JPH09107155A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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- JPH09107155A JPH09107155A JP28928395A JP28928395A JPH09107155A JP H09107155 A JPH09107155 A JP H09107155A JP 28928395 A JP28928395 A JP 28928395A JP 28928395 A JP28928395 A JP 28928395A JP H09107155 A JPH09107155 A JP H09107155A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低動作電圧、高信頼性、長寿命かつ製造が容
易なＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用いた半導体発光素子
を提供する。 【解決手段】 ｎ型クラッド層、活性層およびｐ型クラ
ッド層を含む複数のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層３〜１
１を半導体基板、例えばＧａＡｓ基板１上に積層した半
導体発光素子において、ターミナル層である最上層また
は最下層のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層、例えばｐ型Ｚ
ｎＳｅコンタクト層１１を有機金属化学気相成長法や有
機金属分子線エピタキシー法により成長させる。別の例
では、ターミナル層はＺｎＣｄＳｅ層またはＺｎＣｄＳ
ｅＴｅ層である。
易なＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用いた半導体発光素子
を提供する。 【解決手段】 ｎ型クラッド層、活性層およびｐ型クラ
ッド層を含む複数のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層３〜１
１を半導体基板、例えばＧａＡｓ基板１上に積層した半
導体発光素子において、ターミナル層である最上層また
は最下層のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層、例えばｐ型Ｚ
ｎＳｅコンタクト層１１を有機金属化学気相成長法や有
機金属分子線エピタキシー法により成長させる。別の例
では、ターミナル層はＺｎＣｄＳｅ層またはＺｎＣｄＳ
ｅＴｅ層である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体発光素子
に関し、特に、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用いた半導
体発光素子に関する。
に関し、特に、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用いた半導
体発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光ディスクや光磁気ディスクに対
する記録／再生の高密度化または高解像度化などのため
に、緑色ないし青色で発光可能な半導体レーザーや発光
ダイオードなどの半導体発光素子に対する要求が高まっ
ており、その実現を目指して研究が活発に行われてい
る。
する記録／再生の高密度化または高解像度化などのため
に、緑色ないし青色で発光可能な半導体レーザーや発光
ダイオードなどの半導体発光素子に対する要求が高まっ
ており、その実現を目指して研究が活発に行われてい
る。
【０００３】このような緑色ないし青色で発光可能な半
導体発光素子の製造に用いる材料としては、Ｚｎ、Ｃ
ｄ、Ｍｇ、Ｈｇ、ＢｅなどのＩＩ族元素とＳ、Ｓｅ、Ｔ
ｅなどのＶＩ族元素とからなるＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体が最も有望である。特に、四元混晶であるＺｎＭｇＳ
Ｓｅは、結晶性に優れ、入手も容易なＧａＡｓ基板上へ
の結晶成長が可能であり、例えば青色で発光可能な半導
体レーザーをこのＧａＡｓ基板を用いて製造する際のク
ラッド層や光導波層などに適していることが知られてい
る（例えば、Electronics Letters 28(1992)p.1798）。
導体発光素子の製造に用いる材料としては、Ｚｎ、Ｃ
ｄ、Ｍｇ、Ｈｇ、ＢｅなどのＩＩ族元素とＳ、Ｓｅ、Ｔ
ｅなどのＶＩ族元素とからなるＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体が最も有望である。特に、四元混晶であるＺｎＭｇＳ
Ｓｅは、結晶性に優れ、入手も容易なＧａＡｓ基板上へ
の結晶成長が可能であり、例えば青色で発光可能な半導
体レーザーをこのＧａＡｓ基板を用いて製造する際のク
ラッド層や光導波層などに適していることが知られてい
る（例えば、Electronics Letters 28(1992)p.1798）。
【０００４】このＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用いた半
導体発光素子、特にクラッド層にＺｎＭｇＳＳｅ層を用
いた半導体発光素子をＧａＡｓ基板を用いて製造する場
合、発光効率が高い半導体発光素子を得るためには、こ
のＧａＡｓ基板上に直接的にあるいはバッファ層を介し
て成長させるクラッド層などを結晶性に優れたものとす
る必要がある。
導体発光素子、特にクラッド層にＺｎＭｇＳＳｅ層を用
いた半導体発光素子をＧａＡｓ基板を用いて製造する場
合、発光効率が高い半導体発光素子を得るためには、こ
のＧａＡｓ基板上に直接的にあるいはバッファ層を介し
て成長させるクラッド層などを結晶性に優れたものとす
る必要がある。
【０００５】さて、従来、このＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体を用いた半導体発光素子、特にクラッド層にＺｎＭｇ
ＳＳｅ層を用いた半導体発光素子は、ｎ型ＧａＡｓ基板
上に分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法により、ｎ型Ｚｎ
ＭｇＳＳｅクラッド層、活性層、ｐ型ＺｎＭｇＳＳｅク
ラッド層、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層などを順次成長さ
せた後、このｐ型ＺｎＳｅコンタクト層上にｐ側電極を
形成することにより製造するのが一般的であった。しか
しながら、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層のアクセプタ濃度
を高くすることが難しいことなどにより、このｐ型Ｚｎ
Ｓｅコンタクト層にｐ側電極をオーミックコンタクトさ
せることは困難であった。このため、半導体発光素子の
動作時にこのｐ側電極のコンタクト部で発生する発熱が
多く、発光効率の劣化などが生じるという問題があっ
た。
体を用いた半導体発光素子、特にクラッド層にＺｎＭｇ
ＳＳｅ層を用いた半導体発光素子は、ｎ型ＧａＡｓ基板
上に分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法により、ｎ型Ｚｎ
ＭｇＳＳｅクラッド層、活性層、ｐ型ＺｎＭｇＳＳｅク
ラッド層、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層などを順次成長さ
せた後、このｐ型ＺｎＳｅコンタクト層上にｐ側電極を
形成することにより製造するのが一般的であった。しか
しながら、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層のアクセプタ濃度
を高くすることが難しいことなどにより、このｐ型Ｚｎ
Ｓｅコンタクト層にｐ側電極をオーミックコンタクトさ
せることは困難であった。このため、半導体発光素子の
動作時にこのｐ側電極のコンタクト部で発生する発熱が
多く、発光効率の劣化などが生じるという問題があっ
た。
【０００６】そこで、この問題を解決するために、ｐ型
ＺｎＳｅコンタクト層上にｐ型ＺｎＳｅ／ＺｎＴｅ多重
量子井戸（ＭＱＷ）層を成長させ、さらにその上にアク
セプタ不純物の高濃度ドーピングが容易なｐ型ＺｎＴｅ
コンタクト層を成長させ、その上にｐ側電極を形成する
技術が提案されており、すでにこの構造の半導体レーザ
ーにおいて室温連続発振に成功している（例えば、Jpn.
J. Appl. Phys. 33(1994)p.L938) 。
ＺｎＳｅコンタクト層上にｐ型ＺｎＳｅ／ＺｎＴｅ多重
量子井戸（ＭＱＷ）層を成長させ、さらにその上にアク
セプタ不純物の高濃度ドーピングが容易なｐ型ＺｎＴｅ
コンタクト層を成長させ、その上にｐ側電極を形成する
技術が提案されており、すでにこの構造の半導体レーザ
ーにおいて室温連続発振に成功している（例えば、Jpn.
J. Appl. Phys. 33(1994)p.L938) 。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ようなｐ型ＺｎＳｅ／ＺｎＴｅＭＱＷ層を用いる場合に
は、結晶欠陥の発生を防止する観点から、このｐ型Ｚｎ
Ｓｅ／ＺｎＴｅＭＱＷ層の厚さを厳密に臨界膜厚以内に
設定する必要があるため、その厚さの制御に厳密性が要
求され、半導体発光素子の製造上不利益を生じていた。
ようなｐ型ＺｎＳｅ／ＺｎＴｅＭＱＷ層を用いる場合に
は、結晶欠陥の発生を防止する観点から、このｐ型Ｚｎ
Ｓｅ／ＺｎＴｅＭＱＷ層の厚さを厳密に臨界膜厚以内に
設定する必要があるため、その厚さの制御に厳密性が要
求され、半導体発光素子の製造上不利益を生じていた。
【０００８】さらに、ｐ型ＺｎＳｅ／ＺｎＴｅＭＱＷ層
を用いた半導体発光素子の動作時においては、このｐ型
ＺｎＳｅ／ＺｎＴｅＭＱＷ層において大きな電圧降下が
発生することによりこの部分で発熱が生じる問題があ
り、ｐ側電極コンタクト部、ひいては半導体発光素子の
信頼性の劣化の原因となっていた。また、このｐ型Ｚｎ
Ｓｅ／ＺｎＴｅＭＱＷ層において大きな電圧降下が発生
することは、半導体発光素子の動作電圧を増大させる大
きな原因でもあった。
を用いた半導体発光素子の動作時においては、このｐ型
ＺｎＳｅ／ＺｎＴｅＭＱＷ層において大きな電圧降下が
発生することによりこの部分で発熱が生じる問題があ
り、ｐ側電極コンタクト部、ひいては半導体発光素子の
信頼性の劣化の原因となっていた。また、このｐ型Ｚｎ
Ｓｅ／ＺｎＴｅＭＱＷ層において大きな電圧降下が発生
することは、半導体発光素子の動作電圧を増大させる大
きな原因でもあった。
【０００９】従って、この発明の目的は、電極コンタク
ト部に多重量子井戸層を用いないで済むことなどによ
り、低動作電圧、高信頼性、長寿命かつ製造が容易なＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体を用いた半導体発光素子を提供
することにある。
ト部に多重量子井戸層を用いないで済むことなどによ
り、低動作電圧、高信頼性、長寿命かつ製造が容易なＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体を用いた半導体発光素子を提供
することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、少なくとも第１導電型の第１のクラッ
ド層、活性層および第２導電型の第２のクラッド層を含
む複数のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層が半導体基板上に
積層され、複数のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層はＺｎ、
Ｃｄ、Ｍｇ、ＨｇおよびＢｅからなる群より選ばれた少
なくとも一種類以上のＩＩ族元素とＳ、ＳｅおよびＴｅ
からなる群より選ばれた少なくとも一種類以上のＶＩ族
元素とからなる半導体発光素子において、複数のＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体層のうちのターミナル層が、有機金
属化合物を原料に用いた気相成長法または有機金属化合
物を原料に用いかつ水素雰囲気を用いた気相成長法によ
り成長されたものであることを特徴とするものである。
に、この発明は、少なくとも第１導電型の第１のクラッ
ド層、活性層および第２導電型の第２のクラッド層を含
む複数のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層が半導体基板上に
積層され、複数のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層はＺｎ、
Ｃｄ、Ｍｇ、ＨｇおよびＢｅからなる群より選ばれた少
なくとも一種類以上のＩＩ族元素とＳ、ＳｅおよびＴｅ
からなる群より選ばれた少なくとも一種類以上のＶＩ族
元素とからなる半導体発光素子において、複数のＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体層のうちのターミナル層が、有機金
属化合物を原料に用いた気相成長法または有機金属化合
物を原料に用いかつ水素雰囲気を用いた気相成長法によ
り成長されたものであることを特徴とするものである。
【００１１】ここで、「ターミナル層」とは、最上層ま
たは最下層を意味する。
たは最下層を意味する。
【００１２】この発明において、ターミナル層は、例え
ば、ＺｎＳｅ層、Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅ層（ただし、０≦
ｐ≦１）、Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅq Ｔｅ1-q 層（ただし、
０≦ｐ≦１かつ０≦ｑ≦１）などである。
ば、ＺｎＳｅ層、Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅ層（ただし、０≦
ｐ≦１）、Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅq Ｔｅ1-q 層（ただし、
０≦ｐ≦１かつ０≦ｑ≦１）などである。
【００１３】この発明において、有機金属化合物を原料
に用いた気相成長法には、有機金属化学気相成長（ＭＯ
ＣＶＤ）法や有機金属分子線エピタキシー（ＭＯＭＢ
Ｅ）法が含まれる。
に用いた気相成長法には、有機金属化学気相成長（ＭＯ
ＣＶＤ）法や有機金属分子線エピタキシー（ＭＯＭＢ
Ｅ）法が含まれる。
【００１４】この発明においては、ターミナル層がＺｎ
Ｓｅ層である場合、例えば、少なくとも第１のクラッド
層、活性層および第２のクラッド層は有機金属化合物を
原料に用いない気相成長法により成長されたものであ
り、ターミナル層を構成するＺｎＳｅ層はＺｎを含む有
機金属化合物およびＳｅを含む有機金属化合物または無
機金属化合物を原料に用いた気相成長法により成長され
たものである。
Ｓｅ層である場合、例えば、少なくとも第１のクラッド
層、活性層および第２のクラッド層は有機金属化合物を
原料に用いない気相成長法により成長されたものであ
り、ターミナル層を構成するＺｎＳｅ層はＺｎを含む有
機金属化合物およびＳｅを含む有機金属化合物または無
機金属化合物を原料に用いた気相成長法により成長され
たものである。
【００１５】ターミナル層がＺｎＳｅ層である場合にお
けるこの発明の一実施形態においては、少なくとも第１
のクラッド層、活性層および第２のクラッド層は分子線
エピタキシー法により成長されたものであり、ターミナ
ル層を構成するＺｎＳｅ層はＺｎを含む有機金属化合物
およびＳｅを含む有機金属化合物または無機金属化合物
を原料に用いた有機金属化学気相成長法により成長され
たものである。
けるこの発明の一実施形態においては、少なくとも第１
のクラッド層、活性層および第２のクラッド層は分子線
エピタキシー法により成長されたものであり、ターミナ
ル層を構成するＺｎＳｅ層はＺｎを含む有機金属化合物
およびＳｅを含む有機金属化合物または無機金属化合物
を原料に用いた有機金属化学気相成長法により成長され
たものである。
【００１６】ターミナル層がＺｎＳｅ層である場合にお
けるこの発明の他の一実施形態においては、少なくとも
第１のクラッド層、活性層および第２のクラッド層は分
子線エピタキシー法により成長されたものであり、ター
ミナル層を構成するＺｎＳｅ層はＺｎを含む有機金属化
合物およびＳｅを含む有機金属化合物または無機金属化
合物を原料に用いた有機金属分子線エピタキシー法によ
り成長されたものである。
けるこの発明の他の一実施形態においては、少なくとも
第１のクラッド層、活性層および第２のクラッド層は分
子線エピタキシー法により成長されたものであり、ター
ミナル層を構成するＺｎＳｅ層はＺｎを含む有機金属化
合物およびＳｅを含む有機金属化合物または無機金属化
合物を原料に用いた有機金属分子線エピタキシー法によ
り成長されたものである。
【００１７】ターミナル層がＺｎＳｅ層である場合にお
けるこの発明のさらに他の一実施形態においては、例え
ば、少なくとも第１のクラッド層、活性層および第２の
クラッド層は有機金属分子線エピタキシー法により成長
されたものであり、ターミナル層を構成するＺｎＳｅ層
はＺｎを含む有機金属化合物およびＳｅを含む有機金属
化合物または無機金属化合物を原料に用いた有機金属化
学気相成長法により成長されたものである。
けるこの発明のさらに他の一実施形態においては、例え
ば、少なくとも第１のクラッド層、活性層および第２の
クラッド層は有機金属分子線エピタキシー法により成長
されたものであり、ターミナル層を構成するＺｎＳｅ層
はＺｎを含む有機金属化合物およびＳｅを含む有機金属
化合物または無機金属化合物を原料に用いた有機金属化
学気相成長法により成長されたものである。
【００１８】ターミナル層がＺｎＳｅ層である場合にお
けるこの発明の典型的な一実施形態においては、半導体
基板はｎ型であり、ターミナル層は最上層を構成するｐ
型ＺｎＳｅ層であり、少なくともｎ型の第１のクラッド
層、活性層およびｐ型の第２のクラッド層は分子線エピ
タキシー法により成長されたものであり、ｐ型ＺｎＳｅ
層は有機金属化学気相成長法または有機金属分子線エピ
タキシー法により成長されたものである。
けるこの発明の典型的な一実施形態においては、半導体
基板はｎ型であり、ターミナル層は最上層を構成するｐ
型ＺｎＳｅ層であり、少なくともｎ型の第１のクラッド
層、活性層およびｐ型の第２のクラッド層は分子線エピ
タキシー法により成長されたものであり、ｐ型ＺｎＳｅ
層は有機金属化学気相成長法または有機金属分子線エピ
タキシー法により成長されたものである。
【００１９】この発明においては、ターミナル層がＺｎ
p Ｃｄ1-p Ｓｅ層である場合、例えば、少なくとも第１
のクラッド層、活性層および第２のクラッド層は有機金
属化合物を原料に用いない気相成長法により成長された
ものであり、ターミナル層を構成するＺｎp Ｃｄ1-p Ｓ
ｅ層はＺｎを含む有機金属化合物、Ｃｄを含む有機金属
化合物およびＳｅを含む有機金属化合物または無機金属
化合物を原料に用いた気相成長法により成長されたもの
である。
p Ｃｄ1-p Ｓｅ層である場合、例えば、少なくとも第１
のクラッド層、活性層および第２のクラッド層は有機金
属化合物を原料に用いない気相成長法により成長された
ものであり、ターミナル層を構成するＺｎp Ｃｄ1-p Ｓ
ｅ層はＺｎを含む有機金属化合物、Ｃｄを含む有機金属
化合物およびＳｅを含む有機金属化合物または無機金属
化合物を原料に用いた気相成長法により成長されたもの
である。
【００２０】ターミナル層がＺｎp Ｃｄ1-p Ｓｅ層であ
る場合におけるこの発明の一実施形態においては、少な
くとも第１のクラッド層、活性層および第２のクラッド
層は分子線エピタキシー法により成長されたものであ
り、ターミナル層を構成するＺｎp Ｃｄ1-p Ｓｅ層はＺ
ｎを含む有機金属化合物、Ｃｄを含む有機金属化合物お
よびＳｅを含む有機金属化合物または無機金属化合物を
原料に用いた有機金属化学気相成長法により成長された
ものである。
る場合におけるこの発明の一実施形態においては、少な
くとも第１のクラッド層、活性層および第２のクラッド
層は分子線エピタキシー法により成長されたものであ
り、ターミナル層を構成するＺｎp Ｃｄ1-p Ｓｅ層はＺ
ｎを含む有機金属化合物、Ｃｄを含む有機金属化合物お
よびＳｅを含む有機金属化合物または無機金属化合物を
原料に用いた有機金属化学気相成長法により成長された
ものである。
【００２１】ターミナル層がＺｎp Ｃｄ1-p Ｓｅ層であ
る場合におけるこの発明の他の一実施形態においては、
少なくとも第１のクラッド層、活性層および第２のクラ
ッド層は分子線エピタキシー法により成長されたもので
あり、ターミナル層を構成するＺｎp Ｃｄ1-p Ｓｅ層は
Ｚｎを含む有機金属化合物、Ｃｄを含む有機金属化合物
およびＳｅを含む有機金属化合物または無機金属化合物
を原料に用いた有機金属分子線エピタキシー法により成
長されたものである。
る場合におけるこの発明の他の一実施形態においては、
少なくとも第１のクラッド層、活性層および第２のクラ
ッド層は分子線エピタキシー法により成長されたもので
あり、ターミナル層を構成するＺｎp Ｃｄ1-p Ｓｅ層は
Ｚｎを含む有機金属化合物、Ｃｄを含む有機金属化合物
およびＳｅを含む有機金属化合物または無機金属化合物
を原料に用いた有機金属分子線エピタキシー法により成
長されたものである。
【００２２】ターミナル層がＺｎp Ｃｄ1-p Ｓｅ層であ
る場合におけるこの発明のさらに他の一実施形態におい
ては、少なくとも第１のクラッド層、活性層および第２
のクラッド層は有機金属分子線エピタキシー法により成
長されたものであり、ターミナル層を構成するＺｎp Ｃ
ｄ1-p Ｓｅ層はＺｎを含む有機金属化合物、Ｃｄを含む
有機金属化合物およびＳｅを含む有機金属化合物または
無機金属化合物を原料に用いた有機金属化学気相成長法
により成長されたものである。
る場合におけるこの発明のさらに他の一実施形態におい
ては、少なくとも第１のクラッド層、活性層および第２
のクラッド層は有機金属分子線エピタキシー法により成
長されたものであり、ターミナル層を構成するＺｎp Ｃ
ｄ1-p Ｓｅ層はＺｎを含む有機金属化合物、Ｃｄを含む
有機金属化合物およびＳｅを含む有機金属化合物または
無機金属化合物を原料に用いた有機金属化学気相成長法
により成長されたものである。
【００２３】ターミナル層がＺｎp Ｃｄ1-p Ｓｅ層であ
