JPH09100122A - ＣｄＳ超微結晶が存在してなる無機材料およびその製造方法ならびにそれを用いた光電気化学素子 - Google Patents
ＣｄＳ超微結晶が存在してなる無機材料およびその製造方法ならびにそれを用いた光電気化学素子Info
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- JPH09100122A JPH09100122A JP7286595A JP28659595A JPH09100122A JP H09100122 A JPH09100122 A JP H09100122A JP 7286595 A JP7286595 A JP 7286595A JP 28659595 A JP28659595 A JP 28659595A JP H09100122 A JPH09100122 A JP H09100122A
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】優れた光物理的または光電気化学的特性を有す
る無機材料を提供することを課題とする。 【解決手段】無機材料が有する細孔内に、ＣｄＳ超微結
晶を存在させてなる無機材料である。また、無機材料の
細孔内に、ジチオカルバミン酸カドミウムの蒸気を導入
し、次いで、熱分解する無機材料の製造方法である。さ
らに、前記の無機材料を電極として用いてなる光電気化
学素子である。
る無機材料を提供することを課題とする。 【解決手段】無機材料が有する細孔内に、ＣｄＳ超微結
晶を存在させてなる無機材料である。また、無機材料の
細孔内に、ジチオカルバミン酸カドミウムの蒸気を導入
し、次いで、熱分解する無機材料の製造方法である。さ
らに、前記の無機材料を電極として用いてなる光電気化
学素子である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、無機材料が有する細孔
内にＣｄＳ超微結晶を存在させてなる無機材料およびそ
の製造方法ならびにそれを用いた光電気化学素子に関す
る。
内にＣｄＳ超微結晶を存在させてなる無機材料およびそ
の製造方法ならびにそれを用いた光電気化学素子に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＣｄＳ超微結晶は、光学的および光電気
化学的特性において興味が持たれている。ＣｄＳ超微結
晶の作製方法としては種々の方法が知られており、たと
えば、ＣｄＩ2 、ＣｄＣｌ2 、ＣｄＳＯ4 、Ｃｄ（ＣＨ
3 ＣＯＯ）2 、Ｃｄ（ＮＯ3 ）2 などのカドミウム塩と
ＳＣ（ＮＨ2 ）2 とＮＨ4 ＯＨとを水溶液中で反応させ
る方法がある。また、単一原料系として有用な前駆体で
あるジチオカルバミン酸カドミウム錯体を用いる方法も
知られている（Ｔｒｅｎｄｓ ｉｎ Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈ
ｅｍ．２．，７９（１９９１））。
化学的特性において興味が持たれている。ＣｄＳ超微結
晶の作製方法としては種々の方法が知られており、たと
えば、ＣｄＩ2 、ＣｄＣｌ2 、ＣｄＳＯ4 、Ｃｄ（ＣＨ
3 ＣＯＯ）2 、Ｃｄ（ＮＯ3 ）2 などのカドミウム塩と
ＳＣ（ＮＨ2 ）2 とＮＨ4 ＯＨとを水溶液中で反応させ
る方法がある。また、単一原料系として有用な前駆体で
あるジチオカルバミン酸カドミウム錯体を用いる方法も
知られている（Ｔｒｅｎｄｓ ｉｎ Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈ
ｅｍ．２．，７９（１９９１））。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記のＣｄＳ超微結晶
を無機材料が有する細孔内に存在させると、光物理的ま
たは光電気化学的機能という観点において適用可能性を
有するものが得られると期待されている。
を無機材料が有する細孔内に存在させると、光物理的ま
たは光電気化学的機能という観点において適用可能性を
