JPH09104885A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 摩擦係数値が低く、長時間記録再生しても出
力が変動しない磁気記録媒体の提供。 【解決手段】 本発明の磁気記録媒体は、非磁性支持体
上に少なくとも磁性層を有してなり、且つ下記式（１）
で表される含フッ素カルボン酸エステルを含有すること
を特徴とする。 【化１】 （式中、Ｒ₁ は、炭素数１〜３０の直鎖又は分岐鎖のア
ルキル基を示し、Ｒ₂ は、炭素数１〜３０の直鎖又は分
岐鎖のアルキレン基を示し、Ｒ_f1は、炭素数１〜３０の
直鎖又は分岐鎖のフルオロアルキレン基を示し、Ｒ_f2は
炭素数１〜３０の直鎖又は分岐鎖のフルオロアルキル基
を示し、ＸはＨ又はＦを示す。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録媒体に関す
るものであり、更に詳しくは、摩擦係数値が低く、耐久
性の向上した磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】磁気記
録媒体における高記録密度化は、磁気特性を向上させる
こと、磁性層を薄膜化すること、あるいは磁性層表面の
平滑性を高めることで達成される。しかしながら、磁性
層の薄膜化あるいは表面の平滑性の向上により、摺動時
における磁性層のヘッドとの接触による磨耗、及び走行
時の摩擦係数の上昇といった問題が生じる。具体的には
その中で次の２点が大きな問題としてクローズアップさ
れている。

【０００３】（１）ＶＴＲをポーズ状態で動作させたと
きの磁性層の磨耗を防ぎ、出力の劣化を抑える。（スチ
ル耐久性） （２）繰り返し記録再生の往復運動をさせた場合におけ
る摩擦係数の上昇を抑える。

【０００４】そこで、これらの問題点を改善するために
種々の潤滑剤、例えば高級脂肪酸やそのエステル等の使
用が提案されている。この場合、潤滑剤の塗布量は、ほ
ぼ単分子レベルに制限されること、また、特に金属薄膜
型磁気記録媒体では潤滑剤の補充がきかないことから、
潤滑剤は磁性層上で熱的及び化学的に安定性であること
が要求される。しかし、市販の潤滑剤ではそれらの潤滑
特性を十分に満足させることができず、新規な潤滑剤あ
るいは潤滑剤組成物の開発の重要性が指摘されている。

【０００５】かかる新規な潤滑剤として、フッ素系潤滑
剤が近年盛んに用いられている。例えば、市販のフッ素
系潤滑剤として、下記の化学構造を有するダイキン工業
製のデムナムＳＡやアオジモント社製のフォンブリンＺ
ＤＯＬ等が知られている。

【０００６】

【化３】

【０００７】これらのフッ素系潤滑剤は、耐久性が良好
ではあるものの、繰り返し記録再生の往復運動をさせた
場合における摩擦係数の上昇を抑えることはできない。
そこで、特開平４−１７８３５７号公報及び特開平４−
２７１０１３号公報においては、アルキル基とフルオロ
アルキル基とを併せもつ含フッ素化合物を用いて磁気記
録媒体の滑り性及び耐久性を向上させることが提案され
ている。しかしながら、磁気記録媒体の益々の高記録密
度化に伴い、かかる潤滑剤を用いても決して満足すべき
滑り性及び耐久性が得られていないのが現状である。

【０００８】従って、本発明の目的は、摩擦係数値が低
く、長時間記録再生しても出力が変動しない磁気記録媒
体を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく、
本発明者らは鋭意検討したところ、特定の含フッ素カル
ボン酸エステル系潤滑剤を用いることにより、摩擦係数
値が低減化し、出力変動のない磁気記録媒体が得られる
ことを知見した。

【００１０】本発明は、上記知見に基づきなされたもの
であり、非磁性支持体上に少なくとも磁性層を有してな
り、且つ下記式（１）で表される含フッ素カルボン酸エ
ステルを含有することを特徴とする磁気記録媒体を提供
することにより、上記目的を達成したものである。