る場合におけるこの発明の典型的な一実施形態において
は、半導体基板はｎ型であり、ターミナル層は最上層を
構成するｐ型Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅ層であり、少なくとも
ｎ型の第１のクラッド層、活性層およびｐ型の第２のク
ラッド層は分子線エピタキシー法により成長されたもの
であり、ｐ型Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅ層は有機金属化学気相
成長法または有機金属分子線エピタキシー法により成長
されたものである。
る場合におけるこの発明の典型的な一実施形態において
は、半導体基板はｎ型であり、ターミナル層は最上層を
構成するｐ型Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅ層であり、少なくとも
ｎ型の第１のクラッド層、活性層およびｐ型の第２のク
ラッド層は分子線エピタキシー法により成長されたもの
であり、ｐ型Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅ層は有機金属化学気相
成長法または有機金属分子線エピタキシー法により成長
されたものである。
【００２４】この発明においては、ターミナル層がＺｎ
p Ｃｄ1-p Ｓｅq Ｔｅ1-q 層である場合、例えば、少な
くとも第１のクラッド層、活性層および第２のクラッド
層は有機金属化合物を原料に用いない気相成長法により
成長されたものであり、ターミナル層を構成するＺｎp
Ｃｄ1-p Ｓｅq Ｔｅ1-q 層はＺｎを含む有機金属化合
物、Ｃｄを含む有機金属化合物、Ｓｅを含む有機金属化
合物または無機金属化合物およびＴｅを含む有機金属化
合物または無機金属化合物を原料に用いた気相成長法に
より成長されたものである。
p Ｃｄ1-p Ｓｅq Ｔｅ1-q 層である場合、例えば、少な
くとも第１のクラッド層、活性層および第２のクラッド
層は有機金属化合物を原料に用いない気相成長法により
成長されたものであり、ターミナル層を構成するＺｎp
Ｃｄ1-p Ｓｅq Ｔｅ1-q 層はＺｎを含む有機金属化合
物、Ｃｄを含む有機金属化合物、Ｓｅを含む有機金属化
合物または無機金属化合物およびＴｅを含む有機金属化
合物または無機金属化合物を原料に用いた気相成長法に
より成長されたものである。
【００２５】ターミナル層がＺｎp Ｃｄ1-p Ｓｅq Ｔｅ
1-q 層である場合におけるこの発明の一実施形態におい
ては、少なくとも第１のクラッド層、活性層および第２
のクラッド層は分子線エピタキシー法により成長された
ものであり、ターミナル層を構成するＺｎp Ｃｄ1-p Ｓ
ｅq Ｔｅ1-q 層はＺｎを含む有機金属化合物、Ｃｄを含
む有機金属化合物、Ｓｅを含む有機金属化合物または無
機金属化合物およびＴｅを含む有機金属化合物または無
機金属化合物を原料に用いた有機金属化学気相成長法に
より成長されたものである。
1-q 層である場合におけるこの発明の一実施形態におい
ては、少なくとも第１のクラッド層、活性層および第２
のクラッド層は分子線エピタキシー法により成長された
ものであり、ターミナル層を構成するＺｎp Ｃｄ1-p Ｓ
ｅq Ｔｅ1-q 層はＺｎを含む有機金属化合物、Ｃｄを含
む有機金属化合物、Ｓｅを含む有機金属化合物または無
機金属化合物およびＴｅを含む有機金属化合物または無
機金属化合物を原料に用いた有機金属化学気相成長法に
より成長されたものである。
【００２６】ターミナル層がＺｎp Ｃｄ1-p Ｓｅq Ｔｅ
1-q 層である場合におけるこの発明の他の一実施形態に
おいては、少なくとも第１のクラッド層、活性層および
第２のクラッド層は分子線エピタキシー法により成長さ
れたものであり、ターミナル層を構成するＺｎp Ｃｄ
1-p Ｓｅq Ｔｅ1-q 層はＺｎを含む有機金属化合物、Ｃ
ｄを含む有機金属化合物、Ｓｅを含む有機金属化合物ま
たは無機金属化合物およびＴｅを含む有機金属化合物ま
たは無機金属化合物を原料に用いた有機金属分子線エピ
タキシー法により成長されたものである。
1-q 層である場合におけるこの発明の他の一実施形態に
おいては、少なくとも第１のクラッド層、活性層および
第２のクラッド層は分子線エピタキシー法により成長さ
れたものであり、ターミナル層を構成するＺｎp Ｃｄ
1-p Ｓｅq Ｔｅ1-q 層はＺｎを含む有機金属化合物、Ｃ
ｄを含む有機金属化合物、Ｓｅを含む有機金属化合物ま
たは無機金属化合物およびＴｅを含む有機金属化合物ま
たは無機金属化合物を原料に用いた有機金属分子線エピ
タキシー法により成長されたものである。
【００２７】ターミナル層がＺｎp Ｃｄ1-p Ｓｅq Ｔｅ
1-q 層である場合におけるこの発明のさらに他の一実施
形態においては、少なくとも第１のクラッド層、活性層
および第２のクラッド層は有機金属分子線エピタキシー
法により成長されたものであり、ターミナル層を構成す
るＺｎp Ｃｄ1-p Ｓｅq Ｔｅ1-q 層はＺｎを含む有機金
属化合物、Ｃｄを含む有機金属化合物、Ｓｅを含む有機
金属化合物または無機金属化合物およびＴｅを含む有機
金属化合物または無機金属化合物を原料に用いた有機金
属化学気相成長法により成長されたものである。
1-q 層である場合におけるこの発明のさらに他の一実施
形態においては、少なくとも第１のクラッド層、活性層
および第２のクラッド層は有機金属分子線エピタキシー
法により成長されたものであり、ターミナル層を構成す
るＺｎp Ｃｄ1-p Ｓｅq Ｔｅ1-q 層はＺｎを含む有機金
属化合物、Ｃｄを含む有機金属化合物、Ｓｅを含む有機
金属化合物または無機金属化合物およびＴｅを含む有機
金属化合物または無機金属化合物を原料に用いた有機金
属化学気相成長法により成長されたものである。
【００２８】ターミナル層がＺｎp Ｃｄ1-p Ｓｅq Ｔｅ
1-q 層である場合におけるこの発明の典型的な一実施形
態においては、半導体基板はｎ型であり、ターミナル層
は最上層を構成するｐ型Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅq Ｔｅ1-q
層であり、少なくともｎ型の第１のクラッド層、活性層
およびｐ型の第２のクラッド層は分子線エピタキシー法
により成長されたものであり、ｐ型Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅ
q Ｔｅ1-q 層は有機金属化学気相成長法または有機金属
分子線エピタキシー法により成長されたものである。
1-q 層である場合におけるこの発明の典型的な一実施形
態においては、半導体基板はｎ型であり、ターミナル層
は最上層を構成するｐ型Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅq Ｔｅ1-q
層であり、少なくともｎ型の第１のクラッド層、活性層
およびｐ型の第２のクラッド層は分子線エピタキシー法
により成長されたものであり、ｐ型Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅ
q Ｔｅ1-q 層は有機金属化学気相成長法または有機金属
分子線エピタキシー法により成長されたものである。
【００２９】この発明において、第１のクラッド層およ
び第２のクラッド層は、ＺｎＭｇＳＳｅ層、ＺｎＣｄＭ
ｇＳｅ層、ＺｎＣｄＭｇＳｅＴｅ層などである。ここ
で、第１のクラッド層および第２のクラッド層がＺｎＭ
ｇＳＳｅ層である場合には、半導体基板として例えばＧ
ａＡｓ基板またはＺｎＳｅ基板が用いられ、このときタ
ーミナル層は典型的にはＺｎＳｅ層である。また、第１
のクラッド層および第２のクラッド層がＺｎＣｄＭｇＳ
ｅ層である場合には、半導体基板として例えばＩｎＰ基
板またはＩｎＧａＡｓ基板が用いられ、このときターミ
ナル層は典型的にはＺｎp Ｃｄ1-p Ｓｅ層である。さら
に、第１のクラッド層および第２のクラッド層がＺｎＣ
ｄＭｇＳｅＴｅ層である場合には、半導体基板として例
えばＩｎＡｓ基板、ＣｄＳｅ基板、ＧａＳｂ基板または
ＺｎＴｅ基板が用いられ、このときターミナル層は典型
的にはＺｎp Ｃｄ1-p Ｓｅq Ｔｅ1-q 層である。
び第２のクラッド層は、ＺｎＭｇＳＳｅ層、ＺｎＣｄＭ
ｇＳｅ層、ＺｎＣｄＭｇＳｅＴｅ層などである。ここ
で、第１のクラッド層および第２のクラッド層がＺｎＭ
ｇＳＳｅ層である場合には、半導体基板として例えばＧ
ａＡｓ基板またはＺｎＳｅ基板が用いられ、このときタ
ーミナル層は典型的にはＺｎＳｅ層である。また、第１
のクラッド層および第２のクラッド層がＺｎＣｄＭｇＳ
ｅ層である場合には、半導体基板として例えばＩｎＰ基
板またはＩｎＧａＡｓ基板が用いられ、このときターミ
ナル層は典型的にはＺｎp Ｃｄ1-p Ｓｅ層である。さら
に、第１のクラッド層および第２のクラッド層がＺｎＣ
ｄＭｇＳｅＴｅ層である場合には、半導体基板として例
えばＩｎＡｓ基板、ＣｄＳｅ基板、ＧａＳｂ基板または
ＺｎＴｅ基板が用いられ、このときターミナル層は典型
的にはＺｎp Ｃｄ1-p Ｓｅq Ｔｅ1-q 層である。
【００３０】ここで、参考のために、代表的な二元のＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体および基板材料に用いられる代
表的な二元のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のエネルギーギ
ャップと格子定数との関係を図１に示す。図１からわか
るように、第１のクラッド層および第２のクラッド層が
ＺｎＭｇＳＳｅ層であり、半導体基板が例えばＧａＡｓ
基板またはＺｎＳｅ基板である場合にはＺｎＭｇＳＳｅ
層をＧａＡｓ基板またはＺｎＳｅ基板と格子整合させる
ことが可能であり、第１のクラッド層および第２のクラ
ッド層がＺｎＣｄＭｇＳｅ層であり、半導体基板がＩｎ
Ｐ基板またはＩｎＧａＡｓ基板である場合にはＺｎＣｄ
ＭｇＳｅ層をＩｎＰ基板またはＩｎＧａＡｓ基板と格子
整合させることが可能であり、第１のクラッド層および
第２のクラッド層がＺｎＣｄＭｇＳｅＴｅ層でり、半導
体基板がＩｎＡｓ基板、ＣｄＳｅ基板、ＧａＳｂ基板ま
たはＺｎＴｅ基板である場合にはＺｎＣｄＭｇＳｅＴｅ
層をＩｎＡｓ基板、ＣｄＳｅ基板、ＧａＳｂ基板または
ＺｎＴｅ基板と格子整合させることが可能である。
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体および基板材料に用いられる代
表的な二元のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のエネルギーギ
ャップと格子定数との関係を図１に示す。図１からわか
るように、第１のクラッド層および第２のクラッド層が
ＺｎＭｇＳＳｅ層であり、半導体基板が例えばＧａＡｓ
基板またはＺｎＳｅ基板である場合にはＺｎＭｇＳＳｅ
層をＧａＡｓ基板またはＺｎＳｅ基板と格子整合させる
ことが可能であり、第１のクラッド層および第２のクラ
ッド層がＺｎＣｄＭｇＳｅ層であり、半導体基板がＩｎ
Ｐ基板またはＩｎＧａＡｓ基板である場合にはＺｎＣｄ
ＭｇＳｅ層をＩｎＰ基板またはＩｎＧａＡｓ基板と格子
整合させることが可能であり、第１のクラッド層および
第２のクラッド層がＺｎＣｄＭｇＳｅＴｅ層でり、半導
体基板がＩｎＡｓ基板、ＣｄＳｅ基板、ＧａＳｂ基板ま
たはＺｎＴｅ基板である場合にはＺｎＣｄＭｇＳｅＴｅ
