JPH09102501A - マルチエミッタ型ヘテロバイポーラトランジスタ - Google Patents
マルチエミッタ型ヘテロバイポーラトランジスタInfo
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- JPH09102501A JPH09102501A JP7258933A JP25893395A JPH09102501A JP H09102501 A JPH09102501 A JP H09102501A JP 7258933 A JP7258933 A JP 7258933A JP 25893395 A JP25893395 A JP 25893395A JP H09102501 A JPH09102501 A JP H09102501A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低電圧動作が可能なマルチエミッタ型ヘテロ
バイポーラトランジスタを提供する。 【解決手段】 第１導電型の化合物半導体からなるコレ
クタ層と、前記コレクタ層の表面上に形成され、前記第
１導電型と反対の第２導電型の化合物半導体からなるベ
ース層と、前記ベース層の表面上の一部の領域に形成さ
れた第１導電型のＩｎＧａＰからなる第１エミッタ層
と、前記ベース層の表面上の前記第１エミッタ層とは異
なる一部の領域に形成された第１導電型のＩｎＧａＰか
らなる第２エミッタ層とを有する。
バイポーラトランジスタを提供する。 【解決手段】 第１導電型の化合物半導体からなるコレ
クタ層と、前記コレクタ層の表面上に形成され、前記第
１導電型と反対の第２導電型の化合物半導体からなるベ
ース層と、前記ベース層の表面上の一部の領域に形成さ
れた第１導電型のＩｎＧａＰからなる第１エミッタ層
と、前記ベース層の表面上の前記第１エミッタ層とは異
なる一部の領域に形成された第１導電型のＩｎＧａＰか
らなる第２エミッタ層とを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも２つ以
上のエミッタを有するマルチエミッタ型ヘテロバイポー
ラトランジスタに関する。
上のエミッタを有するマルチエミッタ型ヘテロバイポー
ラトランジスタに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の高集積化、高速化への
要求がますます強まってきており、シリコンのＭＯＳＦ
ＥＴやバイポーラトランジスタよりも高速動作可能な半
導体素子が期待されている。
要求がますます強まってきており、シリコンのＭＯＳＦ
ＥＴやバイポーラトランジスタよりも高速動作可能な半
導体素子が期待されている。
【０００３】複数のエミッタを持つマルチエミッタ型ヘ
テロバイポーラトランジスタにおいて、エミッタのｎ型
不純物濃度を電子の有効状態密度（約５×１０17ｃ
ｍ-3）よりも十分高い２×１０18ｃｍ-3とし、ベースの
ｐ型不純物濃度を正孔の有効状態密度（約１×１０19ｃ
ｍ-3）よりも十分高い５×１０19ｃｍ-3とすると、ベー
ス抵抗を低減できるため、室温で高速動作が可能にな
る。
テロバイポーラトランジスタにおいて、エミッタのｎ型
不純物濃度を電子の有効状態密度（約５×１０17ｃ
ｍ-3）よりも十分高い２×１０18ｃｍ-3とし、ベースの
ｐ型不純物濃度を正孔の有効状態密度（約１×１０19ｃ
ｍ-3）よりも十分高い５×１０19ｃｍ-3とすると、ベー
ス抵抗を低減できるため、室温で高速動作が可能にな
る。
【０００４】図４（Ａ）は、従来のマルチエミッタ型ヘ
テロバイポーラトランジスタ（ＭＥ−ＨＢＴ）の断面図
を示す。半絶縁性ＧａＡｓ基板５０の上に、分子線エピ
タキシ（ＭＢＥ）または有機金属化学気相成長（ＭＯＣ
ＶＤ）等により、ｎ+ 型ＧａＡｓコンタクト層５１、ｎ
型ＧａＡｓコレクタ層５２、ｐ+ 型ＧａＡｓベース層５
３が積層されている。ベース層５３の上に、２つのｎ型
ＡｌＧａＡｓエミッタ層５４Ａ及び５４Ｂが形成されて
いる。エミッタ層５４Ａ及び５４Ｂの上にそれぞれｎ+
型ＧａＡｓエミッタコンタクト層５５Ａ及び５５Ｂが形
成されている。ＡｌＧａＡｓエミッタ層５４Ａ及び５４
ＢのＡｌの組成比は、所望のエネルギギャップを得るた
めに０．３とされている。
テロバイポーラトランジスタ（ＭＥ−ＨＢＴ）の断面図
を示す。半絶縁性ＧａＡｓ基板５０の上に、分子線エピ
タキシ（ＭＢＥ）または有機金属化学気相成長（ＭＯＣ
ＶＤ）等により、ｎ+ 型ＧａＡｓコンタクト層５１、ｎ
型ＧａＡｓコレクタ層５２、ｐ+ 型ＧａＡｓベース層５
３が積層されている。ベース層５３の上に、２つのｎ型
ＡｌＧａＡｓエミッタ層５４Ａ及び５４Ｂが形成されて
いる。エミッタ層５４Ａ及び５４Ｂの上にそれぞれｎ+
型ＧａＡｓエミッタコンタクト層５５Ａ及び５５Ｂが形
成されている。ＡｌＧａＡｓエミッタ層５４Ａ及び５４
ＢのＡｌの組成比は、所望のエネルギギャップを得るた
めに０．３とされている。
【０００５】コンタクト層５１にＡｕＧｅ／Ａｕコレク
タ電極５６がオーミック接触し、エミッタコンタクト層
５５Ａ及び５５ＢにそれぞれＡｕＧｅ／Ａｕエミッタ電
極５７Ａ及び５７Ｂがオーミック接触している。ベース
層５３には、直接電極が接続されていない。ベース層５
３に電極を接続しないため、製造プロセスが簡便であ
り、集積化にも適している。
タ電極５６がオーミック接触し、エミッタコンタクト層
５５Ａ及び５５ＢにそれぞれＡｕＧｅ／Ａｕエミッタ電
極５７Ａ及び５７Ｂがオーミック接触している。ベース
層５３には、直接電極が接続されていない。ベース層５
３に電極を接続しないため、製造プロセスが簡便であ