【００１１】

【化４】 （式中、Ｒ₁ は、炭素数１〜３０の直鎖又は分岐鎖のア
ルキル基を示し、Ｒ₂ は、炭素数１〜３０の直鎖又は分
岐鎖のアルキレン基を示し、Ｒ_f1は、炭素数１〜３０の
直鎖又は分岐鎖のフルオロアルキレン基を示し、Ｒ
_f2は、炭素数１〜３０の直鎖又は分岐鎖のフルオロアル
キル基を示し、Ｘは、Ｈ又はＦを示す。）

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の磁気記録媒体につ
いて詳細に説明する。本発明の磁気記録媒体に用いられ
る、上記式（１）で表される含フッ素カルボン酸エステ
ルについて説明すると、該含フッ素カルボン酸エステル
は、磁気記録媒体における潤滑剤として用いられるもの
である。上記式（１）中、Ｒ₁ は、炭素数１〜３０のア
ルキル基である。該アルキル基は、直鎖でもよく又は分
岐鎖でもよい。また、該アルキル基中の炭素数は好まし
くは１〜２０であり、更に好ましくは１〜１５である。
該アルキル基の特に好ましい例としては、ＣＨ₃ 、Ｃ₂
Ｈ₅ 、Ｃ₃ Ｈ₇ 、Ｃ₅ Ｈ₁₁及びＣ₁₀Ｈ₂₁等を挙げること
ができる。

【００１３】また、上記式（１）中、Ｒ₂ は、炭素数１
〜３０のアルキレン基である。この場合、Ｒ₂ における
アルキレン基は同一でもよく又は異なってもよい。ま
た、該アルキレン基は、直鎖でもよく又は分岐鎖でもよ
い。更に、該アルキレン基中の炭素数は好ましくは１〜
２０であり、更に好ましくは１〜１５である。該アルキ
レン基の特に好ましい例としては、Ｃ₂ Ｈ₄ 、Ｃ
₅ Ｈ₁₀、Ｃ₇ Ｈ₁₄及びＣ₁₅Ｈ₃₀等を挙げることができ
る。

【００１４】また、上記式（１）中、Ｒ_f1は、炭素数１
〜３０のフルオロアルキレン基である。該フルオロアル
キレン基は、直鎖でもよく又分岐鎖でもよい。また、該
フルオロアルキレン基中の炭素数は好ましくは１〜２０
であり、更に好ましくは２〜１５である。該フルオロア
ルキレン基の特に好ましい例としては、Ｃ₂ Ｆ₄ 、Ｃ ₅
Ｆ₁₀、Ｃ₈ Ｆ₁₆、（ＣＦ₃)₂ Ｃ（ＣＦ₂)₆ 及びＣ₁₅Ｆ₃₀
等を挙げることができる。

【００１５】また、上記式（１）中、Ｒ_f2は、炭素数１
〜３０のフルオロアルキル基である。該フルオロアルキ
ル基は、直鎖でもよく又は分岐鎖でもよい。また、該フ
ルオロアルキル基中の炭素数は好ましくは１〜２０であ
り、更に好ましくは２〜１５である。該フルオロアルキ
ル基の特に好ましい例としては、Ｃ₆ Ｆ₁₃、Ｃ₇ Ｆ₁₅、
（ＣＦ₃)₂ ＣＦ（ＣＦ₂)₆ 、Ｃ₁₀Ｆ₂₁及びＣ₁₅Ｆ₃₁等を
挙げることができる。

【００１６】また、上記式（１）中、ＸはＨ又はＦであ
る。該Ｘは、上記置換基Ｒ₁ 、Ｒ₂、Ｒ_f1及びＲ_f2の種
類等に応じて、Ｈである場合とＦである場合とがある。

