JPH09106773A

JPH09106773A - 表示素子および多色表示素子

Info

Publication number: JPH09106773A
Application number: JP7265210A
Authority: JP
Inventors: Masao Uchida; 正雄内田; Hiroyoshi Tanaka; 博由田中; Koichi Kodera; 宏一小寺
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1995-10-13
Filing date: 1995-10-13
Publication date: 1997-04-22

Abstract

(57)【要約】【課題】電子放出現象を利用した表示素子において、
薄膜の絶縁体で隔てられた電子放出陰極と陽極を同一基
板上に積層して構成することにより駆動電圧の低減をは
かる。【解決手段】陽極２を堆積した基板１上に薄膜の絶縁
体４で支持した電子放出部５と陰極６を形成し、開口部
８を設けて蛍光体３を露出させる。陽極２−陰極６間が
絶縁体４の薄膜で支持されているため低電圧で高電界強
度が得られ、電圧印加によって電子放出陰極７から引き
出された電子が陽極２上の蛍光体３を励起し電子放出陰
極７の開口部８あるいは基板１を透過して基板１の両面
方向から発光が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は電界印加により電子
放出陰極より放出された電子が蛍光体を励起発光する原
理を利用した表示素子に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、大容積、大重量のブラウン管ディ
スプレイに代わる、薄型、軽量の平面ディスプレイへの
期待が高まっているが、電子親和力の小さいダイヤモン
ド等の半導体や微細加工で突起を有するシリコン等の半
導体を電子放出源として電子を放出させ、陽極上の蛍光
体を励起発光させる表示素子（フィールドエミッション
ディスプレイ：ＦＥＤ）が注目を集めている。

【０００３】以下に従来の表示素子について説明する。
図８は従来の表示素子の構造を示すものである。図８に
おいて、８０は基板、６は陰極となる電極、５は電子放
出部となる半導体であり、電子放出部５および陰極６が
電子放出陰極７を形成している。電子放出陰極７はダイ
ヤモンド等の電子親和力の小さい半導体では平面状であ
るが、そうでない場合は表面に突起を形成して電界集中
を起こさせる構造を有している。８１は透明基板、８２
は透明電極、３は蛍光体で、８４は基板８０と透明基板
８１を支持する絶縁体である。両基板８０および８１の
間は真空に排気されており、必要に応じて真空封止のた
めの筐体９中に設置される。また１０は陽極８２および
陰極６の間に電圧を印加する電源である。

【０００４】以上のように構成された表示素子につい
て、以下その動作について説明する。ダイヤモンドはバ
ンドギャップエネルギーが非常に大きく電子親和力が非
常に小さいことから光励起や電界印加により生成された
電子は真空空間へ放出されやすい。またダイヤモンド結
晶の（１１１）面では電子親和力が負であるという特徴
を有していることから、電子放出材料として期待されて
いる。陰極６に対して透明電極８２に正の高電圧を印加
すると電子放出陰極７から電子が引き出され、透明電極
８２上に塗布された蛍光体３が励起発光し、その光は透
明電極８２および透明基板８１を透過して外部に放出さ
れる。

【０００５】また図９は従来の表示素子の他の例を示し
ている。図８の表示素子では基板に対し縦方向に電界を
生じさせる構成であるが、図９の表示素子は基板に対し
横方向に電界を生じさせる構成である。図９において、
９０は基板、９１は陽極、３は蛍光体である。また７は
電子放出陰極である。電子放出陰極７と陽極９１の間に
は必要に応じてゲート電極が付加される。９は真空封止
のための筐体であり、１０は陽極９１および電子放出陰
極７の間に電圧を印加する電源である。

【０００６】以上のように構成された表示素子において
も、電子放出陰極７に対して陽極９１に正の高電圧を印
加すると電子放出陰極７から電子が引き出され、陽極９
１上に塗布された蛍光体３が励起発光し、その光は筐体
９を透過して外部に放出される。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の図
８の従来の表示素子では、基板６と透明基板８１の間が
真空空間となるため、絶縁体８４は大気圧に耐える強度
が必要であり、また絶縁体８４の高さが小さいと、基板
８０あるいは透明基板８１の歪みにより両基板間で電子
放出陰極７と蛍光体３が部分的に短絡し正常動作しなく
なる。このため絶縁体８４の高さを数十μｍの大きさに
する必要があり、電子放出あるいは蛍光体の励起発光に
必要な電界強度を得るためには５００〜１０００Ｖ以上
の高電圧を印加しなければならないという問題点を有し
ていた。

