JPH09104967A - １ｂ族金属膜被覆高分子基体及びその製造方法 - Google Patents
１ｂ族金属膜被覆高分子基体及びその製造方法Info
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- JPH09104967A JPH09104967A JP25857995A JP25857995A JPH09104967A JP H09104967 A JPH09104967 A JP H09104967A JP 25857995 A JP25857995 A JP 25857995A JP 25857995 A JP25857995 A JP 25857995A JP H09104967 A JPH09104967 A JP H09104967A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】高分子基体上に１Ｂ族金属膜が密着性良好に形
成され、しかも経時的な膜密着性の低下が生じ難い１Ｂ
族金属膜被覆高分子基体、及びその製造方法を提供す
る。 【解決手段】高分子材料からなる被成膜基体Ｓ上に、８
族金属（Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｃ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、
Ｉｒ、Ｐｔ）から選ばれた少なくとも一種の物質からな
る中間膜Ｓ２が形成され、中間膜Ｓ２上に１Ｂ族金属
（Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ）から選ばれた少なくとも一種の物
質からなる１Ｂ族金属膜Ｓ３が形成されているか、或い
は、基体Ｓ上に、４Ａ族金属（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ）、Ｓ
ｉ、Ｃｒから選ばれた少なくとも一種の物質からなる内
膜Ｓ２が形成され、内膜Ｓ２上に中間膜Ｓ２が形成さ
れ、中間膜Ｓ２上に１Ｂ族金属膜Ｓ３が形成されている
１Ｂ族金属膜被覆高分子基体及びその製造方法。
成され、しかも経時的な膜密着性の低下が生じ難い１Ｂ
族金属膜被覆高分子基体、及びその製造方法を提供す
る。 【解決手段】高分子材料からなる被成膜基体Ｓ上に、８
族金属（Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｃ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、
Ｉｒ、Ｐｔ）から選ばれた少なくとも一種の物質からな
る中間膜Ｓ２が形成され、中間膜Ｓ２上に１Ｂ族金属
（Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ）から選ばれた少なくとも一種の物
質からなる１Ｂ族金属膜Ｓ３が形成されているか、或い
は、基体Ｓ上に、４Ａ族金属（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ）、Ｓ
ｉ、Ｃｒから選ばれた少なくとも一種の物質からなる内
膜Ｓ２が形成され、内膜Ｓ２上に中間膜Ｓ２が形成さ
れ、中間膜Ｓ２上に１Ｂ族金属膜Ｓ３が形成されている
１Ｂ族金属膜被覆高分子基体及びその製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線用の
基板、防湿容器、医療用品等として用いる高分子材料か
らなる物品基体上に１Ｂ族金属膜を被覆した１Ｂ族金属
膜被覆高分子基体及びその製造方法に関する。
基板、防湿容器、医療用品等として用いる高分子材料か
らなる物品基体上に１Ｂ族金属膜を被覆した１Ｂ族金属
膜被覆高分子基体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プリント配線用の高分子基板上に例えば
銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等の金属膜を形成したり、高分
子材料からなる防湿容器やカテーテル、人工関節、ドレ
インチューブといった医療用品上に抗菌作用等を有する
例えば、銅、銀（Ａｇ）、金等の金属膜を形成したりす
ることが行われている。
銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等の金属膜を形成したり、高分
子材料からなる防湿容器やカテーテル、人工関節、ドレ
インチューブといった医療用品上に抗菌作用等を有する
例えば、銅、銀（Ａｇ）、金等の金属膜を形成したりす
ることが行われている。
【０００３】このような１Ｂ族金属膜被覆高分子基体に
おいては、高分子材料と金属という性質が大きく異なる
材料を組み合わせているため該両者の十分な密着性を得
ることが難しい。また、１Ｂ族金属である銅、金、銀は
化学的に安定であるため、このことからも高分子材料と
の密着性を十分なものにすることが難しい。そこで、こ
のような１Ｂ族金属膜形成に先立ち、高分子材料からな
る被成膜基体に対し、酸素（Ｏ2 ）ガスプラズマ等のプ
ラズマ処理やコロナ放電処理を行って該基体表面を活性
化したり、高分子基体と該金属膜の間に該両者に対し活
性で良好な密着性を有するチタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃ
ｒ）、シリコン（Ｓｉ）等からなる中間膜を形成したり
することで、該両者間の密着性を向上させている。
おいては、高分子材料と金属という性質が大きく異なる
材料を組み合わせているため該両者の十分な密着性を得
ることが難しい。また、１Ｂ族金属である銅、金、銀は
化学的に安定であるため、このことからも高分子材料と
の密着性を十分なものにすることが難しい。そこで、こ
のような１Ｂ族金属膜形成に先立ち、高分子材料からな
る被成膜基体に対し、酸素（Ｏ2 ）ガスプラズマ等のプ
ラズマ処理やコロナ放電処理を行って該基体表面を活性
化したり、高分子基体と該金属膜の間に該両者に対し活
性で良好な密着性を有するチタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃ
ｒ）、シリコン（Ｓｉ）等からなる中間膜を形成したり
することで、該両者間の密着性を向上させている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ポリイ
ミド、ポリエステル、シリコンゴム等の各種高分子材料
からなる基体では、酸素ガス等の気体が該基体を透過し
易い。従って、基体表面をプラズマ処理等した後に１Ｂ
族金属膜を形成するときには、成膜後、時間の経過とと
もに酸素等が該基体を通って基体と１Ｂ族金属膜との界
面付近に拡散し、これにより該膜の密着力が低下し易
