JPH09100132A - 光ファイバ用プリフォーム - Google Patents

光ファイバ用プリフォーム

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JPH09100132A
JPH09100132A JP25785995A JP25785995A JPH09100132A JP H09100132 A JPH09100132 A JP H09100132A JP 25785995 A JP25785995 A JP 25785995A JP 25785995 A JP25785995 A JP 25785995A JP H09100132 A JPH09100132 A JP H09100132A
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JP
Japan
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optical fiber
glass rod
magnification
cladding
core
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Application number
JP25785995A
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English (en)
Inventor
Yuichi Oga
裕一 大賀
Shinji Ishikawa
真二 石川
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Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication date
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
    • C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
    • C03B37/02—Manufacture of glass fibres or filaments by drawing or extruding, e.g. direct drawing of molten glass from nozzles; Cooling fins therefor
    • C03B37/025—Manufacture of glass fibres or filaments by drawing or extruding, e.g. direct drawing of molten glass from nozzles; Cooling fins therefor from reheated softened tubes, rods, fibres or filaments, e.g. drawing fibres from preforms
    • C03B37/027—Fibres composed of different sorts of glass, e.g. glass optical fibres

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 カットオフ波長λｃが所定の設計値と一致
し、線引長の全長にわたって均一になる光ファイバを製
造することができる光ファイバ用プリフォームを提供す
る。 【構成】 直径ａ、屈折率ｎ1 のコアとなるべき部分１
２及びその周囲を同心円状に取り囲む屈折率ｎ2 の内層
クラッドなるべき部分１４を有する外径ｂのガラスロッ
ド１６と、このガラスロッド１６の周囲に同心円状に形
成された外径Ｂ、屈折率ｎ2 の外層クラッドとなるべき
部分１８とから構成されている光ファイバ用プリフォー
ム１０において、そのクラッド径Ｂは長手方向にほぼ均
一になっているが、ガラスロッド１６の線引終了端部及
び線引終了端部の両端部近傍がテーパ形状をなし、クラ
ッド／ガラスロッド倍率（Ｂ／ｂ）がそれぞれ端部のに
向かって漸次減少している。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバを線引
する母材となる光ファイバ用プリフォームに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバは、光を閉じ込めて伝搬する
コアとそれを同心円状に取り囲むクラッドとから構成さ
れるが、散乱等による伝送損失を抑制するため、コア直
径ｄとクラッド外径Ｄは全長にわたって均一となるよう
正確にコントロールされていることが要求される。特
に、シングルモードファイバにおいては、カットオフ波
長λｃが所定の設計値に合致することが重要となるた
め、コアの直径ｄとクラッドの外径Ｄの正確なコントロ
ールは強く要求される。
【０００３】光ファイバのカットオフ波長λｃは、
【０００４】
【数１】
【０００５】ここで、 ｖc ：カットオフｖ（正規化周波数）値 Δ ：比屈折率差 ｎ1 ：コアの屈折率 ｎ2 ：クラッドの屈折率 で表せる。いま、光ファイバをステップ型光ファイバと
仮定すると、カットオフｖ値ｖc は、 ｖc ＝２．４０５ となり、更にクラッド外径Ｄを１２５μｍとおくと、カ
ットオフ波長λｃ（μｍ）は、
【０００６】
【数２】
【０００７】となる。従って、カットオフ波長λｃは、
クラッドの外径Ｄのコア直径ｄに対する倍率、即ちクラ
ッド／コア倍率（Ｄ／ｄ）と比屈折率差Δとで定まる。
【０００８】このように、光ファイバの全長にわたって
カットオフ波長λｃを所定の設計値に合致させるために
は、光ファイバにおけるクラッド／コア倍率（Ｄ／ｄ）
が全長にわたって一定となることが必要であり、それに
は光ファイバを線引する光ファイバ用プリフォームにお
いて、そのクラッド部の外径とコア部の直径との倍率が
一定となるようにしておくことが必要とされる。
【０００９】このため、先ず、ガラス形成材の火炎加水
分解で発生したシリカ微粒子を基本に堆積してコア層と
クラッド層を作った後、脱水・ガラス化して、コア部と
それを取り囲む部分クラッド部からなるガラスロッドを