【０００８】また上記の図９の従来の表示素子では基板
９０上の同一面内に陽極９１と電子放出陰極７が配置さ
れているため表示部の集積密度が小さくなり、高精細な
表示を実現できない。また電界が不均一に生じるため表
示が不均一になりやすい。

【０００９】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、基板間隔を小さくすることにより低電圧で動作し、
高精細な表示素子を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の表示素子は、基板２枚を張り合わせる構造を
とらず、１枚の基板上に電子放出陰極と陽極を積層して
一体化させ、陽極−電子放出陰極間で基板に対して垂直
な方向の電界が生じるように、絶縁体および電子放出陰
極に開口部を設けて陽極に対向した電子放出部の表面が
露出した構成を有している。

【００１１】

【発明の実施の形態】この構成によって、従来２枚の基
板を支持していた絶縁体は基板を支持する必要がなく、
基板上に薄膜化することができ、陽極と電子放出陰極の
間隔を絶縁体の膜厚で制御することが可能となり、電子
放出に必要な電界強度をより低電圧に抑えることができ
る。また陽極と電子放出陰極が基板に対し垂直な方向に
配置されているため表示部の集積密度を大きくすること
ができ、高精細な表示が実現できる。

【００１２】（実施例１）以下本発明の第一の実施例に
ついて、図面を参照しながら説明する。

【００１３】図１（ａ）において、１は基板、２は陽極
となる電極である。３は蛍光体である。４は薄膜で形成
された絶縁体であり、７は電子放出部５および陰極６で
構成された電子放出陰極である。８は電子放出陰極７お
よび絶縁体４に設けられた開口部である。また９は真空
空間１１を維持するための筐体であり、１０は電源であ
る。シリコン等から電子放出を得るためにはエッチング
等の微細加工を施して微小な突起を形成する必要がある
が、電子放出部５として電子親和力が小さいかあるいは
負の値を持つダイヤモンドや、ダイヤモンドと構造の類
似したｓｐ³結合を有するダイヤモンド状炭素（ＤＬ
Ｃ）を用いることにより、突起を形成することなく薄膜
からの電子放出が可能である。また図１（ｂ）は本実施
例における表示素子の斜視図である。

【００１４】本表示素子の作製方法の一例を示す。まず
陽極２を基板１上に堆積し、その陽極２上に蛍光体３を
塗布する。次に、絶縁体４、電子放出部５、陰極６を堆
積し、フォトリソグラフィやエッチングにより、陰極
６、電子放出部５、絶縁体４を貫通する開口部８を形成
する。ここで、絶縁体４に関しては図１（ａ）に示した
ように、陽極２と対向する電子放出面１２が露出するよ
うに基板１に平行な方向に等方的にエッチングをするの
が好ましい。このとき蛍光体３がエッチングにより剥離
しないようなエッチング液を選択する。あるいは、蛍光
体３を塗布せずに絶縁体４、電子放出部５、陰極６を堆
積して開口部８を形成した後、陰極６側より蛍光体３を
塗布あるいは蒸着等により開口部８を通して陽極２上に
堆積してもよい。また開口部８は、絶縁体４、電子放出
部５、陰極６を形成する前にあらかじめ作製した円柱状
や角柱状のマスクをリフトオフすることにより形成して
もよい。

【００１５】以上のような構成を持つ表示素子の動作原
理を以下に説明する。陰極６に対して陽極２に正の電圧
を印加し、電子放出に十分な電界が得られたとき、陰極
６から電子が注入されて電子放出面１２より電子が放出
され、陽極２に捕獲される際に、陽極２上の蛍光体３を
励起発光させる。発光輝度は陽極２−陰極６間に印加さ
れる電圧あるいは電流により制御される。この原理は図
８に示した従来の表示素子と同様であるが、陽極２−陰
極６間の距離は薄膜で形成された絶縁体４により決定さ
れるため、数百ｎｍから数μｍの陽極２−陰極６間距離
を実現でき、１００Ｖ程度の低電圧で電子放出に必要な
電界強度を得ることができる。また、陽極２と電子放出
陰極７が基板１に対し垂直方向に配置されているので、
図９に示した表示素子と比べ表示部の集積密度を大きく
することができ高精細な表示が得られる。さらに開口部
８の数を多くすることで均一な表示が得られる。

