JPH09100137A - 磁気ディスク基板用ガラス組成物及び磁気ディスク基板 - Google Patents
磁気ディスク基板用ガラス組成物及び磁気ディスク基板Info
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- JPH09100137A JPH09100137A JP8199814A JP19981496A JPH09100137A JP H09100137 A JPH09100137 A JP H09100137A JP 8199814 A JP8199814 A JP 8199814A JP 19981496 A JP19981496 A JP 19981496A JP H09100137 A JPH09100137 A JP H09100137A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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-
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- C03C10/0045—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and a divalent metal oxide as main constituents containing SiO2, Al2O3 and MgO as main constituents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ガラス熱処理によって、主結晶相としてムライ
ト及びホウ酸アルミニウム系結晶の内の少なくとも一種
の結晶を析出させることにより、容易に研磨加工するこ
とができ、優れた機械的強度、表面平坦性、表面平滑
性、耐熱性を有し、アルカリマイグレーションによる磁
気膜特性の劣化の少ない磁気ディスク基板を作製するた
めの磁気ディスク基板用ガラス組成物及び磁気ディスク
基板を提供する。 【解決手段】ＳｉＯ2：２０〜４５重量％、Ａｌ2Ｏ3：
２５〜４５重量％、Ｂ2Ｏ3：１０〜２５重量％、Ｍｇ
Ｏ：２〜２０重量％、Ｌｉ2Ｏ：０〜２重量％、Ｎａ
2Ｏ：０〜２重量％、Ｋ2Ｏ：０〜３重量％、但し、Ｌｉ
2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ：０〜５重量％の組成を有し、熱
処理することによりムライト及びホウ酸アルミニウム系
結晶の内の少なくとも一種の主結晶相が析出するガラス
組成物、及び、該組成物を、成形、熱処理、研磨して作
製された結晶化ガラス磁気ディスク基板。
ト及びホウ酸アルミニウム系結晶の内の少なくとも一種
の結晶を析出させることにより、容易に研磨加工するこ
とができ、優れた機械的強度、表面平坦性、表面平滑
性、耐熱性を有し、アルカリマイグレーションによる磁
気膜特性の劣化の少ない磁気ディスク基板を作製するた
めの磁気ディスク基板用ガラス組成物及び磁気ディスク
基板を提供する。 【解決手段】ＳｉＯ2：２０〜４５重量％、Ａｌ2Ｏ3：
２５〜４５重量％、Ｂ2Ｏ3：１０〜２５重量％、Ｍｇ
Ｏ：２〜２０重量％、Ｌｉ2Ｏ：０〜２重量％、Ｎａ
2Ｏ：０〜２重量％、Ｋ2Ｏ：０〜３重量％、但し、Ｌｉ
2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ：０〜５重量％の組成を有し、熱
処理することによりムライト及びホウ酸アルミニウム系
結晶の内の少なくとも一種の主結晶相が析出するガラス
組成物、及び、該組成物を、成形、熱処理、研磨して作
製された結晶化ガラス磁気ディスク基板。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク基板
用ガラス組成物及び磁気ディスク基板に関する。さらに
詳しくは、本発明は、容易に成形することができ、ガラ
ス熱処理によって、主結晶相としてムライト及びホウ酸
アルミニウム系結晶の内の少なくとも一種の結晶を析出
させることにより、容易に研磨加工することができ、優
れた機械的強度、表面平坦性、表面平滑性、耐熱性を有
し、コンピュータのハードディスクなどに適した磁気デ
ィスク基板を作製するための磁気ディスク基板用ガラス
組成物及び該組成物から得られる結晶化ガラス磁気ディ
スク基板に関する。
用ガラス組成物及び磁気ディスク基板に関する。さらに
詳しくは、本発明は、容易に成形することができ、ガラ
ス熱処理によって、主結晶相としてムライト及びホウ酸
アルミニウム系結晶の内の少なくとも一種の結晶を析出
させることにより、容易に研磨加工することができ、優
れた機械的強度、表面平坦性、表面平滑性、耐熱性を有
し、コンピュータのハードディスクなどに適した磁気デ
ィスク基板を作製するための磁気ディスク基板用ガラス
組成物及び該組成物から得られる結晶化ガラス磁気ディ
スク基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスクは、主としてコンピュータ
などの記録媒体として使用されている。従来、磁気ディ
スク基板材料としてアルミニウム合金が使用されている
が、近年、磁気ディスクの小型化、薄型化、高記録密度
化の流れの中で、高平坦性、高平滑性への要望が高まっ
ており、アルミニウム合金では対応しきれないため、こ
れに代わる磁気ディスク基板材料が必要になっている。
磁気ディスク基板に必要な特性は、ディスク表面の平坦
性、平滑性や、ディスク基板の高強度、高硬度、化学的
耐久性、耐マイグレーション性、耐熱性などであるが、
アルミニウム合金は強度、硬度が劣るため、ディスクの
厚みを厚くし、表面を硬化する必要がある。ディスクの
厚みを薄くすると、ウネリが発生し、平坦度が悪化する
ため、磁気ヘッドがディスクに衝突する回数が多くな
り、ディスクの塑性変形を招きデータ破壊が起こる。従
って、フライングハイト（磁気ヘッドと磁気ディスクの
隙間）を小さくすることができないため、記録密度が上
がらないという問題が生じる。また、磁性膜が白金系に
なると、アルミニウム合金基板と磁性膜の間に電位が発
生し、電界腐食を引き起こすため、磁性膜が侵されると
いった現象を引き起こす。これらのアルミニウム合金の
問題点を解決する基板材料として、磁気ディスク用ガラ
ス基板が開発されている。磁気ディスク用ガラス基板
は、大別すると化学強化ガラスタイプと、結晶化ガラス
タイプとの２つに分けられる。化学強化タイプのガラス
基板は、ガラス中にアルカリ成分を有することが必須で
あり、アルカリ成分が基板表面に移動して磁気膜特性を
悪化させるため、今後の高記録密度化への対応が難し
く、この現象を防ぐために、アルカリバリヤー膜を形成
する必要がある。また、磁気ヘッドの始動／停止特性
（ＣＳＳ特性）を向上させるために、基板表面に数Å〜
数十Å程度の凹凸が必要とされるが、化学強化タイプで
は、最終研磨後に機械的テクスチャー、又は化学的テク
スチャーを行うか、あるいはアルカリバリヤー膜形成時
に同時にテクスチャーを行う必要があり、コスト高とな
る欠点がある。結晶化ガラスタイプのガラス基板は、ア
ルミニウム合金基板や化学強化タイプガラス基板の欠点
を補うべく開発されたものであり、種々のガラス組成物
が提案されているが、そのほとんどはガラス組成物中に
多量のアルカリ成分を含んだものである。例えば、特開
平６−３２９４４０号公報記載のＳｉＯ2−Ｌｉ2Ｏ系結
晶化ガラスがあるが、これは析出結晶中に、ある程度の
アルカリ成分が取り込まれることによってアルカリイオ
ンの移動を抑えるが、結晶でないマトリックスガラス中
にも相当量アルカリ成分が残存するため、化学強化タイ
プと同様にアルカリマイグレーションにより磁気膜特性
を悪化させるおそれがある。また、ガラス中にＳｉＯ2
成分が多いためガラスが固く、研磨スピードが上がらな
いという製造上の欠点をもたらす。さらに、析出結晶量
が多い場合には、研磨は一層困難になり、研磨スピード
を上げるために析出結晶量を下げると、マトリックスガ
ラス中のアルカリ成分量が増え、一層磁気膜特性に悪影
響を与える。さらに近年、高記録密度化の一つの方法と
