JPH0894992A - 液晶表示素子 - Google Patents

液晶表示素子

Info

Publication number
JPH0894992A
JPH0894992A JP6227507A JP22750794A JPH0894992A JP H0894992 A JPH0894992 A JP H0894992A JP 6227507 A JP6227507 A JP 6227507A JP 22750794 A JP22750794 A JP 22750794A JP H0894992 A JPH0894992 A JP H0894992A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
solar cell
crystal display
display element
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6227507A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenichi Sato
佐藤　　賢一
Yasuhiro Daiku
康宏 代工
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Casio Computer Co Ltd
Original Assignee
Casio Computer Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Casio Computer Co Ltd filed Critical Casio Computer Co Ltd
Priority to JP6227507A priority Critical patent/JPH0894992A/ja
Publication of JPH0894992A publication Critical patent/JPH0894992A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/13306—Circuit arrangements or driving methods for the control of single liquid crystal cells
    • G02F1/13324—Circuits comprising solar cells

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】入射光を利用して電力を得る機能を備えたドッ
トマトリックス型液晶表示素子を提供し、電子機器の省
電力化をはかる。 【構成】液晶ＬＣをはさんで対向する表裏一対の基板
１，２のうち、表面側基板２の内面に、各画素間の間隙
に対応させて、ブラックマスクを兼ねる太陽電池１５を
設けた。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、太陽電池を設けた液晶
表示素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子には、アクティブマトリッ
クス型のものと、単純マトリックス型のものとがあり、
さらに、アクティブマトリックス型の液晶表示素子に
は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を能動素子とするもの
と、ＭＩＭ等の２端子の非線形抵抗素子を能動素子とす
るものとがあり、これらドットマトリックス型液晶表示
素子は、パーソナルコンピュータやテレビジョン受像機
等の各種電子機器の表示体に広く利用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記液晶表示
素子を用いる電子機器は、液晶表示素子の表示駆動に要
する電力は僅かであるが、明るい表示を得るには高輝度
のバックライトが必要であるため、省電力化が難しいと
いう問題をもっていた。
【０００４】すなわち、上記液晶表示素子としては、一
般に、バックライトからの光を裏面側から入射させて表
示する透過型のものが使用されているが、この透過型の
液晶表示素子を用いる電子機器は、前記バックライトの
点灯に大きな電力を消費してしまう。
【０００５】これは、液晶表示素子が、各画素にそれぞ
れ対応させて複数の色（例えば赤、緑、青）のカラーフ
ィルタを設けているカラー表示素子である場合に顕著で
あり、このカラー表示素子を用いる電子機器では、前記
カラーフィルタでの光の吸収による表示の輝度低下を補
償するために、バックライトの輝度を高くしなければな
らないから、バックライトでの電力の消費がより大きく
なってしまう。
【０００６】なお、電子機器には、例えばテレビジョン
受像機におけるスピーカ等のような大きな電力を消費す
る素子を備えているものもあり、この種の電子機器で
は、バックライトだけでなく、スピーカ等の素子でも電
力を大きく消費してしまう。
【０００７】一方、上記液晶表示素子には、バックライ
トを用いる透過型のもののほかに、自然光や室内照明光
等の外光を利用し、表面側から入射する外光を裏面側の
反射板で反射させて表示する反射型のものや、前記反射
板にハーフミラーを用い、十分な外光が得られる明るい
場所では反射型表示を行ない、暗い場所ではバックライ
トからの光を裏面側から入射させて表示する反射／透過
兼用型のものもある。
【０００８】そして、外光を利用する反射型の液晶表示
素子は、バックライトを必要としないため、この反射型
の液晶表示素子を用いる電子機器ではバックライトでの
電力の消費はないが、スピーカ等の素子を備えているも
のは、この素子での電力の消費が大きいという問題をも
っている。
【０００９】また、上記反射／透過兼用型の液晶表示素
子を用いる電子機器は、十分な外光が得られないときに
だけバックライトを点灯させて使用されるものであるた
め、透過型の液晶表示素子を用いるものに比べればバッ
クライトでの電力消費は少ないが、それでもバックライ
トでの電力消費がかなり大きいし、さらに、スピーカ等
の素子を備えているものは、この素子でも電力を大きく
消費してしまう。
【００１０】なお、上記バックライトやスピーカ等の素
子による電力の消費は、特に、携帯型電子機器のよう
な、電池を電源とする電子機器において問題とされてお
り、この電子機器では、電力消費が大きいほど電池寿命
が短くなってしまう。本発明は、液晶表示素子として、
入射光を利用して電力を得る機能を備えたものを提供
し、電子機器の省電力化をはかることを目的としたもの
である。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示素子
は、液晶をはさんで対向する表面側基板と裏面側基板と
のうち少なくとも一方の基板の内面に、各画素間の間隙
に対応させて太陽電池を設けたことを特徴とするもので
ある。
【００１２】本発明において、太陽電池を設けた基板側
の表示用電極は、前記太陽電池を覆って設けた絶縁膜の
上に形成すればよい。また、前記太陽電池を表面側基板
の内面に設ける場合は、この太陽電池で各画素間の間隙
に対応するブラックマスクを兼用してもよい。
【００１３】前記太陽電池にブラックマスクを兼ねさせ
るには、例えば、太陽電池を、基板面に形成された第１
の電極と、前記第１の電極の上に積層されたｐ型および
ｎ型半導体膜と、この半導体膜の上に形成された第２の
電極とで構成するとともに、前記第１および第２の電極
のうち、液晶表示素子の光入射面側に対向する電極を透
明導電膜で形成し、他方の電極を遮光性金属膜で形成す
ればよい。
【００１４】また、前記太陽電池にブラックマスクを兼
ねさせるには、太陽電池を、ｐ型およびｎ型半導体膜を
積層した厚膜の半導体積層膜で構成してもよい。さら
に、カラー液晶表示素子においては、表面側基板の内面
に、各画素にそれぞれ対応させて複数の色のカラーフィ
ルタを設け、これらカラーフィルタの間に前記太陽電池
を設けるのが望ましい。
【００１５】また、太陽電池を裏面側基板の内面に設け
る場合、表面側基板の内面に各画素間の間隙に対応させ
てブラックマスクを設けている液晶表示素子において
は、前記太陽電池の光入射面を液晶表示素子の裏面側に
対向させればよい。
【００１６】また、反射／透過兼用型の液晶表示素子に
おいては、前記太陽電池を両方の基板の内面にそれぞれ
設けてもよく、その場合は、表面側基板に設けた太陽電
池の光入射面を液晶表示素子の表面側に対向させ、裏面
側基板に設けた太陽電池の光入射面を液晶表示素子の裏
面側に対向させればよい。
【００１７】
【作用】本発明の液晶表示素子においては、その少なく
とも一方の基板の内面に、各画素間の間隙に対応させて
太陽電池を設けているため、この太陽電池が、液晶表示
素子に入射する光のうちの各画素間の間隙部分への入射
光を受けて電力を発生する。
【００１８】すなわち、この液晶表示素子は、液晶表示
素子への入射光を利用して電力を得る機能を備えたもの
であり、この液晶表示素子を電子機器の表示体に用いれ
ば、前記太陽電池で得られる電力を電源電力の一部に利