【００１６】また電子放出部５として、ｐ形半導体とｎ
形半導体の積層とすることにより電子放出の効率を高め
ることができる。図２（ａ）において、２０はｐ形半導
体、２１はｎ形半導体である。他の構成は図１（ａ）と
同様である。電源１０により陰極６に対して陽極２に正
の電圧を印加し、電子放出に十分な電界が得られたと
き、陰極６から注入される電子はｎ形半導体２１の伝導
帯へ注入される。ｐ形半導体２０中の少数キャリアであ
る電子の拡散距離がｐ形半導体２０の膜厚より大きい場
合、電子はｐ形半導体２０の伝導帯を拡散してｐ形半導
体２０の表面（電子放出面１２）へ到達できる。いま、
電荷素量をｅ、ｐｎ接合界面で生じる熱平衡状態での拡
散電位をＶ_D、ｐｎ接合の界面にかかっている電圧をＶ
_pnとすると、ｎ形半導体２１の伝導帯の下端よりｅ（Ｖ
_D−Ｖ_pn）だけｐ形半導体２０の伝導帯の下端の方がエ
ネルギー準位が高いため、より電子放出が容易となり、
さらに駆動電圧を低減できる。

【００１７】またｐ形半導体が薄膜ではなく図２（ｂ）
の２２に示したように微粒子状に分散しているかあるい
は島状に点在している場合、ｎ形半導体２１中の電子は
微粒子状ｐ形半導体２２の表面を流れることができる。
微粒子状ｐ形半導体２２として、表面が水素終端された
ダイヤモンドを用いたとき、ダイヤモンドの表面はｐ形
の導電層となるので、このダイヤモンドをｐ形半導体２
２として用いてもよい。もちろんボロン等のｐ形ドーパ
ントをドープしたｐ形のダイヤモンドを用いてもよい。

【００１８】なお、ここで記したダイヤモンドはｓｐ³
結合を含んだＤＬＣであってもかまわない。

【００１９】ところで、図１（ａ）、図１（ｂ）、図２
（ａ）、図２（ｂ）の表示素子において、陽極２または
基板１の少なくとも一方が不透明で鏡面の場合には、蛍
光体３からの発光は陽極２側で反射され、電子放出陰極
７側の開口部８より光を取り出す構成となる。また陽極
２および基板１の両方が透明で、光が透過できる場合は
基板１側および電子放出陰極７側の両面より光を取り出
すことができ、用途に応じて基板１側のみ、電子放出陰
極７側のみ、あるいはその双方から発光させることがで
きる。

【００２０】さらに基板１をフレキシブルなプラスチッ
ク基板とする事により本表示素子の軽量化を図ることが
でき、さらに真空を維持する筐体９の内部の曲面部分に
も張り付けることが可能である。

【００２１】もちろん基板を大面積化して画素を構成す
れば高精細なフラットディスプレイが実現できる。

【００２２】（実施例２）以下本発明の第二の実施例に
ついて、図面を参照しながら説明する。

【００２３】図３および図４（ａ）、図４（ｂ）はそれ
ぞれ図１（ａ）および図２（ａ）、図２（ｂ）にゲート
電極を付与したものである。

【００２４】図３および図４（ａ）、図４（ｂ）におい
て、３０はゲート電極であり、３１は絶縁体で、３２は
ゲート電極３０に電圧を印加する電源である。他の構成
は図１（ａ）および図２（ａ）、図２（ｂ）と同様であ
る。

【００２５】以上のように構成された表示素子について
以下その動作を説明する。実施例１における表示素子が
陽極２・陰極６の２端子素子であるのに対し、本実施例
の表示素子は、陽極２・陰極６・ゲート電極３０の３端
子素子である。陽極２−陰極６間に電源１０により電圧
を印加し、電源３２により陰極６に対してゲート電極３
０に印加された電圧により電子放出陰極７から電子が引
き出され、その一部はゲート電極３０に捕獲されるが大
部分は陽極２−陰極６間の電圧により加速されて陽極２
上の蛍光体３を励起し、発光する。発光輝度はゲート電
極３０に印加される電圧で制御する。

