JPH09104112A - インクジェット記録ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

インクジェット記録ヘッド及びその製造方法

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JPH09104112A
JPH09104112A JP26307495A JP26307495A JPH09104112A JP H09104112 A JPH09104112 A JP H09104112A JP 26307495 A JP26307495 A JP 26307495A JP 26307495 A JP26307495 A JP 26307495A JP H09104112 A JPH09104112 A JP H09104112A
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JP
Japan
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insulating layer
heat generating
recording head
layer
ink jet
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JP26307495A
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Makoto Shibata
誠 柴田
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Canon Inc
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  • Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 低コストであり信頼性の高いインクジェット
記録ヘット。 【構成】 アルミニウムを用いた基板1の面上に蓄熱層
2を形成し、蓄熱層2の上の所定部分に発熱抵抗層4、
更に発熱抵抗層4の上に配線導体層3を形成し、この発
熱抵抗層4および配線導体層3が形成されていない部分
5で蓄熱層2はスリット状に除去し分離してある。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、インクジェット記
録装置に装着して、インクを吐出するインクジェット記
録ヘッド、及びその製造方法の技術分野に属するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】従来、インクジェット記録ヘッドの基板
には単結晶シリコン基板が利用されていた。これはガラ
ス等に比較して熱伝導性が良いことと、平坦性の良い蓄
熱層を兼ねた電気的絶縁層がシリコンの熱酸化法により
容易に形成でき、更に、インクを吐出させ記録する駆動
ICをその基板内に作り込めるなどの理由による。
【0003】しかし、材料コストが高く、必ずしも最良
の材料とは言えない。更に、現時点で容易に入手できる
単結晶シリコン基板サイズは8インチ(200mmΦ)
までで、更に長尺のヘッドを製作しようとすると基板を
つなぎ合わさざるえない。
【0004】このため、低コストで熱伝導性が良く、比
較的大きなサイズにまで対応できる金属基板が提案され
た。金属基板はバイト切削あるいは研磨により、フォト
リソグラフィーにより数10μmの薄膜パターンを形成
するのに十分な鏡面性が確保できる。また、ヘッドの駆
動素子は別の基板に形成し、ワイヤーボンディング等に
よりヘッドと接続することが可能である。
【0005】しかし、蓄熱層を兼ねた電気的絶縁層、あ
るいはヒーター上に形成された保護層は、インクを吐出
させるための抵抗体の加熱により一時的に数百度の高温
にさらされる。この高温に耐え得る薄膜材料としては一
般にSiO2 ,SiN,金属酸化物等の材料が使われ、
通常スパタリングやCVD法等で形成される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の様な材
料は金属に比して熱膨張率が小さく、基板の温度変化に
対して基板はバイメタルの様にソリを生じる。また、ス
パタリングやCVD法により無機膜を金属基板上に形成
すると、膜形成時の温度が一般に高温であることと、膜
自体に圧縮応力が存在するため常温では無機膜側を凸に
ソリが発生する。この状態の基板を平坦な支持体に接合
するなどして平坦化し、インクジェットヘッドを製作し
た場合、インクジェットプリンターの使用環境の温度変
化のなかでは信頼性を著しく低下させる。具体的には無
機膜のハガレやクラック、または基板ソリによるノズル
形成材料と基板間のハガレ等が生じる。
【0007】特にフルラインヘッドの様な長尺ヘッドで
はこの弊害は大きく、ヘッドの製作そのものが不可能に
なる。