して、磁気膜の高保磁力化が検討されており、その手段
として磁気ディスク基板を高温で熱処理し、磁気膜の下
地層であるＣｒ層におけるＣｒの偏析を促進させる方法
が採られている。この場合、熱処理温度は６５０℃付近
まで上げる必要があるが、アルミニウム合金基板、化学
強化タイプのガラス基板、あるいは多量のアルカリ成分
を含んだ結晶化ガラス基板などは、耐熱性が低いため、
使用できないといった問題が生じる。
などの記録媒体として使用されている。従来、磁気ディ
スク基板材料としてアルミニウム合金が使用されている
が、近年、磁気ディスクの小型化、薄型化、高記録密度
化の流れの中で、高平坦性、高平滑性への要望が高まっ
ており、アルミニウム合金では対応しきれないため、こ
れに代わる磁気ディスク基板材料が必要になっている。
磁気ディスク基板に必要な特性は、ディスク表面の平坦
性、平滑性や、ディスク基板の高強度、高硬度、化学的
耐久性、耐マイグレーション性、耐熱性などであるが、
アルミニウム合金は強度、硬度が劣るため、ディスクの
厚みを厚くし、表面を硬化する必要がある。ディスクの
厚みを薄くすると、ウネリが発生し、平坦度が悪化する
ため、磁気ヘッドがディスクに衝突する回数が多くな
り、ディスクの塑性変形を招きデータ破壊が起こる。従
って、フライングハイト（磁気ヘッドと磁気ディスクの
隙間）を小さくすることができないため、記録密度が上
がらないという問題が生じる。また、磁性膜が白金系に
なると、アルミニウム合金基板と磁性膜の間に電位が発
生し、電界腐食を引き起こすため、磁性膜が侵されると
いった現象を引き起こす。これらのアルミニウム合金の
問題点を解決する基板材料として、磁気ディスク用ガラ
ス基板が開発されている。磁気ディスク用ガラス基板
は、大別すると化学強化ガラスタイプと、結晶化ガラス
タイプとの２つに分けられる。化学強化タイプのガラス
基板は、ガラス中にアルカリ成分を有することが必須で
あり、アルカリ成分が基板表面に移動して磁気膜特性を
悪化させるため、今後の高記録密度化への対応が難し
く、この現象を防ぐために、アルカリバリヤー膜を形成
する必要がある。また、磁気ヘッドの始動／停止特性
（ＣＳＳ特性）を向上させるために、基板表面に数Å〜
数十Å程度の凹凸が必要とされるが、化学強化タイプで
は、最終研磨後に機械的テクスチャー、又は化学的テク
スチャーを行うか、あるいはアルカリバリヤー膜形成時
に同時にテクスチャーを行う必要があり、コスト高とな
る欠点がある。結晶化ガラスタイプのガラス基板は、ア
ルミニウム合金基板や化学強化タイプガラス基板の欠点
を補うべく開発されたものであり、種々のガラス組成物
が提案されているが、そのほとんどはガラス組成物中に
多量のアルカリ成分を含んだものである。例えば、特開
平６−３２９４４０号公報記載のＳｉＯ2−Ｌｉ2Ｏ系結
晶化ガラスがあるが、これは析出結晶中に、ある程度の
アルカリ成分が取り込まれることによってアルカリイオ
ンの移動を抑えるが、結晶でないマトリックスガラス中
にも相当量アルカリ成分が残存するため、化学強化タイ
プと同様にアルカリマイグレーションにより磁気膜特性
を悪化させるおそれがある。また、ガラス中にＳｉＯ2
成分が多いためガラスが固く、研磨スピードが上がらな
いという製造上の欠点をもたらす。さらに、析出結晶量
が多い場合には、研磨は一層困難になり、研磨スピード
を上げるために析出結晶量を下げると、マトリックスガ
ラス中のアルカリ成分量が増え、一層磁気膜特性に悪影
響を与える。さらに近年、高記録密度化の一つの方法と
して、磁気膜の高保磁力化が検討されており、その手段
として磁気ディスク基板を高温で熱処理し、磁気膜の下
地層であるＣｒ層におけるＣｒの偏析を促進させる方法
が採られている。この場合、熱処理温度は６５０℃付近
まで上げる必要があるが、アルミニウム合金基板、化学
強化タイプのガラス基板、あるいは多量のアルカリ成分
を含んだ結晶化ガラス基板などは、耐熱性が低いため、
使用できないといった問題が生じる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、容易に成形
することができ、ガラス熱処理によって、主結晶相とし
てムライト及びホウ酸アルミニウム系結晶の内の少なく
とも一種の結晶を析出させることにより、容易に研磨加
工することができ、優れた機械的強度、表面平坦性、表
面平滑性、耐熱性を有し、アルカリマイグレーションに
よる磁気膜特性の劣化の少ない磁気ディスク基板を作製
するための磁気ディスク基板用ガラス組成物及び磁気デ
ィスク基板を提供することを目的としてなされたもので
ある。
することができ、ガラス熱処理によって、主結晶相とし
てムライト及びホウ酸アルミニウム系結晶の内の少なく
とも一種の結晶を析出させることにより、容易に研磨加
工することができ、優れた機械的強度、表面平坦性、表
面平滑性、耐熱性を有し、アルカリマイグレーションに
よる磁気膜特性の劣化の少ない磁気ディスク基板を作製
するための磁気ディスク基板用ガラス組成物及び磁気デ
ィスク基板を提供することを目的としてなされたもので
ある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、熱処理によりム
ライト及び／又はホウ酸アルミニウム系結晶が析出する
特定組成のガラス組成物が、容易に成形することがで
き、しかも得られた結晶化ガラス基板は容易に研磨加工
することができ、さらに磁気ディスク基板としての物理
的、化学的特性に優れることを見いだし、この知見に基
づいて本発明を完成するに至った。すなわち、本発明
は、（１）熱処理することによりムライト及びホウ酸ア
ルミニウム系結晶の内の少なくとも一種の主結晶相が析
出するガラスであって、ＳｉＯ2：２０〜４５重量％、
Ａｌ2Ｏ3：２５〜４５重量％、Ｂ2Ｏ3：１０〜２５重量
％、ＭｇＯ：２〜２０重量％、Ｌｉ2Ｏ：０〜２重量
％、Ｎａ2Ｏ：０〜２重量％及びＫ2Ｏ：０〜３重量％、
但し、Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ：０〜５重量％の組成
を有することを特徴とする磁気ディスク基板用ガラス組
成物、（２）ＳｉＯ2：２５〜４０重量％、Ａｌ2Ｏ3：
２８〜４０重量％、Ｂ2Ｏ3：１３〜２２重量％、Ｍｇ
Ｏ：２〜１２重量％、Ｌｉ2Ｏ：０〜２重量％、Ｎａ
2Ｏ：０〜２重量％、Ｋ2Ｏ：０〜３重量％、但し、Ｌｉ
2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ：０〜３重量％、ＣａＯ：０〜１
０重量％、ＢａＯ：０〜１０重量％、ＺｎＯ：０〜１０
重量％、ＴｉＯ2：０〜１０重量％及びＰ2Ｏ5：０〜１
０重量％の組成を有する第(１)項に記載の磁気ディスク
基板用ガラス組成物、（３）ＳｉＯ2：２０〜４５重量
％、Ａｌ2Ｏ3：２５〜４５重量％、Ｂ2Ｏ3：１０〜２５
重量％、ＭｇＯ：２〜２０重量％、Ｌｉ2Ｏ：０〜２重
量％、Ｎａ2Ｏ：０〜２重量％、Ｋ2Ｏ：０〜３重量％、
但し、Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ：０〜３重量％、Ｔｉ
Ｏ2：０.１〜８重量％及びＰ2Ｏ5：０.５〜８重量％の
組成を有する第(１)項に記載の磁気ディスク基板用ガラ
ス組成物、（４）Ｃｕ2Ｏ：５重量％以下をさらに含む
第(１)項乃至第(３)項のいずれかに記載の磁気ディスク
基板用ガラス組成物、（５）第(１)項乃至第(４)項のい
ずれかに記載のガラス組成物を、成形、熱処理、研磨し
て作製された、主結晶相がムライト及びホウ酸アルミニ
ウム系結晶の内の少なくとも一種であることを特徴とす
る結晶化ガラス磁気ディスク基板、及び、（６）結晶サ
イズの平均値が５μｍ以下であり、表面粗度が算術平均
粗さＲaで５０Å以下である第(５)項に記載の結晶化ガ
ラス磁気ディスク基板、を提供するものである。
題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、熱処理によりム
ライト及び／又はホウ酸アルミニウム系結晶が析出する
特定組成のガラス組成物が、容易に成形することがで
き、しかも得られた結晶化ガラス基板は容易に研磨加工