【００１７】上記式（１）で表される含フッ素カルボン
酸エステルの特に好ましい具体例としては、３，３，
４，４−テトラフルオロペンタン酸−２−（パーフルオ
ロヘキシル）エチル、４，４，５，５−テトラフルオロ
ヘキサン酸−２−（パーフルオロヘキシル）エチル、
４，４，５，５，６，６，７，７，８，８−デカフルオ
ロデカン酸−５−（パーフルオロヘプチル）ペンチル、
３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，
９，９，１０，１０，１１，１１−ヘプタデカフルオロ
トリデカン酸−７−（パーフルオロヘプチル）ヘプチ
ル、４，４，５，５，６，６，７，７−オクタフルオロ
ヘプタデカン酸−７−（パーフルオロデシル）ヘプチ
ル、４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９
−ドデカフルオロ−９−トリフルオロメチルオクタデカ
ン酸−７−（パーフルオロデシル）ヘプチル、４，４，
５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１
０，１１，１１，１２，１２，１３，１３，１４，１
４，１５，１５，１６，１６−ヘキサコサフルオロヘン
エイコサン酸−１５−（パーフルオロイソノニル）ペン
タデシル等を挙げることができる。

【００１８】上記式（１）で表される含フッ素カルボン
酸エステルの分子量に特に制限はないが、一般的な範囲
としての分子量は、５００〜５０００程度であることが
好ましい。該分子量が５００に満たないと十分な潤滑性
が得られず、５０００を超えると末端基の効果が十分に
発揮されない場合があるので、上記範囲内とすることが
好ましい。

【００１９】上記式（１）で表される含フッ素カルボン
酸エステルは、その分子中に、アルキル基（Ｒ₁ ）及び
アルキレン基（Ｒ₂ ）並びにフルオロアルキル基
（Ｒ_f2）及びフルオロアルキレン基（Ｒ_f1）を含有して
いる。この場合、上記アルキル基及び上記アルキレン基
は潤滑剤の特性のうちの滑り性（磁気記録媒体の摩擦係
数値）に寄与し、一方、上記フルオロアルキル基及び上
記フルオロアルキレン基は潤滑剤の特性のうちの耐久性
（磁気記録媒体の出力変動）に寄与している。そして、
本発明においては、特定のアルキル基及びアルキレン基
並びにフルオロアルキル基及びフルオロアルキレン基
を、潤滑剤の主骨格としてのカルボン酸エステルと共に
用いることにより、潤滑剤の滑り性及び耐久性を向上さ
せている。

【００２０】次に、上記式（１）で表される含フッ素カ
ルボン酸エステルの合成方法について説明すると、該式
（１）で表される含フッ素カルボン酸エステルは、例え
ば、下記に示す反応式〔Ｉ〕に従って、容易に合成する
ことができる。

【００２１】

【化５】

【００２２】即ち、上記式（１）で表される含フッ素カ
ルボン酸エステルは、アルキルフルオロアルキルヨーダ
イド（ａ）とアクリル酸フルオロアルキルアルキルエス
テル（ｂ）とを、少量のヨウ素存在下、１４５℃で加熱
反応させ、得られた化合物（ｃ）を、塩化水素ガスで飽
和させたエタノールに溶かし、亜鉛粉末を加えて７０℃
で反応させ、更に、亜鉛粉末をろ別後、精製することに
より得られる。なお、上記アクリル酸フルオロアルキル
アルキルエステル（ｂ）の原料となるカルボン酸は、
Ｎ．Ｏ．Ｂｒａｃｅらの方法〔Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．
Ｖｏｌ．２７，Ｐ４４９１（１９６２）〕により容易に
合成することができる。

【００２３】上記式（１）で表される含フッ素カルボン
酸エステルは、好ましくは、本発明の磁気記録媒体にお
ける磁性層上に直接薄膜状に適用されるか、又は該磁性
層上に設けられた保護層を介して薄膜状に適用され、潤
滑剤層として作用する。即ち、上記式（１）で表される
含フッ素カルボン酸エステルは、上記磁性層上に設けら
れた潤滑剤層として存在する（上記磁性層上に保護層が
設けられているときには、該保護層上に設けられた潤滑
剤層として存在する）。上記含フッ素カルボン酸エステ
ルの適用方法に特に制限は無く、例えば、超音波発振器
を備えた噴霧器を用いた湿式塗布法や、真空蒸着等の乾
式塗布方法を用いることができる。

