JPH0897154A - 真空成膜装置 - Google Patents
真空成膜装置Info
- Publication number
- JPH0897154A JPH0897154A JP6229187A JP22918794A JPH0897154A JP H0897154 A JPH0897154 A JP H0897154A JP 6229187 A JP6229187 A JP 6229187A JP 22918794 A JP22918794 A JP 22918794A JP H0897154 A JPH0897154 A JP H0897154A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film forming
- reaction
- vacuum film
- chamber
- filter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 真空成膜室内に供給される反応ガスの流速を
遅くしてダストの舞い上がりを防止し、かつ反応ガスの
流れを真空成膜室内全体に広げ、また、成膜後の大気開
放時にフィルタに付着する水分、大気成分を十分に取り
除いて、反応ガスを流した場合に従来技術で見受けられ
た水分や大気成分との化学反応による生成物が生じるこ
とがないようにすることを目的とする。 【構成】 この発明の真空成膜装置１では、フィルタを
ガス供給パイプ８の途中に配設せず、反応室６やチャン
バ２１、３１などの真空成膜室内に導入されている噴射
ノズル１０Ａ、２５、３３に直接フィルタ１７、２９、
３９を装着した状態で成膜ガスを前記真空成膜室内に供
給するように構成して、前記課題を解決している。
遅くしてダストの舞い上がりを防止し、かつ反応ガスの
流れを真空成膜室内全体に広げ、また、成膜後の大気開
放時にフィルタに付着する水分、大気成分を十分に取り
除いて、反応ガスを流した場合に従来技術で見受けられ
た水分や大気成分との化学反応による生成物が生じるこ
とがないようにすることを目的とする。 【構成】 この発明の真空成膜装置１では、フィルタを
ガス供給パイプ８の途中に配設せず、反応室６やチャン
バ２１、３１などの真空成膜室内に導入されている噴射
ノズル１０Ａ、２５、３３に直接フィルタ１７、２９、
３９を装着した状態で成膜ガスを前記真空成膜室内に供
給するように構成して、前記課題を解決している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置などの製
造に用いられる、例えば、ホットウォール方式の縦型低
圧ＣＶＤ装置、プラズマＣＶＤ装置、コールドウォール
方式の熱ＣＶＤ装置などの真空成膜装置における真空成
膜室内に導入され、成膜ガスを供給する噴射ノズルに関
するものである。
造に用いられる、例えば、ホットウォール方式の縦型低
圧ＣＶＤ装置、プラズマＣＶＤ装置、コールドウォール
方式の熱ＣＶＤ装置などの真空成膜装置における真空成
膜室内に導入され、成膜ガスを供給する噴射ノズルに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】先ず、従来技術の各種真空成膜装置を図
４乃至図６を用いて説明する。なお、これらの説明に
は、半導体ウエハの表面に薄膜を生成する場合を例に挙
げて説明する。図４は従来技術の縦型低圧ＣＶＤ装置の
模式図であって、同図Ａはその断面側面図、同図Ｂは同
図Ａに示した噴射ノズルの拡大断面図であり、図５は従
来技術のプラズマＣＶＤ装置の模式図であって、同図Ａ
はその断面側面図、同図Ｂは同図Ａに示した噴射ノズル
の拡大断面図であり、そして図６は従来技術のプラズマ
ＣＶＤ装置の模式図であって、同図Ａはその断面側面
図、同図Ｂは同図Ａに示した噴射ノズルの拡大断面図で
ある。
４乃至図６を用いて説明する。なお、これらの説明に
は、半導体ウエハの表面に薄膜を生成する場合を例に挙
げて説明する。図４は従来技術の縦型低圧ＣＶＤ装置の
模式図であって、同図Ａはその断面側面図、同図Ｂは同
図Ａに示した噴射ノズルの拡大断面図であり、図５は従
来技術のプラズマＣＶＤ装置の模式図であって、同図Ａ
はその断面側面図、同図Ｂは同図Ａに示した噴射ノズル
の拡大断面図であり、そして図６は従来技術のプラズマ
ＣＶＤ装置の模式図であって、同図Ａはその断面側面
