JPH0897515A - 周波数安定化光源 - Google Patents
周波数安定化光源Info
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- JPH0897515A JPH0897515A JP25485394A JP25485394A JPH0897515A JP H0897515 A JPH0897515 A JP H0897515A JP 25485394 A JP25485394 A JP 25485394A JP 25485394 A JP25485394 A JP 25485394A JP H0897515 A JPH0897515 A JP H0897515A
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- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 title abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 70
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims abstract description 68
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 26
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 25
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 239000013558 reference substance Substances 0.000 description 1
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体レーザの発振周波数を基準光吸収セル
の光吸収線の最大光吸収周波数に、高い精度で一致させ
る周波数安定化光源を提供する。 【構成】 ドライバ２は半導体レーザ１に電流を供給
し、発振器３は半導体レーザ１の出射光に周波数変調を
重畳させるためにドライバ２の出力電流に電流変調を加
え、光分岐器４で周波数変調された半導体レーザ１の出
射光を分岐し、基準光吸収セル５は第１の分岐光を入力
して特定の周波数の光を吸収し、受光器６は基準光吸収
セル５の透過光を入力して電気信号に変換し、受光器７
は第２の分岐光を入力として電気信号に変換し、増幅器
８は受光器７の出力を増幅し、受光器６の出力に含まれ
る光強度変調成分の強度と、受光器７の出力に含まれる
光強度変調成分の強度を一致する振幅にし、演算器９は
受光器６と増幅器８の出力を入力して演算し、制御回路
１０に演算器９の出力を入力し、半導体レーザ１の発振
周波数が基準光吸収セル５の光吸収周波数に常に一致す
るように、発振器３の信号に同期してドライバ２を制御
する。
の光吸収線の最大光吸収周波数に、高い精度で一致させ
る周波数安定化光源を提供する。 【構成】 ドライバ２は半導体レーザ１に電流を供給
し、発振器３は半導体レーザ１の出射光に周波数変調を
重畳させるためにドライバ２の出力電流に電流変調を加
え、光分岐器４で周波数変調された半導体レーザ１の出
射光を分岐し、基準光吸収セル５は第１の分岐光を入力
して特定の周波数の光を吸収し、受光器６は基準光吸収
セル５の透過光を入力して電気信号に変換し、受光器７
は第２の分岐光を入力として電気信号に変換し、増幅器
８は受光器７の出力を増幅し、受光器６の出力に含まれ
る光強度変調成分の強度と、受光器７の出力に含まれる
光強度変調成分の強度を一致する振幅にし、演算器９は
受光器６と増幅器８の出力を入力して演算し、制御回路
１０に演算器９の出力を入力し、半導体レーザ１の発振
周波数が基準光吸収セル５の光吸収周波数に常に一致す
るように、発振器３の信号に同期してドライバ２を制御
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体レーザの発振
周波数を安定化するためのものであり、特に物質固有の
光吸収線により半導体レーザの発振周波数を制御する周