形成し、次いで、このガラスロッドの周囲に外部クラッ
ド部を形成することにより、コア部の直径とクラッド部
の外径との比が正確にコントロールされた光ファイバ用
プリフォームを得る方法が提案されている（特公平５−
１８７６８号参照）。
【００１０】また、ターゲット部材を回転させながら、
その長手方向にガラス材料ガスを酸素及び水素と共に燃
焼させるバーナをトラバースさせて、そのターゲット部
材の周囲にガラススートを生成・堆積させる際に、ター
ゲット部材の長手方向におけるコア部の直径とクラッド
部の外径との比を予め測定しておき、その比の変化に対
応してバーナのトラバース速度及びガラス材料ガスの供
給量を制御することにより、コア部の直径とクラッド部
の外径との比が長手方向に一様となる光ファイバ用プリ
フォームを製造する方法も提案されている（特開平４−
２９２４３４号参照）。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、コア部
の直径とクラッド部の外径との比が所定の設計値と一致
し、全長にわたって均一に製造された光ファイバ用プリ
フォームを用いて溶融紡糸を行えば、得られた光ファイ
バのカットオフ波長λｃは全長にわたって所定の設計値
と一致して均一になると予測されたにも拘らず、実際に
はカットオフ波長λｃが所定の設計値より小さくなる部
分が生じるという現象が起きた。以下、図７乃至図１０
を用いて、具体的に説明する。
【００１２】図７に示すように、従来の光ファイバ用プ
リフォーム４０は、直径ａ、屈折率ｎ1 のコアとなるべ
き柱状部４２及びその周囲を同心円状に取り囲む屈折率
ｎ2の内層クラッドとなるべき部分４４を有する外径ｂ
のガラスロッド４６と、このガラスロッド４６の周囲に
同心円状に形成された外径Ｂ、屈折率ｎ2 の外層クラッ
ドとなるべき部分４８とから構成され、このコアとなる
べき部分４２の直径ａ（以下、「コア径ａ」という）及
び外層クラッドとなるべき部分４８の外径Ｂ（以下、
「クラッド径Ｂ」という）はそれぞれ光ファイバ用プリ
フォームの長手方向にほぼ均一になっている。
【００１３】この光ファイバ用プリフォーム４０は、次
のようにして作製される。
【００１４】例えばＧｅ−ＳｉＯ2 ガラスからなるコア
部４２とその周囲を同心円状に取り囲むＳｉＯ2 ガラス
からなる部分クラッド部４４を有する直径２０ｍｍ、長
さ８５０ｍｍのガラスロッド４６を出発材として準備す
る。
【００１５】そして火炎加水分解法（気相合成法）のう
ち、例えばＶＡＤ法（Vapor AxialDeposition Method
；気相軸付法）を用いて、ガラスロッド４６の周囲に
ＳｉＯ2 からなるガラス微粒子を同心円状に堆積させ、
ＳｉＯ2 微粒子層４８ａを形成する。このとき、酸素及
び水素と共にバーナーに供給して燃焼させるガラス材料
ガスの量を調整することにより、ＳｉＯ2 微粒子層４８
ａの外径が例えば１６０ｍｍとなって長手方向にほぼ均
一になるように制御する。こうして、コア部４２及びそ
の周囲を同心円状に取り囲む部分クラッド部４４を有す
るガラスロッド４６と、そのガラスロッド４６の周囲に
同心円状に堆積されたＳｉＯ2 微粒子層４８ａとからな
る複合体４０ａを作製する。
【００１６】次いで、図８に示すように、ガラスロッド
４６とその周囲に同心円状に堆積されたＳｉＯ2 微粒子
層４８ａとからなる複合体４０ａを焼結炉を用いて焼結
する。なお、ここで用いる焼結炉は、複合体４０ａを挿
入する炉心管５０と、その炉心管５０の周囲に設けら
れ、複合体４０ａを加熱するヒータ５２と、炉心管５０
内にガスを導入するガス導入口５４と、炉心管５０内か
らガスを排気するガス排気口５６とを有する。また、こ
のときの焼結条件は、炉心管５０内に導入したＨｅ雰囲
気中において、複合体４０ａを例えば速度５ｍｍ／分で
下降させつつヒータ温度１６００℃で加熱するものであ
る。このような条件下で複合体４０ａをその下部から焼
結していくことにより、ＳｉＯ2 微粒子層４８ａを加熱
・脱水し、更に透明ガラス化して、ＳｉＯ2 ガラスから
なる屈折率ｎ2 の外部クラッド部４８を形成する。こう
して、有効部の長さが７００ｍｍの光ファイバ用プリフ
ォーム４０を作製する。
【００１７】次に、こうして作製した光ファイバ用プリ
フォーム４０におけるクラッド径Ｂのガラスロッド４６
の外径ｂ（以下、「ガラスロッド径ｂ」という）に対す
る倍率、即ちクラッド／ガラスロッド倍率（Ｂ／ｂ）を
プリフォームアナライザにより測定し、所定の設計倍率
との倍率比をとると、図９のグラフに示すように、光フ
ァイバ用プリフォームの全長にわたってほぼ１．００に
一定している。即ち、光ファイバ用プリフォーム４０の
クラッド／ガラスロッド倍率（Ｂ／ｂ）は、その全長に
わたって所定の設計倍率とほぼ一致し、均一である。
【００１８】なお、ここで、クラッド径Ｂのコア径ａに
対する倍率、即ちクラッド／コア倍率（Ｂ／ａ）ではな
く、クラッド／ガラスロッド倍率（Ｂ／ｂ）を用いたの
は、ガラスロッド径ｂの測定がコア径ａの測定より容易
であるからであり、またガラスロッド４６におけるコア
径ａとガラスロッド径ｂとの比ａ／ｂがその全長にわた
って高精度に均一であるため、クラッド／コア倍率（Ｂ
／ａ）とクラッド／ガラスロッド倍率（Ｂ／ｂ）はそれ
ぞれの設計倍率との倍率比をとれば等価となるからであ
る。
【００１９】また、図９のグラフに示すように、有効部
長さＬ＝０ｍｍのガラスロッド４６の端部を光ファイバ
を線引する際の終了端部（以下、「線引終了端部」とい
う）とし、有効部長さＬ＝７００ｍｍのガラスロッド４
６の端部を光ファイバを線引する際の開始端部（以下、
「線引終了端部」という）とする。
【００２０】次に、このクラッド／ガラスロッド倍率
（Ｂ／ｂ）が全長にわたって設計倍率とほぼ一致してい
る光ファイバ用プリフォーム４０を、例えば温度２１０
０℃で加熱し軟化させて、線引長２００ｋｍの光ファイ
バを溶融紡糸する。そしてその光ファイバのカットオフ
波長λｃを測定すると、図１０のグラフに示すように、
線引開始端部近傍と線引終了端部近傍の光ファイバのカ
ットオフ波長λｃが所定の設計値よりも減少している。
このカットオフ波長λｃの減少は、線引終了端部近傍に
おいて特に顕著である。
【００２１】このように、クラッド／ガラスロッド倍率
