JPH09100246A - エチルベンゼンのスチレンへの脱水素の方法 - Google Patents
エチルベンゼンのスチレンへの脱水素の方法Info
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C5/00—Preparation of hydrocarbons from hydrocarbons containing the same number of carbon atoms
- C07C5/32—Preparation of hydrocarbons from hydrocarbons containing the same number of carbon atoms by dehydrogenation with formation of free hydrogen
- C07C5/327—Formation of non-aromatic carbon-to-carbon double bonds only
- C07C5/333—Catalytic processes
- C07C5/3332—Catalytic processes with metal oxides or metal sulfides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C15/00—Cyclic hydrocarbons containing only six-membered aromatic rings as cyclic parts
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- C07C2523/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group C07C2521/00
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- C07C2523/74—Iron group metals
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数の反応器を用いてエチルベンゼンの脱水
素を有効に行う方法。 【解決手段】 本発明は高−選択性酸化鉄触媒を上流の
反応器で用い、続いて下流の反応器又は複数の反応器に
おいて低−選択性触媒を用いることにより、ＥＢをスチ
レンに脱水素するための選択性を変化させた触媒を有す
る複数−床ラジアル反応器を用いる方法を開示する。
素を有効に行う方法。 【解決手段】 本発明は高−選択性酸化鉄触媒を上流の
反応器で用い、続いて下流の反応器又は複数の反応器に
おいて低−選択性触媒を用いることにより、ＥＢをスチ
レンに脱水素するための選択性を変化させた触媒を有す
る複数−床ラジアル反応器を用いる方法を開示する。
Description
【０００１】
【発明の背景】本発明はスチレン製造の分野に関し、さ
らに特定的にはエチルベンゼンのスチレンモノマーへの
脱水素のための方法及び反応器を含む装置を開示する。
らに特定的にはエチルベンゼンのスチレンモノマーへの
脱水素のための方法及び反応器を含む装置を開示する。
【０００２】ベンゼン環上のエチル基から水素を奪い、
スチレン分子を生成するために、エチルベンゼン（「Ｅ
Ｂ」）を１０００〜１２００oＦの範囲の高温下で、及
び約１０〜２０ＰＳＩＡの圧力において酸化鉄などの脱
水素触媒上で反応させることは、スチレン製造の分野に
おいて周知である。これは通常、１系列のスチレンラジ
アル反応器において行われ、それは通常ＥＢ脱水素反応
器と呼ばれる。脱水素反応器は一般に直径が約５〜約３
０フィートか又はそれ以上、及び長さが約１０〜約１０
０フィートか又はそれ以上の範囲の非常に大きな寸法の
長い円筒状垂直構造である。そのような反応器の通常の
構築により、垂直反応器の底中心に位置する流入口にお
いてエチルベンゼンガスを流入させ、それからガスを環
状の領域を通して上に流し、酸化鉄又は他の適した脱水
素触媒の多孔質触媒床を通して外側に半径方向に通過さ