い。また、高分子基体と１Ｂ族金属膜との間に前記中間
膜を形成するときにも、前記中間膜は、ある程度酸素等
の拡散を許すため、成膜後、時間の経過とともに酸素等
が１Ｂ族金属膜と前記中間膜との界面付近に達し、１Ｂ
族金属膜の密着性が低下し易い。
ミド、ポリエステル、シリコンゴム等の各種高分子材料
からなる基体では、酸素ガス等の気体が該基体を透過し
易い。従って、基体表面をプラズマ処理等した後に１Ｂ
族金属膜を形成するときには、成膜後、時間の経過とと
もに酸素等が該基体を通って基体と１Ｂ族金属膜との界
面付近に拡散し、これにより該膜の密着力が低下し易
い。また、高分子基体と１Ｂ族金属膜との間に前記中間
膜を形成するときにも、前記中間膜は、ある程度酸素等
の拡散を許すため、成膜後、時間の経過とともに酸素等
が１Ｂ族金属膜と前記中間膜との界面付近に達し、１Ｂ
族金属膜の密着性が低下し易い。
【０００５】このように、高分子基体上に１Ｂ族金属の
膜を密着性良く形成する方法であって、その膜密着性を
十分に維持できる１Ｂ族金属膜形成方法が得られていな
いのが現状である。そこで本発明は、高分子基体上に１
Ｂ族金属膜が密着性良好に形成され、しかも経時的な膜
密着性の低下が生じ難い１Ｂ族金属膜被覆高分子基体、
及びその製造方法を提供することを課題とする。
膜を密着性良く形成する方法であって、その膜密着性を
十分に維持できる１Ｂ族金属膜形成方法が得られていな
いのが現状である。そこで本発明は、高分子基体上に１
Ｂ族金属膜が密着性良好に形成され、しかも経時的な膜
密着性の低下が生じ難い１Ｂ族金属膜被覆高分子基体、
及びその製造方法を提供することを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明は次の及びの１Ｂ族金属膜被覆高分子基
体を提供する。 高分子材料からなる被成膜基体上に、８族金属（鉄
（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、テク
ネチウム（Ｔｃ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐ
ｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金
（Ｐｔ））から選ばれた少なくとも一種の物質からなる
中間膜が形成され、該中間膜上に１Ｂ族金属（銅（Ｃ
ｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ））から選ばれた少なくと
も一種の物質からなる１Ｂ族金属膜が形成されているこ
とを特徴とする１Ｂ族金属膜被覆高分子基体。 高分子材料からなる被成膜基体上に、４Ａ族金属
（チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム
（Ｈｆ））、シリコン（Ｓｉ）、クロム（Ｃｒ）から選
ばれた少なくとも一種の物質からなる内膜が形成され、
該内膜上に８族金属（鉄、コバルト、ニッケル、テクネ
チウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウ
ム、白金）から選ばれた少なくとも一種の物質からなる
中間膜が形成され、該中間膜上に１Ｂ族金属（銅、銀、
金）から選ばれた少なくとも一種の物質からなる１Ｂ族
金属膜が形成されていることを特徴とする１Ｂ族金属膜
被覆高分子基体。
に、本発明は次の及びの１Ｂ族金属膜被覆高分子基
体を提供する。 高分子材料からなる被成膜基体上に、８族金属（鉄
（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、テク
ネチウム（Ｔｃ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐ
ｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金
（Ｐｔ））から選ばれた少なくとも一種の物質からなる
中間膜が形成され、該中間膜上に１Ｂ族金属（銅（Ｃ
ｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ））から選ばれた少なくと
も一種の物質からなる１Ｂ族金属膜が形成されているこ
とを特徴とする１Ｂ族金属膜被覆高分子基体。 高分子材料からなる被成膜基体上に、４Ａ族金属
（チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム
（Ｈｆ））、シリコン（Ｓｉ）、クロム（Ｃｒ）から選
ばれた少なくとも一種の物質からなる内膜が形成され、
該内膜上に８族金属（鉄、コバルト、ニッケル、テクネ
チウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウ
ム、白金）から選ばれた少なくとも一種の物質からなる
中間膜が形成され、該中間膜上に１Ｂ族金属（銅、銀、
金）から選ばれた少なくとも一種の物質からなる１Ｂ族
金属膜が形成されていることを特徴とする１Ｂ族金属膜
被覆高分子基体。
【０００７】本発明の前記及びの１Ｂ族金属膜被覆
高分子基体において、前記高分子基体の材質としては、
天然ゴム、ポリイソプレンゴム、クロロプレンゴム、シ
リコンゴム等のゴム、ポリエチレン、ポリプロピレン、
ポリ塩化ビニル等のプラスチック等を挙げることができ
るが、特に限定されない。また、前記高分子基体の形状
も膜被覆基体の用途により異なり、チューブ状、袋状、
フィルム状、繊維状等種々考えられるが、特に限定され
ない。前記高分子基体の具体例としては、カテーテル、
人工関節、ドレインチューブといった医療用品、プリン
ト配線用の高分子基体等を挙げることができる。
高分子基体において、前記高分子基体の材質としては、
天然ゴム、ポリイソプレンゴム、クロロプレンゴム、シ
リコンゴム等のゴム、ポリエチレン、ポリプロピレン、
ポリ塩化ビニル等のプラスチック等を挙げることができ
るが、特に限定されない。また、前記高分子基体の形状
も膜被覆基体の用途により異なり、チューブ状、袋状、
フィルム状、繊維状等種々考えられるが、特に限定され
ない。前記高分子基体の具体例としては、カテーテル、
人工関節、ドレインチューブといった医療用品、プリン
ト配線用の高分子基体等を挙げることができる。
【０００８】前記及びの１Ｂ族金属膜被覆高分子基
体において、前記中間膜の膜厚は、１００〜２０００Å
とすることが考えられる。これは、膜厚が１００Åより
小さいと酸素の拡散を十分に防ぐことが困難だからであ
り、また、膜厚２０００Åまでで酸素拡散防止の効果が
十分に得られ、それ以上膜厚を増大させてもコスト高に
つながるだけだからである。
体において、前記中間膜の膜厚は、１００〜２０００Å
とすることが考えられる。これは、膜厚が１００Åより
