JPH0896751A - 水銀ショートアークランプ - Google Patents

水銀ショートアークランプ

Info

Publication number
JPH0896751A
JPH0896751A JP7254451A JP25445195A JPH0896751A JP H0896751 A JPH0896751 A JP H0896751A JP 7254451 A JP7254451 A JP 7254451A JP 25445195 A JP25445195 A JP 25445195A JP H0896751 A JPH0896751 A JP H0896751A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
discharge tube
arc lamp
short arc
selectively
coating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7254451A
Other languages
English (en)
Inventor
Joern Dierks
デイールクス イエルン
Juergen Maier
マイヤー ユルゲン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Osram GmbH
Original Assignee
Patent Treuhand Gesellschaft fuer Elektrische Gluehlampen mbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Patent Treuhand Gesellschaft fuer Elektrische Gluehlampen mbH filed Critical Patent Treuhand Gesellschaft fuer Elektrische Gluehlampen mbH
Publication of JPH0896751A publication Critical patent/JPH0896751A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70016—Production of exposure light, i.e. light sources by discharge lamps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
    • C03C17/23—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
    • C03C17/3417—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials all coatings being oxide coatings
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/28—Interference filters
    • G02B5/283—Interference filters designed for the ultraviolet
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/02—Details
    • H01J61/12—Selection of substances for gas fillings; Specified operating pressure or temperature
    • H01J61/18—Selection of substances for gas fillings; Specified operating pressure or temperature having a metallic vapour as the principal constituent
    • H01J61/20—Selection of substances for gas fillings; Specified operating pressure or temperature having a metallic vapour as the principal constituent mercury vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/02—Details
    • H01J61/30—Vessels; Containers
    • H01J61/302—Vessels; Containers characterised by the material of the vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/02—Details
    • H01J61/38—Devices for influencing the colour or wavelength of the light
    • H01J61/40—Devices for influencing the colour or wavelength of the light by light filters; by coloured coatings in or on the envelope
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/84—Lamps with discharge constricted by high pressure
    • H01J61/86—Lamps with discharge constricted by high pressure with discharge additionally constricted by close spacing of electrodes, e.g. for optical projection
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/21—Oxides
    • C03C2217/212—TiO2
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/21—Oxides
    • C03C2217/213—SiO2
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/21—Oxides
    • C03C2217/23—Mixtures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/02—Details
    • H01J61/30—Vessels; Containers
    • H01J61/35—Vessels; Containers provided with coatings on the walls thereof; Selection of materials for the coatings