（Ｂ／ｂ）が所定の設計値と一致し、全長にわたって均
一に製造された光ファイバ用プリフォーム４０を用いて
溶融紡糸しても、ガラスロッド４６の端部近傍を線引し
て得られた光ファイバのカットオフ波長λｃは所定の設
計値よりも小さくなり、製造バラツキが大きくなるとい
う問題があった。
【００２２】本発明は、上記の状況を鑑みてなされたも
のであり、カットオフ波長λｃが所定の設計値と一致
し、線引長の全長にわたって均一になる光ファイバを製
造することができる光ファイバ用プリフォームを提供す
ることを目的とする。
【００２３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明者らは、光ファイバ用プリフォームの端部近
傍を線引して得られた光ファイバのカットオフ波長λｃ
が所定の設計値よりも小さくなる原因の調査・研究を進
めた結果、特に光ファイバの線引終了端部近傍において
は、比屈折率差Δは変化がないものの、光ファイバのコ
ア直径ｄが減少し、クラッド外径Ｄのコア直径ｄに対す
る倍率Ｄ／ｄが増大していることが確認された。そして
その原因としては、次のことが考えられる。
【００２４】即ち、一般的に光ファイバ用プリフォーム
４０には、図１１（ａ）に示すように、例えば線引終了
端部近傍に非有効部と称する廃却部５８が存在する。そ
してこの廃却部５８はテーパ形状をなしている。そのた
め、光ファイバ用プリフォーム４０を下降させつつ、そ
の下端を線引炉内のヒータ６０で加熱・軟化させ、光フ
ァイバ６２を線引する際、光ファイバ用プリフォーム４
０の線引終了端部近傍においては、テーパ形状をなす廃
却部５８の輻射熱の影響により、線引炉内の温度が上昇
する。即ち、図１１（ｂ）のグラフにおいて、光ファイ
バ用プリフォーム４０のクラッドの外径Ｄが均一な部分
を溶融紡糸する際の線引炉内の温度分布を実線で示し、
線引終了端部近傍を溶融紡糸する際の線引炉内の温度分
布を破線で示すと、グラフ中に矢印で示すように、実線
で示す温度分布から破線で示す高温側の温度分布に広が
って、線引ネックダウン部が定常部より長くなる。その
結果、クラッド部に溶融軟化部のガラスが流れ込み、線
引終了端部近傍における光ファイバ６２のクラッドの厚
さが増大し、コアの直径ｄが減少する。このため、光フ
ァイバ６２のクラッド／コア倍率（Ｄ／ｄ）が増大し、
線引終了端部近傍における光ファイバ６２のカットオフ
波長λｃが所定の設計値よりも低下すると考えられる。
【００２５】また、光ファイバ用プリフォーム４０の線
引開始端部近傍においても、線引開始時の口出しを容易
にするため等の理由から非有効部と称するテーパ形状の
廃却部を設けているため、線引炉内の温度分布の広がり
程度は小さいとはいえ、線引終了端部近傍における場合
と同様に光ファイバ６２のクラッド／コア倍率（Ｄ／
ｄ）の増大現象が生じると考えられる。
【００２６】従って、上記課題は、以下の特徴を有する
光ファイバ用プリフォームによって解決される。
【００２７】即ち、本発明に係る光ファイバ用プリフォ
ームは、コアとなるべき柱状部を含む柱状のガラスロッ
ドと、ガラスロッドを同心円状に取り囲むクラッドとな
るべき管状部とを備えた光ファイバ用プリフォームであ
って、（ａ）管状部の外径が長手方向にほぼ均一になっ
ている外径均一部と、（ｂ）管状部がガラスロッドの一
方又は両方の端部近傍におけるテーパ形状をなすテーパ
部であって、管状部の外径とガラスロッドの径との比の
値であるクラッド／ガラスロッド倍率がガラスロッドの
端部に向かって漸次減少しているテーパ部とを備えるこ
とを特徴とする。
【００２８】このように、本発明の光ファイバ用プリフ
ォームにおいては、コアとなるべき柱状部の一方又は両
方の端部近傍のクラッドとなるべき管状部がテーパ形状
をなし、端部近傍におけるクラッド／ガラスロッド倍率
が端部に向かって漸次減少しているため、溶融紡糸時の
端部近傍における光ファイバのクラッド／コア倍率の増
大現象と相殺させて、光ファイバのクラッド／コア倍率
が端部近傍を含む線引長の全長にわたって均一になるよ
うにすることができる。従って、光ファイバのカットオ
フ波長λｃが所定の設計値と一致し、端部近傍を含む全
長にわたって均一になるようにすることができる。
【００２９】なお、上記本発明に係る光ファイバ用プリ
フォームは、ガラスロッドの端部におけるクラッド／ガ
ラスロッド倍率の、外径均一部におけるクラッド／ガラ
スロッド倍率に対する減少が、８％以内であることが好
ましい。
【００３０】また、上記本発明に係る光ファイバ用プリ
フォームは、ガラスロッドが、コアとなるべき柱状部
と、コアとなるべき柱状部を同心円状に取り囲む内層ク
ラッドとなるべき部分を備えていてもよいし、コアとな
るべき柱状部のみを備えることとしてもよい。
【００３１】また、上記本発明に係る光ファイバ用プリ
フォームは、クラッドとなるべき管状部が、ガラスロッ
ドの周囲に火炎加水分解法により堆積させたガラス微粒
子を焼結後、透明化して形成されたものであることを特
徴としてもよい。
【００３２】更に、上記本発明に係る光ファイバ用プリ
フォームは、テーパ部の更に外側に、テーパ部と同一傾
斜のテーパ形状をもつ廃却部が設けられていることが好
適である。
【００３３】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の実施の形態を説明する。なお、図面の説明において同
一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略す
る。
【００３４】（第１実施形態）本発明の第１実施形態に
係る光ファイバ用プリフォームを、図１を用いて説明す
る。図１（ａ）は本発明の第１の実施の形態に係る光フ
ァイバ用プリフォームを示す断面図、図１（ｂ）は図１
（ａ）の光ファイバ用プリフォームのＡ−Ａ´断面にお
ける屈折率分布を示す図である。
【００３５】図１に示すように、本発明の第１実施形態
に係る光ファイバ用プリフォーム１０は、例えばＧｅ−
ＳｉＯ2 ガラスからなる直径ａ、屈折率ｎ1 の棒状のコ
アとなるべき部分１２及びその周囲を同心円状に取り囲
むＳｉＯ2 ガラスからなる屈折率ｎ2 の内層クラッドと
なるべき部分１４を有する外径ｂのガラスロッド１６