することができ、さらに磁気ディスク基板としての物理
的、化学的特性に優れることを見いだし、この知見に基
づいて本発明を完成するに至った。すなわち、本発明
は、（１）熱処理することによりムライト及びホウ酸ア
ルミニウム系結晶の内の少なくとも一種の主結晶相が析
出するガラスであって、ＳｉＯ2：２０〜４５重量％、
Ａｌ2Ｏ3：２５〜４５重量％、Ｂ2Ｏ3：１０〜２５重量
％、ＭｇＯ：２〜２０重量％、Ｌｉ2Ｏ：０〜２重量
％、Ｎａ2Ｏ：０〜２重量％及びＫ2Ｏ：０〜３重量％、
但し、Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ：０〜５重量％の組成
を有することを特徴とする磁気ディスク基板用ガラス組
成物、（２）ＳｉＯ2：２５〜４０重量％、Ａｌ2Ｏ3：
２８〜４０重量％、Ｂ2Ｏ3：１３〜２２重量％、Ｍｇ
Ｏ：２〜１２重量％、Ｌｉ2Ｏ：０〜２重量％、Ｎａ
2Ｏ：０〜２重量％、Ｋ2Ｏ：０〜３重量％、但し、Ｌｉ
2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ：０〜３重量％、ＣａＯ：０〜１
０重量％、ＢａＯ：０〜１０重量％、ＺｎＯ：０〜１０
重量％、ＴｉＯ2：０〜１０重量％及びＰ2Ｏ5：０〜１
０重量％の組成を有する第(１)項に記載の磁気ディスク
基板用ガラス組成物、（３）ＳｉＯ2：２０〜４５重量
％、Ａｌ2Ｏ3：２５〜４５重量％、Ｂ2Ｏ3：１０〜２５
重量％、ＭｇＯ：２〜２０重量％、Ｌｉ2Ｏ：０〜２重
量％、Ｎａ2Ｏ：０〜２重量％、Ｋ2Ｏ：０〜３重量％、
但し、Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ：０〜３重量％、Ｔｉ
Ｏ2：０.１〜８重量％及びＰ2Ｏ5：０.５〜８重量％の
組成を有する第(１)項に記載の磁気ディスク基板用ガラ
ス組成物、（４）Ｃｕ2Ｏ：５重量％以下をさらに含む
第(１)項乃至第(３)項のいずれかに記載の磁気ディスク
基板用ガラス組成物、（５）第(１)項乃至第(４)項のい
ずれかに記載のガラス組成物を、成形、熱処理、研磨し
て作製された、主結晶相がムライト及びホウ酸アルミニ
ウム系結晶の内の少なくとも一種であることを特徴とす
る結晶化ガラス磁気ディスク基板、及び、（６）結晶サ
イズの平均値が５μｍ以下であり、表面粗度が算術平均
粗さＲaで５０Å以下である第(５)項に記載の結晶化ガ
ラス磁気ディスク基板、を提供するものである。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明の磁気ディスク基板用ガラ
ス組成物は、酸化物として、ＳｉＯ2：２０〜４５重量
％、Ａｌ2Ｏ3：２５〜４５重量％、Ｂ2Ｏ3：１０〜２５
重量％、ＭｇＯ：２〜２０重量％、Ｌｉ2Ｏ：０〜２重
量％、Ｎａ2Ｏ：０〜２重量％及びＫ2Ｏ：０〜３重量
％、但し、Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ：０〜５重量％の
組成を有し、熱処理することによりムライト及びホウ酸
アルミニウム系結晶の内の少なくとも一種の主結晶相が
析出するものである。さらに、本発明の磁気ディスク基
板用ガラス組成物には、必要に応じて、ＣａＯ：０〜１
０重量％、ＳｒＯ：０〜１０重量％、ＢａＯ：０〜１０
重量％、ＺｎＯ：０〜１０重量％、ＴｉＯ2：０〜１０
重量％、Ｐ2Ｏ5：０〜１０重量％、ＺｒＯ2：０〜５重
量％、ＳｎＯ2：０〜５重量％、ＭｏＯ3：０〜５重量
％、ＷＯ3：０〜５重量％、Ｃｕ2Ｏ：０〜５重量％、Ｆ
ｅ2Ｏ3：０〜５重量％、Ｌａ2Ｏ3：０〜５重量％、Ｖ2
Ｏ5：０〜５重量％及びＮｂ2Ｏ5：０〜５重量％を含有
せしめることができる。本発明組成物において、ＳｉＯ
2はガラス形成酸化物であり、主な析出結晶であるムラ
イト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）の構成成分である。Ｓ
ｉＯ2の含有量が２０重量％未満であると、ムライト結
晶が析出し難くなるうえ、残存ガラスマトリックス相の
化学的耐久性が悪化したり、耐熱性が悪化するおそれが
ある。ＳｉＯ2の含有量が４５重量％を超えると、安定
したガラス化領域に入り結晶が析出し難くなるうえ、溶
融温度が上がりすぎて生産が困難になるおそれがある。
ＳｉＯ2の含有量は、析出結晶量、化学的耐久性、耐熱
性及び生産性を考慮すると、２５〜４０重量％であるこ
とがより好ましく、２７〜３７重量％であることがさら
に好ましい。本発明組成物において、Ａｌ2Ｏ3はガラス
中間酸化物であり、主な析出結晶であるムライト及びホ
ウ酸アルミニウム系結晶の構成成分である。Ａｌ2Ｏ3の
含有量が２５重量％未満であると、析出結晶量が少な
く、磁気ディスク基板として要求される強度が得られな
かったり、耐熱性が悪化するおそれがある。Ａｌ2Ｏ3の
含有量が４５重量％を超えると、溶融温度が高くなりす
ぎるうえ、失透し易くなって容易に成形し難くなるおそ
れがある。Ａｌ2Ｏ3の含有量は、強度や耐熱性や成形性
を考慮すると、２８〜４０重量％であることがより好ま
しく、３０〜３８重量％であることがさらに好ましい。
ス組成物は、酸化物として、ＳｉＯ2：２０〜４５重量
％、Ａｌ2Ｏ3：２５〜４５重量％、Ｂ2Ｏ3：１０〜２５
重量％、ＭｇＯ：２〜２０重量％、Ｌｉ2Ｏ：０〜２重
量％、Ｎａ2Ｏ：０〜２重量％及びＫ2Ｏ：０〜３重量
％、但し、Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ：０〜５重量％の
組成を有し、熱処理することによりムライト及びホウ酸
アルミニウム系結晶の内の少なくとも一種の主結晶相が
析出するものである。さらに、本発明の磁気ディスク基
板用ガラス組成物には、必要に応じて、ＣａＯ：０〜１
０重量％、ＳｒＯ：０〜１０重量％、ＢａＯ：０〜１０
重量％、ＺｎＯ：０〜１０重量％、ＴｉＯ2：０〜１０
重量％、Ｐ2Ｏ5：０〜１０重量％、ＺｒＯ2：０〜５重
量％、ＳｎＯ2：０〜５重量％、ＭｏＯ3：０〜５重量
％、ＷＯ3：０〜５重量％、Ｃｕ2Ｏ：０〜５重量％、Ｆ
ｅ2Ｏ3：０〜５重量％、Ｌａ2Ｏ3：０〜５重量％、Ｖ2
Ｏ5：０〜５重量％及びＮｂ2Ｏ5：０〜５重量％を含有
せしめることができる。本発明組成物において、ＳｉＯ
2はガラス形成酸化物であり、主な析出結晶であるムラ
イト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）の構成成分である。Ｓ
ｉＯ2の含有量が２０重量％未満であると、ムライト結
晶が析出し難くなるうえ、残存ガラスマトリックス相の
化学的耐久性が悪化したり、耐熱性が悪化するおそれが
ある。ＳｉＯ2の含有量が４５重量％を超えると、安定
したガラス化領域に入り結晶が析出し難くなるうえ、溶
融温度が上がりすぎて生産が困難になるおそれがある。
ＳｉＯ2の含有量は、析出結晶量、化学的耐久性、耐熱
性及び生産性を考慮すると、２５〜４０重量％であるこ
とがより好ましく、２７〜３７重量％であることがさら
に好ましい。本発明組成物において、Ａｌ2Ｏ3はガラス
中間酸化物であり、主な析出結晶であるムライト及びホ
ウ酸アルミニウム系結晶の構成成分である。Ａｌ2Ｏ3の
含有量が２５重量％未満であると、析出結晶量が少な
く、磁気ディスク基板として要求される強度が得られな
かったり、耐熱性が悪化するおそれがある。Ａｌ2Ｏ3の
含有量が４５重量％を超えると、溶融温度が高くなりす
ぎるうえ、失透し易くなって容易に成形し難くなるおそ
れがある。Ａｌ2Ｏ3の含有量は、強度や耐熱性や成形性
を考慮すると、２８〜４０重量％であることがより好ま
しく、３０〜３８重量％であることがさらに好ましい。
【０００６】本発明組成物において、Ｂ2Ｏ3は融剤とし
ての役割を果たすとともに、ホウ酸アルミニウム系結晶
の構成成分である。Ｂ2Ｏ3の含有量が１０重量％未満で
あると、溶融温度が高くなりすぎるおそれがある。Ｂ2
Ｏ3の含有量が２５重量％を超えると、ガラスが失透し
易くなって容易に成形し難くなるおそれがある。Ｂ2Ｏ3
の含有量は、溶融性や成形性を考慮すると、１３〜２２
重量％であることがより好ましく、１５〜２０重量％で
あることがさらに好ましい。本発明組成物において、Ｍ
ｇＯはガラス修飾酸化物であり、作業温度幅を広げる働
