JPH0888973A - 電力半導体変換器の制御方法および装置 - Google Patents
電力半導体変換器の制御方法および装置Info
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- JPH0888973A JPH0888973A JP22021794A JP22021794A JPH0888973A JP H0888973 A JPH0888973 A JP H0888973A JP 22021794 A JP22021794 A JP 22021794A JP 22021794 A JP22021794 A JP 22021794A JP H0888973 A JPH0888973 A JP H0888973A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】自己消弧素子に流れる過電流を、ヒューズの溶
断前に、ゲート制御によって遮断する電力半導体変換器
の制御方式を提供することにある。 【構成】ＧＴＯ１を用いた三相電力変換器は、交流電源
５０と直流回路（コンデンサ３）の間で、交流／直流変
換を行う。各相のゲート回路６は、電流検出器４に応じ
たＰＷＭ信号作成回路９からのオン／オフゲート信号が
与えられ、オンゲート電流／オフゲート電流を出力す
る。強制オフゲート信号出力回路１０は、事故による過
電流がＧＴＯ１の許容遮断電流を越えると、オフゲート
操作を禁止すると共に、過電流が変動して再び許容遮断
電流以下になるタイミングを検出して、ゲート回路６に
強制オフゲート信号を継続的に与え、ＧＴＯ１を遮断す
る。
断前に、ゲート制御によって遮断する電力半導体変換器
の制御方式を提供することにある。 【構成】ＧＴＯ１を用いた三相電力変換器は、交流電源
５０と直流回路（コンデンサ３）の間で、交流／直流変
換を行う。各相のゲート回路６は、電流検出器４に応じ
たＰＷＭ信号作成回路９からのオン／オフゲート信号が
与えられ、オンゲート電流／オフゲート電流を出力す
る。強制オフゲート信号出力回路１０は、事故による過
電流がＧＴＯ１の許容遮断電流を越えると、オフゲート
操作を禁止すると共に、過電流が変動して再び許容遮断
電流以下になるタイミングを検出して、ゲート回路６に
強制オフゲート信号を継続的に与え、ＧＴＯ１を遮断す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はゲートターンオフサイリ
スタ（以下ＧＴＯと略す）等の自己消弧素子を用いた電
力半導体変換器に係り、過電流時における電力半導体変
換器の停止制御を行うゲート制御方式に関する。
スタ（以下ＧＴＯと略す）等の自己消弧素子を用いた電
力半導体変換器に係り、過電流時における電力半導体変
換器の停止制御を行うゲート制御方式に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＧＴＯを用いたＰＷＭ変換器は、たとえ
ば「日立評論」（VOL75,No6、1993-5、PP31〜34）に記載
されているように、スイッチング周波数５００HZのＰＷ
Ｍ信号によってＧＴＯをオン／オフし、交流−直流の電
力変換を行っている。ＧＴＯはゲートにオンゲート電流
を流すことによりオンし、オフゲート電流を流すことに
よりＧＴＯを介して流れる電流を遮断できる機能を有し
ている。
ば「日立評論」（VOL75,No6、1993-5、PP31〜34）に記載
されているように、スイッチング周波数５００HZのＰＷ
Ｍ信号によってＧＴＯをオン／オフし、交流−直流の電
力変換を行っている。ＧＴＯはゲートにオンゲート電流
を流すことによりオンし、オフゲート電流を流すことに
よりＧＴＯを介して流れる電流を遮断できる機能を有し
ている。