有するものが得られると期待されている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
ジチオカルバミン酸カドミウムの蒸気を用いると、これ
が、無機材料が有する細孔内に入り込み、次いで、この
ジチオカルバミン酸カドミウムを熱分解させると、無機
材料が有する細孔内にＣｄＳ超微結晶を存在させること
ができること、しかも、細孔内にＣｄＳ超微結晶が存在
してなる前記の無機材料は電極として有用なものであ
り、それを用いて光電気化学素子を構成することができ
ることなどを見出し、本発明を完成した。すなわち、本
発明は、無機材料が有する細孔内にＣｄＳ超微結晶が存
在してなる無機材料を提供することにある。また、本発
明は、前記の無機材料を簡便、かつ、効率よく製造する
方法を提供することにある。さらに、本発明は、前記の
無機材料を電極として用いた光電気化学素子を提供する
ことにある。
ジチオカルバミン酸カドミウムの蒸気を用いると、これ
が、無機材料が有する細孔内に入り込み、次いで、この
ジチオカルバミン酸カドミウムを熱分解させると、無機
材料が有する細孔内にＣｄＳ超微結晶を存在させること
ができること、しかも、細孔内にＣｄＳ超微結晶が存在
してなる前記の無機材料は電極として有用なものであ
り、それを用いて光電気化学素子を構成することができ
ることなどを見出し、本発明を完成した。すなわち、本
発明は、無機材料が有する細孔内にＣｄＳ超微結晶が存
在してなる無機材料を提供することにある。また、本発
明は、前記の無機材料を簡便、かつ、効率よく製造する
方法を提供することにある。さらに、本発明は、前記の
無機材料を電極として用いた光電気化学素子を提供する
ことにある。
【０００５】本発明は、無機材料が有する細孔内の全部
または一部に、ＣｄＳ超微結晶が存在してなる無機材料
である。本発明において、ＣｄＳ超微結晶とは、ナノメ
ーターサイズの範囲（１〜１０００ｎｍ）の大きさを有
するＣｄＳの結晶を言う。本発明において用いる無機材
料は、細孔を有する多孔質のものである。細孔のサイズ
（細孔直径）としてはナノメーターサイズの範囲（１〜
１０００ｎｍ）が好ましい。ナノメーターサイズの細孔
を有する無機材料を用いると、析出するＣｄＳ超微結晶
のサイズを小さくすることができるとともに、ＣｄＳ超
微結晶との接合面積を広くすることができることから、
優れた光物理的または光電気化学的機能を有する材料が
得られる。無機材料の材質としては、シリカなどのガラ
スあるいは酸化チタンなどが好ましく用いられる。ま
た、無機材料の形状は粒状、膜状、板状などの形状のも
のが好ましく用いられる。無機材料の体積に対する細孔
の体積の割合は、用途に応じて適宜設定できるが、１０
〜９０％程度が適当である。膜状の無機材料を用いる場
合には、膜あるいは支持体の面積１ｃｍ2 あたり、無機
材料の表面積が１０〜１００００ｃｍ2 程度のものが適
している。本発明の無機材料を製造するには、無機材料
が有する細孔内に、ジチオカルバミン酸カドミウムの蒸
気を導入し、次いで、熱分解する方法が好ましい。ジチ
オカルバミン酸カドミウムは、Ｃｄ（Ｓ2 ＣＮＲＲ’）
2 （式中、Ｒ、Ｒ’はそれぞれアルキル基またはアリ
ール基を示す。）で表される化合物であって、比較的高
い熱安定性を有することが知られており、気化させるこ
とが可能である。気化したジチオカルバミン酸カドミウ
ムは、無機材料が有する細孔内奥深くにまで拡散する。
拡散したジチオカルバミン酸カドミウムを分解温度以上
に加熱するとＣｄＳ超微結晶が析出する。このジチオカ
ルバミン酸カドミウムを用いると単一原料によってＣｄ
Ｓ超微結晶を作製することができるため、得られるＣｄ
Ｓ超微結晶の組成比の制御性に優れている。たとえば、
ジエチルジチオカルバミン酸カドミウムは次のような反
応でＣｄＳ超微結晶に分解する。
または一部に、ＣｄＳ超微結晶が存在してなる無機材料
である。本発明において、ＣｄＳ超微結晶とは、ナノメ
ーターサイズの範囲（１〜１０００ｎｍ）の大きさを有
するＣｄＳの結晶を言う。本発明において用いる無機材
