JPH0897320A - 電子部品用メタルパッケージ - Google Patents
電子部品用メタルパッケージInfo
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- JPH0897320A JPH0897320A JP6259172A JP25917294A JPH0897320A JP H0897320 A JPH0897320 A JP H0897320A JP 6259172 A JP6259172 A JP 6259172A JP 25917294 A JP25917294 A JP 25917294A JP H0897320 A JPH0897320 A JP H0897320A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
ための装着の容易な接続手段を備えたメタルパッケージ
を得る。 【構成】 接続線路72を備えた絶縁基板70の接続線
路の外部リードとの接続部74が延設された一方の端部
70aをメタルパッケージ10の側壁に開口された穴1
2に挿入すると共に、接続線路の電子部品との接続部7
6が延設された絶縁基板の他方の端部70bをメタルパ
ッケージ10内方に突出させた状態で、絶縁基板70を
メタルパッケージ10に接合する。穴12は、メタルパ
ッケージ10外方から絶縁材からなる蓋体90で気密に
覆って、その蓋体90に外部リード30を気密に挿通す
る。そして、外部リード30内端を前記接続線路の外部
リードとの接続部74に電気的に接続して、接続線路7
2と外部リード30とを介して、メタルパッケージ10
の内外を電気的に接続できるようにする。
Description
部品を収容するための鉄合金、銅合金等の金属からなる
電子部品用メタルパッケージに関する。
は、メタルパッケージ内部に収容された半導体チップと
メタルパッケージ外部に配置された電子部品やメタルパ
ッケージ実装用基板の配線回路とを電気的に接続するた
めの、次のような接続手段が備えられている。
ージ10の側壁に開口された方形状の穴12に断面が凸
状をしたセラミック端子20が気密に嵌着されている。
ージ10の側壁に開口された円形状の穴12に金属製の
外部リード30が挿通されて、その穴12に挿通された
外部リード30部分が穴12に誘電体のガラス40を介
して気密に封着されている。そして、穴12に挿通され
た外部リード30の封着部分が同軸線路構造に形成され
ている。
メタルパッケージにおいては、図8又は図9に示したよ
うに、メタルパッケージ10内底部に銅合金、窒化アル
ミニウム等からなるサブマウント55を介して搭載され
た半導体チップ50の電極がセラミック端子20に備え
られた接続線路22内端又はメタルパッケージ10内方
に突出した外部リード30内端にワイヤ60を介して接
続されると共に、メタルパッケージ10外部に配置され
た電子部品(図示せず)の接続端子やメタルパッケージ
実装用基板(図示せず)の配線回路の一部がセラミック
端子の接続線路22外端に接続された外部リード30外
端又はメタルパッケージ10外方に突出した外部リード
30外端に接続されて、メタルパッケージ10内部の半
導体チップ50がメタルパッケージ10外部の電子部品
やメタルパッケージ実装用基板の配線回路に電気的に接
続されている。
示した電子部品用メタルパッケージにあっては、セラミ
ック端子20嵌着用の穴12をメタルパッケージ10の
側壁にセラミック端子20の外径寸法に合わせて精度良
く開口して、その穴12にセラミック端子20をろう付
け等により隙間なく気密に嵌着しなければならず、その
穴12の開口作業に多大な手数を要した。それと共に、
セラミック端子20嵌着用の穴12のコーナー部をセラ
ミック端子20のL字状に尖った隅部の形状に合わせて
鋭くL字状に形成しなければならず、その穴12のコー
ナー部の形成作業に多大な手数を要した。
ケージにあっては、メタルパッケージ10の側壁に小ピ
ッチで並べて開口した複数個の円形状の穴12に複数本
の外部リード30を誘電体のガラス40を介してそれぞ
れ封着して、それらの穴12に挿通した同軸線路構造を
した外部リード30の封着部分の特性インピーダンスを
それぞれ50Ω等にマッチングさせようとした場合に、
