JPH09106916A - Ｌｃフィルタ及びその周波数調整方法 - Google Patents
Ｌｃフィルタ及びその周波数調整方法Info
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- JPH09106916A JPH09106916A JP29203695A JP29203695A JPH09106916A JP H09106916 A JPH09106916 A JP H09106916A JP 29203695 A JP29203695 A JP 29203695A JP 29203695 A JP29203695 A JP 29203695A JP H09106916 A JPH09106916 A JP H09106916A
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- thin film
- film layer
- inductor
- electrode
- dielectric thin
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 周波数調整を簡易に行ない得る構造をもった
ＬＣフィルタを提供すること。 【解決手段】 絶縁基板１の表面にアース電極を兼用す
る下部電極２ａ，２ｂを形成し、かつ該電極を含む絶縁
基板１のほぼ全面を誘電体薄膜層４で覆って、該誘電体
薄膜層４上の下部電極ａ，２ｂと対向する面領域に上部
電極６ａ，６ｂを形成して、前記誘電体薄膜層４を介し
て上下の電極により並列共振用コンデンサＣ0 ，Ｃ0 を
構成し、さらに、誘電体薄膜層４のほぼ全面を絶縁薄膜
層１０で覆って、その表面のあらかじめ確保されたイン
ダクタ形成領域ｓに、並列共振用インダクタＬ1 ，Ｌ2
を形成し、薄膜層４，１０を貫通する導電性スルホール
ｈ1，ｈ2 を介して、該並列共振用インダクタＬ1 ，Ｌ2
の一端を下部電極２ａ，２ｂに接続し、他端を上部電
極６ａ，６ｂに接続してＬＣフィルタを構成した。
ＬＣフィルタを提供すること。 【解決手段】 絶縁基板１の表面にアース電極を兼用す
る下部電極２ａ，２ｂを形成し、かつ該電極を含む絶縁
基板１のほぼ全面を誘電体薄膜層４で覆って、該誘電体
薄膜層４上の下部電極ａ，２ｂと対向する面領域に上部
電極６ａ，６ｂを形成して、前記誘電体薄膜層４を介し
て上下の電極により並列共振用コンデンサＣ0 ，Ｃ0 を
構成し、さらに、誘電体薄膜層４のほぼ全面を絶縁薄膜
層１０で覆って、その表面のあらかじめ確保されたイン
ダクタ形成領域ｓに、並列共振用インダクタＬ1 ，Ｌ2
を形成し、薄膜層４，１０を貫通する導電性スルホール
ｈ1，ｈ2 を介して、該並列共振用インダクタＬ1 ，Ｌ2
の一端を下部電極２ａ，２ｂに接続し、他端を上部電
極６ａ，６ｂに接続してＬＣフィルタを構成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話や自動車
電話等の各種無線通信機器に使用されるＬＣフィルタに
関するものである。
電話等の各種無線通信機器に使用されるＬＣフィルタに
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＣフィルタとしては、アルミナ等の薄
い、複数又は単数の絶縁基板からなる基体板により共振
用コンデンサとインダクタとを並列接続した並列共振回
路を担持してなるものが一般的に用いられている。この
ＬＣフィルタは、誘電体ブロック内に複数の貫通孔状の
共振導体を形成した一体型誘電体フィルタや二枚の誘電
基板の間に箔状の共振導体を挟持した三導体型ストリッ
プラインフィルタに比して薄肉化、小型化が容易である
等の利点からカードサイズの携帯電話に好適に採用され
つつある。
い、複数又は単数の絶縁基板からなる基体板により共振
用コンデンサとインダクタとを並列接続した並列共振回
路を担持してなるものが一般的に用いられている。この
ＬＣフィルタは、誘電体ブロック内に複数の貫通孔状の
共振導体を形成した一体型誘電体フィルタや二枚の誘電
基板の間に箔状の共振導体を挟持した三導体型ストリッ
プラインフィルタに比して薄肉化、小型化が容易である
等の利点からカードサイズの携帯電話に好適に採用され
つつある。
【０００３】一方、近年は、電子機器等の小型化、高性
能化、高密度実装化に対する要望が高まっており、この
ため、ＬＣフィルタのいっそうの小型化が強く求められ
るようになっている。そしてこの要求に対応するために
は、フィルタ部品の集積化、小型化を図る必要がある。
このような要求から、絶縁基板上に誘電体薄膜層等を積
層して薄肉化を計ったＬＣフィルタが提案されている。
能化、高密度実装化に対する要望が高まっており、この
ため、ＬＣフィルタのいっそうの小型化が強く求められ
