JPH0897442A - 化合物半導体エピタキシャルウェハ及び半導体素子 - Google Patents
化合物半導体エピタキシャルウェハ及び半導体素子Info
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- JPH0897442A JPH0897442A JP22768994A JP22768994A JPH0897442A JP H0897442 A JPH0897442 A JP H0897442A JP 22768994 A JP22768994 A JP 22768994A JP 22768994 A JP22768994 A JP 22768994A JP H0897442 A JPH0897442 A JP H0897442A
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- type gaas
- epitaxial wafer
- gaas layer
- carbon
- compound semiconductor
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】キャリアプロファイルが急峻なｐｎ接合を有す
る結晶欠陥の少ない可変容量ダイオード用エピタキシャ
ルウェハを得る。 【構成】ｎ+ 型ＧａＡｓ基板上に、キャリア濃度が厚さ
方向に変化しているｎ型ＧａＡｓ層と、高濃度のｐ+ 型
ＧａＡｓ層とを順次積層して可変容量ダイオード用の化
合物半導体エピタキシャルウェハを作製する。このエピ
タキシャルウェハを構成するｐ+ 型ＧａＡｓ層中のアク
セプタ不純物は亜鉛ではなく、炭素とする。アクセプタ
を炭素とすることにより、ＧａＡｓ中の拡散係数がはる
かに小さく、ｐｎ接合界面のキャリアプロファイルが急
峻になり、結晶欠陥も作成されにくくなる。
る結晶欠陥の少ない可変容量ダイオード用エピタキシャ
ルウェハを得る。 【構成】ｎ+ 型ＧａＡｓ基板上に、キャリア濃度が厚さ
方向に変化しているｎ型ＧａＡｓ層と、高濃度のｐ+ 型
ＧａＡｓ層とを順次積層して可変容量ダイオード用の化
合物半導体エピタキシャルウェハを作製する。このエピ
タキシャルウェハを構成するｐ+ 型ＧａＡｓ層中のアク
セプタ不純物は亜鉛ではなく、炭素とする。アクセプタ
を炭素とすることにより、ＧａＡｓ中の拡散係数がはる
かに小さく、ｐｎ接合界面のキャリアプロファイルが急
峻になり、結晶欠陥も作成されにくくなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は可変容量ダイオード用の
化合物半導体エピタキシャルウェハ及び半導体素子に係
り、特にｐｎ界面の改善を図ったものに関する。
化合物半導体エピタキシャルウェハ及び半導体素子に係
り、特にｐｎ界面の改善を図ったものに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の可変容量ダイオード（以下、ＶＣ
Ｄと略す）用ＧａＡｓエピタキシャルウェハの構造例を
図５に示す。ｎ+ 型ＧａＡｓ基板１上にＳｉドープのｎ
型ＧａＡｓ層、さらにその上にＺｎドープのｐ+ 型Ｇａ
Ａｓ層を形成したものである。このように、従来は、ｐ
+ 型ＧａＡｓ層中のアクセプタ不純物として亜鉛（Ｚ
ｎ）をドープしていた。
Ｄと略す）用ＧａＡｓエピタキシャルウェハの構造例を
図５に示す。ｎ+ 型ＧａＡｓ基板１上にＳｉドープのｎ
型ＧａＡｓ層、さらにその上にＺｎドープのｐ+ 型Ｇａ
Ａｓ層を形成したものである。このように、従来は、ｐ
+ 型ＧａＡｓ層中のアクセプタ不純物として亜鉛（Ｚ
ｎ）をドープしていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、アクセプタ不