り、集積化にも適している。
【０００６】図４（Ｂ）は、図４（Ａ）に示すＭＥ−Ｈ
ＢＴのエネルギバンド図を示す。図の左から順にエミッ
タ層５４Ａと５４Ｂ、ベース層５３、及びコレクタ層５
２を表す。エミッタ領域においては、２つのエミッタ層
５４Ａと５４Ｂに対応するエネルギ準位をそれぞれ実線
と破線で示す。エミッタ層５４Ａはベース層５３に対し
て順方向にバイアスされ、エミッタ層５４Ｂは逆方向に
バイアスされている。
ＢＴのエネルギバンド図を示す。図の左から順にエミッ
タ層５４Ａと５４Ｂ、ベース層５３、及びコレクタ層５
２を表す。エミッタ領域においては、２つのエミッタ層
５４Ａと５４Ｂに対応するエネルギ準位をそれぞれ実線
と破線で示す。エミッタ層５４Ａはベース層５３に対し
て順方向にバイアスされ、エミッタ層５４Ｂは逆方向に
バイアスされている。
【０００７】エミッタ層５４Ａからベース層５３中に電
子が注入される。ベース層５３中に注入された電子の一
部は正孔と再結合する。通常のＨＢＴの場合には、再結
合によって減少した正孔はベース電極からの注入により
補償される。逆バイアスされたエミッタとベースとのｐ
ｎ接合領域を、電子がトンネル現象によってベースから
エミッタに流れることにより、ベース中に正孔が発生す
る。この正孔が順バイアスされたエミッタとベースとの
ｐｎ接合近傍まで拡散することにより、再結合によって
減少した正孔が補償される。
子が注入される。ベース層５３中に注入された電子の一
部は正孔と再結合する。通常のＨＢＴの場合には、再結
合によって減少した正孔はベース電極からの注入により
補償される。逆バイアスされたエミッタとベースとのｐ
ｎ接合領域を、電子がトンネル現象によってベースから
エミッタに流れることにより、ベース中に正孔が発生す
る。この正孔が順バイアスされたエミッタとベースとの
ｐｎ接合近傍まで拡散することにより、再結合によって
減少した正孔が補償される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図４（Ａ）に示すＭＥ
−ＨＢＴの低電圧、高速動作を可能にするためには、ベ
ース層５３からエミッタ層５４Ｂへの電子のツェナート
ンネル現象が容易に起こることが好ましい。ツェナート
ンネル現象によるトンネル電流密度Ｊｔは、
−ＨＢＴの低電圧、高速動作を可能にするためには、ベ
ース層５３からエミッタ層５４Ｂへの電子のツェナート
ンネル現象が容易に起こることが好ましい。ツェナート
ンネル現象によるトンネル電流密度Ｊｔは、
【０００９】
【数１】 Jt=((2 m* )0.5q3 Emax V/ ((2πh)2(EgGaAs+ ΔEc)) × exp((- π(m* )0.5(Eg GaAs+ ΔEc)1.5)/(80.5qE max h)) …（１） と表される。ここで、
【００１０】
【数２】E max =(-Ls+((Ls)2+4a(Vd+V))0.5)/2a a=(((1/Nd)+(1/Na))ε)(2q) であり、ｍ* はトンネル層の電子の有効質量、ｑは素電
荷、Ｖは印加電圧、ｈはプランク定数、ＥｇGaAsはＧａ
Ａｓのバンドギャップ、ΔＥｃは伝導帯のバンド端の不
連続エネルギ、Ｌｓはノンドープスペーサ層の厚さ、Ｖ
ｄはｐｎ接合の拡散電位、Ｎｄはｎ層のドープ量、Ｎａ
はｐ層のドープ量、εは誘電率を表す。なお、ノンドー
プスペーサ層は、図４（Ａ）には示されていないが、エ
ミッタ層５４Ａとベース層５３との間、及びエミッタ層
５４Ｂとベース層５３との間に挿入されるＧａＡｓ層の
ことである。
荷、Ｖは印加電圧、ｈはプランク定数、ＥｇGaAsはＧａ
Ａｓのバンドギャップ、ΔＥｃは伝導帯のバンド端の不
連続エネルギ、Ｌｓはノンドープスペーサ層の厚さ、Ｖ
ｄはｐｎ接合の拡散電位、Ｎｄはｎ層のドープ量、Ｎａ
はｐ層のドープ量、εは誘電率を表す。なお、ノンドー
プスペーサ層は、図４（Ａ）には示されていないが、エ
ミッタ層５４Ａとベース層５３との間、及びエミッタ層
５４Ｂとベース層５３との間に挿入されるＧａＡｓ層の
ことである。
【００１１】式（１）から分かるように、大きなトンネ
ル電流Ｊｔを得るためには、ＥｇGa As＋ΔＥｃが小さい
ことが好ましい。図４（Ａ）に示すＭＥ−ＨＢＴにおい
ては、ＡｌＧａＡｓとＧａＡｓとの伝導帯のバンド端不
連続が約０．２２ｅＶであり、ＥｇGaAs＋ΔＥｃが約
１．７ｅＶになる。より低電圧動作を行わせるために
は、ΔＥｃの小さい材料を選択することが好ましい。
ル電流Ｊｔを得るためには、ＥｇGa As＋ΔＥｃが小さい
ことが好ましい。図４（Ａ）に示すＭＥ−ＨＢＴにおい
ては、ＡｌＧａＡｓとＧａＡｓとの伝導帯のバンド端不
連続が約０．２２ｅＶであり、ＥｇGaAs＋ΔＥｃが約
１．７ｅＶになる。より低電圧動作を行わせるために
は、ΔＥｃの小さい材料を選択することが好ましい。
【００１２】また、ＡｌＧａＡｓとＧａＡｓでは、価電
子帯のバンド端不連続ΔＥｖが０．１２Ｖと比較的小さ
い。このため、ベース層からエミッタ層への正孔の逆注
入が起こりやすく、大きな電流利得を得ることが困難で
あった。
子帯のバンド端不連続ΔＥｖが０．１２Ｖと比較的小さ
い。このため、ベース層からエミッタ層への正孔の逆注
入が起こりやすく、大きな電流利得を得ることが困難で
あった。
【００１３】上記課題を解決するため、ＩｎＧａＡｓを
ベース層とし、ＩｎＰまたはＩｎＡｌＡｓをエミッタ層
としたＩｎＧａＡｓ系ＨＢＴが提案されている。しか
し、ＩｎＧａＡｓ系のＨＢＴにおいては、ＩｎＧａＡｓ
のバンドギャップが０．７６ｅＶと小さいため、室温で
の動作が不安定になる。また、ＩｎＰ基板を用いる必要
があるため、ＧａＡｓ基板を用いる場合に比べて量産性