図、同図Ｂは同図Ａに示した噴射ノズルの拡大断面図で
ある。
【０００３】図４に真空成膜装置の第１例であるホット
ウォール方式の縦型低圧ＣＶＤ装置１を示した。この縦
型低圧ＣＶＤ装置１は、反応炉２の他に、実際には、成
膜時、複数枚の半導体ウエハＳをキャリアから石英製ボ
ートに移載し、または、成膜後、石英製ボートからキャ
リアに移載するウエハ移載室や、複数枚の半導体ウエハ
Ｓを収納したボートを前記ウエハ移載室から前記反応炉
２に、またこの反応炉２からウエハ移載室に移動させる
駆動装置や各種反応ガスの流量を制御するマスフローコ
ントローラ、装置全体をプログラム制御するコントロー
ラ、そして反応炉２の全長にわたってその外側から加熱
する炉体などから構成されているが、この図にはこの発
明に直接関係のある反応炉２のみを示した。
ウォール方式の縦型低圧ＣＶＤ装置１を示した。この縦
型低圧ＣＶＤ装置１は、反応炉２の他に、実際には、成
膜時、複数枚の半導体ウエハＳをキャリアから石英製ボ
ートに移載し、または、成膜後、石英製ボートからキャ
リアに移載するウエハ移載室や、複数枚の半導体ウエハ
Ｓを収納したボートを前記ウエハ移載室から前記反応炉
２に、またこの反応炉２からウエハ移載室に移動させる
駆動装置や各種反応ガスの流量を制御するマスフローコ
ントローラ、装置全体をプログラム制御するコントロー
ラ、そして反応炉２の全長にわたってその外側から加熱
する炉体などから構成されているが、この図にはこの発
明に直接関係のある反応炉２のみを示した。
【０００４】前記反応炉２は内管３と外管４とから構成
されており、これら内管３と外管４とは共通の支持フラ
ンジ５で気密に支持されている。この内管３の内側が反
応室６であって、この反応室６には前記支持フランジ５
に開けられた開口７を通じてガス供給パイプ８が導入さ
れており、そしてこのガス供給パイプ８の先端に、前記
内管３の内側に沿って縦方向に延長された噴射ノズル１
０が接続、設置されている。この噴射ノズル１０には複
数の噴射口９が反応室６の方に向いて等間隔で開けられ
ている。前記ガス供給パイプ８の他端にはフィルタ１１
が接続されていて、反応ガス源１２からの反応ガスを濾
過するように構成されている。なお、符号１３は支持フ
ランジ５に形成された排気口である。
されており、これら内管３と外管４とは共通の支持フラ
ンジ５で気密に支持されている。この内管３の内側が反
応室６であって、この反応室６には前記支持フランジ５
に開けられた開口７を通じてガス供給パイプ８が導入さ
れており、そしてこのガス供給パイプ８の先端に、前記
内管３の内側に沿って縦方向に延長された噴射ノズル１
０が接続、設置されている。この噴射ノズル１０には複
数の噴射口９が反応室６の方に向いて等間隔で開けられ
ている。前記ガス供給パイプ８の他端にはフィルタ１１
が接続されていて、反応ガス源１２からの反応ガスを濾
過するように構成されている。なお、符号１３は支持フ
ランジ５に形成された排気口である。
【０００５】一方、ウエハ移載室で石英製の縦型ボート
１４に等間隔で保持された複数枚の半導体ウエハＳは、
縦型ボート１４がキャップ１５に支持された状態で不図
示のエレベータで上方にある前記反応室６に収容され
る。この収容が終了した時点では、前記支持フランジ５
の底面とキャップ１５の上面との間にシール用のＯリン
グ１６を介在させて前記反応炉２内が密閉される。
１４に等間隔で保持された複数枚の半導体ウエハＳは、
縦型ボート１４がキャップ１５に支持された状態で不図
示のエレベータで上方にある前記反応室６に収容され
る。この収容が終了した時点では、前記支持フランジ５
の底面とキャップ１５の上面との間にシール用のＯリン
グ１６を介在させて前記反応炉２内が密閉される。
【０００６】このようにして半導体ウエハＳを密閉し、
反応室６を真空にした状態で炉体で加熱しながら、前記
反応ガス源１２からの反応ガスをフィルタ１１を通し、
ガス供給パイプ８から噴射ノズル１０に供給し、前記複
数の噴射口９から反応炉２内へ一様に噴射すると、半導
体ウエハＳの表面に所望の薄膜が生成することができ
る。反応後の反応ガスは内管３内を上昇し、外管４のド
ーム状の上端に当たって、その外管４に沿って下降し、
前記排気口１３から外部に排気される。
反応室６を真空にした状態で炉体で加熱しながら、前記
反応ガス源１２からの反応ガスをフィルタ１１を通し、