【０００３】ＧＴＯをオンオフ制御するためには、オン
操作時にゲートにオン電流を供給するオンゲート回路
と、オフ操作時にオフゲート電流を供給すると共にオフ
時は逆バイアスを印加するオフゲート回路を別々に有し
ている（電気書院刊「パワーエレクトロニクス＆ＡＣド
ライブ」PP17〜18の図1、13参照）。
操作時にゲートにオン電流を供給するオンゲート回路
と、オフ操作時にオフゲート電流を供給すると共にオフ
時は逆バイアスを印加するオフゲート回路を別々に有し
ている（電気書院刊「パワーエレクトロニクス＆ＡＣド
ライブ」PP17〜18の図1、13参照）。
【０００４】ＧＴＯは、許容遮断電流以上が流れている
ときにオフ操作を行うと素子破損にいたる。したがっ
て、許容遮断電流以上になる恐れがある場合は、オフゲ
ート回路によるオフ操作を行わないように、ゲート制御
が行なわれている。
ときにオフ操作を行うと素子破損にいたる。したがっ
て、許容遮断電流以上になる恐れがある場合は、オフゲ
ート回路によるオフ操作を行わないように、ゲート制御
が行なわれている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ＧＴＯを用いた従来の
電力変換器では、ＧＴＯ電流が許容遮断電流以上になる
とオフ操作を行わないので、以下のような事故が発生す
ることがある。
電力変換器では、ＧＴＯ電流が許容遮断電流以上になる
とオフ操作を行わないので、以下のような事故が発生す
ることがある。
【０００６】図７に示した３相電力変換器の例で説明す
ると、制御部８のＵ相ＰＷＭ信号作成部９が異常となっ
てＧＴＯ１ｕｐのオン信号が出放しになると、Ｖ−２ｖ
ｐ−１ｕｐ−Ｕ、およびＷ−２ｗｐ−１ｕｐ−Ｕの経路
の短絡が発生し、ＧＴＯ１ｕｐには許容遮断電流以上の
過電流が流れる。この場合、素子保護のためにオフゲー
ト操作を行わないので、１ｕｐのオンゲート信号が出放
しの状態が続き、ヒューズ７ｕｐが溶断するまで交流短
絡電流が流れる。
ると、制御部８のＵ相ＰＷＭ信号作成部９が異常となっ
てＧＴＯ１ｕｐのオン信号が出放しになると、Ｖ−２ｖ
ｐ−１ｕｐ−Ｕ、およびＷ−２ｗｐ−１ｕｐ−Ｕの経路
の短絡が発生し、ＧＴＯ１ｕｐには許容遮断電流以上の
過電流が流れる。この場合、素子保護のためにオフゲー
ト操作を行わないので、１ｕｐのオンゲート信号が出放
しの状態が続き、ヒューズ７ｕｐが溶断するまで交流短
絡電流が流れる。
【０００７】このように、従来はヒューズ溶断により過
電流を遮断していたため、ヒューズの交換に手間がかか
り、かつ、ヒューズ単価がＧＴＯと同額程度で（４．５
ｋＶ／３ｋＡ用で約３００ｋ￥）、費用も馬鹿にならな
いものであった。
電流を遮断していたため、ヒューズの交換に手間がかか
り、かつ、ヒューズ単価がＧＴＯと同額程度で（４．５
ｋＶ／３ｋＡ用で約３００ｋ￥）、費用も馬鹿にならな
いものであった。
【０００８】本発明の目的は、ヒューズを溶断すること
なく、自己消弧素子のゲート制御によって過電流を遮断
する電力半導体変換器の制御方式を提供することにあ
る。
なく、自己消弧素子のゲート制御によって過電流を遮断
する電力半導体変換器の制御方式を提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、ゲート
信号でオンオフ制御できる自己消弧素子を用いて、交流
から直流または直流から交流への電力変換を行う電力半
導体変換器の制御方法において、自己消弧素子に流れる
電流が所定の許容遮断電流値を越える第１の状態となっ
た後に、前記許容遮断電流値以下となる第２の状態を検
出したときに、自己消弧素子をオフ制御するゲート信号
を与えて過電流を遮断することにより達成される。
信号でオンオフ制御できる自己消弧素子を用いて、交流
から直流または直流から交流への電力変換を行う電力半
