JPH09102623A - 光起電力素子 - Google Patents
光起電力素子Info
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- JPH09102623A JPH09102623A JP7256243A JP25624395A JPH09102623A JP H09102623 A JPH09102623 A JP H09102623A JP 7256243 A JP7256243 A JP 7256243A JP 25624395 A JP25624395 A JP 25624395A JP H09102623 A JPH09102623 A JP H09102623A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 この発明は、シリコン半導体薄膜との整合性
がよく且つ屈折率の小さい材料を背面電極とシリコン半
導体薄膜との間に介在させて、光電変換効率の向上を図
るものである。 【解決手段】 この発明は、光照射により光起電力を発
生するシリコンを主成分とする半導体層３、４、５を備
え、受光面に相対する背面に背面電極７が設けられた光
起電力素子であって、半導体層５と背面電極７との間
に、ノンドープのダイヤモンド炭素膜６を介在させたこ
とを特徴とする。
がよく且つ屈折率の小さい材料を背面電極とシリコン半
導体薄膜との間に介在させて、光電変換効率の向上を図
るものである。 【解決手段】 この発明は、光照射により光起電力を発
生するシリコンを主成分とする半導体層３、４、５を備
え、受光面に相対する背面に背面電極７が設けられた光
起電力素子であって、半導体層５と背面電極７との間
に、ノンドープのダイヤモンド炭素膜６を介在させたこ
とを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、太陽電池等の光
起電力素子に関する。
起電力素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】クリーンなエネルギーとして、太陽光発
電が注目されている。その中でも特に非晶質シリコン半
導体薄膜を用いた光起電力素子は、大面積化、低コスト
化が図れることから注目されている。
電が注目されている。その中でも特に非晶質シリコン半
導体薄膜を用いた光起電力素子は、大面積化、低コスト
化が図れることから注目されている。
【０００３】一般に、この種の光起電力素子は、受光面
となるガラス基板上に、透明電極、内部にｐｉｎの半導
体接合を有する非晶質シリコン半導体薄膜、及び背面電
極を積層して形成されている。
となるガラス基板上に、透明電極、内部にｐｉｎの半導
体接合を有する非晶質シリコン半導体薄膜、及び背面電
極を積層して形成されている。
【０００４】ところで、上記の光起電力素子は、比較的
薄い非晶質シリコン半導体薄膜で形成されるために、受
光面と相対する背面電極に銀、アルミニウム等の反射率
の高い材料を使うことで、半導体薄膜との屈折率の差に
よって生じる両者の界面での反射を用いて、実質的に光
の入射強度を強めることにより光電変換効率を向上させ
ている。
薄い非晶質シリコン半導体薄膜で形成されるために、受
光面と相対する背面電極に銀、アルミニウム等の反射率
の高い材料を使うことで、半導体薄膜との屈折率の差に
よって生じる両者の界面での反射を用いて、実質的に光
の入射強度を強めることにより光電変換効率を向上させ
ている。
【０００５】しかしながら、銀、アルミニウム等の反射
率の高い金属材料は、シリコン半導体薄膜と界面で合金
層を形成し、金属材料が持つ反射特性が悪くなるという
問題があった。
率の高い金属材料は、シリコン半導体薄膜と界面で合金
層を形成し、金属材料が持つ反射特性が悪くなるという
問題があった。
【０００６】そこで、上記問題を解決するために、シリ
コン半導体薄膜と背面電極との間に透明導電膜を介在さ
せることで、両者の合金化を防止する方法が提案されて
いる（例えば、特公昭６０−４１８７８号 ＩＰＣ：Ｈ
０１Ｌ ３１／０４参照。）。
コン半導体薄膜と背面電極との間に透明導電膜を介在さ
せることで、両者の合金化を防止する方法が提案されて
いる（例えば、特公昭６０−４１８７８号 ＩＰＣ：Ｈ
