JPH09104977A - 基板を被覆するための装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 冷却媒体による磁石の腐食を回避し、しかも
磁石の、ターゲットの熱による過剰加熱を十分に防止す
る。 【解決手段】 長手方向軸線Ｒを中心にして回転可能な
ターゲット２が、該ターゲットの長手方向に延びるスパ
ッタリング区域２０を形成するために複数の磁石１２，
１３，３２，３３を備えており、少なくとも１つの磁石
１２，１３が、磁界を磁石からターゲットのスパッタリ
ング区域へ案内するために、ターゲットの内部に配置さ
れた磁極片３，４，５に結合されており、磁石１２，１
３が、ターゲットの外側に配置されており、ターゲット
の内側に配置された磁極片３，４，５への磁界の伝達
が、ターゲットを通じて狭いギャップ６，１１を介して
行なわれる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、回転可能な管状の
ターゲットの表面を電気エネルギによってスパッタリン
グすることにより、基板を被覆するための装置であっ
て、ターゲットが、該ターゲットの長手方向に延びるス
パッタリング区域を形成するために複数の磁石を備えて
おり、少なくとも１つの磁石が、磁界を磁石からターゲ
ットのスパッタリング区域へ案内するために、ターゲッ
トの内部に配置された、導磁性の材料から成る磁極片に
結合されている形式のものに関する。

【０００２】

【従来の技術】このような形式の装置は当業者によく知
られており、たとえばドイツ連邦共和国特許第００７０
８９９号明細書に記載されている。円筒状のターゲット
はたいていの場合、回転可能に配置されており、これに
よって新しいターゲット材料をスパッタリング区域へ移
動させることができる。これにより、大量のターゲット
材料をスパッタリングすることができ、また一方のター
ゲット材料から他方のターゲット材料への迅速な交換も
可能となる。

【０００３】これまで知られている装置では、磁石が永
久磁石として形成されていて、しかもターゲットの内部
にしか配置されていない。しかしターゲットは、スパッ
タリング時に生じる熱を排出するために冷却液によって
貫流されなければならないので、磁石のあまり耐食性で
ない材料が冷却液、つまりたいていは水と接触してしま
うことを阻止することが必要となる。上記ドイツ連邦共
和国特許第００７０８９９号明細書に記載の公知の装置
では、このことは、磁石と磁極片とを、ターゲットに同
軸的に配置された中空円筒体に配置することにより達成
される。この中空円筒体は、ターゲットの内径に相当す
る直径よりも小さな直径を有している。これにより、環
状の中間室が形成され、この中間室を通って冷却液が案
内される。こうして、冷却液の作用に対する磁石の十分
な防食が得られる。さらに、前記中空円筒体により、タ
ーゲットの交換時に磁石がターゲットによって損傷され
るか、またはそれどころか破壊されることや、過剰に多
量の熱がターゲットから磁石に流入して、磁石の作用を
不可逆的に解消してしまうことが阻止される。しかしこ
の場合、ターゲットを保持する中空体の壁からの磁極片
の間隔が、環状の中間室によって増大させられてしまう
ので、ターゲット表面に作用する磁界の強さが著しく減
少するという不都合が生じる。

【０００４】このような、小さ過ぎる磁界強さの不都合
を回避するためには、たいていの場合、磁石が磁極片と
共にターゲットの内周面のすぐ手前に配置され、中空体
全体が冷却液によって貫流させられる。この場合、磁石
の表面をニッケルメッキすることにより、磁石の腐食が
防止される。しかしこのことには、ターゲットの交換が
極めて慎重に行なわれなければならないという欠点があ
る。ターゲットの交換時に磁石のニッケルメッキされた
表面が、ターゲットとの衝突によって局所的に損傷され
ると、この場所では装置の運転時に冷却液によって磁石
材料の極めて迅速な錆付きが生じ、ひいては磁石の破壊
が生じる。このことは、それどころかターゲットによる
磁石の機械的損傷なしでも、ニッケル層が最初から欠陥
個所を有していれば十分に生じる恐れがある。