波数安定化光源についてのものである。
周波数を安定化するためのものであり、特に物質固有の
光吸収線により半導体レーザの発振周波数を制御する周
波数安定化光源についてのものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザの発振周波数は、半導体レ
ーザの周囲温度および半導体レーザへの注入電流により
容易に変化する。そのため、半導体レーザの発振周波数
を安定化するために他の物質の光吸収線で半導体レーザ
の発振周波数を帰還制御する方法が知られている。
ーザの周囲温度および半導体レーザへの注入電流により
容易に変化する。そのため、半導体レーザの発振周波数
を安定化するために他の物質の光吸収線で半導体レーザ
の発振周波数を帰還制御する方法が知られている。
【０００３】次に、従来技術による周波数安定化光源の
構成を図５に示す。図５の１は半導体レーザ、２は半導
体レーザ１を駆動するためのドライバ、３は半導体レー
ザ１の出射光に周波数変調を重畳するためにドライバ２
の出力電流に電流変調を加えるための発振器、４は光分
岐器、５は基準光吸収セル、６は受光器、１０は制御回
路である。
構成を図５に示す。図５の１は半導体レーザ、２は半導
体レーザ１を駆動するためのドライバ、３は半導体レー
ザ１の出射光に周波数変調を重畳するためにドライバ２
の出力電流に電流変調を加えるための発振器、４は光分
岐器、５は基準光吸収セル、６は受光器、１０は制御回
路である。
【０００４】図５で、半導体レーザ１は、ドライバ２に
より所望の発振周波数で発振するように電流が印加され
る。また、発振器３よりドライバ２を介して半導体レー
ザ１に変調電流が重畳され、半導体レーザ１の出射光は
所望の発振周波数を含む周波数近傍で周波数掃引され
る。
より所望の発振周波数で発振するように電流が印加され
る。また、発振器３よりドライバ２を介して半導体レー
ザ１に変調電流が重畳され、半導体レーザ１の出射光は
所望の発振周波数を含む周波数近傍で周波数掃引され
る。
【０００５】光分岐器４は、周波数掃引された半導体レ
ーザ１の出射光を出力光Ａと参照光Ｂとに分岐する。出
力光Ａは外部で信号光として使用され、参照光Ｂは半導
体レーザ１の発振周波数を安定化するために使用され
る。
ーザ１の出射光を出力光Ａと参照光Ｂとに分岐する。出
力光Ａは外部で信号光として使用され、参照光Ｂは半導
体レーザ１の発振周波数を安定化するために使用され
る。
【０００６】基準光吸収セル５は、内部に周波数基準と
なる光吸収線を有した物質が封入されている。半導体レ
ーザ１の所望の周波数とは、基準光吸収セル５の持つい
くつかの光吸収線のうち任意の１つの光吸収線の最大光
吸収周波数である。参照光Ｂは基準光吸収セル５を通過
し、光吸収線により吸収される。光吸収線の吸収量は周
波数に依存し、参照光Ｂは周波数変調されているので、
基準光吸収セル５を参照光Ｂが通過することにより、参
照光Ｂは周波数に応じた強度変調が加えられる。基準光
吸収セル５により発振周波数周波数→強度変換が行われ
た参照光Ｂは、受光器６で電気信号に変換される。
なる光吸収線を有した物質が封入されている。半導体レ
ーザ１の所望の周波数とは、基準光吸収セル５の持つい
くつかの光吸収線のうち任意の１つの光吸収線の最大光
吸収周波数である。参照光Ｂは基準光吸収セル５を通過
し、光吸収線により吸収される。光吸収線の吸収量は周
波数に依存し、参照光Ｂは周波数変調されているので、
基準光吸収セル５を参照光Ｂが通過することにより、参
照光Ｂは周波数に応じた強度変調が加えられる。基準光
吸収セル５により発振周波数周波数→強度変換が行われ
た参照光Ｂは、受光器６で電気信号に変換される。
【０００７】制御回路１０は基準光吸収セル５により発
振周波数→強度変換が行われた参照光Ｂを入力とし、発
振器３により同期をとることで、半導体レーザ１の発振
周波数の基準光吸収セル５の光吸収線の最大光吸収周波
数からのずれを検出し、半導体レーザ１の駆動電流を制
御することにより、半導体レーザ１の発振周波数を常に
基準光吸収セル５の光吸収線の最大光吸収周波数に安定
化する。
振周波数→強度変換が行われた参照光Ｂを入力とし、発
振器３により同期をとることで、半導体レーザ１の発振
周波数の基準光吸収セル５の光吸収線の最大光吸収周波