０１Ｌ ３１／０４参照。）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た方法では、シリコン半導体薄膜と透明導電膜とで、そ
の構造が大きく異なる。このため、両者の整合性が悪
く、良好な界面特性を得ることが困難であり、太陽電池
特性を低下させる要因になるなどの問題があった。
た方法では、シリコン半導体薄膜と透明導電膜とで、そ
の構造が大きく異なる。このため、両者の整合性が悪
く、良好な界面特性を得ることが困難であり、太陽電池
特性を低下させる要因になるなどの問題があった。
【０００８】また、シリコン半導体薄膜と背面電極との
間に介在させる膜としては、できるだけ屈折率が小さい
方がよく、透明導電膜に代わる材料が切望されていた。
間に介在させる膜としては、できるだけ屈折率が小さい
方がよく、透明導電膜に代わる材料が切望されていた。
【０００９】この発明は、上述した従来の問題点を解決
するためになされたものにして、シリコン半導体薄膜と
の整合性がよく且つ屈折率の小さい材料を背面電極とシ
リコン半導体薄膜との間に介在させて、光電変換効率の
向上を図るものである。
するためになされたものにして、シリコン半導体薄膜と
の整合性がよく且つ屈折率の小さい材料を背面電極とシ
リコン半導体薄膜との間に介在させて、光電変換効率の
向上を図るものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明は、光照射によ
り光起電力を発生する半導体層を備え、受光面に相対す
る背面に背面電極が設けられた光起電力素子であって、
前記半導体層と背面電極との間に、周期律表の４族元素
またはその合金で構成される透光性緩衝層を介在させた
ことを特徴とする。
り光起電力を発生する半導体層を備え、受光面に相対す
る背面に背面電極が設けられた光起電力素子であって、
前記半導体層と背面電極との間に、周期律表の４族元素
またはその合金で構成される透光性緩衝層を介在させた
ことを特徴とする。
【００１１】前記透光性緩衝層は、光波長５００ｎｍに
おける屈折率が２以下にすると良い。
おける屈折率が２以下にすると良い。
【００１２】介在させる透光性緩衝層が光波長５００ｎ
ｍにおける屈折率が２以下であれば、従来の背面電極よ
りも更に高い反射率を得ることができるので、光起電力
素子の短絡電流ひいては光電変換効率を向上させること
ができる。
ｍにおける屈折率が２以下であれば、従来の背面電極よ
りも更に高い反射率を得ることができるので、光起電力
素子の短絡電流ひいては光電変換効率を向上させること
ができる。
【００１３】また、この発明は、前記半導体層を、シリ
コンを主成分とする半導体膜で形成することができる。
コンを主成分とする半導体膜で形成することができる。
【００１４】透光性緩衝層を、シリコンと同じ周期律表
４族元素である元素またはその合金で構成することによ
り、透光性緩衝層がシリコンを主成分とする半導体層と
非常に類似した構造を有することになる。そのため、従
来用いられているＩＴＯやＳｎＯ2等の金属酸化物から
なる透明導電膜に比べて、シリコンを主成分とする半導
体層との整合性が非常によく、両者間の界面特性が良好
になり、光起電力素子の特性が改善される。
４族元素である元素またはその合金で構成することによ
り、透光性緩衝層がシリコンを主成分とする半導体層と
非常に類似した構造を有することになる。そのため、従
来用いられているＩＴＯやＳｎＯ2等の金属酸化物から
なる透明導電膜に比べて、シリコンを主成分とする半導
体層との整合性が非常によく、両者間の界面特性が良好
になり、光起電力素子の特性が改善される。
【００１５】前記透光性緩衝層として、ノンドープのダ
イヤモンド様炭素膜を用いると良い。
イヤモンド様炭素膜を用いると良い。
【００１６】そして、前記ダイヤモンド様炭素膜の膜中
水素の割合が１０％以上７０％以下に制御すると良い。
水素の割合が１０％以上７０％以下に制御すると良い。
【００１７】ダイヤモンド様炭素膜は、シリコンと同じ
周期律表４族元素である炭素を主成分とするため、シリ
コンを主成分とする半導体層とは非常に類似した構造を
持っており、シリコンを主成分とする半導体層との整合
性が非常によく、両者間の界面特性が良好になり、光起