純物のＺｎは、ＧａＡｓ中での拡散係数が大きく、急峻
なキャリアプロファイルを有するｐｎ接合が形成できな
いという問題があった。また、アクセプタ濃度が高濃度
になると結晶欠陥をｐ+ 型ＧａＡｓ層中やｐｎ接合界面
付近に形成しやすく、深い準位などのデバイス特性に悪
影響を及ぼすという問題があった。
純物のＺｎは、ＧａＡｓ中での拡散係数が大きく、急峻
なキャリアプロファイルを有するｐｎ接合が形成できな
いという問題があった。また、アクセプタ濃度が高濃度
になると結晶欠陥をｐ+ 型ＧａＡｓ層中やｐｎ接合界面
付近に形成しやすく、深い準位などのデバイス特性に悪
影響を及ぼすという問題があった。
【０００４】本発明の目的は、上述した従来技術の問題
点を解消して、キャリアプロファイルが急峻なｐｎ接合
を有する結晶欠陥の少ない化合物半導体エピタキシャル
ウェハを提供することにある。
点を解消して、キャリアプロファイルが急峻なｐｎ接合
を有する結晶欠陥の少ない化合物半導体エピタキシャル
ウェハを提供することにある。
【０００５】また、本発明の目的は、上述したエピタキ
シャルウェハを用いることによってＶＣＤ特性の向上し
た半導体素子を提供することにある。
シャルウェハを用いることによってＶＣＤ特性の向上し
た半導体素子を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の化合物半導体エ
ピタキシャルウェハは、ｎ+ 型ＧａＡｓ基板上に、キャ
リア濃度が厚さ方向に変化しているｎ型ＧａＡｓ層と、
高濃度のｐ+ 型ＧａＡｓ層とを順次積層した可変容量ダ
イオード用の化合物半導体エピタキシャルウェハにおい
て、ｐ+ 型ＧａＡｓ層中のアクセプタを炭素としたもの
である。
ピタキシャルウェハは、ｎ+ 型ＧａＡｓ基板上に、キャ
リア濃度が厚さ方向に変化しているｎ型ＧａＡｓ層と、
高濃度のｐ+ 型ＧａＡｓ層とを順次積層した可変容量ダ
イオード用の化合物半導体エピタキシャルウェハにおい
て、ｐ+ 型ＧａＡｓ層中のアクセプタを炭素としたもの
である。
【０００７】また、本発明の半導体素子は、上記ウェハ
を構成するｐ+ 型ＧａＡｓ層側にショットキー電極を、
ｎ+ 型ＧａＡｓ基板側にオーミック電極をそれぞれ設け
たものである。
を構成するｐ+ 型ＧａＡｓ層側にショットキー電極を、
ｎ+ 型ＧａＡｓ基板側にオーミック電極をそれぞれ設け
たものである。
【０００８】
【作用】炭素は亜鉛に比べ、ＧａＡｓ中の拡散係数がは
るかに小さく、結晶欠陥も作りにくい。従って、ｐ+ 型
ＧａＡｓ層中のアクセプタを炭素とすると、ｎ型ＧａＡ
ｓ層とのｐｎ接合の界面のキャリアプロファイルを急峻
にできる。また、アクセプタ濃度が高濃度になっても結
晶欠陥がｐ+ 型ＧａＡｓ層中やｐｎ接合界面付近に形成
されにくため、深い準位などのデバイス特性に悪影響を
及ぼさず、ｐ+ 型ＧａＡｓ層の結晶品質が向上する。
るかに小さく、結晶欠陥も作りにくい。従って、ｐ+ 型
ＧａＡｓ層中のアクセプタを炭素とすると、ｎ型ＧａＡ
ｓ層とのｐｎ接合の界面のキャリアプロファイルを急峻
にできる。また、アクセプタ濃度が高濃度になっても結
晶欠陥がｐ+ 型ＧａＡｓ層中やｐｎ接合界面付近に形成
されにくため、深い準位などのデバイス特性に悪影響を
及ぼさず、ｐ+ 型ＧａＡｓ層の結晶品質が向上する。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の化合物半導体エピタキシャル
ウェハ及び該ウェハを用いた半導体素子の実施例を実施
例１から実施例３で具体的に説明する。
ウェハ及び該ウェハを用いた半導体素子の実施例を実施
例１から実施例３で具体的に説明する。