【0008】本発明は、インクジェット記録ヘッドの製
造において低コストであり、長期的に信頼性が高いイン
クジェット記録ヘッド及びその製造方法を提供すること
を目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明のインクジェット
記録ヘッドは、(1)金属基板表面に第一の絶縁層を形
成し、この第一の絶縁層の上面に複数の発熱抵抗体と、
これらの各発熱抵抗体に接続される個別電極及び、共通
電極を具備した熱発生素子を設け、前記熱発生素子のす
べて、または一部を被覆する第二の絶縁層を配し、第二
の絶縁層上に、各熱発生素子に対応してインク滴を吐出
するためのノズルの形成されたインクジェット記録ヘッ
ドにおいて、第一の絶縁層が二酸化珪素、チッ化珪素、
または金属酸化物であって、第一の絶縁層が前記熱発生
素子の形成されていない部分でほぼ分離されていること
を特徴とするインクジェット記録ヘッド。
【0010】(2)前記第二の絶縁層が樹脂であること
を特徴とする(1)記載のインクジェット記録ヘッド。
【0011】(3)前記第二の絶縁層の樹脂がポリイミ
ド樹脂またはポリエーテルアミド樹脂であることを特徴
とする(2)記載のインクジェット記録ヘッド。
【0012】(4)前記第一の絶縁層のほぼ分離された
形状の形成が、発熱抵抗層の形状形成のためのエッチン
グ工程のレジストパターンを使用し、発熱抵抗層のパタ
ーニング工程と連続して行われることを特徴とする
(1)記載のインクジェット記録ヘッドを製造する製造
方法。
【0013】(5)前記第一の絶縁層を分離するための
エッチング工程の後、基板の焼鈍工程を行うことを特徴
とする(1)記載のインクジェット記録ヘッドを製造す
る製造方法。
【0014】(6)金属基板表面に第一の絶縁層を形成
し、この第一の絶縁層の上面に複数の発熱抵抗体と、こ
れらの各発熱抵抗体に接続される個別電極及び、共通電
極を具備した熱発生素子を設け、前記熱発生素子のすべ
て、または一部を被覆する第二の絶縁層を配し、第二の
絶縁層上に、各熱発生素子に対応してインク滴を吐出す
るためのノズルの形成されたインクジェット記録ヘッド
において、第二の絶縁層が二酸化珪素、チッ化珪素、ま
たは金属酸化物であって、第二の絶縁層が前記熱発生素
子の形成されていない部分でほぼ分離されていることを
特徴とするインクジェット記録ヘッド。
【0015】(7)前記第二の絶縁層の除去された部分
が、第二の絶縁層上に形成される樹脂の保護層または、
ノズル壁構成部材で被覆されていることを特徴とする
(6)記載のインクジェット記録ヘッド。
【0016】(8)前記第一の絶縁層及び第二の絶縁層
を分離するためのエッチング工程の後、基板の焼鈍工程
を行うことを特徴とする(6)記載のインクジェット記
録ヘッドを製造する製造方法。
【0017】(9)金属基板表面に第一の絶縁層を形成
し、この第一の絶縁層の上面に複数の発熱抵抗体と、こ
れらの各発熱抵抗体に接続される個別電極及び、共通電
極を具備した熱発生素子を設け、前記熱発生素子のすべ
て、または一部を被覆する第二の絶縁層を配し、第二の
絶縁層上に、各熱発生素子に対応してインク滴を吐出す
るためのノズルの形成されたインクジェット記録ヘッド
において、第一の絶縁層及び第二の絶縁層が二酸化珪
素、チッ化珪素、または金属酸化物であって、第一の絶
縁層及び第二の絶縁層が前記熱発生素子の形成されてい
ない部分でほぼ分離されていることを特徴とするインク
ジェット記録ヘッド。
【0018】(10)前記第一の絶縁層及び第二の絶縁
層の除去された部分が、第二の絶縁層上に形成される樹
脂の保護層または、ノズル壁構成部材で被覆されている
ことを特徴とする(9)記載のインクジェット記録ヘッ
ド。
【0019】(11)前記第一の絶縁層及び第二の絶縁
層を分離するためのエッチング工程の後、基板の焼鈍工
程を行うことを特徴とする(9)記載のインクジェット
記録ヘッドを製造する製造方法。
【0020】上記各項の構成によって、前記の目的を達
成するものである。
【0021】
【発明の実施の形態】本発明は上記課題を解決するため
になされたもので、無機の蓄熱層または保護層を、これ
らが必要となる配線及び抵抗体パターン部分以外でスリ
ット状に除去し、分離した。
【0022】以下、詳細を実施例により説明する。
【0023】
【実施例】
(実施例1)図1,図2は実施例1の製造方法の説明図
である。
【0024】まず、金属基板1として1mm厚、150
mm角のアルミニウム(Al)を使用した。Alはダイ
ヤバイトによる切削加工で容易に鏡面が得られる。これ
に蓄熱層2としてスパッタ法で二酸化シリコンを2.5
μm形成した(図1−a)。成膜装置より基板1を取り
出すと、この時点で若干のソリがある。次に基板上に発
熱抵抗体層4としてTa−Irを膜厚0.1μm、配線
である電極層3としてAlを膜厚0.6μmスパタリン
グ法により形成した(図1−b,b′)。