層をＩｎＡｓ基板、ＣｄＳｅ基板、ＧａＳｂ基板または
ＺｎＴｅ基板と格子整合させることが可能である。
【００３１】上述のように構成されたこの発明において
は、有機金属化合物を原料に用いた気相成長法または有
機金属化合物を原料に用いかつ水素雰囲気を用いた気相
成長法により成長されたターミナル層であるＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体層は、このＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層
に電極をコンタクトさせた場合にその界面に形成される
ショットキー障壁の高さは、分子線エピタキシー法によ
り成長されたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層に電極をコン
タクトさせた場合と比べて減少し、よりオーミックコン
タクトに近い良好なコンタクト特性が得られる。このた
め、半導体発光素子の電流−電圧特性は良好なものとな
る。そして、電極コンタクト部における電圧降下が少な
くなるため、半導体発光素子の低動作電圧化を図ること
ができ、これによって電極コンタクト部における発熱を
抑えることができ、発光効率の劣化や素子自体の劣化を
防止することができる。また、この場合、電極コンタク
ト部に多重量子井戸層を用いないで済むことにより、半
導体発光素子の製造が容易であり、この多重量子井戸層
における電圧降下もない。
は、有機金属化合物を原料に用いた気相成長法または有
機金属化合物を原料に用いかつ水素雰囲気を用いた気相
成長法により成長されたターミナル層であるＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体層は、このＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層
に電極をコンタクトさせた場合にその界面に形成される
ショットキー障壁の高さは、分子線エピタキシー法によ
り成長されたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層に電極をコン
タクトさせた場合と比べて減少し、よりオーミックコン
タクトに近い良好なコンタクト特性が得られる。このた
め、半導体発光素子の電流−電圧特性は良好なものとな
る。そして、電極コンタクト部における電圧降下が少な
くなるため、半導体発光素子の低動作電圧化を図ること
ができ、これによって電極コンタクト部における発熱を
抑えることができ、発光効率の劣化や素子自体の劣化を
防止することができる。また、この場合、電極コンタク
ト部に多重量子井戸層を用いないで済むことにより、半
導体発光素子の製造が容易であり、この多重量子井戸層
における電圧降下もない。
【００３２】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。
て図面を参照しながら説明する。
【００３３】図２はこの発明の第１の実施形態による半
導体レーザーを示す。この半導体レーザーは、いわゆる
ＳＣＨ（Separate Confinement Heterostructure）構造
を有するものである。
導体レーザーを示す。この半導体レーザーは、いわゆる
ＳＣＨ（Separate Confinement Heterostructure）構造
を有するものである。
【００３４】この第１の実施形態による半導体レーザー
の製造方法においては、図２に示すように、まず、ドナ
ー不純物として例えばシリコン（Ｓｉ）がドープされた
例えば（１００）面方位のｎ型ＧａＡｓ基板１上に、分
子線エピタキシー（ＭＢＥ）法により、ドナー不純物と
して例えばＳｉがドープされたｎ型ＧａＡｓバッファ層
２を成長させる。このｎ型ＧａＡｓバッファ層２の厚さ
は例えば２５０ｎｍである。このｎ型ＧａＡｓバッファ
層２の成長には、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体成長用のＭ
ＢＥ装置を用いる。
の製造方法においては、図２に示すように、まず、ドナ
ー不純物として例えばシリコン（Ｓｉ）がドープされた
例えば（１００）面方位のｎ型ＧａＡｓ基板１上に、分
子線エピタキシー（ＭＢＥ）法により、ドナー不純物と
して例えばＳｉがドープされたｎ型ＧａＡｓバッファ層
２を成長させる。このｎ型ＧａＡｓバッファ層２の厚さ
は例えば２５０ｎｍである。このｎ型ＧａＡｓバッファ
層２の成長には、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体成長用のＭ
ＢＥ装置を用いる。
【００３５】次に、このｎ型ＧａＡｓバッファ層２が成
長されたｎ型ＧａＡｓ基板１を、上述のＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体成長用のＭＢＥ装置から真空搬送路を介して
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体成長用のＭＢＥ装置に搬送す
る。そして、このＩＩ−ＶＩ族化合物半導体成長用のＭ
ＢＥ装置において、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２上に、ド
ナー不純物として例えば塩素（Ｃｌ）がドープされたｎ
型ＺｎＳｅバッファ層３、ドナー不純物として例えばＣ
ｌがドープされたｎ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q ／Ｚ
ｎＳｅ超格子クラッド層４、ドナー不純物として例えば
Ｃｌがドープされたｎ型ＺｎＳy Ｓｅ1-y 光導波層５、
例えばＺｎ1-x Ｃｄx Ｓｅ層を量子井戸とする単一量子
井戸構造または多重量子井戸構造の活性層６、アクセプ
タ不純物として例えば窒素（Ｎ）がドープされたｐ型Ｚ
ｎＳy Ｓｅ1-y 光導波層７、アクセプタ不純物として例
えばＮがドープされたｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q
／ＺｎＳｅ超格子クラッド層８およびアクセプタ不純物
として例えばＮがドープされたｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層
９を順次成長させる。
長されたｎ型ＧａＡｓ基板１を、上述のＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体成長用のＭＢＥ装置から真空搬送路を介して
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体成長用のＭＢＥ装置に搬送す
る。そして、このＩＩ−ＶＩ族化合物半導体成長用のＭ
ＢＥ装置において、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２上に、ド
ナー不純物として例えば塩素（Ｃｌ）がドープされたｎ
型ＺｎＳｅバッファ層３、ドナー不純物として例えばＣ
ｌがドープされたｎ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q ／Ｚ
ｎＳｅ超格子クラッド層４、ドナー不純物として例えば
Ｃｌがドープされたｎ型ＺｎＳy Ｓｅ1-y 光導波層５、
例えばＺｎ1-x Ｃｄx Ｓｅ層を量子井戸とする単一量子
井戸構造または多重量子井戸構造の活性層６、アクセプ
タ不純物として例えば窒素（Ｎ）がドープされたｐ型Ｚ
ｎＳy Ｓｅ1-y 光導波層７、アクセプタ不純物として例
えばＮがドープされたｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q
／ＺｎＳｅ超格子クラッド層８およびアクセプタ不純物
として例えばＮがドープされたｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層
９を順次成長させる。
【００３６】このＭＢＥ法によるＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体層の成長においては、例えば、Ｚｎ原料として純度
９９．９９９９％のＺｎを用い、Ｍｇ原料として純度９
９．９％のＭｇを用い、Ｃｄ原料として純度９９．９９
９９％のＣｄを用い、Ｓ原料として純度９９．９９９９
％のＺｎＳを用い、Ｓｅ原料として純度９９．９９９９
％のＳｅを用いる。また、ｎ型ＺｎＳｅバッファ層３、
ｎ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q ／ＺｎＳｅ超格子クラ
ッド層４およびｎ型ＺｎＳy Ｓｅ1-y 光導波層５のドナ
ー不純物としてのＣｌのドーピングは、例えば、純度９
９．９９９９％のＺｎＣｌ2 をドーパントとして用いて
行う。一方、ｐ型ＺｎＳy Ｓｅ1-y 光導波層７、ｐ型Ｚ
ｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q ／ＺｎＳｅ超格子クラッド層
８およびｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層９のアクセプタ不純物
としてのＮのドーピングは、電子サイクロトロン共鳴
（ＥＣＲ）または高周波によるプラズマセルにより発生
されたＮ2 プラズマを照射することにより行う。
導体層の成長においては、例えば、Ｚｎ原料として純度
９９．９９９９％のＺｎを用い、Ｍｇ原料として純度９
９．９％のＭｇを用い、Ｃｄ原料として純度９９．９９
９９％のＣｄを用い、Ｓ原料として純度９９．９９９９
％のＺｎＳを用い、Ｓｅ原料として純度９９．９９９９
％のＳｅを用いる。また、ｎ型ＺｎＳｅバッファ層３、
ｎ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q ／ＺｎＳｅ超格子クラ
ッド層４およびｎ型ＺｎＳy Ｓｅ1-y 光導波層５のドナ
ー不純物としてのＣｌのドーピングは、例えば、純度９
９．９９９９％のＺｎＣｌ2 をドーパントとして用いて
行う。一方、ｐ型ＺｎＳy Ｓｅ1-y 光導波層７、ｐ型Ｚ
ｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q ／ＺｎＳｅ超格子クラッド層
８およびｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層９のアクセプタ不純物
としてのＮのドーピングは、電子サイクロトロン共鳴
（ＥＣＲ）または高周波によるプラズマセルにより発生
されたＮ2 プラズマを照射することにより行う。
【００３７】ここで、各ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層の
厚さは、例えば、ｎ型ＺｎＳｅバッファ層３は３３ｎ
ｍ、ｎ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q ／ＺｎＳｅ超格子
クラッド層４は７００ｎｍ、ｎ型ＺｎＳy Ｓｅ1-y 光導
波層５は１００ｎｍ、活性層６を構成するＺｎ1-x Ｃｄ
x Ｓｅ層は６〜１２ｎｍ、例えば７ｎｍ、ｐ型ＺｎＳy
Ｓｅ1-y 光導波層７は１００ｎｍ、ｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp
Ｓq Ｓｅ1-q ／ＺｎＳｅ超格子クラッド層８は５００ｎ