及び価格の点で劣り、実用化が困難である。
ベース層とし、ＩｎＰまたはＩｎＡｌＡｓをエミッタ層
としたＩｎＧａＡｓ系ＨＢＴが提案されている。しか
し、ＩｎＧａＡｓ系のＨＢＴにおいては、ＩｎＧａＡｓ
のバンドギャップが０．７６ｅＶと小さいため、室温で
の動作が不安定になる。また、ＩｎＰ基板を用いる必要
があるため、ＧａＡｓ基板を用いる場合に比べて量産性
及び価格の点で劣り、実用化が困難である。
【００１４】本発明の目的は、低電圧動作が可能なマル
チエミッタ型ヘテロバイポーラトランジスタを提供する
ことである。
チエミッタ型ヘテロバイポーラトランジスタを提供する
ことである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の一観点による
と、第１導電型の化合物半導体からなるコレクタ層と、
前記コレクタ層の表面上に形成され、前記第１導電型と
反対の第２導電型の化合物半導体からなるベース層と、
前記ベース層の表面上の一部の領域に形成された第１導
電型のＩｎＧａＰからなる第１エミッタ層と、前記ベー
ス層の表面上の前記第１エミッタ層とは異なる一部の領
域に形成された第１導電型のＩｎＧａＰからなる第２エ
ミッタ層とを有するマルチエミッタ型ヘテロバイポーラ
トランジスタが提供される。
と、第１導電型の化合物半導体からなるコレクタ層と、
前記コレクタ層の表面上に形成され、前記第１導電型と
反対の第２導電型の化合物半導体からなるベース層と、
前記ベース層の表面上の一部の領域に形成された第１導
電型のＩｎＧａＰからなる第１エミッタ層と、前記ベー
ス層の表面上の前記第１エミッタ層とは異なる一部の領
域に形成された第１導電型のＩｎＧａＰからなる第２エ
ミッタ層とを有するマルチエミッタ型ヘテロバイポーラ
トランジスタが提供される。
【００１６】本発明の他の観点によると、前記ベース層
がＧａＡｓにより形成されているマルチエミッタ型ヘテ
ロバイポーラトランジスタが提供される。ＩｎＧａＰと
ＧａＡｓとの伝導帯のバンド端不連続が、ＡｌＧａＡｓ
とＧａＡｓとのそれに比べて小さいため、動作電圧を低
くすることができる。また、ＩｎＧａＰとＧａＡｓとの
価電子帯のバンド端不連続が、ＡｌＧａＡｓとＧａＡｓ
とのそれに比べて大きいため、正孔の逆注入による電流
利得の低下を抑制することができる。
がＧａＡｓにより形成されているマルチエミッタ型ヘテ
ロバイポーラトランジスタが提供される。ＩｎＧａＰと
ＧａＡｓとの伝導帯のバンド端不連続が、ＡｌＧａＡｓ
とＧａＡｓとのそれに比べて小さいため、動作電圧を低
くすることができる。また、ＩｎＧａＰとＧａＡｓとの
価電子帯のバンド端不連続が、ＡｌＧａＡｓとＧａＡｓ
とのそれに比べて大きいため、正孔の逆注入による電流
利得の低下を抑制することができる。
【００１７】なお、ベース層の材料がＧａＡｓ以外であ
っても、伝導帯のバンド端不連続が比較的小さいもので
あれば、動作電圧の低減効果が期待できる。また、価電
子帯のバンド端不連続が比較的大きいものであれば、電
流利得の低下抑制効果が期待できる。
っても、伝導帯のバンド端不連続が比較的小さいもので
あれば、動作電圧の低減効果が期待できる。また、価電
子帯のバンド端不連続が比較的大きいものであれば、電
流利得の低下抑制効果が期待できる。
【００１８】本発明の他の観点によると、さらに、前記
ベース層と前記第１エミッタ層との間、及び前記ベース
層と前記第２エミッタ層との間に形成され、ノンドープ
または前記ベース層よりも低不純物濃度の第２導電型の
ＧａＡｓからなる補助ベース層を有するマルチエミッタ
型ヘテロバイポーラトランジスタが提供される。
ベース層と前記第１エミッタ層との間、及び前記ベース
層と前記第２エミッタ層との間に形成され、ノンドープ
または前記ベース層よりも低不純物濃度の第２導電型の
ＧａＡｓからなる補助ベース層を有するマルチエミッタ
型ヘテロバイポーラトランジスタが提供される。
【００１９】補助ベース層を挿入することにより、電子
のツェナートンネル確率を高めることができ、動作電圧
のより低電圧化を図ることができる。本発明の他の観点
によると、さらに、前記ベース層と前記第１エミッタ層
との間、及び前記ベース層と前記第２エミッタ層との間
にそれぞれ形成され、ノンドープまたは前記第１及び第
２エミッタ層よりも低不純物濃度の第１導電型のＩｎＧ
ａＰからなる第１及び第２補助エミッタ層を有するマル
チエミッタ型ヘテロバイポーラトランジスタが提供され
る。
のツェナートンネル確率を高めることができ、動作電圧
のより低電圧化を図ることができる。本発明の他の観点
によると、さらに、前記ベース層と前記第１エミッタ層
との間、及び前記ベース層と前記第２エミッタ層との間
にそれぞれ形成され、ノンドープまたは前記第１及び第
２エミッタ層よりも低不純物濃度の第１導電型のＩｎＧ
ａＰからなる第１及び第２補助エミッタ層を有するマル
チエミッタ型ヘテロバイポーラトランジスタが提供され
る。
【００２０】補助エミッタ層を挿入することにより、電
子のツェナートンネル確率を高めることができ、動作電
圧のより低電圧化を図ることができる。本発明の他の観
点によると、前記第１及び第２補助エミッタ層が、前記
ベース層表面上の前記第１エミッタ層が形成された領域
から前記第２エミッタ層が形成された領域まで連続的に
形成された１つのＩｎＧａＰ層からなるマルチエミッタ
型ヘテロバイポーラトランジスタが提供される。
子のツェナートンネル確率を高めることができ、動作電
圧のより低電圧化を図ることができる。本発明の他の観
点によると、前記第１及び第２補助エミッタ層が、前記
ベース層表面上の前記第１エミッタ層が形成された領域