【0025】次に、レジスト(OFPA−800東京応
化製)を塗布し、レジストを露光、現像によりパターニ
ングし、これをマスクに電極層3をエッチング(Alは
東京応化製のC−6エッチング液を使用)し、次いで発
熱抵抗体層4のTa−Irを同様の方法でパターニング
し、スパッタエッチング法でエッチングし、発熱抵抗体
4を幅25μm、長さ100μmで、1ヘッド内の発熱
抵抗体数1024個の発熱素子群を形成した(図1−
b,b′)。
【0026】Ta−Irは耐酸化性、耐食性の優れた金
属で通電中にインクや空気に触れても劣化しないため、
保護膜を必要としない。
【0027】次に抵抗体パターン4より20μm幅広く
レジストパターンを形成し、SiO2 をRIE(エッチ
ングガスはCF4 )でパターニングし、レジストを除去
した後、340℃で焼鈍した。これにより、基板1のソ
リは解消した(図1−c)。次に、電極及び基板を保護
するため、ヒーター部及びワイヤーボンディング部を除
く全面をポリイミド樹脂(フォトニース)で覆った(図
1−d)。以上で発熱抵抗素子の形成されたヒーターボ
ード基板が完成する。
【0028】次にヒーターボード基板上にポジ型のレジ
スト(PMER−AR900東京応化製)を35μm厚
で塗布し、フォトリソ技術を用いてノズル及び液室部8
を形成し、液室部の高さを稼ぐため液室部のレジストの
上にスクリーン印刷により印刷剤(MA−830太陽イ
ンキ製)を150μm厚でパターニングした(図2−
e)。その後、インク供給口が形成された1mm厚のA
l天板9をヒーターボード基板1と位置合わせをして瞬
間接着剤(アロンアルファ)で両者を固定した。このと
き、ヒーターボード基板と天板との隙間は液室印刷剤が
スぺーサの役割をしている(図2−f)。
【0029】次に二者の隙間に常温硬化性樹脂を注入し
て硬化させ(図2−g)、1mm幅のダイヤバイトを取
りつけたダイサーで切断して、吐出口面を形成し、更に
ダイヤバイトで吐出口面を鏡面に仕上げ、次にエチルセ
ロソルブで液室印刷剤及び、ポジレジストのノズル型材
を除去し、最後に吐出口面に撥水剤(CTX)を塗布し
て吐出エレメントを完成した(図2−h)。そして最後
に、吐出エレメントをベースプレートに接着し発熱抵抗
体とヘッドの駆動素子の電気的接続をワイヤーボンディ
ングでとり、インク供給系を取りつけてヘッドを完成し
た。
【0030】このようにして製作したインクジェット記
録ヘッドは基板1と天板9が同一材料からできており、
無機の蓄熱層2が分離されていることから、製造工程内
の200℃程度の熱処理工程にも問題なく、また、ヘッ
ドとしての−30℃⇔+60℃の温度サイクル試験に対
して十分な信頼性が確保できた。
【0031】(実施例2)図3は実施例2の製造方法の
説明図である。
【0032】まず、金属基板1として1mm厚、150
mm角のAlを使用した。これに蓄熱層2として耐熱性
ポリイミド樹脂(デュポン パイラリン)を0.5μm
厚で形成した(図3−a)。次に基板1上に発熱抵抗体
層4としてHfB2 を膜厚0.1μm、電極層3として
Alを膜厚0.6μmスパタリング法により形成した
(図3−b)。次に、レジスト(OFPA−800東京
応化製)12を塗布し、レジストを露光、現像によりパ
ターニングし、これをマスクに電極層3をエッチング
(Alは東京応化製のC−6エッチング液を使用)し、
次いでHfB2 を同様の方法でパターニングし、RIE
(エッチングガスはCF4 )によりパターニングした。
【0033】次に、第1の保護層12としてスパッタ法
でSiO2 を膜厚1.0μm形成し、更に第2の保護層
13としてTaを膜厚0.5μm形成した(図3−
c)。
【0034】次に、第2の保護層13上にレジスト(O
FPA−800東京応化製)を塗布し、レジストを露
光、現像によりパターニングし、発熱抵抗体4上を覆う
長方形のパターンをエッチングにより形成する。エッチ
ングは反応性イオンエッチングで行い、エッチングガス
として、CF4 を使用した。
【0035】次に、実施例1と同様に、電極、発熱抵抗
体に電気的接続をするためのワイヤーボンディングパッ
トと配線部の間の第1の保護層12を除去するために、
フォトリソ技術を用い第2の保護層13と同様の方法で
エッチングしてスルホール14を形成した(図3−
d)。
【0036】以後は実施例1と同様にノズル工程以降を
実施し、ヘッドを製作した。
【0037】本ヘッドは配線間のSiO2 を除去しなか
った場合配線パターンの段差部で膜にクラックが発生し
たのに対し、今回試作したヘッドではこのようなことは
まったくなかった。
【0038】(実施例3)図4は、実施例3の製造方法
の説明図である。
【0039】まず、金属基板1として1mm厚、150
mm角のAlを使用した。これにスパッタ法で二酸化シ
リコンを2.5μm形成した(図4−a)。成膜装置よ
り基板を取り出すと、この時点で若干のソリがある。次
に基板1上に発熱抵抗体層4としてHfB2 を膜厚0.