用できるから、電子機器の省電力化をはかることができ
る。
【００１９】しかも、この液晶表示素子においては、前
記太陽電池を、各画素間の間隙に対応させて設けている
ため、画素部分への入射光が太陽電池によって吸収され
ることはなく、したがって、表示の明るさや開口率の低
下を生じることはないし、また、表示には使用しない光
（画素部以外への入射光）を無駄なく有効に利用して、
大きな電力を得ることができる。
【００２０】また、本発明の液晶表示素子において、太
陽電池を設けた基板側の表示用電極を、前記太陽電池を
覆って設けた絶縁膜の上に形成すれば、一対の基板の表
示用電極間に印加される電圧に応じた電界を、太陽電池
の影響を受けることなく液晶に印加することができる。
【００２１】さらに、前記太陽電池を液晶表示素子の表
面側基板の内面に設ける場合、この太陽電池を各画素間
の間隙に対応するブラックマスクを兼ねるものとすれ
ば、表示画像を鮮明に見せるためのブラックマスクを別
に設ける必要がないため、液晶表示素子の製造を容易に
することができる。
【００２２】この場合、前記太陽電池を、基板面に形成
された第１の電極と、前記第１の電極の上に積層された
ｐ型およびｎ型半導体膜と、この半導体膜の上に形成さ
れた第２の電極とで構成するとともに、前記第１および
第２の電極のうち、液晶表示素子の光入射面側に対向す
る電極を透明導電膜で形成し、他方の電極を遮光性金属
膜で形成すれば、透過光が前記金属膜からなる電極で遮
光されるため、この太陽電池にブラックマスクを兼ねさ
せることができる。
【００２３】また、前記太陽電池は、ｐ型およびｎ型半
導体膜を積層した厚膜の半導体積層膜で構成してもよ
く、この半導体積層膜の膜厚が厚ければ、透過光が前記
半導体積層膜においてほとんど吸収されるため、この太
陽電池にブラックマスクを兼ねさせることができる。
【００２４】さらに、本発明をカラー液晶表示素子に適
用する場合、前記表面側基板の内面に、各画素にそれぞ
れ対応させて複数の色のカラーフィルタを設け、これら
カラーフィルタの間に前記太陽電池を設ければ、太陽電
池を設けたことによる液晶表示素子の厚型化を防ぐこと
ができる。
【００２５】また、太陽電池を液晶表示素子の裏面側基
板の内面に設ける場合、液晶表示素子は、その表面側基
板の内面に各画素間の間隙に対応するブラックマスクを
設けたものであってもよく、その場合でも、前記太陽電
池の光入射面を液晶表示素子の裏面側に対向させておけ
ば、液晶表示素子に対してその裏面側から光を入射させ
ることによって、前記太陽電池に電力を発生させること
ができる。
【００２６】また、液晶表示素子が反射／透過兼用型の
ものである場合は、前記太陽電池を表裏いずれか一方の
基板の内面に設けてもよいが、この太陽電池を両方の基
板の内面にそれぞれ設け、かつ、表面側基板に設けた太
陽電池の光入射面を液晶表示素子の表面側に対向させ、
裏面側基板に設けた太陽電池の光入射面を液晶表示素子
の裏面側に対向させておけば、外光を利用する反射型表
示の際には表面側基板に設けた太陽電池によって電力を
得、バックライトからの光を利用する透過型表示の際に
は裏面側基板に設けた太陽電池によって電力を得ること
ができる。
【００２７】
【実施例】図１〜図６は本発明の第１の実施例を示して
おり、図１は液晶表示素子の一部分の平面図、図２およ
び図３は図１のII−II線および III−III 線に沿う拡大
断面図である。
【００２８】この実施例のアクティブマトリックス型液
晶表示素子は、能動素子にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
を用いたものであり、液晶ＬＣをはさんで対向する表裏
一対の基板（ガラス板等からなる透明基板）１，２のう
ち、裏面側基板（図２および図３において下側の基板）
１の内面には、透明な画素電極３が行方向（図１におい
て左右方向）および列方向（図１において上下方向）に
配列形成されるとともに、これら画素電極３にそれぞれ
対応させてＴＦＴ４が配設されている。
【００２９】上記ＴＦＴ４は、図１および図２に示すよ
うに、裏面側基板１の上に形成されたゲート電極５と、
このゲート電極５を覆うゲート絶縁膜６と、このゲート
絶縁膜６の上に前記ゲート電極５と対向させて形成され
たａ−Ｓi （アモルファスシリコン）からなるｉ型半導
体膜７と、このｉ型半導体膜７の上にｎ型不純物をドー
プしたａ−Ｓi からなるｎ型半導体膜８を介して形成さ
れたソース電極９ｓおよびドレイン電極９ｄとからなっ
ている。
【００３０】また、前記裏面側基板１の上には、各画素
電極行の一側にそれぞれ沿わせて、これら各行のＴＦＴ
４にゲート信号を供給するゲートライン１０が配線され
ており、各行のＴＦＴ４のゲート電極５はそれぞれ、そ
の行に対応するゲートライン１０に一体に形成されてい
る。なお、上記ＴＦＴ４のゲート絶縁膜６は、基板１の
ほぼ全面にわたって形成されており、前記ゲートライン
１０は、その端子部を除いてゲート絶縁膜６で覆われて
いる。
【００３１】また、上記ゲート絶縁膜６の上には、各画
素電極列の一側にそれぞれ沿わせて、これら各列の各Ｔ
ＦＴ４に画像データに応じた電位のデータ信号を供給す
るデータライン１１が配線されており、各列のＴＦＴ４
のドレイン電極９ｄはそれぞれ、その列に対応するデー
タライン１１につながっている。
【００３２】なお、この実施例では、前記データライン
１１をＴＦＴ４のドレイン電極９ｄと一体の配線として
いるが、このデータライン１１は、上記ゲート絶縁膜６
上のデータライン配線領域に層間絶縁膜を設けてその上
に配線してもよく、その場合は、前記層間絶縁膜に、各
ＴＦＴ４のドレイン電極９ｄに対応するコンタクト孔を
形成して、このコンタクト孔において前記データライン
１１をＴＦＴ４のドレイン電極９ｄに接続すればよい。
【００３３】また、上記ゲート絶縁膜６は、Ｓi Ｎ（窒
化シリコン）等からなる透明絶縁膜とされており、画素
電極３は、前記ゲート絶縁膜６の上に形成されて、その
一側縁の端部において、対応するＴＦＴ４のソース電極
９ｓに接続されている。
【００３４】一方、表面側基板（図２および図３におい
て上側の基板）２の内面には、透過光を着色してカラー
表示を得るための複数色、例えば赤、緑、青の３色のカ
ラーフィルタ１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂと、液晶表示素子
への入射光を利用して電力を得るための太陽電池１５が
設けられており、その上に、これらを覆う透明な絶縁膜
１３を介して、上記裏面側基板１側の全ての画素電極３
に対向する１枚膜状の透明な対向電極１２が設けられて
いる。
【００３５】上記カラーフィルタ１４Ｒ，１４Ｇ，１４
Ｂはそれぞれ、液晶表示素子の各画素（画素電極３と対
向電極１２とが液晶ＬＣをはさんで対向している部分）
に各々対応するドット状パターンに形成されており、こ
れらカラーフィルタ１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂは、行方向
および列方向にそれぞれ、赤色フィルタ１４Ｒ、緑色フ
ィルタ１４Ｇ、青色フィルタ１４Ｂの順に交互に並べて
設けられている。
【００３６】また、上記太陽電池１５は、上記各色のカ
ラーフィルタ１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂの間に、各画素間
の間隙に対応させて設けられており、この太陽電池１５
は、液晶表示素子の表示領域全体にわたって、各画素に
対応する部分が開口した格子状パターンに形成されてい
る。なお、この太陽電池１５の上記ＴＦＴ４に対応する
部分は、このＴＦＴ４を覆い隠す幅に形成されている。
【００３７】図４は、上記表面側基板２の一部の拡大断
面図であり、上記太陽電池１５は、基板２面に形成され
た第１の電極（以下、上部電極という）１６と、前記上
部電極１６の上に積層されたｐ型およびｎ型半導体膜１
７ｐ，１７ｎと、この半導体膜１７ｐ，１７ｎの上に形
成された第２の電極（以下、下部電極という）１８とか
らなっている。
【００３８】上記太陽電池１５は、市販の太陽電池と同
様に、外部から光を受けて電力を発生するものであり、
この太陽電池１５が発生する電力（ｐ型およびｎ型半導
体膜１７ｐ，１７ｎで構成されるｐ−ｎ接合の両側に生
じる光起電力）は、上下の電極１６，１７の端子部（図
示しないが、表面側基板の側縁部に導出させて形成され
ている）から取り出される。
【００３９】また、この太陽電池１５の上下の電極１
６，１８のうち、液晶表示素子の光入射面側に対向する
電極は、ＩＴＯ等からなる透明導電膜で形成されてお
り、他方の電極は、この太陽電池１５に、表示画像を鮮
明に見せるためのブラックマスクを兼ねさせるために、
Ｃr （クロム）等の遮光性金属膜で形成されている。
【００４０】このように、太陽電池１５の上下の電極１
６，１８のうち、光入射面側とは反対側の電極を遮光性
金属膜で形成すれば、透過光が前記金属膜からなる電極
で遮光されるため、前記太陽電池１５にブラックマスク
を兼ねさせることができる。