るようになっている。そしてこの要求に対応するために
は、フィルタ部品の集積化、小型化を図る必要がある。
このような要求から、絶縁基板上に誘電体薄膜層等を積
層して薄肉化を計ったＬＣフィルタが提案されている。
【０００４】ここで、従来構成のＬＣフィルタを図４に
従って説明する。絶縁基板２０の表面には、矩形状の下
部電極２１ａ，２１ｂが並成され、かつ各下部電極２１
ａ，２１ｂと接続させて、短冊状の左右に長い、並列共
振用インダクタ２２ａ，２２ｂが形成されている。この
絶縁基板２０の表面には、下部電極２１ａ，２１ｂ、及
びインダクタ２２ａ，２２ｂ上を覆って誘電体薄膜層２
７が被覆される。そして、この誘電体薄膜層２７上で、
下部電極２１ａ，２１ｂと対向する面領域上に、上部電
極２８ａ，２８ｂが形成される。上部電極２８ａ，２８
ｂは、接続端部２９，２９が後方へ延出されている。こ
の接続端部２９，２９は、並列共振用インダクタ２２
ａ，２２ｂと誘電体薄膜層２７に形成した導電スルホー
ルを介して接続される。そのほか誘電体薄膜層２７上に
は、上部電極２８ａ，２８ｂの外側位置で、中継端子３
０，３０が形成されている。而して、前記誘電体薄膜層
２７を介して、下部電極２１ａ，２１ｂと上部電極２８
ａ，２８ｂが対置することにより、並列共振用コンデン
サＣ0 ，Ｃ0 （図６参照）が形成されることとなる。
従って説明する。絶縁基板２０の表面には、矩形状の下
部電極２１ａ，２１ｂが並成され、かつ各下部電極２１
ａ，２１ｂと接続させて、短冊状の左右に長い、並列共
振用インダクタ２２ａ，２２ｂが形成されている。この
絶縁基板２０の表面には、下部電極２１ａ，２１ｂ、及
びインダクタ２２ａ，２２ｂ上を覆って誘電体薄膜層２
７が被覆される。そして、この誘電体薄膜層２７上で、
下部電極２１ａ，２１ｂと対向する面領域上に、上部電
極２８ａ，２８ｂが形成される。上部電極２８ａ，２８
ｂは、接続端部２９，２９が後方へ延出されている。こ
の接続端部２９，２９は、並列共振用インダクタ２２
ａ，２２ｂと誘電体薄膜層２７に形成した導電スルホー
ルを介して接続される。そのほか誘電体薄膜層２７上に
は、上部電極２８ａ，２８ｂの外側位置で、中継端子３
０，３０が形成されている。而して、前記誘電体薄膜層
２７を介して、下部電極２１ａ，２１ｂと上部電極２８
ａ，２８ｂが対置することにより、並列共振用コンデン
サＣ0 ，Ｃ0 （図６参照）が形成されることとなる。
【０００５】さらにこの誘電体薄膜層２７の全表面に
は、前記上部電極２８ａ，２８ｂ，中継端子３０，３０
上を覆って誘電体薄膜層３１が被覆される。そして、こ
の誘電体薄膜層３１上には、上部電極２８ａ，２８ｂ上
の位置で、入出力電極３２ａ，コンデンサ電極３２ｃ，
入出力電極３２ｂが左右に列設される。この入出力電極
３２ａは、誘電体薄膜層３１を介して上部電極２８ａと
対置して、入出力結合用コンデンサＣ1 （図６参照）を
構成し、入出力電極３２ｂは、前記誘電体薄膜層３１を
介して上部電極２８ｂと対置して、入出力結合用コンデ
ンサＣ2 を構成している。さらに、コンデンサ電極３２
ｃは、上部電極２８ａ，２８ｂ上にまたがって配設さ
れ、それぞれ上部電極２８ａ，２８ｂと対置して段間結
合用コンデンサＣ3 を構成している。そのほか誘電体薄
膜層３１上の両側には、中継端子３０，３０と対置して
アース電極３４ａ，３４ｂが形成される。そして、入出
力電極３２ａ，３２ｂに外部電路が接続され、アース電
極３４ａ，３４ｂにアース接続が施されて、図６で示す
等価回路が構成されることとなる。
は、前記上部電極２８ａ，２８ｂ，中継端子３０，３０
上を覆って誘電体薄膜層３１が被覆される。そして、こ
の誘電体薄膜層３１上には、上部電極２８ａ，２８ｂ上
の位置で、入出力電極３２ａ，コンデンサ電極３２ｃ，
入出力電極３２ｂが左右に列設される。この入出力電極
３２ａは、誘電体薄膜層３１を介して上部電極２８ａと
対置して、入出力結合用コンデンサＣ1 （図６参照）を
構成し、入出力電極３２ｂは、前記誘電体薄膜層３１を
介して上部電極２８ｂと対置して、入出力結合用コンデ
ンサＣ2 を構成している。さらに、コンデンサ電極３２
ｃは、上部電極２８ａ，２８ｂ上にまたがって配設さ
れ、それぞれ上部電極２８ａ，２８ｂと対置して段間結
合用コンデンサＣ3 を構成している。そのほか誘電体薄
膜層３１上の両側には、中継端子３０，３０と対置して
アース電極３４ａ，３４ｂが形成される。そして、入出
力電極３２ａ，３２ｂに外部電路が接続され、アース電
極３４ａ，３４ｂにアース接続が施されて、図６で示す
等価回路が構成されることとなる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで上述の従来構
成にあって、共振周波数の調整は、図５のように、誘電