電力素子の特性が改善される。
周期律表４族元素である炭素を主成分とするため、シリ
コンを主成分とする半導体層とは非常に類似した構造を
持っており、シリコンを主成分とする半導体層との整合
性が非常によく、両者間の界面特性が良好になり、光起
電力素子の特性が改善される。
【００１８】また、この発明は、前記半導体層が化合物
半導体膜のものでも適用できる。
半導体膜のものでも適用できる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
き図面を参照して説明する。図１は、この発明の第１の
実施の形態の光起電力素子を示す断面図である。
き図面を参照して説明する。図１は、この発明の第１の
実施の形態の光起電力素子を示す断面図である。
【００２０】図１に示すように、この発明における光起
電力素子は、ガラス基板１上に膜厚６０００オングスト
ロームのＳｎＯ2からなる透明電極２が設けられてい
る。この透明電極２は半導体薄膜の側に微小な凹凸が形
成されている。この透明電極２上に膜厚１００オングス
トロームのｐ型非晶質シリコンカーバイト（ａ−Ｓｉ
Ｃ）層３、膜厚２５００オングストロームのｉ型非晶質
シリコン（ａ−Ｓｉ）層４、膜厚３００オングストロー
ムのｎ型非晶質シリコン層５、膜厚７００オングストロ
ームの透光性緩衝層としてのノンドープのダイヤモンド
様炭素膜６、銀（Ａｇ）等の高反射材料からなる背面電
極７とが順次積層形成されている。そして、光はガラス
基板１側から入射する。
電力素子は、ガラス基板１上に膜厚６０００オングスト
ロームのＳｎＯ2からなる透明電極２が設けられてい
る。この透明電極２は半導体薄膜の側に微小な凹凸が形
成されている。この透明電極２上に膜厚１００オングス
トロームのｐ型非晶質シリコンカーバイト（ａ−Ｓｉ
Ｃ）層３、膜厚２５００オングストロームのｉ型非晶質
シリコン（ａ−Ｓｉ）層４、膜厚３００オングストロー
ムのｎ型非晶質シリコン層５、膜厚７００オングストロ
ームの透光性緩衝層としてのノンドープのダイヤモンド
様炭素膜６、銀（Ａｇ）等の高反射材料からなる背面電
極７とが順次積層形成されている。そして、光はガラス
基板１側から入射する。
【００２１】上記したｐ型ａ−ＳｉＣ層３、ｉ型ａ−Ｓ
ｉ層４、ｎ型ａ−Ｓｉ層５、ノンドープのダイヤモンド
様炭素膜６はそれぞれグロー放電プラズマＣＶＤ法で形
成した。ｐ型ａ−ＳｉＣ層３、ｉ型ａ−Ｓｉ層４、ｎ型
ａ−Ｓｉ層５の形成条件を表１に示し、透光性緩衝層と
してのノンドープのダイヤモンド様炭素膜６の形成条件
を表２に示す。
ｉ層４、ｎ型ａ−Ｓｉ層５、ノンドープのダイヤモンド
様炭素膜６はそれぞれグロー放電プラズマＣＶＤ法で形
成した。ｐ型ａ−ＳｉＣ層３、ｉ型ａ−Ｓｉ層４、ｎ型
ａ−Ｓｉ層５の形成条件を表１に示し、透光性緩衝層と
してのノンドープのダイヤモンド様炭素膜６の形成条件
を表２に示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】
【表２】
【００２４】ノンドープのダイヤモンド様炭素膜６の屈
折率は、表２のすべてのパラメータに依存するが、この
実施の形態においては、特にＲＦパワーに強く依存し、
ＲＦパワーが大きくなるほど膜の屈折率は増加した。表
３に波長５００ｎｍにおけるノンドープのダイヤモンド
様炭素膜６の屈折率と導電率との関係を示す。また、光
電変換効率は、ノンドープのダイヤモンド様炭素膜６の
屈折率によって、表４のように変化した。尚、屈折率は
自記分光器を用いて測定した。
折率は、表２のすべてのパラメータに依存するが、この
実施の形態においては、特にＲＦパワーに強く依存し、
ＲＦパワーが大きくなるほど膜の屈折率は増加した。表
３に波長５００ｎｍにおけるノンドープのダイヤモンド
様炭素膜６の屈折率と導電率との関係を示す。また、光
電変換効率は、ノンドープのダイヤモンド様炭素膜６の
屈折率によって、表４のように変化した。尚、屈折率は
自記分光器を用いて測定した。
【００２５】
【表３】
【００２６】
【表４】
【００２７】表３よりノンドープのダイヤモンド様炭素
膜６は、屈折率が小さくなるほど導電率も小さくなって
いるが、導電率の減少は１桁程度である。また、ノンド
ープのダイヤモンド様炭素膜６の膜厚は７００オングス