【００４１】なお、この実施例の液晶表示素子は、図示
しないバックライトからの光を裏面側から入射させて表
示する透過型のものであり、したがって、この実施例で
は、上記太陽電池１５の下部電極１８を透明導電膜で形
成し、上部電極１６を遮光性金属膜で形成している。
【００４２】図５は上記太陽電池１５の形成方法を示し
ており、この太陽電池１５は、表面側基板２の上に太陽
電池１５を構成する各膜を成膜し、これら太陽電池構成
膜をフォトリソグラフィ法によってパターニングする方
法で形成されている。
【００４３】この太陽電池１５の形成方法を説明する
と、まず、図５の（ａ）に示すように、表面側基板２の
上に、太陽電池構成膜、つまり、Ｃr 等の遮光性金属膜
からなる上部電極１６と、ｐ型不純物をドープしたａ−
Ｓi からなるｐ型半導体膜１７ｐと、ｎ型不純物をドー
プしたａ−Ｓi からなるｎ型半導体膜１７ｎと、ＩＴＯ
等の透明導電膜からなる下部電極１８とを順次成膜す
る。なお、前記上部電極１６と下部電極１８はスパッタ
装置により成膜し、ｐ型半導体膜１７ｐとｎ型半導体膜
１７ｎはプラズマＣＶＤ装置により連続して成膜する。
【００４４】次に、上記太陽電池構成膜の上（下部電極
１８の上）に、フォトレジストの塗布およびその露光，
現像処理によって、各画素間の間隙に対応する格子状パ
ターンのレジストマスク３０を形成し、その状態で前記
太陽電池構成膜を図５の（ｂ）に示すようにエッチング
して、上述した格子状パターンの太陽電池１５を形成す
る。なお、前記レジストマスク３０は、太陽電池１５の
形成後に剥離する。
【００４５】また、上記カラーフィルタ１４Ｒ，１４
Ｇ，１４Ｂは、上記太陽電池１５を形成した後に形成さ
れたものであり、このカラーフィルタ１４Ｒ，１４Ｇ，
１４Ｂは次のようにして形成されている。
【００４６】図６は上記カラーフィルタ１４Ｒ，１４
Ｇ，１４Ｂの形成方法を示しており、この図では、上記
太陽電池１５を塗りつぶして示している。図６の（ａ）
および（ｂ）は、第１の色のカラーフィルタ、例えば赤
色フィルタ１４Ｒの形成工程図であり、この赤色フィル
タ１４Ｒは、上記太陽電池１５を形成した表面側基板２
の上に、赤の感光性カラーレジスト（赤の顔料を添加し
た感光性レジスト）を転写印刷法等によって塗布して図
６の（ａ）に示すように赤色レジスト膜１４Ｒ′を形成
し、このレジスト膜１４Ｒ′を、赤色フィルタ１４Ｒの
形成領域に対応する部分が開口する露光マスク３１を用
いて基板２の反対面（下面）側から露光処理し、その
後、露光処理したレジスト膜１４Ｒ′を現像処理して、
図６の（ｂ）に示すように残されたレジスト膜を赤色フ
ィルタ１４Ｒとする方法で形成する。
【００４７】また、図６の（ｃ）および（ｄ）は、第２
の色のカラーフィルタ、例えば緑色フィルタ１４Ｇの形
成工程図であり、この緑色フィルタ１４Ｇは、上記赤色
フィルタ１４Ｒを形成した後、基板２上に緑の感光性カ
ラーレジスト（緑の顔料を添加した感光性レジスト）を
転写印刷法等によって塗布して図６の（ｃ）に示すよう
に緑色レジスト膜１４Ｇ′を形成し、このレジスト膜１
４Ｇ′を、緑色フィルタ１４Ｇの形成領域に対応する部
分が開口する露光マスク３２を用いて基板２の反対面側
から露光処理し、その後、露光処理したレジスト膜１４
Ｇ′を現像処理して、図６の（ｄ）に示すように残され
たレジスト膜を緑色フィルタ１４Ｇとする方法で形成す
る。
【００４８】さらに、図６の（ｅ）および（ｆ）は、第
３の色のカラーフィルタ、例えば青色フィルタ１４Ｂの
形成工程図であり、この青色フィルタ１４Ｂは、上記赤
色フィルタ１４Ｒおよび緑色フィルタ１４Ｇを形成した
後、基板２上に青の感光性カラーレジスト（青の顔料を
添加した感光性レジスト）を転写印刷法等によって塗布
して図６の（ｅ）に示すように青色レジスト膜１４Ｂ′
を形成し、このレジスト膜１４Ｂ′を、青色フィルタ１
４Ｂの形成領域に対応する部分が開口する露光マスク３
３を用いて基板２の反対面側から露光処理し、その後、
露光処理したレジスト膜１４Ｂ′を現像処理して、図６
の（ｆ）に示すように残されたレジスト膜を青色フィル
タ１４Ｂとする方法で形成する。
【００４９】すなわち、上記太陽電池１５とカラーフィ
ルタ１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂの形成方法は、まず基板２
上に、太陽電池構成膜の成膜およびそのパターニングに
より太陽電池１５を形成し、その後、この基板２上にネ
ガ型の感光性カラーレジストを塗布して、基板２の反対
面側から露光処理した後に現像処理する方法で各色のカ
ラーフィルタ１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂを順次形成するも
のである。
【００５０】この太陽電池とカラーフィルタの形成方法
においては、基板２上にブラックマスクを兼ねる太陽電
池１５を形成した後にカラーフィルタ１４Ｒ，１４Ｇ，
１４Ｂを形成するとともに、このカラーフィルタ１４
Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂを形成する際のカラーレジスト膜１
４Ｒ′，１４Ｇ′，１４Ｂ′の露光処理を、基板２の反
対面側から光を照射して行なっているため、前記カラー
レジスト膜１４Ｒ′，１４Ｇ′，１４Ｂ′の露光処理に
際して、その露光領域が、ブラックマスクを兼ねる太陽
電池１５によっても規制される。
【００５１】このため、上記太陽電池とカラーフィルタ
の形成方法によれば、カラーレジスト膜１４Ｒ′，１４
Ｇ′，１４Ｂ′の露光処理に際して、露光マスク３１，
３２，３３の位置合わせ精度にある程度の誤差があって
も、カラーレジスト膜１４Ｒ′，１４Ｇ′，１４Ｂ′の
太陽電池１５上の部分が露光されることはなく、したが
って、形成されたカラーフィルタ１４Ｒ，１４Ｇ，１４
Ｂの縁部が太陽電池１５の上に重なって、この部分に大
きな段差ができることはない。
【００５２】また、この太陽電池とカラーフィルタの形
成方法によれば、上記カラーレジスト膜１４Ｒ′，１４
Ｇ′，１４Ｂ′の露光領域を、ブラックマスクを兼ねる
太陽電池１５によって規制できるため、上記露光マスク
３１，３２，３３の開口の形状および寸法精度はある程
度ラフでよく、したがって、露光マスク３１，３２，３
３の製作も容易である。
【００５３】そして、上記太陽電池１５とカラーフィル
タ１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂを形成するとともにこれらを
覆って形成した透明絶縁膜１３の上に対向電極１２を設
けた表面側基板２と、画素電極３およびＴＦＴ４等を配
設した裏面側基板１とは、その電極形成面を互いに対向
させた状態で、図示しない枠状シール材を介して接合さ
れており、液晶ＬＣは、これら両基板１，２間の前記シ
ール材で囲まれた領域に充填されている。
【００５４】なお、この実施例の液晶表示素子は、ツィ
ステッド・ネマティック型のものであり、両基板１，２
間に充填された液晶ＬＣの分子は、両基板１，２の電極
形成面上に設けられた配向膜１９，２０によってそれぞ
れの基板１，２側での配向方向を規制され、両基板１，
２間において所定のツイスト角でツイスト配向されてい
る。また、図２および図３において、２１，２２は液晶
表示素子をはさんでその表面側と裏面側に配置された一
対の偏光板である。
【００５５】上記実施例の液晶表示素子は、図示しない
バックライトからの光を裏面側から入射させて表示する
透過型のものであり、透過型の液晶表示素子はバックラ
イトを必要とするため、この液晶表示素子を用いる電子
機器は、前記バックライトの点灯に大きな電力を消費し
てしまう。
【００５６】なお、テレビジョン受像機におけるスピー
カ等のような大きな電力を消費する素子を備えている電
子機器では、前記バックライトだけでなく、スピーカ等
の素子でも電力を大きく消費してしまう。
【００５７】しかし、上記液晶表示素子においては、そ
の表面側基板２の内面に、各画素間の間隙に対応させて
太陽電池１５を設けているため、この太陽電池１５が、
液晶表示素子に入射する光（バックライトからの光）の
うちの各画素間の間隙部分への入射光を受けて電力を発
生する。
【００５８】この場合、上記液晶表示素子では、各画素
間の間隙部分に入射した光のうち、裏面側基板１に設け
られているＴＦＴ４部分に入射した光は前記ＴＦＴ４に
よって遮られるが、他の部分に入射した光は液晶ＬＣを
通って表面側基板２側の太陽電池１５に入射する。
【００５９】すなわち、上記液晶表示素子は、液晶表示
素子への入射光を利用して電力を得る機能を備えたもの
であり、この液晶表示素子を、パーソナルコンピュータ
やテレビジョン受像機等の各種電子機器の表示体に用い
れば、前記太陽電池１５で得られる電力を電源電力の一
部に利用できるから、電子機器に対して外部から供給さ
れる電力の消費を低減し、結果的に電子機器の省電力化
をはかることができる。
【００６０】なお、上記太陽電池１５が発生する電力
は、この太陽電池１５上下の電極１６，１７の端子部