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Vessels And Coating Films For Discharge Lamps (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 放電アークで発生した有効波長３６５ｎｍの
放射光が放電管の外で殆んど弱められずに得られ、しか
も３６５ｎｍより小さい波長を持つ不所望な短波紫外線
が放電管でできるだけ完全に抑制される水銀ショートア
ークランプを提供する。 【解決手段】 水銀ショートアークランプは、３６５ｎ
ｍ波長の放射光の投影光源として、３６５ｎｍ以下の不
所望な短波紫外線を抑制するために多層干渉反射フィル
タをその外面に備え、かつこの多層干渉反射フィルタと
組み合わせられて放電管の内面に吸収性二酸化チタン膜
を有し、反射フィルタ上に二酸化チタンと二酸化シリコ
ンとの混合膜を持つか又は二酸化チタン及び必要に応じ
て二酸化すずをドープされた石英ガラスから製造された
放電管を有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、２つの電極と水銀
及びキセノンから成る充填物とを含む石英ガラス製放電
管を備えた水銀ショートアークランプに関する。
【０００２】
【従来の技術】水銀ショートアークランプは高輝度と高
紫外線放射密度を持つ投影光源として１９３０年代のほ
ぼ半ばから知られている（刊行物“Ｚ．Ｔｅｃｈ．Ｐｈ
ｙｓ．”第１１巻、（１９３６年発行）、第３７７頁参
照）。
【０００３】従って、この水銀ショートアークランプは
数年前からホトレジストを露光するためのマイクロホト
リソグラフィーにおいてもたとえば集積回路を製造する
際に使用されてきた。
【０００４】マイクロホトリソグラフィーの開発は最近
非常に進歩した。開発の中心は一方では集積回路のメモ
リ密度を高めることであり、他方では使用された製造方
法の経済性を改善することであった。
【０００５】最近の集積回路において益々大きくなるメ
モリ密度に関する要求は他方では益々小さくなるパター
ンの製造を必要とし、また所望の分解能は露光のために
使用された放射光の波長によってほぼ与えられるので、
最近では水銀ショートアークランプを装備した露光装置
に３６５ｎｍ波長の強い水銀線の放射光が使用されてい
る。というのは、この波長に適する結像装置が入手でき
るようになったからである。
【０００６】水銀ショートアークランプから出射した波
長３６５ｎｍの放射光を使用した露光方法の詳細は、例
えばドイツ連邦共和国特許出願公開第３５２７８５５号
公報に記載されている。
【０００７】集積回路を製造する際の経済性の改善に関
して重要なことは、ｋＷ範囲の定格電力を有する高出力
形ランプを使用することにより露光時間を短縮すること
である。
【０００８】しかしながらこのような高出力形水銀ショ
ートアークランプから３６５ｎｍの有効波長以下の短波
紫外線範囲で放射される放射光は相当な量となる。この
放射光は照射装置の光路内に配置された紫外線阻止フィ
ルタ（干渉及び色フィルタ）による費用の掛かるフィル
タリングにも拘わらず幾つかの問題を生ずる。というの
は、一方ではその放射光が残存なくフィルタリングされ
ることができず、他方ではフィルタリングによって有効
波長３６５ｎｍの放射光も同様に不可避的に弱められる
からである。
【０００９】例えば約３３０ｎｍ以下の波長の放射光は
結像光学素子内のガラスで吸収され、装置の許容できな
い加熱を防止するために、適当な冷却装置によって熱の
形で排出されなければならない。約３３０ｎｍ以下の放
射光はさらに結像光学素子内で使用された光学的接着剤
に比較的短時間で放射損傷（光重合）を生ぜしめ、３０
０ｎｍ以下の放射光は使用されたガラスに放射損傷（ソ
ラリゼーション）を生ぜしめる。
【００１０】２８０ｎｍ波長以下の放射光は周囲雰囲気
及びその中に存在する蒸気状不純物（例えばプロセス化
学薬品及び有機溶剤から成る）との交互作用によって、
光学部品の表面に沈積したりまたこの表面を乱す被膜を
形成するような、攻撃性及び反応性オゾンや縮合可能な
化合物ならびにクラック生成物を生ぜしめる。
【００１１】紫外線阻止フィルタ、冷却及び排気装置の
ための費用を制限し、かつ極めて高価な露光装置に関す
る保守及び修理作業による休止時間（通常１日掛かる）
を最少限にするために、有効波長３６５ｎｍの放射光の
他に擾乱的な短波紫外線をできるだけ放射しないような
ランプを使用することが望ましい。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明の課題
は、放電アークで発生した有効波長３６５ｎｍの放射光
は放電管の外では実質上弱められずに、これに対して３
６５ｎｍより小さい波長を持つ不所望な短波紫外線は放
電管内でできるだけ完全に抑制されるような冒頭で述べ
た種類の水銀ショートアークランプを提供することにあ
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この課題は本発明によれ
ば、放電管がランプ点灯の際に少なくとも４００℃の表
面温度を有し、かつバナジウムドーピングを全く行わず
に、波長３６５ｎｍの水銀線の放射光及びそれより大き
い波長の放射光を実際上弱めずに通過させ、一方３６５
