JPH09106887A - 有機エレクトロルミネセンス素子およびその駆動方法 - Google Patents
有機エレクトロルミネセンス素子およびその駆動方法Info
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- JPH09106887A JPH09106887A JP7248988A JP24898895A JPH09106887A JP H09106887 A JPH09106887 A JP H09106887A JP 7248988 A JP7248988 A JP 7248988A JP 24898895 A JP24898895 A JP 24898895A JP H09106887 A JPH09106887 A JP H09106887A
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 画素電極間での発光強度のばらつきのない、
表示品質のよい有機ＥＬ素子を提供できる。 【解決手段】 複数の画素電極１３ａ、１３ｂとこれら
の画素電極に接続する配線電極１４ａ、１４ｂとよりな
る透明電極１２とを透明基板上に設け、画素電極上には
有機発光層と対向電極とを順次積層する有機ＥＬ素子に
おいて、それぞれの画素電極の面積とそれに接続する配
線電極の抵抗値との積を概一定値とする有機ＥＬ素子お
よびその駆動方法。
表示品質のよい有機ＥＬ素子を提供できる。 【解決手段】 複数の画素電極１３ａ、１３ｂとこれら
の画素電極に接続する配線電極１４ａ、１４ｂとよりな
る透明電極１２とを透明基板上に設け、画素電極上には
有機発光層と対向電極とを順次積層する有機ＥＬ素子に
おいて、それぞれの画素電極の面積とそれに接続する配
線電極の抵抗値との積を概一定値とする有機ＥＬ素子お
よびその駆動方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は有機エレクトロルミ
ネセンス素子の構造とその駆動方法に関する。
ネセンス素子の構造とその駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】エレクトロルミネセンス素子（以下ＥＬ
素子と記載する）には、無機ＥＬ素子と有機ＥＬ素子と
がある。一般に無機ＥＬ素子が薄膜型と分散型ともに数
十Ｖ以上の交流電圧で発光するのに対し、有機ＥＬ素子
は１０Ｖ程度あるいはそれ以下の直流電圧で高輝度で発
光するという利点がある。有機ＥＬ素子の一般的な構造
を図９の断面図に示す。
素子と記載する）には、無機ＥＬ素子と有機ＥＬ素子と
がある。一般に無機ＥＬ素子が薄膜型と分散型ともに数
十Ｖ以上の交流電圧で発光するのに対し、有機ＥＬ素子
は１０Ｖ程度あるいはそれ以下の直流電圧で高輝度で発
光するという利点がある。有機ＥＬ素子の一般的な構造
を図９の断面図に示す。
【０００３】透明基板１１上に透明電極１２と有機発光
層１５と対向電極１６とを順に積層する構造をもつ。有
機発光層１５は図９には示していないが、種々の有機薄
膜の積層体であり、たとえばトリフェニルアミン誘導体
等からなる正孔注入層とアントラセンの蛍光性の有機固
体からなる発光層の積層体、あるいはこのような発光層
とペリレン誘導体からなる電子注入層の積層体、またあ
るいはこれらの正孔注入層や発光層や電子注入層の積層
体などの組み合わせを選択できる。
層１５と対向電極１６とを順に積層する構造をもつ。有
機発光層１５は図９には示していないが、種々の有機薄
膜の積層体であり、たとえばトリフェニルアミン誘導体
等からなる正孔注入層とアントラセンの蛍光性の有機固
体からなる発光層の積層体、あるいはこのような発光層
とペリレン誘導体からなる電子注入層の積層体、またあ
るいはこれらの正孔注入層や発光層や電子注入層の積層
体などの組み合わせを選択できる。
【０００４】有機ＥＬ素子の発光は、透明電極１２と対
向電極１６とに電圧を印加することにより有機発光層１
５に正孔と電子とを注入し、これらが再結合し、再結合
によって生じるエネルギーが蛍光物質を励起し、励起さ
れた蛍光物質が基底状態に戻るときに光を放射するとい
う機構でおこる。途中の再結合というメカニズムは一般
のダイオードと同様であり、このことからも予想される
ように、電流と発光強度は印加電圧に対して整流性を伴
う強い非線形性を示す。図８には典型的な特性例とし
て、発光強度の電圧依存性を示す。ここでは数値を省略
してあるが、このような有機ＥＬ素子でのしきい値ＶT
は一般に数Ｖである。
向電極１６とに電圧を印加することにより有機発光層１
５に正孔と電子とを注入し、これらが再結合し、再結合
によって生じるエネルギーが蛍光物質を励起し、励起さ
れた蛍光物質が基底状態に戻るときに光を放射するとい
う機構でおこる。途中の再結合というメカニズムは一般
のダイオードと同様であり、このことからも予想される
ように、電流と発光強度は印加電圧に対して整流性を伴
う強い非線形性を示す。図８には典型的な特性例とし
て、発光強度の電圧依存性を示す。ここでは数値を省略
してあるが、このような有機ＥＬ素子でのしきい値ＶT
は一般に数Ｖである。
【０００５】有機ＥＬ素子では有機発光層１５での発光
を取り出すために一方の電極は透明でなくてはならず、
通常、透明電極１２を酸化インジウム錫（ＩＴＯ）の透
明導電体で形成しこれを陽極とする。一方、電子注入を
容易にして発光効率を上げるには陰極に仕事関数の小さ
な物質を用いることが重要で、一般に対向電極１６とし
てＭｇ−Ａｇや、Ａｌ−Ｌｉの金属膜を用いる。
を取り出すために一方の電極は透明でなくてはならず、
通常、透明電極１２を酸化インジウム錫（ＩＴＯ）の透
明導電体で形成しこれを陽極とする。一方、電子注入を
容易にして発光効率を上げるには陰極に仕事関数の小さ
な物質を用いることが重要で、一般に対向電極１６とし
てＭｇ−Ａｇや、Ａｌ−Ｌｉの金属膜を用いる。
【０００６】対向電極１６として金属膜を用いる有機Ｅ
Ｌ素子の１つの特徴は、この素子を非発光時に透明基板
側から見ると完全な鏡面に見えることである。これは有
機発光層１５膜厚が１０ｎｍ程度と薄く光学的にはほぼ
完全に透明なためで、対向電極が直接見えることになる
のである。
Ｌ素子の１つの特徴は、この素子を非発光時に透明基板
側から見ると完全な鏡面に見えることである。これは有
機発光層１５膜厚が１０ｎｍ程度と薄く光学的にはほぼ
完全に透明なためで、対向電極が直接見えることになる
のである。
【０００７】有機ＥＬ素子でも他の多くの表示素子同
様、表示方式は２つに大別できる。すなわち特定形状の
複数の画素に分割し、その幾つかを選択発光させるいわ
ゆるセグメント型表示と、同一形状の画素をマトリクス
状（縦方向が列、横方向が行）に配しその幾つかを選択
発光させて任意形状を表現する、いわゆるマトリクス型
表示とである。
様、表示方式は２つに大別できる。すなわち特定形状の
複数の画素に分割し、その幾つかを選択発光させるいわ
ゆるセグメント型表示と、同一形状の画素をマトリクス
状（縦方向が列、横方向が行）に配しその幾つかを選択
発光させて任意形状を表現する、いわゆるマトリクス型
表示とである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】セグメント型表示で有
機ＥＬ素子を用いるときとくに顕著になる問題として、
画素間での発光強度のばらつきがある。これは図８のグ
ラフような有機ＥＬ素子の発光強度の非線形性に起因す
るもので、各画素の間に生じた小さな特性的なばらつき
が大きな発光強度差となるためである。
機ＥＬ素子を用いるときとくに顕著になる問題として、
画素間での発光強度のばらつきがある。これは図８のグ
ラフような有機ＥＬ素子の発光強度の非線形性に起因す
るもので、各画素の間に生じた小さな特性的なばらつき
が大きな発光強度差となるためである。
【０００９】さらに、セグメント型表示で有機ＥＬ素子
を用い表示部を小型化する場合にとくに顕著になる別の
問題として、画素部以外での不必要な発光がある。セグ
メント型表示では各画素電極への透明電極１２による配
線の領域が必要であるが、表示部を小型化していくと、
その領域の透明基板１１上での比率が増し、この配線領
域での透明電極１２と対向電極１６との交差などの重な
りが避け難くなる。そこで、この交差などで配線電極と
対向電極とが上下に相対する部分には、その間に有機発
光層１５を設けて短絡を防止することになるのだが、そ
の結果として、この重なり部分での不必要な発光を誘発
することになるのである。
を用い表示部を小型化する場合にとくに顕著になる別の
問題として、画素部以外での不必要な発光がある。セグ