せ、次いで外部環状領域を通して上方に通過させ、反応
器シェルの上部において出す。触媒床を横切るエチルベ
ンゼンの流れが半径方向なので、これらの反応器は「ラ
ジアル」反応器として同定されることがある。
スチレン分子を生成するために、エチルベンゼン（「Ｅ
Ｂ」）を１０００〜１２００oＦの範囲の高温下で、及
び約１０〜２０ＰＳＩＡの圧力において酸化鉄などの脱
水素触媒上で反応させることは、スチレン製造の分野に
おいて周知である。これは通常、１系列のスチレンラジ
アル反応器において行われ、それは通常ＥＢ脱水素反応
器と呼ばれる。脱水素反応器は一般に直径が約５〜約３
０フィートか又はそれ以上、及び長さが約１０〜約１０
０フィートか又はそれ以上の範囲の非常に大きな寸法の
長い円筒状垂直構造である。そのような反応器の通常の
構築により、垂直反応器の底中心に位置する流入口にお
いてエチルベンゼンガスを流入させ、それからガスを環
状の領域を通して上に流し、酸化鉄又は他の適した脱水
素触媒の多孔質触媒床を通して外側に半径方向に通過さ
せ、次いで外部環状領域を通して上方に通過させ、反応
器シェルの上部において出す。触媒床を横切るエチルベ
ンゼンの流れが半径方向なので、これらの反応器は「ラ
ジアル」反応器として同定されることがある。
【０００３】酸化鉄脱水素触媒を有する複数のラジアル
床、ＥＢ反応器の最適配置は、系列の最初の１つ又は２
つの反応器に低−選択性脱水素触媒を置き、下流の反応
器に高い選択性を有する脱水素触媒を置くことである
と、スチレン製造の分野における熟練者により現在信じ
られている。この場合の「選択性」は、より多量の所望
のスチレン及びより少量の望ましくないトルエン及びベ
ンゼンを選択的に生産する触媒の能力を意味すると、当
該技術分野における熟練者により考えられている。「活
性」は、触媒上に原料を通過させる毎に、あるパーセン
テージのエチルベンゼンを芳香族化合物に変換する触媒
の能力であると考えられている。
床、ＥＢ反応器の最適配置は、系列の最初の１つ又は２
つの反応器に低−選択性脱水素触媒を置き、下流の反応
器に高い選択性を有する脱水素触媒を置くことである
と、スチレン製造の分野における熟練者により現在信じ
られている。この場合の「選択性」は、より多量の所望
のスチレン及びより少量の望ましくないトルエン及びベ
ンゼンを選択的に生産する触媒の能力を意味すると、当
該技術分野における熟練者により考えられている。「活
性」は、触媒上に原料を通過させる毎に、あるパーセン
テージのエチルベンゼンを芳香族化合物に変換する触媒
の能力であると考えられている。
【０００４】エチルベンゼンからのスチレンの製造にお
いて特に有用なラジアル反応器は、１９９４年１０月２
５日公開のＢｕｔｌｅｒ ｅｔ ａｌ．の米国特許第
５，３５８，６９８号に開示されている種類のものであ
り、その特許は引用することにより本明細書の内容とな
る。
いて特に有用なラジアル反応器は、１９９４年１０月２
５日公開のＢｕｔｌｅｒ ｅｔ ａｌ．の米国特許第
５，３５８，６９８号に開示されている種類のものであ
り、その特許は引用することにより本明細書の内容とな
る。
【０００５】しかし低−選択性触媒を高−選択性触媒の
上流に置く通常の配置は、複数のラジアル床反応器及び
最適酸化鉄触媒を用いる場合に望ましい配置ではないこ
とが見いだされた。そのような配置が試みられると、結
果は活性及び生産性の損失であり、複数の反応器を選択
性を変化させた触媒と共に用いることができないと思わ
せる。
上流に置く通常の配置は、複数のラジアル床反応器及び
最適酸化鉄触媒を用いる場合に望ましい配置ではないこ
とが見いだされた。そのような配置が試みられると、結
果は活性及び生産性の損失であり、複数の反応器を選択
性を変化させた触媒と共に用いることができないと思わ
せる。
【０００６】
【発明の概略】本発明は高−選択性酸化鉄触媒を上流の
反応器で用い、続いて下流の反応器において低−選択性
触媒を用いることにより、ＥＢをスチレンに脱水素する
ための選択性を変化させた触媒を有する複数−床ラジア
ル反応器を用いる方法を開示する。