体薄膜層３１の表面から、トリミング孔ｘを穿孔して、
該トリミング孔ｘを介して、並列共振用コンデンサＣ
0 ，Ｃ0 の上部電極２８ａ，２８ｂを部分的に削除する
ことにより行なっていた（特公平６−５６８１３号参
照）。このため、作業性が悪く、かかる穿孔作業によ
り、亀裂を生じ易く、しかも、基板の強度が低下すると
いう問題があった。本発明は、周波数調整を簡易に行な
い得る構造をもったＬＣフィルタ及び該ＬＣフィルタを
用いた周波数調整方法に関するものである。
成にあって、共振周波数の調整は、図５のように、誘電
体薄膜層３１の表面から、トリミング孔ｘを穿孔して、
該トリミング孔ｘを介して、並列共振用コンデンサＣ
0 ，Ｃ0 の上部電極２８ａ，２８ｂを部分的に削除する
ことにより行なっていた（特公平６−５６８１３号参
照）。このため、作業性が悪く、かかる穿孔作業によ
り、亀裂を生じ易く、しかも、基板の強度が低下すると
いう問題があった。本発明は、周波数調整を簡易に行な
い得る構造をもったＬＣフィルタ及び該ＬＣフィルタを
用いた周波数調整方法に関するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁基板の表
面にアース電極を兼用する下部電極を形成し、かつ該電
極を含む絶縁基板のほぼ全面を誘電体薄膜層で覆って、
該誘電体薄膜層上の下部電極と対向する面領域に上部電
極を形成して、前記誘電体薄膜層を介して上下の電極に
より並列共振用コンデンサを構成し、さらに、上部電極
を含む誘電体薄膜層のほぼ全面を絶縁薄膜層で覆って、
その表面のあらかじめ確保されたインダクタ形成領域
に、並列共振用インダクタを形成し、薄膜層を貫通する
導電性スルホールを介して、該並列共振用インダクタの
一端を並列共振用コンデンサの下部電極に接続し、他端
を並列共振用コンデンサの上部電極に接続してなること
を特徴とするＬＣフィルタである。
面にアース電極を兼用する下部電極を形成し、かつ該電
極を含む絶縁基板のほぼ全面を誘電体薄膜層で覆って、
該誘電体薄膜層上の下部電極と対向する面領域に上部電
極を形成して、前記誘電体薄膜層を介して上下の電極に
より並列共振用コンデンサを構成し、さらに、上部電極
を含む誘電体薄膜層のほぼ全面を絶縁薄膜層で覆って、
その表面のあらかじめ確保されたインダクタ形成領域
に、並列共振用インダクタを形成し、薄膜層を貫通する
導電性スルホールを介して、該並列共振用インダクタの
一端を並列共振用コンデンサの下部電極に接続し、他端
を並列共振用コンデンサの上部電極に接続してなること
を特徴とするＬＣフィルタである。
【０００８】ここでＬＣフィルタは、主として共振用コ
ンデンサの容量値とインダクタのインダクタンス値で決
まる下式の共振周波数ｆ0 で共振する。 ｆ0 ＝１／（２π（ＬＣ）1/2 ）
ンデンサの容量値とインダクタのインダクタンス値で決
まる下式の共振周波数ｆ0 で共振する。 ｆ0 ＝１／（２π（ＬＣ）1/2 ）
【０００９】この共振用コンデンサの容量値は使用する
誘電体材料の誘電率、誘電体層の厚み、上下電極の対向
電極面積により決まり、インダクタのインダクタンス値
は導体長、導体幅によって決まる。ところで上述の構成
にあっては、インダクタ形成領域に、インダクタを後付
けすることができる。このため、共振周波数ｆ0 は上述
の式から、共振用コンデンサの容量と、インダクタのイ
ンダクタンスの値によって決定されるから、コンデンサ
の容量にバラツキがあったとしても、その容量にあわせ
て、最適なインダクタンス値のインダクタを、インダク
タ形成領域に形成することにより、所要の共振周波数ｆ
0 を得ることが可能となる。
誘電体材料の誘電率、誘電体層の厚み、上下電極の対向
電極面積により決まり、インダクタのインダクタンス値
は導体長、導体幅によって決まる。ところで上述の構成
にあっては、インダクタ形成領域に、インダクタを後付
けすることができる。このため、共振周波数ｆ0 は上述
の式から、共振用コンデンサの容量と、インダクタのイ
ンダクタンスの値によって決定されるから、コンデンサ
の容量にバラツキがあったとしても、その容量にあわせ
て、最適なインダクタンス値のインダクタを、インダク
タ形成領域に形成することにより、所要の共振周波数ｆ
0 を得ることが可能となる。
【００１０】この構成にあって、インダクタの形成は次
の方法でなされる。すなわち絶縁基板に、共振用コンデ
ンサとの間にインダクタ形成領域をあらかじめ確保して
おき、共振用コンデンサの容量値を測定して、インダク
タの最適インダクタンス値を決定した後、前記インダク
タを、異なるインダクタンス値となるようにあらかじめ
設定された複数のパターンのうちから、前記最適インダ
クタンス値に基づいて選択し、当該インダクタをインダ
クタ形成領域に形成する。すなわち、インダクタは、そ