から前記第２エミッタ層が形成された領域まで連続的に
形成された１つのＩｎＧａＰ層からなるマルチエミッタ
型ヘテロバイポーラトランジスタが提供される。
【００２１】ベース層表面が補助エミッタ層で覆われる
ため、エミッタ−ベース間のｐｎ接合領域の端部が露出
しなくなり、経時劣化を抑制することができる。本発明
の他の観点によると、さらに、前記第１エミッタ層と第
１補助エミッタ層との間、及び前記第２エミッタ層と第
２補助エミッタ層との間にそれぞれ形成されたＧａＡｓ
からなる薄層を有するマルチエミッタ型ヘテロバイポー
ラトランジスタが提供される。
ため、エミッタ−ベース間のｐｎ接合領域の端部が露出
しなくなり、経時劣化を抑制することができる。本発明
の他の観点によると、さらに、前記第１エミッタ層と第
１補助エミッタ層との間、及び前記第２エミッタ層と第
２補助エミッタ層との間にそれぞれ形成されたＧａＡｓ
からなる薄層を有するマルチエミッタ型ヘテロバイポー
ラトランジスタが提供される。
【００２２】塩酸系エッチング液は、ＩｎＧａＰをエッ
チングするがＧａＡｓをエッチングしない。エミッタ層
を形成するためのエッチングにおいて塩酸系のエッチン
グ液を用いると、ＧａＡｓ層が表出した時点でエッチン
グが停止する。このため、再現性よく補助エミッタ層を
残すことができる。
チングするがＧａＡｓをエッチングしない。エミッタ層
を形成するためのエッチングにおいて塩酸系のエッチン
グ液を用いると、ＧａＡｓ層が表出した時点でエッチン
グが停止する。このため、再現性よく補助エミッタ層を
残すことができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】図１を参照して本発明の実施例を
説明する。図１（Ａ）は、実施例によるマルチエミッタ
型ヘテロバイポーラトランジスタ（ＭＥ−ＨＢＴ）の断
面図を示す。半絶縁性ＧａＡｓ基板１の上に、ｎ+ 型Ｇ
ａＡｓコレクタコンタクト層２、ｎ型ＧａＡｓコレクタ
層３、ｐ+ 型ＧａＡｓベース層４が積層されている。
説明する。図１（Ａ）は、実施例によるマルチエミッタ
型ヘテロバイポーラトランジスタ（ＭＥ−ＨＢＴ）の断
面図を示す。半絶縁性ＧａＡｓ基板１の上に、ｎ+ 型Ｇ
ａＡｓコレクタコンタクト層２、ｎ型ＧａＡｓコレクタ
層３、ｐ+ 型ＧａＡｓベース層４が積層されている。
【００２４】例えば、ｎ+ 型ＧａＡｓコレクタコンタク
ト層２の厚さは３００ｎｍ、不純物濃度は５×１０18ｃ
ｍ-3である。ｎ型ＧａＡｓコレクタ層３の厚さは３００
ｎｍ、不純物濃度は１×１０17ｃｍ-3である。ｐ+ 型Ｇ
ａＡｓベース層４の厚さは５０ｎｍ、不純物濃度は５×
１０19ｃｍ-3である。
ト層２の厚さは３００ｎｍ、不純物濃度は５×１０18ｃ
ｍ-3である。ｎ型ＧａＡｓコレクタ層３の厚さは３００
ｎｍ、不純物濃度は１×１０17ｃｍ-3である。ｐ+ 型Ｇ
ａＡｓベース層４の厚さは５０ｎｍ、不純物濃度は５×
１０19ｃｍ-3である。
【００２５】ＧａＡｓベース層４の上に、厚さ５０ｎ
ｍ、不純物濃度５×１０18ｃｍ-3の２つのｎ+ 型ＩｎＧ
ａＰエミッタ層５Ａ及び５Ｂが形成されている。ＩｎＧ
ａＰエミッタ層５Ａ及び５Ｂの上に、それぞれｎ+ 型Ｇ
ａＡｓエミッタコンタクト層６Ａ及び６Ｂが形成されて
いる。ＧａＡｓエミッタコンタクト層６Ａと６Ｂの厚さ
は例えば２００ｎｍ、不純物濃度は例えば２×１０19ｃ
ｍ-3である。
ｍ、不純物濃度５×１０18ｃｍ-3の２つのｎ+ 型ＩｎＧ
ａＰエミッタ層５Ａ及び５Ｂが形成されている。ＩｎＧ
ａＰエミッタ層５Ａ及び５Ｂの上に、それぞれｎ+ 型Ｇ
ａＡｓエミッタコンタクト層６Ａ及び６Ｂが形成されて
いる。ＧａＡｓエミッタコンタクト層６Ａと６Ｂの厚さ
は例えば２００ｎｍ、不純物濃度は例えば２×１０19ｃ
ｍ-3である。
【００２６】ＧａＡｓエミッタコンタクト層６Ａ及び６
Ｂの上面上に、それぞれＡｕＧｅ／Ａｕ電極７Ａ及び７
Ｂが形成され、ＧａＡｓエミッタコンタクト層６Ａ及び
６Ｂにオーミック接触している。また、ＧａＡｓコレク
タコンタクト層２よりも上層の積層を部分的にエッチン
グして一部上面を露出し、露出した上面上にＡｕＧｅ／
Ａｕ電極８が形成されてＧａＡｓコレクタコンタクト層
２にオーミック接触している。ＧａＡｓベース層４に
は、直接電極が形成されていない。
Ｂの上面上に、それぞれＡｕＧｅ／Ａｕ電極７Ａ及び７
Ｂが形成され、ＧａＡｓエミッタコンタクト層６Ａ及び
６Ｂにオーミック接触している。また、ＧａＡｓコレク
タコンタクト層２よりも上層の積層を部分的にエッチン
グして一部上面を露出し、露出した上面上にＡｕＧｅ／
Ａｕ電極８が形成されてＧａＡｓコレクタコンタクト層
２にオーミック接触している。ＧａＡｓベース層４に
は、直接電極が形成されていない。
【００２７】図１（Ａ）に示す構造は、分子線エピタキ
シ（ＭＢＥ）または有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶ
Ｄ）を用いたＧａＡｓ層及びＩｎＧａＰ層の形成と、フ
ォトリソグラフィを用いたエッチングにより作製され
る。ＧａＡｓ層は、例えばリン酸系のエッチング液によ
り、ＩｎＧａＰ層は塩酸系のエッチング液によりエッチ
ングすることができる。
シ（ＭＢＥ）または有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶ
Ｄ）を用いたＧａＡｓ層及びＩｎＧａＰ層の形成と、フ
ォトリソグラフィを用いたエッチングにより作製され
る。ＧａＡｓ層は、例えばリン酸系のエッチング液によ
り、ＩｎＧａＰ層は塩酸系のエッチング液によりエッチ
ングすることができる。