ガス供給パイプ８から噴射ノズル１０に供給し、前記複
数の噴射口９から反応炉２内へ一様に噴射すると、半導
体ウエハＳの表面に所望の薄膜が生成することができ
る。反応後の反応ガスは内管３内を上昇し、外管４のド
ーム状の上端に当たって、その外管４に沿って下降し、
前記排気口１３から外部に排気される。
【０００７】次に、図５に真空成膜装置の第２例である
プラズマＣＶＤ装置２０を示した。このプラズマＣＶＤ
装置２０はチャンバ２１内に円板状の上部電極２２とこ
れに対向してサセプタ２３が設置されている。前記上部
電極２２の構造は、図５Ｂに示したように、ガス供給パ
イプ２４に噴射ノズル２５が接続されており、この噴射
ノズル２５からは均一に枝分かれした複数の噴射口２６
が前記上部電極２２の下面に臨んで配設されている。ガ
ス供給パイプ２４の他端にはフィルタ２７が接続されて
いて、反応ガス源２８からの反応ガスを濾過するように
構成されている。
プラズマＣＶＤ装置２０を示した。このプラズマＣＶＤ
装置２０はチャンバ２１内に円板状の上部電極２２とこ
れに対向してサセプタ２３が設置されている。前記上部
電極２２の構造は、図５Ｂに示したように、ガス供給パ
イプ２４に噴射ノズル２５が接続されており、この噴射
ノズル２５からは均一に枝分かれした複数の噴射口２６
が前記上部電極２２の下面に臨んで配設されている。ガ
ス供給パイプ２４の他端にはフィルタ２７が接続されて
いて、反応ガス源２８からの反応ガスを濾過するように
構成されている。
【０００８】このプラズマＣＶＤ装置２０で半導体ウエ
ハＳの表面に薄膜を生成する場合には、一枚毎に半導体
ウエハＳを前記サセプタ２３の上に載置し、そのチャン
バ２１内を真空状態にして、上部電極２２から高電圧を
印加し、そして前記反応ガス源２８からフィルタ２７を
通し、ガス供給パイプ２４から噴射ノズル２５に供給
し、前記複数の噴射口２６からチャンバ２１内へ一様に
噴射すると、半導体ウエハＳの表面に所望の薄膜を生成
することができる。
ハＳの表面に薄膜を生成する場合には、一枚毎に半導体
ウエハＳを前記サセプタ２３の上に載置し、そのチャン
バ２１内を真空状態にして、上部電極２２から高電圧を
印加し、そして前記反応ガス源２８からフィルタ２７を
通し、ガス供給パイプ２４から噴射ノズル２５に供給
し、前記複数の噴射口２６からチャンバ２１内へ一様に
噴射すると、半導体ウエハＳの表面に所望の薄膜を生成
することができる。
【０００９】次に、図６に真空成膜装置の第３例である
コールドウォール方式の熱ＣＶＤ装置３０を示した。こ
の熱ＣＶＤ装置３０はチャンバ３１内にサセプタ３２が
設置されており、このサセプタ３２の横の前記チャンバ
３１の内壁に沿って棒状の噴射ノズル３３が上下方向に
設置されている。この噴射ノズル３３は、図６Ｂに示し
たように、ガス供給パイプ３４の先端部に接続されてお
り、その構造は共通の配管３５から均一に枝分かれした
複数の噴射口３６が前記チャンバ３１の内方に面に臨ん
で配設されている。ガス供給パイプ３４の他端にはフィ
ルタ３７が接続されていて、反応ガス源３８からの反応
ガスを濾過するように構成されている。
コールドウォール方式の熱ＣＶＤ装置３０を示した。こ
の熱ＣＶＤ装置３０はチャンバ３１内にサセプタ３２が
設置されており、このサセプタ３２の横の前記チャンバ
３１の内壁に沿って棒状の噴射ノズル３３が上下方向に
設置されている。この噴射ノズル３３は、図６Ｂに示し
たように、ガス供給パイプ３４の先端部に接続されてお
り、その構造は共通の配管３５から均一に枝分かれした
複数の噴射口３６が前記チャンバ３１の内方に面に臨ん
で配設されている。ガス供給パイプ３４の他端にはフィ
ルタ３７が接続されていて、反応ガス源３８からの反応
ガスを濾過するように構成されている。
【００１０】この熱ＣＶＤ装置３０で半導体ウエハＳの
表面に薄膜を生成する場合には、一枚ごとに半導体ウエ
ハＳを加熱された前記サセプタ３２の上に載置し、その
チャンバ２１内を減圧、或いは常圧状態で加熱し、そし
て前記反応ガス源３８からフィルタ３７を通し、ガス供
給パイプ３４から噴射ノズル３３に供給し、前記複数の
噴射口３６からチャンバ３１内へ一様に噴射すると、半
導体ウエハＳの表面に所望の薄膜を生成することができ
る。
表面に薄膜を生成する場合には、一枚ごとに半導体ウエ
ハＳを加熱された前記サセプタ３２の上に載置し、その