の導体長、導体幅，形態等の形状により、インダクタン
スが異なる。そこで、インダクタンス値があらかじめ定
まっている形状の異なるパターンから所定のパターンを
選定して、これをインダクタとすることにより所望の、
共振周波数を得ることができる。またインダクタの形成
後においても、インダクタの部分的削除又は導電材料の
付加により共振周波数の調整が容易にできる。
の方法でなされる。すなわち絶縁基板に、共振用コンデ
ンサとの間にインダクタ形成領域をあらかじめ確保して
おき、共振用コンデンサの容量値を測定して、インダク
タの最適インダクタンス値を決定した後、前記インダク
タを、異なるインダクタンス値となるようにあらかじめ
設定された複数のパターンのうちから、前記最適インダ
クタンス値に基づいて選択し、当該インダクタをインダ
クタ形成領域に形成する。すなわち、インダクタは、そ
の導体長、導体幅，形態等の形状により、インダクタン
スが異なる。そこで、インダクタンス値があらかじめ定
まっている形状の異なるパターンから所定のパターンを
選定して、これをインダクタとすることにより所望の、
共振周波数を得ることができる。またインダクタの形成
後においても、インダクタの部分的削除又は導電材料の
付加により共振周波数の調整が容易にできる。
【００１１】
【発明の実施の形態】添付図面について本発明の一実施
例を説明する。図１は本発明に係るＬＣフィルタを示す
ものであり、このＬＣフィルタは、寸法例が厚0.635mm
，縦2mm ，横2mm 等の矩形状に成形されたアルミナ等
の薄い絶縁基板１により、共振用コンデンサＣ0 とイン
ダクタＬとからなる並列共振回路を担持するようにして
なるものである。
例を説明する。図１は本発明に係るＬＣフィルタを示す
ものであり、このＬＣフィルタは、寸法例が厚0.635mm
，縦2mm ，横2mm 等の矩形状に成形されたアルミナ等
の薄い絶縁基板１により、共振用コンデンサＣ0 とイン
ダクタＬとからなる並列共振回路を担持するようにして
なるものである。
【００１２】すなわち、絶縁基板１の表面に、図中左右
に矩形状の下部電極（アース電極）２ａ，２ｂが前側寄
りで並成される。この下部電極２ａ，２ｂには、夫々接
続端部３ａ，３ｂが後方へ延成されている。この下部電
極２ａ，２ｂは、直接又は下地層を介してＦｅ−Ｎｉ合
金メッキ層を形成してなるものであり、共振用コンデン
サＣ0 ，Ｃ0 の下部電極となる。
に矩形状の下部電極（アース電極）２ａ，２ｂが前側寄
りで並成される。この下部電極２ａ，２ｂには、夫々接
続端部３ａ，３ｂが後方へ延成されている。この下部電
極２ａ，２ｂは、直接又は下地層を介してＦｅ−Ｎｉ合
金メッキ層を形成してなるものであり、共振用コンデン
サＣ0 ，Ｃ0 の下部電極となる。
【００１３】この絶縁基板１の表面には、下部電極２
ａ，２ｂを含むほぼ全面がＳｉＯ2 からなる誘電体薄膜
層４で被覆される。そして、この誘電体薄膜層４上で、
下部電極２ａ，２ｂと対向する面領域に、上部電極６
ａ，６ｂが夫々スパッタリングにより形成される。上部
電極６ａ，６ｂは、接続端部７，７が後方へ延出されて
いる。またそのほか誘電体薄膜層４上には、上部電極６
ａ，６ｂの外側位置で、中継端子８，８がスパッタリン
グにより形成されている。而して、前記誘電体薄膜層４
を介して、下部電極２ａ，２ｂと上部電極６ａ，６ｂが
対置することにより、並列共振用コンデンサＣ0 ，Ｃ0
が形成されることとなる。
ａ，２ｂを含むほぼ全面がＳｉＯ2 からなる誘電体薄膜
層４で被覆される。そして、この誘電体薄膜層４上で、
下部電極２ａ，２ｂと対向する面領域に、上部電極６
ａ，６ｂが夫々スパッタリングにより形成される。上部
電極６ａ，６ｂは、接続端部７，７が後方へ延出されて
いる。またそのほか誘電体薄膜層４上には、上部電極６
ａ，６ｂの外側位置で、中継端子８，８がスパッタリン
グにより形成されている。而して、前記誘電体薄膜層４
を介して、下部電極２ａ，２ｂと上部電極６ａ，６ｂが
対置することにより、並列共振用コンデンサＣ0 ，Ｃ0
が形成されることとなる。
【００１４】さらにこの誘電体薄膜層４の全表面には、
前記上部電極６ａ，６ｂ，中継端子８，８上を覆ってＳ
ｉＯ2 又はポリイミド樹脂からなる絶縁薄膜層１０（誘
電体薄膜層）が被覆される。そして、この絶縁薄膜層１
０上には、後方寄りに、並列共振用インダクタＬ1 ，Ｌ
2 が形成される。この並列共振用インダクタＬ1 ，Ｌ2
の内端は、前記絶縁薄膜層１０を貫通する導電性スルホ
ールｈ1 ，ｈ1 を介して上部電極６ａ，６ｂの接続端部
７，７と接続され、その外端は、誘電体薄膜層４及び絶
縁薄膜層１０を貫通する導電性スルホールｈ2 ，ｈ2 を
介して下部電極２ａ，２ｂの接続端部３ａ，３ｂと電気
的に接続される。さらに、絶縁薄膜層１０上にあって、
上部電極６ａ，６ｂ上の位置で、入出力電極１１ａ，コ