メント型表示では各画素電極への透明電極１２による配
線の領域が必要であるが、表示部を小型化していくと、
その領域の透明基板１１上での比率が増し、この配線領
域での透明電極１２と対向電極１６との交差などの重な
りが避け難くなる。そこで、この交差などで配線電極と
対向電極とが上下に相対する部分には、その間に有機発
光層１５を設けて短絡を防止することになるのだが、そ
の結果として、この重なり部分での不必要な発光を誘発
することになるのである。
【００１０】一方、高品位で柔軟性のある表示を達成す
るためにはマトリクス表示が不可欠である。しかしなが
ら、有機ＥＬ素子ではその作製上の制約から微細な画素
のマトリクスを表示体を得ることに困難性がある。
るためにはマトリクス表示が不可欠である。しかしなが
ら、有機ＥＬ素子ではその作製上の制約から微細な画素
のマトリクスを表示体を得ることに困難性がある。
【００１１】本発明の目的は、上記課題を解決して良好
な表示品質の有機ＥＬ素子構造と駆動方法を得ることに
あり、とくにセグメント型表示の有機ＥＬ素子で顕著な
画素間の発光強度のばらつきと画素部以外での不必要な
発光を抑えること、微細な画素のマトリクス型表示を達
成することとにあり、とくに後者においてはセグメント
型表示と共通する問題をも同時に解決するものである。
な表示品質の有機ＥＬ素子構造と駆動方法を得ることに
あり、とくにセグメント型表示の有機ＥＬ素子で顕著な
画素間の発光強度のばらつきと画素部以外での不必要な
発光を抑えること、微細な画素のマトリクス型表示を達
成することとにあり、とくに後者においてはセグメント
型表示と共通する問題をも同時に解決するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の有機ＥＬ素子は、透明基板上に画素電極と
配線電極とに機能分離して形成する透明電極と、画素電
極上に順次形成する有機発光層、対向電極とよりなる有
機エレクトロルミネセンス素子において、画素電極の面
積とこれに接続する配線電極の抵抗値との積が概一定値
であることを特徴とする。またここで、配線電極の抵抗
値を、配線電極のパターン形状により制御することを特
徴とする。
め、本発明の有機ＥＬ素子は、透明基板上に画素電極と
配線電極とに機能分離して形成する透明電極と、画素電
極上に順次形成する有機発光層、対向電極とよりなる有
機エレクトロルミネセンス素子において、画素電極の面
積とこれに接続する配線電極の抵抗値との積が概一定値
であることを特徴とする。またここで、配線電極の抵抗
値を、配線電極のパターン形状により制御することを特
徴とする。
【００１３】本発明の有機ＥＬ素子は、透明基板上に形
成する画素電極および配線電極と、画素電極上に順次形
成する有機発光層と対向電極とよりなる有機エレクトロ
ルミネセンス素子において、配線電極が金属電極あるい
は透明電極と金属電極との複合電極よりなることを特徴
とする。
成する画素電極および配線電極と、画素電極上に順次形
成する有機発光層と対向電極とよりなる有機エレクトロ
ルミネセンス素子において、配線電極が金属電極あるい
は透明電極と金属電極との複合電極よりなることを特徴
とする。
【００１４】本発明の有機ＥＬ素子は、透明基板上に形
成する画素電極と配線電極と、画素電極上に順次形成す
る有機発光層と対向電極とよりなる有機エレクトロルミ
ネセンス素子において、配線電極と対向電極とが上下に
相対する部分にはその間に絶縁膜と有機発光層とが積層
形成することを特徴とする。そして、配線電極が透明電
極または金属電極または透明電極と金属電極との複合電
極のいずれかであることと、絶縁膜が無機酸化物または
無機窒化物、あるいは高分子化合物とする。
成する画素電極と配線電極と、画素電極上に順次形成す
る有機発光層と対向電極とよりなる有機エレクトロルミ
ネセンス素子において、配線電極と対向電極とが上下に
相対する部分にはその間に絶縁膜と有機発光層とが積層
形成することを特徴とする。そして、配線電極が透明電
極または金属電極または透明電極と金属電極との複合電
極のいずれかであることと、絶縁膜が無機酸化物または
無機窒化物、あるいは高分子化合物とする。
【００１５】本発明の有機ＥＬ素子は、画素電極をマト
リクス状に配置し配線電極により列方向の画素電極が規
則的に接続し、かつ隣接するＮ行の画素電極毎に対向電
極が形成することを特徴とする。そしてここで、同一の
列に属しかつ隣接する対向電極との境界に位置する２個
の画素電極が一体の透明電極を形成することと、画素電
極の幅の１／Ｎづつの規則的な変位を行方向において繰
り返す。
リクス状に配置し配線電極により列方向の画素電極が規
則的に接続し、かつ隣接するＮ行の画素電極毎に対向電
極が形成することを特徴とする。そしてここで、同一の
列に属しかつ隣接する対向電極との境界に位置する２個
の画素電極が一体の透明電極を形成することと、画素電
極の幅の１／Ｎづつの規則的な変位を行方向において繰
り返す。
【００１６】本発明の有機ＥＬ素子の駆動方法は、透明
基板上にマトリクス状に形成する画素電極と、それぞれ
の画素電極を列方向に規則的に接続する配線電極と、行
方向の画素電極に対応して形成する対向電極と、画素電
極と対向電極との間に形成する有機発光層とよりなる有
機エレクトロルミネセンス素子において、配線電極に印
加する電圧パルスが、選択時と非選択時とで相反する極
性であることを特徴とする。また、相反する極性の電圧
パルスの絶対値を等する。
基板上にマトリクス状に形成する画素電極と、それぞれ
の画素電極を列方向に規則的に接続する配線電極と、行
方向の画素電極に対応して形成する対向電極と、画素電
極と対向電極との間に形成する有機発光層とよりなる有
機エレクトロルミネセンス素子において、配線電極に印
加する電圧パルスが、選択時と非選択時とで相反する極
性であることを特徴とする。また、相反する極性の電圧
パルスの絶対値を等する。
【００１７】本発明の有機ＥＬ素子は、配線電極におけ
る電圧降下量のばらつきを無くすものである。すなわ
ち、特定の画素を発光させようとしたときに、負荷とし
て流れる電流はほぼその画素電極の面積に比例する。一
方、配線電極における電圧降下の大きさは配線抵抗値と
流れる電流との積となる。したがって、画素電極の面積
と配線電極の抵抗値の積を一定とすることで、配線電極
における電圧降下量のばらつきを無くし、非線形性が強
い有機ＥＬ素子においても、セグメント画素毎の発光強
度のばらつきを最小限に抑えることができる。
る電圧降下量のばらつきを無くすものである。すなわ
ち、特定の画素を発光させようとしたときに、負荷とし
て流れる電流はほぼその画素電極の面積に比例する。一
方、配線電極における電圧降下の大きさは配線抵抗値と
流れる電流との積となる。したがって、画素電極の面積
と配線電極の抵抗値の積を一定とすることで、配線電極
における電圧降下量のばらつきを無くし、非線形性が強
い有機ＥＬ素子においても、セグメント画素毎の発光強
度のばらつきを最小限に抑えることができる。
【００１８】また本発明の有機ＥＬ素子は、配線電極を
不透明な金属電極または金属電極と透明電極との複合電
極とする。このことでこの部分での発光がわずかしか表
示面には漏れないようにする。さらに、より確実には、
配線電極と対向電極とが上下に相対する交差部などで
は、この間に絶縁膜と有機発光層とを積層して設ける。
このようにすると、配線電極と対向電極との間に電圧が
印加されたとしても、交差部などにおいては絶縁膜の存
在により有機発光層に実際にかかる電圧は小さくなる。
このため、有機ＥＬ素子の非線形性の効果により、本来
発光させたくない交差部での発光を完全に抑制できる。
不透明な金属電極または金属電極と透明電極との複合電
極とする。このことでこの部分での発光がわずかしか表
示面には漏れないようにする。さらに、より確実には、
配線電極と対向電極とが上下に相対する交差部などで
は、この間に絶縁膜と有機発光層とを積層して設ける。
このようにすると、配線電極と対向電極との間に電圧が
印加されたとしても、交差部などにおいては絶縁膜の存
在により有機発光層に実際にかかる電圧は小さくなる。
このため、有機ＥＬ素子の非線形性の効果により、本来
発光させたくない交差部での発光を完全に抑制できる。
【００１９】本発明の有機ＥＬ素子の駆動方法は、マト
リクス型表示において複数の行を同時に駆動するようし
て、一つの対向電極の列方向での幅を画素に比らべて拡
大する。この結果、微細化の難しい対向電極でも微細な
マトリクスを形成できる。また、このようにした場合に
派生する、セグメント型表示で述べたと同様の配線電極