1μm、電極層3としてAlを膜厚0.6μmスパタリ
ング法により形成し(図4−b)、次に、レジスト(O
FPA−800東京応化製)を塗布し、レジストを露
光、現像によりパターニングし、これをマスクに電極層
をエッチング(Alは東京応化製のC−6エッチング液
を使用)し、次いでHfB2 を同様の方法でパターニン
グし、RIEによりエッチングし、発熱抵抗体を幅25
μm、長さ100μmで、1ヘッド内の発熱抵抗体数1
024個の発熱素子群を形成した。
【0040】次に、第1の保護層12としてスパッタ法
でSiO2 を膜厚1.0μm形成し、更に第2の保護層
13としてTaを膜厚0.5μm形成した(図4−
c)。
【0041】次に、第2の保護層13上にレジスト(O
FPA−800東京応化製)を塗布し、レジストを露
光、現像によりパターニングし、発熱抵抗体4上を覆う
長方形パターンをエッチングにより形成する。エッチン
グはRIE(反応性イオンエッチング)で行い、エッチ
ングガスとして、CF4 を使用した。
【0042】次に、実施例1と同様に、電極3、発熱抵
抗体4に電気的接続をするためのワイヤーボンディング
パット(不図示)と配線部の間14の第1の保護層12
を除去するために、フォトリソ技術を用い第2の保護層
13と同様の方法でエッチングした(図4−d)。
【0043】以後は実施例1と同様にノズル工程以降を
実施し、ヘッドを製作した。
【0044】この時Alの露出する部分をなくすため露
出部分はフォトニースまたは注型樹脂(ノズル壁で覆わ
れる部分)でカバーした(図4−e)。Alはインクに
よりインク中に溶出したり腐食したりするためである。
【0045】本ヘッドは配線間のSiO2 を除去しなか
った場合は配線パターンの段差部で膜にクラックが発生
したのに対し、今回試作したヘッドではこのようなこと
はまったくなかった。
【0046】(実施例4)図5は、実施例4の製造方法
の説明図である。
【0047】まず、金属基板1として1mm厚、150
mm角のステンレス板を使用した。これにスパッタ法で
二酸化シリコンを2.5μm形成した。成膜装置より基
板を取り出すと、この時点で若干のソリがある。次に基
板1上に発熱抵抗体層4としてTa−Irを膜厚0.1
μm、電極層3としてAlを膜厚0.6μmスパタリン
グ法により形成し(図5−a)。
【0048】次に、レジスト(OFPA−800東京応
化製)を塗布し、レジストを露光、現像によりパターニ
ングし、これをマスクに電極層3をエッチング(Alは
東京応化製のC−6エッチング液を使用)し、次いでT
a−Irを同様の方法でパターニングし、スパッタエッ
チング法でエッチングし、更に、SiO2 層をRIEで
エッチングし、発熱抵抗体を幅25μm、長さ100μ
mで、1ヘッド内の発熱抵抗体数1024個の発熱素子
群を形成した(図5−b)。この製法を使うと、2回の
レジストワークで3層のパターンを形成できる。その
後、340℃で焼鈍した。これにより、基板のソリは解
消した。
【0049】次に、電極3及び基板1を保護するため、
ヒーター部及びワイヤーボンディング部を除く全面をポ
リイミド樹脂(フォトニース)で覆った(図5−c)。
以上で発熱抵抗素子の形成されたヒーターボード基板が
完成する。
【0050】以後は実施例1と同様にノズル工程以降を
実施し、ヘッドを製作した。
【0051】このようにして製作したインクジェット記
録ヘッドは基板と天板が同一部材からできており、無機
の蓄熱層が分離されていることから、製造工程内の20
0℃程度の熱処理工程にも問題なく、また、ヘッドとし
ての−30℃⇔+60℃の温度サイクル試験に対して十
分な信頼性が確保できた。
【0052】
【発明の効果】以上説明したように、金属基板に対し積
層される無機膜は、成膜時に内部応力を持ち、更に熱膨
張率が金属より1桁小さいため、金属基板を反らないよ
う固定すると、温度変化に対し、無機膜の応力が圧縮か
ら引っ張りまで大きく変化し、膜のハガレやクラックが
生じる。本発明は、これを回避するため、無機膜をスリ
ット状に分離することにより、低コストで長期的に信頼
性の高いインクジェット記録ヘッドを提供できる。
【0053】実施例では1ノズル毎にスリットを形成し
たが、これは数ノズルおきに無機膜を分離しても効果は