ｎｍより小さい波長を持つ放射光が放電管から出射する
のをほぼ完全に阻止する手段を備えることによって解決
される。
【００１４】このような課題を解決する際の特別な難点
は、一方では、有効波長３６５ｎｍと擾乱的な短波紫外
線範囲とはスペクトル的に数１０ｎｍしか離れておら
ず、設置すべき光学手段はそれゆえ有効波長３６５ｎｍ
以下の短波長側へ向かう波長の透過をできるだけ急勾配
で低下させなければならない点と、他方では、最近の露
光装置においては露光すべき原型を照明する際に極度の
均一性を要求されるので、放電管の光学品質に関して非
常に高い要求が出されている点とである。
【００１５】このような課題をバナジウムの酸化物が必
要に応じてチタン及びすずと共にドープされた石英ガラ
スから成る放電管を使用することによって解決しようと
した試みは一部分しか成功しなかった。
【００１６】その理由は、一方では、有効波長３６５ｎ
ｍ以下の短波長側へ向かう波長での酸化バナジウムによ
って惹き起こされた透過低下は十分に急勾配ではなく、
それゆえドーピングの強さに応じて相変わらず３００〜
３３０ｎｍ波長の擾乱的な短波放射光の一部分が放電管
から出射するか、又はこの波長範囲での短波紫外線を十
分に抑制すると共に有効波長の放射光を吸収してしまう
ことにあり、他方では、石英ガラス材料の光学特性及び
加工特性はバナジウム、チタン及びすずの酸化物の同時
ドーピングによって明らかに悪化することにある。
【００１７】例えば、このような材料から製造された放
電管は高い泡立ちを呈し、また出発材料における使用さ
れたドーピング物質の全く均一ではない分布により明ら
かに惹き起こされるような帯状のしまを時折呈する。こ
のしまによって、最近の露光装置内で集積回路を製造す
る際マスク面を極めて均一に照明するために必要とされ
るような光度分布の高い均一性が妨げられる。
【００１８】また酸水素炎内のガラス旋盤上でドープさ
れた出発石英ガラス管から手作業にて成形ローラにより
成形された放電管の製造は、ドープされていない石英ガ
ラスから製造する際の長さのほぼ２倍も掛かり、しかも
高い加熱エネルギー費用を必要とする。
【００１９】長い加熱時間を要する理由は、金属酸化物
をドープされた石英ガラスが赤外線で高められた放射率
を持つという事実にある。それによって、酸水素炎内で
変形のために約２０００℃近辺まで加熱されたドープさ
れた石英ガラス管は、高い放射冷却のために、ドープさ
れていない対応する石英ガラス管よりも明らかに速く、
石英ガラスを変形させ得る温度範囲から離脱しまう。こ
のことにより、金属酸化物をドープされた石英ガラス管
から成る放電管を成形するために、経験によれば、加熱
工程の回数はドープされていない石英ガラス管を使用す
る場合の加熱工程の回数の約２倍を費やさなければなら
ない。
【００２０】適当な金属酸化物をドープされた石英ガラ
スから成る放電管の壁内での吸収によって擾乱的な短波
紫外線を抑制する際の他の欠点は、例えば１５００Ｗの
定格電力を持つランプの場合、吸収された放射光パワー
によって、ドープされていない石英ガラスから成る放電
管を持つランプに比較して約１５０〜２００℃のガラス
球強度を許容し得ない程低下させる温度上昇を来すとい
う事実である。この温度上昇は既に紹介したランプの場
合適当に大きくされた（従って高価な）放電管を費用を
掛けて再開発すること及び露光装置において相応して整
合させることによって補償されなければならない。
【００２１】それゆえ本発明の優れた一つの実施態様に
おいては、放電管はドープされていない石英ガラスから
製造されてその外面に選択的に放射光を反射するフィル
タを備え、また他の実施態様においては補助的にその内
面に選択的に放射光を吸収する二酸化チタン被膜を備え
るか又はその内面に選択的に放射光を吸収する二酸化チ
タン被膜を備えてその外面に選択的に放射光を吸収する
二酸化チタン・二酸化シリコン混合被膜を備える。
【００２２】他の優れた実施態様においては、放電管の
外面に多層干渉反射フィルタが設けられ、補助的にその
内面に吸収性二酸化チタン被膜が設けられる。
【００２３】更に他の優れた実施態様においては、放電
管の外面に多層干渉反射フィルタが設けられ、補助的に
その多層干渉反射フィルタ上に最上層の高屈折膜として
多層干渉反射フィルタ内に組込まれた吸収性二酸化チタ
ンと二酸化シリコンとの混合被膜が設けられる。この場
合もガラス球の内面に同様に選択的に放射光を吸収する
二酸化チタン被膜が設けられる。
【００２４】選択的に放射光を吸収する二酸化チタン被
膜はしかしながら場合によっては二酸化チタンをドープ
された石英ガラスから成る放電管を使用することによっ
ても代用することができ、外側の二酸化チタン・二酸化
シリコン被膜は補助的に酸化すずを石英ガラスにドープ
することによって代用することができる。
【００２５】多層干渉反射フィルタは２４０〜３００ｎ
ｍの波長範囲の放射光を反射するのに優れており、また
２９０〜３３０ｎｍの波長範囲のフィルタ遮断波長（５
０％透過に相当）を提供する。多層干渉反射フィルタは
ＺｒＯ2 とＳｉＯ2 とを交互に積層されて約３０ｎｍ〜
５０ｎｍの厚みの８〜１６層、特に１０層、すなわち公
知のλ／４層構造で構成される。２４０ｎｍ以下ではＺ
ｒＯ2 によって放射光の吸収も行われる。ＺｒＯ2 膜は
約１．９８の屈折率を持ち、ＳｉＯ2 膜は約１．４５の
屈折率を持つ。