ンデンサ電極１１ｃ，入出力電極１１ｂが左右に列設さ
れる。この入出力電極１１ａは、絶縁薄膜層１０を介し
て上部電極６ａと対置して、入出力結合用コンデンサＣ
1を構成し、入出力電極１１ｂは、前記絶縁薄膜層１０
を介して上部電極６ｂと対置して、入出力結合用コンデ
ンサＣ2 を構成している。さらに、コンデンサ電極１１
ｃは、上部電極６ａ，６ｂ上にまたがって配設され、そ
れぞれ上部電極６ａ，６ｂと対置して段間結合用コンデ
ンサＣ3 を構成している。
前記上部電極６ａ，６ｂ，中継端子８，８上を覆ってＳ
ｉＯ2 又はポリイミド樹脂からなる絶縁薄膜層１０（誘
電体薄膜層）が被覆される。そして、この絶縁薄膜層１
０上には、後方寄りに、並列共振用インダクタＬ1 ，Ｌ
2 が形成される。この並列共振用インダクタＬ1 ，Ｌ2
の内端は、前記絶縁薄膜層１０を貫通する導電性スルホ
ールｈ1 ，ｈ1 を介して上部電極６ａ，６ｂの接続端部
７，７と接続され、その外端は、誘電体薄膜層４及び絶
縁薄膜層１０を貫通する導電性スルホールｈ2 ，ｈ2 を
介して下部電極２ａ，２ｂの接続端部３ａ，３ｂと電気
的に接続される。さらに、絶縁薄膜層１０上にあって、
上部電極６ａ，６ｂ上の位置で、入出力電極１１ａ，コ
ンデンサ電極１１ｃ，入出力電極１１ｂが左右に列設さ
れる。この入出力電極１１ａは、絶縁薄膜層１０を介し
て上部電極６ａと対置して、入出力結合用コンデンサＣ
1を構成し、入出力電極１１ｂは、前記絶縁薄膜層１０
を介して上部電極６ｂと対置して、入出力結合用コンデ
ンサＣ2 を構成している。さらに、コンデンサ電極１１
ｃは、上部電極６ａ，６ｂ上にまたがって配設され、そ
れぞれ上部電極６ａ，６ｂと対置して段間結合用コンデ
ンサＣ3 を構成している。
【００１５】そのほか絶縁薄膜層１０上の両側には、中
継端子８，８と対置してアース電極１３ａ，１３ｂが同
じくスパッタリングにより形成される。
継端子８，８と対置してアース電極１３ａ，１３ｂが同
じくスパッタリングにより形成される。
【００１６】そして、入出力電極１１ａ，１１ｂに外部
電路が接続され、アース電極１３ａ，１３ｂにアース接
続が施されて、図６で示す等価回路が構成されることと
なる。
電路が接続され、アース電極１３ａ，１３ｂにアース接
続が施されて、図６で示す等価回路が構成されることと
なる。
【００１７】かかる構成にあっては、並列共振用インダ
クタＬ1 ，Ｌ2 を最終工程で形成することが可能とな
る。そこで、この並列共振用インダクタＬ1 ，Ｌ2 の無
い半製品を形成した後に、並列共振用インダクタＬ1 ，
Ｌ2 を形状選定により、そのインダクタンス値を設定
し、インダクタ形成領域ｓに、該並列共振用インダクタ
Ｌ1 ，Ｌ2 をスパッタリングにより、後付けで形成する
ことにより、インダクタンス値を最適なものとすること
ができる。かつ形成後において、インダクタＬ1 ，Ｌ2
の部分的削除又は導電材料の付加により共振周波数の調
整が容易にできる。
クタＬ1 ，Ｌ2 を最終工程で形成することが可能とな
る。そこで、この並列共振用インダクタＬ1 ，Ｌ2 の無
い半製品を形成した後に、並列共振用インダクタＬ1 ，
Ｌ2 を形状選定により、そのインダクタンス値を設定
し、インダクタ形成領域ｓに、該並列共振用インダクタ
Ｌ1 ，Ｌ2 をスパッタリングにより、後付けで形成する
ことにより、インダクタンス値を最適なものとすること
ができる。かつ形成後において、インダクタＬ1 ，Ｌ2
の部分的削除又は導電材料の付加により共振周波数の調
整が容易にできる。
【００１８】すなわち、共振用コンデンサＣ0 の容量値
と並列共振用インダクタＬ1 ，Ｌ2のインダクタンス値
と共振周波数ｆ0 との関係は、ｆ0 ＝１／（２π（Ｌ
Ｃ）1/ 2 ）であるから、所要の共振周波数ｆ0 を得るた
めには、共振用コンデンサＣ0の容量値を容量測定器で
調べて、該容量値にあわせて、インダクタンス値を上式
より決定し、該インダクタンス値を有する並列共振用イ
ンダクタＬ1 ，Ｌ2 を決定して、これを前記インダクタ
形成領域ｓに形成すれば良い。ここで、並列共振用イン
ダクタＬ1 ，Ｌ2 は、その導体長、導体幅，形態等の形
状により、インダクタンスが異なる。従って、インダク
タンス値があらかじめ定まっている形状の異なるパター
ンから所定のパターンを選定して、並列共振用インダク
タＬ1 ，Ｌ2 とすることにより、共振用コンデンサＣ0
にバラツキがあったとしても、所要の共振周波数ｆ0 を
得ることが可能となる。
と並列共振用インダクタＬ1 ，Ｌ2のインダクタンス値
と共振周波数ｆ0 との関係は、ｆ0 ＝１／（２π（Ｌ
Ｃ）1/ 2 ）であるから、所要の共振周波数ｆ0 を得るた
めには、共振用コンデンサＣ0の容量値を容量測定器で
調べて、該容量値にあわせて、インダクタンス値を上式