数からのずれを検出し、半導体レーザ１の駆動電流を制
御することにより、半導体レーザ１の発振周波数を常に
基準光吸収セル５の光吸収線の最大光吸収周波数に安定
化する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図５の構成では、半導
体レーザ１の出射光に周波数変調を重畳させるために半
導体レーザ１の駆動電流に電流変調が加えられるため、
半導体レーザ１の出射光は、周波数変調を有した光とな
る。しかし、半導体レーザ１の駆動電流に電流変調が加
えられることにより、半導体レーザ１の出射光は同時に
強度変調が加えられることになり、半導体レーザ１の出
射光のうち光分岐器４で分岐された参照光Ｂは、基準光
吸収セル５を通過する前の時点で強度変調をともなって
いる。
体レーザ１の出射光に周波数変調を重畳させるために半
導体レーザ１の駆動電流に電流変調が加えられるため、
半導体レーザ１の出射光は、周波数変調を有した光とな
る。しかし、半導体レーザ１の駆動電流に電流変調が加
えられることにより、半導体レーザ１の出射光は同時に
強度変調が加えられることになり、半導体レーザ１の出
射光のうち光分岐器４で分岐された参照光Ｂは、基準光
吸収セル５を通過する前の時点で強度変調をともなって
いる。
【０００９】すなわち、参照光Ｂが基準光吸収セル５で
光吸収を受けた後の光信号は、半導体レーザ１の駆動電
流による強度変調と、基準光吸収セル５の光吸収線によ
る強度変調が加算された信号となる。
光吸収を受けた後の光信号は、半導体レーザ１の駆動電
流による強度変調と、基準光吸収セル５の光吸収線によ
る強度変調が加算された信号となる。
【００１０】したがって、参照光Ｂが基準光吸収セル５
のみで光吸収を受けた場合には、参照光Ｂの光強度がも
っとも小さい周波数が基準光吸収セル５の光吸収線の最
大光吸収周波数であるが、参照光Ｂが２つの強度変調を
加算された信号の場合には、参照光Ｂの光強度がもっと
も小さい周波数は、基準光吸収セル５の光吸収線の最大
光吸収周波数ではなくなる。そのため、半導体レーザ１
の発振周波数が安定化される周波数が、基準光吸収セル
５の光吸収線の最大光吸収周波数と異なるという問題が
ある。
のみで光吸収を受けた場合には、参照光Ｂの光強度がも
っとも小さい周波数が基準光吸収セル５の光吸収線の最
大光吸収周波数であるが、参照光Ｂが２つの強度変調を
加算された信号の場合には、参照光Ｂの光強度がもっと
も小さい周波数は、基準光吸収セル５の光吸収線の最大
光吸収周波数ではなくなる。そのため、半導体レーザ１
の発振周波数が安定化される周波数が、基準光吸収セル
５の光吸収線の最大光吸収周波数と異なるという問題が
ある。
【００１１】この発明は、半導体レーザの発振周波数を
基準光吸収セルの光吸収線の最大光吸収周波数に、高い
精度で一致させる周波数安定化光源を提供することを目
的とする。
基準光吸収セルの光吸収線の最大光吸収周波数に、高い
精度で一致させる周波数安定化光源を提供することを目
的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、この発明は、半導体レーザ１と、半導体レーザ１に
電流を供給するドライバ２と、半導体レーザ１の出射光
に周波数変調を重畳させるためにドライバ２の出力電流
に電流変調を加える発振器３と、周波数変調された半導
体レーザ１の出射光を分岐する光分岐器４と、第１の分
岐光を入力とし、特定の周波数の光を吸収する基準光吸
収セル５と、基準光吸収セル５の透過光を入力とし、電
気信号に変換する受光器６と、第２の分岐光を入力と
し、電気信号に変換する受光器７と、受光器７の出力を
増幅し、受光器６の出力に含まれる光強度変調成分の強
度と、受光器７の出力に含まれる光強度変調成分の強度
を一致する振幅にする増幅器８と、受光器６の出力と増
幅器８の出力を入力とし、演算する演算器９と、演算器
９の出力を入力とし、半導体レーザ１の発振周波数が基
準光吸収セル５の光吸収周波数に常に一致するように、
発振器３の信号に同期してドライバ２を制御する制御回
路１０を備える。
に、この発明は、半導体レーザ１と、半導体レーザ１に
電流を供給するドライバ２と、半導体レーザ１の出射光
に周波数変調を重畳させるためにドライバ２の出力電流