【００２６】膜は封着を行われて口金を取付けられてい
ないランプの放電管の外面にショット社（現オプト・ヒ
エム社）の公知の浸漬式被膜形成法に基づいて設けるこ
とができる。ＳｉＯ2 膜の膨張係数はアルカリ金属のド
ーピングによってＺｒＯ2 膜の膨張係数に整合し、それ
により放電管の外面では９００℃までの高い点灯温度に
達するにも拘わず膜の曇り又は剥離は生じない。
【００２７】金属酸化物から光単層及び多層干渉膜を製
造するための浸漬式被膜形成法は例えばドイツ連邦共和
国特許第３７４４３６８号明細書に記載されている。
【００２８】２４０ｎｍ（５０％透過）以下の放射光は
特に放電管の内面に設けられた吸収性二酸化チタン被膜
によって吸収される。最上層の高屈折膜として設けられ
た二酸化チタン・二酸化シリコン混合被膜は、多層干渉
反射フィルタを透過した約２８０ｎｍ（５０％透過）以
下の放射光を補助的に吸収する。
【００２９】放電管の内面に設けられた二酸化チタン被
膜及びその設置技術は短波オゾンを生成する紫外線を抑
制するための映写用オゾンフリー形キセノンショートア
ークランプによってずっと以前から知られている。この
二酸化チタン被膜も同様に浸漬法で設けられる。
【００３０】放電管の内面に二酸化チタン被膜を作成す
るために適当な（ドープされていない）石英ガラス管が
二酸化チタンを含む懸濁液内へ浸漬されることによって
洗浄され、外表面及び端部での不必要な洗浄が省略さ
れ、また石英ガラス管を放電管へ変形させる際にその内
表面に可視及び長波紫外線領域で透明かつ光学的に十分
な二酸化チタン被膜が形成される。
【００３１】放電管の外面への二酸化チタン・二酸化シ
リコン混合被膜の形成は、多層干渉反射フィルタを形成
する枠内で、封着を行われて口金を取付けられていない
ランプに対して浸漬法にて同様に行われる。膜厚は設け
られた酸化ジリコニウム及び二酸化シリコン膜の厚みと
同程度である。
【００３２】このようなフィルタの使用は３３０ｎｍ以
下の放射光を多量に吸収するのに有利である。それゆえ
多層干渉反射フィルタは、このような二酸化チタン・二
酸化シリコンの混合被膜と組み合わせると、有効波長３
６５ｎｍの放射光を減衰させることなく、２８０〜３３
０ｎｍの波長範囲の透過を急勾配で低下させる。
【００３３】有効波長の高い放射強度を得るために、ラ
ンプ充填物は０．１〜２．０バール、特に２バールの低
温充填圧で特に０．５〜１５ｍｇ／ｃｍ3 の水銀及びキ
セノンを含む。電極間隔は直流電圧で点灯されるこのよ
うなランプの場合特に２〜９ｍｍであり、定格電力は１
〜５ｋＷが有利である。
【００３４】
【実施例】次に本発明を複数の実施例に基づいて詳細に
説明する。
【００３５】図１には本発明による水銀ショートアーク
ランプ１が概略的に示されている。この水銀ショートア
ークランプ１は２つのランプ軸３を有する放電管２から
構成され、この放電管２内では２つの電極、即ち陽極５
と陰極６とが約３ｍｍの間隔で対向している。ランプ軸
３には、電極に導電的に結合された口金４が固定されて
いる。この水銀ショートアークランプ１は１０００Ｗの
定格電力を有する直流ランプである。放電管２はドープ
されていない石英ガラスから製作されている。この放電
管２は電極頂点７のところで約３０ｍｍの直径と約２．
８ｍｍの肉厚を有する。放電管は約８ｍｇ／ｃｍ3 の水
銀充填物と約１．７バールのキセノン充填物（低温）と
を有する。放電管はその外面に多層干渉反射フィルタを
備え、その内面に二酸化チタン被膜を備えている。
【００３６】他の実施例は３３００Ｗ定格電力を有する
水銀ショートアークランプである。放電管はこの場合も
同様にドープされていない石英ガラスから製作される。
この放電管は電極頂点のところで約７０ｍｍの直径と
３．５〜４．０ｍｍの肉厚を有する。放電管は約３ｍｇ
／ｃｍ3 の水銀充填物と約０．８バール（低温）のキセ
ノン充填物とを有する。放電管は同様にその外面に多層
干渉反射フィルタを備え、その内面に二酸化チタン被膜
を備える。
【００３７】図２は、水銀蒸気アークから放出された放
射光に影響する手段を放電管上に特に有しておらず、ド
ープされていない石英ガラスから成る放電管を備えた水
銀ショートアークランプの２５０〜４００ｎｍの波長範
囲におけるスペクトル放射強度分布を示す。この図２か
ら、ランプはこの波長範囲においては有効波長３６５ｎ
ｍの放射光の他にその何倍もの短波の線及び連続放射光
を放射することが分かる。
【００３８】図３において、特性線ａは放電管の外面に
交互にＺｒＯ2 とＳｉＯ2 とが設けられた１０層から成
り特に２４０ｎｍ〜３００ｎｍを反射する多層干渉反射
フィルタのスペクトルフィルタ作用を示す。この図３に
は、１０００Ｗ定格電力を有する２つの水銀ショートア
ークランプ、即ちこの種の多層干渉反射フィルタを備え
たランプと水銀アークから放出された放射光に影響する
手段を有していないランプとの放射強度の比が波長の関
数として示されている。３６５ｎｍの有効波長の放射光
はこの図３によればフィルタを弱められずに通過し、そ
れより短い波長の放射光は先ず波長の低下に応じて益々
反射され、透過の５０％値は約３１０ｎｍにある。約２
５０ｎｍ以下では透過は多層干渉反射フィルタによる反
射の低下のために再び増大する。
【００３９】図３において、特性線ｂは放電管の内面に
設けられて吸収により約２５０ｎｍ以下の透過を減少さ