と、このガラスロッド１６の周囲に同心円状に形成され
た外径Ｂ、屈折率ｎ2 のＳｉＯ2 ガラスからなる外層ク
ラッドとなるべき部分１８とから構成されている。そし
てそのクラッド径Ｂは光ファイバ用プリフォーム１０の
長手方向にほぼ均一になっているが、ガラスロッド１６
の線引終了端部及び線引終了端部の両端部近傍において
はテーパ形状をなしている。クラッド径Ｂのガラスロッ
ド１６の外径ｂ（以下、「ガラスロッド径ｂ」という）
に対する倍率、即ちクラッド／ガラスロッド倍率をＢ／
ｂとする。以下、クラッド径Ｂがほぼ均一になっている
部分を外径均一部と呼び、テーパ形状をなしている部分
をテーパ部と呼ぶ。これら外径均一部（ガラスロッド１
６に相当する長さの部分）を有効部とも呼ぶ。
【００３６】次に、図１に示す光ファイバ用プリフォー
ム１０の製造方法を、図２を用いて説明する。ここで、
図２は焼結炉を示す概略図である。
【００３７】Ｇｅ−ＳｉＯ2 ガラスからなるコアとなる
べき部分１２とその周囲を同心円状に取り囲むＳｉＯ2
ガラスからなる内層クラッドとなるべき部分１４を有す
る直径２０ｍｍ、長さ８５０ｍｍのガラスロッド１６を
出発材として準備する。
【００３８】そして、例えばＶＡＤ法を用いて、ガラス
ロッド１６を所定の引上げ長だけ引き上げつつ、その周
囲にＳｉＯ2 からなるガラス微粒子を同心円状に堆積さ
せ、ＳｉＯ2 微粒子層１８ａを形成する。このとき、酸
素及び水素と共にバーナーに供給し燃焼させるガラス材
料ガスの量を調整することにより、ＳｉＯ2 微粒子層１
８ａの厚みが長手方向にほぼ均一になるように制御す
る。ＳｉＯ2 微粒子層１８ａの外径は長手方向にほぼ均
一に例えば１６０ｍｍとなると共に、ガラスロッド１６
の両端部近傍ではテーパ形状をなしている。
【００３９】こうして、コアとなるべき部分１２及びそ
の周囲を同心円状に取り囲む内層クラッドとなるべき部
分１４を有するガラスロッド１６と、そのガラスロッド
１６の周囲に同心円状に堆積されたＳｉＯ2 微粒子層１
８ａとからなる複合体１０ａを作製する。
【００４０】次いで、図２に示すように、このガラスロ
ッド１６とその周囲に同心円状に堆積されたＳｉＯ2 微
粒子層１８ａとからなる複合体１０ａを焼結炉２０を用
いて熱処理を行い、ＳｉＯ2 微粒子層１８ａを加熱・脱
水し、更に透明ガラス化して、ＳｉＯ2 ガラスからなる
屈折率ｎ2 の外層クラッドとなるべき部分１８を形成す
る。
【００４１】なお、ここで用いる焼結炉２０は、複合体
１０ａを挿入する炉心管２２と、その炉心管２２の周囲
に設けられ、複合体１０ａを加熱するヒータ２４と、そ
のヒータ２４の周囲に設けられた断熱材２６とを有する
と共に、排気口２８を介して真空ポンプ３０に接続さ
れ、焼結炉２０内の圧力を調整することができるように
なっている。また、この焼結炉２０による熱処理は、例
えばヒータ温度１２００℃で時間６０分の第１のステッ
プと、ヒータ温度１３００℃で時間６０分の第２のステ
ップと、ヒータ温度１５５０℃で時間１０分の第３のス
テップからなり、各ステップ間の温度勾配は５℃／分と
する。このとき、焼結炉２０内は真空ポンプ３０により
２０Ｐａまで減圧する。
【００４２】こうして、ガラスロッド１６とＳｉＯ2 微
粒子層１８ａとからなる複合体１０ａを焼結し、図１に
示す光ファイバ用プリフォーム１０を作製する。即ち、
この光ファイバ用プリフォーム１０は、コアとなるべき
部分１２及びその周囲の内層クラッドとなるべき部分１
４からなるガラスロッド１６とその周囲に同心円状に形
成された外層クラッドとなるべき部分１８とから構成さ
れ、外径均一部とガラスロッド１６の両端部近傍のテー
パ部とを有している。そして、外径均一部におけるクラ
ッド径Ｂは７５ｍｍ、外径均一部（有効部）の長さは７
００ｍｍとなる。
【００４３】次に、こうして作製した光ファイバ用プリ
フォーム１０におけるクラッド／ガラスロッド倍率（Ｂ
／ｂ）について、図３を用いて説明する。ここで、図３
は光ファイバ用プリフォーム１０の実際のクラッド／ガ
ラスロッド倍率Ｂ／ｂとその所定の設計倍率との倍率比
の有効部長さに対する変動を示すグラフである。
【００４４】なお、ここで、クラッド／コア倍率（Ｂ／
ａ）ではなく、クラッド／ガラスロッド倍率（Ｂ／ｂ）
を用いたのは、ガラスロッド径ｂの測定がコア径ａの測
定より容易であるからであり、またガラスロッド１６に
おけるコア径ａとガラスロッド径ｂとの比ａ／ｂがその
全長にわたって高精度に均一であるため、クラッド／コ
ア倍率（Ｂ／ａ）とクラッド／ガラスロッド倍率（Ｂ／
ｂ）はそれぞれの設計倍率との倍率比をとれば等価とな
るからである。
【００４５】光ファイバ用プリフォーム１０の実際のク
ラッド／ガラスロッド倍率（Ｂ／ｂ）をプリフォームア
ナライザにより測定し、所定の設計倍率との倍率比をと
ると、図３のグラフに○印と実線で示すような結果とな
る。なお、比較のため、図８に示す焼結炉を用いて加熱
処理して作成した従来の光ファイバ用プリフォームの場
合の倍率比を●印と破線で示す。また、有効部長さＬ＝
０ｍｍのガラスロッド１６の端部が線引終了端部であ
り、有効部長さＬ＝７００ｍｍのガラスロッド１６の端
部が線引開始端部である。
【００４６】図３のグラフから明らかなように、従来の
光ファイバ用プリフォームは、クラッド／ガラスロッド
倍率（Ｂ／ｂ）の設計倍率との倍率比が全長にわたって
１．００前後に一定し、有効部の全長が外径均一部とな
っているのに対して、第１実施形態に係る光ファイバ用
プリフォーム１０は、外径均一部においてクラッド／ガ
ラスロッド倍率（Ｂ／ｂ）の設計倍率との倍率比が１．
００前後に一定し、クラッド／ガラスロッド倍率（Ｂ／
ｂ）が設計倍率とほぼ一致している一方で、線引終了端
部近傍のテーパ部においてはクラッド／ガラスロッド倍
率（Ｂ／ｂ）が設計倍率よりおよそ３％漸次減少してお
り、線引開始端部近傍のテーパ部においておよそ１％漸
次減少している。
【００４７】次に、このように線引終了端部近傍及び線
引開始端部近傍のテーパ部においてクラッド／ガラスロ
ッド倍率（Ｂ／ｂ）が漸次減少している光ファイバ用プ
リフォーム１０を溶融紡糸して得られた光ファイバのカ
ットオフ波長λｃについて、図４を用いて説明する。こ
こで、図４は光ファイバのカットオフ波長λｃの線引長