【０００５】さらに、高いスパッタリング速度を有する
陰極スパッタリング装置が公知である（ＤＥ２４１７２
８８）。この公知の陰極スパッタリング装置の陰極はそ
の一方の表面に、スパッタリングして基板に沈積させた
い材料を有している。さらに、この陰極スパッタリング
装置は磁石装置を有しており、この磁石装置は、スパッ
タリング面から出発してかつスパッタリング面に帰還す
る磁束線が、それ自体閉じたループの形を有する放電範
囲を形成するように配置されている。さらに、この公知
の陰極スパッタリング装置は、スパッタリングされた、
スパッタリング面から基板へ運動する材料の軌道の外側
に配置された陽極を備えている。この場合、噴霧される
べき基板に面した、スパッタリングしたい陰極表面は平
らに形成されており、基板は放電範囲の近くで平らなス
パッタリング面に対して平行に、このスパッタリング面
を超えて運動させられるようになっている。さらに、陰
極の、平らなスパッタリング面とは反対の側には、磁界
を発生させる磁石装置が配置されている。

【０００６】さらに、管状の陰極を備えたスパッタリン
グ装置のための陰極装置も公知である（ＤＥ２７２９２
８６）。陰極の表面は、ターゲットの形のスパッタリン
グしたい材料を有している。さらに、１つまたは複数の
磁界を発生させるための磁石装置が設けられており、こ
の磁石装置により、陰極の表面のための少なくとも１つ
の電子トラップが規定される。この場合、この電子トラ
ップは磁石装置の移動によって陰極の表面に沿って移動
可能である。

【０００７】この公知の陰極装置では、管状の被覆体を
磁石装置に対して運動させることも可能であるので、陰
極材料の極めて均一で有効な消費を行なうことができ
る。この場合、種々の種類の材料をスパッタリングする
こともできる。このためには基板が、管状の被覆体の長
手方向軸線に対して平行に延びる平面に配置されてい
る。

【０００８】さらに、磁界増幅された放電において真空
技術プロセスを実施するための装置も提案されている
（ＤＤ１２３９５２）。この装置は磁界を発生させる装
置と、負の電位を有するターゲットと、陽極とから成っ
ている。これらの構成部分の間では、放電が発生する。
この場合、磁界を発生させる装置はその磁極片で環状に
かつ陰極に対して同心的に形成されている。磁界を発生
させる装置は実施したい真空技術プロセスに応じて、管
状のターゲットの内部に配置されているか、またはター
ゲットを外側で取り囲むように配置されており、軸方向
で制限された、不均質のトーラス状の磁界を発生させ
る。この磁界の主磁界方向はターゲットの範囲でターゲ
ットの軸方向に対して平行に向けられている。この場
合、陽極は、磁界を発生させる装置がターゲット内部に
配置された状態では、ターゲットを管状に取り囲んでお
り、磁界を発生させる装置がターゲットを取り囲むよう
に配置された状態ではこのターゲットに管体または中実
材料として配置されており、この場合、磁界を発生させ
る装置と、管状のターゲットと、陽極とは互いに相対的
に運動可能である。

【０００９】さらに、プラズマトロン原理により高速ス
パッタリングするための装置が公知である（ＤＤ２１７
９６４）。この装置は環状ギャップを有する磁界を発生
させる装置と、冷却される管状のターゲットと、陽極と
から成っている。この場合、磁界を発生させる装置は、
それ自体閉じた、縦長の環状ギャップを有している。こ
の磁界を発生させる装置は、その大きな軸線がターゲッ
ト軸線に対して平行に延びるようにターゲットに配置さ
れている。この公知の装置では、陽極がターゲットを取
り囲んでおり、この場合、環状ギャップ範囲が自由とな
り、調節装置によって陽極とターゲット表面との間の間
隔は規定の値に調節可能である。大きな軸線を中心とし
た相対運動を生ぜしめるためには、ターゲットと、磁界
を発生させる装置との間に駆動装置が配置されており、
さらに、磁界を発生させる装置には、この装置とターゲ
ットとの間の間隔を変化させるための装置が配置されて
いる。