チャンバ２１内を減圧、或いは常圧状態で加熱し、そし
て前記反応ガス源３８からフィルタ３７を通し、ガス供
給パイプ３４から噴射ノズル３３に供給し、前記複数の
噴射口３６からチャンバ３１内へ一様に噴射すると、半
導体ウエハＳの表面に所望の薄膜を生成することができ
る。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】これら従来技術の縦型
低圧ＣＶＤ装置１、プラズマＣＶＤ装置２０、熱ＣＶＤ
装置３０などの真空成膜装置においては、噴射ノズル
（１０、２５、３３）の噴射口（９、２６、３６）から
噴射される反応ガスの流速が速く、その反応ガス流で反
応室やチャンバ（６、２１、３１）などの真空成膜室内
のダストを舞い上げるので、半導体ウエハＳの表面にパ
ーティクルを発生させる一原因になっている。
低圧ＣＶＤ装置１、プラズマＣＶＤ装置２０、熱ＣＶＤ
装置３０などの真空成膜装置においては、噴射ノズル
（１０、２５、３３）の噴射口（９、２６、３６）から
噴射される反応ガスの流速が速く、その反応ガス流で反
応室やチャンバ（６、２１、３１）などの真空成膜室内
のダストを舞い上げるので、半導体ウエハＳの表面にパ
ーティクルを発生させる一原因になっている。
【００１２】また、成膜終了後、真空成膜室を大気開放
した時に、酸素、窒素、水蒸気などの大気成分が前記噴
射ノズルの噴射口から逆流し、それらが前記各フィルタ
（１１、２７、３７）の広い表面積に吸着する。それら
大気成分は、前記いずれのフィルタもガス供給パイプ
（８、２４、３４）の途中に配設されていて抵抗が大き
いため、次の作業のために反応炉２内を真空引きしても
十分に取り除くことができない。従って、次の成膜時に
反応ガスを流すと、その反応ガスがフィルタに吸着して
いる大気成分と反応し、生成物を生成する。これが反応
ガスと共に真空成膜室内に流れ込み、半導体ウエハＳの
表面にパーティクルを発生させる一原因にもなってい
る。
した時に、酸素、窒素、水蒸気などの大気成分が前記噴
射ノズルの噴射口から逆流し、それらが前記各フィルタ
（１１、２７、３７）の広い表面積に吸着する。それら
大気成分は、前記いずれのフィルタもガス供給パイプ
（８、２４、３４）の途中に配設されていて抵抗が大き
いため、次の作業のために反応炉２内を真空引きしても
十分に取り除くことができない。従って、次の成膜時に
反応ガスを流すと、その反応ガスがフィルタに吸着して
いる大気成分と反応し、生成物を生成する。これが反応
ガスと共に真空成膜室内に流れ込み、半導体ウエハＳの
表面にパーティクルを発生させる一原因にもなってい
る。
【００１３】更にまた、複数種の反応ガスを使用する真
空成膜装置においては、反応炉内に主反応ガス系の噴射
ノズルと副反応ガス系の噴射ノズルとが臨んでいて、こ
のような真空成膜装置で成膜を行う場合には、一般に、
先ず副反応ガスを真空成膜室に流し、副反応ガス雰囲気
を作る。この場合、従来技術の噴射ノズルでは噴射口が
開口しているために、前記副反応ガスが主反応ガス系の
噴射ノズルにその噴射口から逆流し、主反応ガスを流し
た時に、ガス供給パイプ内で化学反応を起こし、生成物
を生成する。これが反応ガスと共に真空成膜室内に流れ
込み、パーティクルを発生させる一原因にもなってい
る。この発明の真空成膜装置ではこのような問題点を解
決することを課題とするものである。
空成膜装置においては、反応炉内に主反応ガス系の噴射
ノズルと副反応ガス系の噴射ノズルとが臨んでいて、こ
のような真空成膜装置で成膜を行う場合には、一般に、
先ず副反応ガスを真空成膜室に流し、副反応ガス雰囲気
を作る。この場合、従来技術の噴射ノズルでは噴射口が
開口しているために、前記副反応ガスが主反応ガス系の
噴射ノズルにその噴射口から逆流し、主反応ガスを流し
た時に、ガス供給パイプ内で化学反応を起こし、生成物
を生成する。これが反応ガスと共に真空成膜室内に流れ
込み、パーティクルを発生させる一原因にもなってい
る。この発明の真空成膜装置ではこのような問題点を解
決することを課題とするものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】従って、この発明の真空
成膜装置では、フィルタをガス供給パイプの途中に配設
せず、反応室やチャンバなどの真空成膜室内に導入され
ている噴射ノズルに直接フィルタを装着した状態で成膜