に対する変動を示すグラフである。
【００４８】第１の実施の形態に係る光ファイバ用プリ
フォーム１０の下端を温度２１００℃に加熱して軟化さ
せ、線引長２００ｋｍの光ファイバを溶融紡糸する。こ
うして得られた光ファイバのカットオフ波長λｃを測定
すると、図４のグラフに○印と実線で示す結果となる。
ここで、線引長０ｋｍの端部が光ファイバの線引開始端
部であり、線引長２００ｋｍの端部が光ファイバの線引
終了端部である。なお、比較のため、従来の光ファイバ
の場合のカットオフ波長λｃの測定値を●印と破線で示
す。
【００４９】図４のグラフから明らかなように、従来の
光ファイバのカットオフ波長λｃが線引開始端部近傍に
おいて概ね１．２８μｍから１．２７μｍに減少し、線
引終了端部近傍において概ね１．２８μｍから１．２３
μｍに減少しているのに対し、第１実施形態に係る光フ
ァイバのカットオフ波長λｃは、線引長の全長にわたっ
て１．２７〜１．２８μｍの範囲内でほぼ均一であり、
線引終了端部近傍においても線引開始端部近傍において
も従来の光ファイバのようなカットオフ波長λｃの減少
はみられない。
【００５０】これは、光ファイバ用プリフォーム１０の
線引開始端部近傍及び線引終了端部近傍のクラッド／ガ
ラスロッド倍率（Ｂ／ｂ）の減少が、光ファイバ用プリ
フォーム１０の溶融紡糸の際の線引開始端部近傍及び線
引終了端部近傍における光ファイバのクラッド／コア倍
率の増大現象を相殺し、光ファイバのクラッド／コア倍
率を線引開始端部近傍及び線引終了端部近傍を含む線引
長の全長にわたって均一にすることにより、光ファイバ
のクラッド／コア倍率の増大による線引開始端部近傍及
び線引終了端部近傍でのカットオフ波長λｃの減少を防
止したものと考えられる。
【００５１】次に、光ファイバ用プリフォーム１０の線
引終了端部近傍及び線引開始端部近傍におけるクラッド
／ガラスロッド倍率（Ｂ／ｂ）の減少の程度と光ファイ
バのカットオフ波長λｃの変動との関係を、図５を用い
て説明する。ここで、図５は光ファイバ用プリフォーム
の線引開始端部における実際のクラッド／ガラスロッド
倍率（Ｂ／ｂ）の所定の設計倍率とのずれに対し、光フ
ァイバの実測したカットオフ波長λｃ（以下、「実測カ
ットオフ波長λｃ」という）が設計した所定のカットオ
フ波長（以下、「設計カットオフ波長」という）からど
の程度ずれるかを示すグラフである。
【００５２】図５のグラフから明らかなように、光ファ
イバ用プリフォームの線引開始端部におけるクラッド／
ガラスロッド倍率（Ｂ／ｂ）が所定の設計倍率と一致
し、両者のずれがないときは、既に図３及び図４で説明
したように、光ファイバの実測カットオフ波長λｃは設
計カットオフ波長より小さくなるが、線引開始端部にお
けるクラッド／ガラスロッド倍率（Ｂ／ｂ）の減少の程
度が大きくなり、設計倍率とのずれが増大するにしたが
って、実測カットオフ波長λｃは増大する傾向にある。
そしてクラッド／ガラスロッド倍率（Ｂ／ｂ）の設計倍
率とのずれが４％以内においては、実測カットオフ波長
λｃは設計カットオフ波長と概ね一致するが、クラッド
／ガラスロッド倍率（Ｂ／ｂ）の設計倍率とのずれが８
％を越えると、実測カットオフ波長λｃは設計カットオ
フ波長の±４％に設定した目標管理幅を越えるようにな
る。従って、光ファイバ用プリフォームの線引開始端部
におけるクラッド／ガラスロッド倍率（Ｂ／ｂ）の減少
の程度は８％以下に限定する必要があり、特に４％以下
であることが望ましい。
【００５３】なお、図５は、光ファイバ用プリフォーム
１０の線引開始端部におけるクラッド／ガラスロッド倍
率（Ｂ／ｂ）の所定の設計倍率に対するずれと光ファイ
バのカットオフ波長λｃの設計カットオフ波長に対する
ずれとの関係を示しているが、線引終了端部におけるク
ラッド／ガラスロッド倍率（Ｂ／ｂ）の所定の設計倍率
に対するずれと光ファイバのカットオフ波長λｃとの間
にも、ほぼ同様の相関がある。但し、線引終了端部にお
けるクラッド／ガラスロッド倍率（Ｂ／ｂ）が所定の設
計倍率と一致するときは、既に図３及び図４に示したよ
うに、光ファイバの実測カットオフ波長λｃが設計カッ
トオフ波長より減少する程度は線引開始端部における場
合よりも大きいため、クラッド／ガラスロッド倍率（Ｂ
／ｂ）の設計倍率とのずれの増大にしたがって実測カッ
トオフ波長λｃは増大し、クラッド／ガラスロッド倍率
（Ｂ／ｂ）の設計倍率とのずれが８％となっても、実測
カットオフ波長λｃは設計カットオフ波長の±４％に設
定した目標管理幅を越えることはない。従って、光ファ
イバ用プリフォーム１０のクラッド／ガラスロッド倍率
Ｂ／ｂの減少の程度が８％以下であれば、線引終了端部
近傍においても線引開始端部近傍においても光ファイバ
のカットオフ波長λｃの変動を抑制するという効果を奏
することができる。
【００５４】以上のように、第１実施形態に係る光ファ
イバ用プリフォーム１０は、その線引開始端部近傍と線
引終了端部近傍におけるクラッド／ガラスロッド倍率
（Ｂ／ｂ）がそれぞれの端部に向かって漸次減少してい
ることにより、光ファイバ用プリフォーム１０の溶融紡
糸時の端部近傍における光ファイバのクラッド／コア倍
率（Ｄ／ｄ）の増大現象と相殺することが可能となる。
従って、光ファイバのクラッド／コア倍率（Ｄ／ｄ）を
両端部近傍を含む線引長の全長にわたって均一にするこ
とができるため、光ファイバのカットオフ波長λｃのバ
ラツキを低減し、端部近傍を含む線引長の全長にわたっ
てほぼ均一にすることができる。また、このときの光フ
ァイバ用プリフォーム１０の線引開始端部及び線引終了
端部におけるクラッド／ガラスロッド倍率（Ｂ／ｂ）の
減少の程度は８％以下であることが望ましい。
【００５５】なお、第１実施形態に係る光ファイバ用プ
リフォーム１０は、クラッド／ガラスロッド倍率（Ｂ／
ｂ）がそれぞれ端部に向かって漸次減少しているが、い
ずれか一方の端部近傍をクラッド／ガラスロッド倍率
（Ｂ／ｂ）がその一方の端部に向かって漸次減少させて
もよい。この場合、クラッド／ガラスロッド倍率（Ｂ／
ｂ）が漸次減少している側の端部近傍における光ファイ
バのカットオフ波長λｃの変動を抑制するという効果を
奏することができる。
【００５６】（第２実施形態）本発明の第２実施形態に