ｍ、ｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層９は５００ｎｍである。
厚さは、例えば、ｎ型ＺｎＳｅバッファ層３は３３ｎ
ｍ、ｎ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q ／ＺｎＳｅ超格子
クラッド層４は７００ｎｍ、ｎ型ＺｎＳy Ｓｅ1-y 光導
波層５は１００ｎｍ、活性層６を構成するＺｎ1-x Ｃｄ
x Ｓｅ層は６〜１２ｎｍ、例えば７ｎｍ、ｐ型ＺｎＳy
Ｓｅ1-y 光導波層７は１００ｎｍ、ｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp
Ｓq Ｓｅ1-q ／ＺｎＳｅ超格子クラッド層８は５００ｎ
ｍ、ｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層９は５００ｎｍである。
【００３８】また、ｎ型ＺｎＳy Ｓｅ1-y 光導波層５お
よびｐ型ＺｎＳy Ｓｅ1-y 光導波層７におけるＳ組成比
ｙは例えば０．０６、活性層６を構成するＺｎ1-x Ｃｄ
x Ｓｅ層におけるＣｄ組成比ｘは例えば０．１５であ
る。
よびｐ型ＺｎＳy Ｓｅ1-y 光導波層７におけるＳ組成比
ｙは例えば０．０６、活性層６を構成するＺｎ1-x Ｃｄ
x Ｓｅ層におけるＣｄ組成比ｘは例えば０．１５であ
る。
【００３９】次に、ｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層９上に、有
機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法により、アクセプ
タ不純物として例えばＮがドープされたｐ型ＺｎＳｅ層
１０およびｐ型ＺｎＳｅコンタクト層１１を順次成長さ
せる。このＭＯＣＶＤ法によるｐ型ＺｎＳｅ層１０およ
びｐ型ＺｎＳｅコンタクト層１１の成長においては、Ｚ
ｎ原料として例えばジメチル亜鉛（ＤＭＺｎ）またはジ
エチル亜鉛（ＤＥＺｎ）、Ｓｅ原料として例えばジメチ
ルセレン（ＤＭＳｅ）またはジエチルセレン（ＤＥＳ
ｅ）、アクセプタ不純物としてのＮのドーパントとして
例えばジイソプロピルアミン（Ｄｉ−ＰＮＨ）を用い
る。また、ｐ型ＺｎＳｅ層１０の厚さは例えば１００ｎ
ｍ、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層１１の厚さは例えば７０
ｎｍである。
機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法により、アクセプ
タ不純物として例えばＮがドープされたｐ型ＺｎＳｅ層
１０およびｐ型ＺｎＳｅコンタクト層１１を順次成長さ
せる。このＭＯＣＶＤ法によるｐ型ＺｎＳｅ層１０およ
びｐ型ＺｎＳｅコンタクト層１１の成長においては、Ｚ
ｎ原料として例えばジメチル亜鉛（ＤＭＺｎ）またはジ
エチル亜鉛（ＤＥＺｎ）、Ｓｅ原料として例えばジメチ
ルセレン（ＤＭＳｅ）またはジエチルセレン（ＤＥＳ
ｅ）、アクセプタ不純物としてのＮのドーパントとして
例えばジイソプロピルアミン（Ｄｉ−ＰＮＨ）を用い
る。また、ｐ型ＺｎＳｅ層１０の厚さは例えば１００ｎ
ｍ、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層１１の厚さは例えば７０
ｎｍである。
【００４０】次に、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層１１上に
所定幅のストライプ形状のレジストパターン（図示せ
ず）を形成した後、このレジストパターンをマスクとし
て、ｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層９の厚さ方向の途中までウ
エットエッチング法によりエッチングする。これによっ
て、ｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層９の上層部、ｐ型ＺｎＳｅ
層１０およびｐ型ＺｎＳｅコンタクト層１１がストライ
プ形状にパターニングされる。
所定幅のストライプ形状のレジストパターン（図示せ
ず）を形成した後、このレジストパターンをマスクとし
て、ｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層９の厚さ方向の途中までウ
エットエッチング法によりエッチングする。これによっ
て、ｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層９の上層部、ｐ型ＺｎＳｅ
層１０およびｐ型ＺｎＳｅコンタクト層１１がストライ
プ形状にパターニングされる。
【００４１】次に、上述のエッチングに用いたレジスト
パターンを残したまま全面に例えば真空蒸着法によりＡ
ｌ2 Ｏ3 膜を形成した後、このレジストパターンをその
上に形成されたＡｌ2 Ｏ3 膜とともに除去する（リフト
オフ）。これによって、ストライプ部以外の部分のｐ型
ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層９上にのみＡｌ2 Ｏ3 膜からなる絶
縁層１２が形成される。なお、この絶縁層１２として
は、例えばポリイミドを用いてもよい。
パターンを残したまま全面に例えば真空蒸着法によりＡ
ｌ2 Ｏ3 膜を形成した後、このレジストパターンをその
上に形成されたＡｌ2 Ｏ3 膜とともに除去する（リフト
オフ）。これによって、ストライプ部以外の部分のｐ型
ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層９上にのみＡｌ2 Ｏ3 膜からなる絶
縁層１２が形成される。なお、この絶縁層１２として
は、例えばポリイミドを用いてもよい。
【００４２】次に、ストライプ形状のｐ型ＺｎＳｅコン
タクト層１１および絶縁層１２の全面に例えばＰｄ膜、
Ｐｔ膜およびＡｕ膜を例えば真空蒸着法やスパッタリン
グ法により順次形成してＰｄ／Ｐｔ／Ａｕ電極からなる
ｐ側電極１３を形成する。この後、必要に応じて、ｐ側
電極１３のオーミックコンタクトをとるための熱処理を
行う。一方、ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面には、Ｉｎ電極
のようなｎ側電極１４をオーミックコンタクトさせる。
タクト層１１および絶縁層１２の全面に例えばＰｄ膜、
Ｐｔ膜およびＡｕ膜を例えば真空蒸着法やスパッタリン
グ法により順次形成してＰｄ／Ｐｔ／Ａｕ電極からなる
ｐ側電極１３を形成する。この後、必要に応じて、ｐ側
電極１３のオーミックコンタクトをとるための熱処理を
行う。一方、ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面には、Ｉｎ電極
のようなｎ側電極１４をオーミックコンタクトさせる。
【００４３】次に、以上のようにしてレーザー構造が形
成されたｎ型ＧａＡｓ基板１をバー状に劈開して両共振
器端面を形成し、さらに必要に応じて端面コーティング
を施した後、このバーを劈開してチップ化する。そし
て、このようにして得られるレーザーチップを、ｐ側電
極１３が下側になるようにして（ｐサイドダウンで）ヒ
ートシンク上にマウントし、パッケージングを行う。
成されたｎ型ＧａＡｓ基板１をバー状に劈開して両共振
器端面を形成し、さらに必要に応じて端面コーティング
を施した後、このバーを劈開してチップ化する。そし
て、このようにして得られるレーザーチップを、ｐ側電
極１３が下側になるようにして（ｐサイドダウンで）ヒ
ートシンク上にマウントし、パッケージングを行う。
【００４４】以上により、目的とする半導体レーザーが
製造される。
製造される。
【００４５】ここで、この半導体レーザーにおいては、
（活性層６を構成するＺｎ1-x Ｃｄx Ｓｅ層のエネルギ
ーギャップ）＜（ｎ型ＺｎＳy Ｓｅ1-y 光導波層５およ
びｐ型ＺｎＳy Ｓｅ1-y 光導波層７のエネルギーギャッ
プ）＜（ｎ型Ｚｎ1-p ＭｇpＳq Ｓｅ1-q ／ＺｎＳｅ超
格子クラッド層４およびｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ
1-q ／ＺｎＳｅ超格子クラッド層８のエネルギーギャッ
プ）なる関係および（ｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層９のエネ
ルギーギャップ）＜（ｎ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q
／ＺｎＳｅ超格子クラッド層４およびｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇ
p Ｓq Ｓｅ1-q ／ＺｎＳｅ超格子クラッド層８のエネル
ギーギャップ）なる関係が満たされるように各層の組成
が選ばれている。
（活性層６を構成するＺｎ1-x Ｃｄx Ｓｅ層のエネルギ
ーギャップ）＜（ｎ型ＺｎＳy Ｓｅ1-y 光導波層５およ
びｐ型ＺｎＳy Ｓｅ1-y 光導波層７のエネルギーギャッ
プ）＜（ｎ型Ｚｎ1-p ＭｇpＳq Ｓｅ1-q ／ＺｎＳｅ超
格子クラッド層４およびｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ
1-q ／ＺｎＳｅ超格子クラッド層８のエネルギーギャッ
プ）なる関係および（ｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層９のエネ
ルギーギャップ）＜（ｎ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q
／ＺｎＳｅ超格子クラッド層４およびｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇ
p Ｓq Ｓｅ1-q ／ＺｎＳｅ超格子クラッド層８のエネル
ギーギャップ）なる関係が満たされるように各層の組成
が選ばれている。
【００４６】以上のように、この第１の実施形態によれ
ば、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に積層されるＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体層のうちのターミナル層（この場合は最上
層）であるｐ型ＺｎＳｅコンタクト層１１をＭＯＣＶＤ
法により成長させているので、このｐ型ＺｎＳｅコンタ
クト層１１とその上に形成されるｐ側電極１３との界面
に形成されるショットキー障壁の高さは、このｐ型Ｚｎ
Ｓｅコンタクト層１１を従来のようにＭＢＥ法により成
長させた場合と比べて減少する。このため、この第１の
実施形態による半導体レーザーの電流−電圧特性は、従
来に比べて良好なものとなる。
ば、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に積層されるＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体層のうちのターミナル層（この場合は最上
層）であるｐ型ＺｎＳｅコンタクト層１１をＭＯＣＶＤ
法により成長させているので、このｐ型ＺｎＳｅコンタ
クト層１１とその上に形成されるｐ側電極１３との界面
に形成されるショットキー障壁の高さは、このｐ型Ｚｎ
Ｓｅコンタクト層１１を従来のようにＭＢＥ法により成