外部リード30挿通用の穴12の径をガラス40の誘電
率εに合わせて大きく形成しなければならず、その穴1
2がそれに隣合う外部リード30挿通用の穴12の一部
に重なり合ってしまった。そして、穴12に挿通した外
部リード30の封着部分の特性インピーダンスを50Ω
等にマッチングさせることができなかった。
長く突出した外部リード30内端の特性インピーダンス
を50Ω等にマッチングさせることができなかった。そ
して、その外部リード30内端に高周波信号を伝送損失
少なく伝えることができなかった。
たもので、メタルパッケージ内部に収容された半導体チ
ップをメタルパッケージ外部に配置された電子部品やメ
タルパッケージ実装用基板の配線回路に電気的に接続す
るための接続手段を簡易化して、その接続手段をメタル
パッケージの側壁に容易に装着できるようにした電子部
品用メタルパッケージ(以下、メタルパッケージとい
う)を提供することを目的としている。
路の特性インピーダンスを接続線路のほぼ全長に亙って
所定値にマッチングさせることのできるメタルパッケー
ジを提供することをもう一つの目的としている。
に、本発明の第1のメタルパッケージは、接続線路が備
えられた絶縁基板の一方の端部がメタルパッケージの側
壁に開口された穴に挿入されると共に、前記絶縁基板の
他方の端部がメタルパッケージ内方に突出された状態
で、前記絶縁基板がメタルパッケージに接合され、か
つ、前記穴がメタルパッケージ外方から絶縁材からなる
蓋体で気密に覆われると共に、該蓋体に外部リードが気
密に挿通されて、その外部リード内端が前記接続線路に
電気的に接続されたことを特徴としている。
線路が備えられた絶縁基板の一方の端部がメタルパッケ
ージの側壁に開口された穴に挿入されると共に、前記絶
縁基板の他方の端部がメタルパッケージ内方に突出され
た状態で、前記絶縁基板がメタルパッケージに接合さ
れ、かつ、前記穴がメタルパッケージ外方から金属から
なる蓋体で気密に覆われると共に、該蓋体に外部リード
が蓋体に対して電気的絶縁性を持たせて気密に挿通され
て、その外部リード内端が前記接続線路に電気的に接続
されたことを特徴としている。
おいては、穴に挿入された絶縁基板の一方の端部に接続
線路の外部リードとの接続部が延設されて、その接続部
に外部リード内端が電気的に接続された構成とすること
を好適としている。
された絶縁基板の他方の端部に接続線路の電子部品との
接続部が延設された構成とすることを好適としている。
においては、絶縁基板がセラミックからなり、接続線路
がメタライズからなることを好適としている。
においては、接続線路をマイクロストリップ線路構造に
形成するためのグランド層が絶縁基板に備えられた構成
とすることを好適とし、グランド層がメタライズからな
ることを好適としている。
は、蓋体がセラミックからなり、その蓋体に備えられた
メタライズ層を介して外部リードが蓋体に気密にろう付
け接合された構成とすることを好適としている。
は、外部リードが金属からなる蓋体にガラスを介して気
密に封着された構成とすることを好適としている。
いては、メタルパッケージ内部に収容された電子部品の
電極を絶縁基板に備えられた接続線路の電子部品との接
続部にワイヤ等で接続すると共に、メタルパッケージ外
部に配置された電子部品の接続端子やメタルパッケージ
実装用基板の配線回路の一部を外部リード外端に接続し
て、メタルパッケージ内部の電子部品とメタルパッケー
ジ外部の電子部品やメタルパッケージ実装用基板の配線
回路とを接続線路と外部リードとを介して電気的に接続
できる。
た穴をメタルパッケージ外方から蓋体で気密に覆うよう
にしているため、メタルパッケージの側壁に接続手段を
メタルパッケージの気密性を損なわぬようにして装着す
る際に、絶縁基板の一方の端部を挿入可能な穴であっ
て、その基板の一方の端部の外径寸法より大き目の穴を
メタルパッケージの側壁に開口するだけで良く、接続手
段装着用の穴をメタルパッケージの側壁に開口する作業
の大幅な簡易化、容易化が図れる。
部に接続線路の外部リードとの接続部が延設されて、そ
の接続部に外部リード内端が電気的に接続された本発明
の第1又は第2のメタルパッケージにあっては、接続線
路の外部リードとの接続部を蓋体に近づけて、その蓋体
内側に突出した外部リード内端であって、接続線路の外