部での不必要な発光という問題に関しては、前述と同様
の手段で解決する。
リクス型表示において複数の行を同時に駆動するようし
て、一つの対向電極の列方向での幅を画素に比らべて拡
大する。この結果、微細化の難しい対向電極でも微細な
マトリクスを形成できる。また、このようにした場合に
派生する、セグメント型表示で述べたと同様の配線電極
部での不必要な発光という問題に関しては、前述と同様
の手段で解決する。
【００２０】またマトリクス型表示において、配線電極
に印加しデータパルスとなる電圧パルスを、選択時と非
選択時とで相反する極性にすることで、有機発光層にお
ける電荷蓄積を抑制し、有機ＥＬ素子の長寿命化を計
る。
に印加しデータパルスとなる電圧パルスを、選択時と非
選択時とで相反する極性にすることで、有機発光層にお
ける電荷蓄積を抑制し、有機ＥＬ素子の長寿命化を計
る。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面を用
いて説明する。図１は本発明による第１の実施例の有機
ＥＬ素子を示す平面図である。説明の簡潔化のため図９
での有機ＥＬ素子の構成要素のうち、透明基板１１と透
明電極１２だけを示す。有機ＥＬ素子としては、さらに
有機発光層と対向電極とを形成して完成する。
いて説明する。図１は本発明による第１の実施例の有機
ＥＬ素子を示す平面図である。説明の簡潔化のため図９
での有機ＥＬ素子の構成要素のうち、透明基板１１と透
明電極１２だけを示す。有機ＥＬ素子としては、さらに
有機発光層と対向電極とを形成して完成する。
【００２２】図１に示すように、透明電極１２は透明導
電膜のエッチング処理により画素電極１３ａ、１３ｂ、
・・・と、配線電極１４ａ、１４ｂ、・・・という機能
分離したパターンとして透明基板１１に形成する。そし
て選択した画素の発光は、画素に対応する配線電極に電
圧を印加し、選択した画素電極に電流を流して行う。
電膜のエッチング処理により画素電極１３ａ、１３ｂ、
・・・と、配線電極１４ａ、１４ｂ、・・・という機能
分離したパターンとして透明基板１１に形成する。そし
て選択した画素の発光は、画素に対応する配線電極に電
圧を印加し、選択した画素電極に電流を流して行う。
【００２３】図１に示す本発明による有機ＥＬ素子の特
徴は、各画素電極１３ａ、１３ｂ、・・・の面積とそれ
ぞれの画素電極に接続する配線電極１４ａ、１４ｂ、・
・・の抵抗値との積をある一定値にすることにある。こ
れは画素電極１３ａの面積と配線電極１４ａの抵抗値と
の積、または画素電極１３ｂの面積と配線電極１４ｂの
抵抗値との積を一定値にすることである。この場合、画
素電極の面積は表示の用途と仕様によりほぼ一義的に定
まるので、これに合わせて配線電極の抵抗値を制御す
る。このような抵抗値制御の簡便かつ有効な手段は図１
に示すように、配線電極の形状を個別に設計しエッチン
グでパターニングすることである。
徴は、各画素電極１３ａ、１３ｂ、・・・の面積とそれ
ぞれの画素電極に接続する配線電極１４ａ、１４ｂ、・
・・の抵抗値との積をある一定値にすることにある。こ
れは画素電極１３ａの面積と配線電極１４ａの抵抗値と
の積、または画素電極１３ｂの面積と配線電極１４ｂの
抵抗値との積を一定値にすることである。この場合、画
素電極の面積は表示の用途と仕様によりほぼ一義的に定
まるので、これに合わせて配線電極の抵抗値を制御す
る。このような抵抗値制御の簡便かつ有効な手段は図１
に示すように、配線電極の形状を個別に設計しエッチン
グでパターニングすることである。
【００２４】つぎに本発明の効果について述べる。ＩＴ
Ｏで形成する透明電極１２は金属電極に比らべて比抵抗
が大きく、細い引き回しとなる配線電極１３の部分では
とくに抵抗値が大きくなる。このため、ある電圧を印加
して選択した画素の発光をさせようとした場合、配線電
極を流れる電流による配線電極部での電圧降下がおこ
り、電源電圧からこの電圧降下分を差し引いた値が選択
したセグメントの画素電極部で有機発光層にかかる実効
電圧となる。有機ＥＬ素子では通常、この電圧降下量は
数十〜数百ｍＶになる。
Ｏで形成する透明電極１２は金属電極に比らべて比抵抗
が大きく、細い引き回しとなる配線電極１３の部分では
とくに抵抗値が大きくなる。このため、ある電圧を印加
して選択した画素の発光をさせようとした場合、配線電
極を流れる電流による配線電極部での電圧降下がおこ
り、電源電圧からこの電圧降下分を差し引いた値が選択
したセグメントの画素電極部で有機発光層にかかる実効
電圧となる。有機ＥＬ素子では通常、この電圧降下量は
数十〜数百ｍＶになる。
【００２５】一方、有機ＥＬ素子の発光強度は図８のグ
ラフに示すように印加電圧に対して強い非線形性を示
す。このため、このような電圧降下量が画素毎に異なる
場合、画素間の発光強度に大きなばらつきを生じるので
ある。
ラフに示すように印加電圧に対して強い非線形性を示
す。このため、このような電圧降下量が画素毎に異なる
場合、画素間の発光強度に大きなばらつきを生じるので
ある。
【００２６】本発明は配線電極での電圧降下量のばらつ
きを無くして画素間の発光強度のばらつきを防止する。
すなわち特定のセグメントの画素を発光させたとき、負
荷として流れる電流はほぼその画素電極の面積に比例す
る。一方、配線電極における電圧降下の大きさは配線抵
抗値と流れる電流との積となる。したがって画素電極の
面積と配線電極の抵抗値の積を一定とするならば、電圧
降下量は一定となる。この結果、図８のように非線形性
が強い有機ＥＬ素子においても、画素毎の発光強度のば
らつきを最小限に抑えることができる。
きを無くして画素間の発光強度のばらつきを防止する。
すなわち特定のセグメントの画素を発光させたとき、負
荷として流れる電流はほぼその画素電極の面積に比例す
る。一方、配線電極における電圧降下の大きさは配線抵
抗値と流れる電流との積となる。したがって画素電極の
面積と配線電極の抵抗値の積を一定とするならば、電圧
降下量は一定となる。この結果、図８のように非線形性
が強い有機ＥＬ素子においても、画素毎の発光強度のば
らつきを最小限に抑えることができる。
【００２７】つぎに本発明の第２の実施例を説明する。
図２は、本発明の第２の実施例の有機ＥＬを示す平面図
であり、透明基板１１と透明電極１２とは図１と同一と
してある。なお、図２の発明と図１の発明には相互に独
立性があるが、その組み合わせによりより高品質な表示
が得られる。さて、図２ではさらに、透明基板１１と配
線電極１４の一部を被覆するように形成する絶縁膜１７
と、有機発光層（図面の簡略化のために図示せず）と、
対向電極１６とを順次重ねて設ける。ここで注意を要す
るのは、画素電極１３の部分に絶縁膜１７を形成しない
ことと、この部分に有機発光層と対向電極１６とを形成
することである。さらに、絶縁膜１７と有機発光層とは
配線電極１４と対向電極１６とが上下に相対する部分に
は必ず双方に形成することである。この際、絶縁膜１７
と有機発光層の上下関係については制約条件はなく、こ
れらを配線電極１４と対向電極１６との間に形成する。
図２は、本発明の第２の実施例の有機ＥＬを示す平面図
であり、透明基板１１と透明電極１２とは図１と同一と
してある。なお、図２の発明と図１の発明には相互に独
立性があるが、その組み合わせによりより高品質な表示
が得られる。さて、図２ではさらに、透明基板１１と配
線電極１４の一部を被覆するように形成する絶縁膜１７
と、有機発光層（図面の簡略化のために図示せず）と、
対向電極１６とを順次重ねて設ける。ここで注意を要す
るのは、画素電極１３の部分に絶縁膜１７を形成しない
ことと、この部分に有機発光層と対向電極１６とを形成
することである。さらに、絶縁膜１７と有機発光層とは
配線電極１４と対向電極１６とが上下に相対する部分に
は必ず双方に形成することである。この際、絶縁膜１７
と有機発光層の上下関係については制約条件はなく、こ
れらを配線電極１４と対向電極１６との間に形成する。
【００２８】図３は図２のＡ−Ｂ線における断面を示す
断面図である。各領域での各層の形成状況を図３によ
り、一層明確に示している。
断面図である。各領域での各層の形成状況を図３によ
り、一層明確に示している。
【００２９】本発明の効果は、配線電極１４と対向電極
１６とが交差して上下に相対する部分での有機発光層か
らの発光が絶縁膜１７の存在により防止できることであ
る。すなわち、絶縁膜１７と有機発光層とが積層して設
ける部分では、配線電極１４と対向電極１６との間に電
圧が印加されたとしても、絶縁膜１７の存在により有機
発光層に実際にかかる電圧は小さくなり、図８の有機Ｅ