【００２６】他の特徴については実施例１に示した表示
素子と同様である。（実施例３）以下本発明の第三の実施例について、図面
を参照しながら説明する。

【００２７】図５において、１０３は赤色発光する蛍光
体、２０３は緑色発光する蛍光体、３０３は青色発光す
る蛍光体である。１０１、２０１、３０１は基板である
が、各基板上の構成は基本的に図１（ａ）と同様であ
り、１２０、２２０、３２０はそれぞれ赤、緑、青に対
応する表示素子である。すなわち本実施例の表示素子は
陽極−電子放出陰極を一体化した基板１０１、２０１、
３０１を３枚重ねた構成を有している。フルカラー表示
するためには表示素子が３枚必要となるが、２枚あれば
多色表示が可能となる。表示素子１２０、２２０、３２
０を重ねる際には各基板１０１、２０１、３０１上の開
口部１０８、２０８、３０８の位置が一致するように配
置する。また５０は表示素子１２０、２２０、３２０間
を支持するスペーサーである。これは開口部１０８、２
０８、３０８の空間を真空排気するために必要である
が、真空排気した後に表示素子１２０、２２０、３２０
間を封止できればスペーサー５０は特に必要としない。
また１１０、２１０、３１０は発光を制御するための電
源である。

【００２８】以上のように構成された表示素子につい
て、以下その動作を説明する。表示素子１２０、２２
０、３２０はそれぞれ独立に電源１１０、２１０、３１
０により制御され、これらの電源により各陽極−陰極間
に電圧を印加して電子放出陰極１０７、２０７、３０７
より電子を引き出し、蛍光体１０３、２０３、３０３を
励起発光させることによりそれぞれ赤、緑、青の光三原
色発光が得られる。ここで、赤、緑、青の発光が得られ
る蛍光体１０３、２０３、３０３のバンドギャップエネ
ルギーについて、赤色の蛍光体１０３が一番小さく、青
色の蛍光体３０３が一番大きい時、図５の矢印Ａの方向
に光を取り出す場合には、蛍光体１０３からの赤色発光
は緑の表示素子２２０の透明な基板２０１、透明な陽極
２０２、蛍光体２０３を透過し、青の表示素子３２０の
透明な基板３０１、透明な陽極３０２、蛍光体３０３を
透過できる。同様に、蛍光体２０３からの緑色発光は青
の表示素子３２０の透明な基板３０１、透明な陽極３０
２および蛍光体３０３を透過できるので、開口部１０
８、２０８、３０８を通過した赤、緑、青の発光５１を
Ａ側で認識できる。ここで青色発光する表示素子１２０
の開口部１０８よりも緑色発光する表示素子２２０の開
口部２０８を大きくし、それらよりも赤色発光する表示
素子３２０の開口部３０８を大きくすることにより、開
口部１０８、２０８、３０８の位置ずれによる光路の遮
断を緩和し、発光５１を透過しやすくできる。蛍光体１
０３、２０３、３０３にも開口部を設ければ発光５１が
さらに透過しやすくできる。ここで電源１１０、２１
０、３１０を制御して各表示素子１２０、２２０、３２
０の発光輝度を調整する事によりＡ側でフルカラー表示
が可能となる。逆方向へ光が逃げないように、必要に応
じてＢ側に遮光あるいは反射の役割を果たす膜や板を配
置するとよい。

【００２９】また赤、緑、青の蛍光体をそれぞれ３０
３、２０３、１０３とし、電源３１０、２１０、１１０
によって表示素子３２０、２２０、１２０からそれぞれ
赤、緑、青色を発光させる構成とした場合には、同様に
して矢印Ｂ側へフルカラー表示が可能となり、遮光ある
いは反射のための膜や板は必要に応じてＡ側に配置す
る。

