JPH09102444A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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- JPH09102444A JPH09102444A JP7260369A JP26036995A JPH09102444A JP H09102444 A JPH09102444 A JP H09102444A JP 7260369 A JP7260369 A JP 7260369A JP 26036995 A JP26036995 A JP 26036995A JP H09102444 A JPH09102444 A JP H09102444A
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Links
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Landscapes
- Elimination Of Static Electricity (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 静電気による基板へのパーティクルの付着を
防止することができ、かつ静電気により基板に付着した
パーティクルを除去することができる基板処理装置を提
供することである。 【解決手段】 基板１００に洗浄処理、塗布処理、現像
処理等の処理を行う基板処理装置において、基板待機部
となる基板搬入搬出装置５０、基板搬送装置４０、ある
いは回転式洗浄部１０、回転式塗布部２０、回転式現像
部３０等の処理部の上部に、イオンを発生するイオナイ
ザ６０を配設し、静電気を電気的に中和する。
防止することができ、かつ静電気により基板に付着した
パーティクルを除去することができる基板処理装置を提
供することである。 【解決手段】 基板１００に洗浄処理、塗布処理、現像
処理等の処理を行う基板処理装置において、基板待機部
となる基板搬入搬出装置５０、基板搬送装置４０、ある
いは回転式洗浄部１０、回転式塗布部２０、回転式現像
部３０等の処理部の上部に、イオンを発生するイオナイ
ザ６０を配設し、静電気を電気的に中和する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板に所定の処理
を行う基板処理装置に関する。
を行う基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造においては、半導
体ウエハ等の基板に処理液の塗布処理、現像処理、成膜
処理等の一連の処理が行われる。このような一連の処理
の過程において、処理前または処理済の基板は基板カセ
ットに一時的に収納される。また、一連の処理の過程
で、超純水およびブラシを用いた洗浄処理が行われ、基
板の表面が清浄に保たれる。
体ウエハ等の基板に処理液の塗布処理、現像処理、成膜
処理等の一連の処理が行われる。このような一連の処理
の過程において、処理前または処理済の基板は基板カセ
ットに一時的に収納される。また、一連の処理の過程
で、超純水およびブラシを用いた洗浄処理が行われ、基
板の表面が清浄に保たれる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、基板を
一時的に収納する基板カセットが導電性材料で形成され
ていない場合には、基板カセットに静電気が発生し、そ
の静電気が周囲の塵、埃等のパーティクル（微粒子）を
引き寄せることがある。その結果、基板を洗浄処理によ
り清浄な状態にしても、基板を基板カセットに収納した
段階で基板にパーティクルが再付着することになる。
一時的に収納する基板カセットが導電性材料で形成され
ていない場合には、基板カセットに静電気が発生し、そ
の静電気が周囲の塵、埃等のパーティクル（微粒子）を
引き寄せることがある。その結果、基板を洗浄処理によ
り清浄な状態にしても、基板を基板カセットに収納した
段階で基板にパーティクルが再付着することになる。
【０００４】また、基板の表面に酸化膜、窒化膜等の膜
が形成された後、その基板を基板カセットに収納した場
合には、基板カセットに発生した静電気の影響で基板の
膜表面自体が帯電することがあり、洗浄処理中や、さら
には基板の回転だけでも基板の膜表面自体が帯電するこ
とがある。それにより、基板の膜表面にパーティクルが
再付着することになる。