せる二酸化チタン被膜のスペクトルフィルタ作用とに組
み合わせた特に２４０〜３００ｎｍの波長範囲を反射す
る多層干渉反射フィルタ（図３の特性線ａ参照）のスペ
クトルフィルタ作用を示す。
【００４０】図３において、特性線ｃは放電管の内面に
設けられて２４０ｎｍ波長（５０％透過）以下の放射光
を吸収する二酸化チタン被膜のスペクトルフィルタ作用
と、多層干渉反射フィルタの最上層の高屈折膜としての
２８０ｎｍ（５０％透過）以下の紫外線を吸収する二酸
化チタン・二酸化シリコン混合膜のフィルタ作用とに組
み合わせた特に２４０〜３００ｎｍの波長範囲を反射す
る多層干渉反射フィルタ（図３の特性線ａ参照）のスペ
クトルフィルタ作用を示す。この特性線ｃから、このよ
うなフィルタ組み合わせを使用すると、有効波長３６５
ｎｍの放射光を減衰させることなく、２８０〜３３０ｎ
ｍの波長範囲における透過を急勾配で減少させ得ること
が分かる。
【００４１】図４には、放電管の外面に設けられて特に
２４０〜３００ｎｍの放射光を反射する多層干渉反射フ
ィルタのフィルタ作用と、放電管の内面に設けられて２
５０ｎｍ以下の短波紫外線を吸収する二酸化チタン被膜
のフィルタ作用との組み合わせから生ずるような、２５
０〜４００ｎｍの波長範囲における１５００Ｗ定格電力
の水銀ショートアークランプのスペクトル放射強度分布
が示されている。
【００４２】ドープされていない石英ガラスから成る放
電管を備えてこの放電管上に特に水銀蒸気アークから放
出された放射光に影響する手段を有していない水銀ショ
ートアークランプのスペクトル放射強度分布（図２参
照）との比較から、有効波長３６５ｎｍ以下、特に約３
３０ｎｍ以下の波長範囲における放射強度が明らかに減
少させられることが分かる。
【００４３】図５には、放電管の外面に設けられて特に
２４０〜３００ｎｍの放射光を反射する多層干渉反射フ
ィルタのスペクトルフィルタ作用と、その反射フィルタ
上に設けられて３３０ｎｍ波長以下の放射光を吸収する
二酸化チタン・二酸化シリコン混合膜のスペクトルフィ
ルタ作用と、放電管の内面に設けられて２４０ｎｍ（５
０％透過に相当）以下の短波紫外線を吸収する二酸化チ
タン被膜のフィルタ作用との組み合わせから生ずるよう
な、２５０〜４００ｎｍの波長範囲における１５００Ｗ
定格電力の水銀ショートアークランプのスペクトル放射
強度分布が示されている。
【００４４】図４との比較から、放電管の外面の多層干
渉反射フィルタ上に設けられた３３０ｎｍ以下の放射光
を吸収する二酸化チタン・二酸化シリコン混合膜によっ
て、放電管の内面に設けられた二酸化チタン被膜を補完
することにより、有効波長３６５ｎｍの放射光を著しく
減衰させることなく、不所望な短波紫外線をより一層弱
めさせることができる。
【００４５】
【発明の効果】本発明によるランプを使用することによ
って、集積回路を製造する際の露光装置の経済的な使用
が達成される。というのは、不所望な紫外線のフィルタ
リング及び排気のための費用が著しく軽減し、光学部品
の保守及び修理作業による装置の休止時間が明らかに少
なくなるからである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による水銀ショートアークランプを示す
概略図。
【図２】水銀アークから放出された放射光に影響する手
段を放電管上に有していない放電管を備えたこの種のラ
ンプの２５０〜４００ｎｍの波長範囲におけるスペクト
ル放射強度分布を示す特性図。
【図３】放電管の外面に設けられて特に２４０〜３００
ｎｍの放射光を反射する多層干渉反射フィルタのスペク
トルフィルタ作用を示す特性線、放電管の内面に設けら
れて２４０ｎｍ以下の短波紫外線を吸収する二酸化チタ
ン被膜とに組み合わせたその反射フィルタのスペクトル
フィルタ作用を示す特性線、及び放電管の内面に設けら
れて２４０ｎｍ以下の紫外線を吸収する二酸化チタン被
膜とその反射フィルタ上に設けられて２８０ｎｍ以下の
紫外線を吸収する二酸化チタン・二酸化シリコン混合膜
とに組み合わせたこの種の反射フィルタのスペクトルフ
ィルタ作用を示す特性線を示す特性図。
【図４】放電管の外面に設けられて特に２４０〜３００
ｎｍの放射光を反射する多層干渉反射フィルタと、放電
管の内面に設けられて２４０ｎｍ以下の短波紫外線を吸
収する二酸化チタン被膜とを備えた水銀ショートアーク
ランプの２５０〜４００ｎｍの波長範囲におけるスペク
トル放射強度分布を示す特性図。
【図５】放電管の外面に設けられて特に２４０〜３００
ｎｍの放射光を反射する多層干渉反射フィルタと、この
反射フィルタ上に設けられて２８０ｎｍ以下の短波紫外
線を吸収する二酸化チタン・二酸化シリコン混合膜と、
放電管の内面に設けられて２４０ｎｍ以下の紫外線を吸
収する二酸化チタン被膜とを備えた水銀ショートアーク
ランプの２５０〜４００ｎｍの波長範囲におけるスペク
トル放射強度分布を示す特性図。
【符号の説明】
１ 水銀ショートアークランプ ２ 放電管 ３ ランプ軸 ４ 口金 ５ 陽極 ６ 陰極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 イエルン デイールクス ドイツ連邦共和国 10367 ベルリン パ ウル‐ツオーベル‐シユトラーセ 23 (72)発明者 ユルゲン マイヤー ドイツ連邦共和国 13503 ベルリン ア ム ヒルシユウエクセル 20 アー