料は、細孔を有する多孔質のものである。細孔のサイズ
（細孔直径）としてはナノメーターサイズの範囲（１〜
１０００ｎｍ）が好ましい。ナノメーターサイズの細孔
を有する無機材料を用いると、析出するＣｄＳ超微結晶
のサイズを小さくすることができるとともに、ＣｄＳ超
微結晶との接合面積を広くすることができることから、
優れた光物理的または光電気化学的機能を有する材料が
得られる。無機材料の材質としては、シリカなどのガラ
スあるいは酸化チタンなどが好ましく用いられる。ま
た、無機材料の形状は粒状、膜状、板状などの形状のも
のが好ましく用いられる。無機材料の体積に対する細孔
の体積の割合は、用途に応じて適宜設定できるが、１０
〜９０％程度が適当である。膜状の無機材料を用いる場
合には、膜あるいは支持体の面積１ｃｍ2 あたり、無機
材料の表面積が１０〜１００００ｃｍ2 程度のものが適
している。本発明の無機材料を製造するには、無機材料
が有する細孔内に、ジチオカルバミン酸カドミウムの蒸
気を導入し、次いで、熱分解する方法が好ましい。ジチ
オカルバミン酸カドミウムは、Ｃｄ（Ｓ2 ＣＮＲＲ’）
2 （式中、Ｒ、Ｒ’はそれぞれアルキル基またはアリ
ール基を示す。）で表される化合物であって、比較的高
い熱安定性を有することが知られており、気化させるこ
とが可能である。気化したジチオカルバミン酸カドミウ
ムは、無機材料が有する細孔内奥深くにまで拡散する。
拡散したジチオカルバミン酸カドミウムを分解温度以上
に加熱するとＣｄＳ超微結晶が析出する。このジチオカ
ルバミン酸カドミウムを用いると単一原料によってＣｄ
Ｓ超微結晶を作製することができるため、得られるＣｄ
Ｓ超微結晶の組成比の制御性に優れている。たとえば、
ジエチルジチオカルバミン酸カドミウムは次のような反
応でＣｄＳ超微結晶に分解する。
【化１】 この方法によると、格子欠陥の少ないＣｄＳ超微結晶
を、無機材料が有する細孔内に均一に存在させやすい。
特に、ナノメーターサイズ（１〜１０００ｎｍ）の微細
な細孔内にＣｄＳ超微結晶を存在させやすい。
を、無機材料が有する細孔内に均一に存在させやすい。
特に、ナノメーターサイズ（１〜１０００ｎｍ）の微細
な細孔内にＣｄＳ超微結晶を存在させやすい。
【０００６】本発明の無機材料は、その細孔内にＣｄＳ
超微結晶を存在させていることから、光電気化学的特性
に優れており、光電導素子、電子写真材料、太陽電池素
子、光電池素子などの光電気化学素子の電極として有用
である。
超微結晶を存在させていることから、光電気化学的特性
に優れており、光電導素子、電子写真材料、太陽電池素
子、光電池素子などの光電気化学素子の電極として有用
である。
【０００７】
【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れに限定されるものではない。
れに限定されるものではない。
【０００８】実施例１ 無機材料として、多孔質シリカガラスを用いた。シリカ
ガラスが有する細孔の平均サイズは４ｎｍであり、ま
た、細孔の体積比は３０％である。真空下、ガラス管中
に封じたジエチルジチオカルバミン酸カドミウムと多孔
質シリカガラスとを３２０℃の温度まで加熱して（３０
分間）、多孔質シリカガラスが有する細孔内にジエチル
ジチオカルバミン酸カドミウムの蒸気を導入し、次い
で、熱分解して、シリカガラスの細孔内に、ＣｄＳ超微
結晶を析出させてなる本発明の無機材料（試料Ａ）を得
た。
ガラスが有する細孔の平均サイズは４ｎｍであり、ま
た、細孔の体積比は３０％である。真空下、ガラス管中
に封じたジエチルジチオカルバミン酸カドミウムと多孔
質シリカガラスとを３２０℃の温度まで加熱して（３０
分間）、多孔質シリカガラスが有する細孔内にジエチル
ジチオカルバミン酸カドミウムの蒸気を導入し、次い
で、熱分解して、シリカガラスの細孔内に、ＣｄＳ超微
結晶を析出させてなる本発明の無機材料（試料Ａ）を得
た。
【０００９】実施例２ 無機材料として、直径２０ｎｍの酸化チタン粒子から作
製した多孔質酸化チタン膜（膜厚９μｍ）を用いた。こ