【００１０】公知先行技術には、さらに真空スパッタリ
ングのための陰極も所属している（ＥＰ０４６１０３
５）。この陰極は回転体の形の中空体を有しており、こ
の回転体はその軸線を中心にして回転することができ
る。この陰極は軸線に沿って延びる側壁と、軸線に対し
てほぼ直角な２つの端面とを備えている。この場合、中
空体は少なくとも外側の側壁で、スパッタリングしたい
材料から形成されている。さらにこの陰極は、ターゲッ
トの近くに設けられた、磁気封入のための磁気回路と、
磁極と、透磁性の金属から成る部分と、磁気回路に磁束
を発生させるために適した磁化手段と、中空体に冷却液
を循環させるための冷却回路に接続するための装置と、
給電回路に接続するための装置と、中間体をその軸線を
中心にして回転させるための駆動装置とを備えている。
磁気回路は中空体に対して周方向に延びており、磁化手
段はこの中空体の外側に設けられており、磁気回路の磁
極はこの中空体の２つの母線に沿って設けられている。
この公知の陰極はさらに、前記両母線の間に設けられ
た、中空体の側壁の円弧状部分を備えている。この円弧
状部分は陰極のターゲットを形成している。

【００１１】さらに、スパッタリングしたい面を有する
陰極と、この陰極の近くでかつスパッタリングしたい面
とは反対の側に配置された、磁力線を発生させるための
磁石装置とを備えた陰極スパッタリング装置が公知であ
る（ドイツ連邦共和国特許出願公開第２７０７１４４号
明細書）。磁力線のうち少なくとも幾つかの磁力線は互
いに間隔を置いて位置する交点で、スパッタリングした
い面に進入して、再びこの面から進出する。この場合、
これらの交点の間で、磁力線は連続的に円弧状のセグメ
ントを、スパッタリングしたい面から間隔を置いて形成
する。このスパッタリングしたい面は磁力線と共に、閉
じた範囲を仕切るための制限部を形成しており、これに
より、トンネル状の範囲が形成される。このトンネル状
の範囲は、これによって規定された軌道に沿って、スパ
ッタリングしたい面に位置している。この場合、帯電粒
子は、トンネル状の範囲に引き止められ、この範囲に沿
って運動する傾向を示す。さらに、この公知の陰極スパ
ッタリング装置は陰極に隣接した陽極と、陰極および陽
極を電位源に接続するための接続部とを有している。こ
の場合、少なくともスパッタリングしたい面は排気可能
な容器の内部に位置している。磁界と、スパッタリング
したい表面との間の相対運動を形成するための運動方向
は、磁界とスパッタリングしたい表面との空間的な隣接
性が維持されるように設定されており、前記軌道はスパ
ッタリングしたい面を擦過し、しかもこの場合、前記軌
道は静止軌道によって取られる面範囲よりも大きく形成
された面範囲で、スパッタリングしたい面を擦過する。

【００１２】この公知の円筒状の陰極スパッタリング装
置では、円筒状の支持体に固定された磁石装置を回転さ
せることも、往復運動させることもできるので、この磁
石装置は表面全体にわたってスパッタリングを生ぜしめ
ることができる。しかし、規定の範囲を選択することも
可能である。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、冒頭
で述べた形式の装置を改良して、冷却媒体による磁石の
腐食を懸念しなくても済み、しかも磁石の、ターゲット
の熱による過剰加熱が十分に防止されているような装置
を提供することである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明の構成では、磁石が、ターゲットの外側に配置
されており、ターゲットの内側に配置された磁極片への
磁界の伝達が、ターゲットを通じて狭いギャップを介し
て行なわれるようにした。

【００１５】

【発明の効果】本発明によれば、磁石または磁石システ
ムのこのような外部配置に基づき、ターゲットの交換時
に磁石または磁石システムの機械的な損傷は生じ得な
い。さらに、磁石の手間のかかる防食も不要とすること
ができる。なぜならば、磁石はもはやターゲットや冷却
媒体に接触し得ないからである。ターゲットおよび磁極
片と磁石との間には、極めて狭いギャップを設けること
ができるので、磁束損失は小さい。この磁束損失こと
は、内部配置の場合よりも大きな１つまたは複数の磁石
を設けることにより補償され得る。このことは、公知先
行技術とは異なり問題なしに可能となる。なぜならば、
ターゲットの外側に十分なスペースが提供されているか
らである。