導体変換器の制御方法において、自己消弧素子に流れる
電流が所定の許容遮断電流値を越える第１の状態となっ
た後に、前記許容遮断電流値以下となる第２の状態を検
出したときに、自己消弧素子をオフ制御するゲート信号
を与えて過電流を遮断することにより達成される。
【００１０】
【作用】本発明は、過電流が交流変化して増減を繰り返
すことを利用し、過電流が許容遮断電流以上となって
も、再び許容遮断電流以下に減少するタイミングを検出
し、この時点でゲートオフ操作を行って自己消弧素子の
過電流を遮断する。
すことを利用し、過電流が許容遮断電流以上となって
も、再び許容遮断電流以下に減少するタイミングを検出
し、この時点でゲートオフ操作を行って自己消弧素子の
過電流を遮断する。
【００１１】これによれば、自己消弧素子を破損するこ
となく且つ、ヒューズを溶断することなく、ＧＴＯ等の
自己消弧素子の過電流遮断を行うことができる効果があ
る。
となく且つ、ヒューズを溶断することなく、ＧＴＯ等の
自己消弧素子の過電流遮断を行うことができる効果があ
る。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しながら
詳細に説明する。各図を通して同一の要素には同一の符
号を付している。
詳細に説明する。各図を通して同一の要素には同一の符
号を付している。
【００１３】図１は、本発明の第一の実施例を示し、Ｇ
ＴＯを用いた３相ＰＷＭ電力変換器の主回路と制御装置
に機能ブロックを示したものである。主回路は、ＵＰ〜
ＷＮの各相毎に設けられるＧＴＯ１、フライホイールダ
イオード（ＦＤ）２、平滑コンデサ３（直流回路）、ゲ
ート回路６及びヒューズ７により構成される。主回路の
交流側は交流電源５０に接続され、制御回路８によるＰ
ＷＭ制御によって、交流から直流あるいは直流から交流
への変換が行われる。
ＴＯを用いた３相ＰＷＭ電力変換器の主回路と制御装置
に機能ブロックを示したものである。主回路は、ＵＰ〜
ＷＮの各相毎に設けられるＧＴＯ１、フライホイールダ
イオード（ＦＤ）２、平滑コンデサ３（直流回路）、ゲ
ート回路６及びヒューズ７により構成される。主回路の
交流側は交流電源５０に接続され、制御回路８によるＰ
ＷＭ制御によって、交流から直流あるいは直流から交流
への変換が行われる。
【００１４】制御回路８は、交流側各相の電流検出器４
の測定値に応じて、ゲート回路６にオンゲート信号／オ
フゲート信号を与えるＰＷＭ信号作成回路９（Ｕ〜Ｗ）
と、過電流状態を検出して所定のタイミングでゲート回
路６にオフゲート信号を与える強制オフゲート信号出力
回路１０から構成される。なお、制御回路８にゲート回
路６を含む構成としてもよい。
の測定値に応じて、ゲート回路６にオンゲート信号／オ
フゲート信号を与えるＰＷＭ信号作成回路９（Ｕ〜Ｗ）
と、過電流状態を検出して所定のタイミングでゲート回
路６にオフゲート信号を与える強制オフゲート信号出力
回路１０から構成される。なお、制御回路８にゲート回
路６を含む構成としてもよい。
【００１５】図２に、ゲート回路６の構成を示す。オン
ゲート回路１０、オフゲート回路１１、オンゲート供給
電源回路１２、オフゲート供給電源回路１３、オンゲー
トスイッチ１４、オフゲートスイッチ１５、オンゲート
電流を制限する制限抵抗１６、平滑コンデンサ１７、１
８より構成されている。
ゲート回路１０、オフゲート回路１１、オンゲート供給
電源回路１２、オフゲート供給電源回路１３、オンゲー
トスイッチ１４、オフゲートスイッチ１５、オンゲート
電流を制限する制限抵抗１６、平滑コンデンサ１７、１
８より構成されている。
【００１６】通常の運転では、ＰＷＭ信号作成回路９か
らのオンゲート信号がオンゲートスイッチ１５に、オフ
ゲート信号がオフゲートスイッチ１６に与えられる。オ