きがあるうえ、ガラスマトリックス相の化学的耐久性を
向上させる。ＭｇＯの含有量が２重量％未満であると、
作業温度幅が狭くなるとともに、ガラスマトリックス相
の化学的耐久性が向上しないおそれがある。ＭｇＯの含
有量が２０重量％を超えると、析出結晶相が主にコージ
ェライト（２ＭｇＯ・２Ａｌ2Ｏ3・５ＳｉＯ2）とな
り、磁気ディスク基板として要求される強度が得られな
いおそれがある。ＭｇＯの含有量は、作業性、化学的耐
久性及び強度を考慮すると、２〜１２重量％であること
がより好ましく、３〜１０重量％であることがさらに好
ましい。本発明組成物において、Ｌｉ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ及び
Ｋ2Ｏは融剤であり、組成物の溶融性を改良する。磁気
ディスク基板の耐マイグレーション性を考慮すると、こ
れらのアルカリ成分を含まないことが好ましいが、溶融
性、成形性などを改善するため基本組成によっては使用
する。Ｌｉ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ及びＫ2Ｏは１種を単独に使用
することができ、２種以上を組み合わせて使用すること
ができる。磁気ディスク基板の耐マイグレーション性を
できるだけ高く保つためには、２種以上を組み合わせて
使用することが好ましい。Ｌｉ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ及びＫ2Ｏ
のうち２種を用いる場合、どの２種を組み合わせること
もできるが、磁気ディスク基板の耐マイグレーション性
を高く保つためにはＬｉ2ＯとＫ2Ｏの組み合わせが最も
好ましい。本発明組成物において、Ｌｉ2Ｏ及びＮａ2Ｏ
の含有量はそれぞれ０〜２重量％であり、Ｋ2Ｏの含有
量は０〜３重量％であり、かつＬｉ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ及びＫ
2Ｏの含有量の合計は０〜５重量％である。溶融性、成
形性、耐マイグレーション性及び耐熱性を考慮すると、
Ｌｉ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ及びＫ2Ｏの含有量の合計は０.１〜３
重量％であることがより好ましく、０.３〜１.５重量％
であることがさらに好ましい。Ｌｉ2Ｏ又はＮａ2Ｏの含
有量が２重量％を超えるか、Ｋ2Ｏの含有量が３重量％
を超えるか、あるいは、Ｌｉ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ及びＫ2Ｏの
含有量の合計が５重量％を超えると、磁気ディスク基板
の耐マイグレーション性が低下したり、耐熱性が悪化す
るおそれがある。このように無アルカリ又は低アルカリ
結晶化ガラスであるので、本発明組成物から得られたデ
ィスク基板は、磁気ディスク基板にアルカリバリヤー膜
を設けることなく優れた磁気膜特性を保つことができ
る。
ての役割を果たすとともに、ホウ酸アルミニウム系結晶
の構成成分である。Ｂ2Ｏ3の含有量が１０重量％未満で
あると、溶融温度が高くなりすぎるおそれがある。Ｂ2
Ｏ3の含有量が２５重量％を超えると、ガラスが失透し
易くなって容易に成形し難くなるおそれがある。Ｂ2Ｏ3
の含有量は、溶融性や成形性を考慮すると、１３〜２２
重量％であることがより好ましく、１５〜２０重量％で
あることがさらに好ましい。本発明組成物において、Ｍ
ｇＯはガラス修飾酸化物であり、作業温度幅を広げる働
きがあるうえ、ガラスマトリックス相の化学的耐久性を
向上させる。ＭｇＯの含有量が２重量％未満であると、
作業温度幅が狭くなるとともに、ガラスマトリックス相
の化学的耐久性が向上しないおそれがある。ＭｇＯの含
有量が２０重量％を超えると、析出結晶相が主にコージ
ェライト（２ＭｇＯ・２Ａｌ2Ｏ3・５ＳｉＯ2）とな
り、磁気ディスク基板として要求される強度が得られな
いおそれがある。ＭｇＯの含有量は、作業性、化学的耐
久性及び強度を考慮すると、２〜１２重量％であること
がより好ましく、３〜１０重量％であることがさらに好
ましい。本発明組成物において、Ｌｉ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ及び
Ｋ2Ｏは融剤であり、組成物の溶融性を改良する。磁気
ディスク基板の耐マイグレーション性を考慮すると、こ
れらのアルカリ成分を含まないことが好ましいが、溶融
性、成形性などを改善するため基本組成によっては使用
する。Ｌｉ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ及びＫ2Ｏは１種を単独に使用
することができ、２種以上を組み合わせて使用すること
ができる。磁気ディスク基板の耐マイグレーション性を
できるだけ高く保つためには、２種以上を組み合わせて
使用することが好ましい。Ｌｉ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ及びＫ2Ｏ
のうち２種を用いる場合、どの２種を組み合わせること
もできるが、磁気ディスク基板の耐マイグレーション性
を高く保つためにはＬｉ2ＯとＫ2Ｏの組み合わせが最も
好ましい。本発明組成物において、Ｌｉ2Ｏ及びＮａ2Ｏ
の含有量はそれぞれ０〜２重量％であり、Ｋ2Ｏの含有
量は０〜３重量％であり、かつＬｉ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ及びＫ
2Ｏの含有量の合計は０〜５重量％である。溶融性、成
形性、耐マイグレーション性及び耐熱性を考慮すると、
Ｌｉ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ及びＫ2Ｏの含有量の合計は０.１〜３
重量％であることがより好ましく、０.３〜１.５重量％
であることがさらに好ましい。Ｌｉ2Ｏ又はＮａ2Ｏの含
有量が２重量％を超えるか、Ｋ2Ｏの含有量が３重量％
を超えるか、あるいは、Ｌｉ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ及びＫ2Ｏの
含有量の合計が５重量％を超えると、磁気ディスク基板
の耐マイグレーション性が低下したり、耐熱性が悪化す
るおそれがある。このように無アルカリ又は低アルカリ
結晶化ガラスであるので、本発明組成物から得られたデ
ィスク基板は、磁気ディスク基板にアルカリバリヤー膜
を設けることなく優れた磁気膜特性を保つことができ
る。
【０００７】本発明組成物に必要に応じて含有せしめる
ことができるＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯは、ガラス修飾
酸化物であり、作業温度幅を広げる働きがあるうえ、ガ
ラスマトリックス相の化学的耐久性を向上させる。Ｃａ
Ｏ、ＳｒＯ又はＢａＯの含有量が１０重量％を超える
と、ガラスが安定になりすぎて析出結晶量が少なくなる
おそれがある。ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯそれぞれの含
有量は、作業性や化学的耐久性や析出結晶量を考慮する
と、０.１〜７重量％であることがより好ましく、０.５
〜５重量％であることがさらに好ましい。本発明組成物
に必要に応じて含有せしめることができるＺｎＯは、融
剤としての役割を果たすとともに、ガラスマトリックス
相の化学的耐久性を向上させる働きを有する。融剤とし
てのＢ2Ｏ3の一部をＺｎＯで置換することにより、溶融
時に揮発しやすいＢ2Ｏ3量を減少させることができる。
ＺｎＯの含有量が１０重量％を超えると、析出結晶量が
少なくなるおそれがある。ＺｎＯの含有量は、溶融性、
化学的耐久性及び析出結晶量を考慮すると、０〜７重量
％であることがより好ましく、０.１〜５重量％である
ことがさらに好ましい。本発明組成物に必要に応じて含
有せしめることができるＴｉＯ2、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2、Ｓ
ｎＯ2、ＭｏＯ3及びＷＯ3は、結晶化促進剤としての役
割を果たす。ＴｉＯ2及びＰ2Ｏ5は融剤としての働きも