が形成された後、その基板を基板カセットに収納した場
合には、基板カセットに発生した静電気の影響で基板の
膜表面自体が帯電することがあり、洗浄処理中や、さら
には基板の回転だけでも基板の膜表面自体が帯電するこ
とがある。それにより、基板の膜表面にパーティクルが
再付着することになる。
【０００５】本発明の目的は、静電気による基板へのパ
ーティクルの付着を防止することができ、かつ静電気に
より基板に付着したパーティクルを除去することができ
る基板処理装置を提供することである。
ーティクルの付着を防止することができ、かつ静電気に
より基板に付着したパーティクルを除去することができ
る基板処理装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段および発明の効果】第１の
発明に係る基板処理装置は、処理前または処理後の基板
を待機させる基板待機部の上部に、基板待機部にイオン
を供給するイオン供給手段を配設したものである。
発明に係る基板処理装置は、処理前または処理後の基板
を待機させる基板待機部の上部に、基板待機部にイオン
を供給するイオン供給手段を配設したものである。
【０００７】第２の発明に係る基板処理装置は、基板を
搬送する基板搬送部の上部に、前記基板搬送部にイオン
を供給するイオン供給手段を配設したものである。第３
の発明に係る基板処理装置は、基板に所定の処理を行う
基板処理部の上部に、基板処理部にイオンを供給するイ
オン供給手段を配設したものである。
搬送する基板搬送部の上部に、前記基板搬送部にイオン
を供給するイオン供給手段を配設したものである。第３
の発明に係る基板処理装置は、基板に所定の処理を行う
基板処理部の上部に、基板処理部にイオンを供給するイ
オン供給手段を配設したものである。
【０００８】第４の発明に係る基板処理装置は、第３の
発明に係る基板処理装置の構成において、基板処理部
が、基板を回転させて基板に所定の処理を行う回転式基
板処理部からなるものである。
発明に係る基板処理装置の構成において、基板処理部
が、基板を回転させて基板に所定の処理を行う回転式基
板処理部からなるものである。
【０００９】第１〜第４の発明に係る基板処理装置にお
いては、基板待機部、基板搬送部または基板処理部に発
生した静電気が、イオン供給手段により供給されるイオ
ンにより中和されて除去される。それにより、静電気に
よりパーティクルが引き寄せられて基板に付着すること
が防止される。また、静電気の影響により基板自体が帯
電して基板にパーティクルが付着することが防止され
る。さらに、静電気の影響より基板に付着したパーティ
クルが除去される。
いては、基板待機部、基板搬送部または基板処理部に発
生した静電気が、イオン供給手段により供給されるイオ
ンにより中和されて除去される。それにより、静電気に
よりパーティクルが引き寄せられて基板に付着すること
が防止される。また、静電気の影響により基板自体が帯
電して基板にパーティクルが付着することが防止され
る。さらに、静電気の影響より基板に付着したパーティ
クルが除去される。
【００１０】また、特定のパーティクルが強い極性を有
する場合に、イオン供給手段により供給されるイオンに
より基板待機部、基板搬送部または基板処理部、あるい
は基板をパーティクルと逆の極性に帯電させることがで
きる。それにより、特定のパーティクルが基板に付着す
ることを防止することができるとともに、基板に付着し
た特定のパーティクルを除去することができる。
する場合に、イオン供給手段により供給されるイオンに
より基板待機部、基板搬送部または基板処理部、あるい
は基板をパーティクルと逆の極性に帯電させることがで
きる。それにより、特定のパーティクルが基板に付着す
ることを防止することができるとともに、基板に付着し
た特定のパーティクルを除去することができる。
【００１１】特に、第１の発明に係る基板処理装置にお
いては、イオン供給手段が基板待機部の上部に設けられ
ているので、待機中の基板にパーティクルが付着するこ
とが防止されるとともに、基板に付着したパーティクル
が基板の待機中に除去される。
いては、イオン供給手段が基板待機部の上部に設けられ
ているので、待機中の基板にパーティクルが付着するこ
とが防止されるとともに、基板に付着したパーティクル
が基板の待機中に除去される。
【００１２】また、第２の発明に係る基板処理装置にお
いては、イオン供給手段が基板搬送部の上部に設けられ
ているので、基板の搬送の際に基板にパーティクルが付
着することが防止されるとともに、基板に付着したパー