フゲート信号は、ＧＴＯ１に流れる電流が許容遮断電流
値Ｉ0を越える場合は、素子の破損を防止するために出
力されない。
らのオンゲート信号がオンゲートスイッチ１５に、オフ
ゲート信号がオフゲートスイッチ１６に与えられる。オ
フゲート信号は、ＧＴＯ１に流れる電流が許容遮断電流
値Ｉ0を越える場合は、素子の破損を防止するために出
力されない。
【００１７】図３は、自己消弧素子を用いた電力変換器
の動作を、Ｕ相の波形で示したものである。他相の波形
も同様で、基本波成分の位相が各々１２０度ずれてい
る。同図（ａ）には、ＰＷＭ制御によるＧＴＯ１ｕｐの
ゲート信号波形、（ｂ）には（ａ）のゲート信号を与え
られたときのＵ相の出力電圧波形、（ｃ）にはＵ相の電
流波形を示す。同図（ｂ）、（ｃ）に示すように、変換
器の交流側はＰＷＭ波形であるが、電源側（図示してい
ないトランス等のインピーダンス）は基本波成分波形と
なる。
の動作を、Ｕ相の波形で示したものである。他相の波形
も同様で、基本波成分の位相が各々１２０度ずれてい
る。同図（ａ）には、ＰＷＭ制御によるＧＴＯ１ｕｐの
ゲート信号波形、（ｂ）には（ａ）のゲート信号を与え
られたときのＵ相の出力電圧波形、（ｃ）にはＵ相の電
流波形を示す。同図（ｂ）、（ｃ）に示すように、変換
器の交流側はＰＷＭ波形であるが、電源側（図示してい
ないトランス等のインピーダンス）は基本波成分波形と
なる。
【００１８】電圧と電流の波形は運転力率により異な
る。即ち、電流が負側にあるとき、たとえばｔ1〜ｔ2間
ではＧＴＯ１ｕｐにオンゲート信号が与えられるが、電
流はＦＤ２ｕｐを通して流れるので減少方向に制御され
る。一方、電流が正側にあるとき、たとえばｔ3〜ｔ4間
では、オンゲート信号によって電流を増大方向に制御さ
れる。全体としては、基本波成分の出力電圧、電流が正
弦波となるように制御されている。もし、ｔ4の時点
で、ＧＴＯ１ｕｐがオフできないときは、Ｕ相の電流は
点線矢視のように増大して、やがて過電流となる。
る。即ち、電流が負側にあるとき、たとえばｔ1〜ｔ2間
ではＧＴＯ１ｕｐにオンゲート信号が与えられるが、電
流はＦＤ２ｕｐを通して流れるので減少方向に制御され
る。一方、電流が正側にあるとき、たとえばｔ3〜ｔ4間
では、オンゲート信号によって電流を増大方向に制御さ
れる。全体としては、基本波成分の出力電圧、電流が正
弦波となるように制御されている。もし、ｔ4の時点
で、ＧＴＯ１ｕｐがオフできないときは、Ｕ相の電流は
点線矢視のように増大して、やがて過電流となる。
【００１９】図４は、過電流発生時の挙動を各部の波形
で示したものである。図７に例示したように、制御回路
８のＵ相ＰＷＭ信号作成回路９からオン信号が出放しと
なった場合、経路Ｖ−２ｖｐ−１ｕｐ−Ｕと経路Ｗ−２
ｗｐ−１ｕｐ−Ｕの短絡回路が形成され、前者には図４
（ｂ）の交流電圧ｅv−ｅu、後者には同図（ｃ）の交流
電圧ｅw−ｅuが印加される。
で示したものである。図７に例示したように、制御回路
８のＵ相ＰＷＭ信号作成回路９からオン信号が出放しと
なった場合、経路Ｖ−２ｖｐ−１ｕｐ−Ｕと経路Ｗ−２
ｗｐ−１ｕｐ−Ｕの短絡回路が形成され、前者には図４
（ｂ）の交流電圧ｅv−ｅu、後者には同図（ｃ）の交流
電圧ｅw−ｅuが印加される。
【００２０】この結果、同図（ｄ）のように、事故発生
時点Ｔ1より短絡電流が流れ、Ｔ2時点で上記した両経路
による合成電流値が許容遮断電流Ｉ0以上となる。この
Ｉ0以上では、素子保護のためにオフゲート操作は禁止
される。この場合、短絡電流は印加電圧と回路定数にし
たがって交流変化する。ちなみに、Ｔ3時点よりＶ−２
ｖｐ−１ｕｐ−Ｕの経路には、ｅv−ｅuが逆電圧として
印加されて過電流が減少し、Ｔ4時点で許容遮断電流Ｉ0
以下となる。