【００２８】図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示すＭＥ−Ｈ
ＢＴのエネルギバンド図である。図の左側から順番にエ
ミッタ層５Ａと５Ｂ、ベース層４、及びコレクタ層３を
表している。エミッタ領域においては、エミッタ層５Ａ
と５Ｂをそれぞれ実線と破線で表している。ＭＥ−ＨＢ
Ｔの動作原理は、既に図４（Ｂ）を参照して説明した通
りであるため、ここでは説明を省略する。図１（Ｂ）で
は、エミッタ層５Ｂがベース電極として作用している。
ＢＴのエネルギバンド図である。図の左側から順番にエ
ミッタ層５Ａと５Ｂ、ベース層４、及びコレクタ層３を
表している。エミッタ領域においては、エミッタ層５Ａ
と５Ｂをそれぞれ実線と破線で表している。ＭＥ−ＨＢ
Ｔの動作原理は、既に図４（Ｂ）を参照して説明した通
りであるため、ここでは説明を省略する。図１（Ｂ）で
は、エミッタ層５Ｂがベース電極として作用している。
【００２９】ＧａＡｓベース層４とＩｎＧａＰエミッタ
層５Ａ、５Ｂとの間の伝導帯のバンド端不連続ΔＥｃは
０．１ｅＶであり、図４（Ｂ）のＭＥ−ＨＢＴの場合よ
りも小さい。従って、式（１）から、同じバイアス電圧
でもより大きなトンネル電流が流れることがわかる。こ
のため、比較的低電圧でも動作が可能になる。
層５Ａ、５Ｂとの間の伝導帯のバンド端不連続ΔＥｃは
０．１ｅＶであり、図４（Ｂ）のＭＥ−ＨＢＴの場合よ
りも小さい。従って、式（１）から、同じバイアス電圧
でもより大きなトンネル電流が流れることがわかる。こ
のため、比較的低電圧でも動作が可能になる。
【００３０】また、ＧａＡｓベース層４とＩｎＧａＰエ
ミッタ層５Ａ、５Ｂとの間の価電子帯のバンド端不連続
ΔＥｖは０．５ｅＶであり、図４（Ｂ）のＭＥ−ＨＢＴ
の場合よりも大きい。このため、ベース層４からエミッ
タ層５Ａ、５Ｂへの正孔の逆注入が抑制され、大きな電
流利得を得ることが可能になる。
ミッタ層５Ａ、５Ｂとの間の価電子帯のバンド端不連続
ΔＥｖは０．５ｅＶであり、図４（Ｂ）のＭＥ−ＨＢＴ
の場合よりも大きい。このため、ベース層４からエミッ
タ層５Ａ、５Ｂへの正孔の逆注入が抑制され、大きな電
流利得を得ることが可能になる。
【００３１】図２（Ａ）は、図１に示すＭＥ−ＨＢＴを
ＸＮＯＲ回路に適用した例を示す。ＭＥ−ＨＢＴ１０の
コレクタ端子が抵抗１１を介して電源線ＶCCに接続され
ている。ＭＥ−ＨＢＴ１０の２つのエミッタ端子にそれ
ぞれ入力信号Ｉｎ１及びＩｎ２が与えられ、コレクタ端
子から出力信号Ｏｕｔが取り出される。
ＸＮＯＲ回路に適用した例を示す。ＭＥ−ＨＢＴ１０の
コレクタ端子が抵抗１１を介して電源線ＶCCに接続され
ている。ＭＥ−ＨＢＴ１０の２つのエミッタ端子にそれ
ぞれ入力信号Ｉｎ１及びＩｎ２が与えられ、コレクタ端
子から出力信号Ｏｕｔが取り出される。
【００３２】従来のＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系ＭＥ−Ｈ
ＢＴの場合は、動作電圧が２Ｖ以上であったが、ＩｎＧ
ａＰ／ＧａＡｓ系ＭＥ−ＨＢＴとすることにより、２Ｖ
よりも低い電圧で動作可能になる。例えば、１．３Ｖの
電圧で動作可能である。
ＢＴの場合は、動作電圧が２Ｖ以上であったが、ＩｎＧ
ａＰ／ＧａＡｓ系ＭＥ−ＨＢＴとすることにより、２Ｖ
よりも低い電圧で動作可能になる。例えば、１．３Ｖの
電圧で動作可能である。
【００３３】図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に示す回路の真
理値表を示す。入力信号Ｉｎ１及びＩｎ２が共に「０」
すなわちローレベル状態である場合、図１（Ｂ）におけ
るベース層４に正バイアスが印加されないためＭＥ−Ｈ
ＢＴに電流が流れない。従って出力信号Ｏｕｔはハイレ
ベル状態すなわち「１」になる。入力信号Ｉｎ１及びＩ
ｎ２が共に「１」すなわちハイレベル状態である場合、
図１（Ｂ）におけるエミッタ層５Ａと５Ｂが共にベース
電極として作用し、ベース層４に電子を注入しない。Ｍ
Ｅ−ＨＢＴに電流が流れないため、出力信号Ｏｕｔはハ
イレベル状態すなわち「１」になる。
理値表を示す。入力信号Ｉｎ１及びＩｎ２が共に「０」
すなわちローレベル状態である場合、図１（Ｂ）におけ
るベース層４に正バイアスが印加されないためＭＥ−Ｈ
ＢＴに電流が流れない。従って出力信号Ｏｕｔはハイレ
ベル状態すなわち「１」になる。入力信号Ｉｎ１及びＩ
ｎ２が共に「１」すなわちハイレベル状態である場合、
図１（Ｂ）におけるエミッタ層５Ａと５Ｂが共にベース
電極として作用し、ベース層４に電子を注入しない。Ｍ
Ｅ−ＨＢＴに電流が流れないため、出力信号Ｏｕｔはハ
イレベル状態すなわち「１」になる。
【００３４】入力信号Ｉｎ１及びＩｎ２の一方が
「１」、他方が「０」である場合は、図１（Ｂ）に示す
ようにハイレベル状態のエミッタ層がベース電極として
作用し、ローレベル状態のエミッタ層が本来のエミッタ
層として作用する。このため、ＭＥ−ＨＢＴが導通状態
になり、出力信号Ｏｕｔはローレベル状態すなわち
「０」になる。このようにして、容易にＸＮＯＲ回路を
構成することができる。
「１」、他方が「０」である場合は、図１（Ｂ）に示す
ようにハイレベル状態のエミッタ層がベース電極として
作用し、ローレベル状態のエミッタ層が本来のエミッタ
層として作用する。このため、ＭＥ−ＨＢＴが導通状態
になり、出力信号Ｏｕｔはローレベル状態すなわち
「０」になる。このようにして、容易にＸＮＯＲ回路を
構成することができる。
【００３５】図１（Ａ）において、ＧａＡｓベース層４
とＩｎＧａＰエミッタ層５Ａとの間、及びＧａＡｓベー