【００１０】（実施例１）有機金属気相成長（ＭＯＶＰ
Ｅ）法により、炭素ドープｐ+ 型ＧａＡｓ層を有するＶ
ＣＤ用ＧａＡｓエピタキシャルウェハを成長した。その
ウェハ構造を図１に示す。
Ｅ）法により、炭素ドープｐ+ 型ＧａＡｓ層を有するＶ
ＣＤ用ＧａＡｓエピタキシャルウェハを成長した。その
ウェハ構造を図１に示す。
【００１１】精製した高純度水素ガスをキャリアガスと
して、成長中は常時ＭＯＶＰＥ反応炉に流し、炉中のグ
ラファイトサセプタ上にｎ+ 型ＧａＡｓ基板１（面方位
は（１００）である）を置き、アルシン（ＡｓＨ3 ）ガ
スを流しながらサセプタ温度を６５０℃に昇温した。
して、成長中は常時ＭＯＶＰＥ反応炉に流し、炉中のグ
ラファイトサセプタ上にｎ+ 型ＧａＡｓ基板１（面方位
は（１００）である）を置き、アルシン（ＡｓＨ3 ）ガ
スを流しながらサセプタ温度を６５０℃に昇温した。
【００１２】次に、６５０℃でトリメチルガリウム（Ｔ
ＭＧ）ガスとＡｓＨ3 とジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6 ）ガスを
流してＧａＡｓ基板１上にｎ型ＧａＡｓ層２を２μｍの
厚さまで成長した。この時、Ｓｉ2 Ｈ6 の流量を徐々に
変えてｎ型ＧａＡｓ層２中のキャリアプロファイルが所
望の容量−電圧特性を満たすように制御した。これよ
り、キャリア濃度が厚さ方向に５×１０15〜２×１０17
cm-3変化するｎ型ＧａＡｓ層を得た。
ＭＧ）ガスとＡｓＨ3 とジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6 ）ガスを
流してＧａＡｓ基板１上にｎ型ＧａＡｓ層２を２μｍの
厚さまで成長した。この時、Ｓｉ2 Ｈ6 の流量を徐々に
変えてｎ型ＧａＡｓ層２中のキャリアプロファイルが所
望の容量−電圧特性を満たすように制御した。これよ
り、キャリア濃度が厚さ方向に５×１０15〜２×１０17
cm-3変化するｎ型ＧａＡｓ層を得た。
【００１３】次に、サセプタ温度を５００℃に下げ（こ
の間、ＡｓＨ3 を流した）、ＴＭＧとＡｓＨ3 をＡｓＨ
3 ／ＴＭＧの比が２になるようにして流し、ｐ+ 型Ｇａ
Ａｓ層４を０．２μｍ成長した。これよりアクセプタ濃
度が１×１０19cm-3のｐ+ 型ＧａＡｓ層を得た。このア
クセプタ濃度の制御はＡｓＨ3 ／ＴＭＧ比、成長温度、
成長圧力、ガスの炉内流速を変えることにより制御でき
る。
の間、ＡｓＨ3 を流した）、ＴＭＧとＡｓＨ3 をＡｓＨ
3 ／ＴＭＧの比が２になるようにして流し、ｐ+ 型Ｇａ
Ａｓ層４を０．２μｍ成長した。これよりアクセプタ濃
度が１×１０19cm-3のｐ+ 型ＧａＡｓ層を得た。このア
クセプタ濃度の制御はＡｓＨ3 ／ＴＭＧ比、成長温度、
成長圧力、ガスの炉内流速を変えることにより制御でき
る。
【００１４】図２はこの炭素ドープｐ+ 型ＧａＡｓ層を
有するＶＣＤ用ＧａＡｓエピタキシャルウェハをＳＩＭ
Ｓ（二次イオン質量分析法）分析して得た炭素の深さ方
向プロファイルを、ＺｎドープＶＣＤ用ＧａＡｓエピタ
キシャルウェハのＺｎのプロファイルと比較して示す。
有するＶＣＤ用ＧａＡｓエピタキシャルウェハをＳＩＭ
Ｓ（二次イオン質量分析法）分析して得た炭素の深さ方
向プロファイルを、ＺｎドープＶＣＤ用ＧａＡｓエピタ
キシャルウェハのＺｎのプロファイルと比較して示す。
【００１５】これにより、ｐ+ 型ＧａＡｓ層のアクセプ
タ不純物を炭素とすることにより、急峻なｐ+ ｎ接合界
面が得られることがわかった。
タ不純物を炭素とすることにより、急峻なｐ+ ｎ接合界
面が得られることがわかった。
【００１６】なお、上記のエピタキシャル成長の典型的
な条件は、水素流量２０ｌ/min、ＴＭＧ流量２cc/min、