期待できる。また一部分でスリットがつながった形状で
あってもスリットを形成しない場合より効果は絶大であ
る。本構造は基板に対して蓄熱層あるいは保護層の熱膨
張率が異なる場合すべてに適応できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施例1の工程説明図である。 (a)蓄熱層積層後の断面図 (b)配線/抵抗体形成後の断面図 (b′)配線/抵抗体形成後の平面図 (c)蓄熱層分離後の断面図 (c′)蓄熱層分離後の平面図 (d)保護層形成後の断面図 (d′)保護層形成後の平面図
【図2】 本発明の実施例1の工程説明図である。 (e)ノズル型材,液室型材形成後の断面図 (e′)ノズル型材,液室型材形成後の平面図 (f)天板接合後の断面図 (g)注型後の断面図 (h)撥水処理後の断面図
【図3】 本発明の実施例2の工程説明図である。 (a)蓄熱層積層後の断面図 (b)配線/抵抗体形成後の断面図 (b′)配線/抵抗体形成後の平面図 (c)保護膜形成後の断面図 (c′)保護膜形成後の平面図 (d)保護膜分離後の断面図 (d′)保護膜分離後の平面図
【図4】 本発明の実施例3の工程説明図である。 (a)蓄熱層積層後の断面図 (b)配線/抵抗体形成後の断面図 (b′)配線/抵抗体形成後の平面図 (c)保護膜形成後の断面図 (c′)保護膜形成後の平面図 (d)蓄熱層,保護膜分離後の断面図 (d′)蓄熱層,保護膜分離後の平面図 (e)樹脂層形成後の平面図
【図5】 本発明の実施例4の工程説明図である。 (a)Al配線パターニング後の断面図 (a′)Al配線パターニング後の平面図 (b)抵抗層及び蓄熱層のパターニング後の断面図 (b′)抵抗層及び蓄熱層のパターニング後の平面図 (c)樹脂保護層形成後の断面図
【符号の説明】
1 金属基板 2 蓄熱層 3 配線 4 抵抗層 5 蓄熱層分離部 6 保護層 7 ノズル型材 8 液室型材 9 天板 10 注型材 11 撥水剤 12 第1の保護層 13 第2の保護層 14 保護層の分離部 15 樹脂層 16 ノズル壁形成部 X−Y 吐出口形成位置
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成8年5月31日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施例1の工程説明図である。 (a)蓄熱層積層後の断面図 (b)配線/抵抗体形成後の断面図および平面図 (c)蓄熱層分離後の断面図および平面図 (d)保護層形成後の断面図および平面図
【図2】 本発明の実施例1の工程説明図である。 (e)ノズル型材,液室型材形成後の断面図および平面
(f)天板接合後の断面図 (g)注型後の断面図 (h)撥水処理後の断面図
【図3】 本発明の実施例2の工程説明図である。 (a)蓄熱層積層後の断面図 (b)配線/抵抗体形成後の断面図および平面図 (c)保護膜形成後の断面図および平面図 (d)保護膜分離後の断面図および平面図
【図4】 本発明の実施例3の工程説明図である。 (a)蓄熱層積層後の断面図 (b)配線/抵抗体形成後の断面図および平面図 (c)保護膜形成後の断面図および平面図 (d)蓄熱層,保護膜分離後の断面図および平面図 (e)樹脂層形成後の平面図
【図5】 本発明の実施例4の工程説明図である。 (a)Al配線パターニング後の断面図および平面図 (b)抵抗層及び蓄熱層のパターニング後の断面図およ
び平面図 (c)樹脂保護層形成後の断面図
【符号の説明】 1 金属基板 2 蓄熱層 3 配線 4 抵抗層 5 蓄熱層分離部 6 保護層 7 ノズル型材 8 液室型材 9 天板 10 注型材 11 撥水剤 12 第1の保護層 13 第2の保護層 14 保護層の分離部 15 樹脂層 16 ノズル壁形成部 X−Y 吐出口形成位置
【手続補正2】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 金属基板表面に第一の絶縁層を形成し、
    この第一の絶縁層の上面に複数の発熱抵抗体と、これら
    の各発熱抵抗体に接続される個別電極及び、共通電極を
    具備した熱発生素子を設け、前記熱発生素子のすべて、
    または一部を被覆する第二の絶縁層を配し、第二の絶縁