【００１６】本発明によれば、反応プロセスにおける僅
かな縁被覆（Ｒａｎｄｂｅｌｅｇｕｎｇ）により優れて
いる高いターゲット利用が得られる。本発明による装置
は高い運転確実性を有していて、特に安定的でかつアー
ク発生なしの被覆プロセスを可能にする。

【００１７】本発明の有利な改良形では、ターゲット内
に設けられた磁極片に対して整合するように、ターゲッ
トの一方の側に磁束案内体が配置されており、該磁束案
内体が、磁石に結合されている。このような構成によ
り、磁石をターゲットから比較的大きく遠ざけて配置す
ることができるので、この磁石はプロセス熱にほとんど
さらされていない。このことは、より高いターゲット温
度で運転することを可能にする。このことは、スパッタ
リングしたいかなりの材料にとって有利であり、しかも
付加的に、被覆過程のために必要に応じて基板をターゲ
ットの熱により加熱するためにも役立つことができる。

【００１８】前記磁束案内体が、ターゲットの外周面に
向けられた、互いに平行な３つの磁極片を有しており、
真ん中の磁極片の両側に各１つの磁石が配置されてお
り、該磁石が、それぞれ同じ磁極で真ん中の磁極片に接
触していて、反対の側の磁極でそれぞれ外側の磁極片に
接触していると、ターゲットにはほぼ方形を成すスパッ
タリング区域が形成される。これにより、ターゲット
の、除去したい範囲で磁束が屋根形に進出して、閉じた
プラズマリングが形成される。

【００１９】しかし択一的に、中空体の外周面に向けら
れた、互いに平行な３つの磁極片を有しており、真ん中
の磁極片が、磁石の一方の磁極に接触しているか、また
は磁石自体により形成されているような磁束案内体にお
いて、該磁石が、その他方の磁極で、外側の両磁極片を
互いに結合する、導磁性の材料から成る脚部に結合され
ているように構成することも可能である。

【００２０】磁石は、比較可能な装置の場合にそうであ
るように永久磁石であってよい。しかし本発明による外
部磁石配置に基づき、磁石が電磁石であることも問題な
く可能となる。なぜならば、この場合にもターゲットへ
電気的な導線を案内する必要はないからである。ターゲ
ットへ電気的な導線を案内することは、特に回転可能に
配置されたターゲットにおいては、高い構成手間を必要
としてしまう。

【００２１】本発明の別の有利な構成では、ターゲット
の内側に設けられた磁極片が、非導磁性であるが熱伝導
性の材料から成る２つのスペーサにより互いに結合され
て、１つの円筒柱体を形成している。この場合、ターゲ
ット内側に設けられた磁極片を、１つの構成部分を形成
するブロックにまとめることができる。

【００２２】前記磁極片および／または前記スペーサ
に、ターゲットの熱を導出する冷却液のための冷却通路
が設けられていると、ターゲットの冷却は特に簡単とな
る。

【００２３】陰極スパッタリング装置において、より大
きなスパッタリング出力を得るためには、しばしば２つ
の陰極が相並んで挿入される。このことは、本発明によ
る装置では、前記磁束案内体が、互いに平行な３つの磁
極片を有しており、該磁極片が、真ん中の脚部と、少な
くとも１つの磁石とによって互いに結合されており、前
記磁極片の互いに反対の側に、各１つのターゲットが配
置されており、該ターゲットが、前記磁束案内体の磁極
片に対して整合する磁極片を備えていると、唯一つの磁
石システムを用いるだけで可能となる。

【００２４】このような装置において、両ターゲット
が、互いに逆向きの極性を有する電圧に交互に接続可能
であると、特に高いスパッタリング速度が得られる。

【００２５】さらに、本発明による装置ではターゲット
が、比較可能な装置の場合と同様に、直流電圧源の負の
電位に接続されるか、または正の電圧または高周波にも
接続され得る。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の種々の実施の形
態を図面につき詳しく説明する。

【００２７】図１には、ピニオン１によって駆動され
る、中空体として形成されたターゲット２が示されてい
る。このターゲット２はターゲット軸線Ｒを中心にして
回転することができる。ターゲット２の内部には、導磁
性の材料から成る３つの磁極片３，４，５が配置されて
おり、この場合、これらの磁極片３，４，５と内周面と
の間には、たとえば磁極片５に合わせて位置決めされた
ギャップ６が残っている。