【００２４】本発明の磁気記録媒体における、上記含フ
ッ素カルボン酸エステルの含有量（付着量）は、磁気記
録媒体の形態（テープ、ディスク）等に応じて適宜調節
することができるが、一般的な範囲としての含有量（付
着量）は、磁気記録媒体の表面１ｍ² 当たり、０．０５
〜１００ｍｇであることが好ましく、１〜５０ｍｇであ
ることが更に好ましい。該含有量（付着量）が０．０５
ｍｇ／ｍ² に満たないと、十分な潤滑性、耐久性が得ら
れず、ヘッドやテープを傷付ける場合があり、１００ｍ
ｇ／ｍ² を超えると、テープのはり付きや、ヘッド目づ
まりを起こす場合があるので、上記範囲内とすることが
好ましい。

【００２５】また、本発明においては、上記含フッ素カ
ルボン酸エステルは単独で使用してもよく、又は通常磁
気記録媒体に用いられている潤滑剤と併用してもよい。
更には、必要に応じて他の添加剤、例えば、フェノール
類、キノン類及びナフトール類並びに窒素原子、酸素原
子又は硫黄原子を含む複素還化合物等と併用してもよ
い。これらの場合、上記潤滑剤や添加剤は、上記含フッ
素カルボン酸エステル１００重量部に対して、１〜３０
重量部添加することが好ましい。

【００２６】上述の通り、本発明の磁気記録媒体は、非
磁性支持体上に少なくとも磁性層を有してなるものであ
る。該磁性層としては、例えば、磁性粉及びバインダー
を含有する磁性塗料を上記非磁性支持体上に塗布して形
成された塗布型磁性層や、スパッタリング、真空蒸着又
はイオンプレーティング等の物理的気相成長法（ＰＶＤ
法）により形成された金属薄膜型磁性層を用いることが
できる。これらの磁性層のうち、金属薄膜型磁性層を用
いることが特に好ましい。

【００２７】かかる金属薄膜型磁性層について説明する
と、該磁性層を形成する金属としては、例えばＦｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ
合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−
Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合
金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、ある
いはこれらにＡｌ等の金属を含有させたもの等が用いら
れる。また、Ｆｅ−Ｎ、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ、Ｆｅ−Ｃ、Ｆｅ
−Ｃ−Ｏなども用いられる。なお、上記金属薄膜の形成
時に酸化性ガスを供給して、上記金属薄膜の表面に、酸
化膜からなる保護層を形成することが好ましい。

【００２８】上記磁性層は、１層の金属薄膜から構成さ
れていてもよく、又は２層以上の金属薄膜から構成され
ていてもよい。上記磁性層が２層以上の金属薄膜から構
成される場合、各金属薄膜の材質は同一でもよく、又は
異なっていてもよい。また、上記磁性層は、その全体の
厚さが一般に５００〜５０００Åであることが好まし
い。

【００２９】また、上記磁性層がその上に設けられる支
持体としては、公知の非磁性支持体を特に制限なく用い
ることができる。具体的には、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニレンサル
ファイド、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミ
ド、ポリアミドイミド、ポリスルフォン、アラミド、芳
香族ポリアミド等の公知の樹脂；アルミニウムや銅等の
金属；紙等を使用することができる。形態は、フィル
ム、テープ、シート、ディスク、ドラム等の何れでもよ
い。上記支持体には、磁性層を設ける前に、大気中及び
／又は真空中においてその表面に予めコロナ放電処理、
プラズマ処理、易接着処理、熱処理、除塵処理、ボンバ
ード処理などを行うこともできる。上記支持体の好まし
い厚さは、１〜３００μｍである。