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ２つの電極と水銀及びキセノンから成る
    充填物とを含む石英ガラス製放電管を備えた水銀ショー
    トアークランプにおいて、放電管はランプ点灯の際に少
    なくとも４００℃の表面温度を有し、波長３６５ｎｍの
    水銀線の放射光及びそれより大きい波長の放射光を実質
    上弱めずに通過させかつ３６５ｎｍより小さい波長を持
    つ放射光が放電管から出射するのをほぼ完全に阻止する
    手段を備えることを特徴とする水銀ショートアークラン
    プ。
  2. 【請求項２】 放電管はこの放電管の外面に設けられた
    選択的に反射する被膜と放電管の内面に設けられた選択
    的に吸収する被膜とを備えることを特徴とする請求項１
    記載の水銀ショートアークランプ。
  3. 【請求項３】 放電管の外面に設けられた選択的に反射
    する被膜は多層干渉反射フィルタから構成され、放電管
    の内面に設けられた選択的に吸収する被膜は二酸化チタ
    ンから構成されることを特徴とする請求項２記載の水銀
    ショートアークランプ。
  4. 【請求項４】 放電管の外面に設けられた多層干渉反射
    フィルタは特に２４０〜３００ｎｍの波長範囲で選択的
    に反射し、そのフィルタ遮断波長（５０％透過に相当）
    は２９０〜３３０ｎｍの波長範囲に位置し、放電管の内
    面に設けられた二酸化チタン被膜は２５０ｎｍ以下の波
    長範囲で特に選択的に吸収し、そのフィルタ遮断波長
    （５０％透過に相当）は約２４０ｎｍに位置することを
    特徴とする請求項３記載の水銀ショートアークランプ。
  5. 【請求項５】 放電管はその内面に選択的に吸収する被
    膜を備え、その外面に選択的に反射する被膜及び選択的
    に吸収する被膜を備えることを特徴とする請求項１記載
    の水銀ショートアークランプ。
  6. 【請求項６】 放電管の内面に設けられた選択的に吸収
    する被膜は二酸化チタン被膜から構成され、放電管の外
    面に設けられた選択的に反射する被膜は多層干渉反射フ
    ィルタから構成され、放電管の外面に設けられた選択的
    に吸収する被膜は多層干渉反射フィルタ上に設けられた
    二酸化チタンと二酸化シリコンとの混合膜から構成され
    ることを特徴とする請求項５記載の水銀ショートアーク
    ランプ。
  7. 【請求項７】 放電管の内面に設けられた二酸化チタン
    被膜は特に２４０ｎｍ波長（５０％透過に相当）以下を
    吸収し、放電管の外面に設けられた多層干渉反射フィル
    タは特に２４０〜３００ｎｍの波長範囲の放射光を選択
    的に反射し、そのフィルタ遮断波長（５０％透過に相
    当）は２９０〜３３０ｎｍの波長範囲に位置し、その多
    層干渉反射フィルタ上に設けられた選択的に吸収する二
    酸化チタンと二酸化シリコンとの混合膜は２８０ｎｍ波
    長（５０％透過に相当）以下の放射光を選択的に吸収す
    ることを特徴とする請求項６記載の水銀ショートアーク
    ランプ。
  8. 【請求項８】 放電管は選択的に吸収する石英ガラスか
    ら構成され、外面に選択的に反射する被膜を備えること
    を特徴とする請求項１記載の水銀ショートアークラン
    プ。
  9. 【請求項９】 放電管は二酸化チタンをドープされた石
    英ガラスから構成されることを特徴とする請求項８記載
    の水銀ショートアークランプ。
  10. 【請求項１０】 放電管は選択的に吸収する石英ガラス
    から構成され、外面に選択的に反射する被膜及び選択的
    に吸収する被膜を備えることを特徴とする請求項１記載
    の水銀ショートアークランプ。
  11. 【請求項１１】 放電管は二酸化チタン及び必要に応じ
    て二酸化すずをドープされた石英ガラスから構成され、
    放電管は内面に選択的に吸収する二酸化チタン被膜を備
    えかつ外面に選択的に反射する多層干渉反射フィルタ被
    膜を備えることを特徴とする請求項１記載の水銀ショー
    トアークランプ。
  12. 【請求項１２】 放電管の外面に設けられた多層干渉反
    射フィルタは交互にＺｒＯ2 膜とＳｉＯ2 膜とが積層さ
    れた少なくとも８層の個別膜から構成されることを特徴
    とする請求項４又は７記載の水銀ショートアークラン
    プ。
  13. 【請求項１３】 個別膜はそれぞれ約３０ｎｍ〜５０ｎ
    ｍの厚みを有することを特徴とする請求項１２記載の水
    銀ショートアークランプ。
  14. 【請求項１４】 電極間隔は２〜９ｍｍであることを特
    徴とする請求項１記載の水銀ショートアークランプ。
  15. 【請求項１５】 ホトレジストを露光するために使用さ
    れることを特徴とする請求項１乃至１４の１つに記載の
    水銀ショートアークランプ。
JP7254451A 1994-09-12 1995-09-07 水銀ショートアークランプ Pending JPH0896751A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4432315.8 1994-09-12
DE4432315A DE4432315A1 (de) 1994-09-12 1994-09-12 Quecksilberdampf-Kurzbogenlampe