ガスを前記真空成膜室内に供給するように構成して、前
記課題を解決している。
成膜装置では、フィルタをガス供給パイプの途中に配設
せず、反応室やチャンバなどの真空成膜室内に導入され
ている噴射ノズルに直接フィルタを装着した状態で成膜
ガスを前記真空成膜室内に供給するように構成して、前
記課題を解決している。
【００１５】
【作用】従って、この発明の真空成膜装置によれば、噴
射ノズルの噴射口に装着したフィルタにより、供給され
た反応ガスの流れを真空成膜室内全体に広げることがで
き、そして反応ガスの流速を遅くできる。そのためダス
トの舞い上がりを防止できる。また、真空成膜室内に配
置した噴射ノズルの噴射口にフィルタを装着したことに
より、そのフィルタに吸着した大気成分を十分に取り除
くことができるので、反応ガスを流した場合に従来技術
で見受けられた大気成分との化学反応による生成物が発
生することがない。
射ノズルの噴射口に装着したフィルタにより、供給され
た反応ガスの流れを真空成膜室内全体に広げることがで
き、そして反応ガスの流速を遅くできる。そのためダス
トの舞い上がりを防止できる。また、真空成膜室内に配
置した噴射ノズルの噴射口にフィルタを装着したことに
より、そのフィルタに吸着した大気成分を十分に取り除
くことができるので、反応ガスを流した場合に従来技術
で見受けられた大気成分との化学反応による生成物が発
生することがない。
【００１６】
【実施例】次に、図１乃至図３を用いて、この発明の真
空成膜装置を説明する。図１は図４Ｂに対応する図であ
って、この発明の第１実施例である縦型低圧ＣＶＤ装置
の噴射ノズルを示す断面側面図であり、図２は図５Ｂに
対応する図であって、この発明の第２実施例であるプラ
ズマＣＶＤ装置の噴射ノズルを示す断面側面図であり、
そして図３は図６Ｂに対応する図であって、この発明の
第３実施例である熱ＣＶＤ装置の噴射ノズルを示す断面
側面図である。なお、従来技術の構成部分と同一の構成
部分には同一の符号を付し、それらの説明を省略する。
空成膜装置を説明する。図１は図４Ｂに対応する図であ
って、この発明の第１実施例である縦型低圧ＣＶＤ装置
の噴射ノズルを示す断面側面図であり、図２は図５Ｂに
対応する図であって、この発明の第２実施例であるプラ
ズマＣＶＤ装置の噴射ノズルを示す断面側面図であり、
そして図３は図６Ｂに対応する図であって、この発明の
第３実施例である熱ＣＶＤ装置の噴射ノズルを示す断面
側面図である。なお、従来技術の構成部分と同一の構成
部分には同一の符号を付し、それらの説明を省略する。
【００１７】先ず、図１を用いて、この発明の第１実施
例である縦型低圧ＣＶＤ装置の噴射ノズルを説明する。
この発明の縦型低圧ＣＶＤ装置においては、図４Ａに示
した従来技術の縦型低圧ＣＶＤ装置１におけるフィルタ
１１を取り外し、その代わりに、前記内管３に内側に沿
って縦方向に延長され、反応室６の方に向いて等間隔で
開けられた複数の噴射口９にそれぞれフィルタ１７を埋
め込んだ噴射ノズル１０を配設した。
例である縦型低圧ＣＶＤ装置の噴射ノズルを説明する。
この発明の縦型低圧ＣＶＤ装置においては、図４Ａに示
した従来技術の縦型低圧ＣＶＤ装置１におけるフィルタ
１１を取り外し、その代わりに、前記内管３に内側に沿
って縦方向に延長され、反応室６の方に向いて等間隔で
開けられた複数の噴射口９にそれぞれフィルタ１７を埋
め込んだ噴射ノズル１０を配設した。
【００１８】次に、この発明の第２実施例であるプラズ
マＣＶＤ装置においても、図５Ａに示した従来技術のプ
ラズマＣＶＤ装置２０におけるフィルタ２７を取り外
し、その代わりに、図２に示したように、上部電極２２
に設けた噴射ノズル２５の少なくとも各噴射口２６を覆
うようにフィルタ２９を被せた。
マＣＶＤ装置においても、図５Ａに示した従来技術のプ
ラズマＣＶＤ装置２０におけるフィルタ２７を取り外
し、その代わりに、図２に示したように、上部電極２２
に設けた噴射ノズル２５の少なくとも各噴射口２６を覆
うようにフィルタ２９を被せた。
【００１９】そして、その次のこの発明の第３実施例で
ある熱ＣＶＤ装置においても、図６Ａに示した従来技術
のプラズマＣＶＤ装置３０におけるフィルタ３７を取り
外し、その代わりに、図３に示したように、各噴射口３
６を含む全ての棒状の噴射ノズル３３を覆うようにフィ
ルタ３９を被せた。無論、噴射口３６のみをフィルタで