【００３０】また、上記磁性層上に保護層を設ける場
合、該保護層は、一般に真空中で、カーボン若しくは炭
化物、窒化物又は酸化物、特に、ダイヤモンドライクカ
ーボン、ダイヤモンド、炭化ホウ素、炭化ケイ素、窒化
ホウ素、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化クロム又は酸化
アルミニウム等を成膜することにより形成される。上記
保護層としては、アモルファス状、グラファイト状若し
くはダイアモンド状又はそれらの混合状態又は積層状態
のカーボン薄膜層を用いることが特に好ましい。上記保
護層の厚さに特に制限はないが、一般的な厚さとして３
０〜３００Åであることが好ましい。上記保護層の形成
法としては、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）及びＰＶＤ
法の何れでもよい。ＣＶＤ法では特にマイクロ波を用い
たＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance) 法や、高周
波（ＲＦ）を用いた方法が有効である。ＣＶＤ法により
上記保護層を形成する場合、原料はガス状、液状及び固
体状の何れのものを用いてもよい。

【００３１】本発明の磁気記録媒体においては、上記保
護層の他に必要に応じて、他の層を設けることもでき
る。例えば、上記支持体と上記磁性層との間に、両者の
密着性を向上せしめるためのアンダーコート層を設けた
り、上記支持体の面のうち上記磁性層が形成される面と
は反対の面に、磁気記録媒体の走行性や耐久性等を向上
せしめるためのバックコート層を設けることができる。

【００３２】また、上記含フッ素カルボン酸エステル
は、必要に応じて上記バックコート層上に適用すること
もできる。この場合、該バックコート層としては、塗布
型及び金属薄膜型の何れでもよいが、金属薄膜型のバッ
クコート層であることが好ましい。該金属薄膜型のバッ
クコート層は、一般に、Ａｌ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｍ
ｏ、Ｍｎ若しくはＺｎ等又はこれらの合金若しくは酸化
物等を成膜することにより形成される。上記バックコー
ト層の厚さは一般に５００〜１００００Åであることが
好ましい。また、上記バックコート層における上記含フ
ッ素カルボン酸エステルの付着量、形成方法及び添加剤
等については、上記磁性層側に関して詳述した説明が同
様に適用される。

【００３３】本発明の磁気記録媒体は、テープ、ディス
ク、ドラム、シート及びその他の形態で使用されるが、
特に磁気テープの形態で使用されることが好ましい。

【００３４】上述の説明以外に、特に詳述しなかった点
については、従来の磁気記録媒体に関する説明が適宜適
用される。また、上記式（１）で表される含フッ素カル
ボン酸エステルにおいては、Ｘとして、Ｈ又はＦ以外
に、パーフルオロアルキルアルキル基、アルキルパーフ
ルオロアルキル基、パーフルオロアルキルアルキルオキ
シ基、アルキルパーフルオロアルキルオキシ基、パーフ
ルオロアルキルオキシアルキル基、アルキルオキシパー
フルオロアルキル基、パーフルオロアルキルオキシアル
キルオキシ基、アルキルオキシパーフルオロアルキルオ
キシ基を用いてもよい。また、Ｒ₁ Ｒ_f1−基に代えて、
Ｒ₁ Ｒ_f1Ｏ−、Ｒ₁ ＯＲ_f1−、Ｒ₁ ＯＲ_f1Ｏ−、Ｒ_f3Ｒ
₃ −、Ｒ_f3Ｒ₃ Ｏ−、Ｒ_f3ＯＲ₃ −又はＲ_f3ＯＲ₃ Ｏ−
で表される基（ここで、Ｒ_f3は、炭素数１〜３０のフル
オロアルキル基を示し、Ｒ₃ は、炭素数１〜３０のアル
キレン基を示す。）を用いてもよく、同様に、−Ｒ₂ Ｒ
_f2基に代えて、−ＯＲ₂ Ｒ_f2、−Ｒ₂ ＯＲ_f2、−ＯＲ₂
ＯＲ_f2、−Ｒ_f4Ｒ₄ 、−ＯＲ _f4Ｒ₄ 、−Ｒ_f4ＯＲ₄ 又は
−ＯＲ_f4ＯＲ₄ で表される基（ここで、Ｒ₄ は、炭素数
１〜３０のアルキル基を示し、Ｒ_f4は、炭素数１〜３０
のフルオロアルキレン基を示す。）を用いてもよい。ま
た、上記式（１）においては、−ＣＨ₂ −ＣＯＯ−骨格
に代えて、−ＣＨ₂ −Ｏ−ＣＯＯ−骨格を用いてもよ
い。更に、上記式（１）においては、−ＣＨ₂ −ＣＯＯ
Ｒ₂ Ｒ_f2のエステル骨格に代えて、−ＣＨ ₂ −ＣＯＮＨ
−のアミド骨格や−ＣＨ₂ −ＣＯＯ^- ＮＨ₃ ⁺ −のアミ
ン塩骨格を用いてもよい。