【００３０】もちろん本実施例の表示素子に関しても基
板を大面積化して画素を構成することにより高精細なフ
ラットディスプレイが実現できる。ＣＲＴや液晶等の従
来のディスプレイでは表示面に赤、緑、青のカラーフィ
ルターまたは蛍光体を横方向に配置しているため、図６
（ａ）に示すように画素６０は赤、緑、青に対応する３
つのピクセル６１、６２、６３により構成されていた
が、本実施例の表示素子は３色の表示素子１２０、２２
０、３２０を積層した構成のため、図６（ｂ）に示すよ
うに複数個の開口部６４で１ピクセルを形成した場合、
それ自身がフルカラー表示可能なため１ピクセルだけで
画素６５を構成することができ、図８や図９に示した従
来の表示素子に比べて高精細な表示が可能である。

【００３１】次にゲート電極を付加した多色表示素子を
図７により説明する。図７は図５の多色表示素子にゲー
ト電極を付与したものであり、１３０、２３０、３３０
はそれぞれ赤、緑、青に対応する表示素子１７０、２７
０、３７０のゲート電極で、１３１、２３１、３３１は
絶縁体である。他の構成は図５と同様である。各表示素
子１７０、２７０、３７０の陽極−陰極間に電源７０に
より電圧を印加し、ゲート電極１３０、２３０、３３０
により各発光を制御することにより７１に示したように
フルカラー表示が得られる。他の特徴については図５に
示した多色表示素子と同様である。

【００３２】本実施例において電子放出部１０５、２０
５、３０５として実施例１および実施例２に示したｐｎ
接合およびｐ形の微粒子分散の構造をとることにより駆
動電圧のさらなる低減が可能である。

【００３３】ここで、蛍光体１０３、２０３、３０３自
身が赤、緑、青に発光するとして説明したが、すべて白
色発光する蛍光体を用いて各基板にそれぞれ赤、緑、青
のカラーフィルターを塗布し、白色光を透過させること
により、赤、緑、青の発光を実現してもよい。

【００３４】なお、実施例１、実施例２および実施例３
において図示した電源の配線は一例であって、この配線
に限るものではない。

【００３５】電子放出部の表面を配向させるために、各
表示素子作製時に絶縁体と電子放出部の間に配向膜を堆
積し、配向した電子放出面を有する電子放出陰極を形成
した後、電子放出部表面の配向膜をエッチング等により
除去することにより、高効率の電子放出陰極が形成可能
である。

【００３６】また、電子放出部表面の電子放出効率を高
めるため、素子作製時に絶縁体と電子放出部の間に例え
ばセシウムや酸化セシウム等の低仕事関数の材料を堆積
し、その材料で電子放出面表面を覆ってもよい。

【００３７】さらに、真空空間を維持するための筐体の
代わりに、陰極上に新たに基板を堆積して真空空間を封
止しても差し支えない。

【００３８】加えて、蛍光体材料として有機ＥＬ素子に
利用されている有機色素、蛍光性導電性高分子等の有機
材料を用いるとキャリアの再結合に伴なう発光となるた
め電圧を低減でき、キャリア輸送層との積層や材料の混
合などにより発光の高効率化や多色表示が可能となる。

【００３９】

【発明の効果】以上のように本発明は、陽極と陰極間を
支持する絶縁体を薄膜で形成して基板上に電子放出部と
陽極を積層して一体化させることにより、陽極と電子放
出部の間隔を絶縁体の膜厚で制御することが可能とな
り、同時に従来２枚の基板を支持していた絶縁体は基板
を支持する必要がなくなるため基板間隔を小さくするこ
とができ、電子放出に必要な電界強度をより低電圧で実
現することができ、陽極に開口部を設けたことにより陰
極側から発光を取り出すことができ、透明基板を用いれ
ば基板両面方向から発光が得られる高精細な優れた表示
素子を実現できるものである。また、透明な基板と陽極
を用いてそれぞれ異なる発光の表示素子を積層すること
により多色表示が可能な優れた多色表示素子が実現で
き、１ピクセルで画素に対応するフルカラー表示が実現
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は本発明の実施例１における表示素子の
構成図（ｂ）は本発明の実施例１における表示素子の斜視図

【図２】（ａ）は電子放出部がｐｎ接合で形成された本
発明の実施例１における表示素子の構成図（ｂ）は電子放出部がｎ形半導体と微粒子分散したｐ形
半導体で形成された本発明の実施例１における表示素子
の構成図