覆う構造であってもよい。
ある熱ＣＶＤ装置においても、図６Ａに示した従来技術
のプラズマＣＶＤ装置３０におけるフィルタ３７を取り
外し、その代わりに、図３に示したように、各噴射口３
６を含む全ての棒状の噴射ノズル３３を覆うようにフィ
ルタ３９を被せた。無論、噴射口３６のみをフィルタで
覆う構造であってもよい。
【００２０】通常の、例えば、多結晶シリコン膜、シリ
コンの窒化膜、シリコンの酸化膜を半導体ウエハＳの表
面に生成する場合には、それらの反応ガスを供給する噴
射ノズルはその噴射口の断面形状を円形、半円形、角形
にして形成すると、均一に反応ガスを供給することがで
きる。また、横型ＣＶＤ装置を用いるプロセス反応系な
どで使用する多数の噴射口を備えた噴射ノズルに関して
は、反応ガス出口にフィルタを装着した構造にするとよ
い。
コンの窒化膜、シリコンの酸化膜を半導体ウエハＳの表
面に生成する場合には、それらの反応ガスを供給する噴
射ノズルはその噴射口の断面形状を円形、半円形、角形
にして形成すると、均一に反応ガスを供給することがで
きる。また、横型ＣＶＤ装置を用いるプロセス反応系な
どで使用する多数の噴射口を備えた噴射ノズルに関して
は、反応ガス出口にフィルタを装着した構造にするとよ
い。
【００２１】噴射ノズルを以上記したような構造にする
ことにより、ＳｉＨ4 プロセス反応系においては、従来
技術ではガス供給パイプ中のフィルタに吸着した酸素ガ
スや水分などがＳｉＨ4 と化学反応し、ＳｉＯ2 のパー
ティクルが生成していたが、この発明ではこのパーティ
クルの生成を低減できた。また、ＳｉＨ2 Ｃｌ 2−ＮＨ
3 プロセス反応系においては、従来技術ではＳｉＨ2 Ｃ
ｌ 2を流すガス供給パイプ中にＮＨ3 が逆流し、ＳｉＨ
2 Ｃｌ 2を流した場合にＮＨ4 Ｃｌが生成し、これがパ
ーティクルになっていたが、この発明では噴射ノズルの
噴射口にフィルタを装着したため、抵抗が非常に大きく
なり、従ってＮＨ3 が殆ど逆流しなくなり、ＮＨ4 Ｃｌ
が生成せず、パーティクルを削減することができた。
ことにより、ＳｉＨ4 プロセス反応系においては、従来
技術ではガス供給パイプ中のフィルタに吸着した酸素ガ
スや水分などがＳｉＨ4 と化学反応し、ＳｉＯ2 のパー
ティクルが生成していたが、この発明ではこのパーティ
クルの生成を低減できた。また、ＳｉＨ2 Ｃｌ 2−ＮＨ
3 プロセス反応系においては、従来技術ではＳｉＨ2 Ｃ
ｌ 2を流すガス供給パイプ中にＮＨ3 が逆流し、ＳｉＨ
2 Ｃｌ 2を流した場合にＮＨ4 Ｃｌが生成し、これがパ
ーティクルになっていたが、この発明では噴射ノズルの
噴射口にフィルタを装着したため、抵抗が非常に大きく
なり、従ってＮＨ3 が殆ど逆流しなくなり、ＮＨ4 Ｃｌ
が生成せず、パーティクルを削減することができた。
【００２２】
【発明の効果】従って、これらの噴射ノズルを用いたこ
の発明の真空成膜装置によれば、噴射ノズルの噴射口に
装着したフィルタにより、供給された反応ガスの流れを
真空成膜室内全体に広げることができ、そして反応ガス
の流速を遅くできる。そのためダストの舞い上がりを防
止できる。特に図２に示した噴射ノズルを用いたプラズ
マＣＶＤ装置では、反応ガスが半導体ウエハの表面全面
により均一に供給されるようになり、薄膜の膜厚の均一
性を改善することができた。
の発明の真空成膜装置によれば、噴射ノズルの噴射口に
装着したフィルタにより、供給された反応ガスの流れを
真空成膜室内全体に広げることができ、そして反応ガス
の流速を遅くできる。そのためダストの舞い上がりを防
止できる。特に図２に示した噴射ノズルを用いたプラズ
マＣＶＤ装置では、反応ガスが半導体ウエハの表面全面
により均一に供給されるようになり、薄膜の膜厚の均一
性を改善することができた。
【００２３】また、成膜終了後の大気開放時、大気成分
が前記フィルタの表面に吸着しても、そのフィルタが噴
射口に装着したことにより、そのフィルタに吸着したそ
れら大気成分を十分に取り除くことができるので、反応
ガスを流した場合に従来技術で見受けられた大気成分と
の化学反応による生成物が生じることがない。
が前記フィルタの表面に吸着しても、そのフィルタが噴
射口に装着したことにより、そのフィルタに吸着したそ
れら大気成分を十分に取り除くことができるので、反応
ガスを流した場合に従来技術で見受けられた大気成分と