ティクルが基板の搬送時に除去される。
いては、イオン供給手段が基板搬送部の上部に設けられ
ているので、基板の搬送の際に基板にパーティクルが付
着することが防止されるとともに、基板に付着したパー
ティクルが基板の搬送時に除去される。
【００１３】さらに、第３の発明に係る基板処理装置に
おいては、イオン供給手段が基板処理部の上部に設けら
れているので、基板の処理の際に基板にパーティクルが
付着することが防止されるとともに、基板に付着したパ
ーティクルが基板の処理時に除去される。
おいては、イオン供給手段が基板処理部の上部に設けら
れているので、基板の処理の際に基板にパーティクルが
付着することが防止されるとともに、基板に付着したパ
ーティクルが基板の処理時に除去される。
【００１４】特に、第４の発明に係る基板処理装置にお
いては、イオン供給手段が回転式基板処理部の上部に設
けられているので、回転する基板が空気を切ることによ
り静電気が発生して基板にパーティクルが付着すること
が防止されるとともに、基板に付着したパーティクルが
基板の回転処理時に除去される。
いては、イオン供給手段が回転式基板処理部の上部に設
けられているので、回転する基板が空気を切ることによ
り静電気が発生して基板にパーティクルが付着すること
が防止されるとともに、基板に付着したパーティクルが
基板の回転処理時に除去される。
【００１５】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施例における
基板処理装置の概略斜視図である。図１の基板処理装置
は、基板１００に洗浄処理、塗布処理、現像処理、密着
強化処理、加熱処理、冷却処理等の一連の処理を行うた
めの装置であり、正面側に第１の基板処理領域１００を
有し、後方側に第２の基板処理領域２００を有し、第１
の基板処理領域１００と第２の基板処理領域２００との
間に搬送領域３００を有する。
基板処理装置の概略斜視図である。図１の基板処理装置
は、基板１００に洗浄処理、塗布処理、現像処理、密着
強化処理、加熱処理、冷却処理等の一連の処理を行うた
めの装置であり、正面側に第１の基板処理領域１００を
有し、後方側に第２の基板処理領域２００を有し、第１
の基板処理領域１００と第２の基板処理領域２００との
間に搬送領域３００を有する。
【００１６】第１の基板処理領域１００には、基板の洗
浄処理を行う回転式洗浄部（スピンスクラバー）１０、
処理液の塗布処理を行う回転式塗布部（スピンコータ）
２０および現像処理を行う回転式現像部（スピンデベロ
ッパー）３０が配列されている。また、第２の基板処理
領域２００には、密着強化処理を行う密着強化部ＡＨ、
加熱処理を行う基板加熱部（ホットプレート）ＨＰおよ
び冷却処理を行う基板冷却部（クーリングプレート）Ｃ
Ｐが配置されている。搬送領域３００には、基板搬送装
置４０が移動自在に設けられている。
浄処理を行う回転式洗浄部（スピンスクラバー）１０、
処理液の塗布処理を行う回転式塗布部（スピンコータ）
２０および現像処理を行う回転式現像部（スピンデベロ
ッパー）３０が配列されている。また、第２の基板処理
領域２００には、密着強化処理を行う密着強化部ＡＨ、
加熱処理を行う基板加熱部（ホットプレート）ＨＰおよ
び冷却処理を行う基板冷却部（クーリングプレート）Ｃ
Ｐが配置されている。搬送領域３００には、基板搬送装
置４０が移動自在に設けられている。
【００１７】さらに、この基板処理装置の側部側には、
基板１００を収納するとともに基板１００の搬入および
搬出を行う基板搬入搬出装置（インデクサ）５０が配置
されている。基板搬入搬出装置５０は、基板１００を収
納する複数の基板カセット５１および基板１００の搬入
および搬出を行う移載ロボット５４を備える。移載ロボ
ット５４は、基板カセット５１から基板１００を取り出
して基板搬送装置４０に送り出し、逆に一連の処理が施
された基板１００を基板搬送装置４０から受け取って基
板カセット５１に戻す。
基板１００を収納するとともに基板１００の搬入および
搬出を行う基板搬入搬出装置（インデクサ）５０が配置
されている。基板搬入搬出装置５０は、基板１００を収
納する複数の基板カセット５１および基板１００の搬入
および搬出を行う移載ロボット５４を備える。移載ロボ
ット５４は、基板カセット５１から基板１００を取り出
して基板搬送装置４０に送り出し、逆に一連の処理が施
された基板１００を基板搬送装置４０から受け取って基
板カセット５１に戻す。
【００１８】また、基板搬入搬出装置５０の上部に、正