長させた場合と比べて減少する。このため、この第１の
実施形態による半導体レーザーの電流−電圧特性は、従
来に比べて良好なものとなる。
【００４７】図３は、ｐ型ＺｎＳｅ層１０およびｐ型Ｚ
ｎＳｅコンタクト層１１をＭＯＣＶＤ法により成長させ
たこの第１の実施形態による半導体レーザー（ただし、
ｐ型ＺｎＳｅ層１０を成長させてから成長中断を行い、
その後ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層１１を成長させた）の
電流−電圧特性（図３中、◇で示す曲線）、ｐ型ＺｎＳ
ｅ層１０をＭＢＥ法により成長させ、ｐ型ＺｎＳｅコン
タクト層１１をＭＯＣＶＤ法により成長させたことを除
いてこの第１の実施形態と同様の半導体レーザー（ただ
し、ｐ型ＺｎＳｅ層１０を成長させてから成長中断を行
い、その後ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層１１を成長させ
た）の電流−電圧特性（図３中、□で示す曲線）、およ
び、ｐ型ＺｎＳｅ層１０およびｐ型ＺｎＳｅコンタクト
層１１を成長中断を行うことなくＭＢＥ法により順次成
長させたことを除いてこの第１の実施形態と同様の半導
体レーザーの電流−電圧特性（図３中、○で示す曲線）
の測定結果を示す。図３より明らかなように、電流−電
圧特性は、ｐ型ＺｎＳｅ層１０およびｐ型ＺｎＳｅコン
タクト層１１をＭＯＣＶＤ法により成長させたこの第１
の実施形態による半導体レーザーが最も良好であり、ｐ
型ＺｎＳｅ層１０をＭＢＥ法により成長させ、ｐ型Ｚｎ
Ｓｅコンタクト層１１をＭＯＣＶＤ法により成長させた
半導体レーザーが次に良好であり、ｐ型ＺｎＳｅ層１０
およびｐ型ＺｎＳｅコンタクト層１１をＭＢＥ法により
成長させた半導体レーザーが最も悪い。そして、この第
１の実施形態による半導体レーザーは、他の二つの半導
体レーザーに比べて、同一の電流を流すために必要な印
加電圧は大幅に減少している。すなわち、この第１の実
施形態によれば、半導体レーザーの大幅な低動作電圧化
を図ることができる。
ｎＳｅコンタクト層１１をＭＯＣＶＤ法により成長させ
たこの第１の実施形態による半導体レーザー（ただし、
ｐ型ＺｎＳｅ層１０を成長させてから成長中断を行い、
その後ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層１１を成長させた）の
電流−電圧特性（図３中、◇で示す曲線）、ｐ型ＺｎＳ
ｅ層１０をＭＢＥ法により成長させ、ｐ型ＺｎＳｅコン
タクト層１１をＭＯＣＶＤ法により成長させたことを除
いてこの第１の実施形態と同様の半導体レーザー（ただ
し、ｐ型ＺｎＳｅ層１０を成長させてから成長中断を行
い、その後ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層１１を成長させ
た）の電流−電圧特性（図３中、□で示す曲線）、およ
び、ｐ型ＺｎＳｅ層１０およびｐ型ＺｎＳｅコンタクト
層１１を成長中断を行うことなくＭＢＥ法により順次成
長させたことを除いてこの第１の実施形態と同様の半導
体レーザーの電流−電圧特性（図３中、○で示す曲線）
の測定結果を示す。図３より明らかなように、電流−電
圧特性は、ｐ型ＺｎＳｅ層１０およびｐ型ＺｎＳｅコン
タクト層１１をＭＯＣＶＤ法により成長させたこの第１
の実施形態による半導体レーザーが最も良好であり、ｐ
型ＺｎＳｅ層１０をＭＢＥ法により成長させ、ｐ型Ｚｎ
Ｓｅコンタクト層１１をＭＯＣＶＤ法により成長させた
半導体レーザーが次に良好であり、ｐ型ＺｎＳｅ層１０
およびｐ型ＺｎＳｅコンタクト層１１をＭＢＥ法により
成長させた半導体レーザーが最も悪い。そして、この第
１の実施形態による半導体レーザーは、他の二つの半導
体レーザーに比べて、同一の電流を流すために必要な印
加電圧は大幅に減少している。すなわち、この第１の実
施形態によれば、半導体レーザーの大幅な低動作電圧化
を図ることができる。
【００４８】また、ｐ側電極１３とｐ型ＺｎＳｅコンタ
クト層１１とのコンタクト部における電圧降下が少ない
ことから、半導体レーザーの動作時のこの電極コンタク
ト部における発熱を少なくすることができる。これによ
って、半導体レーザーの発光効率の劣化や素子自体の劣
化を防止することができる。
クト層１１とのコンタクト部における電圧降下が少ない
ことから、半導体レーザーの動作時のこの電極コンタク
ト部における発熱を少なくすることができる。これによ
って、半導体レーザーの発光効率の劣化や素子自体の劣
化を防止することができる。
【００４９】また、発熱が生じやすいｐ側電極１３側を
下にしてレーザーチップをヒートシンク上にマウントし
ていることにより、半導体レーザーの動作時に発生する
熱をヒートシンクに効果的に拡散させることができ、こ
れによって半導体レーザーの温度上昇を有効に抑えるこ
とができる。
下にしてレーザーチップをヒートシンク上にマウントし
ていることにより、半導体レーザーの動作時に発生する
熱をヒートシンクに効果的に拡散させることができ、こ
れによって半導体レーザーの温度上昇を有効に抑えるこ
とができる。
【００５０】さらにまた、Ｎを高濃度ドーピングするこ
とによりｐ型ＺｎＳｅコンタクト層１１の有効アクセプ
タ濃度を１０18ｃｍ-3程度とすることにより、ｐ側電極
１３との界面の近傍におけるｐ型ＺｎＳｅコンタクト層
１１中に形成される空乏層の幅を小さくすることができ
ることから、これによっても半導体レーザーの電流−電
圧特性の向上を図ることができる。
とによりｐ型ＺｎＳｅコンタクト層１１の有効アクセプ
タ濃度を１０18ｃｍ-3程度とすることにより、ｐ側電極
１３との界面の近傍におけるｐ型ＺｎＳｅコンタクト層
１１中に形成される空乏層の幅を小さくすることができ
ることから、これによっても半導体レーザーの電流−電
圧特性の向上を図ることができる。
【００５１】また、この第１の実施形態による半導体レ
ーザーにおいては、ｐ側電極１３のコンタクト部に従来
のようにｐ型ＺｎＳｅ／ＺｎＴｅＭＱＷ層を用いていな
いので、製造が容易である。
ーザーにおいては、ｐ側電極１３のコンタクト部に従来
のようにｐ型ＺｎＳｅ／ＺｎＴｅＭＱＷ層を用いていな
いので、製造が容易である。
【００５２】以上により、良好な電流−電圧特性を有
し、低動作電圧、高信頼性、長寿命かつ製造が容易な緑
色ないし青色で発光可能な半導体レーザーを実現するこ
とができる。
し、低動作電圧、高信頼性、長寿命かつ製造が容易な緑
色ないし青色で発光可能な半導体レーザーを実現するこ
とができる。
【００５３】このような緑色ないし青色で発光可能な半
導体レーザーは、単体で使用することができるほか、赤
色で発光可能な半導体レーザーと組み合わせることによ
りＲＧＢ三原色を構成することができるので、例えば、
半導体レーザーを光源に用いたカラーディスプレイを実
現することが可能である。
導体レーザーは、単体で使用することができるほか、赤
色で発光可能な半導体レーザーと組み合わせることによ
りＲＧＢ三原色を構成することができるので、例えば、
半導体レーザーを光源に用いたカラーディスプレイを実
現することが可能である。
【００５４】図４はこの発明の第２の実施形態による半
導体レーザーを示す。この半導体レーザーも、ＳＣＨ構
造を有するものである。
導体レーザーを示す。この半導体レーザーも、ＳＣＨ構
造を有するものである。
【００５５】この第２の実施形態による半導体レーザー
の製造方法においては、図４に示すように、まず、ドナ
ー不純物として例えばＳｉやＳｅがドープされた例えば
（１００）面方位のｎ型ＩｎＰ基板２１上に、ＭＢＥ法
により、ドナー不純物として例えばＳｉまたはＳｅがド
ープされたｎ型ＩｎＰバッファ層２２およびドナー不純
物として例えばＳｉまたはＳｅがドープされたｎ型Ｉｎ
ＧａＡｓバッファ層２３を順次成長させる。これらのｎ
型ＩｎＰバッファ層２２およびｎ型ＩｎＧａＡｓバッフ
ァ層２３の成長には、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体成長用
のＭＢＥ装置を用いる。
の製造方法においては、図４に示すように、まず、ドナ
ー不純物として例えばＳｉやＳｅがドープされた例えば
（１００）面方位のｎ型ＩｎＰ基板２１上に、ＭＢＥ法
により、ドナー不純物として例えばＳｉまたはＳｅがド
ープされたｎ型ＩｎＰバッファ層２２およびドナー不純
物として例えばＳｉまたはＳｅがドープされたｎ型Ｉｎ
ＧａＡｓバッファ層２３を順次成長させる。これらのｎ
型ＩｎＰバッファ層２２およびｎ型ＩｎＧａＡｓバッフ
ァ層２３の成長には、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体成長用
のＭＢＥ装置を用いる。
【００５６】次に、これらのｎ型ＩｎＰバッファ層２２
およびｎ型ＩｎＧａＡｓバッファ層２３が成長されたｎ
型ＩｎＰ基板２１を、上述のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
成長用のＭＢＥ装置から真空搬送路を介してＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体成長用のＭＢＥ装置に搬送する。そし
て、このＩＩ−ＶＩ族化合物半導体成長用のＭＢＥ装置
において、ｎ型ＩｎＧａＡｓバッファ層２３上に、ドナ
ー不純物として例えばＣｌがドープされたｎ型Ｚｎx1Ｃ
ｄy1Ｍｇ1-x1-y1 Ｓｅクラッド層２４、ドナー不純物と
して例えばＣｌがドープされたｎ型Ｚｎx2Ｃｄy2Ｍｇ
1-x2-y2 Ｓｅ光導波層２５、例えばＺｎx3Ｃｄy3Ｍｇ
1-x3-y3 Ｓｅ層を量子井戸とする単一量子井戸構造また
は多重量子井戸構造の活性層２６、アクセプタ不純物と
して例えばＮがドープされたｐ型Ｚｎx2Ｃｄy2Ｍｇ
1-x2-y2 Ｓｅ光導波層２７、アクセプタ不純物として例
えばＮがドープされたｐ型Ｚｎx1Ｃｄy1Ｍｇ1-x1-y1 Ｓ
ｅクラッド層２８およびアクセプタ不純物として例えば
Ｎがドープされたｐ型Ｚｎx4Ｃｄy4Ｍｇ1-x4-y4 Ｓｅ層
２９を順次成長させる。
およびｎ型ＩｎＧａＡｓバッファ層２３が成長されたｎ
型ＩｎＰ基板２１を、上述のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
成長用のＭＢＥ装置から真空搬送路を介してＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体成長用のＭＢＥ装置に搬送する。そし
て、このＩＩ−ＶＩ族化合物半導体成長用のＭＢＥ装置
において、ｎ型ＩｎＧａＡｓバッファ層２３上に、ドナ
ー不純物として例えばＣｌがドープされたｎ型Ｚｎx1Ｃ
ｄy1Ｍｇ1-x1-y1 Ｓｅクラッド層２４、ドナー不純物と
して例えばＣｌがドープされたｎ型Ｚｎx2Ｃｄy2Ｍｇ
1-x2-y2 Ｓｅ光導波層２５、例えばＺｎx3Ｃｄy3Ｍｇ
1-x3-y3 Ｓｅ層を量子井戸とする単一量子井戸構造また
は多重量子井戸構造の活性層２６、アクセプタ不純物と
して例えばＮがドープされたｐ型Ｚｎx2Ｃｄy2Ｍｇ
1-x2-y2 Ｓｅ光導波層２７、アクセプタ不純物として例
えばＮがドープされたｐ型Ｚｎx1Ｃｄy1Ｍｇ1-x1-y1 Ｓ
ｅクラッド層２８およびアクセプタ不純物として例えば
Ｎがドープされたｐ型Ｚｎx4Ｃｄy4Ｍｇ1-x4-y4 Ｓｅ層
２９を順次成長させる。