の化学反応による生成物が生じることがない。
【００２４】更に、噴射口にフィルタを装着したため、
反応室の雰囲気が逆流しようとしても、抵抗が大きいた
め、その逆流を防止することができる。このためガス供
給パイプ内における反応生成物の生成を抑制でき、パー
ティクルの発生を抑制する効果がある。
反応室の雰囲気が逆流しようとしても、抵抗が大きいた
め、その逆流を防止することができる。このためガス供
給パイプ内における反応生成物の生成を抑制でき、パー
ティクルの発生を抑制する効果がある。
【図１】 この発明の第１実施例である縦型低圧ＣＶＤ
装置の噴射ノズルを示す断面側面図である。
装置の噴射ノズルを示す断面側面図である。
【図２】 この発明の第２実施例であるプラズマＣＶＤ
装置の噴射ノズルを示す断面側面図である。
装置の噴射ノズルを示す断面側面図である。
【図３】 この発明の第３実施例である熱ＣＶＤ装置の
噴射ノズルを示す断面側面図である。
噴射ノズルを示す断面側面図である。
【図４】 従来技術の縦型低圧ＣＶＤ装置の模式図であ
って、同図Ａはその断面側面図、同図Ｂは同図Ａに示し
た噴射ノズルの拡大断面図である。
って、同図Ａはその断面側面図、同図Ｂは同図Ａに示し
た噴射ノズルの拡大断面図である。
【図５】 従来技術のプラズマＣＶＤ装置の模式図であ
って、同図Ａはその断面側面図、同図Ｂは同図Ａに示し
た噴射ノズルの拡大断面図である。
って、同図Ａはその断面側面図、同図Ｂは同図Ａに示し
た噴射ノズルの拡大断面図である。
【図６】 従来技術のプラズマＣＶＤ装置の模式図であ
って、同図Ａはその断面側面図、同図Ｂは同図Ａに示し
た噴射ノズルの拡大断面図である。
って、同図Ａはその断面側面図、同図Ｂは同図Ａに示し
た噴射ノズルの拡大断面図である。
１ 縦型低圧ＣＶＤ装置 ２ 反応炉 ３ 内管 ４ 外管 ５ 支持フランジ ６ 反応室 ７ 開口 ８ ガス供給パイプ ９ 噴射口 １０Ａ 噴射ノズル １２ 反応ガス源 １３ 排気口 １４ 縦型ボート １５ キャップ １６ Ｏリング １７ フィルタ ２０ プラズマＣＶＤ装置 ２１ チャンバ ２２ 上部電極 ２３ サセプタ ２４ ガス供給パイプ ２５ 噴射ノズル ２６ 噴射口 ２７ フィルタ ２８ 反応ガス源 ２９ フィルタ ３０ 熱ＣＶＤ装置 ３１ チャンバ ３２ サセプタ ３３ 噴射ノズル ３４ ガス供給パイプ ３５ 配管 ３６ 噴射口 ３７ フィルタ ３８ 反応ガス源 ３９ フィルタ
Claims (1)
- 【請求項１】 真空成膜室内に導入されている成膜ガス
用噴射ノズルに直接フィルタを装着した状態で成膜ガス
を前記真空成膜室に供給するように構成したことを特徴
とする真空成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6229187A JPH0897154A (ja) | 1994-09-26 | 1994-09-26 | 真空成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6229187A JPH0897154A (ja) | 1994-09-26 | 1994-09-26 | 真空成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0897154A true JPH0897154A (ja) | 1996-04-12 |
Family
ID=16888173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6229187A Pending JPH0897154A (ja) | 1994-09-26 | 1994-09-26 | 真空成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0897154A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101814423A (zh) * | 2009-02-23 | 2010-08-25 | 株式会社日立国际电气 | 衬底处理装置 |
| CN102652946A (zh) * | 2011-03-04 | 2012-09-05 | 富葵精密组件(深圳)有限公司 | 等离子清洁装置及等离子清洁方法 |