または負のイオンを発生するイオナイザ６０が支持部材
６１，６２により配設されている。本実施例では、基板
搬入搬出装置５０が、処理前または処理後の基板１００
を待機させる基板待機部に相当する。また、基板搬送装
置４０が基板搬送部に相当し、回転式洗浄部１０、回転
式塗布部２０および回転式現像部３０が基板処理部に相
当する。さらに、イオナイザ６０がイオン供給手段に相
当する。
または負のイオンを発生するイオナイザ６０が支持部材
６１，６２により配設されている。本実施例では、基板
搬入搬出装置５０が、処理前または処理後の基板１００
を待機させる基板待機部に相当する。また、基板搬送装
置４０が基板搬送部に相当し、回転式洗浄部１０、回転
式塗布部２０および回転式現像部３０が基板処理部に相
当する。さらに、イオナイザ６０がイオン供給手段に相
当する。
【００１９】図２は図１の基板処理装置の概略平面図で
ある。なお、図２には、イオナイザ６０は図示していな
い。また、図２は基板搬入搬出装置５０に基板カセット
５１が載置されていない状態を示す。
ある。なお、図２には、イオナイザ６０は図示していな
い。また、図２は基板搬入搬出装置５０に基板カセット
５１が載置されていない状態を示す。
【００２０】図２に示すように、回転式洗浄部１０は回
転基板保持装置１１およびブラシ１２を有する。この回
転式洗浄部１０は、回転基板保持装置１１により基板を
高速回転させ、回転する基板表面に超純水を噴射しつつ
ブラシ１２で基板表面を洗浄する。この回転式洗浄部１
０においては、基板、超純水およびブラシ１２が絶縁体
であるため、静電気が発生しやすい。これにより、０．
１μｍ以下のパーティクルが洗浄された基板に再付着す
る。
転基板保持装置１１およびブラシ１２を有する。この回
転式洗浄部１０は、回転基板保持装置１１により基板を
高速回転させ、回転する基板表面に超純水を噴射しつつ
ブラシ１２で基板表面を洗浄する。この回転式洗浄部１
０においては、基板、超純水およびブラシ１２が絶縁体
であるため、静電気が発生しやすい。これにより、０．
１μｍ以下のパーティクルが洗浄された基板に再付着す
る。
【００２１】また、回転式塗布部２０は、回転基板保持
装置２１および処理液ノズルアーム２２を有する。この
回転式塗布部２０は、回転基板保持装置２１により基板
を所定の回転数で回転させ、回転する基板表面に処理液
ノズルアーム２２によりレジスト等の処理液を滴下して
基板表面に塗り広げる。さらに、回転式現像部３０は、
回転基板保持装置３１および現像液ノズルアーム３２を
有する。この回転式現像部３０は、回転基板保持装置３
１により基板を回転させ、回転する基板表面に現像液を
現像液ノズルアーム３２により供給する。これらの回転
式塗布部２０および回転式現像部３０においては、高速
で回転する基板が空気を切ることにより静電気が発生し
やすい。これにより、処理された基板にパーティクルが
付着する。
装置２１および処理液ノズルアーム２２を有する。この
回転式塗布部２０は、回転基板保持装置２１により基板
を所定の回転数で回転させ、回転する基板表面に処理液
ノズルアーム２２によりレジスト等の処理液を滴下して
基板表面に塗り広げる。さらに、回転式現像部３０は、
回転基板保持装置３１および現像液ノズルアーム３２を
有する。この回転式現像部３０は、回転基板保持装置３
１により基板を回転させ、回転する基板表面に現像液を
現像液ノズルアーム３２により供給する。これらの回転
式塗布部２０および回転式現像部３０においては、高速
で回転する基板が空気を切ることにより静電気が発生し
やすい。これにより、処理された基板にパーティクルが
付着する。
【００２２】基板搬送装置４０は、基板を支持するアー
ム４１およびアーム４１を移動させる移動体４２を有す
る。アーム４１は、アーム駆動機構（図示せず）により
第１の基板処理領域１００および第２の基板処理領域２
００の側に進退移動可能となっており、各処理部に未処
理の基板を渡すとともに、各処理部内で処理済みの基板
を受け取る。
ム４１およびアーム４１を移動させる移動体４２を有す
る。アーム４１は、アーム駆動機構（図示せず）により
第１の基板処理領域１００および第２の基板処理領域２
００の側に進退移動可能となっており、各処理部に未処
理の基板を渡すとともに、各処理部内で処理済みの基板
を受け取る。
【００２３】基板搬入搬出装置５０は、複数のカセット
ステージ５２を有し、各カセットステージ５２上に図１
に示した基板カセット５１が載置される。各カセットス