トローム程度の膜厚であり、屈折率が小さいノンドープ
のダイヤモンド様炭素膜を用いても光起電力素子の電流
取り出しの損失の影響は少ない。
膜６は、屈折率が小さくなるほど導電率も小さくなって
いるが、導電率の減少は１桁程度である。また、ノンド
ープのダイヤモンド様炭素膜６の膜厚は７００オングス
トローム程度の膜厚であり、屈折率が小さいノンドープ
のダイヤモンド様炭素膜を用いても光起電力素子の電流
取り出しの損失の影響は少ない。
【００２８】上記した表４より、屈折率の小さいダイヤ
モンド様炭素膜を用いるほど、光電変換効率が向上する
ことが分かり、屈折率が２以下の場合には１０％以上の
光電変換効率が得られた。すなわち、介在させるダイヤ
モンド様炭素膜が光波長５００ｎｍにおける屈折率が２
以下であれば、従来の背面電極よりも更に高い反射率を
得ることができるので、光起電力素子の短絡電流ひいて
は光電変換効率を向上させることができる。
モンド様炭素膜を用いるほど、光電変換効率が向上する
ことが分かり、屈折率が２以下の場合には１０％以上の
光電変換効率が得られた。すなわち、介在させるダイヤ
モンド様炭素膜が光波長５００ｎｍにおける屈折率が２
以下であれば、従来の背面電極よりも更に高い反射率を
得ることができるので、光起電力素子の短絡電流ひいて
は光電変換効率を向上させることができる。
【００２９】また、この実施の形態において、主に基板
温度変化により、ノンドープのダイヤモンド様炭素膜６
中の水素量も変化させて、光電変換効率との関係を調べ
た。表５にその関係を示す。尚、膜中水素量はＳＩＭＳ
により測定した。
温度変化により、ノンドープのダイヤモンド様炭素膜６
中の水素量も変化させて、光電変換効率との関係を調べ
た。表５にその関係を示す。尚、膜中水素量はＳＩＭＳ
により測定した。
【００３０】
【表５】
【００３１】表５から明らかなように、ノンドープのダ
イヤモンド様炭素膜６の膜中水素量が１０ａｔ％以上７
０ａｔ％以下の場合には、良好な変換効率が得られた。
イヤモンド様炭素膜６の膜中水素量が１０ａｔ％以上７
０ａｔ％以下の場合には、良好な変換効率が得られた。
【００３２】上記した実施の形態においては、半導体層
として、非晶質シリコン系半導体膜を用いた光起電力素
子について説明したが、半導体層として、微結晶シリコ
ンまたは結晶系シリコン半導体膜を用いた光起電力素子
にもこの発明を適用することができる。
として、非晶質シリコン系半導体膜を用いた光起電力素
子について説明したが、半導体層として、微結晶シリコ
ンまたは結晶系シリコン半導体膜を用いた光起電力素子
にもこの発明を適用することができる。
【００３３】また、シリコンを主成分とする半導体層５
と背面電極７との間に介在させる透光性緩衝層として、
ここでは、ノンドープのダイヤモンド様炭素膜を用いた
が、炭素以外の他の４族元素、また例えば、炭素量の多
い非晶質カーボンゲルマニウムなどそれらの合金で構成
される層であっても良い。
と背面電極７との間に介在させる透光性緩衝層として、
ここでは、ノンドープのダイヤモンド様炭素膜を用いた
が、炭素以外の他の４族元素、また例えば、炭素量の多
い非晶質カーボンゲルマニウムなどそれらの合金で構成
される層であっても良い。
【００３４】次に、この発明の第２の実施の形態につき
説明する。図２は、この発明の第２の実施の形態の光起
電力素子を示す断面図である。この第２の実施の形態は
図１に示した実施の形態とはその形成順序が逆であるい
わゆる逆タイプ構造である。
説明する。図２は、この発明の第２の実施の形態の光起
電力素子を示す断面図である。この第２の実施の形態は
図１に示した実施の形態とはその形成順序が逆であるい
わゆる逆タイプ構造である。
【００３５】図２に示すように、Ａｇ等の背面電極基板
１０上に膜厚７００オングストロームの透光性緩衝層と
してのノンドープのダイヤモンド様炭素膜１１が設けら
れ、このダイヤモンド様炭素膜１１上に、膜厚４００オ
ングストロームのｎ型ａ−Ｓｉ層１２、膜厚２５００オ
ングストロームのｉ型ａ−Ｓｉ層膜１３、膜厚１００オ
ングストロームのｐ型ａ−ＳｉＣ層１４、膜厚７００オ
ングストロームのＩＴＯからなる透明電極１５が、順次
積層形成されている。さらに、透明電極１５上には金属
集電極１６が設けられている。そして、光は透明電極１