| JP2015191912A (ja) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
-
1994
- 1994-09-26 JP JP6229187A patent/JPH0897154A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101814423A (zh) * | 2009-02-23 | 2010-08-25 | 株式会社日立国际电气 | 衬底处理装置 |
| JP2010199160A (ja) * | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| US8343277B2 (en) | 2009-02-23 | 2013-01-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus |
| CN102652946A (zh) * | 2011-03-04 | 2012-09-05 | 富葵精密组件(深圳)有限公司 | 等离子清洁装置及等离子清洁方法 |
| JP2015191912A (ja) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4305427B2 (ja) | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 | |
| JP4179311B2 (ja) | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 | |
| JP3265042B2 (ja) | 成膜方法 | |
| KR20010081936A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 및 반도체 제조장치 | |
| US6040010A (en) | Catalytic breakdown of reactant gases in chemical vapor deposition | |
| TWI749278B (zh) | 立式熱處理裝置 | |
| JP2004006551A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| US20150337460A1 (en) | Substrate-processing device | |
| JPH0260210B2 (ja) | ||
| US20090061651A1 (en) | Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device | |
| JPH0897154A (ja) | 真空成膜装置 | |
| KR20070098104A (ko) | 가스커튼을 구비한 박막증착장치 | |
| JP2006066884A (ja) | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 | |
| JPS592374B2 (ja) | プラズマ気相成長装置 | |
| KR20010050379A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 및 반도체 제조장치 | |
| JP3856397B2 (ja) | 半導体製造装置のウェーハ処理方法及び半導体製造装置 | |
| JP5082595B2 (ja) | 成膜装置 | |
| JP4897159B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3611780B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP3690095B2 (ja) | 成膜方法 | |
| JP2006186015A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2001068468A (ja) | 成膜方法 | |
| JP2004095940A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3093716B2 (ja) | 縦型減圧気相成長装置 | |
| JP3108466B2 (ja) | 縦型熱処理装置 |