【００５７】このＭＢＥ法によるＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体層の成長において、Ｚｎ原料、Ｍｇ原料、Ｃｄ原料
およびＳｅ原料としては、第１の実施形態と同様なもの
を用いる。また、ｎ型Ｚｎx1Ｃｄy1Ｍｇ1-x1-y1 Ｓｅク
ラッド層２４およびｎ型Ｚｎx2Ｃｄy2Ｍｇ1-x2-y2 Ｓｅ
光導波層２５のドナー不純物としてのＣｌのドーピン
グ、および、ｐ型Ｚｎx2Ｃｄy2Ｍｇ1-x2-y2 Ｓｅ光導波
層２７、ｐ型Ｚｎx1Ｃｄy1Ｍｇ1-x1-y1 Ｓｅクラッド層
２８およびｐ型Ｚｎx4Ｃｄy4Ｍｇ1-x4-y4 Ｓｅ層２９の
アクセプタ不純物としてのＮのドーピングも、第１の実
施形態と同様にして行う。
導体層の成長において、Ｚｎ原料、Ｍｇ原料、Ｃｄ原料
およびＳｅ原料としては、第１の実施形態と同様なもの
を用いる。また、ｎ型Ｚｎx1Ｃｄy1Ｍｇ1-x1-y1 Ｓｅク
ラッド層２４およびｎ型Ｚｎx2Ｃｄy2Ｍｇ1-x2-y2 Ｓｅ
光導波層２５のドナー不純物としてのＣｌのドーピン
グ、および、ｐ型Ｚｎx2Ｃｄy2Ｍｇ1-x2-y2 Ｓｅ光導波
層２７、ｐ型Ｚｎx1Ｃｄy1Ｍｇ1-x1-y1 Ｓｅクラッド層
２８およびｐ型Ｚｎx4Ｃｄy4Ｍｇ1-x4-y4 Ｓｅ層２９の
アクセプタ不純物としてのＮのドーピングも、第１の実
施形態と同様にして行う。
【００５８】次に、ｐ型Ｚｎx4Ｃｄy4Ｍｇ1-x4-y4 Ｓｅ
層２９上に、ＭＯＣＶＤ法により、アクセプタ不純物と
して例えばＮがドープされたｐ型Ｚｎp'Ｃｄ1-p'Ｓｅ層
３０（ただし、０≦ｐ´≦１）およびｐ型Ｚｎp Ｃｄ
1-p Ｓｅコンタクト層３１（ただし、０≦ｐ≦１）を順
次成長させる。このＭＯＣＶＤ法によるｐ型Ｚｎp'Ｃｄ
1-p'Ｓｅ層３０およびｐ型Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅコンタク
ト層３１の成長においては、Ｚｎ原料、Ｓｅ原料および
アクセプタ不純物としてのＮのドーパントとしては第１
の実施形態と同様なものを用い、Ｃｄ原料としては例え
ばジメチルカドミウム（ＤＭＣｄ）またはジエチルカド
ミウム（ＤＥＣｄ）を用いる。
層２９上に、ＭＯＣＶＤ法により、アクセプタ不純物と
して例えばＮがドープされたｐ型Ｚｎp'Ｃｄ1-p'Ｓｅ層
３０（ただし、０≦ｐ´≦１）およびｐ型Ｚｎp Ｃｄ
1-p Ｓｅコンタクト層３１（ただし、０≦ｐ≦１）を順
次成長させる。このＭＯＣＶＤ法によるｐ型Ｚｎp'Ｃｄ
1-p'Ｓｅ層３０およびｐ型Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅコンタク
ト層３１の成長においては、Ｚｎ原料、Ｓｅ原料および
アクセプタ不純物としてのＮのドーパントとしては第１
の実施形態と同様なものを用い、Ｃｄ原料としては例え
ばジメチルカドミウム（ＤＭＣｄ）またはジエチルカド
ミウム（ＤＥＣｄ）を用いる。
【００５９】次に、第１の実施形態と同様にして、ｐ型
Ｚｎx4Ｃｄy4Ｍｇ1-x4-y4 Ｓｅ層２９の上層部、ｐ型Ｚ
ｎp'Ｃｄ1-p'Ｓｅ層３０およびｐ型Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅ
コンタクト層３１をストライプ形状にパターニングす
る。
Ｚｎx4Ｃｄy4Ｍｇ1-x4-y4 Ｓｅ層２９の上層部、ｐ型Ｚ
ｎp'Ｃｄ1-p'Ｓｅ層３０およびｐ型Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅ
コンタクト層３１をストライプ形状にパターニングす
る。
【００６０】次に、第１の実施形態と同様にして、スト
ライプ部以外の部分のｐ型Ｚｎx4Ｃｄy4Ｍｇ1-x4-y4 Ｓ
ｅ層２９上にのみ絶縁層３２を形成する。
ライプ部以外の部分のｐ型Ｚｎx4Ｃｄy4Ｍｇ1-x4-y4 Ｓ
ｅ層２９上にのみ絶縁層３２を形成する。
【００６１】次に、第１の実施形態と同様にして、ｐ型
Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅコンタクト層３１および絶縁層３２
の全面にｐ側電極３３を形成するとともに、ｎ型ＩｎＰ
基板２１の裏面にｎ側電極３４を形成する。
Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅコンタクト層３１および絶縁層３２
の全面にｐ側電極３３を形成するとともに、ｎ型ＩｎＰ
基板２１の裏面にｎ側電極３４を形成する。
【００６２】次に、以上のようにしてレーザー構造が形
成されたｎ型ＩｎＰ基板２１をチップ化した後、このよ
うにして得られるレーザーチップを、ｐ側電極３３が下
側になるようにしてヒートシンク上にマウントし、パッ
ケージングを行う。
成されたｎ型ＩｎＰ基板２１をチップ化した後、このよ
うにして得られるレーザーチップを、ｐ側電極３３が下
側になるようにしてヒートシンク上にマウントし、パッ
ケージングを行う。
【００６３】以上により、目的とする半導体レーザーが
製造される。
製造される。
【００６４】ここで、この半導体レーザーにおいては、
（活性層２６を構成するＺｎx3Ｃｄy3Ｍｇ1-x3-y3 Ｓｅ
層のエネルギーギャップ）＜（ｎ型Ｚｎx2Ｃｄy2Ｍｇ
1-x2-y2 Ｓｅ光導波層２５およびｐ型Ｚｎx2Ｃｄy2Ｍｇ
1-x2-y2 Ｓｅ光導波層２７のエネルギーギャップ）＜
（ｎ型Ｚｎx1Ｃｄy1Ｍｇ1-x1-y1 Ｓｅクラッド層２４お
よびｐ型Ｚｎx1Ｃｄy1Ｍｇ1-x1-y1 Ｓｅクラッド層２８
のエネルギーギャップ）なる関係および（ｐ型Ｚｎx4Ｃ
ｄy4Ｍｇ1-x4-y4 Ｓｅ層２９のエネルギーギャップ）＜
（ｎ型Ｚｎx1Ｃｄy1Ｍｇ1-x1-y1 Ｓｅクラッド層２４お
よびｐ型Ｚｎx1Ｃｄy1Ｍｇ1-x1-y1 Ｓｅクラッド層２８
のエネルギーギャップ）なる関係が満たされるように各
層の組成が選ばれている。
（活性層２６を構成するＺｎx3Ｃｄy3Ｍｇ1-x3-y3 Ｓｅ
層のエネルギーギャップ）＜（ｎ型Ｚｎx2Ｃｄy2Ｍｇ
1-x2-y2 Ｓｅ光導波層２５およびｐ型Ｚｎx2Ｃｄy2Ｍｇ
1-x2-y2 Ｓｅ光導波層２７のエネルギーギャップ）＜
（ｎ型Ｚｎx1Ｃｄy1Ｍｇ1-x1-y1 Ｓｅクラッド層２４お
よびｐ型Ｚｎx1Ｃｄy1Ｍｇ1-x1-y1 Ｓｅクラッド層２８
のエネルギーギャップ）なる関係および（ｐ型Ｚｎx4Ｃ
ｄy4Ｍｇ1-x4-y4 Ｓｅ層２９のエネルギーギャップ）＜
（ｎ型Ｚｎx1Ｃｄy1Ｍｇ1-x1-y1 Ｓｅクラッド層２４お
よびｐ型Ｚｎx1Ｃｄy1Ｍｇ1-x1-y1 Ｓｅクラッド層２８
のエネルギーギャップ）なる関係が満たされるように各
層の組成が選ばれている。
【００６５】以上のように、この第２の実施形態によれ
ば、ｎ型ＩｎＰ基板２１上に積層されるＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体層のうちのターミナル層（この場合は最上
層）であるｐ型Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅコンタクト層３１を
ＭＯＣＶＤ法により成長させているので、このｐ型Ｚｎ
p Ｃｄ1-p Ｓｅコンタクト層３１とその上に形成される
ｐ側電極３３との界面に形成されるショットキー障壁の
高さは、このｐ型ＺｎpＣｄ1-p Ｓｅコンタクト層３１
をＭＢＥ法により成長させた場合と比べて減少する。こ
のため、この第２の実施形態による半導体レーザーの電
流−電圧特性は、良好なものとなる。そして、半導体レ
ーザーの低動作電圧化を図ることができる。
ば、ｎ型ＩｎＰ基板２１上に積層されるＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体層のうちのターミナル層（この場合は最上
層）であるｐ型Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅコンタクト層３１を
ＭＯＣＶＤ法により成長させているので、このｐ型Ｚｎ
p Ｃｄ1-p Ｓｅコンタクト層３１とその上に形成される
ｐ側電極３３との界面に形成されるショットキー障壁の
高さは、このｐ型ＺｎpＣｄ1-p Ｓｅコンタクト層３１
をＭＢＥ法により成長させた場合と比べて減少する。こ
のため、この第２の実施形態による半導体レーザーの電
流−電圧特性は、良好なものとなる。そして、半導体レ
ーザーの低動作電圧化を図ることができる。
【００６６】また、ｐ側電極３３とｐ型Ｚｎp Ｃｄ1-p
Ｓｅコンタクト層３１とのコンタクト部における電圧降
下が少ないことから、半導体レーザーの動作時のこの電
極コンタクト部における発熱を少なくすることができ
る。これによって、半導体レーザーの発光効率の劣化や
素子自体の劣化を防止することができる。
Ｓｅコンタクト層３１とのコンタクト部における電圧降
下が少ないことから、半導体レーザーの動作時のこの電
極コンタクト部における発熱を少なくすることができ
る。これによって、半導体レーザーの発光効率の劣化や
素子自体の劣化を防止することができる。
【００６７】また、発熱が生じやすいｐ側電極３３側を
下にしてレーザーチップをヒートシンク上にマウントし
ていることにより、半導体レーザーの動作時に発生する
熱をヒートシンクに効果的に拡散させることができ、こ
れによって半導体レーザーの温度上昇を有効に抑えるこ
とができる。
下にしてレーザーチップをヒートシンク上にマウントし
ていることにより、半導体レーザーの動作時に発生する
熱をヒートシンクに効果的に拡散させることができ、こ
れによって半導体レーザーの温度上昇を有効に抑えるこ
とができる。
【００６８】さらにまた、Ｎを高濃度ドーピングするこ
とによりｐ型Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅコンタクト層３１の有
効アクセプタ濃度を１０18ｃｍ-3程度とすることによ
り、ｐ側電極３３との界面の近傍におけるｐ型Ｚｎp Ｃ
ｄ1-p Ｓｅコンタクト層３１中に形成される空乏層の幅
を小さくすることができることから、これによっても半
導体レーザーの電流−電圧特性の向上を図ることができ
る。
とによりｐ型Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅコンタクト層３１の有
効アクセプタ濃度を１０18ｃｍ-3程度とすることによ
り、ｐ側電極３３との界面の近傍におけるｐ型Ｚｎp Ｃ
ｄ1-p Ｓｅコンタクト層３１中に形成される空乏層の幅
を小さくすることができることから、これによっても半
導体レーザーの電流−電圧特性の向上を図ることができ
る。
【００６９】また、この第２の実施形態による半導体レ
ーザーにおいては、ｐ側電極３３のコンタクト部にＭＱ
Ｗ層を用いていないので、製造が容易である。
ーザーにおいては、ｐ側電極３３のコンタクト部にＭＱ
Ｗ層を用いていないので、製造が容易である。
【００７０】以上により、良好な電流−電圧特性を有
し、低動作電圧、高信頼性、長寿命かつ製造が容易な黄
緑色ないし真空紫外領域で発光可能な半導体レーザーを
実現することができる。
し、低動作電圧、高信頼性、長寿命かつ製造が容易な黄
緑色ないし真空紫外領域で発光可能な半導体レーザーを
実現することができる。
【００７１】図５はこの発明の第３の実施形態による半
導体レーザーを示す。この半導体レーザーも、ＳＣＨ構