時点Ｔ1より短絡電流が流れ、Ｔ2時点で上記した両経路
による合成電流値が許容遮断電流Ｉ0以上となる。この
Ｉ0以上では、素子保護のためにオフゲート操作は禁止
される。この場合、短絡電流は印加電圧と回路定数にし
たがって交流変化する。ちなみに、Ｔ3時点よりＶ−２
ｖｐ−１ｕｐ−Ｕの経路には、ｅv−ｅuが逆電圧として
印加されて過電流が減少し、Ｔ4時点で許容遮断電流Ｉ0
以下となる。
【００２１】本実施例では、短絡電流が変動して増減す
るのを利用し、その測定値が再び許容遮断電流Ｉ0以下
となるタイミングを検出して、電流Ｉ0以下の状態でオ
フゲート信号を出力してＧＴＯをオフ操作する。もちろ
ん、オフ操作しなければ、短絡電流は再び電流Ｉ0を越
え、この増減を繰り返してやがてヒューズ７の溶断に至
る。
るのを利用し、その測定値が再び許容遮断電流Ｉ0以下
となるタイミングを検出して、電流Ｉ0以下の状態でオ
フゲート信号を出力してＧＴＯをオフ操作する。もちろ
ん、オフ操作しなければ、短絡電流は再び電流Ｉ0を越
え、この増減を繰り返してやがてヒューズ７の溶断に至
る。
【００２２】図５は、一実施例による強制オフ信号出力
回路を示したものである。強制オフ信号出力回路１０
は、各相の交流電流検出器４の測定値を取り込み、電流
が許容遮断電流Ｉ0以上になった時点（Ｔ2）と再びＩ0
以下となった時点（Ｔ4）を検出する過電流検出部３
０、Ｉ0以上となったときの検出部３０の出力を保持す
るレジスタ３１、再びＩ0以下となったときの検出部３
０の出力を反転する反転部３２、レジスタ３１と反転部
３２の出力信号の論理積により強制オフゲート信号を出
力するオフ信号出力部３３を設けている。この各部の波
形を、図４（ｅ）〜（ｇ）に示す。
回路を示したものである。強制オフ信号出力回路１０
は、各相の交流電流検出器４の測定値を取り込み、電流
が許容遮断電流Ｉ0以上になった時点（Ｔ2）と再びＩ0
以下となった時点（Ｔ4）を検出する過電流検出部３
０、Ｉ0以上となったときの検出部３０の出力を保持す
るレジスタ３１、再びＩ0以下となったときの検出部３
０の出力を反転する反転部３２、レジスタ３１と反転部
３２の出力信号の論理積により強制オフゲート信号を出
力するオフ信号出力部３３を設けている。この各部の波
形を、図４（ｅ）〜（ｇ）に示す。
【００２３】強制オフゲート信号出力回路１０からの強
制オフゲート信号は、ゲート回路６のオフゲートスイッ
チ１６に与え続けられ、オフゲート回路１２からオフゲ
ート電流と逆電圧によって、ＧＴＯ１が遮断される。な
お、強制オフゲート信号出力回路１０は、一旦、許容遮
断電流Ｉ0以上の過電流になった第１状態から再びＩ0以
下になる第２状態を認識できればよく、その構成は種々
の変更が可能である。
制オフゲート信号は、ゲート回路６のオフゲートスイッ
チ１６に与え続けられ、オフゲート回路１２からオフゲ
ート電流と逆電圧によって、ＧＴＯ１が遮断される。な
お、強制オフゲート信号出力回路１０は、一旦、許容遮
断電流Ｉ0以上の過電流になった第１状態から再びＩ0以
下になる第２状態を認識できればよく、その構成は種々
の変更が可能である。
【００２４】本実施例によれば、強制オフゲート操作に
よるゲート遮断時、ＧＴＯに流れる過電流は許容遮断電
流以下となっているため、ＧＴＯ素子を破損することな
く、且つ、ヒューズ溶断に至る前に過電流を遮断でき
る。
よるゲート遮断時、ＧＴＯに流れる過電流は許容遮断電
流以下となっているため、ＧＴＯ素子を破損することな
く、且つ、ヒューズ溶断に至る前に過電流を遮断でき
る。
【００２５】図６は、自己消弧素子としてＩＧＢＴを用
いた他の実施例である。５１ｕｐ〜５１ｗｎはＩＧＢＴ
素子であり、その他は図１の実施例と同じである。本実
施例においても、図４、５に示したゲート制御方式によ
り、ＩＧＢＴ素子を破損することなく、ヒューズ溶断前