Ｌ素子の非線形性のためにまったく発光しないのであ
る。
１６とが交差して上下に相対する部分での有機発光層か
らの発光が絶縁膜１７の存在により防止できることであ
る。すなわち、絶縁膜１７と有機発光層とが積層して設
ける部分では、配線電極１４と対向電極１６との間に電
圧が印加されたとしても、絶縁膜１７の存在により有機
発光層に実際にかかる電圧は小さくなり、図８の有機Ｅ
Ｌ素子の非線形性のためにまったく発光しないのであ
る。
【００３０】本発明では絶縁膜１７の膜としての性質、
すなわち絶縁特性に必ずしも完全性が要求されないとい
う大きな利点がある。その理由は、仮に絶縁膜１７にピ
ンホール欠陥があっても、有機発光層により電流が制限
され短絡は防止でき、しかもピンホール部分での発光強
度も微小面積なので微弱で無視できる。
すなわち絶縁特性に必ずしも完全性が要求されないとい
う大きな利点がある。その理由は、仮に絶縁膜１７にピ
ンホール欠陥があっても、有機発光層により電流が制限
され短絡は防止でき、しかもピンホール部分での発光強
度も微小面積なので微弱で無視できる。
【００３１】ところでこの不必要な発光を防止する手段
として、画素電極１３の部分にのみ対向電極１６を形成
し、かつ配線電極１４と交差しないように対向電極１６
からの引き出し線を設ければよさそうに見える。しかし
ながら、表示パターンを小型化していくと画素電極１３
の周辺の狭い領域を配線電極１４に割り当てねばならな
くなり、配線電極１４と交差することなく対向電極１６
を引き出すスペースがほとんど無くなってしまう。
として、画素電極１３の部分にのみ対向電極１６を形成
し、かつ配線電極１４と交差しないように対向電極１６
からの引き出し線を設ければよさそうに見える。しかし
ながら、表示パターンを小型化していくと画素電極１３
の周辺の狭い領域を配線電極１４に割り当てねばならな
くなり、配線電極１４と交差することなく対向電極１６
を引き出すスペースがほとんど無くなってしまう。
【００３２】しかも対向電極１６はエッチング困難なＭ
ｇ−Ａｇ、Ａｌ−Ｌｉの金属膜であり、マスクを用いて
蒸着しパターン形成するのであるが、小さな画素電極１
３に対応させてパターンを形成すること自体が困難であ
る。さらに、対向電極１４を細い配線で接続することに
なり、大きな共通電極とし形成していた場合に比らべて
抵抗値が上がり、図１の配線電極での議論と同じ問題が
発生する。さらに、前述したように有機ＥＬ素子では金
属である対向電極の部分は鏡面に見えるが、画素電極部
にのみ対向電極１６を設けると、非発光時の表示面全体
を見たときに小さな鏡面が点在するような不自然なもの
になってしまう。したがって、対向電極１６の局所的な
形成による前述の不必要な発光の防止は現実的ではな
い。
ｇ−Ａｇ、Ａｌ−Ｌｉの金属膜であり、マスクを用いて
蒸着しパターン形成するのであるが、小さな画素電極１
３に対応させてパターンを形成すること自体が困難であ
る。さらに、対向電極１４を細い配線で接続することに
なり、大きな共通電極とし形成していた場合に比らべて
抵抗値が上がり、図１の配線電極での議論と同じ問題が
発生する。さらに、前述したように有機ＥＬ素子では金
属である対向電極の部分は鏡面に見えるが、画素電極部
にのみ対向電極１６を設けると、非発光時の表示面全体
を見たときに小さな鏡面が点在するような不自然なもの
になってしまう。したがって、対向電極１６の局所的な
形成による前述の不必要な発光の防止は現実的ではな
い。
【００３３】なお、若干の不完全性を許容してこの不必
要な発光の抑制を考えたときには、絶縁膜を形成する代
わりに、配線電極を光を遮断する膜で形成する。たとえ
ば、金属の配線電極とする、あるいは金属電極と透明電
極とを積層した配線電極を形成することが有効である。
この場合、配線電極の端部からの漏れ光を許容しなけれ
ばならないことが、若干の不完全性という由来である。
なお、電極を構成する金属としては、アルミニウムやク
ロムやニッケルや金（Ａｕ）あるいはこれらの合金材料
が選択可能である。
要な発光の抑制を考えたときには、絶縁膜を形成する代
わりに、配線電極を光を遮断する膜で形成する。たとえ
ば、金属の配線電極とする、あるいは金属電極と透明電
極とを積層した配線電極を形成することが有効である。
この場合、配線電極の端部からの漏れ光を許容しなけれ
ばならないことが、若干の不完全性という由来である。
なお、電極を構成する金属としては、アルミニウムやク
ロムやニッケルや金（Ａｕ）あるいはこれらの合金材料
が選択可能である。
【００３４】図２と図３に示した本発明の有機ＥＬ素子
の作成方法を以下に記す。全般的に述べると、厚さ０．
３ｍｍの無アルカリガラスの透明基板１１の上面に、透
明電極１２と絶縁膜１７と有機発光層１５と対向電極１
６とを順次積層する。以下、より詳細に述べる。
の作成方法を以下に記す。全般的に述べると、厚さ０．
３ｍｍの無アルカリガラスの透明基板１１の上面に、透
明電極１２と絶縁膜１７と有機発光層１５と対向電極１
６とを順次積層する。以下、より詳細に述べる。
【００３５】透明電極１２は、透明基板１１上にスパッ
タリング法で１００ｎｍの厚さに膜形成するＩＴＯを、
画素電極１３と配線電極１４の所定パターンにエッチン
グして形成する。このとき、図１の説明で述べたよう
に、画素電極の面積とそれに接続する配線電極の抵抗値
との積が一定値となるようなパターンに配線電極１４を
設計する。なお、ＩＴＯ膜のシート抵抗は１０Ω／□で
ある。
タリング法で１００ｎｍの厚さに膜形成するＩＴＯを、
画素電極１３と配線電極１４の所定パターンにエッチン
グして形成する。このとき、図１の説明で述べたよう
に、画素電極の面積とそれに接続する配線電極の抵抗値
との積が一定値となるようなパターンに配線電極１４を
設計する。なお、ＩＴＯ膜のシート抵抗は１０Ω／□で
ある。
【００３６】つぎに配線電極１４を覆うように図２に示
す領域に厚さ３０ｎｍの窒化シリコン膜を化学蒸着（Ｃ
ＶＤ）法により形成する。このとき、画素電極部など絶
縁膜１７を形成しない部分には感光性レジスト膜を設け
ておき、その上に窒化シリコン膜を形成し、最後にその
感光性レジスト膜を除去する、いわゆるリフトオフ法で
必要な領域にのみ絶縁膜１７を形成する。
す領域に厚さ３０ｎｍの窒化シリコン膜を化学蒸着（Ｃ
ＶＤ）法により形成する。このとき、画素電極部など絶
縁膜１７を形成しない部分には感光性レジスト膜を設け
ておき、その上に窒化シリコン膜を形成し、最後にその
感光性レジスト膜を除去する、いわゆるリフトオフ法で
必要な領域にのみ絶縁膜１７を形成する。
【００３７】つぎに、膜厚６０ｎｍの正孔注入層ここで
はトリフェニルアミン誘導体を蒸着し、正孔注入層の上
に厚さ６０ｎｍの発光層ここではアルミキレート錯体を
蒸着して合計で膜厚１２０ｎｍの有機発光層を形成す
る。ここでは蒸着時にマスクを用い、絶縁膜１７と画素
電極１３との両方を覆うように有機発光層１５を形成す
る。さらに有機発光層１５の上に厚さ１５０ｎｍの対向
電極１９ここではＭｇ−Ａｇをやはりマスクを用いて蒸
着して有機ＥＬ素子を完成する。
はトリフェニルアミン誘導体を蒸着し、正孔注入層の上
に厚さ６０ｎｍの発光層ここではアルミキレート錯体を
蒸着して合計で膜厚１２０ｎｍの有機発光層を形成す
る。ここでは蒸着時にマスクを用い、絶縁膜１７と画素
電極１３との両方を覆うように有機発光層１５を形成す
る。さらに有機発光層１５の上に厚さ１５０ｎｍの対向
電極１９ここではＭｇ−Ａｇをやはりマスクを用いて蒸
着して有機ＥＬ素子を完成する。
【００３８】以上の条件で形成した本発明によるセグメ
ント型表示の有機ＥＬ素子に電圧を印加し、何種類かの
文字表示を行ったところ、各セグメントの画素間での発
光強度が均一で、かつ画素部以外での不必要な発光の無
いきれいな表示が得られた。
ント型表示の有機ＥＬ素子に電圧を印加し、何種類かの
文字表示を行ったところ、各セグメントの画素間での発
光強度が均一で、かつ画素部以外での不必要な発光の無
いきれいな表示が得られた。
【００３９】本発明の実施例の有機ＥＬ素子では絶縁膜
として窒化シリコンを用いたがこの無機窒化物以外に、
酸化シリコンや、酸化アルミニウムの無機酸化物を用い
てもよい。さらに有機物、とくに高分子化合物を用いて
もよい。たとえば、ポリイミドのような高分子化合物の
場合、溶液に溶解して塗布し溶媒を気化させる方法によ
れば印刷法が利用でき、絶縁膜の部分形成が容易なので
有効である。
として窒化シリコンを用いたがこの無機窒化物以外に、
酸化シリコンや、酸化アルミニウムの無機酸化物を用い
てもよい。さらに有機物、とくに高分子化合物を用いて