ス層４とＩｎＧａＰエミッタ層５Ｂとの間に、ノンドー
プまたは低不純物濃度例えばＧａＡｓベース層４よりも
低不純物濃度のＧａＡｓからなる補助ベース層を設けて
もよい。ＧａＡｓの補助ベース層を設けると、式（１）
の電子の有効質量ｍ* が小さくなり、かつ伝導帯のバン
ド端不連続エネルギΔＥｃが０になる。このため、ツェ
ナートンネル電流密度Ｊｔが増加し、動作電圧のより低
電圧化が可能になる。
とＩｎＧａＰエミッタ層５Ａとの間、及びＧａＡｓベー
ス層４とＩｎＧａＰエミッタ層５Ｂとの間に、ノンドー
プまたは低不純物濃度例えばＧａＡｓベース層４よりも
低不純物濃度のＧａＡｓからなる補助ベース層を設けて
もよい。ＧａＡｓの補助ベース層を設けると、式（１）
の電子の有効質量ｍ* が小さくなり、かつ伝導帯のバン
ド端不連続エネルギΔＥｃが０になる。このため、ツェ
ナートンネル電流密度Ｊｔが増加し、動作電圧のより低
電圧化が可能になる。
【００３６】図３（Ａ）は、上記実施例の変形例を示
す。図１（Ａ）では、ＧａＡｓベース層４の表面上に直
接ＩｎＧａＰエミッタ層５Ａ及び５Ｂが形成されていた
が、図３（Ａ）に示すＭＥ−ＨＢＴにおいては、ＧａＡ
ｓベース層４の上にノンドープまたはＩｎＧａＰエミッ
タ層５Ａ及び５Ｂより低不純物濃度のｎ型ＩｎＧａＰか
らなる補助エミッタ層１５が形成されている。ＩｎＧａ
Ｐエミッタ層５Ａ及び５Ｂは、ＩｎＧａＰ補助エミッタ
層１５の上に直接形成されている。
す。図１（Ａ）では、ＧａＡｓベース層４の表面上に直
接ＩｎＧａＰエミッタ層５Ａ及び５Ｂが形成されていた
が、図３（Ａ）に示すＭＥ−ＨＢＴにおいては、ＧａＡ
ｓベース層４の上にノンドープまたはＩｎＧａＰエミッ
タ層５Ａ及び５Ｂより低不純物濃度のｎ型ＩｎＧａＰか
らなる補助エミッタ層１５が形成されている。ＩｎＧａ
Ｐエミッタ層５Ａ及び５Ｂは、ＩｎＧａＰ補助エミッタ
層１５の上に直接形成されている。
【００３７】ＩｎＧａＰ補助エミッタ層１５の厚さは例
えば２５ｎｍである。また、図１（Ａ）においては、Ｉ
ｎＧａＰエミッタ層５Ａと５Ｂの厚さを５０ｎｍとした
が、図３（Ａ）においては、これらの層の厚さを共に２
５ｎｍとする。このようにして、ＩｎＧａＰエミッタ層
５Ａ及び５ＢとＩｎＧａＰ補助エミッタ層１５との合計
の厚さを５０ｎｍとする。その他の構成は、図１（Ａ）
のＭＥ−ＨＢＴと同様である。
えば２５ｎｍである。また、図１（Ａ）においては、Ｉ
ｎＧａＰエミッタ層５Ａと５Ｂの厚さを５０ｎｍとした
が、図３（Ａ）においては、これらの層の厚さを共に２
５ｎｍとする。このようにして、ＩｎＧａＰエミッタ層
５Ａ及び５ＢとＩｎＧａＰ補助エミッタ層１５との合計
の厚さを５０ｎｍとする。その他の構成は、図１（Ａ）
のＭＥ−ＨＢＴと同様である。
【００３８】図３（Ａ）に示すＭＥ−ＨＢＴにおいて
は、高不純物濃度のＩｎＧａＰエミッタ層５Ａ及び５Ｂ
と、低不純物濃度のＩｎＧａＰ補助エミッタ層１５のう
ち、補助エミッタ層１５に印加電圧の大部分が加わる。
低不純物濃度のＩｎＧａＰ補助エミッタ層１５の空乏層
が薄くなり、ツェナートンネル確率を高めることができ
る。このため、動作電圧をより低電圧化することが可能
になる。
は、高不純物濃度のＩｎＧａＰエミッタ層５Ａ及び５Ｂ
と、低不純物濃度のＩｎＧａＰ補助エミッタ層１５のう
ち、補助エミッタ層１５に印加電圧の大部分が加わる。
低不純物濃度のＩｎＧａＰ補助エミッタ層１５の空乏層
が薄くなり、ツェナートンネル確率を高めることができ
る。このため、動作電圧をより低電圧化することが可能
になる。
【００３９】また、図３（Ａ）に示すように、ＩｎＧａ
Ｐ補助エミッタ層１５がＧａＡｓベース層４の上面全体
を覆っている。このような構造は、例えば、ＩｎＧａＰ
エミッタ層５Ａ及び５Ｂを形成するためのエッチング
を、ＩｎＧａＰ補助エミッタ層１５の表面が露出したと
きに時間制御により停止することによって形成すること
ができる。図３（Ａ）に示すＭＥ−ＨＢＴにおいては、
ベース−エミッタ間のｐｎ接合領域の端部が露出しない
ため、電流電圧特性の経時劣化を抑制することができ
る。
Ｐ補助エミッタ層１５がＧａＡｓベース層４の上面全体
を覆っている。このような構造は、例えば、ＩｎＧａＰ
エミッタ層５Ａ及び５Ｂを形成するためのエッチング
を、ＩｎＧａＰ補助エミッタ層１５の表面が露出したと
きに時間制御により停止することによって形成すること
ができる。図３（Ａ）に示すＭＥ−ＨＢＴにおいては、
ベース−エミッタ間のｐｎ接合領域の端部が露出しない
ため、電流電圧特性の経時劣化を抑制することができ
る。
【００４０】なお、ＩｎＧａＰ補助エミッタ層１５を介
して、２つのエミッタ層５Ａと５Ｂが連続するが、２つ
のエミッタ層５Ａと５Ｂとの間のＩｎＧａＰ補助エミッ
タ層１５は空乏化するため、エミッタ層５Ａと５Ｂ間が
電気的に短絡されることはない。
して、２つのエミッタ層５Ａと５Ｂが連続するが、２つ
のエミッタ層５Ａと５Ｂとの間のＩｎＧａＰ補助エミッ
タ層１５は空乏化するため、エミッタ層５Ａと５Ｂ間が
電気的に短絡されることはない。
【００４１】図３（Ｂ）は、図３（Ａ）のＭＥ−ＨＢＴ
の変形例を示す。図３（Ａ）のＭＥ−ＨＢＴにおいて
は、ＩｎＧａＰ補助エミッタ層１５の表面上に直接Ｉｎ
ＧａＰエミッタ層５Ａと５Ｂを形成したが、図３（Ｂ）
のＭＥ−ＨＢＴにおいては、ＩｎＧａＰ補助エミッタ層
１５の表面上に厚さ１ｎｍ程度の薄いＧａＡｓ層１６を
形成する。ＩｎＧａＰエミッタ層５Ａ及び５ＢはＧａＡ
ｓ層１６の上に直接形成される。
の変形例を示す。図３（Ａ）のＭＥ−ＨＢＴにおいて
は、ＩｎＧａＰ補助エミッタ層１５の表面上に直接Ｉｎ