テージ５２の周囲には、基板カセット５１の有無を検出
するカセット検出アーム５３が取り付けられている。
ステージ５２を有し、各カセットステージ５２上に図１
に示した基板カセット５１が載置される。各カセットス
テージ５２の周囲には、基板カセット５１の有無を検出
するカセット検出アーム５３が取り付けられている。
【００２４】図３は基板搬入搬出装置５０の１つのカセ
ットステージに載置された基板カセット５１を示す平面
図である。図３に示すように、基板カセット５１は、絶
縁材料により形成されるガイド部材５５に保持されてい
る。
ットステージに載置された基板カセット５１を示す平面
図である。図３に示すように、基板カセット５１は、絶
縁材料により形成されるガイド部材５５に保持されてい
る。
【００２５】この基板搬入搬出装置５０において、カセ
ットステージ５２（図２）の表面はアルマイト処理され
ているため絶縁体となる。その上、ガイド部材５５が絶
縁材料で形成されているため、基板カセット５１が電気
的にフローティング（浮遊）状態となる。したがって、
基板カセット５１に静電気が発生しやすい。この場合、
ガイド部材５５等に接地機能を付与することにより静電
気を除去することも可能であるが、接地部分を除く他の
部分では静電気が十分に除去されず、全体として静電気
の除去効果は小さい。
ットステージ５２（図２）の表面はアルマイト処理され
ているため絶縁体となる。その上、ガイド部材５５が絶
縁材料で形成されているため、基板カセット５１が電気
的にフローティング（浮遊）状態となる。したがって、
基板カセット５１に静電気が発生しやすい。この場合、
ガイド部材５５等に接地機能を付与することにより静電
気を除去することも可能であるが、接地部分を除く他の
部分では静電気が十分に除去されず、全体として静電気
の除去効果は小さい。
【００２６】本実施例では、イオナイザ６０により発生
されたイオンが、基板搬入搬出装置５０に供給される。
特に、基板処理装置がダウンフロー方式のクリーンルー
ム内に配置されている場合には、イオナイザ６０から発
生されたイオンが上方から下方へ向かう気流により基板
搬入搬出装置５０に効率的に供給される。
されたイオンが、基板搬入搬出装置５０に供給される。
特に、基板処理装置がダウンフロー方式のクリーンルー
ム内に配置されている場合には、イオナイザ６０から発
生されたイオンが上方から下方へ向かう気流により基板
搬入搬出装置５０に効率的に供給される。
【００２７】それにより、基板カセット５１全体の静電
気がイオンにより電気的に中和されて除去される。ま
た、基板カセット５１内の基板１００に形成された膜表
面が帯電した場合でも、イオナイザ６０から供給される
イオンにより膜表面の静電気が電気的に中和される。そ
の結果、静電気により基板１００の表面にパーティクル
が付着することが防止されるとともに、回転式洗浄部１
０、回転式塗布部２０、回転式現像部３０および基板搬
送装置４０において基板１００に付着したパーティクル
が除去される。
気がイオンにより電気的に中和されて除去される。ま
た、基板カセット５１内の基板１００に形成された膜表
面が帯電した場合でも、イオナイザ６０から供給される
イオンにより膜表面の静電気が電気的に中和される。そ
の結果、静電気により基板１００の表面にパーティクル
が付着することが防止されるとともに、回転式洗浄部１
０、回転式塗布部２０、回転式現像部３０および基板搬
送装置４０において基板１００に付着したパーティクル
が除去される。
【００２８】なお、特定のパーティクルが強い極性を有
する場合には、イオナイザ６０により一時的に基板カセ
ット５１の全体をそのパーティクルが反発する極性に帯
電させることもできる。それにより、特定のパーティク
ルが基板１００に付着することを防止することができ、
かつ基板１００に付着した特定のパーティクルを除去す
ることができる。同様にして、基板１００の表面に形成
された膜に極性を付与することにより、膜表面に特定の
パーティクルが付着することを防止することができ、か
つ膜表面に付着した特定のパーティクルを除去すること
ができる。
する場合には、イオナイザ６０により一時的に基板カセ
ット５１の全体をそのパーティクルが反発する極性に帯
電させることもできる。それにより、特定のパーティク
ルが基板１００に付着することを防止することができ、
かつ基板１００に付着した特定のパーティクルを除去す
ることができる。同様にして、基板１００の表面に形成