反応器で用い、続いて下流の反応器において低−選択性
触媒を用いることにより、ＥＢをスチレンに脱水素する
ための選択性を変化させた触媒を有する複数−床ラジア
ル反応器を用いる方法を開示する。
【０００７】
【好ましい実施態様の説明】ここで図面に言及すると、
典型的に３つの垂直ラジアル床脱水素反応器１０、１１
０及び２１０を含む典型的な複数床反応器系が示されて
いる。各ＥＢ脱水素反応器は、円筒状シェル１１の同心
的に内部に置かれた内部円筒状置換部品（ｄｉｓｐｌａ
ｃｅｍｅｎｔ ｍｅｍｂｅｒ）１２を囲んで長い外部円
筒状シェル１１を有する。シェル１１及び置換部品１２
は一般に円筒状であり、これらの２つの容器の縦中心線
に垂直にとられる断面図の形が円形となることを意味す
る。好ましくはシェル１１は直円柱であり、置換部品１
２は円錐形又は円錐台形などの非−直円柱である。置換
部品１２はシェル１１内に同軸的に置かれ、これらの２
つの構造のそれぞれの中心縦軸が好ましくは互いに一致
することを意味する。
典型的に３つの垂直ラジアル床脱水素反応器１０、１１
０及び２１０を含む典型的な複数床反応器系が示されて
いる。各ＥＢ脱水素反応器は、円筒状シェル１１の同心
的に内部に置かれた内部円筒状置換部品（ｄｉｓｐｌａ
ｃｅｍｅｎｔ ｍｅｍｂｅｒ）１２を囲んで長い外部円
筒状シェル１１を有する。シェル１１及び置換部品１２
は一般に円筒状であり、これらの２つの容器の縦中心線
に垂直にとられる断面図の形が円形となることを意味す
る。好ましくはシェル１１は直円柱であり、置換部品１
２は円錐形又は円錐台形などの非−直円柱である。置換
部品１２はシェル１１内に同軸的に置かれ、これらの２
つの構造のそれぞれの中心縦軸が好ましくは互いに一致
することを意味する。
【０００８】比較的大きな断面積を有する流入管１３が
シェル１１の底に形成される中心流入開口部１４に連結
されている。好ましくは流入管１３も断面積が円筒状で
あり、水平から９０o回転した後に容器に入る。流入管
１３は、その壁の内部に取り付けられ、そこを通るガス
の流れを制御し、管１３における直角の回転の影響を相
殺する１系列のフローバフル（ｆｌｏｗ ｂａｆｆｌｅ
ｓ）１６を有する。
シェル１１の底に形成される中心流入開口部１４に連結
されている。好ましくは流入管１３も断面積が円筒状で
あり、水平から９０o回転した後に容器に入る。流入管
１３は、その壁の内部に取り付けられ、そこを通るガス
の流れを制御し、管１３における直角の回転の影響を相
殺する１系列のフローバフル（ｆｌｏｗ ｂａｆｆｌｅ
ｓ）１６を有する。
【０００９】シェル１１内で円筒１２を同軸配列に配置
することは、それらの間に環状触媒領域１８を形成する
のに役立つ。円筒状環状触媒床１９は、置換部品１２及
びシェル１１の間に置かれる。１系列の半径方向に外側
に延びるフローバフル２０が、触媒床１９の外壁上に形
成され、ガス流を触媒床を通って半径方向にさらに方向
付けるためにそこから半径方向に外側に延び、それによ
り縦の流れを妨げ、さらに触媒床を横切る流出流を円滑
にする。
することは、それらの間に環状触媒領域１８を形成する
のに役立つ。円筒状環状触媒床１９は、置換部品１２及
びシェル１１の間に置かれる。１系列の半径方向に外側
に延びるフローバフル２０が、触媒床１９の外壁上に形
成され、ガス流を触媒床を通って半径方向にさらに方向
付けるためにそこから半径方向に外側に延び、それによ
り縦の流れを妨げ、さらに触媒床を横切る流出流を円滑
にする。
【００１０】同心的円筒状触媒シェルを含む触媒床１９
は、孔開き又は多孔質内壁、ならびに同様に多孔質又は
孔開きの外壁から作られている。触媒シェルは流れを最
大にし、それでいてなお脱水素触媒を内壁及び外壁の間
に保持するのに十分であるのが好ましい。触媒床１９で
用いられる典型的触媒は、選択性を変化させた、さらに
特定的には下記の酸化鉄触媒である。
は、孔開き又は多孔質内壁、ならびに同様に多孔質又は
孔開きの外壁から作られている。触媒シェルは流れを最
大にし、それでいてなお脱水素触媒を内壁及び外壁の間