（図示せず）から取り出し、電圧安定化回路を経てバッ
クライトやスピーカ等の素子の電源部等に供給すればよ
い。
【００６１】しかも、上記液晶表示素子においては、前
記太陽電池１５を、各画素間の間隙に対応させて設けて
いるため、画素部分への入射光が太陽電池によって吸収
されることはなく、したがって、表示の明るさや開口率
の低下を生じることはないし、また、表示には使用しな
い光（画素部以外への入射光）を無駄なく有効に利用し
て、大きな電力を得ることができる。
【００６２】また、上記液晶表示素子は、太陽電池１５
を設けた表面側基板２側の表示用電極（この実施例では
対向電極）１２を、前記太陽電池１５を覆って設けた透
明絶縁膜１３の上に形成しているため、前記太陽電池１
５と表示用電極１２との間を前記絶縁膜１３によって絶
縁するとともに、一対の基板１，２の表示用電極間（画
素電極３と対向電極１２との間）に印加される電圧に応
じた電界を、太陽電池１５の影響を受けることなく液晶
ＬＣに印加することができる。
【００６３】さらに、上記実施例では、前記太陽電池１
５を液晶表示素子の表面側基板２の内面に設け、かつ、
この太陽電池１５を各画素間の間隙に対応するブラック
マスクを兼ねるものとしているため、表示画像を鮮明に
見せるためのブラックマスクを別に設ける必要がなく、
したがって、液晶表示素子の製造を容易にすることがで
きる。
【００６４】この場合、上記実施例では、前記太陽電池
１５を、基板２面に形成された上部電極１６と、前記上
部電極１６の上に積層されたｐ型およびｎ型半導体膜１
７ｐ，１７ｎと、この半導体膜１７ｐ，１７ｎの上に形
成された下部電極１８とで構成するとともに、その上下
の電極１６，１８のうち、液晶表示素子の光入射面側
（裏面側）に対向する下部電極１８は透明導電膜で形成
し、上部電極１６は遮光性金属膜で形成しているため、
透過光を前記金属膜からなる上部電極１６で遮光するこ
とができ、したがって、前記太陽電池１５にブラックマ
スクを兼ねさせることができる。
【００６５】また、上記液晶表示素子は、複数の色のカ
ラーフィルタを備えたカラー液晶表示素子であるが、上
記実施例では、表面側基板２の内面に、各画素にそれぞ
れ対応させてカラーフィルタ１４Ｒ、１４Ｇ，１４Ｂを
設け、これらカラーフィルタ１４Ｒ、１４Ｇ，１４Ｂの
間に前記太陽電池１５を設けているため、太陽電池１５
を設けたことによる液晶表示素子の厚型化を防ぐことが
できる。ここで、カラーフィルタ１４Ｒ、１４Ｇ，１４
Ｂは、モザイク状あるいはストライプ状のいずれに形成
してもよく、いずれの場合にも同様の効果を得ることが
できる。
【００６６】なお、上記第１の実施例では、太陽電池１
５を、ｐ型およびｎ型半導体膜１７ｐ，１７ｎを積層し
た半導体積層膜と、この半導体積層膜をはさむ上下の電
極１６，１８とで構成しているが、この太陽電池１５
は、ｐ型およびｎ型半導体膜１７ｐ，１７ｎを積層した
半導体積層膜のみで構成してもよい。
【００６７】図７は本発明の第２の実施例を示す液晶表
示素子の一部分の断面図であり、この実施例の液晶表示
素子は、太陽電池１５を、ｐ型およびｎ型半導体膜１７
ｐ，１７ｎを積層した半導体積層膜のみで構成し、か
つ、この半導体積層膜の膜厚を厚くしたものである。
【００６８】なお、この実施例の液晶表示素子は、太陽
電池１５を半導体積層膜のみで構成しているが、その他
の構成は上述した第１の実施例と同じであるから、重複
する説明は図に同符号を付して省略する。
【００６９】ただし、図示しないが、この実施例では、
太陽電池１５を構成するｐ型半導体膜１７ｐとｎ型半導
体膜１７ｎの周縁部または一側縁部に、太陽電池１５が
発生する電力を取り出すための導電膜を形成している。
【００７０】この実施例では、太陽電池１５を、ｐ型お
よびｎ型半導体膜１７ｐ，１７ｎを積層した半導体積層
膜のみで構成しているが、この半導体積層膜の膜厚を厚
くしているため、透過光を前記半導体積層膜においてほ
とんど吸収することができ、したがって、太陽電池１５
を前記半導体積層膜のみで構成したものでありながら、
この太陽電池１５にブラックマスクを兼ねさせることが
できる。
【００７１】なお、この実施例の液晶表示素子は、図示
しないバックライトからの光を裏面側から入射させて表
示する透過型のものであり、前記太陽電池１５は液晶表
示素子の裏面側から入射する光を受けて電力を発生する
ため、この実施例では、太陽電池１５を構成するｐ型お
よびｎ型半導体膜１７ｐ，１７ｎのうち、光が入射する
側の半導体膜（図ではｐ型半導体膜１７ｐ）を薄膜とし
てｐ型半導体膜１７ｐとｎ型半導体膜１７ｎの両方に十
分な光量の光を受光させるようにするとともに、光入射
側とは反対側の半導体膜（図ではｎ型半導体膜１７ｎ）
の膜厚を厚くして、前記太陽電池１５にブラックマスク
を兼ねさせている。
【００７２】この実施例の液晶表示素子においては、表
面側基板２の内面に半導体積層膜のみで構成された太陽
電池１５を設けて、この太陽電池１５にブラックマスク
を兼ねさせているため、外部の光が液晶表示素子にその
表面側から入射しても、その光のうちのブラックマスク
部分に入射した光を前記太陽電池１５で吸収することが
でき、したがって、表面側基板の内面にＣr 等の金属膜
からなるブラックマスクを設けているもののように、外
部光がブラックマスク面で反射されて、表示がギラつい
て見えることはない。
【００７３】また、この実施例の液晶表示素子において
も、その表面側基板２の内面に設けるカラーフィルタ１
４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂは、前記表面側基板２の内面に上
記太陽電池１５を形成（ｐ型およびｎ型半導体膜１７
ｐ，１７ｎの成膜およびそのパターニングにより形成）
した後に、図６に示した方法で形成すればよく、その場
合も、カラーフィルタ１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂを形成す
る際のカラーレジスト膜の露光処理に際して、その露光
領域がブラックマスクを兼ねる太陽電池１５によっても
規制されるため、形成されたカラーフィルタ１４Ｒ，１
４Ｇ，１４Ｂの縁部が太陽電池１５の上に重なってこの
部分に大きな段差ができることはない。
【００７４】また、上記第１および第２の実施例の液晶
表示素子では、その表面側基板２の内面に太陽電池１５
を設けているが、前記太陽電池１５は、裏面側基板１の
内面に設けてもよい。
【００７５】図８は本発明の第３の実施例を示す液晶表
示素子の一部分の断面図であり、この実施例の液晶表示
素子は、その裏面側基板１の内面に、各画素間の間隙に
対応させて太陽電池１５を設けたものである。
【００７６】なお、この実施例の液晶表示素子は、太陽
電池１５を裏面側基板１の内面に設けたものであるが、
その他の構成は上述した第１の実施例と同じであるか
ら、重複する説明は図に同符号を付して省略する。
【００７７】ただし、この実施例では、裏面側基板１の
内面に設けた太陽電池１５を透明な絶縁膜２３で覆って
その上に画素電極３およびＴＦＴ４等を設け、前記太陽
電池１５とＴＦＴ４およびゲートライン等との間を前記
絶縁膜２３で絶縁するとともに、前記画素電極３と表面
側基板２の対向電極１２との間に印加される電圧に応じ
た電界を、太陽電池１５の影響を受けることなく液晶Ｌ
Ｃに印加することができるようにしている。
【００７８】また、この実施例では、液晶表示素子の表
面側基板２の内面に、各画素に各々対応するカラーフィ
ルタ１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂを設けるとともに、これら
カラーフィルタ１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂの間に、各画素
間の間隙に対応させてブラックマスク２４を設けてい
る。
【００７９】このブラックマスク２４は、例えば、カラ
ーフィルタ１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂと同様に、基板２上
に感光性のカラーレジストの塗布して露光および現像処
理する方法で形成されたものであり、この実施例では、
上記第１の実施例において設けている絶縁膜１３を省略
し、カラーフィルタ１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂおよびブラ
ックマスク２４の上に直接対向電極１２を形成してい
る。
【００８０】また、この実施例の液晶表示素子は、図示
しないバックライトからの光を裏面側から入射させて表
示する透過型のものであり、前記太陽電池１５の光入射
面は液晶表示素子の裏面側に対向している。
【００８１】なお、この実施例では、表面側基板２の内
面にブラックマスク２４を設けているため、前記太陽電
池１５にブラックマスクを兼ねさせる必要はなく、した
がって、太陽電池１５の上下の電極１６，１８は、その
両方をＩＴＯ等からなる透明導電膜で形成してもよい
し、液晶表示素子の裏面側に対向する光入射側の電極１
６を透明導電膜で形成し、他方の電極１８を金属膜で形
