメッシュ状
の接続などを容易に行なうことができ、スキューの低減
が可能となる等の効果がある。
によれば、スキャン用テストセルの配置領域を他の素子
に先だって確保し、他の素子の配置後スキャン用テスト
セルを配置するので、スキャン設計とレイアウト設計を
並列的に行なうことができる。これによって、一般ロジ
ック部のデバックとスキャン部のデバッグが独立に行な
えるため、開発期間の短縮を図ることができる。また、
スキャン用テストセル挿入後の仮想配線長シミュレーシ
ョンに一般ロジック部のレイアウトの結果を反映するこ
とができるため、開発期間の短縮が図れる。もしこのと
きタイミング不良が生じた場合であっても、スキャン用
テストセル配置処理およびスキャンパス配線処理と同時
にレイアウトの修正を行なうことができるので、処理に
無駄が発生せず、効率よく設計を行なうことができる。
また、スキャン制御信号の配線を他の信号配線に先だっ
て接続できるため、一筆書きとなる接続法やメッシュ状
の接続などを容易に行なうことができ、スキューの低減
が可能となる等の効果がある。
【図1】 本発明の半導体集積回路の設計方法の一実施
例を示すフローチャートである。
例を示すフローチャートである。
【図2】 本発明の設計方法によるレイアウトの一具体
例を示す模式図である。
例を示す模式図である。
【図3】 スキャン用テストセルへの置換時のスキャン
チェーン回路の一例を示す模式図である。
チェーン回路の一例を示す模式図である。
【図4】 スキャン用テストセルの挿入時のスキャンチ
ェーン回路の一例を示す模式図である。
ェーン回路の一例を示す模式図である。
【図5】 スキャン用テストセルの配置領域を確保した
時点の一例を示すレイアウト図である。
時点の一例を示すレイアウト図である。
【図6】 スキャン用テストセルの置換配置処理後の一
例を示す回路図である。
例を示す回路図である。
【図7】 スキャン用テストセルの挿入配置処理後の一
例を示す回路図である。
例を示す回路図である。
【図8】 従来の半導体集積回路の設計方法を示すフロ
ーチャートである。
ーチャートである。
41…半導体集積回路、42…I/O部、51〜53…
一般ロジック部、T1〜Tn…スキャン用テストセル、
TE,SE,TC…スキャン用制御信号、SI,SO…
スキャン信号、DI1〜DIn…内部データ観測信号、
DO1〜DOn…内部データ制御信号。
一般ロジック部、T1〜Tn…スキャン用テストセル、
TE,SE,TC…スキャン用制御信号、SI,SO…
スキャン信号、DI1〜DIn…内部データ観測信号、
DO1〜DOn…内部データ制御信号。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/3205 H01L 21/82 T 21/88 T
Claims (2)
- 【請求項1】 スキャンパス方式により試験を行なうた
めのテスト回路セルを有する半導体集積回路の設計方法
において、前記テスト回路セルの配置領域を確保し、前
記テスト回路セル以外の一般回路セルの配置を行ない、
先に確保したテスト回路セルの配置領域に前記テスト回
路セルを配置し、レイアウトを決定することを特徴とす
る半導体集積回路の設計方法。 - 【請求項2】 前記テスト回路セルの配置領域を確保す
る際に、該配置領域に配置される前記テスト回路セルを
接続する制御信号線を配線することを特徴とする請求項
1に記載の半導体集積回路の設計方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6223756A JPH0887538A (ja) | 1994-09-19 | 1994-09-19 | 半導体集積回路の設計方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6223756A JPH0887538A (ja) | 1994-09-19 | 1994-09-19 | 半導体集積回路の設計方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0887538A true JPH0887538A (ja) | 1996-04-02 |
Family
ID=16803222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6223756A Pending JPH0887538A (ja) | 1994-09-19 | 1994-09-19 | 半導体集積回路の設計方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0887538A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6282506B1 (en) | 1996-02-20 | 2001-08-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of designing semiconductor integrated circuit |
| JP2008258775A (ja) * | 2007-04-02 | 2008-10-23 | Denso Corp | 論理機能回路と自己診断回路とからなる統合回路の設計方法 |
-
1994
- 1994-09-19 JP JP6223756A patent/JPH0887538A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6282506B1 (en) | 1996-02-20 | 2001-08-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of designing semiconductor integrated circuit |
| US7017135B2 (en) | 1996-02-20 | 2006-03-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of designing semiconductor integrated circuit utilizing a scan test function |
| US7475378B2 (en) | 1996-02-20 | 2009-01-06 | Panasonic Corporation | Method of designing semiconductor integrated circuit in which fault detection can be effected through scan-in and scan-out |
| JP2008258775A (ja) * | 2007-04-02 | 2008-10-23 | Denso Corp | 論理機能回路と自己診断回路とからなる統合回路の設計方法 |
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