もよい。たとえば、ポリイミドのような高分子化合物の
場合、溶液に溶解して塗布し溶媒を気化させる方法によ
れば印刷法が利用でき、絶縁膜の部分形成が容易なので
有効である。
【００４０】つぎに第３の実施例を説明する。図４は本
発明の第３の実施例の有機ＥＬを示す平面図であり、透
明基板（図示せず）の上に形成したパターンを示す。こ
の場合は画素電極１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、・・・が規
則正しく並んでおり、マトリクス型の表示となってい
る。本発明で重要なことの第１点は、同一列に並ぶ２つ
の画素電極１３ａ、１３ｂまたは１３ｃ、１３ｄなどの
組が、それぞれ行方向に延びる対向電極１６ａ、１６ｂ
をもつことである。このことの最大の意味は対向電極１
６のパターンを相対的に大きくすることある。すなわち
対向電極１６は前述した通り、エッチング困難なＭｇ−
Ａｇ、Ａｌ−Ｌｉの金属膜でありマスクを用いて蒸着し
パターン形成するために、細かいパターンを形成するこ
とに困難性がある。一方、マトリクス型の表示では画素
電極はなるべく小さくすることが好ましく、単純にスト
ライプを交差させるマトリクス表示では、対向電極のス
トライプの幅はほぼ画素の幅となり、その形成が非常に
困難となる。これに対し、本発明の配置ではストライプ
の幅を２倍にでき、この困難性を大幅に緩和できる。
発明の第３の実施例の有機ＥＬを示す平面図であり、透
明基板（図示せず）の上に形成したパターンを示す。こ
の場合は画素電極１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、・・・が規
則正しく並んでおり、マトリクス型の表示となってい
る。本発明で重要なことの第１点は、同一列に並ぶ２つ
の画素電極１３ａ、１３ｂまたは１３ｃ、１３ｄなどの
組が、それぞれ行方向に延びる対向電極１６ａ、１６ｂ
をもつことである。このことの最大の意味は対向電極１
６のパターンを相対的に大きくすることある。すなわち
対向電極１６は前述した通り、エッチング困難なＭｇ−
Ａｇ、Ａｌ−Ｌｉの金属膜でありマスクを用いて蒸着し
パターン形成するために、細かいパターンを形成するこ
とに困難性がある。一方、マトリクス型の表示では画素
電極はなるべく小さくすることが好ましく、単純にスト
ライプを交差させるマトリクス表示では、対向電極のス
トライプの幅はほぼ画素の幅となり、その形成が非常に
困難となる。これに対し、本発明の配置ではストライプ
の幅を２倍にでき、この困難性を大幅に緩和できる。
【００４１】この配置は液晶表示における多重マトリク
スと思想的には共通であり、液晶表示と同様に画素あた
りの選択時間が長く（この場合２倍）なり、一定の輝度
を得るための瞬時電流値を低減（この場合１／２）で
き、回路と素子の負荷の点でも有利である。
スと思想的には共通であり、液晶表示と同様に画素あた
りの選択時間が長く（この場合２倍）なり、一定の輝度
を得るための瞬時電流値を低減（この場合１／２）で
き、回路と素子の負荷の点でも有利である。
【００４２】本発明で重要な第２点はすでにセグメント
型表示において説明したように、配線電極１４ａ、１４
ｂ、・・の部分に絶縁膜１７を形成することである。こ
の効果は図２において説明したのとまったく同一であ
る。マトリクス型表示でも、単純にストライプを交差さ
せる場合には配線電極１４に対応するものがなく（画素
電極が配線電極を兼ねる）このような絶縁膜の必要がな
いが、本発明の図４の構成では図２と同様に配線電極で
の不必要な発光が問題となる。
型表示において説明したように、配線電極１４ａ、１４
ｂ、・・の部分に絶縁膜１７を形成することである。こ
の効果は図２において説明したのとまったく同一であ
る。マトリクス型表示でも、単純にストライプを交差さ
せる場合には配線電極１４に対応するものがなく（画素
電極が配線電極を兼ねる）このような絶縁膜の必要がな
いが、本発明の図４の構成では図２と同様に配線電極で
の不必要な発光が問題となる。
【００４３】つぎに本発明の駆動方法を説明する。図５
は本発明の有機ＥＬ素子を駆動する波形を示し横軸は時
刻、縦軸は電圧である。上の３つはストライプ状の対向
電極１６ａ、１６ｂ、１６ｃに印加する時分割駆動のタ
イミングパルス、つぎの２つはこのタイミングパルスに
同期して配線電極１４ａ、１４ｂに印加するデータパル
ス、つぎの６つはこれらタイミングパルスとデータパル
スの合成により画素電極１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、・・
・において有機発光層に印加する電圧である。
は本発明の有機ＥＬ素子を駆動する波形を示し横軸は時
刻、縦軸は電圧である。上の３つはストライプ状の対向
電極１６ａ、１６ｂ、１６ｃに印加する時分割駆動のタ
イミングパルス、つぎの２つはこのタイミングパルスに
同期して配線電極１４ａ、１４ｂに印加するデータパル
ス、つぎの６つはこれらタイミングパルスとデータパル
スの合成により画素電極１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、・・
・において有機発光層に印加する電圧である。
【００４４】ここではタイミングパルスの電圧をＶ1 、
画素の発光選択時のデータパルスの電圧を−Ｖ2 、発光
非選択時のそれをＶ2 とする。そして、より見通しをよ
くするためにＶ1 ＝２Ｖ2 としたが、このようにする
と、タイミングパルスと選択データパルスとが一致した
時にはＶ1 ＋Ｖ2 、その他のときにはＶ2 または−Ｖ2
の電圧が各画素に印加することになる。ここで図８で示
した有機ＥＬ素子のしきい値ＶT に対して、Ｖ1 ＋Ｖ2
＞ＶT 、Ｖ2 ＜ＶT となるようにＶ1 、Ｖ2 を設定する
ことは容易で、図５の場合ハッチングを施したＶ1 ＋Ｖ
2 の電圧が各画素への印加されたときのみ対応する画素
が対応するタイミングで発光する。
画素の発光選択時のデータパルスの電圧を−Ｖ2 、発光
非選択時のそれをＶ2 とする。そして、より見通しをよ
くするためにＶ1 ＝２Ｖ2 としたが、このようにする
と、タイミングパルスと選択データパルスとが一致した
時にはＶ1 ＋Ｖ2 、その他のときにはＶ2 または−Ｖ2
の電圧が各画素に印加することになる。ここで図８で示
した有機ＥＬ素子のしきい値ＶT に対して、Ｖ1 ＋Ｖ2
＞ＶT 、Ｖ2 ＜ＶT となるようにＶ1 、Ｖ2 を設定する
ことは容易で、図５の場合ハッチングを施したＶ1 ＋Ｖ
2 の電圧が各画素への印加されたときのみ対応する画素
が対応するタイミングで発光する。
【００４５】本発明の駆動方法によればマトリクス型の
有機ＥＬ素子表示において、データパルスがデータの内
容に依存はするが、疑似的に交流化される。この結果、
直流電圧を長期間印加したときに問題となる有機発光層
における電荷蓄積現象が抑制でき、素子の発光効率の低
下や素子寿命の短期化を改善できる。
有機ＥＬ素子表示において、データパルスがデータの内
容に依存はするが、疑似的に交流化される。この結果、
直流電圧を長期間印加したときに問題となる有機発光層
における電荷蓄積現象が抑制でき、素子の発光効率の低
下や素子寿命の短期化を改善できる。
【００４６】また選択時と非選択時での画素への印加電
圧の差分を一定にしようとしたときに、データパルスを
単極パルスで行った場合に比らべて、本発明の双極パル
スでは電圧の絶対値を１／２にできる。なお、図５では
Ｖ1 ＝２Ｖ2 とし、選択時と非選択時でのデータパルス
の絶対値を同一としたが、この２つは必須条件ではな
い。タイミングパルスと選択データパルスとの合成パル
スの電圧がＶT より充分に大きく、タイミングパルスと
非選択データパルスの合成パルスの電圧と非選択データ
パルスそのものがいずれもＶT より小さいことが必須条
件である。
圧の差分を一定にしようとしたときに、データパルスを
単極パルスで行った場合に比らべて、本発明の双極パル
スでは電圧の絶対値を１／２にできる。なお、図５では
Ｖ1 ＝２Ｖ2 とし、選択時と非選択時でのデータパルス
の絶対値を同一としたが、この２つは必須条件ではな
い。タイミングパルスと選択データパルスとの合成パル
スの電圧がＶT より充分に大きく、タイミングパルスと
非選択データパルスの合成パルスの電圧と非選択データ
パルスそのものがいずれもＶT より小さいことが必須条
件である。
【００４７】図６は、本発明の第４の実施例の有機ＥＬ
素子を示す平面図である。図４と同様マトリクス型であ
るが、本発明で重要な点は配線電極に替えて抵抗の低い
金属配線電極６４を用いたことと、対向電極１６ａ、１