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0896751A true JPH0896751A (ja) 1996-04-12

Family

ID=6527933

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7254451A Pending JPH0896751A (ja) 1994-09-12 1995-09-07 水銀ショートアークランプ

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5608227A (ja)
EP (1) EP0706201B1 (ja)
JP (1) JPH0896751A (ja)
KR (1) KR960011566A (ja)
DE (2) DE4432315A1 (ja)
TW (1) TW405751U (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003036723A (ja) * 2001-07-19 2003-02-07 Harison Toshiba Lighting Corp 照明装置
JP2003510783A (ja) * 1999-09-30 2003-03-18 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 電気ランプ
JP2005527089A (ja) * 2002-05-24 2005-09-08 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 高圧ガス放電ランプ
JP2007528093A (ja) * 2003-05-12 2007-10-04 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 高圧放電ランプ
DE102009022266A1 (de) 2008-05-27 2009-12-03 Ushiodenki Kabushiki Kaisha Xenonlampe
JP2011023253A (ja) * 2009-07-17 2011-02-03 Iwasaki Electric Co Ltd 殺菌用紫外線ランプ

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3573392B2 (ja) * 1996-12-09 2004-10-06 東芝ライテック株式会社 光触媒体、光源および照明器具
JP2944569B2 (ja) * 1997-05-16 1999-09-06 九州日本電気株式会社 樹脂封止金型の洗浄方法
US6833675B2 (en) * 1998-05-12 2004-12-21 Musco Corporation Method and apparatus of blocking ultraviolet radiation from arc tubes
JP3346291B2 (ja) 1998-07-31 2002-11-18 ウシオ電機株式会社 誘電体バリア放電ランプ、および照射装置
JP2000188085A (ja) * 1998-12-22 2000-07-04 Ushio Inc ショートアーク型水銀ランプおよび紫外線発光装置
US6054687A (en) * 1998-12-31 2000-04-25 General Electric Company Heating apparatus for a welding operation and method therefor
JP3558597B2 (ja) * 1999-02-05 2004-08-25 松下電器産業株式会社 高圧水銀蒸気放電ランプおよびランプユニット
RU2176837C2 (ru) * 2000-01-17 2001-12-10 Дубинов Александр Евгеньевич Импульсный источник света на основе поверхностного разряда
US6621199B1 (en) * 2000-01-21 2003-09-16 Vortek Industries Ltd. High intensity electromagnetic radiation apparatus and method
KR100810816B1 (ko) * 2000-06-16 2008-03-06 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 전기 램프
US6413268B1 (en) 2000-08-11 2002-07-02 Raymond A. Hartman Apparatus and method for targeted UV phototherapy of skin disorders
US6594446B2 (en) * 2000-12-04 2003-07-15 Vortek Industries Ltd. Heat-treating methods and systems
US7059745B2 (en) * 2002-02-07 2006-06-13 Musco Corporation Lighting fixture with quick-disconnect light source mount
BR0207089A (pt) * 2001-02-07 2004-07-06 Musco Corp Acessório de iluminação de alta intensidade
DE10204363A1 (de) * 2002-02-02 2003-08-14 Schott Glas Interferenzbeschichtung zur Verbesserung des Energiehaushaltes von HID-Lampen
DE10217480A1 (de) * 2002-04-19 2003-11-06 Philips Intellectual Property Gasentladungslampe
TW563347B (en) * 2002-06-13 2003-11-21 Veutron Corp Compensation light souce to compensate the optical attenuation caused by optical path and the design method thereof
CN1849696A (zh) * 2002-12-17 2006-10-18 皇家飞利浦电子股份有限公司 高压放电灯
DE60312890T2 (de) * 2002-12-17 2007-12-06 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Hochdruckentladungslampe
CN101073138A (zh) * 2003-09-23 2007-11-14 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有光学干涉薄膜的电灯
JP2007521621A (ja) * 2003-11-25 2007-08-02 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 電球
US7142375B2 (en) * 2004-02-12 2006-11-28 Nanoopto Corporation Films for optical use and methods of making such films
US7781947B2 (en) * 2004-02-12 2010-08-24 Mattson Technology Canada, Inc. Apparatus and methods for producing electromagnetic radiation
DE102005007657A1 (de) * 2005-02-19 2006-08-24 Hella Kgaa Hueck & Co. Gasentladungslampe, insbesondere für Kraftfahrzeugscheinwerfer
US20070007897A1 (en) * 2005-07-08 2007-01-11 Billings Garth W Electromagnetic radiation sources and materials for their construction
US20070182310A1 (en) * 2006-02-09 2007-08-09 Honeywell International, Inc. Methods and apparatus for increasing the luminescence of fluorescent lamps
US20070182335A1 (en) * 2006-02-09 2007-08-09 Honeywell International, Inc. Methods and apparatus for improving the efficiency of fluorescent lamps
US20070262695A1 (en) * 2006-05-11 2007-11-15 Reisman Juliana P UV and near visible lamp filter
DE102006023970A1 (de) * 2006-05-22 2007-11-29 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Elektrode für eine Entladungslampe sowie ein Verfahren zum Herstellen einer derartigen Elektrode
DE102006026940A1 (de) * 2006-06-09 2007-12-13 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Hochdruckentladungslampe
US20080100915A1 (en) * 2006-10-27 2008-05-01 Kuohua Wu Removal of oxidation layer from metal substrate and deposition of titanium adhesion layer on metal substrate
CN201107805Y (zh) * 2006-10-31 2008-08-27 上海姿莹化妆品销售有限公司 一种内壁涂层的荧光灯管
US8513626B2 (en) * 2007-01-12 2013-08-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing patterning effects on a substrate during radiation-based heating
WO2008147878A1 (en) * 2007-05-22 2008-12-04 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois High intensity discharge arc lamp using uv-absorbant coating
JP2014038696A (ja) * 2010-12-08 2014-02-27 Panasonic Corp 高圧放電ランプ、ランプユニットおよび投射型画像表示装置
US8404048B2 (en) * 2011-03-11 2013-03-26 Applied Materials, Inc. Off-angled heating of the underside of a substrate using a lamp assembly
US9927094B2 (en) 2012-01-17 2018-03-27 Kla-Tencor Corporation Plasma cell for providing VUV filtering in a laser-sustained plasma light source
RU2537613C1 (ru) * 2013-09-11 2015-01-10 Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" Способ очистки газовых выбросов от ртути
GB2596574A (en) * 2020-07-01 2022-01-05 Ceravision Ltd Lamp for emitting UV-B radiation & luminaire