に保持するのに十分であるのが好ましい。触媒床１９で
用いられる典型的触媒は、選択性を変化させた、さらに
特定的には下記の酸化鉄触媒である。
【００１１】流入管１３の流動領域及び置換部品１２と
触媒床１９の間の環状領域２１の寸法規制は、約２：１
の範囲が好ましく、環状領域２１が流入管１３の断面積
の約２倍の値である。さらに、触媒床１９とシェル１１
の間の環状領域２２は環状流動領域２１の約５〜６倍で
ある。
触媒床１９の間の環状領域２１の寸法規制は、約２：１
の範囲が好ましく、環状領域２１が流入管１３の断面積
の約２倍の値である。さらに、触媒床１９とシェル１１
の間の環状領域２２は環状流動領域２１の約５〜６倍で
ある。
【００１２】３つの垂直ＥＢ脱水素反応器１０、１１
０、２１０のそれぞれは同じに構築され、反応器１０に
関する説明は第２及び第３の反応器にも適用される。
０、２１０のそれぞれは同じに構築され、反応器１０に
関する説明は第２及び第３の反応器にも適用される。
【００１３】反応器１０は流出管２６に通じる流出開口
部２５を有し、流出管は反応器１１０の流入管１１３中
に流れ込んでいる。同様に、反応器１１０は流動管１２
６に通じる流出開口部１２５を有し、その流動管は今度
は第３の反応器２１０の流入口２１３に連結している。
反応器２１０は完成スチレンモノマーを含む生成物流導
管（ａ ｐｒｏｄｕｃｔ ｓｔｒｅａｍ ｆｌｏｗ ｃ
ｏｎｄｕｉｔ）２２６に通じる流出開口部２２５を有す
る。
部２５を有し、流出管は反応器１１０の流入管１１３中
に流れ込んでいる。同様に、反応器１１０は流動管１２
６に通じる流出開口部１２５を有し、その流動管は今度
は第３の反応器２１０の流入口２１３に連結している。
反応器２１０は完成スチレンモノマーを含む生成物流導
管（ａ ｐｒｏｄｕｃｔ ｓｔｒｅａｍ ｆｌｏｗ ｃ
ｏｎｄｕｉｔ）２２６に通じる流出開口部２２５を有す
る。
【００１４】本発明に従うと、反応器１０に置かれる触
媒床１９及び反応器１１０の触媒床１９はＨｏｕｓｔｏ
ｎ，ＴｅｘａｓのＣｒｉｔｅｒｉｏｎ Ｃａｔａｌｙｓ
ｔＩｎｃ．により販売され、０２５ＨＡと命名されてい
るもののような高選択性酸化鉄触媒のものが好ましい。
逆に反応器２１０の触媒床１９はＣｒｉｔｅｒｉｏｎ
Ｃａｔａｌｙｓｔ Ｉｎｃ．により販売され、０２５Ｈ
Ｂと命名されているもののような低選択性の酸化鉄触媒
である。前記の通り、従来の技術は、低選択性触媒が第
１及び／又は第２の反応器で用いられ、次いで高選択性
触媒が残りの下流の反応器に置かれるべきであることを
示している。しかし実際にはこの場合は反対であり、最
適酸化鉄ＥＢ脱水素触媒が用いられる場合、最初の反応
器に低選択性の触媒を置くと活性及び生産性の損失を生
ずる。従って前記のＣｒｉｔｅｒｉｏｎ酸化鉄触媒を含
む高選択性触媒を上流の反応器１０及び１１０に置き、
前記のＣｒｉｔｅｒｉｏｎ低選択性酸化鉄触媒を残りの
下流の反応器２１０に置いた。この非慣例的な触媒配置
の結果として、図のエチルベンゼン脱水素系は、高い選
択性及び高い活性の結果、ならびに生産性の損失のない
長期の活性期間を有して非常に有効に働くことが見いだ
された。かくして低選択性触媒が高選択性触媒に先行し
なければならないという従来の確信と反対に、高選択性
触媒を低選択性触媒の上流又は前に置くことにより、Ｅ
Ｂの脱水素のために高度に最適化された酸化鉄触媒を用
いた複数のラジアル床垂直反応器を用いるためのの系を
開示する。
媒床１９及び反応器１１０の触媒床１９はＨｏｕｓｔｏ
ｎ，ＴｅｘａｓのＣｒｉｔｅｒｉｏｎ Ｃａｔａｌｙｓ
ｔＩｎｃ．により販売され、０２５ＨＡと命名されてい
るもののような高選択性酸化鉄触媒のものが好ましい。
逆に反応器２１０の触媒床１９はＣｒｉｔｅｒｉｏｎ
Ｃａｔａｌｙｓｔ Ｉｎｃ．により販売され、０２５Ｈ
Ｂと命名されているもののような低選択性の酸化鉄触媒
である。前記の通り、従来の技術は、低選択性触媒が第
１及び／又は第２の反応器で用いられ、次いで高選択性
触媒が残りの下流の反応器に置かれるべきであることを
示している。しかし実際にはこの場合は反対であり、最