小さいと酸素の拡散を十分に防ぐことが困難だからであ
り、また、膜厚２０００Åまでで酸素拡散防止の効果が
十分に得られ、それ以上膜厚を増大させてもコスト高に
つながるだけだからである。
【０００９】また、前記の１Ｂ族金属膜被覆高分子基
体において、前記内膜の膜厚は、５０〜１０００Åとす
ることが考えられる。これは、膜厚が５０Åより小さい
と十分な膜密着力が得られないからであり、１０００Å
より大きいと内膜の酸化が進行したときにかえって膜密
着力を低下させるからである。また、前記課題を解決す
るために、本発明は次の（ａ）及び（ｂ）の１Ｂ族金属
膜被覆高分子基体の製造方法を提供する。 （ａ) 高分子からなる被成膜基体上に、８族金属（鉄、
コバルト、ニッケル、テクネチウム、ロジウム、パラジ
ウム、オスミウム、イリジウム、白金）から選ばれた少
なくとも一種の物質からなる中間膜を形成し、該中間膜
上に１Ｂ族金属（銅、銀、金）から選ばれた少なくとも
一種の物質からなる１Ｂ族金属膜を形成することを特徴
とする１Ｂ族金属膜被覆高分子基体の製造方法。 （ｂ）高分子材料からなる被成膜基体上に、４Ａ族金属
（チタン、ジルコニウム、ハフニウム）、シリコン、ク
ロム）から選ばれた少なくとも一種の物質からなる内膜
を形成し、該内膜上に８族金属（鉄、コバルト、ニッケ
ル、テクネチウム、ロジウム、パラジウム、オスミウ
ム、イリジウム、白金）から選ばれた少なくとも一種の
物質からなる中間膜を形成し、該中間膜上に１Ｂ族金属
（銅、銀、金）から選ばれた少なくとも一種の物質から
なる１Ｂ族金属膜を形成することを特徴とする１Ｂ族金
属膜被覆高分子基体の製造方法。
体において、前記内膜の膜厚は、５０〜１０００Åとす
ることが考えられる。これは、膜厚が５０Åより小さい
と十分な膜密着力が得られないからであり、１０００Å
より大きいと内膜の酸化が進行したときにかえって膜密
着力を低下させるからである。また、前記課題を解決す
るために、本発明は次の（ａ）及び（ｂ）の１Ｂ族金属
膜被覆高分子基体の製造方法を提供する。 （ａ) 高分子からなる被成膜基体上に、８族金属（鉄、
コバルト、ニッケル、テクネチウム、ロジウム、パラジ
ウム、オスミウム、イリジウム、白金）から選ばれた少
なくとも一種の物質からなる中間膜を形成し、該中間膜
上に１Ｂ族金属（銅、銀、金）から選ばれた少なくとも
一種の物質からなる１Ｂ族金属膜を形成することを特徴
とする１Ｂ族金属膜被覆高分子基体の製造方法。 （ｂ）高分子材料からなる被成膜基体上に、４Ａ族金属
（チタン、ジルコニウム、ハフニウム）、シリコン、ク
ロム）から選ばれた少なくとも一種の物質からなる内膜
を形成し、該内膜上に８族金属（鉄、コバルト、ニッケ
ル、テクネチウム、ロジウム、パラジウム、オスミウ
ム、イリジウム、白金）から選ばれた少なくとも一種の
物質からなる中間膜を形成し、該中間膜上に１Ｂ族金属
（銅、銀、金）から選ばれた少なくとも一種の物質から
なる１Ｂ族金属膜を形成することを特徴とする１Ｂ族金
属膜被覆高分子基体の製造方法。
【００１０】本発明の前記（ａ）及び（ｂ）の１Ｂ族金
属膜被覆高分子基体の製造方法における前記各膜の形成
方法としては、真空蒸着法（又はスパッタ蒸着法）、イ
オンプレーティング法等を挙げることができる。また、
前記（ａ）及び（ｂ）の１Ｂ族金属膜被覆高分子基体の
製造方法において、高分子基体上への成膜に先立ち、該
基体表面を不活性ガス、酸素ガス等のプラズマに曝すこ
とができる。そして、これにより該基体表面をクリーニ
ングすることができ、また酸素ガスプラズマに曝す場合
はクリーニングに加えて該基体表面に極性基を導入する
ことで金属原子が結合し易い状態にすることができる。
そして、これらのことから高分子基体とその上に形成さ
れる膜との密着性を向上させることができる。なお、プ
ラズマ原料ガスの種類、ガスプラズマ化のために供給す
る高周波電力の大きさ、高分子基体を該プラズマに曝す
時間は基体材質の種類等により適宜選択する。
属膜被覆高分子基体の製造方法における前記各膜の形成
方法としては、真空蒸着法（又はスパッタ蒸着法）、イ
オンプレーティング法等を挙げることができる。また、
前記（ａ）及び（ｂ）の１Ｂ族金属膜被覆高分子基体の
製造方法において、高分子基体上への成膜に先立ち、該
基体表面を不活性ガス、酸素ガス等のプラズマに曝すこ
とができる。そして、これにより該基体表面をクリーニ
ングすることができ、また酸素ガスプラズマに曝す場合
はクリーニングに加えて該基体表面に極性基を導入する
ことで金属原子が結合し易い状態にすることができる。
そして、これらのことから高分子基体とその上に形成さ
れる膜との密着性を向上させることができる。なお、プ
ラズマ原料ガスの種類、ガスプラズマ化のために供給す
る高周波電力の大きさ、高分子基体を該プラズマに曝す
時間は基体材質の種類等により適宜選択する。
【００１１】本発明の前記の１Ｂ族金属膜被覆高分子
基体及び前記（ａ）の１Ｂ族金属膜被覆高分子基体の製
造方法によると、中間膜が１Ｂ族金属膜及び高分子基体
の両者に対して良好な密着性を有するため、１Ｂ族金属
膜は高分子基体上に密着性良好に形成される。また、１
Ｂ族金属膜は膜形成後もその密着性が低下し難い。これ
は、中間膜を構成する８族物質がいずれも酸化され難い
物質であるため、高分子基体を通して酸素が湧き出して
も、該酸素と反応し難く、これにより１Ｂ族金属膜と該
中間膜との界面付近にまで酸素が拡散しようとするのが
抑制されるからである。
基体及び前記（ａ）の１Ｂ族金属膜被覆高分子基体の製
造方法によると、中間膜が１Ｂ族金属膜及び高分子基体
の両者に対して良好な密着性を有するため、１Ｂ族金属
膜は高分子基体上に密着性良好に形成される。また、１
Ｂ族金属膜は膜形成後もその密着性が低下し難い。これ
は、中間膜を構成する８族物質がいずれも酸化され難い
物質であるため、高分子基体を通して酸素が湧き出して
も、該酸素と反応し難く、これにより１Ｂ族金属膜と該
中間膜との界面付近にまで酸素が拡散しようとするのが
抑制されるからである。
【００１２】また、本発明の前記の１Ｂ族金属膜被覆
高分子基体及び前記（ｂ）の１Ｂ族金属膜被覆高分子基
体の製造方法によると、内膜は高分子基体に対する密着
性が中間膜より一層良好であり、また中間膜に対しても
密着性が良いため、１Ｂ族金属膜は高分子基体上に一層
密着性良好に形成される。また、本発明の前記及び
の１Ｂ族金属膜被覆高分子基体において、互いに隣接す
る膜の界面及び被成膜基体と該基体に隣接する膜との界
面に、それぞれ、隣接する両層の構成成分からなる混合
層が形成されていることが考えられる。
高分子基体及び前記（ｂ）の１Ｂ族金属膜被覆高分子基
体の製造方法によると、内膜は高分子基体に対する密着
性が中間膜より一層良好であり、また中間膜に対しても