係る光ファイバ用プリフォームを、図６を用いて説明す
る。ここで、図６は本発明の第２実施形態に係る光ファ
イバ用プリフォームを示す断面図である。
【００５７】図６に示すように、本発明の第２実施形態
に係る光ファイバ用プリフォームは、コアとなるべき部
分及びその周囲を同心円状に取り囲む内層クラッドとな
るべき部分からなる外径ｂのガラスロッド１６と、この
ガラスロッド１６の周囲に同心円状に形成された外径Ｂ
の外層クラッドとなるべき部分１８とから構成され、ク
ラッド径Ｂが長手方向にほぼ均一になっている外径均一
部と、ガラスロッド１６の線引開始端部近傍において外
径がテーパ形状をなし、クラッド／ガラスロッド倍率
（Ｂ／ｂ）が線引開始端部に向かって漸次減少している
ことからなる。
【００５８】そして、ガラスロッド１６の線引開始端部
近傍のテーパ部より更に下部には、非有効部と称する廃
却部３２ａが設けられている。この廃却部３２ａは、ガ
ラスロッド１６の延長としてあるダミー棒３４ａを接続
している。また、ガラスロッド１６の線引終了端部より
更に上部にも、廃却部３２ｂが設けられている。この廃
却部３２ｂも、ガラスロッド１６の延長としてあるダミ
ー棒３４ｂを接続している。こうした廃却部３２ａ、３
２ｂは、コアロッドを経済的に有効利用するという利点
がある等の理由から設けられたものである。
【００５９】図６に示す光ファイバ用プリフォームと従
来の光ファイバ用プリフォームとを比較すると、従来の
光ファイバ用プリフォームは、クラッド径Ｂが均一とな
る外径均一部がそのまま有効部となるのに対して、第２
の実施の形態に係る光ファイバ用プリフォームは、その
有効部が外径均一部と線引開始端部近傍のテーパ部とを
有している。従って、両方の光ファイバ用プリフォーム
の有効部及び廃却部を合わせた全長を同じ長さとした場
合、従来の光ファイバ用プリフォームの有効部の長さが
外径均一部の長さｌであるのに対し、図６に示す光ファ
イバ用プリフォームの有効部の長さＬは、外径均一部の
長さｌに、線引開始端部近傍のテーパ部の長さΔｌを加
えた長さｌ＋Δｌになる。このことは、図６に示す光フ
ァイバ用プリフォームの有効部の長さＬを、従来の光フ
ァイバ用プリフォームの有効部の長さｌからｌ＋Δｌに
Δｌだけ長尺化することができることを意味する。
【００６０】次に、図６に示す光ファイバ用プリフォー
ムの製造方法を説明する。
【００６１】例えばＧｅ−ＳｉＯ2 ガラスからなるコア
となるべき部分とその周囲を同心円状に取り囲むＳｉＯ
2 ガラスからなる内層クラッドとなるべき部分を有する
直径２０ｍｍ、長さ８８０ｍｍのガラスロッド１６を出
発材として準備する。そしてＶＡＤ法を用い、上記第１
実施形態の場合と同様の引上げ長でガラスロッド１６を
引き上げつつ、その周囲にＳｉＯ2 からなるガラス微粒
子を同心円状に堆積させ、ＳｉＯ2 微粒子層を形成す
る。このとき、バーナーに供給し燃焼させる酸素、水
素、及びガラス材料ガスの量を調整することにより、Ｓ
ｉＯ2 微粒子層の厚みが長手方向にほぼ均一になるよう
に制御する。また、ガラスロッド１６の線引終了端部よ
り更に上部において、ガラスロッド１６の延長としてあ
るダミー棒３４ｂの周囲に形成されるＳｉＯ2 微粒子層
の厚みは漸次減少している。こうして、コア部及び部分
クラッド部を有するガラスロッド１６と、ガラスロッド
１６の周囲のＳｉＯ2 微粒子層と、ダミー棒３４ａ、３
４ｂ及びその周囲のＳｉＯ2 微粒子層とからなる複合体
を作製する。
【００６２】次いで、上記第１の実施の形態の場合と同
様に、この複合体を焼結炉を用いて熱処理を行い、Ｓｉ
Ｏ2 微粒子層を加熱・脱水し、更に透明ガラス化して、
ＳｉＯ2 ガラスからなる外部クラッド部１８を形成す
る。こうして、図６に示す光ファイバ用プリフォームを
作製する。即ち、この光ファイバ用プリフォームは、コ
ア部及びその周囲の部分クラッド部からなるガラスロッ
ド１６と、このガラスロッド１６の周囲に同心円状に形
成された外部クラッド部１８とから構成され、外径均一
部とガラスロッド１６の線引開始端部近傍のテーパ部と
を有していると共に、線引開始端部近傍のテーパ部より
更に下部及び線引終了端部より更に上部には、それぞれ
ガラスロッド１６の延長としてあるダミー棒３４ａ、３
４ｂ及びそれらの周囲に形成された廃却部３２ａ、３２
ｂを有している。そして外径均一部の長さｌは７００ｍ
ｍとなり、ガラスロッド１６の線引開始端部近傍のテー
パ部の長さΔｌは２５ｍｍとなり、従って光ファイバ用
プリフォームの有効部の長さＬはＬ＝ｌ＋Δｌ＝７２５
ｍｍとなる。この有効部の長さＬを、同じＶＡＤ法を用
い同じ引上げ長で製造した従来の光ファイバ用プリフォ
ームの有効部の長さｌと比較すると、テーパ部の長さΔ
ｌ＝２５ｍｍ分だけ長くなっている。
【００６３】次に、こうして作製した光ファイバ用プリ
フォームにおける実際のクラッド／ガラスロッド倍率
（Ｂ／ｂ）をプリフォームアナライザにより測定し、所
定の設計倍率との倍率比をとると、外径均一部において
はクラッド／ガラスロッド倍率（Ｂ／ｂ）がほぼ１．０
０に一定している一方で、線引開始端部近傍のテーパ部
においてはクラッド／ガラスロッド倍率（Ｂ／ｂ）が設
計倍率よりおよそ２％漸次減少していた。
【００６４】次に、このように線引開始端部近傍におい
てクラッド／ガラスロッド倍率（Ｂ／ｂ）が漸次減少し
ている光ファイバ用プリフォームの下端を温度２１００
℃に加熱し軟化させ、溶融紡糸して得られた光ファイバ
のカットオフ波長λｃを測定すると、その線引開始端部
においてもカットオフ波長λｃは所定の設計波長と２０
ｎｍしかずれていなかった。また、得られた光ファイバ
の長さは、同じＶＡＤ法を用い同じ引上げ長で製造した
従来の光ファイバ用プリフォームを用いた場合よりも３
％長くなった。
【００６５】以上のように、第２実施形態に係る光ファ
イバ用プリフォームは、その線引開始端部近傍にクラッ
ド／ガラスロッド倍率（Ｂ／ｂ）が線引開始端部に向か
って漸次減少しているテーパ部を有していることによ
り、ＶＡＤ法を用いて従来の場合と同じ引上げ長で製造
し、線引開始端部より更に下部に廃却部３２ａを設けて
も、テーパ部の長さΔｌ分だけ光ファイバ用プリフォー
ムの有効部の長さＬを長くすることが可能となる。従っ