に過電流を遮断できる。
いた他の実施例である。５１ｕｐ〜５１ｗｎはＩＧＢＴ
素子であり、その他は図１の実施例と同じである。本実
施例においても、図４、５に示したゲート制御方式によ
り、ＩＧＢＴ素子を破損することなく、ヒューズ溶断前
に過電流を遮断できる。
【００２６】さらに、上記ＧＴＯやＩＧＢＴ素子以外の
自己消弧素子、たとえば、パワートランジスタ、ＩＧＣ
Ｔ（Insulated gate control Thyristor）あるいはＳＩ
サイリスタを用いた電流変換器においても本発明の適用
は可能で、同様な効果が得られる。
自己消弧素子、たとえば、パワートランジスタ、ＩＧＣ
Ｔ（Insulated gate control Thyristor）あるいはＳＩ
サイリスタを用いた電流変換器においても本発明の適用
は可能で、同様な効果が得られる。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、自己消弧素子に流れる
過電流が増減変化することを利用し、許容遮断電流を越
えた過電流が再び許容遮断電流以下となるタイミングを
検出してオフゲート操作するので、ＧＴＯ素子を破損す
ることなく速やかに過電流を遮断してヒューズ溶断を回
避できるので、ヒューズ交換の手間や費用を大幅に低減
できる効果がある。
過電流が増減変化することを利用し、許容遮断電流を越
えた過電流が再び許容遮断電流以下となるタイミングを
検出してオフゲート操作するので、ＧＴＯ素子を破損す
ることなく速やかに過電流を遮断してヒューズ溶断を回
避できるので、ヒューズ交換の手間や費用を大幅に低減
できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による電力変換器の制御装置の一実施例
を示し、電力変換器の主回路と制御装置の機能ブロック
を示す全体構成図。
を示し、電力変換器の主回路と制御装置の機能ブロック
を示す全体構成図。
【図２】自己消弧素子のゲート回路の構成図。
【図３】自己消弧素子を用いた三相電力変換器のＵ相の
波形図。
波形図。
【図４】事故時の過電流の挙動を示す各部の波形図。
【図５】強制オフゲート信号出力回路の構成図。
【図６】他の実施例による全体構成図。
【図７】三相ＰＷＭ電力変換器の短絡電流経路を説明す
る説明図。
る説明図。
１（１ｕｐ〜１ｗｎ）…ＧＴＯ、２（２ｕｐ〜２ｗｎ）
…ＦＤ、３…平滑コンデンサ、４，５…電流検出器、６
（６ｕｐ〜６ｗｎ）…ゲート回路、７…ヒューズ、８…
電力変換器制御回路、９…ＰＷＭ信号発生回路、１０…
強制オフゲート信号出力回路、１１…オンゲート回路、
１２…オフゲート回路、１３…オンゲート供給電源、１
４…オフゲート供給電源、１５…オンゲートスイッチ、
１６…オフゲートスイッチ、３０…過電流状態検出回
路。
…ＦＤ、３…平滑コンデンサ、４，５…電流検出器、６
（６ｕｐ〜６ｗｎ）…ゲート回路、７…ヒューズ、８…
電力変換器制御回路、９…ＰＷＭ信号発生回路、１０…
強制オフゲート信号出力回路、１１…オンゲート回路、
１２…オフゲート回路、１３…オンゲート供給電源、１
４…オフゲート供給電源、１５…オンゲートスイッチ、
１６…オフゲートスイッチ、３０…過電流状態検出回
路。
Claims (4)
- 【請求項１】 ゲート信号でオンオフ制御できる自己消
弧素子を用いて、交流から直流または直流から交流への
電力変換を行う電力半導体変換器の制御方法において、 自己消弧素子に流れる電流が所定の許容遮断電流値を越
える第１の状態となった後に、再び前記許容遮断電流値
以下となる第２の状態を検出したときに、自己消弧素子
をオフ制御するゲート信号を与えて過電流を遮断するこ
とを特徴とする電力半導体変換器の制御方法。 - 【請求項２】 請求項１において、 前記自己消弧素子が前記第１の状態にあるときは、自己