の酸化チタン膜は導電性ＳｎＯ2 をコーティングしたガ
ラス上に固定してある。この支持体の面積１ｃｍ2 あた
りの酸化チタン膜の表面積は約１０００ｃｍ2 であっ
た。真空下、ガラス管中に封じたジエチルジチオカルバ
ミン酸カドミウムと多孔質酸化チタン膜とを３２０℃の
温度まで加熱して（３０分間）、多孔質酸化チタン膜が
有する細孔内にジエチルジチオカルバミン酸カドミウム
の蒸気を導入し、次いで、熱分解して、酸化チタン膜の
細孔内に、ＣｄＳ超微結晶を析出させてなる本発明の無
機材料（試料Ｂ）を得た。
製した多孔質酸化チタン膜（膜厚９μｍ）を用いた。こ
の酸化チタン膜は導電性ＳｎＯ2 をコーティングしたガ
ラス上に固定してある。この支持体の面積１ｃｍ2 あた
りの酸化チタン膜の表面積は約１０００ｃｍ2 であっ
た。真空下、ガラス管中に封じたジエチルジチオカルバ
ミン酸カドミウムと多孔質酸化チタン膜とを３２０℃の
温度まで加熱して（３０分間）、多孔質酸化チタン膜が
有する細孔内にジエチルジチオカルバミン酸カドミウム
の蒸気を導入し、次いで、熱分解して、酸化チタン膜の
細孔内に、ＣｄＳ超微結晶を析出させてなる本発明の無
機材料（試料Ｂ）を得た。
【００１０】無機材料の細孔内にＣｄＳ超微結晶が析出
したことを確認するために、試料のＥＰＭＡ測定（電子
線マイクロアナライザーを用いた元素分析）を行った。
これにより、試料Ａに存在するＣｄＳ超微結晶のシリカ
ガラス内における深さ方向の分布を示した図が図１であ
る。図１は、ＣｄＳ超微結晶がシリカガラスのナノメー
ターサイズの細孔内に０から１００μｍの範囲にわたっ
て入った様子を示している。深さ方向５０μｍまでは、
ＣｄＳ超微結晶がシリカガラスのナノメーターサイズの
細孔内に入っていることがこの図１からわかった。この
試料Ａの概念図を図２に示す。試料Ｂに存在するＣｄＳ
超微結晶の多孔質酸化チタン膜内における深さ方向の分
布を示した図が図３である。図３は、ＣｄＳ超微結晶が
酸化チタン膜のナノメーターサイズの細孔内に入った様
子を示している。深さ方向２μｍまでは、ＣｄＳ超微結
晶は酸化チタン膜のナノメーターサイズの細孔内全てに
入っていると思われる。この試料Ｂの概念図を図４に示
す。
したことを確認するために、試料のＥＰＭＡ測定（電子
線マイクロアナライザーを用いた元素分析）を行った。
これにより、試料Ａに存在するＣｄＳ超微結晶のシリカ
ガラス内における深さ方向の分布を示した図が図１であ
る。図１は、ＣｄＳ超微結晶がシリカガラスのナノメー
ターサイズの細孔内に０から１００μｍの範囲にわたっ
て入った様子を示している。深さ方向５０μｍまでは、
ＣｄＳ超微結晶がシリカガラスのナノメーターサイズの
細孔内に入っていることがこの図１からわかった。この
試料Ａの概念図を図２に示す。試料Ｂに存在するＣｄＳ
超微結晶の多孔質酸化チタン膜内における深さ方向の分
布を示した図が図３である。図３は、ＣｄＳ超微結晶が
酸化チタン膜のナノメーターサイズの細孔内に入った様
子を示している。深さ方向２μｍまでは、ＣｄＳ超微結
晶は酸化チタン膜のナノメーターサイズの細孔内全てに
入っていると思われる。この試料Ｂの概念図を図４に示
す。
【００１１】次に、試料の紫外および可視部の吸収スペ
クトルと蛍光スペクトルとを測定した。試料Ａのスペク
トルを図５に示す。この図５に示した紫外および可視吸
収スペクトルから、吸収端が波長５２０ｎｍにあること
がわかる。これは、６ｎｍ以上のサイズのＣｄＳ超微結
晶のものに対応している。また、図５の蛍光スペクトル
では、波長５００ｎｍにピークが見られた。この蛍光の
エネルギーはＣｄＳのバンドギャップと一致している。
このことは、試料Ａに存在するＣｄＳ超微結晶には格子
欠陥が少ないことを示唆している。試料Ｂのスペクトル
を図６に示す。この図６に示した紫外および可視吸収ス
ペクトルから、吸収端は波長５２０〜５３０ｎｍと見積
もられる。この値は６ｎｍ以上のサイズのＣｄＳ超微結
晶の値と一致する。また、図６の蛍光スペクトルでは、
波長５００ｎｍにピークが見られた。このことは、試料