密着性が良いため、１Ｂ族金属膜は高分子基体上に一層
密着性良好に形成される。また、本発明の前記及び
の１Ｂ族金属膜被覆高分子基体において、互いに隣接す
る膜の界面及び被成膜基体と該基体に隣接する膜との界
面に、それぞれ、隣接する両層の構成成分からなる混合
層が形成されていることが考えられる。
【００１３】また、このような１Ｂ族金属膜被覆高分子
基体の製造方法として、本発明の前記（ａ）及び（ｂ）
の方法において、前記各膜の形成方法として、特に各膜
構成物質の蒸着（真空蒸着法、スパッタ蒸着法等）にイ
オン照射を併用するイオン蒸着薄膜形成（ＩＶＤ）法を
採用することが考えられ、このとき照射イオンの作用
で、前記各膜間及び高分子基体とそれに隣接する膜との
界面において混合層がされる。
基体の製造方法として、本発明の前記（ａ）及び（ｂ）
の方法において、前記各膜の形成方法として、特に各膜
構成物質の蒸着（真空蒸着法、スパッタ蒸着法等）にイ
オン照射を併用するイオン蒸着薄膜形成（ＩＶＤ）法を
採用することが考えられ、このとき照射イオンの作用
で、前記各膜間及び高分子基体とそれに隣接する膜との
界面において混合層がされる。
【００１４】このとき、混合層の存在により各膜間及び
高分子基体とそれに隣接する膜との密着性は、より良好
なものとなる。また、前記方法によると、比較的低温下
で成膜を行うことができるため、基体に与える熱的損傷
が少なく、比較的耐熱性に劣る高分子基体上への膜形成
方法として適している。前記ＩＶＤ法において、蒸着と
イオン照射を併用する場合、普通にはこれらを同時又は
交互に行う。
高分子基体とそれに隣接する膜との密着性は、より良好
なものとなる。また、前記方法によると、比較的低温下
で成膜を行うことができるため、基体に与える熱的損傷
が少なく、比較的耐熱性に劣る高分子基体上への膜形成
方法として適している。前記ＩＶＤ法において、蒸着と
イオン照射を併用する場合、普通にはこれらを同時又は
交互に行う。
【００１５】前記方法において、照射イオン種として
は、通常アルゴン（Ａｒ）イオン等の不活性ガスイオン
を用いる。また、イオン照射時の加速エネルギは、それ
には限定されないが、概ね１００ｅＶ以上１０ｋｅＶ以
下とすることが考えられる。これは、加速エネルギが１
００ｅＶより小さいとイオン照射による効果が十分に得
られないからであり、１０ｋｅＶより大きいと基体に与
える熱的損傷が大きくなるからである。
は、通常アルゴン（Ａｒ）イオン等の不活性ガスイオン
を用いる。また、イオン照射時の加速エネルギは、それ
には限定されないが、概ね１００ｅＶ以上１０ｋｅＶ以
下とすることが考えられる。これは、加速エネルギが１
００ｅＶより小さいとイオン照射による効果が十分に得
られないからであり、１０ｋｅＶより大きいと基体に与
える熱的損傷が大きくなるからである。
【００１６】また、イオン照射量は、蒸着原子数（ｖ）
と照射イオン数（ｉ）との比（ｖ／ｉ輸送比）にして、
それには限定されないが、概ね２以上１０００以下とす
ることが考えられる。これは、ｖ／ｉ輸送比が２より小
さいと蒸着粒子がスパッタされて成膜されない、或いは
殆ど成膜されないからであり、１０００より大きいとイ
オン照射による効果が十分に得られないからである。
と照射イオン数（ｉ）との比（ｖ／ｉ輸送比）にして、
それには限定されないが、概ね２以上１０００以下とす
ることが考えられる。これは、ｖ／ｉ輸送比が２より小
さいと蒸着粒子がスパッタされて成膜されない、或いは
殆ど成膜されないからであり、１０００より大きいとイ
オン照射による効果が十分に得られないからである。
【００１７】いずれにしても、照射イオン種、イオン加
速エネルギ及びイオン照射量は、形成しようとする膜の
種類とその膜厚及び高分子基体の材質等を考慮して、適
宜定めればよい。
速エネルギ及びイオン照射量は、形成しようとする膜の
種類とその膜厚及び高分子基体の材質等を考慮して、適
宜定めればよい。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明実施の形態を図面を
参照して説明する。図１（Ａ）は、本発明に係る１Ｂ族
金属膜被覆高分子基体の１例の拡大断面図である。この
１Ｂ族金属膜被覆高分子基体は、高分子基体Ｓ上に８族
金属（鉄、コバルト、ニッケル、テクネチウム、ロジウ
ム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金）から
選ばれた少なくとも一種の物質からなる中間膜Ｓ２が形
成され、中間膜Ｓ２上に１Ｂ族金属（銅、銀、金）から
選ばれた少なくとも一種の物質からなる１Ｂ族金属膜Ｓ
３が形成されている。
参照して説明する。図１（Ａ）は、本発明に係る１Ｂ族
金属膜被覆高分子基体の１例の拡大断面図である。この
１Ｂ族金属膜被覆高分子基体は、高分子基体Ｓ上に８族
金属（鉄、コバルト、ニッケル、テクネチウム、ロジウ
ム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金）から
選ばれた少なくとも一種の物質からなる中間膜Ｓ２が形
成され、中間膜Ｓ２上に１Ｂ族金属（銅、銀、金）から
選ばれた少なくとも一種の物質からなる１Ｂ族金属膜Ｓ
３が形成されている。
【００１９】この１Ｂ族金属膜被覆高分子基体による
と、中間膜Ｓ２は１Ｂ族金属膜Ｓ３及び基体Ｓの両者に
対して良好な密着性を有するため、膜Ｓ３は基体Ｓ上に
密着性良好に形成される。また膜Ｓ２は基体Ｓを通して
酸素が湧き出してきても酸化し難く、これにより膜Ｓ３
への酸素の拡散を防ぐため、膜Ｓ３の基体Ｓへの密着性
は低下し難い。
と、中間膜Ｓ２は１Ｂ族金属膜Ｓ３及び基体Ｓの両者に
対して良好な密着性を有するため、膜Ｓ３は基体Ｓ上に
密着性良好に形成される。また膜Ｓ２は基体Ｓを通して
酸素が湧き出してきても酸化し難く、これにより膜Ｓ３
への酸素の拡散を防ぐため、膜Ｓ３の基体Ｓへの密着性
は低下し難い。
【００２０】また、図１（Ｂ）は本発明に係る１Ｂ族金
属膜被覆高分子基体の他の例の１部の拡大断面図であ
る。この１Ｂ族金属膜被覆高分子基体は、高分子基体Ｓ
上に４Ａ族金属（チタン、ジルコニウム、ハフニウ
ム）、シリコン、クロムから選ばれた少なくとも一種の
物質からなる内膜Ｓ１が形成され、内膜Ｓ１上に８族金
属から選ばれた少なくとも一種の物質からなる中間膜Ｓ
２が形成され、中間膜Ｓ２上に１Ｂ族金属（銅、銀、
金）から選ばれた少なくとも一種の物質からなる１Ｂ族
金属膜Ｓ３が形成されている。
属膜被覆高分子基体の他の例の１部の拡大断面図であ
る。この１Ｂ族金属膜被覆高分子基体は、高分子基体Ｓ
上に４Ａ族金属（チタン、ジルコニウム、ハフニウ
ム）、シリコン、クロムから選ばれた少なくとも一種の
物質からなる内膜Ｓ１が形成され、内膜Ｓ１上に８族金
属から選ばれた少なくとも一種の物質からなる中間膜Ｓ