に電流変調を加える発振器３と、周波数変調された半導
体レーザ１の出射光を分岐する光分岐器４と、第１の分
岐光を入力とし、特定の周波数の光を吸収する基準光吸
収セル５と、基準光吸収セル５の透過光を入力とし、電
気信号に変換する受光器６と、第２の分岐光を入力と
し、電気信号に変換する受光器７と、受光器７の出力を
増幅し、受光器６の出力に含まれる光強度変調成分の強
度と、受光器７の出力に含まれる光強度変調成分の強度
を一致する振幅にする増幅器８と、受光器６の出力と増
幅器８の出力を入力とし、演算する演算器９と、演算器
９の出力を入力とし、半導体レーザ１の発振周波数が基
準光吸収セル５の光吸収周波数に常に一致するように、
発振器３の信号に同期してドライバ２を制御する制御回
路１０を備える。
【００１３】また、半導体レーザ１と、半導体レーザ１
に電流を供給するドライバ２と、半導体レーザ１の出射
光に周波数変調を重畳させるためにドライバ２の出力電
流に電流変調を加える発振器３と、周波数変調された半
導体レーザ１の前方出射光を分岐する光分岐器４と、第
１の分岐光を入力とし、特定の周波数の光を吸収する基
準光吸収セル５と、基準光吸収セル５の透過光を入力と
し、電気信号に変換する受光器６と、半導体レーザ１の
後方出射光を入力とし、電気信号に変換する受光器７
と、受光器７の出力を増幅し、受光器６の出力に含まれ
る光強度変調成分の強度と、受光器７の出力に含まれる
光強度変調成分の強度を一致する振幅にする増幅器８
と、受光器６の出力と増幅器８の出力を入力とし、演算
する演算器９と、演算器９の出力を入力とし、半導体レ
ーザ１の発振波長が基準光吸収セル５の光吸収周波数に
常に一致するように、発振器３の信号に同期してドライ
バ２を制御する制御回路１０を備える。
に電流を供給するドライバ２と、半導体レーザ１の出射
光に周波数変調を重畳させるためにドライバ２の出力電
流に電流変調を加える発振器３と、周波数変調された半
導体レーザ１の前方出射光を分岐する光分岐器４と、第
１の分岐光を入力とし、特定の周波数の光を吸収する基
準光吸収セル５と、基準光吸収セル５の透過光を入力と
し、電気信号に変換する受光器６と、半導体レーザ１の
後方出射光を入力とし、電気信号に変換する受光器７
と、受光器７の出力を増幅し、受光器６の出力に含まれ
る光強度変調成分の強度と、受光器７の出力に含まれる
光強度変調成分の強度を一致する振幅にする増幅器８
と、受光器６の出力と増幅器８の出力を入力とし、演算
する演算器９と、演算器９の出力を入力とし、半導体レ
ーザ１の発振波長が基準光吸収セル５の光吸収周波数に
常に一致するように、発振器３の信号に同期してドライ
バ２を制御する制御回路１０を備える。
【００１４】
【作用】次に、この発明による周波数安定化光源の構成
を図１に示す。図１の７は受光器、８は増幅器、９は演
算器であり、他は図５と同じである。すなわち、図１は
図５の光分岐器４の出力の１部を参照光として入力し、
増幅器８で増幅した出力信号を受光器６の出力信号と演
算して制御回路１０に入力する。
を図１に示す。図１の７は受光器、８は増幅器、９は演
算器であり、他は図５と同じである。すなわち、図１は
図５の光分岐器４の出力の１部を参照光として入力し、
増幅器８で増幅した出力信号を受光器６の出力信号と演
算して制御回路１０に入力する。
【００１５】図１で、半導体レーザ１は例えば発振周波
数１５３３μｍのＤＦＢ−ＬＤを使用することができ
る。光分岐器４は、例えばビームスプリッタを２個用い
て半導体レーザの出射光を出力光Ａ、参照光Ｂ、参照光
Ｃに分岐する。基準光吸収セル５は、内部に基準物質と
して例えばアセチレンガスが封入されている。
数１５３３μｍのＤＦＢ−ＬＤを使用することができ
る。光分岐器４は、例えばビームスプリッタを２個用い
て半導体レーザの出射光を出力光Ａ、参照光Ｂ、参照光
Ｃに分岐する。基準光吸収セル５は、内部に基準物質と
して例えばアセチレンガスが封入されている。
【００１６】受光器６は基準光吸収セル５を通過した後
の参照光Ｂを入力とし、電気信号に変換して出力信号Ｄ
を出力する。一方、受光器７は参照光Ｃを入力とし、電
気信号に変換して出力信号Ｅを出力する。増幅器８は出
力信号Ｅを所望の振幅になるように調整し、出力信号Ｆ
として出力する。