適酸化鉄ＥＢ脱水素触媒が用いられる場合、最初の反応
器に低選択性の触媒を置くと活性及び生産性の損失を生
ずる。従って前記のＣｒｉｔｅｒｉｏｎ酸化鉄触媒を含
む高選択性触媒を上流の反応器１０及び１１０に置き、
前記のＣｒｉｔｅｒｉｏｎ低選択性酸化鉄触媒を残りの
下流の反応器２１０に置いた。この非慣例的な触媒配置
の結果として、図のエチルベンゼン脱水素系は、高い選
択性及び高い活性の結果、ならびに生産性の損失のない
長期の活性期間を有して非常に有効に働くことが見いだ
された。かくして低選択性触媒が高選択性触媒に先行し
なければならないという従来の確信と反対に、高選択性
触媒を低選択性触媒の上流又は前に置くことにより、Ｅ
Ｂの脱水素のために高度に最適化された酸化鉄触媒を用
いた複数のラジアル床垂直反応器を用いるためのの系を
開示する。
【００１５】従って典型的操作の場合、ＥＢ原料が原料
供給管１３を介し、容器１０の下部流入開口部を通って
上流反応器１０に供給される。そこから、ＥＢ原料は触
媒床１９の半径的に内部に置かれた環状領域に流入す
る。次いでガスは触媒床１９を通って半径方向に外側に
流れ、そこでガスはスチレン及び他の芳香族化合物に脱
水素される。反応器のそれぞれの操作条件は約９００〜
１２２５oＦ及び約８〜２２ＰＩＳＡの圧力の範囲にあ
るのが好ましい。反応器における流速は１秒当たり約１
００〜約４００フィートの範囲であり、反応器を通る好
ましい全体的流速は約２００〜３００ｆｐｓである。
供給管１３を介し、容器１０の下部流入開口部を通って
上流反応器１０に供給される。そこから、ＥＢ原料は触
媒床１９の半径的に内部に置かれた環状領域に流入す
る。次いでガスは触媒床１９を通って半径方向に外側に
流れ、そこでガスはスチレン及び他の芳香族化合物に脱
水素される。反応器のそれぞれの操作条件は約９００〜
１２２５oＦ及び約８〜２２ＰＩＳＡの圧力の範囲にあ
るのが好ましい。反応器における流速は１秒当たり約１
００〜約４００フィートの範囲であり、反応器を通る好
ましい全体的流速は約２００〜３００ｆｐｓである。
【００１６】本発明の一般的原理の理解を与えるために
本発明のある好ましい実施態様を本明細書に記載してき
たが、これらの原理から逸脱することなく、記載の脱水
素反応器系において種々の変更及び改新を行うことがで
きることが理解されるであろう。例えば好ましい実施態
様は特定のＣＲＩＴＥＲＩＯＮ酸化鉄触媒を用いている
が、当該技術分野における熟練者は、他の脱水素触媒を
本明細書に開示されている逆の順序で用い、同様の結果
を得ることができると思われる。他の変更は当該技術分
野における熟練者に明らかであり、従って本発明は例示
の目的で本明細書の開示されている本発明の特定の例
の、本発明の精神及び範囲から逸脱しないすべての変更
及び修正を含むことを宣言する。
本発明のある好ましい実施態様を本明細書に記載してき
たが、これらの原理から逸脱することなく、記載の脱水
素反応器系において種々の変更及び改新を行うことがで
きることが理解されるであろう。例えば好ましい実施態
様は特定のＣＲＩＴＥＲＩＯＮ酸化鉄触媒を用いている
が、当該技術分野における熟練者は、他の脱水素触媒を
本明細書に開示されている逆の順序で用い、同様の結果
を得ることができると思われる。他の変更は当該技術分
野における熟練者に明らかであり、従って本発明は例示
の目的で本明細書の開示されている本発明の特定の例
の、本発明の精神及び範囲から逸脱しないすべての変更
及び修正を含むことを宣言する。
【００１７】独占性又は特権が請求されている本発明の
実施態様を以下の通りに定義する：本発明の主たる特徴
及び態様は以下の通りである。
実施態様を以下の通りに定義する：本発明の主たる特徴
及び態様は以下の通りである。
【００１８】１．直列に配置された複数の脱水素反応器
中の脱水素触媒床上にエチルベンゼンを通過させること
を含み、少なくとも第１の該反応器が高−選択性脱水素
触媒を含み、少なくとも最後の該反応器が低−選択性脱
水素触媒を含むエチルベンゼンをスチレン及び芳香族化
合物に脱水素する方法。