部リードとの接続部に電気的に接続する外部リード内端
を短尺化できる。そして、その外部リード内端の高周波
特性を向上させることができる。
絶縁基板の他方の端部に接続線路の電子部品との接続部
が延設された本発明の第1又は第2のメタルパッケージ
にあっては、接続線路の電子部品との接続部をメタルパ
ッケージ内部に収容された電子部品に近づけて、その電
子部品の電極を接続線路の電子部品との接続部にワイヤ
等で距離短く電気的に接続できる。そして、その電子部
品の電極と接続線路の電子部品との接続部を電気的に接
続するワイヤ等の高周波特性を向上させることができ
る。それと共に、メタルパッケージの側壁内方の広く開
口された空間部分に接続線路の電子部品との接続部を配
置して、その接続部にワイヤ等を容易かつ的確に電気的
に接続できる。
構造に形成するためのグランド層が絶縁基板に備えられ
た本発明の第1又は第2のメタルパッケージにあって
は、接続線路の幅やその厚さを調整したり、接続線路と
グランド層との距離を調整したりして、接続線路の特性
インピーダンスを接続線路のほぼ全長に亙って所定値に
マッチングさせることができる。
に外部リードが気密に挿通された本発明の第1のメタル
パッケージにあっては、外部リードが蓋体を介してメタ
ルパッケージに電気的に短絡したり、外部リードが同じ
蓋体に気密に挿通された他の外部リードに電気的に短絡
したりするのを絶縁材からなる蓋体により防ぐことがで
きる。
ラスを介して気密に封着された本発明の第2のメタルパ
ッケージにあっては、外部リードが金属からなる蓋体を
介してメタルパッケージに電気的に短絡したり、外部リ
ードが同じ金属からなる蓋体に気密に挿通された他の外
部リードに電気的に短絡したりするのを絶縁材のガラス
により防ぐことができる。
る。図1ないし図4は本発明の第1のメタルパッケージ
の好適な実施例を示し、図1はその一部正面断面図、図
2はその一部平面図、図3はその一部分解構造説明図、
図4はその一部斜視図である。以下に、このメタルパッ
ケージを説明する。
ックからなる絶縁基板である。絶縁基板70には、メタ
ライズからなる細帯状の接続線路72が絶縁基板70上
面を横断して備えられている。そして、絶縁基板の一方
の端部70a上面に延設された接続線路72部分が、接
続線路の外部リードとの接続部74を構成している。そ
れと共に、絶縁基板の他方の端部70b上面に延設され
た接続線路72部分が、接続線路の電子部品との接続部
76を構成している。接続線路72は、絶縁基板70上
面に所定ピッチで複数本横に並べて備えられている。
ッケージ10の側壁には、穴12が開口されている。穴
12は、図3に示したように、横に長い長穴状をしてい
る。穴12のコーナー部は、加工し易いように円弧状に
形成されている。穴12は、絶縁基板の一方の端部70
aを余裕を持って挿入可能なように、その基板の一方の
端部70aの外径寸法より大き目に形成されている。
メタルパッケージ10の側壁に開口された穴12に挿入
されると共に、その他方の端部70bがメタルパッケー
ジ10内方に突出された状態で、メタルパッケージ10
に接合されている。具体的には、絶縁基板の一方の端部
70aが穴12に挿入されて、その基板の一方の端部7
0aが、絶縁基板70下面に備えられた金属めっきが施
された後述のメタライズからなるグランド層80を介し
て、穴12の下部内壁にろう付け接合されている。それ
と共に、絶縁基板の他方の端部70bが、メタルパッケ
ージ10内方に突出されている。絶縁基板70上面と穴
12の上部内壁との間には、空隙32が設けられて、接
続線路72がメタルパッケージ10に電気的に接触する
のが防止されている。
蓋体90で気密に覆われている。蓋体90は、絶縁材の
セラミックで形成されていて、板状をしている。蓋体9
0は、その内側周縁部に備えられた金属めっきが施され
たメタライズ層92を介して、穴12周囲のメタルパッ
ケージ10外側面部分に気密にろう付け接合されてい
る。
ニッケル―コバルト合金等の金属からなる外部リード3
0が気密に挿通されて、外部リード30内端がメタルパ
ッケージ10に開口された穴12に突入されている。具
体的には、図3と図4に示したように、蓋体90に挿通
孔94が所定ピッチで複数個横に並べて開口されて、そ
れらの挿通孔94に外部リード30がそれぞれ挿通され