の参照光Ｂを入力とし、電気信号に変換して出力信号Ｄ
を出力する。一方、受光器７は参照光Ｃを入力とし、電
気信号に変換して出力信号Ｅを出力する。増幅器８は出
力信号Ｅを所望の振幅になるように調整し、出力信号Ｆ
として出力する。
【００１７】演算器９は出力信号Ｄと出力信号Ｆを入力
とし、出力信号Ｄから出力信号Ｆを減算して出力信号Ｇ
として出力する。演算器９の出力信号Ｇは基準光吸収セ
ル５により入力される光吸収による光強度成分のみであ
る。制御回路１０は出力信号Ｇを入力とし、発振器３か
らの同期信号により同期を取りながら、半導体レーザ１
の発振周波数が常に基準光吸収セル５の光吸収線の最大
光吸収周波数に一致するようにドライバ２の出力電流を
調整する。
とし、出力信号Ｄから出力信号Ｆを減算して出力信号Ｇ
として出力する。演算器９の出力信号Ｇは基準光吸収セ
ル５により入力される光吸収による光強度成分のみであ
る。制御回路１０は出力信号Ｇを入力とし、発振器３か
らの同期信号により同期を取りながら、半導体レーザ１
の発振周波数が常に基準光吸収セル５の光吸収線の最大
光吸収周波数に一致するようにドライバ２の出力電流を
調整する。
【００１８】
【実施例】次に、図１の構成による周波数安定化光源の
動作を図３と図４を参照して説明する。図３の波形２１
は、基準光吸収セル５の光吸収線の光吸収特性、すなわ
ち周波数に対する光強度の特性を示したものである。
動作を図３と図４を参照して説明する。図３の波形２１
は、基準光吸収セル５の光吸収線の光吸収特性、すなわ
ち周波数に対する光強度の特性を示したものである。
【００１９】図４の信号３１は図１の発振器３の信号で
あり、この実施例ではのこぎり波で示したが、くり返し
周期が一定であれば他の形状の信号でもかまわない。発
振器３の信号３１により、半導体レーザ１の発振周波数
ｆ０は、Δｆの周波数変調が加えられる。図４の信号３
２は、発振器３の信号３１による半導体レーザ１の出射
光の周波数変化である。ただし、説明を簡単にするため
に、半導体レーザ１の駆動電流と発振周波数の変化は、
発振器３の信号３１で与えられた振幅に対して線形に変
化するものとしている。図４の信号３３は、発振器３の
信号３１による半導体レーザ１の出射光の光強度の変化
である。
あり、この実施例ではのこぎり波で示したが、くり返し
周期が一定であれば他の形状の信号でもかまわない。発
振器３の信号３１により、半導体レーザ１の発振周波数
ｆ０は、Δｆの周波数変調が加えられる。図４の信号３
２は、発振器３の信号３１による半導体レーザ１の出射
光の周波数変化である。ただし、説明を簡単にするため
に、半導体レーザ１の駆動電流と発振周波数の変化は、
発振器３の信号３１で与えられた振幅に対して線形に変
化するものとしている。図４の信号３３は、発振器３の
信号３１による半導体レーザ１の出射光の光強度の変化
である。
【００２０】半導体レーザ１の発振周波数が図４の信号
３２のように変化するので、半導体レーザ１の出射光か
ら図１の光分岐器４により分岐した参照光Ｂを、図３の
信号２１に示す光吸収線を有する基準光吸収セル５に通
過させると、通過光は図４の信号３４のような光強度変
化となる。この光信号を受光器６に入力し、信号３５の
ような電気信号に変換する。
３２のように変化するので、半導体レーザ１の出射光か
ら図１の光分岐器４により分岐した参照光Ｂを、図３の
信号２１に示す光吸収線を有する基準光吸収セル５に通
過させると、通過光は図４の信号３４のような光強度変
化となる。この光信号を受光器６に入力し、信号３５の
ような電気信号に変換する。
【００２１】図４の信号３６は、半導体レーザ１の出射
光から図１の光分岐器４により分岐した参照光Ｃを受光
器７で電気信号に変換し、図４の信号３５の直線部分の
傾きと同じになるように調整した増幅器８の出力であ
る。図４の信号３７は演算器９は受光器６と増幅器８の
出力を入力し、信号３５から信号３６を減算した出力信
号であり、基準光吸収セル５による光吸収線の特性のみ
の信号が得られる。図４の信号３７を制御回路１０に入
力することにより、半導体レーザ１は出力を帰還制御さ
れ、周波数の安定した出力を得る。
光から図１の光分岐器４により分岐した参照光Ｃを受光
器７で電気信号に変換し、図４の信号３５の直線部分の