２が形成され、中間膜Ｓ２上に１Ｂ族金属（銅、銀、
金）から選ばれた少なくとも一種の物質からなる１Ｂ族
金属膜Ｓ３が形成されている。
【００２１】この１Ｂ族金属膜被覆高分子基体による
と、内膜Ｓ１は中間膜Ｓ２に比べて基体Ｓに対する密着
性が一層良好であり、中間膜Ｓ２に対しても密着性がよ
いため、膜Ｓ３は基体Ｓ上に一層密着性良く形成され
る。また、図１（Ｃ）は本発明に係る１Ｂ族金属膜被覆
高分子基体のさらに他の例の１部の拡大断面図である。
この１Ｂ族金属膜被覆高分子基体は図１（Ａ）に示す１
Ｂ族金属膜被覆高分子基体において、高分子基体Ｓと中
間膜Ｓ２との界面に該両者の混合層Ｓｍ１を有し、中間
膜Ｓ２と１Ｂ族金属膜Ｓ３との界面に該両者の混合層Ｓ
ｍ２を有するものである。
と、内膜Ｓ１は中間膜Ｓ２に比べて基体Ｓに対する密着
性が一層良好であり、中間膜Ｓ２に対しても密着性がよ
いため、膜Ｓ３は基体Ｓ上に一層密着性良く形成され
る。また、図１（Ｃ）は本発明に係る１Ｂ族金属膜被覆
高分子基体のさらに他の例の１部の拡大断面図である。
この１Ｂ族金属膜被覆高分子基体は図１（Ａ）に示す１
Ｂ族金属膜被覆高分子基体において、高分子基体Ｓと中
間膜Ｓ２との界面に該両者の混合層Ｓｍ１を有し、中間
膜Ｓ２と１Ｂ族金属膜Ｓ３との界面に該両者の混合層Ｓ
ｍ２を有するものである。
【００２２】この１Ｂ族金属膜被覆高分子基体による
と、混合層Ｓｍ１及びＳｍ２の存在により、基体Ｓと膜
Ｓ２との間及び膜Ｓ２と膜Ｓ３との間の密着性は一層良
好なものとなる。なお、本発明の実施形態として、この
他、図１（Ｂ）に示す１Ｂ族金属膜被覆高分子基体にお
いて基体Ｓと内膜Ｓ１との間及び各膜間にそれぞれ混合
層を有するものも考えられる。
と、混合層Ｓｍ１及びＳｍ２の存在により、基体Ｓと膜
Ｓ２との間及び膜Ｓ２と膜Ｓ３との間の密着性は一層良
好なものとなる。なお、本発明の実施形態として、この
他、図１（Ｂ）に示す１Ｂ族金属膜被覆高分子基体にお
いて基体Ｓと内膜Ｓ１との間及び各膜間にそれぞれ混合
層を有するものも考えられる。
【００２３】前記図１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示した
１Ｂ族金属膜被覆高分子基体は、例えば次のようにして
製造することができる。図２は、本発明の１Ｂ族金属膜
被覆高分子基体の製造に用いる成膜装置の１例の概略構
成を示す図である。この装置は、排気装置１１が付設さ
れたチャンバ１を有し、チャンバ１内には被成膜基体Ｓ
を支持するホルダ２及びこれに対向する位置に電子ビー
ム蒸発源３が設置されている。また、蒸発源３の前方に
は開閉可能な遮蔽板（シャッター）４が配置され、ホル
ダ２付近には膜厚モニタ５が配置されている。また、基
体ホルダ２と蒸発源３との間には高周波電力を印加する
ためのコイル６１が設置され、コイル６１にはマッチン
グボックス６２を介して高周波電源６３が接続されてい
る。また、チャンバ１にはガス供給部７が付設され、チ
ャンバ１内部へプラズマ原料ガスを導入できるようにな
っている。なお、チャンバ１は接地されている。
１Ｂ族金属膜被覆高分子基体は、例えば次のようにして
製造することができる。図２は、本発明の１Ｂ族金属膜
被覆高分子基体の製造に用いる成膜装置の１例の概略構
成を示す図である。この装置は、排気装置１１が付設さ
れたチャンバ１を有し、チャンバ１内には被成膜基体Ｓ
を支持するホルダ２及びこれに対向する位置に電子ビー
ム蒸発源３が設置されている。また、蒸発源３の前方に
は開閉可能な遮蔽板（シャッター）４が配置され、ホル
ダ２付近には膜厚モニタ５が配置されている。また、基
体ホルダ２と蒸発源３との間には高周波電力を印加する
ためのコイル６１が設置され、コイル６１にはマッチン
グボックス６２を介して高周波電源６３が接続されてい
る。また、チャンバ１にはガス供給部７が付設され、チ
ャンバ１内部へプラズマ原料ガスを導入できるようにな
っている。なお、チャンバ１は接地されている。
【００２４】この装置を用いて、図１（Ａ）に示した１
Ｂ族金属膜被覆高分子基体を次のようにして製造した。 実施例１ シリコンゴムからなる被成膜基体Ｓをチャンバ１内に搬
入し、ホルダ２に支持させ、排気装置１１の運転にてチ
ャンバ１内を５×１０-4Ｐａ以下の真空度とした。次い
で、ガス供給部７より酸素（Ｏ2 ）ガスをチャンバ１内
が５×１０-2Ｐａになるまで導入するとともに、高周波
電源６３からマッチングボックス６２を介して高周波コ
イル６１に周波数１３．５６ＭＨｚ、電力１００Ｗの高
周波電力を供給して、前記導入した酸素ガスをプラズマ
化させ、基体Ｓを該プラズマに１分間曝した。これによ
り、基体Ｓ表面のクリーニング及び活性化を行った。
Ｂ族金属膜被覆高分子基体を次のようにして製造した。 実施例１ シリコンゴムからなる被成膜基体Ｓをチャンバ１内に搬
入し、ホルダ２に支持させ、排気装置１１の運転にてチ
ャンバ１内を５×１０-4Ｐａ以下の真空度とした。次い
で、ガス供給部７より酸素（Ｏ2 ）ガスをチャンバ１内
が５×１０-2Ｐａになるまで導入するとともに、高周波
電源６３からマッチングボックス６２を介して高周波コ
イル６１に周波数１３．５６ＭＨｚ、電力１００Ｗの高
周波電力を供給して、前記導入した酸素ガスをプラズマ
化させ、基体Ｓを該プラズマに１分間曝した。これによ
り、基体Ｓ表面のクリーニング及び活性化を行った。
【００２５】その後、チャンバ１内を再び５×１０-4Ｐ
ａ以下の真空度とし、電子ビーム蒸発源３を用いてイリ
ジウムを蒸気化させ、基体Ｓ上に膜厚５００Åのイリジ
ウムからなる中間膜Ｓ２を形成した。次いで、電子ビー
ム蒸発源３を用いて銀を蒸気化させ、前記形成した中間
膜Ｓ２上に膜厚５０００Åの銀からなる１Ｂ族金属膜Ｓ
３を形成した。
ａ以下の真空度とし、電子ビーム蒸発源３を用いてイリ
ジウムを蒸気化させ、基体Ｓ上に膜厚５００Åのイリジ
ウムからなる中間膜Ｓ２を形成した。次いで、電子ビー
ム蒸発源３を用いて銀を蒸気化させ、前記形成した中間
膜Ｓ２上に膜厚５０００Åの銀からなる１Ｂ族金属膜Ｓ
３を形成した。
【００２６】なお、各膜形成にあたり、成膜を行わない
ときはシャッター４を閉じて基体の汚染を防いだ。この
ようにして図１（Ａ）に示す１Ｂ族金属膜被覆高分子基
体を得た。 比較例１ 実施例１においてイリジウムからなる中間膜形成を行わ
ず、その他の条件は実施例１と同様にして、シリコンゴ
ム基体上に膜厚５０００Åの銀膜を形成した。
ときはシャッター４を閉じて基体の汚染を防いだ。この
ようにして図１（Ａ）に示す１Ｂ族金属膜被覆高分子基
体を得た。 比較例１ 実施例１においてイリジウムからなる中間膜形成を行わ
ず、その他の条件は実施例１と同様にして、シリコンゴ
ム基体上に膜厚５０００Åの銀膜を形成した。
【００２７】次に、実施例１及び比較例１による１Ｂ族