て、光ファイバのカットオフ波長λｃが線引開始端部近
傍を含めてほぼ均一になるようにすることができると共
に、１本の光ファイバ用プリフォームから取れる光ファ
イバの長さを従来より数％長くすることができる。
【００６６】なお、第２実施形態に係る光ファイバ用プ
リフォームは、その線引開始端部近傍にのみクラッド／
ガラスロッド倍率（Ｂ／ｂ）が線引開始端部に向かって
漸次減少しているテーパ部を有しているが、その代わり
に、線引終了端部近傍にのみクラッド／ガラスロッド倍
率（Ｂ／ｂ）が線引終了端部に向かって漸次減少してい
るテーパ部を有してもよい。この場合は、線引終了端部
近傍のテーパ部の長さΔｌ´分だけ光ファイバ用プリフ
ォームの有効部の長さＬが長くなる。また、線引開始端
部及び線引終了端部の両端部近傍にクラッド／ガラスロ
ッド倍率（Ｂ／ｂ）がそれぞれ端部に向かって漸次減少
しているテーパ部を有してもよい。この場合は、線引開
始端部近傍のテーパ部の長さΔｌと線引終了端部近傍の
テーパ部の長さΔｌ´との和、即ちΔｌ＋Δｌ´分だけ
光ファイバ用プリフォームの有効部の長さＬが長くな
り、従って１本の光ファイバ用プリフォームから取れる
光ファイバの長さが更に長くなるという効果を奏するこ
とができる。
【００６７】次に、第２実施形態に係る光ファイバ用プ
リフォームと比較するため、線引開始端部及び線引終了
端部の両端部近傍にクラッド／ガラスロッド倍率（Ｂ／
ｂ）がそれぞれ端部に向かって漸次減少しているテーパ
部を設け、その一方のテーパ部におけるクラッド／ガラ
スロッド倍率（Ｂ／ｂ）の減少の程度を大きくした光フ
ァイバ用プリフォームを製造した。
【００６８】即ち、例えばＧｅ−ＳｉＯ2 ガラスからな
るコアとなるべき部分とその周囲を同心円状に取り囲む
ＳｉＯ2 ガラスからなる内層クラッドとなるべき部分を
有する直径２０ｍｍ、長さ９５０ｍｍのガラスロッドを
出発材として準備する。そしてＶＡＤ法を用い、上記第
２の実施の形態の場合と同じ引上げ長で、ガラスロッド
の周囲にＳｉＯ2 からなるガラス微粒子を同心円状に堆
積させ、ＳｉＯ2 微粒子層を形成する。このとき、バー
ナーに供給し燃焼させる酸素、水素、及びガラス材料ガ
スの量を調整することにより、ＳｉＯ2 微粒子層の厚み
が長手方向にほぼ均一になるように制御する。また、ガ
ラスロッドの線引開始端部より更に下部及び線引終了端
部より更に上部においては、ガラスロッドの延長として
あるダミー棒の周囲に形成されるＳｉＯ2 微粒子層の厚
みが連続的に漸次減少している。
【００６９】次いで、こうして作製した複合体を、第１
実施形態の場合と同様に、焼結炉を用いて熱処理を行
い、ＳｉＯ2 微粒子層を加熱・脱水し、更に透明ガラス
化して、ＳｉＯ2 ガラスからなる外層クラッドとなるべ
き部分を形成する。こうして、コアとなるべき部分及び
その周囲を同心円状に取り囲む内層クラッドとなるべき
部分からなる外径ｂのガラスロッドと、このガラスロッ
ドの周囲に同心円状に形成された外径Ｂの外層クラッド
となるべき部分とから構成され、外径均一部とガラスロ
ッドの線引開始端部近傍のテーパ部と線引終了端部近傍
のテーパ部とを有していると共に、線引開始端部近傍の
テーパ部より更に下部及び線引終了端部近傍のテーパ部
より更に上部には、それぞれガラスロッドの延長として
あるダミー棒及びそれらの周囲に形成された廃却部を有
している光ファイバ用プリフォームを作製する。そして
この光ファイバ用プリフォームの外径均一部の長さｌは
７００ｍｍとなり、線引開始端部近傍のテーパ部の長さ
Δｌは２５ｍｍとなり、線引終了端部近傍のテーパ部の
長さΔｌ´は５５ｍｍとなり、従って光ファイバ用プリ
フォームの有効部の長さＬはＬ＝ｌ＋Δｌ＋Δｌ´＝７
８０ｍｍとなった。
【００７０】次に、こうして作製した光ファイバ用プリ
フォームにおける実際のクラッド／ガラスロッド倍率
（Ｂ／ｂ）をプリフォームアナライザにより測定し、所
定の設計倍率との倍率比をとると、外径均一部において
はその倍率比がほぼ１．００に一定してクラッド／ガラ
スロッド倍率（Ｂ／ｂ）が設計倍率とほぼ一致している
一方で、線引開始端部近傍のテーパ部においてはクラッ
ド／ガラスロッド倍率（Ｂ／ｂ）が設計倍率よりおよそ
２％漸次減少し、線引終了端部近傍のテーパ部において
はおよそ１０％漸次減少していた。
【００７１】次に、このように線引開始端部近傍のテー
パ部においてクラッド／ガラスロッド倍率（Ｂ／ｂ）が
設計倍率よりおよそ２％漸次減少し、線引終了端部近傍
のテーパ部においておよそ１０％漸次減少している光フ
ァイバ用プリフォームを、上記第１の実施の形態の場合
と同様の条件で溶融紡糸した。そして得られた光ファイ
バのカットオフ波長λｃを測定すると、その線引開始端
部におけるカットオフ波長λｃは所定の設計波長と２０
ｎｍしかずれていなかったものの、線引終了端部におけ
るカットオフ波長λｃは８５ｎｍと大きくずれていた。
【００７２】このように、ガラスロッドの端部近傍に設
けたテーパ部の長さをより長くするほど光ファイバ用プ
リフォームの有効部の長さＬはより長くなるが、それに
伴ってテーパ部におけるクラッド／ガラスロッド倍率
（Ｂ／ｂ）の減少の程度がより大きくなる。このため、
光ファイバのカットオフ波長λｃの設計波長からのずれ
も大きくなる。上記例の場合、光ファイバ用プリフォー
ムのテーパ部の長さΔｌが２５ｍｍのとき、クラッド／
ガラスロッド倍率（Ｂ／ｂ）の減少はおよそ２％であ
り、光ファイバのカットオフ波長λｃのずれは２０ｎｍ
となり、目標管理幅の範囲内となるが、テーパ部の長さ
Δｌ´が５５ｍｍのとき、クラッド／ガラスロッド倍率
（Ｂ／ｂ）の減少はおよそ１０％であり、光ファイバの
カットオフ波長λｃのずれは８５ｎｍとなり、目標管理
幅を越えるものとなる。従って、ガラスロッドの端部近
傍に設けるテーパ部の長さ及びそのテーパ部におけるク
ラッド／ガラスロッド倍率（Ｂ／ｂ）の減少の程度に
は、一定の限界がある。そしてこのことは、上記第１の
実施の形態において図５を用いて説明したことを裏付け
るものである。
【００７３】なお、上記第１及び第２の実施の形態にお
いては、コアとなるべき部分１２及び内層クラッドとな
るべき部分１４を有するガラスロッド１６を出発材と
し、このガラスロッド１６の周囲に外層クラッドとなる