５側から入射する。
１０上に膜厚７００オングストロームの透光性緩衝層と
してのノンドープのダイヤモンド様炭素膜１１が設けら
れ、このダイヤモンド様炭素膜１１上に、膜厚４００オ
ングストロームのｎ型ａ−Ｓｉ層１２、膜厚２５００オ
ングストロームのｉ型ａ−Ｓｉ層膜１３、膜厚１００オ
ングストロームのｐ型ａ−ＳｉＣ層１４、膜厚７００オ
ングストロームのＩＴＯからなる透明電極１５が、順次
積層形成されている。さらに、透明電極１５上には金属
集電極１６が設けられている。そして、光は透明電極１
５側から入射する。
【００３６】この実施の形態においても、ノンドープの
ダイヤモンド様炭素膜１１は図１の実施例と同様の方法
で形成した。
ダイヤモンド様炭素膜１１は図１の実施例と同様の方法
で形成した。
【００３７】この実施の形態における光電変換効率とノ
ンドープのダイヤモンド様炭素膜１１の光波長５００ｎ
ｍにおける屈折率の関係を表６に示す。
ンドープのダイヤモンド様炭素膜１１の光波長５００ｎ
ｍにおける屈折率の関係を表６に示す。
【００３８】
【表６】
【００３９】図２に示す逆タイプ構造においては、ノン
ドープ様炭素膜挿入による背面側界面特性の向上の効果
のみならず、ダイヤモンド様炭素膜がプラズマ耐性、耐
化学性等に優れているため、光起電力素子形成方法の自
由度が大幅に改善されるので、光電変換効率がより一層
改善される。
ドープ様炭素膜挿入による背面側界面特性の向上の効果
のみならず、ダイヤモンド様炭素膜がプラズマ耐性、耐
化学性等に優れているため、光起電力素子形成方法の自
由度が大幅に改善されるので、光電変換効率がより一層
改善される。
【００４０】次に、この発明の第３の実施の形態につき
説明する。図３は、この発明の第３の実施の形態の光起
電力素子を示す断面図である。この第３の実施の形態
は、半導体層として化合物半導体を用いたものである。
説明する。図３は、この発明の第３の実施の形態の光起
電力素子を示す断面図である。この第３の実施の形態
は、半導体層として化合物半導体を用いたものである。
【００４１】図３に示すように、ガラス基板２０上に膜
厚８０００オングストロームのＭｏからなる背面電極２
１が設けられ、この背面電極２１上に、透光性緩衝層と
して膜厚９００オングストロームのノンドープのダイヤ
モンド様炭素膜２２、膜厚〜３μｍのＣＩＳ（ＣｕＩｎ
Ｓｅ2）層２３、膜厚２００オングストロームのＣｄＳ
層２４、膜厚３０００オングストロームのＺｎＯからな
る透明電極２５が、順次積層形成されている。そして、
光は透明電極２５側から入射する。
厚８０００オングストロームのＭｏからなる背面電極２
１が設けられ、この背面電極２１上に、透光性緩衝層と
して膜厚９００オングストロームのノンドープのダイヤ
モンド様炭素膜２２、膜厚〜３μｍのＣＩＳ（ＣｕＩｎ
Ｓｅ2）層２３、膜厚２００オングストロームのＣｄＳ
層２４、膜厚３０００オングストロームのＺｎＯからな
る透明電極２５が、順次積層形成されている。そして、
光は透明電極２５側から入射する。
【００４２】この実施の形態においても、ノンドープの
ダイヤモンド様炭素膜２２は図１の実施例と同様の方法
で形成した。
ダイヤモンド様炭素膜２２は図１の実施例と同様の方法
で形成した。
【００４３】この実施の形態においても、ノンドープの
ダイヤモンド様炭素膜を半導体層と背面電極との間に介
在させたことによる背面側の界面特性の向上の効果が見
られ、且つ、ダイヤモンド様炭素膜の優れた耐化学性等
により、光起電力素子形成方法の自由度が大幅に改善さ
れるので、光電変換効率が改善される。また、この実施
の形態においても、介在させるダイヤモンド様炭素膜が
光波長５００ｎｍにおける屈折率が２以下であれば、従
来の背面電極よりも更に高い反射率を得ることができる
ので、光起電力素子の短絡電流ひいては光電変換効率を
向上させることができる。
ダイヤモンド様炭素膜を半導体層と背面電極との間に介
在させたことによる背面側の界面特性の向上の効果が見
られ、且つ、ダイヤモンド様炭素膜の優れた耐化学性等
により、光起電力素子形成方法の自由度が大幅に改善さ
れるので、光電変換効率が改善される。また、この実施
の形態においても、介在させるダイヤモンド様炭素膜が
光波長５００ｎｍにおける屈折率が２以下であれば、従