より決定し、該インダクタンス値を有する並列共振用イ
ンダクタＬ1 ，Ｌ2 を決定して、これを前記インダクタ
形成領域ｓに形成すれば良い。ここで、並列共振用イン
ダクタＬ1 ，Ｌ2 は、その導体長、導体幅，形態等の形
状により、インダクタンスが異なる。従って、インダク
タンス値があらかじめ定まっている形状の異なるパター
ンから所定のパターンを選定して、並列共振用インダク
タＬ1 ，Ｌ2 とすることにより、共振用コンデンサＣ0
にバラツキがあったとしても、所要の共振周波数ｆ0 を
得ることが可能となる。
【００１９】この場合に、所定パターンの形成は、自動
露光装置等を用いて、当該パターンを指定するか、又
は、所定インダクタンス値又は、共振用コンデンサＣ0
の静電容量値を入力すると、自動的にパターンが選定さ
れるようにしたり、さらには、該入力値に対応して、最
適パターンを形成して、該パターンに基づき、インダク
タ形成領域ｓに自動的に形成されるようにすれば良い。
尚、この最適パターンを自動作成する構成にあっては、
あらかじめ作成式によりインダクタンス値とインダクタ
の形状との関係が定められているのであるから、無限種
類のパターンが作成式を介して用意されているといって
もよく、これは、あらかじめ設定された複数のパターン
のうちから、最適インダクタンス値に基づいて選択する
構成の一態様であるということができる。尚、勿論、手
作業によりインダクタＬ1 ，Ｌ2 を形成したり、さらに
は部分的に付加又は除去して、インダクタンス値（共振
周波数）を調整するようにしても良い。而して最適なイ
ンダクタンス値の並列共振用インダクタＬ1 ，Ｌ2 が形
成されて、所要共振周波数が実現されることとなる。
露光装置等を用いて、当該パターンを指定するか、又
は、所定インダクタンス値又は、共振用コンデンサＣ0
の静電容量値を入力すると、自動的にパターンが選定さ
れるようにしたり、さらには、該入力値に対応して、最
適パターンを形成して、該パターンに基づき、インダク
タ形成領域ｓに自動的に形成されるようにすれば良い。
尚、この最適パターンを自動作成する構成にあっては、
あらかじめ作成式によりインダクタンス値とインダクタ
の形状との関係が定められているのであるから、無限種
類のパターンが作成式を介して用意されているといって
もよく、これは、あらかじめ設定された複数のパターン
のうちから、最適インダクタンス値に基づいて選択する
構成の一態様であるということができる。尚、勿論、手
作業によりインダクタＬ1 ，Ｌ2 を形成したり、さらに
は部分的に付加又は除去して、インダクタンス値（共振
周波数）を調整するようにしても良い。而して最適なイ
ンダクタンス値の並列共振用インダクタＬ1 ，Ｌ2 が形
成されて、所要共振周波数が実現されることとなる。
【００２０】この場合に、薄膜層４，１０を貫通するス
ルホールｈ1 ，ｈ2 はあらかじめ形成しても良く、又は
インダクタＬ1 ，Ｌ2 を形成した後に、スルホールｈ
1 ，ｈ2 を穿設しても良い。
ルホールｈ1 ，ｈ2 はあらかじめ形成しても良く、又は
インダクタＬ1 ，Ｌ2 を形成した後に、スルホールｈ
1 ，ｈ2 を穿設しても良い。
【００２１】図３の（イ）〜（ハ）は、インダクタ形成
領域ｓに形成されるインダクタＬの夫々パターン例を示
すものであり、いずれも、スルホールｈ1 ，ｈ2 はあら
かじめ形成した場合にあって、そのスルホールｈ1 ，ｈ
2 に両端が接続されるように、形状を選定されているも
のである。このイ〜ハはその幅，形状により夫々インダ
クタンス値を異ならせている。このパターン（イ）〜
（ハ）は、例示にすぎず、このように長さを微細に変化
させたり、幅や迂回部の形状を異ならせる等、種々の形
状変化によりインダクタンス値を設定することができ
る。
領域ｓに形成されるインダクタＬの夫々パターン例を示
すものであり、いずれも、スルホールｈ1 ，ｈ2 はあら
かじめ形成した場合にあって、そのスルホールｈ1 ，ｈ
2 に両端が接続されるように、形状を選定されているも
のである。このイ〜ハはその幅，形状により夫々インダ
クタンス値を異ならせている。このパターン（イ）〜
（ハ）は、例示にすぎず、このように長さを微細に変化
させたり、幅や迂回部の形状を異ならせる等、種々の形
状変化によりインダクタンス値を設定することができ
る。
【００２２】而して、共振用コンデンサＣ0 の容量値を
測定して、上述の式に基づき、所望の共振周波数ｆ0 か
らインダクタＬの最適インダクタンス値を決定し、然る
後に、パターン群から所定のインダクタンス値のパター
ンを選択し、前記インダクタ形成領域ｓへ、スパッタリ
ング，メッキ等の方法を用いて、インダクタＬを形成
し、スルホールｈ1 ，ｈ2 で所要の接続を施すことによ
り、所望の共振周波数が達成された、図６で示す等価回