    層上に、各熱発生素子に対応してインク滴を吐出するた
    めのノズルの形成されたインクジェット記録ヘッドにお
    いて、第一の絶縁層が二酸化珪素、チッ化珪素、または
    金属酸化物であって、第一の絶縁層が前記熱発生素子の
    形成されていない部分でほぼ分離されていることを特徴
    とするインクジェット記録ヘッド。
  2. 【請求項2】 前記第二の絶縁層が樹脂であることを特
    徴とする請求項1記載のインクジェット記録ヘッド。
  3. 【請求項3】 前記第二の絶縁層の樹脂がポリイミド樹
    脂またはポリエーテルアミド樹脂であることを特徴とす
    る請求項2記載のインクジェット記録ヘッド。
  4. 【請求項4】 前記第一の絶縁層のほぼ分離された形状
    の形成が、発熱抵抗層の形状形成のためのエッチング工
    程のレジストパターンを使用し、発熱抵抗層のパターニ
    ング工程と連続して行われることを特徴とする請求項1
    記載のインクジェット記録ヘッドを製造する製造方法。
  5. 【請求項5】 前記第一の絶縁層を分離するためのエッ
    チング工程の後、基板の焼鈍工程を行うことを特徴とす
    る請求項1記載のインクジェット記録ヘッドを製造する
    製造方法。
  6. 【請求項6】 金属基板表面に第一の絶縁層を形成し、
    この第一の絶縁層の上面に複数の発熱抵抗体と、これら
    の各発熱抵抗体に接続される個別電極及び、共通電極を
    具備した熱発生素子を設け、前記熱発生素子のすべて、
    または一部を被覆する第二の絶縁層を配し、第二の絶縁
    層上に、各熱発生素子に対応してインク滴を吐出するた
    めのノズルの形成されたインクジェット記録ヘッドにお
    いて、第二の絶縁層が二酸化珪素、チッ化珪素、または
    金属酸化物であって、第二の絶縁層が前記熱発生素子の
    形成されていない部分でほぼ分離されていることを特徴
    とするインクジェット記録ヘッド。
  7. 【請求項7】 前記第二の絶縁層の除去された部分が、
    第二の絶縁層上に形成される樹脂の保護層または、ノズ
    ル壁構成部材で被覆されていることを特徴とする請求項
    6記載のインクジェット記録ヘッド。
  8. 【請求項8】 前記第一の絶縁層及び第二の絶縁層を分
    離するためのエッチング工程の後、基板の焼鈍工程を行
    うことを特徴とする請求項6記載のインクジェット記録
    ヘッドを製造する製造方法。
  9. 【請求項9】 金属基板表面に第一の絶縁層を形成し、
    この第一の絶縁層の上面に複数の発熱抵抗体と、これら
    の各発熱抵抗体に接続される個別電極及び、共通電極を
    具備した熱発生素子を設け、前記熱発生素子のすべて、
    または一部を被覆する第二の絶縁層を配し、第二の絶縁
    層上に、各熱発生素子に対応してインク滴を吐出するた
    めのノズルの形成されたインクジェット記録ヘッドにお
    いて、第一の絶縁層及び第二の絶縁層が二酸化珪素、チ
    ッ化珪素、または金属酸化物であって、第一の絶縁層及
    び第二の絶縁層が前記熱発生素子の形成されていない部
    分でほぼ分離されていることを特徴とするインクジェッ
    ト記録ヘッド。
  10. 【請求項10】 前記第一の絶縁層及び第二の絶縁層の
    除去された部分が、第二の絶縁層上に形成される樹脂の
    保護層または、ノズル壁構成部材で被覆されていること
    を特徴とする請求項9記載のインクジェット記録ヘッ
    ド。
  11. 【請求項11】 前記第一の絶縁層及び第二の絶縁層を
    分離するためのエッチング工程の後、基板の焼鈍工程を
    行うことを特徴とする請求項9記載のインクジェット記
    録ヘッドを製造する製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7677696B2 (en) 2004-03-31 2010-03-16 Canon Kabushiki Kaisha Liquid discharge head

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