【００２８】中空体として形成されたターゲット２の外
側には、磁束案内体７が配置されている。この磁束案内
体７は中空体もしくはターゲット２に向けられた、互い
に平行な３つの磁極片８，９，１０を有している。これ
らの磁極片８，９，１０は同じく、たとえば磁極片１０
に合わせて位置決めされたギャップ１１を形成するよう
にターゲット２の直前にまで案内される。これらの磁極
片８，９，１０の間には、各１つの磁石１２，１３が配
置されている。磁石１２，１３は、陰極長手方向軸線も
しくはターゲット軸線Ｒに対して直交する横方向で延び
る、磁石１２，１３の端面のそれぞれ一方の端面に接触
した磁石３２および同じく横方向で延びかつ磁石１２，
１３の反対の側の他方の端面を互いに結合する別の磁石
３３（一点鎖線で示す）と共に磁石フレーム３４を形成
している。この磁石フレーム３４は磁極片８，１０と、
磁石３２，３３に対応して横方向に延びる２つの磁極片
３５，３６とによって取り囲まれる。

【００２９】ターゲット２に向かい合うように、被覆し
たい平らな基板３７が図示されている。この基板３７に
は、縦長の閉じた楕円形を形成する磁気トンネル３８が
向けられている。

【００３０】回転する管状のターゲット２の上方に４つ
の磁石１２，１３，３２，３３もしくは磁石列が配置さ
れており、これらの磁石が一緒になって小幅で方形の磁
石フレーム３４を形成していて、磁極片８，１０，３
５，３６によって完全に取り囲まれており、さらに磁極
片３，４，５の対応するフレーム状の配置構成がターゲ
ット２の内部にも設けられていることに基づき、基板３
７とターゲット２との間には磁気トンネル３８が形成さ
れているが、しかしこの磁気トンネル３８はターゲット
表面において、対応するスパッタリング溝を除去しな
い。なぜならば、ターゲット２はスパッタリングプロセ
スの間、回転するからである。

【００３１】縦長の楕円形を形成する閉じた磁気トンネ
ル３８を形成するためには、長手方向に配置された全て
の磁極片８，９，１０；３，４，５が、ターゲット回転
軸線Ｒに対して直交する横方向に延びる磁極片３５，３
６によって互いに結合されていなければならないことは
明らかである。さらに、モータ駆動される回転するター
ゲット２の保持および支承の目的で、被覆室壁において
手間のかかる軸受けが必要とされることも明らかであ
る。

【００３２】図２に示した断面図には、磁極片８，９，
１０を備えた磁束案内体７が示されている。磁石１２，
１３は同じ磁極１４，１５、たとえばＳ極で、磁極片９
に接触しており、逆方向の磁極１６，１７、つまりこの
実施例ではＮ極で磁極片８，１０に接触している。これ
により、磁極片８，９，１０を通って磁極片３，４，５
に通じた磁束が生じる。ターゲット２の、磁石１２，１
３とは反対の側に位置する側では、磁束線１８，１９が
示されている。この磁束線１８，１９によって、スパッ
タリング区域２０の互いに接続された２つの範囲が規定
されている。この磁束線１８，１９は図１に示した磁気
トンネル３８を形成する。

【００３３】磁極片３，４の間と、磁極片４，５の間に
は、それぞれ非導電性の材料から成るスペーサ２１，２
２が配置されている。これにより、磁極片３，４，５と
スペーサ２１，２２とから全体として円筒状のブロック
が形成される。このブロックは円筒状のターゲット２に
よって小さな遊びを持って取り囲まれる。スペーサ２
１，２２にも磁極片３，４，５にも、またはこれらの構
成部分のうちの１つだけに、冷却通路２３，２４が配置
されていてよい。この冷却通路によって、冷却媒体、通
常では水が、プロセス熱を排出するために流れる。

【００３４】図３に示したターゲット２の端範囲の水平
方向断面図から判かるように、磁極片３，４，５は端面
側でヨーク２５によって互いに結合されている。これに
より、浸食加工（エローション）溝を形成するスパッタ
リング区域２０はターゲット２において方形の形状を有
する。図２には、この方形の形状のうちＵ字形の範囲が
認められる。