ＡｓＨ3 流量４cc/min（ｐ+ 型ＧａＡｓ層成長時）、同
４０cc/min（ｎ型ＧａＡｓ層成長時）、Ｓｉ2 Ｈ6 流量
は２×１０-6cc/min〜２×１０-4cc/minである。成長炉
は減圧縦型炉である。
な条件は、水素流量２０ｌ/min、ＴＭＧ流量２cc/min、
ＡｓＨ3 流量４cc/min（ｐ+ 型ＧａＡｓ層成長時）、同
４０cc/min（ｎ型ＧａＡｓ層成長時）、Ｓｉ2 Ｈ6 流量
は２×１０-6cc/min〜２×１０-4cc/minである。成長炉
は減圧縦型炉である。
【００１７】むろん、これらの条件は、ＡｓＨ3 とＴＭ
Ｇの流量比（ｐ+ 型ＧａＡｓ層のキャリア濃度を制御し
ている）や、Ｓｉ2 Ｈ6 とＴＭＧの流量比（ｎ型ＧａＡ
ｓ層のキャリア濃度を制御している）を適当に選べば、
広範囲で変えることができる。例えば、炉内の平均ガス
流速を速くすれば常圧でも成長可能である。
Ｇの流量比（ｐ+ 型ＧａＡｓ層のキャリア濃度を制御し
ている）や、Ｓｉ2 Ｈ6 とＴＭＧの流量比（ｎ型ＧａＡ
ｓ層のキャリア濃度を制御している）を適当に選べば、
広範囲で変えることができる。例えば、炉内の平均ガス
流速を速くすれば常圧でも成長可能である。
【００１８】（実施例２）ＭＯＶＰＥ法により、炭素ド
ープｐ+ 型ＧａＡｓ層を有するＶＣＤエピタキシャルウ
ェハ成長した。Ｓｉ2 Ｈ6 の流量を変えてｎ+ 型ＧａＡ
ｓ基板上にｎ型ＧａＡｓ層を成長するまでは実施例１と
同じである。
ープｐ+ 型ＧａＡｓ層を有するＶＣＤエピタキシャルウ
ェハ成長した。Ｓｉ2 Ｈ6 の流量を変えてｎ+ 型ＧａＡ
ｓ基板上にｎ型ＧａＡｓ層を成長するまでは実施例１と
同じである。
【００１９】次に、Ｓｉ2 Ｈ6 の供給を止め、四塩化炭
素（ＣＣｌ4 ）を炭素のドーパントとして流し、ｐ+ 型
ＧａＡｓ層を０．２μｍ成長した。これよりアクセプタ
濃度が１×１０19cm-3のｐ+ 型ＧａＡｓ層を得た。この
アクセプタ濃度の制御はＣＣｌ4 の流量を変えることに
より行った。
素（ＣＣｌ4 ）を炭素のドーパントとして流し、ｐ+ 型
ＧａＡｓ層を０．２μｍ成長した。これよりアクセプタ
濃度が１×１０19cm-3のｐ+ 型ＧａＡｓ層を得た。この
アクセプタ濃度の制御はＣＣｌ4 の流量を変えることに
より行った。
【００２０】こうして成長したＶＣＤ用ＧａＡｓエピタ
キシャルウェハの構造およびキャリアプロファイルは図
１および図２と同じである。図３にＳＩＭＳ分析して得
た炭素の深さ方向プロファイルを、ＺｎドープＶＣＤ用
ＧａＡｓエピタキシャルウェハのそれと比較して示す。
キシャルウェハの構造およびキャリアプロファイルは図
１および図２と同じである。図３にＳＩＭＳ分析して得
た炭素の深さ方向プロファイルを、ＺｎドープＶＣＤ用
ＧａＡｓエピタキシャルウェハのそれと比較して示す。
【００２１】これより、ｐ+ 型ＧａＡｓ層のアクセプタ
不純物を炭素とすることにより、急峻なｐ+ 型ｎ接合界
面が得られることがわかった。
不純物を炭素とすることにより、急峻なｐ+ 型ｎ接合界
面が得られることがわかった。
【００２２】なお、上記のエピタキシャル成長の典型的
な条件は、水素流量２０ｌ/min、ＴＭＧ流量２cc/min、
ＡｓＨ3 流量４０cc/min、ＣＣｌ4 流量は２cc/min、Ｓ
ｉ2Ｈ6 流量は２×１０-6cc/min〜２×１０-4cc/minで
ある。成長炉は常圧縦型炉である。
な条件は、水素流量２０ｌ/min、ＴＭＧ流量２cc/min、
ＡｓＨ3 流量４０cc/min、ＣＣｌ4 流量は２cc/min、Ｓ
ｉ2Ｈ6 流量は２×１０-6cc/min〜２×１０-4cc/minで
ある。成長炉は常圧縦型炉である。
【００２３】むろん、これらの条件は、ＣＣｌ4 の流量