Ｂ内のＣｄＳ超微結晶には格子欠陥が少ないことを示唆
している。
クトルと蛍光スペクトルとを測定した。試料Ａのスペク
トルを図５に示す。この図５に示した紫外および可視吸
収スペクトルから、吸収端が波長５２０ｎｍにあること
がわかる。これは、６ｎｍ以上のサイズのＣｄＳ超微結
晶のものに対応している。また、図５の蛍光スペクトル
では、波長５００ｎｍにピークが見られた。この蛍光の
エネルギーはＣｄＳのバンドギャップと一致している。
このことは、試料Ａに存在するＣｄＳ超微結晶には格子
欠陥が少ないことを示唆している。試料Ｂのスペクトル
を図６に示す。この図６に示した紫外および可視吸収ス
ペクトルから、吸収端は波長５２０〜５３０ｎｍと見積
もられる。この値は６ｎｍ以上のサイズのＣｄＳ超微結
晶の値と一致する。また、図６の蛍光スペクトルでは、
波長５００ｎｍにピークが見られた。このことは、試料
Ｂ内のＣｄＳ超微結晶には格子欠陥が少ないことを示唆
している。
【００１２】さらに、試料Ｂの光電気化学的特性を測定
した。一つの電極として試料Ｂを用い、もう一方の電極
にはＰｔを担持した導電ガラスを用いた。この二つの電
極間に、０．５Ｍのヨウ化テトラプロピルアンモニウム
と０．０５Ｍのヨウ素とをエチレンカーボナートとアセ
トニトリルとを体積比で８：２に混合した溶媒に溶解さ
せた液を電解液として満たした。この二つの電極間にリ
ード線を取付け、本発明の光電気化学素子（光電気化学
電池）を形成した。この光電気化学素子の、試料Ｂから
なる電極に４００〜７００ｎｍの範囲の単色光を照射
し、発生する光電流を測定した。これにより求めた入射
フォトンに対する発生電子の割合（いわゆる光電流のア
クションスペクトル）を図７に示す。図６の光吸収スペ
クトルと対比すると、ＣｄＳ超微結晶の光吸収に対応し
て光電流が発生していることがわかる。これにより本発
明の素子は光電気化学素子としての性能を有することが
確かめられた。
した。一つの電極として試料Ｂを用い、もう一方の電極
にはＰｔを担持した導電ガラスを用いた。この二つの電
極間に、０．５Ｍのヨウ化テトラプロピルアンモニウム
と０．０５Ｍのヨウ素とをエチレンカーボナートとアセ
トニトリルとを体積比で８：２に混合した溶媒に溶解さ
せた液を電解液として満たした。この二つの電極間にリ
ード線を取付け、本発明の光電気化学素子（光電気化学
電池）を形成した。この光電気化学素子の、試料Ｂから
なる電極に４００〜７００ｎｍの範囲の単色光を照射
し、発生する光電流を測定した。これにより求めた入射
フォトンに対する発生電子の割合（いわゆる光電流のア
クションスペクトル）を図７に示す。図６の光吸収スペ
クトルと対比すると、ＣｄＳ超微結晶の光吸収に対応し
て光電流が発生していることがわかる。これにより本発
明の素子は光電気化学素子としての性能を有することが
確かめられた。
【００１３】
【発明の効果】本発明は、無機材料が有する細孔内に、
ＣｄＳ超微結晶を存在させてなる無機材料であって、存
在するＣｄＳが格子欠陥の少ない超微結晶であることか
ら、優れた光物理的または光電気化学的特性を有するも
のである。また、本発明は、無機材料の細孔内に、ジチ
オカルバミン酸カドミウムの蒸気を導入し、次いで、熱
分解する無機材料の製造方法であって、ＣｄＳ超微結晶
を均一に存在させた所望の無機材料を簡便、かつ、効率
よく製造することができる。さらに、本発明は、前記の
無機材料を電極として用いてなる光電気化学素子であっ
て、優れた光電気化学特性を有するものである。
ＣｄＳ超微結晶を存在させてなる無機材料であって、存
在するＣｄＳが格子欠陥の少ない超微結晶であることか
ら、優れた光物理的または光電気化学的特性を有するも
のである。また、本発明は、無機材料の細孔内に、ジチ
オカルバミン酸カドミウムの蒸気を導入し、次いで、熱
分解する無機材料の製造方法であって、ＣｄＳ超微結晶
を均一に存在させた所望の無機材料を簡便、かつ、効率
よく製造することができる。さらに、本発明は、前記の
無機材料を電極として用いてなる光電気化学素子であっ