来の背面電極よりも更に高い反射率を得ることができる
ので、光起電力素子の短絡電流ひいては光電変換効率を
向上させることができる。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように、この発明は、透光
性緩衝層を、シリコンと同じ周期律表４族元素である元
素またはその合金で構成することにより、透光性緩衝層
がシリコンを主成分とする半導体層と非常に類似した構
造を有することになる。そのため、従来用いられている
ＩＴＯやＳｎＯ2等の金属酸化物からなる透明導電膜に
比べて、シリコンを主成分とする半導体層との整合性が
非常によく、両者間の界面特性が良好になり、光起電力
素子の特性が改善される。
性緩衝層を、シリコンと同じ周期律表４族元素である元
素またはその合金で構成することにより、透光性緩衝層
がシリコンを主成分とする半導体層と非常に類似した構
造を有することになる。そのため、従来用いられている
ＩＴＯやＳｎＯ2等の金属酸化物からなる透明導電膜に
比べて、シリコンを主成分とする半導体層との整合性が
非常によく、両者間の界面特性が良好になり、光起電力
素子の特性が改善される。
【００４５】また、介在させる透光性緩衝層が光波長５
００ｎｍにおける屈折率が２以下であれば、従来の背面
電極よりも更に高い反射率を得ることができるので、光
起電力素子の短絡電流ひいては光電変換効率を向上させ
ることができる。
００ｎｍにおける屈折率が２以下であれば、従来の背面
電極よりも更に高い反射率を得ることができるので、光
起電力素子の短絡電流ひいては光電変換効率を向上させ
ることができる。
【図１】この発明の第１の実施の形態の光起電力素子を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】この発明の第２の実施の形態の光起電力素子を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３】この発明の第３の実施の形態の光起電力素子を
示す断面図である。
示す断面図である。
１ ガラス基板 ２ 透明電極 ３ ｐ型ａ−ＳｉＣ層 ４ ｉ型ａ−Ｓｉ層 ５ ｎ型ａ−Ｓｉ層 ６ ノンドープのダイヤモンド様炭素膜（透光性緩衝
層） ７ 背面電極
層） ７ 背面電極
Claims (6)
- 【請求項１】 光照射により光起電力を発生する半導体
層を備え、受光面に相対する背面に背面電極が設けられ
た光起電力素子であって、前記半導体層と背面電極との
間に、周期律表の４族元素またはその合金で構成される
透光性緩衝層を介在させたことを特徴とする光起電力素
子。 - 【請求項２】 前記半導体層はシリコンを主成分とする
半導体膜で形成されていることを特徴とする請求項１に
記載の光起電力素子。 - 【請求項３】 前記半導体層は化合物半導体膜で形成さ
れていることを特徴とする請求項１に記載の光起電力素
子。 - 【請求項４】 前記透光性緩衝層は、光波長５００ｎｍ
における屈折率が２以下であることを特徴とする請求項
１に記載の光起電力素子。 - 【請求項５】 前記透光性緩衝層は、ダイヤモンド様炭
素膜であることを特徴とする請求項１に記載の光起電力
素子。 - 【請求項６】 前記ダイヤモンド様炭素膜の膜中水素の
割合が１０％以上７０％以下であることを特徴とする請
求項５に記載の光起電力素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25624395A JP3342257B2 (ja) | 1995-10-03 | 1995-10-03 | 光起電力素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25624395A JP3342257B2 (ja) | 1995-10-03 | 1995-10-03 | 光起電力素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09102623A true JPH09102623A (ja) | 1997-04-15 |
| JP3342257B2 JP3342257B2 (ja) | 2002-11-05 |
Family