【図３】本発明の実施例２におけるゲート電極付き表示
素子の構成図

【図４】（ａ）は電子放出部がｐｎ接合で形成された本
発明の実施例２におけるゲート電極付き表示素子の断面
図（ｂ）は電子放出部がｎ形半導体と微粒子分散したｐ形
半導体で形成された本発明の実施例２におけるゲート電
極付き表示素子の構成図

【図５】本発明の実施例３における多色表示素子の構成
図

【図６】（ａ）は従来の表示素子の画素を示す概略図（ｂ）は実施例３における多色表示素子の画素を示す概
略図

【図７】本発明の実施例３におけるゲート電極付き多色
表示素子の構成図

【図８】電子放出陰極を用いた従来の表示素子の構成図

【図９】電子放出陰極を用いた従来の表示素子の他の例
の構成図

【符号の説明】１、１０１、２０１、３０１基板２、１０２、２０２、３０２陽極３、１０３、２０３、３０３蛍光体４、１０４、２０４、３０４、３１、１３１、２３１、
３３１絶縁体５、１０５、２０５、３０５電子放出部６、１０６、２０６、３０６陰極７、１０７、２０７、３０７電子放出陰極８、１０８、２０８、３０８開口部２０、２２ｐ形半導体２１ｎ形半導体３０、１３０、２３０、３３０ゲート電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも一部に陽極となる電極を堆積し
た基板と、前記陽極上に堆積した蛍光体と、電子放出部
と、前記電子放出部上に堆積した陰極からなる電子放出
陰極と、前記陽極と前記電子放出陰極を絶縁するように
堆積された絶縁体とを具備し、前記電子放出陰極および
前記絶縁体の少なくとも一部に開口部を設けることによ
り前記陽極に対向する前記電子放出部の表面および前記
蛍光体の少なくとも一部が露出する構成を有し、前記絶
縁体に設けられた前記開口部において前記電子放出陰極
と前記陽極の間に電界を生じさせ、前記蛍光体を発光さ
せることを特徴とする表示素子。
【請求項２】少なくとも一部に陽極となる電極を堆積し
た基板と、前記陽極上に堆積した蛍光体と、電子放出部
と前記電子放出部上に堆積した陰極からなる電子放出陰
極と、ゲート電極と、前記陽極と前記ゲート電極および
前記電子放出陰極を絶縁するように堆積された絶縁体と
を具備し、前記ゲート電極および電子放出陰極および前
記絶縁体の少なくとも一部に開口部を設けることにより
前記陽極に対向する前記電子放出部の表面および前記蛍
光体の少なくとも一部が露出する構成を有し、前記絶縁
体および前記ゲート電極に設けられた前記開口部におい
て前記電子放出陰極と前記陽極の間に電界を生じさせ、
前記蛍光体を発光させることを特徴とする表示素子。
【請求項３】電子放出部が低仕事関数の半導体であるこ
とを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示素
子。
【請求項４】電子放出部が前記陰極と接触したｎ形の半
導体とｐ形の半導体の積層であることを特徴とする請求
項１、２または３に記載の表示素子。
【請求項５】ｐ形の半導体が微粒子状に分散しているこ
とを特徴とする請求項４に記載の表示素子。
【請求項６】半導体がダイヤモンドであることを特徴と
する請求項３、４または５に記載の表示素子。
【請求項７】半導体がダイヤモンド状炭素であることを
特徴とする請求項３、４または５に記載の表示素子。
【請求項８】基板がフレキシブルなプラスチック基板で
あることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載
の表示素子。
【請求項９】陽極および基板が透明であることにより、
電子放出陰極側および前記基板側の両方から前記蛍光体
の発光を放出することを特徴とする請求項１から８のい
ずれかに記載の表示素子。
【請求項１０】請求項９に記載の表示素子の少なくとも
２つを積層し、それぞれの前記電子放出陰極に設けられ
た前記開口部を前記基板に垂直な方向に一致させること
により前記開口部より光を透過させる構成を有し、前記
表示素子がそれぞれ異なる色を発することにより多色を
表示する多色表示素子。