６ｂ、・・のストライプの幅をより広くするため、対向
電極１６ｂに対して列方向に３個の画素電極１３ａ、１
３ｂ、１３ｃを配することである。
素子を示す平面図である。図４と同様マトリクス型であ
るが、本発明で重要な点は配線電極に替えて抵抗の低い
金属配線電極６４を用いたことと、対向電極１６ａ、１
６ｂ、・・のストライプの幅をより広くするため、対向
電極１６ｂに対して列方向に３個の画素電極１３ａ、１
３ｂ、１３ｃを配することである。
【００４８】さらに本発明では、対向電極１６ｂにより
駆動される画素電極１３ａ、１３ｃが、それぞれ隣の対
向電極１６ａ、１６ｃにより駆動される画素電極をも兼
ね、一体化された縦長透明電極であることを特徴とす
る。このようにすると、ストライプ状の対向電極をマス
クを用いて蒸着する際に、マスクの位置合わせの精度を
緩めることが可能となり、製造上大きな利点となる。
駆動される画素電極１３ａ、１３ｃが、それぞれ隣の対
向電極１６ａ、１６ｃにより駆動される画素電極をも兼
ね、一体化された縦長透明電極であることを特徴とす
る。このようにすると、ストライプ状の対向電極をマス
クを用いて蒸着する際に、マスクの位置合わせの精度を
緩めることが可能となり、製造上大きな利点となる。
【００４９】このように本発明によれば、同一の画素電
極サイズに対して、対向電極のパターンをより大きくで
き、かつ画素電極の位置に対する対向電極の位置決めの
精度を緩和できる。さらに、金属配線電極とすることで
同一の配線抵抗とするときには、透明電極よりも配線幅
を細くでき、画面全体に対する画素電極部の割合を向上
できる。なお、絶縁膜１７については図２と図４で述べ
たとおりこれを省くことが可能である。
極サイズに対して、対向電極のパターンをより大きくで
き、かつ画素電極の位置に対する対向電極の位置決めの
精度を緩和できる。さらに、金属配線電極とすることで
同一の配線抵抗とするときには、透明電極よりも配線幅
を細くでき、画面全体に対する画素電極部の割合を向上
できる。なお、絶縁膜１７については図２と図４で述べ
たとおりこれを省くことが可能である。
【００５０】図７は本発明の第５の実施例の有機ＥＬ素
子を示す平面図であり、図６における画素配置を列方向
に一列でなく、行方向に一定の位相でシフトさせること
により、高密度の画素配置を実現した。このシフト量
は、画素電極１３の幅の１／３であり、この分母は１本
の対向電極に属する画素電極の行数となる。本発明によ
れば、図６で述べた利点はすべて該当し、しかも画面全
体に対する画素電極部の割合をさらに向上できる。なお
本発明では絶縁膜を用いていないが、これはすでに図２
で説明したように、不透明の金属配線電極６４そのもの
がこの部分での発光が表示面に漏れるのをある程度防ぐ
ので、必ずしも絶縁膜を形成する必要がないためであ
る。なお金属配線電極６４の端部からの漏れ光は防げな
いので、より高品位な表示を求めるときには図６のよう
に絶縁膜の形成が必要である。
子を示す平面図であり、図６における画素配置を列方向
に一列でなく、行方向に一定の位相でシフトさせること
により、高密度の画素配置を実現した。このシフト量
は、画素電極１３の幅の１／３であり、この分母は１本
の対向電極に属する画素電極の行数となる。本発明によ
れば、図６で述べた利点はすべて該当し、しかも画面全
体に対する画素電極部の割合をさらに向上できる。なお
本発明では絶縁膜を用いていないが、これはすでに図２
で説明したように、不透明の金属配線電極６４そのもの
がこの部分での発光が表示面に漏れるのをある程度防ぐ
ので、必ずしも絶縁膜を形成する必要がないためであ
る。なお金属配線電極６４の端部からの漏れ光は防げな
いので、より高品位な表示を求めるときには図６のよう
に絶縁膜の形成が必要である。
【００５１】
【発明の効果】以上説明したように本発明の有機ＥＬ素
子によれば、セグメント間での発光強度のばらつきのな
いセグメント型表示が得られる。さらに本発明の有機Ｅ
Ｌ素子によれば、高密度のマトリクス型表示が達成で
き、かつセグメント型と一部のマトリクス型表示で問題
となる、画素部以外での不必要な発光のない高品質な表
示を得ることができる。さらに、本発明の有機ＥＬ素子
の駆動方法によれば、有機ＥＬ素子の長寿命化を実現で
きる。
子によれば、セグメント間での発光強度のばらつきのな
いセグメント型表示が得られる。さらに本発明の有機Ｅ
Ｌ素子によれば、高密度のマトリクス型表示が達成で
き、かつセグメント型と一部のマトリクス型表示で問題
となる、画素部以外での不必要な発光のない高品質な表
示を得ることができる。さらに、本発明の有機ＥＬ素子
の駆動方法によれば、有機ＥＬ素子の長寿命化を実現で
きる。
【図１】本発明の第１の実施例による有機ＥＬ素子の構
造を示す平面図である。
造を示す平面図である。
【図２】本発明の第２の実施例による有機ＥＬ素子の構
造を示す平面図である。
造を示す平面図である。
【図３】本発明の第２の実施例による有機ＥＬ素子の構
造を示す断面図である。
造を示す断面図である。
【図４】本発明の第３の実施例による有機ＥＬ素子の構
造を示す平面図である。
造を示す平面図である。
【図５】本発明による有機ＥＬ素子の駆動波形を示す波
形図である。
形図である。
【図６】本発明の第４の実施例による有機ＥＬ素子の構
造を示す平面図である。
造を示す平面図である。
【図７】本発明の第５の実施例による有機ＥＬ素子の構
造を示す平面図である。
造を示す平面図である。
【図８】有機ＥＬ素子の電圧と発光強度との関係を示す
グラフである。
グラフである。
【図９】従来技術における有機ＥＬ素子の構造を示す断
面図である。
面図である。
１１ 透明基板 １２ 透明電極 １３ 画素電極 １４ 配線電極 １５ 有機発光層 １６ 対向電極 ６４ 金属配線電極
Claims (12)
- 【請求項１】 透明基板上に画素電極と配線電極とに機
能分離して形成する透明電極と、画素電極上に順次形成
する有機発光層と対向電極とよりなる有機エレクトロル
ミネセンス素子において、画素電極の面積とこの画素電
極に接続する配線電極の抵抗値との積がほぼ一定値であ
ることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子。 - 【請求項２】 配線電極の抵抗値がは配線電極のパター
ン形状により制御することを特徴とする請求項１に記載
の有機エレクトロルミネセンス素子。 - 【請求項３】 透明基板上に形成する画素電極と配線電
極と、画素電極上に順次形成する有機発光層と対向電極
とよりなる有機エレクトロルミネセンス素子において、
配線電極は金属電極あるいは透明電極と金属電極との複
合電極よりなることを特徴とする有機エレクトロルミネ
センス素子。 - 【請求項４】 透明基板上に形成する画素電極と配線電
極と、画素電極上に順次形成する有機発光層と対向電極
とよりなる有機エレクトロルミネセンス素子において、
配線電極と対向電極とがは下に相対する部分にはその配
線電極と対向電極間に絶縁膜と有機発光層とが積層形成
することを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素
子。 - 【請求項５】 配線電極は、透明電極または金属電極ま
たは透明電極と金属電極との複合電極のいずれかである
ことを特徴とする請求項４に記載の有機エレクトロルミ
ネセンス素子。 - 【請求項６】 画素電極は、マトリクス状に配置し、配
線電極により列方向の画素電極が規則的に接続し、かつ
隣接するＮ行の画素電極毎に対向電極を形成することを
特徴とする請求項３、４、あるいは５に記載の有機エレ
クトロルミネセンス素子。 - 【請求項７】 同一の列に属す画素電極は、隣接する対
向電極との境界に位置する２個の画素電極が一体の透明
電極を形成することを特徴とする請求項６に記載の有機
エレクトロルミネセンス素子。 - 【請求項８】 画素電極の幅の１／Ｎづつの規則的な変
位を行方向において繰り返すことを特徴とする請求項６
に記載の有機エレクトロルミネセンス素子。 - 【請求項９】 絶縁膜は、無機酸化物または無機窒化物
であることを特徴とする請求項４、あるいは５に記載の
有機エレクトロルミネセンス素子。 - 【請求項１０】 絶縁膜が高分子化合物であることを特
徴とする請求項４、あるいは５に記載の有機エレクトロ
ルミネセンス素子。 - 【請求項１１】 透明基板上にマトリクス状に形成する
画素電極と、それぞれの画素電極を列方向に規則的に接
続する配線電極と、行方向の画素電極に対応して形成す
る対向電極と、画素電極と対向電極との間に形成する有
機発光層とよりなる有機エレクトロルミネセンス素子の