や、Ｓｉ2 Ｈ6 とＴＭＧの流量比を適当に選べば、広範
囲で変えることができる。
や、Ｓｉ2 Ｈ6 とＴＭＧの流量比を適当に選べば、広範
囲で変えることができる。
【００２４】また、四臭化炭素（ＣＢｒ4 ）を炭素のド
ーパントとして用いても同様な特性のエピタキシャルウ
ェハを得ることができる（Ｎ．Ｉ．Ｂｕｃｈａ ｅｔ
ｃ，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗ
ｔｈ １１０（１９９１）４０５−４１４参照）。上記
の成長条件でＣＢｒ4 の流量は１cc/minである。
ーパントとして用いても同様な特性のエピタキシャルウ
ェハを得ることができる（Ｎ．Ｉ．Ｂｕｃｈａ ｅｔ
ｃ，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗ
ｔｈ １１０（１９９１）４０５−４１４参照）。上記
の成長条件でＣＢｒ4 の流量は１cc/minである。
【００２５】（実施例３）図４に示すように、実施例
１、２に述べたＶＣＤ用ＧａＡｓエピタキシャルウェハ
を用いて半導体素子を製作した。ｐ+ 型ＧａＡｓ層４の
表面にショットキ電極であるＡｌ電極５、ｎ+ 型ＧａＡ
ｓ基板１の表面にＡｕＧｅＮｉ電極６を蒸着し、ＡｕＧ
ｅＮｉ電極６側を４５０℃、１０分，Ｎ2 中でアロイし
てオーミック電極を形成した。その後、保護膜作成、ダ
イシング、パッケージング、ワイヤボンディング等の一
般的な素子作成プロセスを行ってＶＣＤ素子を作成し
た。作製したＶＣＤ素子は良好な特性を示した。
１、２に述べたＶＣＤ用ＧａＡｓエピタキシャルウェハ
を用いて半導体素子を製作した。ｐ+ 型ＧａＡｓ層４の
表面にショットキ電極であるＡｌ電極５、ｎ+ 型ＧａＡ
ｓ基板１の表面にＡｕＧｅＮｉ電極６を蒸着し、ＡｕＧ
ｅＮｉ電極６側を４５０℃、１０分，Ｎ2 中でアロイし
てオーミック電極を形成した。その後、保護膜作成、ダ
イシング、パッケージング、ワイヤボンディング等の一
般的な素子作成プロセスを行ってＶＣＤ素子を作成し
た。作製したＶＣＤ素子は良好な特性を示した。
【００２６】
【発明の効果】本発明の化合物半導体エピタキシャルウ
ェハによれば、ｐ+ 型ＧａＡｓ層のドーパントを炭素に
したので、ｐ+ 型ＧａＡｓ層とｎ型ＧａＡｓ層とのｐｎ
接合界面のキャリアプロファイルを急峻にでき、結晶欠
陥を少なくしてｐ+ 型ＧａＡｓ層の結晶品質を向上させ
ることができる。
ェハによれば、ｐ+ 型ＧａＡｓ層のドーパントを炭素に
したので、ｐ+ 型ＧａＡｓ層とｎ型ＧａＡｓ層とのｐｎ
接合界面のキャリアプロファイルを急峻にでき、結晶欠
陥を少なくしてｐ+ 型ＧａＡｓ層の結晶品質を向上させ
ることができる。
【００２７】本発明の半導体素子によれば、キャリアプ
ロファイルが急峻なｐｎ接合界面を持ち、ｐ+ 型ＧａＡ
ｓ層の結晶品質が高いので、可変容量ダイオード特性を
向上することができる。
ロファイルが急峻なｐｎ接合界面を持ち、ｐ+ 型ＧａＡ
ｓ層の結晶品質が高いので、可変容量ダイオード特性を
向上することができる。
【図１】本発明の化合物半導体エピタキシャルウェハの
実施例を説明するための炭素（Ｃ）ドープＶＣＤ用Ｇａ
Ａｓエピタキシャルウェハの構造を示す断面図。
実施例を説明するための炭素（Ｃ）ドープＶＣＤ用Ｇａ
Ａｓエピタキシャルウェハの構造を示す断面図。
【図２】本実施例のＣドープＶＣＤ用ＧａＡｓエピタキ
シャルウェハのキャリアプロファイルを示す図。
シャルウェハのキャリアプロファイルを示す図。
【図３】本実施例のＣドープＶＣＤエピタキシャルウェ
ハのＳＩＭＳ分析による炭素の深さ方向プロファイルを
示す図。
ハのＳＩＭＳ分析による炭素の深さ方向プロファイルを
示す図。
【図４】本発明の半導体素子の実施例を示すＶＣＤの断