成してもよい。
【００８２】そして、この実施例の液晶表示素子におい
ても、その裏面側基板１の内面に、各画素間の間隙に対
応させて太陽電池１５を設けているため、この太陽電池
１５が、液晶表示素子に入射する光（バックライトから
の光）のうちの各画素間の間隙部分への入射光を受けて
電力を発生するから、この液晶表示素子を各種電子機器
の表示体に用いれば、前記太陽電池１５で得られる電力
を電源電力の一部に利用して、電子機器の省電力化をは
かることができる。
【００８３】なお、この実施例では、上記ブラックマス
ク２４をカラーレジストで形成しているが、このブラッ
クマスク２４は、Ｃr 等の金属膜で形成してもよい。ま
た、この実施例の液晶表示素子において、特にブラック
マスク２４をカラーレジストで形成する場合は、表面側
基板２の内面に設けるカラーフィルタ１４Ｒ，１４Ｇ，
１４Ｂを、前記表面側基板２の内面にブラックマスク２
４を形成した後に、図６に示した方法で形成するのが望
ましい。
【００８４】このように、ブラックマスク２４した後
に、図６に示した方法でカラーフィルタ１４Ｒ，１４
Ｇ，１４Ｂを形成すれば、カラーレジスト膜の露光処理
に際して、その露光領域がブラックマスク２４によって
も規制されるため、形成されたカラーフィルタ１４Ｒ，
１４Ｇ，１４Ｂの縁部がブラックマスク２４の上に重な
ってこの部分に大きな段差ができることはない。
【００８５】また、この実施例では、太陽電池１５を、
ｐ型およびｎ型半導体膜１７ｐ，１７ｎを積層した半導
体積層膜と、この半導体積層膜をはさむ上下の電極１
６，１８とで構成しているが、この太陽電池１５は、上
述した第２の実施例と同様に、ｐ型およびｎ型半導体膜
１７ｐ，１７ｎを積層した半導体積層膜のみで構成して
もよい。
【００８６】なお、上記第１〜第３の実施例の液晶表示
素子は、いずれも、カラーフィルタ１４Ｒ，１４Ｇ，１
４Ｂを備えたカラー液晶表示素子であるが、本発明は、
カラーフィルタを有しない白黒表示タイプのドットマト
リックス型液晶表示素子にも適用することができる。
【００８７】さらに、上記第１〜第３の実施例の液晶表
示素子は、いずれも、バックライトからの光を裏面側か
ら入射させて表示する透過型のものであるが、本発明
は、透過型のものに限らず、自然光や室内照明光等の外
光を利用し、表面側から入射する外光を裏面側の反射板
で反射させて表示する反射型のドットマトリックス型液
晶表示素子にも適用することができるもので、上記第１
〜第３のいずれの実施例のものも、その太陽電池１５を
上下を逆にした構成（光入射面を液晶表示素子の表面側
に対向させた構成）とするだけで、反射型表示素子とし
て使用することができる。
【００８８】この場合、第３の実施例の液晶表示素子を
反射型のものとすると、各画素間の間隙部分に入射した
光のうち、ＴＦＴ４部分に入射した光が前記ＴＦＴ４に
よって遮られるが、他の部分に入射した光は液晶ＬＣを
通って表面側基板２側の太陽電池１５に入射するから、
第３の実施例の液晶表示素子を反射型としても、前記太
陽電池１５によって電力を得ることができる。
【００８９】また、本発明は、液晶表示素子の裏面側に
ハーフミラーを配置して、十分な外光が得られる明るい
場所では反射型表示を行ない、暗い場所ではバックライ
トからの光を裏面側から入射させて表示する反射／透過
兼用型のドットマトリックス型液晶表示素子にも適用す
ることができるもので、その場合は、反射型素子として
しようする際に外光を太陽電池１５に入射させて電力を
得てもよいし、また、透過型素子として使用する際にバ
ックライトからの光を太陽電池１５に入射させて電力を
得てもよい。
【００９０】さらに、本発明を上記反射／透過兼用型の
ドットマトリックス型液晶表示素子にも適用する場合、
前記太陽電池１５を表裏いずれか一方の基板の内面に設
けてもよいが、この太陽電池１５を両方の基板１，２の
内面にそれぞれ設け、かつ、表面側基板２に設けた太陽
電池１５の光入射面を液晶表示素子の表面側に対向さ
せ、裏面側基板１に設けた太陽電池１５の光入射面を液
晶表示素子の裏面側に対向させておけば、外光を利用す
る反射型表示の際には表面側基板２に設けた太陽電池１
５によって電力を得、バックライトからの光を利用する
透過型表示の際には裏面側基板１に設けた太陽電池１５
によって電力を得ることができる。
【００９１】すなわち、図９は本発明の第４の実施例を
示す液晶表示素子の一部分の断面図であり、この液晶表
示素子は、その裏面側にハーフミラー２５を配置した反
射／透過兼用型のものであって、両方の基板１，２の内
面にそれぞれ太陽電池１５を設けるとともに、表面側基
板２に設けた太陽電池１５にブラックマスクを兼させた
ものである。
【００９２】なお、この実施例の液晶表示素子は、カラ
ーフィルタを有しない白黒表示タイプのものであるが、
カラーフィルタを備えていない点を除けば、表面側基板
２側の構成は上述した第１の実施例と同じであり、また
裏面側基板１側の構成は上述した第３の実施例と同じで
あるから、その詳細な説明は図に同符号を付して省略す
る。
【００９３】ただし、この実施例では、太陽電池１５
を、ｐ型およびｎ型半導体膜１７ｐ，１７ｎを積層した
半導体積層膜と、この半導体積層膜をはさむ上下の電極
１６，１８とで構成しているが、この太陽電池１５は、
上述した第２の実施例と同様に、ｐ型およびｎ型半導体
膜１７ｐ，１７ｎを積層した半導体積層膜のみで構成し
てもよい。
【００９４】さらに、上記第１〜第４の実施例では、太
陽電池１５の半導体積層膜を、ｐ型半導体膜１７ｐを光
の入射側に対向させた構成としているが、この半導体積
層膜は、ｎ型半導体膜１７ｎを光の入射側に対向させた
構成としてもよいし、また、ｐ型半導体膜１７ｐとｎ型
半導体膜１７ｎとの間にｉ半導体の薄膜を介在させた構
成としてもよい。
【００９５】また、上記各実施例の液晶表示素子は、Ｔ
ＦＴ４を能動素子とするアクティブマトリックス型のも
のであるが、本発明は、ＭＩＭ等の２端子の非線形抵抗
素子を能動素子とするアクティブマトリックス型液晶表
示素子にも、また単純マトリックス型あるいはセグメン
ト表示型の液晶表示素子にも適用することができる。
【００９６】
【発明の効果】本発明の液晶表示素子は、その少なくと
も一方の基板の内面に、各画素間の間隙に対応させて太
陽電池を設けたものであるため、液晶表示素子への入射
光を利用して電力を得ることができ、したがって、この
液晶表示素子を電子機器の表示体に用いれば、前記太陽
電池で得られる電力を電源電力の一部に利用できるか
ら、電子機器の省電力化をはかることができる。
【００９７】しかも、この液晶表示素子においては、前
記太陽電池を、各画素間の間隙に対応させて設けている
ため、画素部分への入射光が太陽電池によって吸収され
ることはなく、したがって、表示の明るさや開口率の低
下を生じることはないし、また、表示には使用しない光
（画素部以外への入射光）を無駄なく有効に利用して、
大きな電力を得ることができる。
【００９８】また、本発明の液晶表示素子において、太
陽電池を設けた基板側の表示用電極を、前記太陽電池を
覆って設けた絶縁膜の上に形成すれば、一対の基板の表
示用電極間に印加される電圧に応じた電界を、太陽電池
の影響を受けることなく液晶に印加することができる。
【００９９】さらに、前記太陽電池を液晶表示素子の表
面側基板の内面に設ける場合、この太陽電池を各画素間
の間隙に対応するブラックマスクを兼ねるものとすれ
ば、表示画像を鮮明に見せるためのブラックマスクを別
に設ける必要がないため、液晶表示素子の製造を容易に
することができる。
【０１００】この場合、前記太陽電池を、基板面に形成
された第１の電極と、前記第１の電極の上に積層された
ｐ型およびｎ型半導体膜と、この半導体膜の上に形成さ
れた第２の電極とで構成するとともに、前記第１および
第２の電極のうち、液晶表示素子の光入射面側に対向す
る電極を透明導電膜で形成し、他方の電極を金属膜で形
成すれば、透過光が前記金属膜からなる電極で遮光され
るため、この太陽電池にブラックマスクを兼ねさせるこ
とができる。
【０１０１】また、前記太陽電池は、ｐ型およびｎ型半
導体膜を積層した厚膜の半導体積層膜で構成してもよ
く、この半導体積層膜の膜厚が厚ければ、透過光が前記
半導体積層膜においてほとんど吸収されるため、この太
陽電池にブラックマスクを兼ねさせることができる。
【０１０２】さらに、本発明をカラー液晶表示素子に適
用する場合、前記表面側基板の内面に、各画素にそれぞ
れ対応させて複数の色のカラーフィルタを設け、これら
カラーフィルタの間に前記太陽電池を設ければ、太陽電
池を設けたことによる液晶表示素子の厚型化を防ぐこと
ができる。
【０１０３】また、太陽電池を液晶表示素子の裏面側基
板の内面に設ける場合、液晶表示素子は、その表面側基
板の内面に各画素間の間隙に対応するブラックマスクを
設けたものであってもよく、その場合でも、前記太陽電
池の光入射面を液晶表示素子の裏面側に対向させておけ
ば、液晶表示素子に対してその裏面側から光を入射させ
ることによって、前記太陽電池に電力を発生させること
ができる。