路が構成されることとなる。図１は、絶縁薄膜層１０を
誘電体材料で形成し、該絶縁薄膜層１０により、入出力
結合用コンデンサＣ1 ，Ｃ2 ，段間結合用コンデンサＣ
3 を形成したが、この形成手段は種々提案されるもので
あり、要は最上層に絶縁薄膜層が配設され、該層にイン
ダクタ形成領域ｓが確保され得るものであれば良い。
測定して、上述の式に基づき、所望の共振周波数ｆ0 か
らインダクタＬの最適インダクタンス値を決定し、然る
後に、パターン群から所定のインダクタンス値のパター
ンを選択し、前記インダクタ形成領域ｓへ、スパッタリ
ング，メッキ等の方法を用いて、インダクタＬを形成
し、スルホールｈ1 ，ｈ2 で所要の接続を施すことによ
り、所望の共振周波数が達成された、図６で示す等価回
路が構成されることとなる。図１は、絶縁薄膜層１０を
誘電体材料で形成し、該絶縁薄膜層１０により、入出力
結合用コンデンサＣ1 ，Ｃ2 ，段間結合用コンデンサＣ
3 を形成したが、この形成手段は種々提案されるもので
あり、要は最上層に絶縁薄膜層が配設され、該層にイン
ダクタ形成領域ｓが確保され得るものであれば良い。
【００２３】
【発明の効果】本発明のＬＣフィルタは、最上面にイン
ダクタ形成領域ｓを確保して、並列共振用インダクタＬ
1 ，Ｌ2 を形成し、薄膜層を貫通する導電性スルホール
を介して、該インダクタの一端を並列共振用コンデンサ
の下部電極に接続し、他端を並列共振用コンデンサの上
部電極に接続してなる構成であるため、該並列共振用イ
ンダクタＬ1 ，Ｌ2 の後付形成が可能となり、その形状
の選定によりインダクタンス値を適正に設定することが
でき、かつ形成後において、インダクタＬ1 ，Ｌ2 の部
分的削除又は導電材料の付加により共振周波数の調整が
正確かつ容易にできる。また、その調整にトリミング孔
ｘを穿孔することを要しないから、亀裂の発生や機械的
強度の低下を生ずることもない。
ダクタ形成領域ｓを確保して、並列共振用インダクタＬ
1 ，Ｌ2 を形成し、薄膜層を貫通する導電性スルホール
を介して、該インダクタの一端を並列共振用コンデンサ
の下部電極に接続し、他端を並列共振用コンデンサの上
部電極に接続してなる構成であるため、該並列共振用イ
ンダクタＬ1 ，Ｌ2 の後付形成が可能となり、その形状
の選定によりインダクタンス値を適正に設定することが
でき、かつ形成後において、インダクタＬ1 ，Ｌ2 の部
分的削除又は導電材料の付加により共振周波数の調整が
正確かつ容易にできる。また、その調整にトリミング孔
ｘを穿孔することを要しないから、亀裂の発生や機械的
強度の低下を生ずることもない。
【００２４】また、あらかじめ設定された複数のパター
ンのうちから、最適なインダクタンス値に基づいてパタ
ーンを選択し、当該パターンによってインダクタＬをイ
ンダクタ形成領域ｓに形成するようにしたインダクタ形
成方法にあって、パターン選択のみにより、所要共振周
波数の設定が極めて容易にできる。
ンのうちから、最適なインダクタンス値に基づいてパタ
ーンを選択し、当該パターンによってインダクタＬをイ
ンダクタ形成領域ｓに形成するようにしたインダクタ形
成方法にあって、パターン選択のみにより、所要共振周
波数の設定が極めて容易にできる。
【図１】ＬＣフィルタの分離斜視図である。
【図２】ＬＣフィルタの斜視図である。
【図３】インダクタＬのパターン例を示す平面図であ
る。
る。
【図４】従来構成のＬＣフィルタの分離斜視図である。
【図５】従来構成の周波数調整手段を示す縦断側面図で
ある。
ある。
【図６】等価回路図である。
１ 絶縁基板 ２ａ，２ｂ 下部電極 ４ 誘電体薄膜層 ６ａ，６ｂ 上部電極 １０ 絶縁薄膜層 １１ａ，１１ｂ 入出力電極 １１ｃ コンデンサ電極 ｈ1 ，ｈ2 導電性スルホール Ｌ，Ｌ1 ，Ｌ2 並列共振用インダクタ Ｃ0 共振用コンデンサ Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 結合用コンデンサ ｓ インダクタ形成領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 秀明 名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日本特殊 陶業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】絶縁基板の表面にアース電極を兼用する下
部電極を形成し、かつ該電極を含む絶縁基板のほぼ全面
を誘電体薄膜層で覆って、該誘電体薄膜層上の下部電極
と対向する面領域に上部電極を形成して、前記誘電体薄
膜層を介して上下の電極により並列共振用コンデンサを
構成し、さらに、上部電極を含む誘電体薄膜層のほぼ全
面を絶縁薄膜層で覆って、その表面のあらかじめ確保さ