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL128287C (ja) * 1962-03-15
US3684908A (en) * 1970-09-25 1972-08-15 Itt Sealed beam high intensity xenon lamp with cooling structure
NL7206559A (ja) * 1972-05-16 1973-11-20
JPS61110959A (ja) * 1984-11-05 1986-05-29 Toshiba Corp 螢光ランプ
JPS61189636A (ja) * 1985-02-19 1986-08-23 Ushio Inc キセノン・水銀放電灯による半導体ウエハ−の露光方法
US4689519A (en) * 1985-10-23 1987-08-25 U.S. Philips Corporation Electric lamp having an outwardly extending protrusion
JPH0721643B2 (ja) * 1986-03-13 1995-03-08 ウシオ電機株式会社 レジスト処理方法
DE3744386A1 (de) * 1987-12-29 1989-07-13 Eggenmueller Alfred Verfahren und vorrichtung zum ernten von feldfutter
DE3744368C1 (de) * 1987-12-29 1989-08-03 Schott Glaswerke Verfahren zur Herstellung von festen optischen Einfach- und Mehrfach-Interferenz-Schichten
DE3813421A1 (de) * 1988-04-21 1989-11-02 Philips Patentverwaltung Hochdruck-quecksilberdampfentladungslampe
DE3842771A1 (de) * 1988-12-19 1990-06-21 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Hochdruckentladungslampe kleiner elektrischer leistung und verfahren zum betrieb
JP2626144B2 (ja) * 1990-03-28 1997-07-02 東芝ライテック株式会社 反射形紫外線ランプ
JPH03297044A (ja) * 1990-04-17 1991-12-27 Koito Mfg Co Ltd 放電ランプ装置
US5220235A (en) * 1990-04-20 1993-06-15 Koito Manufacturing Co., Ltd. Discharge lamp device
JPH0719572B2 (ja) * 1990-07-31 1995-03-06 日亜化学工業株式会社 放電ランプ
JP2880582B2 (ja) * 1991-04-03 1999-04-12 ウシオ電機株式会社 ショートアーク型高圧水銀灯
JP3255664B2 (ja) * 1991-09-06 2002-02-12 旭テクノグラス株式会社 照明装置
DE4240006A1 (de) * 1992-11-27 1994-06-01 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verfahren zur Herstellung eines dotierten Quarzglases, dotiertes Quarzglas und elektrische Lampe mit Bestandteilen aus dotiertem Quarzglas
US5350972A (en) * 1993-05-25 1994-09-27 General Electric Company UV absorbing lamp glass

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003510783A (ja) * 1999-09-30 2003-03-18 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 電気ランプ
KR100742015B1 (ko) * 1999-09-30 2007-07-23 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 전기 램프
JP2003036723A (ja) * 2001-07-19 2003-02-07 Harison Toshiba Lighting Corp 照明装置
JP2005527089A (ja) * 2002-05-24 2005-09-08 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 高圧ガス放電ランプ
JP2007528093A (ja) * 2003-05-12 2007-10-04 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 高圧放電ランプ
DE102009022266A1 (de) 2008-05-27 2009-12-03 Ushiodenki Kabushiki Kaisha Xenonlampe
JP2011023253A (ja) * 2009-07-17 2011-02-03 Iwasaki Electric Co Ltd 殺菌用紫外線ランプ

Also Published As

Publication number Publication date
EP0706201A3 (de) 1998-04-22
DE59510491D1 (de) 2003-01-16
TW405751U (en) 2000-09-11
EP0706201A2 (de) 1996-04-10
KR960011566A (ko) 1996-04-20
US5608227A (en) 1997-03-04
EP0706201B1 (de) 2002-12-04
DE4432315A1 (de) 1996-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0896751A (ja) 水銀ショートアークランプ
US9899205B2 (en) System and method for inhibiting VUV radiative emission of a laser-sustained plasma source
KR20140123072A (ko) 레이저-지속 플라즈마 광원에서 진공자외선 필터링을 제공하는 플라즈마 셀
US10283342B2 (en) Laser sustained plasma light source with graded absorption features
US9070526B2 (en) Light source device, light irradiating apparatus equipped with light source device, and method of patterning self-assembled monolayer using light irradiating apparatus
JPH08241694A (ja) 透明な熱保存性のフィルムを備えた光源
JP2002093377A (ja) 誘電体バリア放電ランプ装置
US9615439B2 (en) System and method for inhibiting radiative emission of a laser-sustained plasma source
WO2015143150A1 (en) Light source with nanostructured antireflection layer
TWI497560B (zh) Ultraviolet ray irradiation apparatus, ultraviolet irradiation method, and ultraviolet ray irradiation apparatus
JP2010027268A (ja) エキシマランプ
EP0599229B1 (en) Cadmium/rare gas discharge lamp of the short arc type, as well as projection exposure device using the same
TW200952031A (en) Excimer-Lampe
US20040211927A1 (en) Infrared radiator and irradiation apparatus
JP7713171B2 (ja) エキシマランプ及び紫外光照射装置
JP4339126B2 (ja) Ｈｉｄランプの石英バーナーの被覆方法
JPH09171800A (ja) 放電ランプ
US6897609B2 (en) Plasma lamp and method
US20020084756A1 (en) High-pressure discharge lamp
JP3324428B2 (ja) フォトレジストの表面処理装置
JP5151816B2 (ja) エキシマランプ
JPS61158453A (ja) 紫外線照射装置
JPH087835A (ja) 半導体露光用放電ランプ
SU1103304A1 (ru) Металлогалогенна лампа
JPS61158454A (ja) 紫外線照射装置

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20040701