された膜に極性を付与することにより、膜表面に特定の
パーティクルが付着することを防止することができ、か
つ膜表面に付着した特定のパーティクルを除去すること
ができる。
【００２９】上記実施例では、イオナイザ６０を基板搬
入搬出装置５０の上部に設けているが、イオナイザ６０
を基板搬送装置４０の上部に配置してもよい。この場合
には、基板１００の搬送時に発生する静電気が電気的に
中和され、静電気による基板１００へのパーティクルの
付着が防止されるとともに、基板１００に付着したパー
ティクルが除去される。
入搬出装置５０の上部に設けているが、イオナイザ６０
を基板搬送装置４０の上部に配置してもよい。この場合
には、基板１００の搬送時に発生する静電気が電気的に
中和され、静電気による基板１００へのパーティクルの
付着が防止されるとともに、基板１００に付着したパー
ティクルが除去される。
【００３０】また、回転式洗浄部１０の上部にイオナイ
ザ６０を設けてもよい。それにより、基板１００の洗浄
時に発生する静電気が電気的に中和され、静電気による
基板１００へのパーティクルの再付着が防止されるとと
もに、基板１００に付着したパーティクルが完全に除去
される。その結果、基板１００の表面を清浄にすること
ができる。
ザ６０を設けてもよい。それにより、基板１００の洗浄
時に発生する静電気が電気的に中和され、静電気による
基板１００へのパーティクルの再付着が防止されるとと
もに、基板１００に付着したパーティクルが完全に除去
される。その結果、基板１００の表面を清浄にすること
ができる。
【００３１】さらに、回転式塗布部２０または回転式現
像部３０の上部にイオナイザ６０を設けてもよい。それ
により、基板１００の高速回転により発生する静電気が
電気的に中和され、静電気による基板１００へのパーテ
ィクルの付着が防止されるとともに、基板１００に付着
したパーティクルが除去される。
像部３０の上部にイオナイザ６０を設けてもよい。それ
により、基板１００の高速回転により発生する静電気が
電気的に中和され、静電気による基板１００へのパーテ
ィクルの付着が防止されるとともに、基板１００に付着
したパーティクルが除去される。
【００３２】なお、イオナイザ６０を回転式エッジ露光
装置等の他の処理部の上部に設けてもよい。
装置等の他の処理部の上部に設けてもよい。
【図１】本発明の一実施例における基板処理装置の概略
斜視図である。
斜視図である。
【図２】図１の基板処理装置の概略平面図である。
【図３】図１の基板処理装置における基板搬入搬出装置
の１つのカセットステージに載置される基板カセットを
示す平面図である。
の１つのカセットステージに載置される基板カセットを
示す平面図である。
１０ 回転式洗浄部 ２０ 回転式塗布部 ３０ 回転式現像部 ４０ 基板搬送装置 ５０ 基板搬入搬出装置 ５１ 基板カセット ５４ 移載ロボット ６０ イオナイザ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｆ 3/04 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０３Ｇ
Claims (4)
- 【請求項１】 処理前または処理後の基板を待機させる
基板待機部の上部に、前記基板待機部にイオンを供給す
るイオン供給手段を配設したことを特徴とする基板処理
装置。 - 【請求項２】 基板を搬送する基板搬送部の上部に、前
記基板搬送部にイオンを供給するイオン供給手段を配設
したことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項３】 基板に所定の処理を行う基板処理部の上
部に、前記基板処理部にイオンを供給するイオン供給手
段を配設したことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項４】 前記基板処理部は、基板を回転させて前
記基板に所定の処理を行う回転式基板処理部からなるこ
とを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7260369A JPH09102444A (ja) | 1995-10-06 | 1995-10-06 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7260369A JPH09102444A (ja) | 1995-10-06 | 1995-10-06 | 基板処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09102444A true JPH09102444A (ja) | 1997-04-15 |