ている。挿通孔94内周面とそれに連なる蓋体90外側
面部分には、金属めっきが施されたメタライズ層96が
連続して備えられている。そして、そのメタライズ層9
6を介して挿通孔94に挿通された外部リード30部分
が蓋体90に気密にろう付け接合されている。そして、
外部リード30が蓋体90を介してメタルパッケージ1
0に電気的に短絡したり、外部リード30が同じ蓋体9
0に気密に挿通された他の外部リード30に電気的に短
絡したりするのが、絶縁材のセラミックからなる蓋体9
0により防止されている。
は、穴12に挿入された絶縁基板の一方の端部70a上
面に延設された接続線路の外部リードとの接続部74に
ろう付け等により電気的に接続されている。
は、接続線路72をマイクロストリップ線路構造に形成
するためのグランド層80が絶縁基板70に備えられて
いる。具体的には、絶縁基板70下面にメタライズから
なるグランド層80が備えられている。そして、接続線
路72の幅とその厚さが調整されたり、絶縁基板70の
厚さが調整されて、接続線路72とグランド層80との
距離が調整されたりして、接続線路72の特性インピー
ダンスが接続線路72のほぼ全長に亙って50Ω等にマ
ッチングされている。
ケージは、以上のように構成されていて、このメタルパ
ッケージにおいては、図2に示したように、メタルパッ
ケージ10内部に収容された半導体チップ等の電子部品
50の電極をメタルパッケージ10内方に突出された絶
縁基板の他方の端部70b上面に延設された接続線路の
電子部品との接続部76にワイヤ60等を介して電気的
に接続すると共に、メタルパッケージ10外部に配置さ
れた電子部品(図示せず)の接続端子やメタルパッケー
ジ実装用基板(図示せず)の配線回路の一部に外部リー
ド30外端を電気的に接続して、メタルパッケージ10
内部の電子部品50とメタルパッケージ10外部の電子
部品やメタルパッケージ実装用基板の配線回路とを接続
線路72と外部リード30とを介して電気的に接続でき
る。そして、その特性インピーダンスが50Ω等にマッ
チングされた接続線路72に高周波信号を伝送損失少な
く伝えることができる。
他の好適な実施例を示し、詳しくはその一部平面図であ
る。以下に、このメタルパッケージを説明する。
方の端部70aの両側が、L字状に抉り取られて、その
絶縁基板の一方の端部70aの横幅が、その他の絶縁基
板70の横幅に比べて、狭められている。そして、その
絶縁基板の一方の端部70aがメタルパッケージ10の
側壁に開口された穴12に余裕を持って挿入されてい
る。
に抉り取られた階段面70cには、金属めっきが施され
たメタライズ層98が備えられて、そのメタライズ層9
8を介して絶縁基板の一方の端部70a両側の階段面7
0cがメタルパッケージ10内側面にろう付け接合され
ている。そして、絶縁基板70がメタルパッケージ10
に接合されている。
1のメタルパッケージと同様に構成されていて、その作
用も、前述図1ないし図4に示した第1のメタルパッケ
ージと同様である。
好適な実施例を示し、詳しくはその一部正面断面図であ
る。以下に、このメタルパッケージを説明する。
又は鉄合金等の金属で形成されていて、板状をしてい
る。蓋体90は、穴12周囲のメタルパッケージ10外
側面部分に直接にろう付け、溶接等により気密に接合さ
れている。
縁性を持たせて気密に挿通されている。具体的には、蓋
体90に挿通孔94が所定ピッチで複数個横に並べて開
口されて、それらの挿通孔94に外部リード30がそれ
ぞれ挿通されている。挿通孔94に挿通された外部リー
ド30部分は、蓋体90にホウケイ酸ガラス等のガラス
40を介して気密に封着されている。そして、挿通孔9
4に挿通された外部リード30の封着部分が同軸線路構
造に形成されている。それと共に、外部リード30が金
属からなる蓋体90を介してメタルパッケージ10に電
気的に短絡したり、外部リード30が同じ蓋体90に気
密に挿通された他の外部リード30に電気的に短絡した
りするのが絶縁材のガラス40により防止されている。
蓋体90にガラス40を介して封着する際に蓋体90等
に加える温度より低い温度で接続線路の外部リードとの
接続部74にはんだ付け等により電気的に接続されてい
る。そして、外部リード30内端を接続線路の外部リー