て、優れた光電気化学特性を有するものである。
【図１】実施例１の試料ＡについてのＥＰＭＡにより測
定したＣｄＳの深さ方向の分布である。
定したＣｄＳの深さ方向の分布である。
【図２】実施例１の試料Ａの概念図である。
【図３】実施例２の試料ＢについてのＥＰＭＡにより測
定したＣｄＳの深さ方向の分布である。
定したＣｄＳの深さ方向の分布である。
【図４】実施例２の試料Ｂの概念図である。
【図５】実施例１の試料Ａについての紫外および可視部
の吸収スペクトルと蛍光スペクトルとの測定チャートで
ある。
の吸収スペクトルと蛍光スペクトルとの測定チャートで
ある。
【図６】実施例２の試料Ｂについての紫外および可視部
の吸収スペクトルと蛍光スペクトルとの測定チャートで
ある。
の吸収スペクトルと蛍光スペクトルとの測定チャートで
ある。
【図７】実施例２の試料Ｂを電極として用いた光電気化
学素子についての光電流のアクションスペクトルを示し
た図である。
学素子についての光電流のアクションスペクトルを示し
た図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 31/0264 Ｈ０１Ｍ 14/00 Ｈ０１Ｍ 4/00 Ｈ０１Ｌ 31/04 Ｅ 14/00 31/08 Ｌ
Claims (3)
- 【請求項１】無機材料が有する細孔内に、ＣｄＳ超微結
晶を存在させてなることを特徴とする無機材料。 - 【請求項２】無機材料が有する細孔内に、ジチオカルバ
ミン酸カドミウムの蒸気を導入し、次いで、熱分解する
ことを特徴とするＣｄＳ超微結晶が存在してなる無機材
料の製造方法。 - 【請求項３】請求項１に記載の無機材料を電極として用
いてなることを特徴とする光電気化学素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28659595A JP3640716B2 (ja) | 1995-10-05 | 1995-10-05 | ＣｄＳ超微結晶が存在してなる無機材料およびその製造方法ならびにそれを用いた光電気化学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28659595A JP3640716B2 (ja) | 1995-10-05 | 1995-10-05 | ＣｄＳ超微結晶が存在してなる無機材料およびその製造方法ならびにそれを用いた光電気化学素子 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09100122A true JPH09100122A (ja) | 1997-04-15 |
| JP3640716B2 JP3640716B2 (ja) | 2005-04-20 |
Family
ID=17706454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28659595A Expired - Fee Related JP3640716B2 (ja) | 1995-10-05 | 1995-10-05 | ＣｄＳ超微結晶が存在してなる無機材料およびその製造方法ならびにそれを用いた光電気化学素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3640716B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013501381A (ja) * | 2009-08-04 | 2013-01-10 | プリカーサー エナジェティクス， インコーポレイテッド | 制御された化学量論を有する光起電性アブソーバーのための方法 |
| WO2013031767A1 (ja) * | 2011-08-29 | 2013-03-07 | 地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター | 多孔質シリカ内包粒子の製造方法および多孔質シリカ、多孔質シリカ内包粒子 |