あるが、ＴｉＯ2又はＰ2Ｏ5の含有量が１０重量％を超
えると、ガラス成形時に失透しやすくなるおそれがあ
る。ＴｉＯ2の含有量は、結晶のサイズと量、溶融性及
び成形性を考慮すると、０.１〜８重量％であることが
より好ましく、０.５〜６重量％であることがさらに好
ましい。Ｐ2Ｏ5の含有量は、結晶のサイズと量、溶融性
及び成形性を考慮すると、０.５〜８重量％であること
がより好ましく、１〜７重量％であることがさらに好ま
しい。ＺｒＯ2及びＳｎＯ2は、少量でも結晶化促進剤と
しての効果があり、かつガラスマトリックス相の化学的
耐久性向上の働きを有する。ＺｒＯ2又はＳｎＯ2の含有
量が５重量％を超えると、ガラス溶融時、均一に溶融し
難く未溶融物が残存し、結果的に溶融温度の上昇をもた
らすおそれがある。ＭｏＯ3及びＷＯ3は、Ｂ2Ｏ3成分が
多量に含まれるガラスにおいて、結晶化を助長する働き
がある。ＭｏＯ3又はＷＯ3の含有量が５重量％を超える
と、ガラス成形時に失透するおそれがある。
ことができるＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯは、ガラス修飾
酸化物であり、作業温度幅を広げる働きがあるうえ、ガ
ラスマトリックス相の化学的耐久性を向上させる。Ｃａ
Ｏ、ＳｒＯ又はＢａＯの含有量が１０重量％を超える
と、ガラスが安定になりすぎて析出結晶量が少なくなる
おそれがある。ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯそれぞれの含
有量は、作業性や化学的耐久性や析出結晶量を考慮する
と、０.１〜７重量％であることがより好ましく、０.５
〜５重量％であることがさらに好ましい。本発明組成物
に必要に応じて含有せしめることができるＺｎＯは、融
剤としての役割を果たすとともに、ガラスマトリックス
相の化学的耐久性を向上させる働きを有する。融剤とし
てのＢ2Ｏ3の一部をＺｎＯで置換することにより、溶融
時に揮発しやすいＢ2Ｏ3量を減少させることができる。
ＺｎＯの含有量が１０重量％を超えると、析出結晶量が
少なくなるおそれがある。ＺｎＯの含有量は、溶融性、
化学的耐久性及び析出結晶量を考慮すると、０〜７重量
％であることがより好ましく、０.１〜５重量％である
ことがさらに好ましい。本発明組成物に必要に応じて含
有せしめることができるＴｉＯ2、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2、Ｓ
ｎＯ2、ＭｏＯ3及びＷＯ3は、結晶化促進剤としての役
割を果たす。ＴｉＯ2及びＰ2Ｏ5は融剤としての働きも
あるが、ＴｉＯ2又はＰ2Ｏ5の含有量が１０重量％を超
えると、ガラス成形時に失透しやすくなるおそれがあ
る。ＴｉＯ2の含有量は、結晶のサイズと量、溶融性及
び成形性を考慮すると、０.１〜８重量％であることが
より好ましく、０.５〜６重量％であることがさらに好
ましい。Ｐ2Ｏ5の含有量は、結晶のサイズと量、溶融性
及び成形性を考慮すると、０.５〜８重量％であること
がより好ましく、１〜７重量％であることがさらに好ま
しい。ＺｒＯ2及びＳｎＯ2は、少量でも結晶化促進剤と
しての効果があり、かつガラスマトリックス相の化学的
耐久性向上の働きを有する。ＺｒＯ2又はＳｎＯ2の含有
量が５重量％を超えると、ガラス溶融時、均一に溶融し
難く未溶融物が残存し、結果的に溶融温度の上昇をもた
らすおそれがある。ＭｏＯ3及びＷＯ3は、Ｂ2Ｏ3成分が
多量に含まれるガラスにおいて、結晶化を助長する働き
がある。ＭｏＯ3又はＷＯ3の含有量が５重量％を超える
と、ガラス成形時に失透するおそれがある。
【０００８】本発明組成物に必要に応じて含有せしめる
ことができるＣｕ2Ｏ、Ｆｅ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3、Ｖ2Ｏ5及
びＮｂ2Ｏ5は、ガラスを安定化させ、作業温度幅を広げ
るため、成形性を向上させる働きがある。Ｃｕ2Ｏ、Ｆ
ｅ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3、Ｖ2Ｏ5又はＮｂ2Ｏ5の含有量が５重
量％を超えると、ガラスが安定化しすぎ、析出結晶量が
少なくなるおそれがある。Ｃｕ2Ｏ、Ｆｅ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ
3、Ｖ2Ｏ5及びＮｂ2Ｏ5それぞれの含有量は、結晶化量
を考慮すると、０〜３重量％であることがより好まし
い。中でもＣｕ2Ｏは、アルカリ成分と同じ働きをする
ため、アルカリ量を減少させることもでき、その上、レ
ーザーテクスチャー時、レーザー光の波長の光を吸収
し、効果的にテクスチャー形成ができるので、０.１重
量％以上含有させることが好ましく、０.３重量％以上
含有させることがさらに好ましい。本発明組成物におい
ては、磁気ディスク基板としての要求特性を損なわない
範囲で、さらにＰｂＯ、Ｂｉ2Ｏ3、Ｆ2、Ｃｓ2Ｏ、Ｃｕ
Ｏなどを含有せしめることができる。本発明の磁気ディ
スク基板用ガラス組成物は、熱処理することにより、ム
ライト及びホウ酸アルミニウム系結晶の内の少なくとも
一種の主結晶相が析出する。ムライト結晶は、アスペク
ト比の低い棒形状である。ホウ酸アルミニウム系結晶
は、例えば、Ａｌ18Ｂ4Ｏ33、Ａｌ5(ＢＯ3)Ｏ6などの組
成を有する結晶であり、アスペクト比の低い棒形状であ
る。これらのアスペクト比の低い棒形状の結晶は、従来
問題となっていた研磨加工時の結晶の欠落を起こすこと
がなく、また、ムライト結晶もホウ酸アルミニウム系結
晶も高い機械的強度特性を有しているので、結晶化量を
抑えても磁気ディスク基板に必要な機械的強度を十分満
足し、加えて研磨スピードを上げることができる。本発
明の磁気ディスク基板用ガラス組成物は、熱処理により
主結晶相以外に副結晶相としてコージェライト、Ｍｇ−
スピネル、Ｚｎ−スピネル、アノーサイト、セルシア
ン、ルチル、フォルステライト、エンスタタイト、ウィ
レマイト、リチウムアルミノシリケート系結晶などが析
出する場合があるが、これらの副結晶相の析出によって
本発明組成物の特性が損なわれるおそれはない。
ことができるＣｕ2Ｏ、Ｆｅ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3、Ｖ2Ｏ5及
びＮｂ2Ｏ5は、ガラスを安定化させ、作業温度幅を広げ
るため、成形性を向上させる働きがある。Ｃｕ2Ｏ、Ｆ
ｅ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3、Ｖ2Ｏ5又はＮｂ2Ｏ5の含有量が５重
量％を超えると、ガラスが安定化しすぎ、析出結晶量が
少なくなるおそれがある。Ｃｕ2Ｏ、Ｆｅ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ
3、Ｖ2Ｏ5及びＮｂ2Ｏ5それぞれの含有量は、結晶化量
を考慮すると、０〜３重量％であることがより好まし
い。中でもＣｕ2Ｏは、アルカリ成分と同じ働きをする
ため、アルカリ量を減少させることもでき、その上、レ
ーザーテクスチャー時、レーザー光の波長の光を吸収
し、効果的にテクスチャー形成ができるので、０.１重
量％以上含有させることが好ましく、０.３重量％以上
含有させることがさらに好ましい。本発明組成物におい
ては、磁気ディスク基板としての要求特性を損なわない
範囲で、さらにＰｂＯ、Ｂｉ2Ｏ3、Ｆ2、Ｃｓ2Ｏ、Ｃｕ
Ｏなどを含有せしめることができる。本発明の磁気ディ
スク基板用ガラス組成物は、熱処理することにより、ム
ライト及びホウ酸アルミニウム系結晶の内の少なくとも
一種の主結晶相が析出する。ムライト結晶は、アスペク
ト比の低い棒形状である。ホウ酸アルミニウム系結晶
は、例えば、Ａｌ18Ｂ4Ｏ33、Ａｌ5(ＢＯ3)Ｏ6などの組
成を有する結晶であり、アスペクト比の低い棒形状であ
る。これらのアスペクト比の低い棒形状の結晶は、従来
問題となっていた研磨加工時の結晶の欠落を起こすこと
がなく、また、ムライト結晶もホウ酸アルミニウム系結
晶も高い機械的強度特性を有しているので、結晶化量を
抑えても磁気ディスク基板に必要な機械的強度を十分満
足し、加えて研磨スピードを上げることができる。本発