金属膜被覆高分子基体をそれぞれ高温多湿環境下（８０
℃、８０％）で２００時間にわたり保管し、その間の膜
密着力の経時変化を評価した。膜密着力の評価は、ＪＩ
Ｓ Ｈ８５０４（めっきの密着性試験方法）に規定され
る粘着テープによる引き剥がし試験により行った。結果
を次表に示す。 実施例１ 比較例１ 成膜直後 ○ ○ 成膜後 １０時間 ○ △ 成膜後 ２０時間 ○ × 成膜後 ５０時間 ○ × 成膜後１００時間 ○ × 成膜後２００時間 ○ × なお、表中○は「膜剥離無し」を、△は「膜の一部剥
離」を、×は「膜の全面剥離」を表している。
金属膜被覆高分子基体をそれぞれ高温多湿環境下（８０
℃、８０％）で２００時間にわたり保管し、その間の膜
密着力の経時変化を評価した。膜密着力の評価は、ＪＩ
Ｓ Ｈ８５０４（めっきの密着性試験方法）に規定され
る粘着テープによる引き剥がし試験により行った。結果
を次表に示す。 実施例１ 比較例１ 成膜直後 ○ ○ 成膜後 １０時間 ○ △ 成膜後 ２０時間 ○ × 成膜後 ５０時間 ○ × 成膜後１００時間 ○ × 成膜後２００時間 ○ × なお、表中○は「膜剥離無し」を、△は「膜の一部剥
離」を、×は「膜の全面剥離」を表している。
【００２８】このように実施例１による１Ｂ族金属膜被
覆高分子基体では高温多湿環境下で２００時間保管後も
優れた膜密着力が維持された。一方、中間膜を有しない
比較例１による１Ｂ族金属膜被覆高分子基体では、成膜
直後の膜密着力は良好であるが、その後急速に膜密着力
が低下し、成膜後２０時間保管したものでは引き剥がし
試験により膜が全面剥離した。
覆高分子基体では高温多湿環境下で２００時間保管後も
優れた膜密着力が維持された。一方、中間膜を有しない
比較例１による１Ｂ族金属膜被覆高分子基体では、成膜
直後の膜密着力は良好であるが、その後急速に膜密着力
が低下し、成膜後２０時間保管したものでは引き剥がし
試験により膜が全面剥離した。
【００２９】次に、図２に示す装置を用いて図１（Ｂ）
に示した１Ｂ族金属膜被覆高分子基体を次のようにして
製造した。 実施例２ ポリエチレンからなるシート状の基体Ｓをチャンバ１内
に搬入し、ホルダ２に支持させ、排気装置１１の運転に
てチャンバ１内を５×１０-4Ｐａ以下の真空度とした。
次いで、電子ビーム蒸発源３を用いてチタンを蒸気化さ
せ、基体Ｓ上に膜厚５００Åのチタンからなる内膜Ｓ１
を形成した。次いで、蒸発源３を用いて白金を蒸気化さ
せ、前記形成した内膜Ｓ１上に膜厚６００Åの白金から
なる中間膜Ｓ２を形成した。次いで、蒸発源３を用いて
銀を蒸気化させ、前記形成した中間膜Ｓ２上に膜厚５０
００Åの銀からなる１Ｂ族金属膜Ｓ３を形成した。
に示した１Ｂ族金属膜被覆高分子基体を次のようにして
製造した。 実施例２ ポリエチレンからなるシート状の基体Ｓをチャンバ１内
に搬入し、ホルダ２に支持させ、排気装置１１の運転に
てチャンバ１内を５×１０-4Ｐａ以下の真空度とした。
次いで、電子ビーム蒸発源３を用いてチタンを蒸気化さ
せ、基体Ｓ上に膜厚５００Åのチタンからなる内膜Ｓ１
を形成した。次いで、蒸発源３を用いて白金を蒸気化さ
せ、前記形成した内膜Ｓ１上に膜厚６００Åの白金から
なる中間膜Ｓ２を形成した。次いで、蒸発源３を用いて
銀を蒸気化させ、前記形成した中間膜Ｓ２上に膜厚５０
００Åの銀からなる１Ｂ族金属膜Ｓ３を形成した。
【００３０】なお、各膜形成にあたり、成膜を行わない
ときはシャッター４を閉じて基体の汚染を防いだ。この
ようにして、図１（Ｂ）に示す１Ｂ族金属膜被覆高分子
基体を得た。 比較例２ 実施例２において、白金からなる中間膜形成を行わず、
その他の条件は実施例２と同様にして基体Ｓ上にチタン
膜及び銀膜を形成した。
ときはシャッター４を閉じて基体の汚染を防いだ。この
ようにして、図１（Ｂ）に示す１Ｂ族金属膜被覆高分子
基体を得た。 比較例２ 実施例２において、白金からなる中間膜形成を行わず、
その他の条件は実施例２と同様にして基体Ｓ上にチタン
膜及び銀膜を形成した。
【００３１】次に、実施例２及び比較例２による１Ｂ族
金属膜被覆高分子基体のそれぞれの膜密着力を前記と同
様にして評価した。結果を次表に示す。 実施例２ 比較例２ 成膜直後 ○ ○ 成膜後 １０時間 ○ ○ 成膜後 ２０時間 ○ △ 成膜後 ５０時間 ○ × 成膜後１００時間 ○ × 成膜後２００時間 ○ × なお、表中○、△、×は前記と同様の結果を表してい
る。
金属膜被覆高分子基体のそれぞれの膜密着力を前記と同
様にして評価した。結果を次表に示す。 実施例２ 比較例２ 成膜直後 ○ ○ 成膜後 １０時間 ○ ○ 成膜後 ２０時間 ○ △ 成膜後 ５０時間 ○ × 成膜後１００時間 ○ × 成膜後２００時間 ○ × なお、表中○、△、×は前記と同様の結果を表してい
る。
【００３２】このように実施例２による１Ｂ族金属膜被
覆高分子基体では高温多湿環境下で２００時間保管後も
優れた膜密着力が維持された。一方、中間膜を有しない
比較例２による１Ｂ族金属膜被覆高分子基体では、成膜
直後の膜密着力は良好であるが、その後急速に膜密着力
が低下し、成膜後５０時間保管したものでは、引き剥が
し試験により膜が全面剥離した。
覆高分子基体では高温多湿環境下で２００時間保管後も
優れた膜密着力が維持された。一方、中間膜を有しない
比較例２による１Ｂ族金属膜被覆高分子基体では、成膜
直後の膜密着力は良好であるが、その後急速に膜密着力
が低下し、成膜後５０時間保管したものでは、引き剥が
し試験により膜が全面剥離した。
【００３３】また、図３は本発明の１Ｂ族金属膜被覆高
分子基体の製造に用いる成膜装置の他の例の概略構成を
示す図である。この装置は、真空チャンバ１０を有し、
チャンバ１０内には被成膜基体Ｓを支持するホルダ２０
が設置され、ホルダ２０に対向する位置には電子ビーム
蒸発源３０及びバケット型イオン源８０が設置されてい
る。また、蒸発源３０及びイオン源８０の前方にはシャ
ッター４０が配置され、ホルダ２０付近には膜厚モニタ
５０及びイオン電流測定器９０が配置されている。さら
に、チャンバ１０には排気装置１１０が付設されて、容
器１０内を所定の真空度にすることができる。
分子基体の製造に用いる成膜装置の他の例の概略構成を
示す図である。この装置は、真空チャンバ１０を有し、
チャンバ１０内には被成膜基体Ｓを支持するホルダ２０
が設置され、ホルダ２０に対向する位置には電子ビーム
蒸発源３０及びバケット型イオン源８０が設置されてい
る。また、蒸発源３０及びイオン源８０の前方にはシャ
ッター４０が配置され、ホルダ２０付近には膜厚モニタ
５０及びイオン電流測定器９０が配置されている。さら
に、チャンバ１０には排気装置１１０が付設されて、容
器１０内を所定の真空度にすることができる。
【００３４】この装置を用いて、図１（Ｃ）に示した１