【０１０４】また、液晶表示素子が反射／透過兼用型の
ものである場合は、前記太陽電池を表裏いずれか一方の
基板の内面に設けてもよいが、この太陽電池を両方の基
板の内面にそれぞれ設け、かつ、表面側基板に設けた太
陽電池の光入射面を液晶表示素子の表面側に対向させ、
裏面側基板に設けた太陽電池の光入射面を液晶表示素子
の裏面側に対向させておけば、外光を利用する反射型表
示の際には表面側基板に設けた太陽電池によって電力を
得、バックライトからの光を利用する透過型表示の際に
は裏面側基板に設けた太陽電池によって電力を得ること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例を示す液晶表示素子の一
部分の平面図。
【図２】図１のII−II線に沿う拡大断面図。
【図３】図１の III−III 線に沿う拡大断面図。
【図４】第１の実施例の液晶表示素子における表面側基
板の一部の拡大断面図。
【図５】太陽電池１５の形成方法を示す図であり、
（ａ）は基板上に太陽電池構成膜を成膜した状態の断面
図、（ｂ）は太陽電池構成膜をパターニングした状態の
断面図。
【図６】カラーフィルタの形成方法を示す図であり、
（ａ）および（ｂ）は第１の色のカラーフィルタの形成
するためのカラーレジスト膜の露光処理状態および現像
処理後の状態の断面図、（ｃ）および（ｄ）は第２の色
のカラーフィルタの形成するためのカラーレジスト膜の
露光処理状態および現像処理後の状態の断面図、（ｅ）
および（ｆ）は第３の色のカラーフィルタの形成するた
めのカラーレジスト膜の露光処理状態および現像処理後
の状態の断面図。
【図７】本発明の第２の実施例を示す液晶表示素子の一
部分の断面図。
【図８】本発明の第３の実施例を示す液晶表示素子の一
部分の断面図。
【図９】本発明の第４の実施例を示す液晶表示素子の一
部分の断面図。
【符号の説明】
１…裏面側基板 ２…表面側基板 ＬＣ…液晶 ３…画素電極 ４…ＴＦＴ（能動素子） １０…ゲートライン １１…データライン １２…対向電極 １３…絶縁膜 １４Ｒ…赤色フィルタ １４Ｇ…緑色フィルタ １４Ｂ…青色フィルタ １５…太陽電池 １６，１８…電極 １７ｐ…ｐ型半導体膜 １７ｎ…ｎ型半導体膜 １９，２０…配向膜 ２１，２２…偏光板 ２３…絶縁膜 ２４…ブラックマスク ２５…ハーフミラー

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】液晶をはさんで対向する表面側基板と裏面
    側基板とのうち少なくとも一方の基板の内面に、各画素
    間の間隙に対応させて太陽電池を設けたことを特徴とす
    る液晶表示素子。
  2. 【請求項２】太陽電池を設けた基板側の表示用電極は、
    前記太陽電池を覆って設けた絶縁膜の上に形成されてい
    ることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子。
  3. 【請求項３】太陽電池は、表面側基板の内面に設けられ
    ており、この太陽電池が、各画素間の間隙に対応するブ
    ラックマスクを兼ねていることを特徴とする請求項１ま
    たは請求項２に記載の液晶表示素子。
  4. 【請求項４】太陽電池は、基板面に形成された第１の電
    極と、前記第１の電極の上に積層されたｐ型およびｎ型
    半導体膜と、この半導体膜の上に形成された第２の電極
    とからなっており、前記第１および第２の電極のうち、
    液晶表示素子の光入射面側に対向する電極が透明導電膜
    で形成され、他方の電極が遮光性金属膜で形成されてい
    ることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示素子。
  5. 【請求項５】太陽電池は、ｐ型およびｎ型半導体膜を積
    層した厚膜の半導体積層膜からなっていることを特徴と
    する請求項３に記載の液晶表示素子。
  6. 【請求項６】表面側基板の内面には、各画素にそれぞれ
    対応させて複数の色のカラーフィルタが設けられてお
    り、これらカラーフィルタの間に太陽電池が設けられて
    いることを特徴とする請求項３〜請求項５のいずれか１
    つに記載の液晶表示素子。
  7. 【請求項７】太陽電池は、裏面側基板の内面に設けられ
    ていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載
    の液晶表示素子。
  8. 【請求項８】表面側基板の内面には、各画素間の間隙に
    対応するブラックマスクが設けられており、太陽電池の
    光入射面は液晶表示素子の裏面側に対向していることを
    特徴とする請求項７に記載の液晶表示素子。
  9. 【請求項９】太陽電池は、両方の基板の内面にそれぞれ
    設けられており、表面側基板に設けられた太陽電池の光
    入射面は液晶表示素子の表面側に対向し、裏面側基板に
    設けられた太陽電池の光入射面は液晶表示素子の裏面側
    に対向していることを特徴とする請求項１または請求項
    ２に記載の液晶表示素子。
JP6227507A 1994-09-22 1994-09-22 液晶表示素子 Pending JPH0894992A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6227507A JPH0894992A (ja) 1994-09-22 1994-09-22 液晶表示素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6227507A JPH0894992A (ja) 1994-09-22 1994-09-22 液晶表示素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0894992A true JPH0894992A (ja) 1996-04-12

Family

ID=16861987

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6227507A Pending JPH0894992A (ja) 1994-09-22 1994-09-22 液晶表示素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0894992A (ja)

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10161147A (ja) * 1996-11-20 1998-06-19 Samsung Display Devices Co Ltd 液晶表示素子
JPH10256579A (ja) * 1997-03-13 1998-09-25 Toshiba Corp 光電変換素子
CN100360993C (zh) * 2002-05-14 2008-01-09 荣汉斯·乌伦股份公司 具有太阳电池机构和液晶显示器的装置
JP2008003640A (ja) * 2002-03-19 2008-01-10 Seiko Epson Corp 液晶表示装置、電気光学装置とその製造方法、電子機器
JP2008164851A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Lg Display Co Ltd 表示装置
WO2009052326A3 (en) * 2007-10-19 2009-08-06 Qualcomm Mems Technologies Inc Display with integrated photovoltaics
KR100943714B1 (ko) * 2003-02-27 2010-02-23 삼성전자주식회사 액정표시장치
CN1854828B (zh) 2005-04-01 2010-10-06 三菱电机株式会社 液晶显示装置及采用该液晶显示装置的大型液晶显示装置
WO2012060246A1 (ja) * 2010-11-02 2012-05-10 シャープ株式会社 太陽電池を備えた表示装置及び電子機器
JP2012134476A (ja) * 2010-12-02 2012-07-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、電子機器、及び照明装置
KR101303152B1 (ko) * 2006-06-29 2013-09-09 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자
CN103728753A (zh) * 2013-12-31 2014-04-16 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置
FR2999009A1 (fr) * 2012-12-04 2014-06-06 Wysips Dispositif pourvu d'un reseau photovoltaique optimise place devant une image