明の磁気ディスク基板用ガラス組成物は、熱処理により
主結晶相以外に副結晶相としてコージェライト、Ｍｇ−
スピネル、Ｚｎ−スピネル、アノーサイト、セルシア
ン、ルチル、フォルステライト、エンスタタイト、ウィ
レマイト、リチウムアルミノシリケート系結晶などが析
出する場合があるが、これらの副結晶相の析出によって
本発明組成物の特性が損なわれるおそれはない。
【０００９】本発明の磁気ディスク基板は、本発明の磁
気ディスク基板用ガラス組成物を、成形、熱処理、研磨
して作製した、主結晶相がムライト及びホウ酸アルミニ
ウム系結晶の内の少なくとも一種である結晶化ガラス磁
気ディスク基板である。ガラス組成物の成形方法には特
に制限はなく、例えば、原料をタンク窯で加熱して溶
解、あるいは直接通電により溶解し、プレス成形、ある
いは鋳込み−スライス成形などにより成形することがで
きる。成形品の熱処理方法には特に制限はなく、結晶化
促進剤の含有量などに応じて選択することができるが、
はじめに比較的低温で熱処理して多数の結晶核を発生せ
しめたのち温度を上げて結晶を成長させることが、微細
な結晶を得るうえで好ましい。本発明のガラス組成物
は、熱処理によりムライト及びホウ酸アルミニウム系結
晶の内の少なくとも一種の主結晶相が析出する。熱処理
を終えた成形品の研磨方法には特に制限はなく、例え
ば、合成ダイヤモンド、炭化ケイ素、酸化アルミニウ
ム、炭化ホウ素、ｃ−ＢＮ、シリカ、酸化ジルコニウム
などの合成砥粒や、天然ダイヤモンド、酸化セリウムな
どの天然砥粒を用いて、公知の方法により研磨すること
ができる。本発明の結晶化ガラス磁気ディスク基板は、
結晶サイズの平均値が５μｍ以下であることが好まし
く、３μｍ以下であることがより好ましく、１μｍ以下
であることがさらに好ましい。結晶サイズの平均値が５
μｍを超えると、磁気ディスク基板の機械的強度を低下
させるばかりでなく、研磨加工時に結晶の欠落を引き起
こす可能性があり、基板の表面粗度を悪化させるおそれ
がある。
気ディスク基板用ガラス組成物を、成形、熱処理、研磨
して作製した、主結晶相がムライト及びホウ酸アルミニ
ウム系結晶の内の少なくとも一種である結晶化ガラス磁
気ディスク基板である。ガラス組成物の成形方法には特
に制限はなく、例えば、原料をタンク窯で加熱して溶
解、あるいは直接通電により溶解し、プレス成形、ある
いは鋳込み−スライス成形などにより成形することがで
きる。成形品の熱処理方法には特に制限はなく、結晶化
促進剤の含有量などに応じて選択することができるが、
はじめに比較的低温で熱処理して多数の結晶核を発生せ
しめたのち温度を上げて結晶を成長させることが、微細
な結晶を得るうえで好ましい。本発明のガラス組成物
は、熱処理によりムライト及びホウ酸アルミニウム系結
晶の内の少なくとも一種の主結晶相が析出する。熱処理
を終えた成形品の研磨方法には特に制限はなく、例え
ば、合成ダイヤモンド、炭化ケイ素、酸化アルミニウ
ム、炭化ホウ素、ｃ−ＢＮ、シリカ、酸化ジルコニウム
などの合成砥粒や、天然ダイヤモンド、酸化セリウムな
どの天然砥粒を用いて、公知の方法により研磨すること
ができる。本発明の結晶化ガラス磁気ディスク基板は、
結晶サイズの平均値が５μｍ以下であることが好まし
く、３μｍ以下であることがより好ましく、１μｍ以下
であることがさらに好ましい。結晶サイズの平均値が５
μｍを超えると、磁気ディスク基板の機械的強度を低下
させるばかりでなく、研磨加工時に結晶の欠落を引き起
こす可能性があり、基板の表面粗度を悪化させるおそれ
がある。
【００１０】本発明の結晶化ガラス磁気ディスク基板
は、ＪＩＳ Ｂ ０６０１−１９９４にしたがって求めた
表面粗度が算術平均粗さＲaで５０Å以下であることが
好ましい。算術平均粗さＲaは、磁気ディスクの小型
化、薄型化、高記録密度化に大きく影響する。算術平均
粗さＲaが５０Åを超えると、フライングハイトを小さ
くすることができず、高記録密度を達成できないおそれ
がある。算術平均粗さＲaは、高記録密度化を考慮する
と、３０Å以下であることがより好ましく、１５Å以下
であることがさらに好ましい。本発明のガラス組成物を
使用することにより、ムライト及びホウ酸アルミニウム
系結晶の内の少なくとも一種を主結晶相として有する高
強度、高硬度で化学的耐久性、耐熱性が良好な結晶化ガ
ラス磁気ディスク基板を得ることができる。本発明組成
物は、無アルカリ又は低アルカリであるため、本発明の
結晶化ガラス磁気ディスク基板は、高い耐マイグレーシ
ョン性を達成することができ、磁気膜特性を最善に保つ
ことができる。本発明の結晶化ガラス磁気ディスク基板
は、磁気ディスク基板として必要なディスク表面の平坦
性、平滑性、及びディスク基板の高強度、高硬度、化学
的耐久性、耐熱性、耐マイグレーション性をすべて十分
に満足する。また、従来の結晶化ガラスタイプ（例え
ば、Ｌｉ2Ｏ−ＳｉＯ2系結晶化ガラスなど）に比べ研磨
加工しやすく、熱処理スケジュール又は組成を漸次変え
ることにより、析出結晶サイズや析出結晶量を制御する
ことができ、最終研磨工程で研磨と同時にテクスチャー
形成を行うことができる。
は、ＪＩＳ Ｂ ０６０１−１９９４にしたがって求めた
表面粗度が算術平均粗さＲaで５０Å以下であることが
好ましい。算術平均粗さＲaは、磁気ディスクの小型
化、薄型化、高記録密度化に大きく影響する。算術平均
粗さＲaが５０Åを超えると、フライングハイトを小さ
くすることができず、高記録密度を達成できないおそれ
がある。算術平均粗さＲaは、高記録密度化を考慮する
と、３０Å以下であることがより好ましく、１５Å以下
であることがさらに好ましい。本発明のガラス組成物を
使用することにより、ムライト及びホウ酸アルミニウム
系結晶の内の少なくとも一種を主結晶相として有する高
強度、高硬度で化学的耐久性、耐熱性が良好な結晶化ガ
ラス磁気ディスク基板を得ることができる。本発明組成
物は、無アルカリ又は低アルカリであるため、本発明の
結晶化ガラス磁気ディスク基板は、高い耐マイグレーシ
ョン性を達成することができ、磁気膜特性を最善に保つ
ことができる。本発明の結晶化ガラス磁気ディスク基板
は、磁気ディスク基板として必要なディスク表面の平坦
性、平滑性、及びディスク基板の高強度、高硬度、化学
的耐久性、耐熱性、耐マイグレーション性をすべて十分
に満足する。また、従来の結晶化ガラスタイプ（例え
ば、Ｌｉ2Ｏ−ＳｉＯ2系結晶化ガラスなど）に比べ研磨
加工しやすく、熱処理スケジュール又は組成を漸次変え
ることにより、析出結晶サイズや析出結晶量を制御する
ことができ、最終研磨工程で研磨と同時にテクスチャー
形成を行うことができる。
【００１１】
【実施例】以下に、実施例を挙げて本発明をさらに詳細
に説明するが、本発明はこれらの実施例によりなんら限
定されるものではない。なお、実施例及び比較例におい
て使用した原料は、ＳｉＯ2、Ａｌ(ＯＨ)3、Ｈ3ＢＯ3、
Ｍｇ(ＯＨ)2、ＣａＣＯ3、ＳｒＣＯ3、ＢａＣＯ3、Ｚｎ
Ｏ、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＡｌＰＯ4、ＳｎＯ2、Ｍｏ
Ｏ3、ＷＯ3、Ｌａ2Ｏ3、Ｆｅ2Ｏ3、Ｖ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5、
Ｃｕ2Ｏ、Ｌｉ2ＣＯ3、Ｎａ2ＣＯ3及びＫ2ＣＯ3であ
る。また、実施例及び比較例において、結晶相、結晶サ
イズ及び算術平均粗さＲaは下記の方法により測定し
た。 （１）結晶相 得られた研磨成形体を、Ｘ線回折装置を用いて測定し
た。 （２）結晶サイズ 得られた研磨成形体を、５重量％フッ化水素酸に５秒間
浸漬したものをサンプルとし、走査型電子顕微鏡で表面
観察を行った。この１０,０００倍視野中で、ランダム
に１０点の結晶を選び、その平均長径を、結晶サイズと
した。 （３）算術平均粗さＲa 得られた研磨成形体を、原子間力顕微鏡（Ｄｉｇｉｔａ
ｌ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製）を用いて表面観察を
行った。サンプル表面中で５カ所をランダムに選び、１
カ所当たり１０μｍ×１０μｍの視野中でランダムに４