【００３５】

【実施例】以下、実施例により本発明の磁気記録媒体を
更に詳細に説明する。しかしながら、本発明はかかる実
施例に限定されるものではない。

【００３６】〔実施例１〕 ３，３，４，４−テトラフルオロペンタン酸−２−（パ
ーフルオロヘキシル）エチルの合成 アクリル酸−２−（パーフルオロヘキシル）エチルエス
テル８３ｇ及び１，１，２，２−テトラフルオロプロピ
ルヨーダイド２３ｇの混合物に少量のヨウ素を加えて、
１４５℃で８時間反応させた。反応終了後、減圧下、蒸
留・精製を行い、下記式（ｉ）で表される化合物を得た
（収率６７％）。得られた下記式（ｉ）で表される化合
物を無水エタノール中に溶解した。この溶液中に、乾燥
させた塩化水素ガスをバブルしたのち、亜鉛粉末を加え
て７０℃で攪拌した。反応終了後、亜鉛粉末を濾別し、
濾液をエーテル抽出した。さらに減圧下、蒸留・精製を
行い標記の目的化合物〔下記式（ii）で表される化合
物〕を得た。

【００３７】

【化６】

【００３８】

【化７】

【００３９】〔実施例２〜６〕実施例１と同様の操作に
て、表１に示す含フッ素カルボン酸エステルを合成し
た。

【００４０】

【表１】

【００４１】〔実施例７〜１２〕６μｍ厚のＰＥＴフィ
ルム上に、酸素を導入しつつ、斜め蒸着法によりＣｏを
被着させ、膜厚１８００Åの強磁性金属薄膜磁性層をを
形成した。次に、該磁性層表面にプラズマＣＶＤ法によ
りＤＬＣを６０Å形成した。次に、実施例１〜６で得ら
れた各潤滑剤をフロリナートＦＣ−７７（フッ素系溶
剤、３Ｍ社製）にそれぞれ溶解せしめ、該溶液をその乾
燥塗布量が８ｍｇ／ｍ² となるようにそれぞれ塗布して
潤滑剤層塗膜を形成した。塗膜の乾燥後、フィルムを１
／４インチ幅にスリットして金属薄膜型磁気テープを作
製した。

【００４２】各磁気テープについて、温度２３℃、湿度
５０％ＲＨの環境下での摩擦係数値（測定条件を下記に
示す）を測定すると共に、図１に示すドラムテスターを
用いて、相対速度１０．２ｍ／ｓにおける６０分走行後
の出力変動（ΔＯｕｔｐｕｔ）を測定した（測定条件を
下記に示す）。その結果を表２に示す。

【００４３】＜摩擦係数値測定条件＞図２に示すよう
に、サンプルの磁気テープ１をφ５ｍｍＳＵＳ製ガイド
ピン２に角度１１５°（２ｒａｄ）の外周に接するよう
に掛け、上記磁気テープの一端に荷重（Ｔ₂ ）２０ｇを
作用させ、テープスピード１４．３ｍｍ／ｓで走行させ
た時のテープの他端にかかる張力Ｔ₁ を計測する。上記
の結果より、下記式から摩擦係数値μを求めた。 μ＝（１／θ）ｌｎ（Ｔ₁ ／Ｔ₂ ）