WO2014055549A3 (en) * 2012-10-01 2014-07-03 Ubiquitous Energy, Inc. Wavelength-selective photovoltaic for a display or for a device with a display
CN103913888A (zh) * 2014-03-28 2014-07-09 京东方科技集团股份有限公司 一种彩膜基板、显示装置及彩膜基板的制造方法
US8848294B2 (en) 2010-05-20 2014-09-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and structure capable of changing color saturation
US8872085B2 (en) 2006-10-06 2014-10-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display device having front illuminator with turning features
US8928967B2 (en) 1998-04-08 2015-01-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US8941631B2 (en) 2007-11-16 2015-01-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Simultaneous light collection and illumination on an active display
US8971675B2 (en) 2006-01-13 2015-03-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interconnect structure for MEMS device
US9019183B2 (en) 2006-10-06 2015-04-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Optical loss structure integrated in an illumination apparatus
US9019590B2 (en) 2004-02-03 2015-04-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Spatial light modulator with integrated optical compensation structure
US9025235B2 (en) 2002-12-25 2015-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Optical interference type of color display having optical diffusion layer between substrate and electrode
US9110289B2 (en) 1998-04-08 2015-08-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Device for modulating light with multiple electrodes
WO2016059303A1 (fr) * 2014-10-15 2016-04-21 Sunpartner Technologies Module photovoltaïque polarisant intégré dans l'écran d'un dispositif électronique d'affichage
US9831826B2 (en) 2013-12-31 2017-11-28 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate and display device
CN110895374A (zh) * 2019-11-26 2020-03-20 上海天马微电子有限公司 显示面板及显示装置

Cited By (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10161147A (ja) * 1996-11-20 1998-06-19 Samsung Display Devices Co Ltd 液晶表示素子
JPH10256579A (ja) * 1997-03-13 1998-09-25 Toshiba Corp 光電変換素子
US8928967B2 (en) 1998-04-08 2015-01-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US9110289B2 (en) 1998-04-08 2015-08-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Device for modulating light with multiple electrodes
JP2008003640A (ja) * 2002-03-19 2008-01-10 Seiko Epson Corp 液晶表示装置、電気光学装置とその製造方法、電子機器
CN100360993C (zh) * 2002-05-14 2008-01-09 荣汉斯·乌伦股份公司 具有太阳电池机构和液晶显示器的装置
US7460188B2 (en) 2002-05-14 2008-12-02 Junghans Uhren Gmbh Solar-powered device comprising a solar cell arrangement and a liquid crystal display and method of making
US9025235B2 (en) 2002-12-25 2015-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Optical interference type of color display having optical diffusion layer between substrate and electrode
KR100943714B1 (ko) * 2003-02-27 2010-02-23 삼성전자주식회사 액정표시장치
US9019590B2 (en) 2004-02-03 2015-04-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Spatial light modulator with integrated optical compensation structure
CN1854828B (zh) 2005-04-01 2010-10-06 三菱电机株式会社 液晶显示装置及采用该液晶显示装置的大型液晶显示装置
US8971675B2 (en) 2006-01-13 2015-03-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interconnect structure for MEMS device
KR101303152B1 (ko) * 2006-06-29 2013-09-09 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자
US8872085B2 (en) 2006-10-06 2014-10-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display device having front illuminator with turning features
US9019183B2 (en) 2006-10-06 2015-04-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Optical loss structure integrated in an illumination apparatus
JP2008164851A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Lg Display Co Ltd 表示装置
CN101828145B (zh) 2007-10-19 2012-03-21 高通Mems科技公司 具有集成光伏元件的显示器
WO2009052326A3 (en) * 2007-10-19 2009-08-06 Qualcomm Mems Technologies Inc Display with integrated photovoltaics