【００３５】図４に示した第２実施例では、磁極片８，
９が脚部２６によって互いに結合されて、Ｕ字形の一体
の構成部分を形成している。図１に示した真ん中の磁極
片９の代わりに磁石２７が設けられており、この磁石２
７は脚部２６に載置されていて、ターゲット２のすぐ手
前にまで延びている。この磁石２７はターゲット２に向
かって一方の磁極２８を有していて、脚部２６に向かっ
て他方の磁極２９を有している。磁石２７は、最初に説
明した実施例における磁石１２，１３と同様に永久磁石
または電磁石であってよい。図４には、コイル３１が示
されている。

【００３６】図５に示した第３実施例による装置は、各
１つのターゲット２，２ａを形成する２つの同一の中空
体を有している。磁束案内体７は直線３０に対して鏡像
対称的に形成されているので、磁極片８，９，１０の端
部に対して小さな間隔を置いて、ターゲット２，２ａを
設けることができる。直線３０の範囲では、磁極片８，
９，１０が図１および図２に示した実施例の場合と同様
に磁石１２，１３によって互いに結合されている。ま
た、磁化も図１および図２に示した実施例に相当してい
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による装置の斜視図である。

【図２】本発明による装置の横断面図である。

【図３】本発明による装置の中空体の端範囲における水
平方向の断面図である。

【図４】本発明の第２実施例を示す横断面図である。

【図５】本発明の第３実施例を示す横断面図である。

【符号の説明】

１ ピニオン、 ２ ターゲット、 ３，４，５ 磁極
片、 ６ ギャップ、７ 磁束案内体、 ８，９，１０
磁極片、 １１ ギャップ、 １２，１３磁石、 １
４，１５，１６，１７ 磁極、 １８，１９ 磁束線、
２０ スパッタリング区域、 ２１，２２ スペー
サ、 ２３，２４ 冷却通路、 ２５ヨーク、 ２６
脚部、 ２７ 磁石、 ２８，２９ 磁極、 ３０ 直
線、３１ コイル、 ３２，３３ 磁石、 ３４ 磁石
フレーム、 ３５，３６磁極片、 ３７ 基板、 ３８
磁気トンネル

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マルティン ベール ドイツ連邦共和国 ハッセルロート ハー ナウアー ヴェーク 14 (72)発明者 ギュンター ブロイアー ドイツ連邦共和国 フライゲリヒト アム ヘルゲンホイシェン 10 (72)発明者 エルヴィン ヴィンター ドイツ連邦共和国 ハーナウ エップシュ タインシュトラーセ 48