ＧａＰエミッタ層５Ａと５Ｂを形成したが、図３（Ｂ）
のＭＥ−ＨＢＴにおいては、ＩｎＧａＰ補助エミッタ層
１５の表面上に厚さ１ｎｍ程度の薄いＧａＡｓ層１６を
形成する。ＩｎＧａＰエミッタ層５Ａ及び５ＢはＧａＡ
ｓ層１６の上に直接形成される。
【００４２】ＧａＡｓ層１６は、ＩｎＧａＰエミッタ層
５Ａ及び５Ｂを形成するためのエッチング時のエッチン
グストップ層として作用する。すなわち、ＩｎＧａＰエ
ミッタ層５Ａ及び５Ｂを構成するＩｎＧａＰ層のうちエ
ミッタ層５Ａ及び５Ｂ以外の領域を塩酸系エッチング液
でエッチングすると、ＧａＡｓ層１６の表面が露出した
時点でエッチングが停止する。このように、エッチング
ストップ層として作用するＧａＡｓ層１６を設けること
により、再現性よくＩｎＧａＰ補助エミッタ層１５を残
すことが可能になる。
５Ａ及び５Ｂを形成するためのエッチング時のエッチン
グストップ層として作用する。すなわち、ＩｎＧａＰエ
ミッタ層５Ａ及び５Ｂを構成するＩｎＧａＰ層のうちエ
ミッタ層５Ａ及び５Ｂ以外の領域を塩酸系エッチング液
でエッチングすると、ＧａＡｓ層１６の表面が露出した
時点でエッチングが停止する。このように、エッチング
ストップ層として作用するＧａＡｓ層１６を設けること
により、再現性よくＩｎＧａＰ補助エミッタ層１５を残
すことが可能になる。
【００４３】上記実施例及びその変形例では、コレクタ
層３としてＧａＡｓを用いた場合を説明したが、その他
のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いてもよい。例えばＩ
ｎＧａＰを用いてもよい。コレクタ層３としてＩｎＧａ
Ｐを用いると、ＧａＡｓを用いた場合に比べてコレクタ
−ベース間の耐圧を高くすることができる。なお、コレ
クタとしてＡｌＧａＡｓを用いても耐圧を向上させるこ
とが可能であるが、ＩｎＧａＰを用いた方が伝導帯のバ
ンド端不連続ΔＥｃを小さくできるため、低電圧動作の
点で有利である。
層３としてＧａＡｓを用いた場合を説明したが、その他
のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いてもよい。例えばＩ
ｎＧａＰを用いてもよい。コレクタ層３としてＩｎＧａ
Ｐを用いると、ＧａＡｓを用いた場合に比べてコレクタ
−ベース間の耐圧を高くすることができる。なお、コレ
クタとしてＡｌＧａＡｓを用いても耐圧を向上させるこ
とが可能であるが、ＩｎＧａＰを用いた方が伝導帯のバ
ンド端不連続ΔＥｃを小さくできるため、低電圧動作の
点で有利である。
【００４４】また、コレクタ層３をＩｎＧａＰで形成
し、コレクタ電極８を形成すべき領域のＩｎＧａＰ層を
塩酸系エッチング液でエッチングすることにより、コレ
クタ層３の下のＧａＡｓコレクタコンタクト層２の表面
が露出した時点で自動的にエッチングを停止することが
できる。このため、制御性よくコレクタコンタクト層の
表面を露出させることが可能になる。
し、コレクタ電極８を形成すべき領域のＩｎＧａＰ層を
塩酸系エッチング液でエッチングすることにより、コレ
クタ層３の下のＧａＡｓコレクタコンタクト層２の表面
が露出した時点で自動的にエッチングを停止することが
できる。このため、制御性よくコレクタコンタクト層の
表面を露出させることが可能になる。
【００４５】上記実施例では、ベース層としてＧａＡｓ
を用いた場合を説明したが、その他のＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体を用いてもよい。ＭＥ−ＨＢＴの動作電圧を低
くするためには、ＩｎＧａＰエミッタ層とベース層との
間の伝導帯のバンド端不連続ΔＥｃが小さくなる材料が
好ましい。例えば、従来のＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系Ｈ
ＢＴにおけるΔＥｃ（０．２２ｅＶ）よりも小さいこと
が好ましい。また、正孔の逆注入を抑制し電流利得を向
上させるためには、価電子帯のバンド端不連続ΔＥｖが
大きくなる材料が好ましい。例えば、従来のＡｌＧａＡ
ｓ／ＧａＡｓ系ＨＢＴにおけるΔＥｖ（０．１２ｅＶ）
よりも大きいことが好ましい。
を用いた場合を説明したが、その他のＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体を用いてもよい。ＭＥ−ＨＢＴの動作電圧を低
くするためには、ＩｎＧａＰエミッタ層とベース層との
間の伝導帯のバンド端不連続ΔＥｃが小さくなる材料が
好ましい。例えば、従来のＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系Ｈ
ＢＴにおけるΔＥｃ（０．２２ｅＶ）よりも小さいこと
が好ましい。また、正孔の逆注入を抑制し電流利得を向
上させるためには、価電子帯のバンド端不連続ΔＥｖが
大きくなる材料が好ましい。例えば、従来のＡｌＧａＡ
ｓ／ＧａＡｓ系ＨＢＴにおけるΔＥｖ（０．１２ｅＶ）
よりも大きいことが好ましい。
【００４６】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
【００４７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
エミッタ層とベース層間の伝導帯のバンド端不連続が小
さくなるため、ベース層からエミッタ層への電子のツェ
ナートンネル確率が高くなる。このため、ＭＥ−ＨＢＴ
の動作電圧を低くすることができる。
エミッタ層とベース層間の伝導帯のバンド端不連続が小
さくなるため、ベース層からエミッタ層への電子のツェ
ナートンネル確率が高くなる。このため、ＭＥ−ＨＢＴ