ドとの接続部74に接続した際に、蓋体90にガラス4
0を介して封着された外部リード30部分の気密性が損
なわれるのが防止されている。
示した第1のメタルパッケージと同様に構成されてい
て、その作用も、前述図1ないし図4又は図5に示した
第1のメタルパッケージと同様である。
した第1又は第2のメタルパッケージにおいて、外部リ
ード30や接続線路72に低周波信号や電源電流を伝え
る場合であって、外部リード30の高周波特性を考慮す
る必要のない場合には、接続線路の外部リードとの接続
部74を、穴12に挿入された絶縁基板の一方の端部7
0a上面に延設せずに、絶縁基板70上面中途部に配置
して、その外部リードとの接続部74に穴12内を貫通
させてメタルパッケージ10内方に突出させた外部リー
ド30内端を電気的に接続しても良い。
2に低周波信号や電源電流を伝える場合であって、メタ
ルパッケージ10内部に収容された電子部品50の電極
と接続線路の電子部品との接続部76を電気的に接続す
るワイヤ60等の高周波特性を考慮する必要のない場合
には、接続線路の電子部品との接続部76を、メタルパ
ッケージ10内方に突出された絶縁基板の他方の端部7
0b上面に延設せずに、絶縁基板70上面中途部に配置
して、その接続線路の電子部品との接続部76にメタル
パッケージ10内部に収容された電子部品50の電極を
ワイヤ60等で距離長く電気的に接続しても良い。
した第1又は第2のメタルパッケージにおいて、接続線
路72に低周波信号や電源電流を伝える場合であって、
接続線路72の特性インピーダンスを50Ω等にマッチ
ングさせる必要のない場合には、接続線路72をマイク
ロストリップ線路構造に形成するためのグランド層80
を絶縁基板70に備えずとも良い。そして、絶縁基板7
0をメタルパッケージ10に接着剤等を用いて接合して
も良い。
インピーダンスを50Ω等にマッチングさせる必要のな
い場合にも、絶縁基板70下面にメタライズからなるグ
ランド層80を備えて、そのグランド層80を介して絶
縁基板70をメタルパッケージ10にろう付け接合して
も良いが、そうした場合には、接続線路72の幅やその
厚さを調整したり、絶縁基板70の厚さを調整して、接
続線路72とグランド層80との距離を調整したりし
て、接続線路72の特性インピーダンスを50Ω等にマ
ッチングさせずとも良いことは言うまでもない。
0は、メタルパッケージ10外側面に接着剤等を用いて
気密に接合しても良い。
リード30部分は、接着剤等を用いて、蓋体90に気密
に封着しても良い。
を絶縁層を複数積層してなる多層構造に形成して、絶縁
基板70a表面に備える必要のある接続線路の外部リー
ドとの接続部74と接続線路の電子部品との接続部76
とを除いた、接続線路72の中途部を絶縁基板70の絶
縁層間に備えたメタライズ線路72aと絶縁基板70の
絶縁層に上下に貫通させて備えたメタライズが充填され
たビア72bとを一連に接続して形成して、接続線路7
2の中途部を絶縁基板70内部に配置しても良く、そう
した場合には、メタライズ線路72aの幅とその厚さを
調整したり、メタライズ線路72aとグランド層80と
の距離を調整したりすることにより、絶縁基板70内部
に配置されたメタライズ線路72aの特性インピーダン
スを50Ω等にマッチングさせることができる。
構造に形成した場合には、接続線路72をマイクロスト
リップ線路構造に形成するためのグランド層80は、絶
縁基板70の絶縁層間に備えても良い。
のメタルパッケージにおいては、絶縁基板の一方の端部
70a両側のL字状に抉り取られた階段面70cを、メ
タルパッケージ10内側面に接着剤等を用いて直接に接
合しても良い。
ケージにおいては、接続線路72を絶縁基板70に、複
数本でなく、一本のみ備えても良く、そのようにして
も、図1ないし図4、図5又は図6に示した第1又は第
2のメタルパッケージと同様な作用を有するメタルパッ
ケージを構成できる。
ケージにおいては、絶縁基板70を合成樹脂で形成した
り、その合成樹脂からなる絶縁基板70に備えられた銅
等の金属箔をエッチング加工等して絶縁基板70に接続
線路72を備えたりしても良く、そのようにしても、図
1ないし図4、図5又は図6に示した第1又は第2のメ
タルパッケージと同様な作用を有するメタルパッケージ
を構成できる。