| JP2016119441A (ja) * | 2014-12-22 | 2016-06-30 | 財團法人工業技術研究院Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ | 化合物太陽電池および硫化物単結晶ナノ粒子を有する薄膜の形成方法 |
| WO2016149281A1 (en) * | 2015-03-17 | 2016-09-22 | Board Of Regents Of The Nevada System Of Higher Education, On Behalf Of The University Of Nevada, Reno | Chalcogenide materials, chalcogenide-based materials, and methods of making and using the same |
| JP2017007938A (ja) * | 2011-08-29 | 2017-01-12 | 地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター | 多孔質シリカ内包粒子の製造方法 |
-
1995
- 1995-10-05 JP JP28659595A patent/JP3640716B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| WO2013031767A1 (ja) * | 2011-08-29 | 2013-03-07 | 地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター | 多孔質シリカ内包粒子の製造方法および多孔質シリカ、多孔質シリカ内包粒子 |
| JP2013063895A (ja) * | 2011-08-29 | 2013-04-11 | Tokyo Metropolitan Industrial Technology Research Institute | 多孔質シリカ内包粒子の製造方法および多孔質シリカ、多孔質シリカ内包粒子 |
| JP2017007938A (ja) * | 2011-08-29 | 2017-01-12 | 地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター | 多孔質シリカ内包粒子の製造方法 |
| US10293320B2 (en) | 2011-08-29 | 2019-05-21 | Tokyo Metropolitan Industrial Technology Research Institute | Method for producing a particle containing porous silica, porous silica, and a particle containing porous silica |
| JP2016119441A (ja) * | 2014-12-22 | 2016-06-30 | 財團法人工業技術研究院Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ | 化合物太陽電池および硫化物単結晶ナノ粒子を有する薄膜の形成方法 |
| WO2016149281A1 (en) * | 2015-03-17 | 2016-09-22 | Board Of Regents Of The Nevada System Of Higher Education, On Behalf Of The University Of Nevada, Reno | Chalcogenide materials, chalcogenide-based materials, and methods of making and using the same |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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