Ｂ族金属膜被覆高分子基体を次のようにして製造した。 実施例３ ポリイミドからなる被成膜基体Ｓをチャンバ１０内に搬
入し、ホルダ２０に支持させ、排気装置１１０の運転に
てチャンバ１０内を５×１０-4Ｐａの真空度にした。次
いで、電子ビーム蒸発源３０を用いてニッケルを蒸気化
させ、基体Ｓ上に成膜した。同時に、イオン源８０にチ
ャンバ１０内が５×１０-2Ｐａになるまでアルゴンガス
を導入し、イオン化させ、該イオンを加速エネルギ８０
０ｅＶで該蒸着面に照射した。このときのｖ／ｉ輸送比
は１０とした。このようにして基体Ｓ上に膜厚１０００
Åのニッケルからなる中間膜Ｓ２を形成した。また、こ
れに伴い基体Ｓと中間膜Ｓ２との界面に該両者の構成元
素からなる混合層Ｓｍ１が形成された。
Ｂ族金属膜被覆高分子基体を次のようにして製造した。 実施例３ ポリイミドからなる被成膜基体Ｓをチャンバ１０内に搬
入し、ホルダ２０に支持させ、排気装置１１０の運転に
てチャンバ１０内を５×１０-4Ｐａの真空度にした。次
いで、電子ビーム蒸発源３０を用いてニッケルを蒸気化
させ、基体Ｓ上に成膜した。同時に、イオン源８０にチ
ャンバ１０内が５×１０-2Ｐａになるまでアルゴンガス
を導入し、イオン化させ、該イオンを加速エネルギ８０
０ｅＶで該蒸着面に照射した。このときのｖ／ｉ輸送比
は１０とした。このようにして基体Ｓ上に膜厚１０００
Åのニッケルからなる中間膜Ｓ２を形成した。また、こ
れに伴い基体Ｓと中間膜Ｓ２との界面に該両者の構成元
素からなる混合層Ｓｍ１が形成された。
【００３５】その後、チャンバ１０内を再び５×１０-4
Ｐａの真空度にし、電子ビーム蒸発源３０を用いて金を
蒸気化させ、基体Ｓ上に成膜した。同時にイオン源８０
にチャンバ１０内が５×１０-2Ｐａになるまでアルゴン
ガスを導入し、イオン化させ、該イオンを加速エネルギ
１ｋｅＶで該蒸着面に照射した。このときのｖ／ｉ輸送
比は１００とした。このようにして前記形成した中間膜
Ｓ２上に膜厚５０００Åの金からなる１Ｂ族金属膜Ｓ３
を形成した。また、これに伴い中間膜Ｓ２と１Ｂ族金属
膜Ｓ３との界面に該両者の構成元素からなる混合層Ｓｍ
２が形成された。
Ｐａの真空度にし、電子ビーム蒸発源３０を用いて金を
蒸気化させ、基体Ｓ上に成膜した。同時にイオン源８０
にチャンバ１０内が５×１０-2Ｐａになるまでアルゴン
ガスを導入し、イオン化させ、該イオンを加速エネルギ
１ｋｅＶで該蒸着面に照射した。このときのｖ／ｉ輸送
比は１００とした。このようにして前記形成した中間膜
Ｓ２上に膜厚５０００Åの金からなる１Ｂ族金属膜Ｓ３
を形成した。また、これに伴い中間膜Ｓ２と１Ｂ族金属
膜Ｓ３との界面に該両者の構成元素からなる混合層Ｓｍ
２が形成された。
【００３６】なお、各膜形成にあたり、成膜を行わない
ときはシャッター４を閉じて基体の汚染を防いだ。この
ようにして図１（Ｃ）に示す１Ｂ族金属膜被覆高分子基
体を得た。この１Ｂ族金属膜被覆高分子基体について膜
密着力を前記と同様にして評価したところ、前記実施例
１及び２により得られた１Ｂ族金属膜被覆高分子基体に
比べて、成膜直後の膜密着力が一層優れると共に経時的
な膜密着力の低下もみられなかった。
ときはシャッター４を閉じて基体の汚染を防いだ。この
ようにして図１（Ｃ）に示す１Ｂ族金属膜被覆高分子基
体を得た。この１Ｂ族金属膜被覆高分子基体について膜
密着力を前記と同様にして評価したところ、前記実施例
１及び２により得られた１Ｂ族金属膜被覆高分子基体に
比べて、成膜直後の膜密着力が一層優れると共に経時的
な膜密着力の低下もみられなかった。
【００３７】なお、ここでは蒸着法及びＩＶＤ法により
成膜して製造した１Ｂ族金属膜被覆高分子基体の膜密着
力を評価したが、この他イオンプレーティング法により
膜形成したものについても同様の膜密着力が得られた。
成膜して製造した１Ｂ族金属膜被覆高分子基体の膜密着
力を評価したが、この他イオンプレーティング法により
膜形成したものについても同様の膜密着力が得られた。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によると、高
分子基体上に１Ｂ族金属膜が密着性良好に形成され、し
かも経時的な膜密着性の低下が生じ難い１Ｂ族金属膜被
覆高分子基体、及びその製造方法を提供することができ
る。
分子基体上に１Ｂ族金属膜が密着性良好に形成され、し
かも経時的な膜密着性の低下が生じ難い１Ｂ族金属膜被
覆高分子基体、及びその製造方法を提供することができ
る。
【図１】図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ本発明に
係る１Ｂ族金属膜被覆高分子基体の実施形態を示す図で
ある。
係る１Ｂ族金属膜被覆高分子基体の実施形態を示す図で
ある。
【図２】本発明に係る１Ｂ族金属膜被覆高分子基体の製
造に用いる成膜装置の１例を示す図である。
造に用いる成膜装置の１例を示す図である。
【図３】本発明に係る１Ｂ族金属膜被覆高分子基体の製
造に用いる成膜装置の他の例を示す図である。
造に用いる成膜装置の他の例を示す図である。
１、１０ 真空チャンバ １１、１１０ 排気装置 ２、２０ 基体ホルダ ３、３０ 電子ビーム蒸発源 ４、４０ シャッター ５、５０ 膜厚モニタ ６１ 高周波コイル ６２ マッチングボックス ６３ 高周波電源 ７ プラズマ原料ガス供給部 ８、８０ イオン源 ９、９０ イオン電流測定器 Ｓ 被成膜基体 Ｓ１ 内膜 Ｓ２ 中間膜 Ｓ３ １Ｂ族金属膜 Ｓｍ１、Ｓｍ２ 混合層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 緒方 潔 京都市右京区梅津高畝町47番地 日新電機 株式会社内 (72)発明者 岩本 泰志 京都市右京区梅津高畝町47番地 日新電機 株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 高分子材料からなる被成膜基体上に、８
族金属（鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎ
ｉ）、テクネチウム（Ｔｃ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラ
ジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉ
ｒ）、白金（Ｐｔ））から選ばれた少なくとも一種の物
質からなる中間膜が形成され、該中間膜上に１Ｂ族金属
（銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ））から選ばれた
少なくとも一種の物質からなる１Ｂ族金属膜が形成され
ていることを特徴とする１Ｂ族金属膜被覆高分子基体。 - 【請求項２】 高分子材料からなる被成膜基体上に、４