【００４４】 ＜ドラムテスターにおける使用ヘッドの諸元＞ ・使用ヘッド Ｈｉ８ｍｍＶＣＲ／ＥＰ用ヘッド トラック幅 ：１５μｍ 実効ギャップ長：０．２３μｍ

【００４５】〔比較例１〜５〕潤滑剤を用いない以外は
実施例７と同様にして磁気テープを得た（比較例１）。
また、潤滑剤として、ダイキン工業製デムナムＳＡ及び
アオジモント社製フォンブリンＺ ＤＯＬをそれぞれ用
いる以外は実施例７と同様にして磁気テープを得た（比
較例２及び３）。更に、潤滑剤として、Ｒ−ＣＯＯ−Ｒ
_f （式中、Ｒはアルキル基を示し、Ｒ_f はフルオロアル
キル基を示す。平均分子量は２５００である。）で表さ
れる化合物及びＲ_f ’−Ｒ’−ＣＯＯＨ（式中、Ｒ_f ’
はパーフルオロアルキル基であり、Ｒ’はアルキレン基
である。平均分子量は２２００である。）で表される化
合物をそれぞれ用いる以外は実施例７と同様にして磁気
テープを得た（比較例４及び５）。各磁気テープについ
て実施例７と同様の測定をした。その結果を表２に示
す。

【００４６】

【表２】

【００４７】表２に示す結果から明らかなように、上記
式（１）で表される含フッ素カルボン酸エステルを含有
する本発明の磁気記録媒体（実施例７〜１２）は、摩擦
係数値が低く、出力変動も観察されない。これに対し
て、潤滑剤を用いていない磁気テープ（比較例１）、及
び従来の潤滑剤を用いた磁気テープ（比較例２〜５）で
は、摩擦係数値が高く、出力の低下が観察された。

【００４８】

【発明の効果】以上、詳述した通り、本発明によれば、
潤滑剤として特定の含フッ素カルボン酸エステルを用い
ているので、摩擦係数値が低く、出力変動の少ない磁気
記録媒体が得られる。従って、本発明の磁気記録媒体
は、スチル耐久性や長時間記録再生時の耐久性に優れた
ものとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ドラムテスターを用いた磁気記録媒体の出力変
動の測定法を表す概略図である。

【図２】磁気テープの摩擦係数を測定する装置を示す概
略図である。

【符号の説明】

１ 磁気テープ ２ ガイドピン

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非磁性支持体上に少なくとも磁性層を有
   してなり、且つ下記式（１）で表される含フッ素カルボ
   ン酸エステルを含有することを特徴とする磁気記録媒
   体。 【化１】 （式中、Ｒ₁ は、炭素数１〜３０の直鎖又は分岐鎖のア
   ルキル基を示し、Ｒ₂ は、炭素数１〜３０の直鎖又は分
   岐鎖のアルキレン基を示し、Ｒ_f1は、炭素数１〜３０の
   直鎖又は分岐鎖のフルオロアルキレン基を示し、Ｒ
   _f2は、炭素数１〜３０の直鎖又は分岐鎖のフルオロアル
   キル基を示し、Ｘは、Ｈ又はＦを示す。）
2. 【請求項２】 上記含フッ素カルボン酸エステルが、上
   記磁性層上に直接適用されるか、又は該磁性層上に設け
   られた保護層を介して適用される、請求項１記載の磁気
   記録媒体。
3. 【請求項３】 下記式（１）で表される磁気記録媒体用
   含フッ素カルボン酸エステル潤滑剤。 【化２】 （式中、Ｒ₁ は、炭素数１〜３０の直鎖又は分岐鎖のア
   ルキル基を示し、Ｒ₂ は、炭素数１〜３０の直鎖又は分
   岐鎖のアルキレン基を示し、Ｒ_f1は、炭素数１〜３０の
   直鎖又は分岐鎖のフルオロアルキレン基を示し、Ｒ
   _f2は、炭素数１〜３０の直鎖又は分岐鎖のフルオロアル
   キル基を示し、Ｘは、Ｈ又はＦを示す。）