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 長手方向軸線（Ｒ）を中心にして回転可
   能な管状のターゲット（２）の表面を電気エネルギによ
   ってスパッタリングすることにより、基板（３７）を被
   覆するための装置であって、ターゲット（２）が、該タ
   ーゲット（２）の長手方向に延びるスパッタリング区域
   （２０）を形成するために複数の磁石（１２，１３，３
   ２，３３）を備えており、少なくとも１つの磁石（１
   ２，１３）が、磁界を磁石（１２，１３）からターゲッ
   ト（２）のスパッタリング区域（２０）へ案内するため
   に、ターゲット（２）の内部に配置された、導磁性の材
   料から成る磁極片（３，４，５）に結合されている形式
   のものにおいて、磁石（１２，１３）が、ターゲット
   （２）の外側に配置されており、ターゲット（２）の内
   側に配置された磁極片（３，４，５）への磁界の伝達
   が、ターゲット（２）を通じて狭いギャップ（６，１
   １）を介して行なわれることを特徴とする、基板を被覆
   するための装置。
2. 【請求項２】 ターゲット（２）内に設けられた磁極片
   （３，４，５）に対して整合するように、ターゲット
   （２）の一方の側に磁束案内体（７）が配置されてお
   り、該磁束案内体（７）が、磁石（１２，１３）に結合
   されている、請求項１記載の装置。
3. 【請求項３】 前記磁束案内体（７）が、ターゲット
   （２）の外周面に向けられた、互いに平行な３つの磁極
   片（８，９，１０）を有しており、真ん中の磁極片
   （９）の両側に各１つの磁石（１２，１３）が配置され
   ており、該磁石（１２，１３）が、それぞれ同じ磁極
   （１４，１５）で真ん中の磁極片（９）に接触してい
   て、反対の側の磁極（１６，１７）でそれぞれ外側の磁
   極片（８，１０）に接触している、請求項１または２記
   載の装置。
4. 【請求項４】 前記磁束案内体(７)が、ターゲット
   （２）の外周面に向けられた、互いに平行な３つの磁極
   片（８，９，１０）を有しており、真ん中の磁極片
   （９）が、磁石（２７）の一方の磁極（２８）に接触し
   ているか、または磁石（２７）自体により形成されてお
   り、該磁石（２７）が、その他方の磁極（２９）で、外
   側の両磁極片（８，９）を互いに結合する、導磁性の材
   料から成る脚部（２６）に結合されている、請求項１か
   ら３までのいずれか１項記載の装置。
5. 【請求項５】 前記磁石（１２，１３；２７）が永久磁
   石である、請求項１から４までのいずれか１項記載の装
   置。
6. 【請求項６】 前記磁石（１２，１３；２７）が電磁石
   である、請求項１から５までのいずれか１項記載の装
   置。
7. 【請求項７】 ターゲット（２）の内側に設けられた前
   記磁極片（３，４，５）が、非導磁性であるが熱伝導性
   の材料から成る２つのスペーサ（２１，２２）により互
   いに結合されて、１つの円筒柱体を形成している、請求
   項１から６までのいずれか１項記載の装置。
8. 【請求項８】 ターゲット（２）の内側に設けられた前
   記磁極片（３，４，５）および／または前記スペーサ
   （２１，２２）に、ターゲット（２）の熱を導出する冷
   却液のための冷却通路（２３，２４）が設けられてい
   る、請求項７記載の装置。
9. 【請求項９】 前記磁束案内体（７）が、互いに平行な
   ３つの磁極片（８，９，１０）を有しており、該磁極片
   （８，９，１０）が、真ん中の脚部（２６）と、少なく
   とも１つの磁石（１２，１３）とによって互いに結合さ
   れており、前記磁極片（８，９，１０）の互いに反対の
   側に、中空体として形成された各１つのターゲット
   （２，２ａ）が配置されており、該ターゲット（２，２
   ａ）が、前記磁束案内体（７）の磁極片（８，９，１
   ０）に対して整合する磁極片（３，４，５）を備えてい
   る、請求項１から８までのいずれか１項記載の装置。
10. 【請求項１０】 両ターゲット（２，２ａ）が、互いに
    逆向きの極性を有する電圧に交互に接続可能である、請
    求項１から９までのいずれか１項記載の装置。
11. 【請求項１１】 前記磁束案内体（７）に設けられた、
    両側の磁石（１２，１３）が、該磁石の端面に配置され
    た、ターゲット長手方向軸線（Ｒ）に対して直交する方
    向に延びる磁石（３２，３３）と共に１つの磁石フレー
    ム（３４）を形成しており、該磁石フレーム（３４）
    が、前記磁束案内体（７）の磁極片（８，１０）と、該
    磁極片をその端面で互いに結合する磁極片（３５，３
    ６）とによって取り囲まれている、請求項１から１０ま
    でのいずれか１項記載の装置。
12. 【請求項１２】 前記磁束案内体（７）の磁極片（８，
    ９，１０）の、ターゲット（２）に面した各面が、中空
    円筒体として形成されたターゲット（２）の形状に適合
    されている、請求項１から１１までのいずれか１項記載
    の装置。
13. 【請求項１３】 ターゲット内側の磁極片（３，４，
    ５）の、ターゲット（２）の円筒状の内壁に面した側面
    が、円筒状外周面として形成されている、請求項１から
    １２までのいずれか１項記載の装置。
14. 【請求項１４】 ターゲット長手方向軸線（Ｒ）に対し
    て直交する横方向に延びる各磁極片（３５，３６）の、
    それぞれ少なくとも１つの端面が、被覆室の壁に固く結
    合されており、しかもそれぞれターゲット回転軸線
    （Ｒ）に対して平行に延びる磁極片（８，９，１０）
    が、それぞれ横方向に延びる前記磁極片（３５，３６）
    に固く結合されている、請求項１から１３までのいずれ
    か１項記載の装置。