Ａ族金属（チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハ
フニウム（Ｈｆ））、シリコン（Ｓｉ）、クロム（Ｃ
ｒ）から選ばれた少なくとも一種の物質からなる内膜が
形成され、該内膜上に８族金属（鉄（Ｆｅ）、コバルト
（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、テクネチウム（Ｔｃ）、
ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム
（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ））から選
ばれた少なくとも一種の物質からなる中間膜が形成さ
れ、該中間膜上に１Ｂ族金属（銅（Ｃｕ）、銀（Ａ
ｇ）、金（Ａｕ））から選ばれた少なくとも一種の物質
からなる１Ｂ族金属膜が形成されていることを特徴とす
る１Ｂ族金属膜被覆高分子基体。 - 【請求項３】 被成膜基体と該基体に隣接する膜との界
面及び互いに隣接する膜の界面において、それぞれ、隣
接する両層の構成成分からなる混合層が形成されている
請求項１又は２記載の１Ｂ族金属膜被覆高分子基体。 - 【請求項４】 高分子からなる被成膜基体上に、８族金
属（鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎ
ｉ）、テクネチウム（Ｔｃ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラ
ジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉ
ｒ）、白金（Ｐｔ））から選ばれた少なくとも一種の物
質からなる中間膜を形成し、該中間膜上に１Ｂ族金属
（銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ））から選ばれた
少なくとも一種の物質からなる１Ｂ族金属膜を形成する
ことを特徴とする１Ｂ族金属膜被覆高分子基体の製造方
法。 - 【請求項５】 高分子材料からなる被成膜基体上に、４
Ａ族金属（チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハ
フニウム（Ｈｆ））、シリコン（Ｓｉ）、クロム（Ｃ
ｒ）から選ばれた少なくとも一種の物質からなる内膜を
形成し、該内膜上に８族金属（鉄（Ｆｅ）、コバルト
（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、テクネチウム（Ｔｃ）、
ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム
（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ））から選
ばれた少なくとも一種の物質からなる中間膜を形成し、
該中間膜上に１Ｂ族金属（銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金
（Ａｕ））から選ばれた少なくとも一種の物質からなる
１Ｂ族金属膜を形成することを特徴とする１Ｂ族金属膜
被覆高分子基体の製造方法。 - 【請求項６】 前記各膜の形成を、各膜構成物質の蒸着
とイオン照射を併用して行う請求項４又は５記載の１Ｂ
族金属膜被覆高分子基体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25857995A JPH09104967A (ja) | 1995-10-05 | 1995-10-05 | １ｂ族金属膜被覆高分子基体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25857995A JPH09104967A (ja) | 1995-10-05 | 1995-10-05 | １ｂ族金属膜被覆高分子基体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09104967A true JPH09104967A (ja) | 1997-04-22 |
Family
ID=17322218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25857995A Pending JPH09104967A (ja) | 1995-10-05 | 1995-10-05 | １ｂ族金属膜被覆高分子基体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09104967A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005271515A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Toray Ind Inc | 導体層付き樹脂フィルム |
| JP2006159632A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Furukawa Circuit Foil Kk | 銅メタライズド積層板及びその製造方法 |
| JPWO2019131562A1 (ja) * | 2017-12-25 | 2020-10-22 | 日本製鉄株式会社 | 溶融亜鉛めっき処理方法、その溶融亜鉛めっき処理方法を用いた合金化溶融亜鉛めっき鋼板の製造方法、及び、その溶融亜鉛めっき処理方法を用いた溶融亜鉛めっき鋼板の製造方法 |
-
1995
- 1995-10-05 JP JP25857995A patent/JPH09104967A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005271515A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Toray Ind Inc | 導体層付き樹脂フィルム |
| JP2006159632A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Furukawa Circuit Foil Kk | 銅メタライズド積層板及びその製造方法 |
| JPWO2019131562A1 (ja) * | 2017-12-25 | 2020-10-22 | 日本製鉄株式会社 | 溶融亜鉛めっき処理方法、その溶融亜鉛めっき処理方法を用いた合金化溶融亜鉛めっき鋼板の製造方法、及び、その溶融亜鉛めっき処理方法を用いた溶融亜鉛めっき鋼板の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020611 |