中の脱水素触媒床上にエチルベンゼンを通過させること
を含み、少なくとも第１の該反応器が高−選択性脱水素
触媒を含み、少なくとも最後の該反応器が低−選択性脱
水素触媒を含むエチルベンゼンをスチレン及び芳香族化
合物に脱水素する方法。
【００１９】２．該高選択性触媒が該反応器の最初の２
つに含まれ、第３の反応器が該低選択性触媒を含む上記
１項に記載の方法。
つに含まれ、第３の反応器が該低選択性触媒を含む上記
１項に記載の方法。
【００２０】３．該高選択性触媒が酸化鉄脱水素触媒で
あり、該低選択性触媒がスチレン生産に対して該高選択
性触媒より低い選択性を示す酸化鉄脱水素触媒である上
記１項に記載の方法。
あり、該低選択性触媒がスチレン生産に対して該高選択
性触媒より低い選択性を示す酸化鉄脱水素触媒である上
記１項に記載の方法。
【００２１】４．直列に配置された複数の、垂直ラジア
ル床脱水素反応器中の脱水素触媒床上にガス状エチルベ
ンゼンを通過させることを含み、少なくとも第１の該反
応器が高選択性脱水素触媒を含み、少なくとも最後の該
反応器が低選択性脱水素触媒を含むエチルベンゼンをス
チレン及び芳香族化合物に脱水素する方法。
ル床脱水素反応器中の脱水素触媒床上にガス状エチルベ
ンゼンを通過させることを含み、少なくとも第１の該反
応器が高選択性脱水素触媒を含み、少なくとも最後の該
反応器が低選択性脱水素触媒を含むエチルベンゼンをス
チレン及び芳香族化合物に脱水素する方法。
【００２２】５．該複数の反応器が少なくとも３つの反
応器を含み、該高選択性脱水素触媒が該反応器の少なく
とも最初の２つに含まれ、該低選択性触媒が該反応器の
少なくとも最後に含まれる上記４項に記載の方法。
応器を含み、該高選択性脱水素触媒が該反応器の少なく
とも最初の２つに含まれ、該低選択性触媒が該反応器の
少なくとも最後に含まれる上記４項に記載の方法。
【００２３】６．直列に配置された複数の、垂直ラジア
ル床脱水素反応器中の酸化鉄脱水素触媒床上にガス状エ
チルベンゼンを通過させることを含み、少なくとも第１
の該反応器が高選択性酸化鉄触媒を含み、少なくとも最
後の該反応器が低選択性酸化鉄脱水素触媒を含むエチル
ベンゼンをスチレン、トルエン及びベンゼンに脱水素す
る方法。
ル床脱水素反応器中の酸化鉄脱水素触媒床上にガス状エ
チルベンゼンを通過させることを含み、少なくとも第１
の該反応器が高選択性酸化鉄触媒を含み、少なくとも最
後の該反応器が低選択性酸化鉄脱水素触媒を含むエチル
ベンゼンをスチレン、トルエン及びベンゼンに脱水素す
る方法。
【００２４】７．該複数の反応器が少なくとも３つの直
列に配置された反応器を含む上記６項に記載の方法。
列に配置された反応器を含む上記６項に記載の方法。
【００２５】８．該反応器が約９００oＦ〜１２００oＦ
の温度、約８〜２２ＰＳＩＡの圧力及び１秒当たり約１
００〜４００フィートの流速で操作される上記７項に記
載の方法。
の温度、約８〜２２ＰＳＩＡの圧力及び１秒当たり約１
００〜４００フィートの流速で操作される上記７項に記
載の方法。
【図１】本発明を行うための反応器系を含む複数の垂直
に配置されたラジアル床反応器の略断面図である。
に配置されたラジアル床反応器の略断面図である。
Claims (3)
- 【請求項１】 直列に配置された複数の脱水素反応器中
の脱水素触媒床上にエチルベンゼンを通過させることを
含み、少なくとも第１の該反応器が高−選択性脱水素触
媒を含み、少なくとも最後の該反応器が低−選択性脱水
素触媒を含むエチルベンゼンをスチレン及び芳香族化合
物に脱水素する方法。 - 【請求項２】 直列に配置された複数の、垂直ラジアル
床脱水素反応器中の脱水素触媒床上にガス状エチルベン
ゼンを通過させることを含み、少なくとも第１の該反応
器が高選択性脱水素触媒を含み、少なくとも最後の該反
応器が低選択性脱水素触媒を含むエチルベンゼンをスチ
レン及び芳香族化合物に脱水素する方法。 - 【請求項３】 直列に配置された複数の、垂直ラジアル
床脱水素反応器中の酸化鉄脱水素触媒床上にガス状エチ
ルベンゼンを通過させることを含み、少なくとも第１の