本の線を引き、それぞれの算術平均粗さＲaを算出し
た。これら合計２０カ所の平均を算術平均粗さＲaとし
た。 実施例１ ガラス組成が、ＳｉＯ2：２３重量％、Ａｌ2Ｏ3：４０
重量％、Ｂ2Ｏ3：２０重量％、ＭｇＯ：１０重量％、Ｃ
ａＯ：２重量％、ＢａＯ：２重量％、ＺｎＯ：２重量％
及びＬｉ2Ｏ：１重量％となるよう各成分原料を秤量、
混合し、電気炉中の白金ルツボに投入して溶融し、均質
になるよう撹拌したのち、５０×５０×５mmの板状に成
形し、除歪、冷却してガラス成形体を得た。このガラス
成形体を、７００℃で２時間、続いて８７０℃で２時間
熱処理して、ガラス中に結晶を析出させた。さらに、成
形体の表面を平均粒径１０μｍの炭化ケイ素砥粒を用い
て３０分間ラッピングし、さらに平均粒径１μｍの酸化
セリウム砥粒で１５分間ポリッシュして研磨成形体を得
た。この研磨成形体は、主結晶相がホウ酸アルミニウム
系結晶及びムライトであり、その他の結晶はほとんど存
在しなかった。結晶サイズは１.４μｍであり、算術平
均粗さＲaは２２Åであった。 実施例２〜１６ 実施例１と同様にして、第１表に示す条件でガラス組成
物を成形、熱処理して得られたガラス成形体を、実施例
１と同様に研磨した。得られた研磨成形体について、結
晶相、結晶サイズ及び算術平均粗さＲaを測定した。結
果を第１表に示す。
に説明するが、本発明はこれらの実施例によりなんら限
定されるものではない。なお、実施例及び比較例におい
て使用した原料は、ＳｉＯ2、Ａｌ(ＯＨ)3、Ｈ3ＢＯ3、
Ｍｇ(ＯＨ)2、ＣａＣＯ3、ＳｒＣＯ3、ＢａＣＯ3、Ｚｎ
Ｏ、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＡｌＰＯ4、ＳｎＯ2、Ｍｏ
Ｏ3、ＷＯ3、Ｌａ2Ｏ3、Ｆｅ2Ｏ3、Ｖ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5、
Ｃｕ2Ｏ、Ｌｉ2ＣＯ3、Ｎａ2ＣＯ3及びＫ2ＣＯ3であ
る。また、実施例及び比較例において、結晶相、結晶サ
イズ及び算術平均粗さＲaは下記の方法により測定し
た。 （１）結晶相 得られた研磨成形体を、Ｘ線回折装置を用いて測定し
た。 （２）結晶サイズ 得られた研磨成形体を、５重量％フッ化水素酸に５秒間
浸漬したものをサンプルとし、走査型電子顕微鏡で表面
観察を行った。この１０,０００倍視野中で、ランダム
に１０点の結晶を選び、その平均長径を、結晶サイズと
した。 （３）算術平均粗さＲa 得られた研磨成形体を、原子間力顕微鏡（Ｄｉｇｉｔａ
ｌ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製）を用いて表面観察を
行った。サンプル表面中で５カ所をランダムに選び、１
カ所当たり１０μｍ×１０μｍの視野中でランダムに４
本の線を引き、それぞれの算術平均粗さＲaを算出し
た。これら合計２０カ所の平均を算術平均粗さＲaとし
た。 実施例１ ガラス組成が、ＳｉＯ2：２３重量％、Ａｌ2Ｏ3：４０
重量％、Ｂ2Ｏ3：２０重量％、ＭｇＯ：１０重量％、Ｃ
ａＯ：２重量％、ＢａＯ：２重量％、ＺｎＯ：２重量％
及びＬｉ2Ｏ：１重量％となるよう各成分原料を秤量、
混合し、電気炉中の白金ルツボに投入して溶融し、均質
になるよう撹拌したのち、５０×５０×５mmの板状に成
形し、除歪、冷却してガラス成形体を得た。このガラス
成形体を、７００℃で２時間、続いて８７０℃で２時間
熱処理して、ガラス中に結晶を析出させた。さらに、成
形体の表面を平均粒径１０μｍの炭化ケイ素砥粒を用い
て３０分間ラッピングし、さらに平均粒径１μｍの酸化
セリウム砥粒で１５分間ポリッシュして研磨成形体を得
た。この研磨成形体は、主結晶相がホウ酸アルミニウム
系結晶及びムライトであり、その他の結晶はほとんど存
在しなかった。結晶サイズは１.４μｍであり、算術平
均粗さＲaは２２Åであった。 実施例２〜１６ 実施例１と同様にして、第１表に示す条件でガラス組成
物を成形、熱処理して得られたガラス成形体を、実施例
１と同様に研磨した。得られた研磨成形体について、結
晶相、結晶サイズ及び算術平均粗さＲaを測定した。結
果を第１表に示す。
【００１２】
【表１】
【００１３】
【表２】
【００１４】
【表３】
【００１５】実施例１〜１６の、本発明のガラス組成物
から、成形、熱処理、研磨によって作製された研磨成形
体は、すべてムライト、ホウ酸アルミニウム系結晶又は
その両方を主結晶相として有し、結晶サイズは０.５〜
４.５μｍの範囲にあり、算術平均粗さＲaは４〜３８Å
の範囲にあって、磁気ディスク基板として好ましい特性
を備えている。 比較例１ ガラス組成が、ＳｉＯ2：１８重量％、Ａｌ2Ｏ3：４０
重量％、Ｂ2Ｏ3：２０重量％、ＭｇＯ：１５重量％、Ｚ
ｎＯ：３重量％、ＴｉＯ2：２重量％、ＺｒＯ2：１重量
％及びＬｉ2Ｏ：１重量％となるよう各成分原料を秤
量、混合し、電気炉中の白金ルツボに投入して溶融し、
均質になるよう撹拌したのち、５０×５０×５mmの板状
に成形し、除歪、冷却してガラス成形体を得た。このガ
ラス成形体を、６８０℃で２時間、続いて８５０℃で２
時間熱処理して、ガラス中に結晶を析出させた。さら
に、成形体の表面を平均粒径１０μｍの炭化ケイ素砥粒
を用いて３０分間ラッピングし、さらに平均粒径１μｍ
の酸化セリウム砥粒で１５分間ポリッシュして研磨成形
体を得た。この研磨成形体は、主結晶相がホウ酸アルミ
ニウム系結晶であり、その他の結晶はほとんど存在しな
かった。結晶サイズは１.２μｍであり、算術平均粗さ
Ｒaは２１Åであった。この結晶化ガラス成形体は、主
結晶相の種類、結晶サイズ及び算術平均粗さＲaの値で
は、本発明の磁気ディスク基板としての特性を備えてい
るが、ＳｉＯ2の含有量が少ないために化学的耐久性が
低かった。 比較例２ ガラス組成が、ＳｉＯ2：２５重量％、Ａｌ2Ｏ3：４８
重量％、Ｂ2Ｏ3：１５重量％、ＭｇＯ：８重量％、Ｚｎ
Ｏ：１重量％、Ｌｉ2Ｏ：１重量％、Ｎａ2Ｏ：１重量％
及びＫ2Ｏ：１重量％となるよう各成分原料を秤量、混
合し、電気炉中の白金ルツボに投入して溶融し、均質に
なるよう撹拌した。このガラス組成物はＡｌ2Ｏ3が多す
ぎるために失透し、成形することができなかった。 比較例３ ガラス組成が、ＳｉＯ2：２５重量％、Ａｌ2Ｏ3：２８
重量％、Ｂ2Ｏ3：２８重量％、ＭｇＯ：１２重量％、Ｃ
ａＯ：２重量％、ＢａＯ：２重量％、ＺｎＯ：１重量％
及びＴｉＯ2：２重量％となるよう各成分原料を秤量、
混合し、電気炉中の白金ルツボに投入して溶融し、均質
になるよう撹拌した。このガラス組成物は、Ｂ2Ｏ3が多
すぎるために失透し、成形することができなかった。 比較例４ ガラス組成が、ＳｉＯ2：３０重量％、Ａｌ2Ｏ3：３０
重量％、Ｂ2Ｏ3：１２重量％、ＭｇＯ：２３重量％、Ｃ
ａＯ：２重量％、ＺｎＯ：２重量％及びＬｉ2Ｏ：１重
量％となるよう各成分原料を秤量、混合し、電気炉中の
白金ルツボに投入して溶融し、均質になるよう撹拌した
のち、５０×５０×５mmの板状に成形し、除歪、冷却し
てガラス成形体を得た。このガラス成形体を、７００℃
で２時間、続いて９５０℃で２時間熱処理して、ガラス
中に結晶を析出させた。さらに、成形体の表面を平均粒
径１０μｍの炭化ケイ素砥粒を用いて３０分間ラッピン
グし、さらに平均粒径１μｍの酸化セリウム砥粒で１５
分間ポリッシュして研磨成形体を得た。この研磨成形体
は、主結晶相がコージェライトであり、その他の結晶は
ほとんど存在しなかった。結晶サイズは３.９μｍであ
り、算術平均粗さＲaは３８Åであった。この結晶化ガ
ラス成形体は、ＭｇＯが多すぎるために主結晶相がコー
ジェライトとなり、強度が低かった。比較例１〜４のガ
ラス組成及び試験結果を、第２表に示す。
から、成形、熱処理、研磨によって作製された研磨成形
体は、すべてムライト、ホウ酸アルミニウム系結晶又は
その両方を主結晶相として有し、結晶サイズは０.５〜
４.５μｍの範囲にあり、算術平均粗さＲaは４〜３８Å
の範囲にあって、磁気ディスク基板として好ましい特性
を備えている。 比較例１ ガラス組成が、ＳｉＯ2：１８重量％、Ａｌ2Ｏ3：４０
重量％、Ｂ2Ｏ3：２０重量％、ＭｇＯ：１５重量％、Ｚ
ｎＯ：３重量％、ＴｉＯ2：２重量％、ＺｒＯ2：１重量