れたインダクタ形成領域に、並列共振用インダクタを形
成し、薄膜層を貫通する導電性スルホールを介して、該
並列共振用インダクタの一端を並列共振用コンデンサの
下部電極に接続し、他端を並列共振用コンデンサの上部
電極に接続してなることを特徴とするＬＣフィルタ。 - 【請求項２】絶縁基板の表面にアース電極を兼用する下
部電極を形成し、かつ該電極を含む絶縁基板のほぼ全面
を誘電体薄膜層で覆って、該誘電体薄膜層上の下部電極
と対向する面領域に上部電極を形成して、前記誘電体薄
膜層を介して上下の電極により並列共振用コンデンサを
構成し、さらに、上部電極を含む誘電体薄膜層のほぼ全
面を絶縁薄膜層で覆ってなるものにおいて、並列共振用
コンデンサの容量値を測定して、インダクタの最適イン
ダクタンス値を決定した後、前記インダクタを、異なる
インダクタンス値となるようにあらかじめ設定された複
数のパターンのうちから、前記最適インダクタンス値に
基づいて選択し、当該インダクタを前記絶縁薄膜層の表
面にあらかじめ確保されたインダクタ形成領域に形成
し、誘電体薄膜層を貫通する導電性スルホールを介し
て、該インダクタの一端を並列共振用コンデンサの下部
電極に接続し、他端を並列共振用コンデンサの上部電極
に接続したことを特徴とするＬＣフィルタの周波数調整
方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29203695A JPH09106916A (ja) | 1995-10-12 | 1995-10-12 | Ｌｃフィルタ及びその周波数調整方法 |
| US08/703,946 US5781081A (en) | 1995-09-01 | 1996-08-28 | LC-type dielectric filter having an inductor on the outermost layer and frequency adjusting method therefor |
| EP96113862A EP0760533B1 (en) | 1995-09-01 | 1996-08-29 | LC-type dielectric filter and frequency adjusting method therefor |
| DE69616697T DE69616697T2 (de) | 1995-09-01 | 1996-08-29 | Dielektrisches LC-Filter und Frequenzeinstellverfahren dafür |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29203695A JPH09106916A (ja) | 1995-10-12 | 1995-10-12 | Ｌｃフィルタ及びその周波数調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09106916A true JPH09106916A (ja) | 1997-04-22 |
Family
ID=17776706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29203695A Pending JPH09106916A (ja) | 1995-09-01 | 1995-10-12 | Ｌｃフィルタ及びその周波数調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09106916A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003124058A (ja) * | 2001-10-11 | 2003-04-25 | Hitachi Metals Ltd | 積層型電子部品 |
| CN113053667A (zh) * | 2019-12-26 | 2021-06-29 | Tdk株式会社 | 电子部件 |
-
1995
- 1995-10-12 JP JP29203695A patent/JPH09106916A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003124058A (ja) * | 2001-10-11 | 2003-04-25 | Hitachi Metals Ltd | 積層型電子部品 |
| CN113053667A (zh) * | 2019-12-26 | 2021-06-29 | Tdk株式会社 | 电子部件 |
| CN113053667B (zh) * | 2019-12-26 | 2022-09-16 | Tdk株式会社 | 电子部件 |
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