Family
ID=17346979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7260369A Pending JPH09102444A (ja) | 1995-10-06 | 1995-10-06 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09102444A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000340925A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-08 | Micro Craft Kk | プリント配線基板検査装置 |
| JP2005116823A (ja) * | 2003-10-08 | 2005-04-28 | Tokyo Electron Ltd | パーティクル付着防止装置及び方法、大気搬送装置、真空搬送装置、並びに半導体製造装置 |
| US7172981B2 (en) | 2000-10-12 | 2007-02-06 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor integrated circuit device manufacturing method including static charge elimination |
| WO2013084646A1 (ja) * | 2011-12-05 | 2013-06-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 除電用治具及びそれを用いた基板処理装置並びに基板処理装置の除電方法 |
-
1995
- 1995-10-06 JP JP7260369A patent/JPH09102444A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000340925A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-08 | Micro Craft Kk | プリント配線基板検査装置 |
| US7172981B2 (en) | 2000-10-12 | 2007-02-06 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor integrated circuit device manufacturing method including static charge elimination |
| US7390758B2 (en) | 2000-10-12 | 2008-06-24 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device with elimination of static charge |
| US8119547B2 (en) | 2000-10-12 | 2012-02-21 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device including elimination of static charge of a treated wafer |
| JP2005116823A (ja) * | 2003-10-08 | 2005-04-28 | Tokyo Electron Ltd | パーティクル付着防止装置及び方法、大気搬送装置、真空搬送装置、並びに半導体製造装置 |
| WO2013084646A1 (ja) * | 2011-12-05 | 2013-06-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 除電用治具及びそれを用いた基板処理装置並びに基板処理装置の除電方法 |
| JP2013140775A (ja) * | 2011-12-05 | 2013-07-18 | Tokyo Electron Ltd | 除電用治具及びそれを用いた基板処理装置並びに基板処理装置の除電方法 |
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