の動作電圧を低くすることができる。
【図１】本発明の実施例によるＭＥ−ＨＢＴの断面図、
及びエネルギバンド図である。
及びエネルギバンド図である。
【図２】図１のＭＥ−ＨＢＴを使用したＸＮＯＲ回路の
回路図、及び真理値表である。
回路図、及び真理値表である。
【図３】図１の実施例の変形例によるＭＥ−ＨＢＴの断
面図である。
面図である。
【図４】従来例によるＭＥ−ＨＢＴの断面図、及びエネ
ルギバンド図である。
ルギバンド図である。
１、５０ 半絶縁性ＧａＡｓ基板 ２、５１ ｎ+ 型ＧａＡｓコレクタコンタクト層 ３、５２ ｎ型ＧａＡｓコレクタ層 ４、５３ ｐ+ 型ＧａＡｓベース層 ５Ａ、５Ｂ ｎ型ＩｎＧａＰエミッタ層 ６Ａ、６Ｂ、５５Ａ、５５Ｂ ｎ+ 型ＧａＡｓエミッタ
コンタクト層 ７Ａ、７Ｂ、８、５６、５７Ａ、５７Ｂ ＡｕＧｅ／Ａ
ｕ電極 １０ ＭＥ−ＨＢＴ １１ 抵抗 １５ ＩｎＧａＰ補助エミッタ層 １６ ＧａＡｓ層 ５４Ａ、５４Ｂ ｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層
コンタクト層 ７Ａ、７Ｂ、８、５６、５７Ａ、５７Ｂ ＡｕＧｅ／Ａ
ｕ電極 １０ ＭＥ−ＨＢＴ １１ 抵抗 １５ ＩｎＧａＰ補助エミッタ層 １６ ＧａＡｓ層 ５４Ａ、５４Ｂ ｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層
Claims (6)
- 【請求項１】 第１導電型の化合物半導体からなるコレ
クタ層と、 前記コレクタ層の表面上に形成され、前記第１導電型と
反対の第２導電型の化合物半導体からなるベース層と、 前記ベース層の表面上の一部の領域に形成された第１導
電型のＩｎＧａＰからなる第１エミッタ層と、 前記ベース層の表面上の前記第１エミッタ層とは異なる
一部の領域に形成された第１導電型のＩｎＧａＰからな
る第２エミッタ層とを有するマルチエミッタ型ヘテロバ
イポーラトランジスタ。 - 【請求項２】 前記ベース層がＧａＡｓにより形成され
ている請求項１に記載のマルチエミッタ型ヘテロバイポ
ーラトランジスタ。 - 【請求項３】 さらに、前記ベース層と前記第１エミッ
タ層との間、及び前記ベース層と前記第２エミッタ層と
の間に形成され、ノンドープまたは前記ベース層よりも
低不純物濃度の第２導電型のＧａＡｓからなる補助ベー
ス層を有する請求項２に記載のマルチエミッタ型ヘテロ
バイポーラトランジスタ。 - 【請求項４】 さらに、前記ベース層と前記第１エミッ
タ層との間、及び前記ベース層と前記第２エミッタ層と
の間にそれぞれ形成され、ノンドープまたは前記第１及
び第２エミッタ層よりも低不純物濃度の第１導電型のＩ
ｎＧａＰからなる第１及び第２補助エミッタ層を有する
請求項２に記載のマルチエミッタ型ヘテロバイポーラト
ランジスタ。 - 【請求項５】 前記第１及び第２補助エミッタ層が、前
記ベース層表面上の前記第１エミッタ層が形成された領
域から前記第２エミッタ層が形成された領域まで連続的
に形成された１つのＩｎＧａＰ層からなる請求項４に記
載のマルチエミッタ型ヘテロバイポーラトランジスタ。 - 【請求項６】 さらに、前記第１エミッタ層と第１補助
エミッタ層との間、及び前記第２エミッタ層と第２補助
エミッタ層との間にそれぞれ形成されたＧａＡｓからな
る薄層を有する請求項４または５に記載のマルチエミッ
タ型ヘテロバイポーラトランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7258933A JPH09102501A (ja) | 1995-10-05 | 1995-10-05 | マルチエミッタ型ヘテロバイポーラトランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7258933A JPH09102501A (ja) | 1995-10-05 | 1995-10-05 | マルチエミッタ型ヘテロバイポーラトランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09102501A true JPH09102501A (ja) | 1997-04-15 |
Family
ID=17327066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7258933A Withdrawn JPH09102501A (ja) | 1995-10-05 | 1995-10-05 | マルチエミッタ型ヘテロバイポーラトランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09102501A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017195388A (ja) * | 2015-09-04 | 2017-10-26 | ウィン セミコンダクターズ コーポレーション | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
-
1995
- 1995-10-05 JP JP7258933A patent/JPH09102501A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017195388A (ja) * | 2015-09-04 | 2017-10-26 | ウィン セミコンダクターズ コーポレーション | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030107 |