第2のメタルパッケージによれば、絶縁基板に備えられ
た接続線路と外部リードとを介して、メタルパッケージ
内部に収容された半導体チップ等の電子部品とメタルパ
ッケージ外部に配置された電子部品やメタルパッケージ
実装用基板の配線回路とを電気的に接続できる。
する際に、メタルパッケージの側壁に絶縁基板の一方の
端部の外径寸法より大き目の穴を開口して、その穴に絶
縁基板の一方の端部を挿入するだけで良く、しかも、パ
ッケージの側壁に開口する穴のコーナー部をL字状に形
成する必要がなくなって、メタルパッケージの側壁に接
続手段装着用の穴を開口する作業の大幅な簡易化、容易
化が図れる。
路構造に形成するためのグランド層が絶縁基板に備えら
れた本発明の第1又は第2のメタルパッケージによれ
ば、接続線路の幅やその厚さを調整したり、接続線路と
グランド層との距離を調整したりして、接続線路の特性
インピーダンスを接続線路のほぼ全長に亙って所定値に
マッチングさせることができる。そして、その接続線路
に高周波信号を伝送損失少なく効率良く伝えることがで
きる。
面図である。
である。
明図である。
である。
である。
面図である。
縁基板の拡大正面断面図である。
る。
る。
Claims (9)
- 【請求項1】 接続線路が備えられた絶縁基板の一方の
端部がメタルパッケージの側壁に開口された穴に挿入さ
れると共に、前記絶縁基板の他方の端部がメタルパッケ
ージ内方に突出された状態で、前記絶縁基板がメタルパ
ッケージに接合され、かつ、前記穴がメタルパッケージ
外方から絶縁材からなる蓋体で気密に覆われると共に、
該蓋体に外部リードが気密に挿通されて、その外部リー
ド内端が前記接続線路に電気的に接続されたことを特徴
とする電子部品用メタルパッケージ。 - 【請求項2】 接続線路が備えられた絶縁基板の一方の
端部がメタルパッケージの側壁に開口された穴に挿入さ
れると共に、前記絶縁基板の他方の端部がメタルパッケ
ージ内方に突出された状態で、前記絶縁基板がメタルパ
ッケージに接合され、かつ、前記穴がメタルパッケージ
外方から金属からなる蓋体で気密に覆われると共に、該
蓋体に外部リードが蓋体に対して電気的絶縁性を持たせ
て気密に挿通されて、その外部リード内端が前記接続線
路に電気的に接続されたことを特徴とする電子部品用メ
タルパッケージ。 - 【請求項3】 穴に挿入された絶縁基板の一方の端部に
接続線路の外部リードとの接続部が延設されて、その接
続部に外部リード内端が電気的に接続された請求項1又
は2記載の電子部品用メタルパッケージ。 - 【請求項4】 メタルパッケージ内方に突出された絶縁
基板の他方の端部に接続線路の電子部品との接続部が延
設された請求項1、2又は3記載の電子部品用メタルパ
ッケージ。 - 【請求項5】 絶縁基板がセラミックからなり、接続線
路がメタライズからなる請求項1、2、3又は4記載の
電子部品用メタルパッケージ。 - 【請求項6】 接続線路をマイクロストリップ線路構造
に形成するためのグランド層が絶縁基板に備えられた請
求項1、2、3、4又は5記載の電子部品用メタルパッ
ケージ。 - 【請求項7】 グランド層がメタライズからなる請求項
6記載の電子部品用メタルパッケージ。 - 【請求項8】 蓋体がセラミックからなり、その蓋体に
備えられたメタライズ層を介して外部リードが蓋体に気
密にろう付け接合された請求項1、3、4、5、6又は
7記載の電子部品用メタルパッケージ。 - 【請求項9】 外部リードが金属からなる蓋体にガラス
を介して気密に封着された請求項2、3、4、5、6又
は7記載の電子部品用メタルパッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25917294A JP3441192B2 (ja) | 1994-09-28 | 1994-09-28 | 電子部品用メタルパッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25917294A JP3441192B2 (ja) | 1994-09-28 | 1994-09-28 | 電子部品用メタルパッケージ |
Publications (2)
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