US8941631B2 (en) 2007-11-16 2015-01-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Simultaneous light collection and illumination on an active display
US8848294B2 (en) 2010-05-20 2014-09-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and structure capable of changing color saturation
WO2012060246A1 (ja) * 2010-11-02 2012-05-10 シャープ株式会社 太陽電池を備えた表示装置及び電子機器
JP2017017361A (ja) * 2010-12-02 2017-01-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2020095968A (ja) * 2010-12-02 2020-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2012134476A (ja) * 2010-12-02 2012-07-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、電子機器、及び照明装置
JP2018166112A (ja) * 2010-12-02 2018-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US9347628B2 (en) 2010-12-02 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, electronic device, and lighting device
WO2014055549A3 (en) * 2012-10-01 2014-07-03 Ubiquitous Energy, Inc. Wavelength-selective photovoltaic for a display or for a device with a display
US10403774B2 (en) 2012-10-01 2019-09-03 Ubiquitous Energy, Inc. Wavelength-selective photovoltaic for a display or for a device with a display
WO2014087059A1 (fr) * 2012-12-04 2014-06-12 Sunpartner Technologies Dispositif pourvu d'un réseau photovoltaïque optimisé placé devant une image
FR2999009A1 (fr) * 2012-12-04 2014-06-06 Wysips Dispositif pourvu d'un reseau photovoltaique optimise place devant une image
CN103728753A (zh) * 2013-12-31 2014-04-16 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置
US9831826B2 (en) 2013-12-31 2017-11-28 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate and display device
US9477019B2 (en) 2014-03-28 2016-10-25 Boe Technology Group Co., Ltd. Color filter substrate, display device and method for manufacturing a color filter substrate
CN103913888B (zh) * 2014-03-28 2016-08-17 京东方科技集团股份有限公司 一种彩膜基板、显示装置及彩膜基板的制造方法
CN103913888A (zh) * 2014-03-28 2014-07-09 京东方科技集团股份有限公司 一种彩膜基板、显示装置及彩膜基板的制造方法
FR3027440A1 (fr) * 2014-10-15 2016-04-22 Sunpartner Technologies Module photovoltaique polarisant integrant dans l'ecran d'un dispositif electronique d'affichage
WO2016059303A1 (fr) * 2014-10-15 2016-04-21 Sunpartner Technologies Module photovoltaïque polarisant intégré dans l'écran d'un dispositif électronique d'affichage
CN110895374A (zh) * 2019-11-26 2020-03-20 上海天马微电子有限公司 显示面板及显示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0894992A (ja) 液晶表示素子
US5668649A (en) Structure of liquid crystal display device for antireflection
KR100262227B1 (ko) 액정표시장치
TWI242086B (en) Electro-optical panel and electronic equipment
US7626669B2 (en) LCD device with data/gate line pad electrodes and contact electrode including both a transparent conductive film and a metal layer interconnecting data link and data line through respective contact holes
JP2853656B2 (ja) 液晶パネル
JP4142058B2 (ja) 電気光学装置および電子機器
KR100660531B1 (ko) 반사투과 복합형 박막트랜지스터 액정표시장치
JPH03249622A (ja) 液晶表示装置
JPH11109390A (ja) 液晶表示装置
WO2017128576A1 (zh) Ltps显示面板及其制作方法
WO2019033593A1 (zh) 透反式液晶显示装置及其制作方法
US6980270B2 (en) Active matrix substrate, liquid crystal display panel of transflective type, and liquid crystal display device of transflective type
US8581253B2 (en) Display substrate and method of manufacturing the same
US7403245B2 (en) Liquid crystal display device and method for fabricating the same
JP3283221B2 (ja) 液晶表示素子
TW200407643A (en) Substrate for liquid crystal display and liquid crystal display having the same
US20070188682A1 (en) Method for manufacturing a display device
US5659379A (en) Active matrix display device with a counter electrode having multiple potential supply terminals in an axially asymmetric layout and the manufacture thereof
KR100741537B1 (ko) 반투과형 액정표시장치 및 그 제조방법
JP4107047B2 (ja) 半透過型液晶表示装置
US8064024B2 (en) Transflective thin film transistor substrate of liquid crystal display device having a contact electrode connecting a data link to a data line
KR100978949B1 (ko) 반투과형 액정표시장치
US7609344B2 (en) Transflective liquid crystal display and manufacturing method thereof
JP4034470B2 (ja) 液晶表示装置およびその製造方法