べき部分１８を形成した光ファイバ用プリフォームにつ
いて述べたが、コアとなるべき部分のみを有するガラス
ロッドを出発材とし、このガラスロッドの周囲にクラッ
ドとなるべき部分を形成した光ファイバ用プリフォーム
についても、本発明を適用することが可能である。この
場合、光ファイバ用プリフォームのクラッド／ガラスロ
ッド倍率（Ｂ／ｂ）が即ちクラッド／コア倍率（Ｂ／
ａ）となる。
【００７４】
【発明の効果】以上、詳細に説明した通り、本発明の光
ファイバ用プリフォームは、クラッドとなるべき部分の
外径が長手方向にほぼ均一になっている外径均一部と、
クラッドとなるべき部分がガラスロッドの一方又は両方
の端部近傍においてテーパ形状をなし、ガラスロッドの
端部近傍におけるクラッド／ガラスロッド倍率がガラス
ロッドの端部に向かって漸次減少しているテーパ部とを
有することにより、テーパ部におけるクラッド／コア倍
率の減少が溶融紡糸時の端部近傍におけるクラッド／コ
ア倍率の増大現象を相殺することが可能となるため、光
ファイバのクラッド／コア倍率が端部近傍を含む線引長
の全長にわたって均一になるようにすることができる。
従って、光ファイバのカットオフ波長λｃのばらつきを
抑制し、端部近傍を含む全長にわたって均一になるよう
にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る光ファイバ用プリ
フォームを説明するための図である。
【図２】図１の光ファイバ用プリフォームを製造するた
めに使用する焼結炉を示す概略図である。
【図３】図１の光ファイバ用プリフォームのクラッド／
ガラスロッド倍率Ｂ／ｂとその設計倍率との倍率比の有
効部長さに対する変動を示すグラフである。
【図４】図１の光ファイバ用プリフォームを線引して得
た光ファイバのカットオフ波長λｃの線引長に対する変
動を示すグラフである。
【図５】光ファイバ用プリフォームの線引開始端部にお
けるクラッド／ガラスロッド倍率Ｂ／ｂの設計倍率との
ずれに対する、光ファイバの実測カットオフ波長λｃの
設計カットオフ波長とのずれを示すグラフである。
【図６】本発明の第２実施形態に係る光ファイバ用プリ
フォームを説明するための図である。
【図７】従来の光ファイバ用プリフォームを説明するた
めの図である。
【図８】従来の光ファイバ用プリフォームを製造するた
めに使用する焼結炉を示す概略図である。
【図９】従来の光ファイバ用プリフォームのクラッド／
ガラスロッド倍率Ｂ／ｂとその設計倍率との倍率比の有
効部長さに対する変動を示すグラフである。
【図１０】従来の光ファイバ用プリフォームを線引して
得た光ファイバのカットオフ波長λｃの線引長に対する
変動を示すグラフである。
【図１１】線引終了端部近傍における光ファイバのクラ
ッド／コア倍率Ｄ／ｄの増大現象を説明するための図で
ある。
【符号の説明】 １０…光ファイバ用プリフォーム、１０ａ…複合体、１
２…コアとなるべき部分、１４…内層クラッドとなるべ
き部分、１６…ガラスロッド、１８…外層クラッドとな
るべき部分、１８ａ…ＳｉＯ2 微粒子層、２０…焼結
炉、２２…炉心管、２４…ヒータ、２６…断熱材、２８
…排気口、３０…真空ポンプ、３２ａ、３２ｂ…廃却
部、３４ａ、３４ｂ…ダミー棒、４０…光ファイバ用プ
リフォーム、４０ａ…複合体、４２…コアとなるべき部
分、４４…内層クラッドとなるべき部分、４６…ガラス
ロッド、４８…外層クラッドとなるべき部分、４８ａ…
ＳｉＯ2 微粒子層、５０…炉心管、５２…ヒータ、５４
…ガス導入口、５６…ガス排気口、５８…廃却部、６０
…ヒータ、６２…光ファイバ。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 コアとなるべき柱状部を含む柱状のガラ
    スロッドと、前記ガラスロッドを同心円状に取り囲むク
    ラッドとなるべき管状部とを備えた光ファイバ用プリフ
    ォームであって、 前記管状部の外径が長手方向にほぼ均一になっている外
    径均一部と、 前記管状部が前記ガラスロッドの一方又は両方の端部近
    傍におけるテーパ形状をなすテーパ部であって、前記管
    状部の外径と前記ガラスロッドの径との比の値であるク
    ラッド／ガラスロッド倍率が前記ガラスロッドの端部に
    向かって漸次減少しているテーパ部と、 を備えることを特徴とする光ファイバ用プリフォーム。
  2. 【請求項２】 前記テーパ部における、クラッド／ガラ
    スロッド倍率の、前記外径均一部におけるクラッド／ガ
    ラスロッド倍率に対する減少が、８％以内である、こと
    を特徴とする請求項１記載の光ファイバ用プリフォー
    ム。
  3. 【請求項３】 前記ガラスロッドが、前記コアとなるべ
    き柱状部と、前記コアとなるべき柱状部を同心円状に取
    り囲む内層クラッドとなるべき部分を備える、ことを特
    徴とする請求項１記載の光ファイバ用プリフォーム。
  4. 【請求項４】 前記ガラスロッドが、前記コアとなるべ
    き柱状部のみを備える、ことを特徴とする請求項１又は
    ２記載の光ファイバ用プリフォーム。
  5. 【請求項５】 前記管状部は、前記ガラスロッドの周囲
    に火炎加水分解法により堆積させたガラス微粒子を焼結
    後に透明化して形成されたものである、ことを特徴とす
    る請求項１記載の光ファイバ用プリフォーム。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007126355A (ja) * 2006-12-11 2007-05-24 Furukawa Electric Co Ltd:The 光ファイバの製造方法
JP2014221699A (ja) * 2013-05-14 2014-11-27 住友電気工業株式会社 光ファイバの製造方法および、これに用いる光ファイバの光学特性の計算方法
JP2019178030A (ja) * 2018-03-30 2019-10-17 古河電気工業株式会社 コア母材の延伸方法、光ファイバ母材の製造方法、及び光ファイバの製造方法

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