％及びＬｉ2Ｏ：１重量％となるよう各成分原料を秤
量、混合し、電気炉中の白金ルツボに投入して溶融し、
均質になるよう撹拌したのち、５０×５０×５mmの板状
に成形し、除歪、冷却してガラス成形体を得た。このガ
ラス成形体を、６８０℃で２時間、続いて８５０℃で２
時間熱処理して、ガラス中に結晶を析出させた。さら
に、成形体の表面を平均粒径１０μｍの炭化ケイ素砥粒
を用いて３０分間ラッピングし、さらに平均粒径１μｍ
の酸化セリウム砥粒で１５分間ポリッシュして研磨成形
体を得た。この研磨成形体は、主結晶相がホウ酸アルミ
ニウム系結晶であり、その他の結晶はほとんど存在しな
かった。結晶サイズは１.２μｍであり、算術平均粗さ
Ｒaは２１Åであった。この結晶化ガラス成形体は、主
結晶相の種類、結晶サイズ及び算術平均粗さＲaの値で
は、本発明の磁気ディスク基板としての特性を備えてい
るが、ＳｉＯ2の含有量が少ないために化学的耐久性が
低かった。 比較例２ ガラス組成が、ＳｉＯ2：２５重量％、Ａｌ2Ｏ3：４８
重量％、Ｂ2Ｏ3：１５重量％、ＭｇＯ：８重量％、Ｚｎ
Ｏ：１重量％、Ｌｉ2Ｏ：１重量％、Ｎａ2Ｏ：１重量％
及びＫ2Ｏ：１重量％となるよう各成分原料を秤量、混
合し、電気炉中の白金ルツボに投入して溶融し、均質に
なるよう撹拌した。このガラス組成物はＡｌ2Ｏ3が多す
ぎるために失透し、成形することができなかった。 比較例３ ガラス組成が、ＳｉＯ2：２５重量％、Ａｌ2Ｏ3：２８
重量％、Ｂ2Ｏ3：２８重量％、ＭｇＯ：１２重量％、Ｃ
ａＯ：２重量％、ＢａＯ：２重量％、ＺｎＯ：１重量％
及びＴｉＯ2：２重量％となるよう各成分原料を秤量、
混合し、電気炉中の白金ルツボに投入して溶融し、均質
になるよう撹拌した。このガラス組成物は、Ｂ2Ｏ3が多
すぎるために失透し、成形することができなかった。 比較例４ ガラス組成が、ＳｉＯ2：３０重量％、Ａｌ2Ｏ3：３０
重量％、Ｂ2Ｏ3：１２重量％、ＭｇＯ：２３重量％、Ｃ
ａＯ：２重量％、ＺｎＯ：２重量％及びＬｉ2Ｏ：１重
量％となるよう各成分原料を秤量、混合し、電気炉中の
白金ルツボに投入して溶融し、均質になるよう撹拌した
のち、５０×５０×５mmの板状に成形し、除歪、冷却し
てガラス成形体を得た。このガラス成形体を、７００℃
で２時間、続いて９５０℃で２時間熱処理して、ガラス
中に結晶を析出させた。さらに、成形体の表面を平均粒
径１０μｍの炭化ケイ素砥粒を用いて３０分間ラッピン
グし、さらに平均粒径１μｍの酸化セリウム砥粒で１５
分間ポリッシュして研磨成形体を得た。この研磨成形体
は、主結晶相がコージェライトであり、その他の結晶は
ほとんど存在しなかった。結晶サイズは３.９μｍであ
り、算術平均粗さＲaは３８Åであった。この結晶化ガ
ラス成形体は、ＭｇＯが多すぎるために主結晶相がコー
ジェライトとなり、強度が低かった。比較例１〜４のガ
ラス組成及び試験結果を、第２表に示す。
【００１６】
【表４】
【００１７】
【発明の効果】本発明のガラス組成物は、容易に成形す
ることができ、ガラスの熱処理によってムライト及びホ
ウ酸アルミニウム系結晶の内の少なくとも一種が主結晶
相として析出し、研磨加工が容易であり、優れた機械的
強度、表面平坦性、表面平滑性、化学的耐久性、耐熱性
及び耐マイグレーション性を有する結晶化ガラス磁気デ
ィスク基板を作製することができる。
ることができ、ガラスの熱処理によってムライト及びホ
ウ酸アルミニウム系結晶の内の少なくとも一種が主結晶
相として析出し、研磨加工が容易であり、優れた機械的
強度、表面平坦性、表面平滑性、化学的耐久性、耐熱性
及び耐マイグレーション性を有する結晶化ガラス磁気デ
ィスク基板を作製することができる。
フロントページの続き (72)発明者 若林 肇 兵庫県西宮市浜松原町２番21号 山村硝子 株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】熱処理することによりムライト及びホウ酸
アルミニウム系結晶の内の少なくとも一種の主結晶相が
析出するガラスであって、 ＳｉＯ2 ：２０〜４５重量％ Ａｌ2Ｏ3 ：２５〜４５重量％ Ｂ2Ｏ3 ：１０〜２５重量％ ＭｇＯ ：２〜２０重量％ Ｌｉ2Ｏ ：０〜２重量％ Ｎａ2Ｏ ：０〜２重量％ Ｋ2Ｏ ：０〜３重量％ 但し、Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ：０〜５重量％ の組成を有することを特徴とする磁気ディスク基板用ガ
ラス組成物。 - 【請求項２】ＳｉＯ2 ：２５〜４０重量％ Ａｌ2Ｏ3 ：２８〜４０重量％ Ｂ2Ｏ3 ：１３〜２２重量％ ＭｇＯ ：２〜１２重量％ Ｌｉ2Ｏ ：０〜２重量％ Ｎａ2Ｏ ：０〜２重量％ Ｋ2Ｏ ：０〜３重量％ 但し、Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ：０〜３重量％ ＣａＯ ：０〜１０重量％ ＢａＯ ：０〜１０重量％ ＺｎＯ ：０〜１０重量％ ＴｉＯ2 ：０〜１０重量％ Ｐ2Ｏ5 ：０〜１０重量％ の組成を有する請求項１に記載の磁気ディスク基板用ガ
ラス組成物。 - 【請求項３】ＳｉＯ2 ：２０〜４５重量％ Ａｌ2Ｏ3 ：２５〜４５重量％ Ｂ2Ｏ3 ：１０〜２５重量％ ＭｇＯ ：２〜２０重量％ Ｌｉ2Ｏ ：０〜２重量％ Ｎａ2Ｏ ：０〜２重量％ Ｋ2Ｏ ：０〜３重量％ 但し、Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ：０〜３重量％ ＴｉＯ2 ：０.１〜８重量％ Ｐ2Ｏ5 ：０.５〜８重量％ の組成を有する請求項１に記載の磁気ディスク基板用ガ
ラス組成物。 - 【請求項４】Ｃｕ2Ｏ：５重量％以下をさらに含む請求
項１乃至３のいずれかに記載の磁気ディスク基板用ガラ
ス組成物。 - 【請求項５】請求項１乃至４のいずれかに記載のガラス
組成物を、成形、熱処理、研磨して作製された、主結晶
相がムライト及びホウ酸アルミニウム系結晶の内の少な
くとも一種であることを特徴とする結晶化ガラス磁気デ
ィスク基板。 - 【請求項６】結晶サイズの平均値が５μｍ以下であり、
表面粗度が算術平均粗さＲaで５０Å以下である請求項
５に記載の結晶化ガラス磁気ディスク基板。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08199814A JP3130800B2 (ja) | 1995-07-24 | 1996-07-10 | 磁気ディスク基板用ガラス組成物及び磁気ディスク基板 |
| EP96111881A EP0755901B1 (en) | 1995-07-24 | 1996-07-24 | Glass composition for making magnetic disk substrates and magnetic disk substrate |
| KR1019960029914A KR970007864A (ko) | 1995-07-24 | 1996-07-24 | 자기디스크기판용 유리조성물 및 자기디스크기판 |
| DE69617124T DE69617124T2 (de) | 1995-07-24 | 1996-07-24 | Glaszusammensetzung zur Herstellung von Magnetplattensubstraten und Magnetplattensubstrat |
| US08/825,732 US5726108A (en) | 1995-07-24 | 1997-04-02 | Glass-ceramic magnetic disk substrate |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-208375 | 1995-07-24 | ||
| JP20837595 | 1995-07-24 | ||
| JP08199814A JP3130800B2 (ja) | 1995-07-24 | 1996-07-10 | 磁気ディスク基板用ガラス組成物及び磁気ディスク基板 |
Publications (2)
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