傾きと同じになるように調整した増幅器８の出力であ
る。図４の信号３７は演算器９は受光器６と増幅器８の
出力を入力し、信号３５から信号３６を減算した出力信
号であり、基準光吸収セル５による光吸収線の特性のみ
の信号が得られる。図４の信号３７を制御回路１０に入
力することにより、半導体レーザ１は出力を帰還制御さ
れ、周波数の安定した出力を得る。
【００２２】図２は、この発明による他の実施例の構成
図である。図２で、受光器７は半導体レーザ１の後方出
射光を参照光Ｃとして入力する。光分岐器４はビームス
プリッタを１個用いて半導体レーザ１の前方出射光を出
力光Ａと参照光Ｂに分岐する。他は図１と同じであり、
動作も同様である。
図である。図２で、受光器７は半導体レーザ１の後方出
射光を参照光Ｃとして入力する。光分岐器４はビームス
プリッタを１個用いて半導体レーザ１の前方出射光を出
力光Ａと参照光Ｂに分岐する。他は図１と同じであり、
動作も同様である。
【００２３】
【発明の効果】この発明によれば、半導体レーザに印加
された変調電流により半導体レーザに強度変調が加わ
り、周波数安定化光源の制御周波数が基準光吸収セルの
光吸収線の最大光吸収周波数からずれる不具合を解消
し、基準光吸収セルの光吸収線の最大光吸収周波数に周
波数安定化光源の発振周波数を制御することができる。
された変調電流により半導体レーザに強度変調が加わ
り、周波数安定化光源の制御周波数が基準光吸収セルの
光吸収線の最大光吸収周波数からずれる不具合を解消
し、基準光吸収セルの光吸収線の最大光吸収周波数に周
波数安定化光源の発振周波数を制御することができる。
【図１】この発明による周波数安定化光源の実施例の構
成図である。
成図である。
【図２】この発明による他の実施例の構成図である。
【図３】基準光吸収セルの光吸収線の光吸収特性図であ
る。
る。
【図４】この発明の動作を説明する波形図である。
【図５】従来技術による周波数安定化光源の構成図であ
る。
る。
１ 半導体レーザ ２ ドライバ ３ 発振器 ４ 光分岐器 ５ 基準光吸収セル ６ 受光器 ７ 受光器 ８ 増幅器 ９ 演算器 １０ 制御回路
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体レーザ(1) と、 半導体レーザ(1) に電流を供給するドライバ(2) と、 半導体レーザ(1) の出射光に周波数変調を重畳させるた
めにドライバ(2) の出力電流に電流変調を加える発振器
(3) と、 周波数変調された半導体レーザ(1) の出射光を分岐する
光分岐器(4) と、 第１の分岐光を入力とし、特定の周波数の光を吸収する
基準光吸収セル(5) と、 基準光吸収セル(5) の透過光を入力とし、電気信号に変
換する第１の受光器(6) と、 第２の分岐光を入力とし、電気信号に変換する第２の受
光器(7) と、 第２の受光器(7) の出力を増幅し、第１の受光器(6) の
出力に含まれる光強度変調成分の強度と、第２の受光器
(7) の出力に含まれる光強度変調成分の強度を一致する
振幅にする増幅器(8) と、 受光器(6) の出力と増幅器(8) の出力を入力とし、演算
する演算器(9) と、 演算器(9) の出力を入力とし、半導体レーザ(1) の発振
周波数が基準光吸収セル(5) の光吸収周波数に常に一致
するように、発振器(3) の信号に同期してドライバ(2)
を制御する制御回路(10)を備えることを特徴とする周波
数安定化光源。 - 【請求項２】 半導体レーザ(1) と、 半導体レーザ(1) に電流を供給するドライバ(2) と、 半導体レーザ(1) の出射光に周波数変調を重畳させるた
めにドライバ(2) の出力電流に電流変調を加える発振器
(3) と、 周波数変調された半導体レーザ(1) の前方出射光を分岐
する光分岐器(4) と、 第１の分岐光を入力とし、特定の周波数の光を吸収する
基準光吸収セル(5) と、 基準光吸収セル(5) の透過光を入力とし、電気信号に変
換する第１の受光器(6) と、 半導体レーザ(1) の後方出射光を入力とし、電気信号に
変換する第２の受光器(7) と、 第２の受光器(7) の出力を増幅し、第１の受光器(6) の
出力に含まれる光強度変調成分の強度と、第２の受光器
(7) の出力に含まれる光強度変調成分の強度を一致する