面図。
面図。
【図５】従来のＺｎドープＶＣＤ用ＧａＡｓエピタキシ
ャルウェハの構造を示す断面図。
ャルウェハの構造を示す断面図。
１ ｎ+ 型ＧａＡｓ基板 ２ Ｓｉドープｎ型ＧａＡｓ層 ４ Ｃドープｐ+ 型ＧａＡｓ層 ５ Ａｌ電極（ショットキー電極） ６ ＡｕＧｅＮｉ電極（オーミック電極）
Claims (2)
- 【請求項１】ｎ+ 型ＧａＡｓ基板上に、キャリア濃度が
厚さ方向に変化しているｎ型ＧａＡｓ層と、高濃度のｐ
+ 型ＧａＡｓ層とを順次積層した可変容量ダイオード用
の化合物半導体エピタキシャルウェハにおいて、上記ｐ
+ 型ＧａＡｓ層中のアクセプタを炭素としたことを特徴
とする化合物半導体エピタキシャルウェハ。 - 【請求項２】請求項１に記載の化合物半導体エピタキシ
ャルウェハにおいて、上記ｐ+ 型ＧａＡｓ層側にショッ
トキー電極を、ｎ+ 型ＧａＡｓ基板側にオーミック電極
をそれぞれ設けたことを特徴とする半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22768994A JPH0897442A (ja) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | 化合物半導体エピタキシャルウェハ及び半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22768994A JPH0897442A (ja) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | 化合物半導体エピタキシャルウェハ及び半導体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0897442A true JPH0897442A (ja) | 1996-04-12 |
Family
ID=16864804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22768994A Pending JPH0897442A (ja) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | 化合物半導体エピタキシャルウェハ及び半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0897442A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT516653A1 (de) * | 2015-01-09 | 2016-07-15 | Hans Höllwart - Forschungszentrum Für Integrales Bauwesen Ag | Verfahren zur Ausbildung von Ecken in Profilen |
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1994
- 1994-09-22 JP JP22768994A patent/JPH0897442A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT516653A1 (de) * | 2015-01-09 | 2016-07-15 | Hans Höllwart - Forschungszentrum Für Integrales Bauwesen Ag | Verfahren zur Ausbildung von Ecken in Profilen |
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