駆動方法において、配線電極に印加する電圧パルスは選
択時と非選択時とで相反する極性であることを特徴とす
る有機エレクトロルミネセンス素子の駆動方法。 - 【請求項１２】 相反する極性の電圧パルスの絶対値は
等しいことを特徴とする請求項１１に記載の有機エレク
トロルミネセンス素子の駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7248988A JPH09106887A (ja) | 1995-08-09 | 1995-09-27 | 有機エレクトロルミネセンス素子およびその駆動方法 |
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|---|---|---|---|
| JP7-202968 | 1995-08-09 | ||
| JP20296895 | 1995-08-09 | ||
| JP7248988A JPH09106887A (ja) | 1995-08-09 | 1995-09-27 | 有機エレクトロルミネセンス素子およびその駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09106887A true JPH09106887A (ja) | 1997-04-22 |
Family
ID=26513666
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7248988A Pending JPH09106887A (ja) | 1995-08-09 | 1995-09-27 | 有機エレクトロルミネセンス素子およびその駆動方法 |
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|---|---|
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Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5804354A (en) * | 1992-06-17 | 1998-09-08 | Fujitsu Limited | Composition for forming conductivity imparting agent and pattern forming method |
| WO2000001204A1 (en) * | 1998-06-30 | 2000-01-06 | Nippon Seiki Co., Ltd. | Electroluminescent display |
| WO2000060907A1 (en) * | 1999-04-02 | 2000-10-12 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence display device and method of producing the same |
| WO2001047322A1 (fr) * | 1999-12-22 | 2001-06-28 | Sony Corporation | Affichage a electroluminescence organique |
| WO2001078463A1 (fr) * | 2000-04-06 | 2001-10-18 | Seiko Epson Corporation | Afficheur organique a electroluminescence |
| WO2002023955A1 (en) * | 2000-09-14 | 2002-03-21 | Nippon Seiki Co.,Ltd | Organic el element |
| JP2002207440A (ja) * | 2001-01-10 | 2002-07-26 | Sony Corp | 平面表示装置 |
| JP2002535822A (ja) * | 1999-01-22 | 2002-10-22 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 所定のセグメント化されたパターンを表示するエレクトロルミネッセント表示面体およびその製造方法 |
| JP2002318555A (ja) * | 2000-12-21 | 2002-10-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
| US6570337B1 (en) | 1999-12-24 | 2003-05-27 | Nippon Seiki Co., Ltd. | Luminous display unit |
| EP1359789A1 (en) * | 1997-02-17 | 2003-11-05 | Seiko Epson Corporation | Display apparatus |
| JP2008071770A (ja) * | 2001-08-21 | 2008-03-27 | Lg Electronics Inc | 有機ｅｌ表示パネル |
| JP2008090322A (ja) * | 2000-12-21 | 2008-04-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| US7459352B2 (en) | 2000-12-11 | 2008-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and manufacturing method thereof |
| WO2009016735A1 (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-05 | Pioneer Corporation | 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 |
| US7629618B2 (en) | 2000-12-21 | 2009-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| WO2012032661A1 (ja) * | 2010-09-11 | 2012-03-15 | パイオニア株式会社 | 有機ｅｌパネル |
| WO2012032663A1 (ja) * | 2010-09-11 | 2012-03-15 | 東北パイオニア株式会社 | 有機ｅｌパネル |
| WO2012032662A1 (ja) * | 2010-09-11 | 2012-03-15 | パイオニア株式会社 | 有機ｅｌパネル |
| JP2013097984A (ja) * | 2011-10-31 | 2013-05-20 | Denso Corp | 発光素子 |
| WO2018179543A1 (ja) * | 2017-03-29 | 2018-10-04 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
| WO2018211934A1 (ja) * | 2017-05-15 | 2018-11-22 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
-
1995
- 1995-09-27 JP JP7248988A patent/JPH09106887A/ja active Pending
Cited By (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5804354A (en) * | 1992-06-17 | 1998-09-08 | Fujitsu Limited | Composition for forming conductivity imparting agent and pattern forming method |
| US7880696B2 (en) | 1997-02-17 | 2011-02-01 | Seiko Epson Corporation | Display apparatus |
| US7710364B2 (en) | 1997-02-17 | 2010-05-04 | Seiko Epson Corporation | Display apparatus |
| US7253793B2 (en) | 1997-02-17 | 2007-08-07 | Seiko Epson Corporation | Electro-luminiscent apparatus |