該反応器が高選択性酸化鉄触媒を含み、少なくとも最後
の該反応器が低選択性酸化鉄脱水素触媒を含むエチルベ
ンゼンをスチレン、トルエン及びベンゼンに脱水素する
方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US47259095A | 1995-06-07 | 1995-06-07 | |
| US472590 | 1995-06-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09100246A true JPH09100246A (ja) | 1997-04-15 |
Family
ID=23876140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8168276A Pending JPH09100246A (ja) | 1995-06-07 | 1996-06-07 | エチルベンゼンのスチレンへの脱水素の方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0752402A1 (ja) |
| JP (1) | JPH09100246A (ja) |
| KR (1) | KR970001288A (ja) |
| CN (1) | CN1064340C (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100368364C (zh) * | 2004-10-29 | 2008-02-13 | 中国石油化工股份有限公司 | 用于生产苯乙烯的多段式绝热负压脱氢方法 |
| KR100653563B1 (ko) * | 2004-12-29 | 2006-12-04 | 삼성토탈 주식회사 | 스티렌을 제조하는 방법 |
| US20110004037A1 (en) * | 2009-07-02 | 2011-01-06 | Uop Llc | Use of Mixed Activity Dehydrogenation Catalyst Following Oxidative Reheat |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| FR2596047B1 (fr) * | 1986-03-21 | 1988-05-13 | Charbonnages Ste Chimique | Procede de production de styrene |
| US5053572A (en) * | 1989-05-11 | 1991-10-01 | Amoco Corporation | Multistage ethylbenzene dehydrogenation process with split-flow hydrocarbon feed |
-
1996
- 1996-06-06 EP EP96109098A patent/EP0752402A1/en not_active Withdrawn
- 1996-06-07 JP JP8168276A patent/JPH09100246A/ja active Pending
- 1996-06-07 CN CN96110391A patent/CN1064340C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1996-06-07 KR KR1019960020925A patent/KR970001288A/ko not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0752402A1 (en) | 1997-01-08 |
| KR970001288A (ko) | 1997-01-24 |
| CN1153159A (zh) | 1997-07-02 |
| CN1064340C (zh) | 2001-04-11 |
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