消弧素子のゲートのオン、オフ制御を新たに行わないこ
とを特徴とする電力半導体変換器の制御方法。 - 【請求項３】 ゲート信号でオンオフ制御できる自己消
弧素子を用いて、交流から直流または直流から交流への
電力変換を行う電力半導体変換器において、 自己消弧素子をオンするのに必要なオンゲート電流を供
給するオンゲート回路と、オフするのに必要なオフゲー
ト電流と逆電圧を供給するオフゲート回路と、前記オン
ゲート回路、オフゲート回路にエネルギーを供給するゲ
ート回路電源と、前記オンゲート回路を作動させるオン
ゲート信号、前記オフゲート回路を作動させるオフゲー
ト信号を出力する制御回路を設け、 前記制御回路は、自己消弧素子に流れる電流が所定の許
容遮断電流値以上となる第１の状態を検出する過電流状
態検出手段と、該第１の状態では前記オン／オフゲート
回路の操作を新たに行わず、自己消弧素子に流れる電流
が前記第１の状態から前記許容遮断電流値以下の第２の
状態になるときに前記オフゲート回路にオフゲート信号
を与え続ける過電流遮断手段を具備することを特徴とす
る電力半導体変換器の制御装置。 - 【請求項４】 請求項３において、 前記自己消弧素子としてゲートターンオフサイリスタ
（ＧＴＯ）を用いることを特徴とする電力半導体変換器
の制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22021794A JPH0888973A (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | 電力半導体変換器の制御方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22021794A JPH0888973A (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | 電力半導体変換器の制御方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0888973A true JPH0888973A (ja) | 1996-04-02 |
Family
ID=16747720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22021794A Pending JPH0888973A (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | 電力半導体変換器の制御方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0888973A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001197745A (ja) * | 2000-01-07 | 2001-07-19 | Mitsubishi Electric Corp | 電力変換装置の保護制御方法および保護制御装置 |
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1994
- 1994-09-14 JP JP22021794A patent/JPH0888973A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001197745A (ja) * | 2000-01-07 | 2001-07-19 | Mitsubishi Electric Corp | 電力変換装置の保護制御方法および保護制御装置 |
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