ID=17289932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25624395A Expired - Fee Related JP3342257B2 (ja) | 1995-10-03 | 1995-10-03 | 光起電力素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3342257B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009117463A (ja) * | 2007-11-02 | 2009-05-28 | Kaneka Corp | 薄膜光電変換装置 |
| JP2009147172A (ja) * | 2007-12-14 | 2009-07-02 | Kaneka Corp | 多接合型シリコン系薄膜光電変換装置 |
| JP2009193673A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-08-27 | Kaneka Corp | 透明導電膜の製造方法 |
| JP2009231781A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Kaneka Corp | 多接合型シリコン系薄膜光電変換装置 |
| JP2010087205A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Kaneka Corp | 多接合型薄膜光電変換装置 |
| CN101937949A (zh) * | 2010-07-28 | 2011-01-05 | 河北东旭投资集团有限公司 | 一种提高非晶硅太阳能电池转化效率的方法 |
| US20110073176A1 (en) * | 2009-09-29 | 2011-03-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Solar cell and method for manufacturing the same |
-
1995
- 1995-10-03 JP JP25624395A patent/JP3342257B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009117463A (ja) * | 2007-11-02 | 2009-05-28 | Kaneka Corp | 薄膜光電変換装置 |
| JP2009147172A (ja) * | 2007-12-14 | 2009-07-02 | Kaneka Corp | 多接合型シリコン系薄膜光電変換装置 |
| JP2009193673A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-08-27 | Kaneka Corp | 透明導電膜の製造方法 |
| JP2009231781A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Kaneka Corp | 多接合型シリコン系薄膜光電変換装置 |
| JP2010087205A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Kaneka Corp | 多接合型薄膜光電変換装置 |
| US20110073176A1 (en) * | 2009-09-29 | 2011-03-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Solar cell and method for manufacturing the same |
| CN101937949A (zh) * | 2010-07-28 | 2011-01-05 | 河北东旭投资集团有限公司 | 一种提高非晶硅太阳能电池转化效率的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3342257B2 (ja) | 2002-11-05 |
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