振幅にする増幅器(8) と、 第１の受光器(6) の出力と増幅器(8) の出力を入力と
し、演算する演算器(9)と、 演算器(9) の出力を入力とし、半導体レーザ(1) の発振
波長が基準光吸収セル(5) の光吸収周波数に常に一致す
るように、発振器(3) の信号に同期してドライバ(2) を
制御する制御回路(10)を備えることを特徴とする周波数
安定化光源。 - 【請求項３】 演算器(9) は、半導体レーザ(1) の光強
度変調成分と基準光吸収セル(5) の光吸収による光強度
成分を含む第１の受光器(6) の出力を第１の入力とし、
増幅器(8) の出力を第２の入力として第１の入力から第
２の入力を減算し、第１の受光器(6) に含まれる半導体
レーザ(1) の光強度変調成分を除去し、基準光吸収セル
(5) の光吸収による光強度成分のみを出力することを特
徴とする請求項１および請求項２に記載の周波数安定化
光源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25485394A JPH0897515A (ja) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | 周波数安定化光源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25485394A JPH0897515A (ja) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | 周波数安定化光源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0897515A true JPH0897515A (ja) | 1996-04-12 |
Family
ID=17270761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25485394A Pending JPH0897515A (ja) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | 周波数安定化光源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0897515A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005259999A (ja) * | 2004-03-11 | 2005-09-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | レーザ変調波調整装置 |
| JP2008211137A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-11 | Anritsu Corp | 波長安定化光源 |
| JP2009194418A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-08-27 | Epson Toyocom Corp | 原子発振器 |
-
1994
- 1994-09-22 JP JP25485394A patent/JPH0897515A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005259999A (ja) * | 2004-03-11 | 2005-09-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | レーザ変調波調整装置 |
| JP2008211137A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-11 | Anritsu Corp | 波長安定化光源 |
| JP2009194418A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-08-27 | Epson Toyocom Corp | 原子発振器 |
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