| US7221339B2 (en) | 1997-02-17 | 2007-05-22 | Seiko Epson Corporation | Display apparatus |
| US6839045B2 (en) | 1997-02-17 | 2005-01-04 | Seiko Epson Corporation | Display apparatus |
| EP1359789A1 (en) * | 1997-02-17 | 2003-11-05 | Seiko Epson Corporation | Display apparatus |
| US6624571B1 (en) | 1998-06-30 | 2003-09-23 | Nippon Seiki Co., Ltd. | Electroluminescent display |
| WO2000001204A1 (en) * | 1998-06-30 | 2000-01-06 | Nippon Seiki Co., Ltd. | Electroluminescent display |
| JP2002535822A (ja) * | 1999-01-22 | 2002-10-22 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 所定のセグメント化されたパターンを表示するエレクトロルミネッセント表示面体およびその製造方法 |
| WO2000060907A1 (en) * | 1999-04-02 | 2000-10-12 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence display device and method of producing the same |
| US6525467B1 (en) | 1999-04-02 | 2003-02-25 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence display device and method of producing the same |
| US6774575B2 (en) | 1999-12-22 | 2004-08-10 | Sony Corporation | Organic electroluminescence display |
| WO2001047322A1 (fr) * | 1999-12-22 | 2001-06-28 | Sony Corporation | Affichage a electroluminescence organique |
| KR100845724B1 (ko) * | 1999-12-22 | 2008-07-14 | 소니 가부시끼 가이샤 | 유기 전계 발광 디스플레이 |
| US6570337B1 (en) | 1999-12-24 | 2003-05-27 | Nippon Seiki Co., Ltd. | Luminous display unit |
| WO2001078463A1 (fr) * | 2000-04-06 | 2001-10-18 | Seiko Epson Corporation | Afficheur organique a electroluminescence |
| US6541910B2 (en) | 2000-04-06 | 2003-04-01 | Seiko Epson Corporation | Organic el display |
| US6975066B2 (en) | 2000-09-14 | 2005-12-13 | Nippon Seiki Co., Ltd. | Organic EL element |
| KR100767965B1 (ko) * | 2000-09-14 | 2007-10-17 | 닛폰 세이키 가부시키가이샤 | 유기 ｅｌ 소자 |
| WO2002023955A1 (en) * | 2000-09-14 | 2002-03-21 | Nippon Seiki Co.,Ltd | Organic el element |
| US9059216B2 (en) | 2000-12-11 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and manufacturing method thereof |
| US9666601B2 (en) | 2000-12-11 | 2017-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and manufacturing method thereof |
| US7459352B2 (en) | 2000-12-11 | 2008-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and manufacturing method thereof |
| US10665610B2 (en) | 2000-12-11 | 2020-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and manufacturing method thereof |
| JP2008090322A (ja) * | 2000-12-21 | 2008-04-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| US7629618B2 (en) | 2000-12-21 | 2009-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US9793335B2 (en) | 2000-12-21 | 2017-10-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| JP2002318555A (ja) * | 2000-12-21 | 2002-10-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
| US9231044B2 (en) | 2000-12-21 | 2016-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| JP2002207440A (ja) * | 2001-01-10 | 2002-07-26 | Sony Corp | 平面表示装置 |
| JP2008071770A (ja) * | 2001-08-21 | 2008-03-27 | Lg Electronics Inc | 有機ｅｌ表示パネル |
| WO2009016735A1 (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-05 | Pioneer Corporation | 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 |
| JPWO2012032662A1 (ja) * | 2010-09-11 | 2013-12-12 | パイオニア株式会社 | 有機ｅｌパネル |
| WO2012032662A1 (ja) * | 2010-09-11 | 2012-03-15 | パイオニア株式会社 | 有機ｅｌパネル |
| WO2012032663A1 (ja) * | 2010-09-11 | 2012-03-15 | 東北パイオニア株式会社 | 有機ｅｌパネル |
| WO2012032661A1 (ja) * | 2010-09-11 | 2012-03-15 | パイオニア株式会社 | 有機ｅｌパネル |
| JP2013097984A (ja) * | 2011-10-31 | 2013-05-20 | Denso Corp | 発光素子 |
| WO2018179543A1 (ja) * | 2017-03-29 | 2018-10-04 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
| WO2018211934A1 (ja) * | 2017-05-15 | 2018-11-22 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
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