造を有するものである。
導体レーザーを示す。この半導体レーザーも、ＳＣＨ構
造を有するものである。
【００７２】この第３の実施形態による半導体レーザー
の製造方法においては、図５に示すように、まず、ドナ
ー不純物として例えばＳｉやＳｅがドープされた例えば
（１００）面方位のｎ型ＩｎＡｓ基板４１上に、ＭＢＥ
法により、ドナー不純物として例えばＳｉまたはＳｅが
ドープされたｎ型ＩｎＡｓバッファ層４２を成長させ
る。このｎ型ＩｎＡｓバッファ層４２の成長には、ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体成長用のＭＢＥ装置を用いる。
の製造方法においては、図５に示すように、まず、ドナ
ー不純物として例えばＳｉやＳｅがドープされた例えば
（１００）面方位のｎ型ＩｎＡｓ基板４１上に、ＭＢＥ
法により、ドナー不純物として例えばＳｉまたはＳｅが
ドープされたｎ型ＩｎＡｓバッファ層４２を成長させ
る。このｎ型ＩｎＡｓバッファ層４２の成長には、ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体成長用のＭＢＥ装置を用いる。
【００７３】次に、このｎ型ＩｎＡｓバッファ層４２が
成長されたｎ型ＩｎＡｓ基板４１を、上述のＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体成長用のＭＢＥ装置から真空搬送路を介
してＩＩ−ＶＩ族化合物半導体成長用のＭＢＥ装置に搬
送する。そして、このＩＩ−ＶＩ族化合物半導体成長用
のＭＢＥ装置において、ｎ型ＩｎＡｓバッファ層４２上
に、ドナー不純物として例えばＣｌがドープされたｎ型
ＣｄＳｅバッファ層４３、ドナー不純物として例えばＣ
ｌがドープされたｎ型Ｚｎx1Ｃｄy1Ｍｇ1-x1-y1 Ｓｅz1
Ｔｅ1-z1クラッド層４４、ドナー不純物として例えばＣ
ｌがドープされたｎ型Ｚｎx2Ｃｄy2Ｍｇ1-x2-y2 Ｓｅz2
Ｔｅ1-z2光導波層４５、例えばＺｎx3Ｃｄy3Ｍｇ
1-x3-y3 Ｓｅz3Ｔｅ1-z3層を量子井戸とする単一量子井
戸構造または多重量子井戸構造の活性層４６、アクセプ
タ不純物として例えばＮがドープされたｐ型Ｚｎx2Ｃｄ
y2Ｍｇ1-x2-y2 Ｓｅz2Ｔｅ1-z2光導波層４７、アクセプ
タ不純物として例えばＮがドープされたｐ型Ｚｎx1Ｃｄ
y1Ｍｇ1-x1-y1 Ｓｅz1Ｔｅ1-z1クラッド層４８およびア
クセプタ不純物として例えばＮがドープされたｐ型Ｚｎ
x4Ｃｄy4Ｍｇ1-x4-y4 Ｓｅz4Ｔｅ1-z4層４９を順次成長
させる。
成長されたｎ型ＩｎＡｓ基板４１を、上述のＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体成長用のＭＢＥ装置から真空搬送路を介
してＩＩ−ＶＩ族化合物半導体成長用のＭＢＥ装置に搬
送する。そして、このＩＩ−ＶＩ族化合物半導体成長用
のＭＢＥ装置において、ｎ型ＩｎＡｓバッファ層４２上
に、ドナー不純物として例えばＣｌがドープされたｎ型
ＣｄＳｅバッファ層４３、ドナー不純物として例えばＣ
ｌがドープされたｎ型Ｚｎx1Ｃｄy1Ｍｇ1-x1-y1 Ｓｅz1
Ｔｅ1-z1クラッド層４４、ドナー不純物として例えばＣ
ｌがドープされたｎ型Ｚｎx2Ｃｄy2Ｍｇ1-x2-y2 Ｓｅz2
Ｔｅ1-z2光導波層４５、例えばＺｎx3Ｃｄy3Ｍｇ
1-x3-y3 Ｓｅz3Ｔｅ1-z3層を量子井戸とする単一量子井
戸構造または多重量子井戸構造の活性層４６、アクセプ
タ不純物として例えばＮがドープされたｐ型Ｚｎx2Ｃｄ
y2Ｍｇ1-x2-y2 Ｓｅz2Ｔｅ1-z2光導波層４７、アクセプ
タ不純物として例えばＮがドープされたｐ型Ｚｎx1Ｃｄ
y1Ｍｇ1-x1-y1 Ｓｅz1Ｔｅ1-z1クラッド層４８およびア
クセプタ不純物として例えばＮがドープされたｐ型Ｚｎ
x4Ｃｄy4Ｍｇ1-x4-y4 Ｓｅz4Ｔｅ1-z4層４９を順次成長
させる。
【００７４】このＭＢＥ法によるＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体層の成長において、Ｚｎ原料、Ｍｇ原料、Ｃｄ原料
およびＳｅ原料としては第１の実施形態と同様なものを
用い、Ｔｅ原料としては例えば純度９９．９９９９％の
Ｔｅを用いる。また、ｎ型Ｚｎx1Ｃｄy1Ｍｇ1-x1-y1 Ｓ
ｅz1Ｔｅ1-z1クラッド層４４およびｎ型Ｚｎx2Ｃｄy2Ｍ
ｇ1-x2-y2 Ｓｅz2Ｔｅ1-z2光導波層４５のドナー不純物
としてのＣｌのドーピングや、ｐ型Ｚｎx2Ｃｄy2Ｍｇ
1-x2-y2 Ｓｅz2Ｔｅ1-z2光導波層４７、ｐ型Ｚｎx1Ｃｄ
y1Ｍｇ1-x1-y1 Ｓｅz1Ｔｅ1-z1クラッド層４８およびｐ
型Ｚｎx4Ｃｄy4Ｍｇ1-x4-y4 Ｓｅz4Ｔｅ1-z4層４９のア
クセプタ不純物としてのＮのドーピングも、第１の実施
形態と同様にして行う。
導体層の成長において、Ｚｎ原料、Ｍｇ原料、Ｃｄ原料
およびＳｅ原料としては第１の実施形態と同様なものを
用い、Ｔｅ原料としては例えば純度９９．９９９９％の
Ｔｅを用いる。また、ｎ型Ｚｎx1Ｃｄy1Ｍｇ1-x1-y1 Ｓ
ｅz1Ｔｅ1-z1クラッド層４４およびｎ型Ｚｎx2Ｃｄy2Ｍ
ｇ1-x2-y2 Ｓｅz2Ｔｅ1-z2光導波層４５のドナー不純物
としてのＣｌのドーピングや、ｐ型Ｚｎx2Ｃｄy2Ｍｇ
1-x2-y2 Ｓｅz2Ｔｅ1-z2光導波層４７、ｐ型Ｚｎx1Ｃｄ
y1Ｍｇ1-x1-y1 Ｓｅz1Ｔｅ1-z1クラッド層４８およびｐ
型Ｚｎx4Ｃｄy4Ｍｇ1-x4-y4 Ｓｅz4Ｔｅ1-z4層４９のア
クセプタ不純物としてのＮのドーピングも、第１の実施
形態と同様にして行う。
【００７５】次に、ｐ型Ｚｎx4Ｃｄy4Ｍｇ1-x4-y4 Ｓｅ
z4Ｔｅ1-z4層４９上に、ＭＯＣＶＤ法により、アクセプ
タ不純物として例えばＮがドープされたｐ型Ｚｎp'Ｃｄ
1-p'Ｓｅq'Ｔｅ1-q'層５０（ただし、０≦ｐ´≦１かつ
０≦ｑ´≦１）およびｐ型Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅq Ｔｅ
1-q コンタクト層５１（ただし、０≦ｐ≦１かつ０≦ｑ
≦１）を順次成長させる。このＭＯＣＶＤ法によるｐ型
Ｚｎp'Ｃｄ1-p'Ｓｅq'Ｔｅ1-q'層５０およびｐ型Ｚｎp
Ｃｄ1-p Ｓｅq Ｔｅ1-q コンタクト層５１の成長におい
て、Ｚｎ原料、Ｃｄ原料、Ｓｅ原料およびアクセプタ不
純物としてのＮのドーパントとしては第１の実施形態と
同様なものを用い、Ｔｅ原料としては例えばジメチルテ
ルル（ＤＭＴｅ）またはジエチルテルル（ＤＥＴｅ）を
用いる。
z4Ｔｅ1-z4層４９上に、ＭＯＣＶＤ法により、アクセプ
タ不純物として例えばＮがドープされたｐ型Ｚｎp'Ｃｄ
1-p'Ｓｅq'Ｔｅ1-q'層５０（ただし、０≦ｐ´≦１かつ
０≦ｑ´≦１）およびｐ型Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅq Ｔｅ
1-q コンタクト層５１（ただし、０≦ｐ≦１かつ０≦ｑ
≦１）を順次成長させる。このＭＯＣＶＤ法によるｐ型
Ｚｎp'Ｃｄ1-p'Ｓｅq'Ｔｅ1-q'層５０およびｐ型Ｚｎp
Ｃｄ1-p Ｓｅq Ｔｅ1-q コンタクト層５１の成長におい
て、Ｚｎ原料、Ｃｄ原料、Ｓｅ原料およびアクセプタ不
純物としてのＮのドーパントとしては第１の実施形態と
同様なものを用い、Ｔｅ原料としては例えばジメチルテ
ルル（ＤＭＴｅ）またはジエチルテルル（ＤＥＴｅ）を
用いる。
【００７６】次に、第１の実施形態と同様にして、ｐ型
Ｚｎx4Ｃｄy4Ｍｇ1-x4-y4 Ｓｅz4Ｔｅ1-z4層４９の上層
部、ｐ型Ｚｎp'Ｃｄ1-p'Ｓｅq'Ｔｅ1-q'層５０およびｐ
型Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅq Ｔｅ1-q コンタクト層５１をス
トライプ形状にパターニングする。
Ｚｎx4Ｃｄy4Ｍｇ1-x4-y4 Ｓｅz4Ｔｅ1-z4層４９の上層
部、ｐ型Ｚｎp'Ｃｄ1-p'Ｓｅq'Ｔｅ1-q'層５０およびｐ
型Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅq Ｔｅ1-q コンタクト層５１をス
トライプ形状にパターニングする。
【００７７】次に、第１の実施形態と同様にして、スト
ライプ部以外の部分のｐ型Ｚｎx4Ｃｄy4Ｍｇ1-x4-y4 Ｓ
ｅz4Ｔｅ1-z4層４９上にのみ絶縁層５２を形成する。
ライプ部以外の部分のｐ型Ｚｎx4Ｃｄy4Ｍｇ1-x4-y4 Ｓ
ｅz4Ｔｅ1-z4層４９上にのみ絶縁層５２を形成する。
【００７８】次に、第１の実施形態と同様にして、ｐ型
Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅq Ｔｅ1-q コンタクト層５１および
絶縁層５２の全面にｐ側電極５３を形成するとともに、
ｎ型ＩｎＡｓ基板４１の裏面にｎ側電極５４を形成す
る。
Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅq Ｔｅ1-q コンタクト層５１および
絶縁層５２の全面にｐ側電極５３を形成するとともに、
ｎ型ＩｎＡｓ基板４１の裏面にｎ側電極５４を形成す
る。
【００７９】次に、以上のようにしてレーザー構造が形
成されたｎ型ＩｎＡｓ基板４１をチップ化した後、この
ようにして得られるレーザーチップを、ｐ側電極５３が
下側になるようにしてヒートシンク上にマウントし、パ
ッケージングを行う。
成されたｎ型ＩｎＡｓ基板４１をチップ化した後、この
ようにして得られるレーザーチップを、ｐ側電極５３が
下側になるようにしてヒートシンク上にマウントし、パ
ッケージングを行う。
【００８０】以上により、目的とする半導体レーザーが
製造される。
製造される。
【００８１】ここで、この半導体レーザーにおいては、
（活性層４６を構成するＺｎx3Ｃｄy3Ｍｇ1-x3-y3 Ｓｅ
z3Ｔｅ1-z3層のエネルギーギャップ）＜（ｎ型Ｚｎx2Ｃ
ｄy2Ｍｇ1-x2-y2 Ｓｅz2Ｔｅ1-z2光導波層４５およびｐ
型Ｚｎx2Ｃｄy2Ｍｇ1-x2-y2Ｓｅz2Ｔｅ1-z2光導波層４
７のエネルギーギャップ）＜（ｎ型Ｚｎx1Ｃｄy1Ｍｇ
1-x1-y1 Ｓｅz1Ｔｅ1-z1クラッド層４４およびｐ型Ｚｎ
x1Ｃｄy1Ｍｇ1-x1-y1 Ｓｅz1Ｔｅ1-z1クラッド層４８の
エネルギーギャップ）なる関係および（ｐ型Ｚｎx4Ｃｄ
y4Ｍｇ1-x4-y4 Ｓｅz4Ｔｅ1-z4層４９のエネルギーギャ
ップ）＜（ｎ型Ｚｎx1Ｃｄy1Ｍｇ1-x1-y1 Ｓｅz1Ｔｅ
1-z1クラッド層４４およびｐ型Ｚｎx1Ｃｄy1Ｍｇ
1-x1-y1 Ｓｅz1Ｔｅ1-z1クラッド層４８のエネルギーギ
ャップ）なる関係が満たされるように各層の組成が選ば
れている。
（活性層４６を構成するＺｎx3Ｃｄy3Ｍｇ1-x3-y3 Ｓｅ
z3Ｔｅ1-z3層のエネルギーギャップ）＜（ｎ型Ｚｎx2Ｃ
ｄy2Ｍｇ1-x2-y2 Ｓｅz2Ｔｅ1-z2光導波層４５およびｐ
型Ｚｎx2Ｃｄy2Ｍｇ1-x2-y2Ｓｅz2Ｔｅ1-z2光導波層４
７のエネルギーギャップ）＜（ｎ型Ｚｎx1Ｃｄy1Ｍｇ
1-x1-y1 Ｓｅz1Ｔｅ1-z1クラッド層４４およびｐ型Ｚｎ
x1Ｃｄy1Ｍｇ1-x1-y1 Ｓｅz1Ｔｅ1-z1クラッド層４８の
エネルギーギャップ）なる関係および（ｐ型Ｚｎx4Ｃｄ
y4Ｍｇ1-x4-y4 Ｓｅz4Ｔｅ1-z4層４９のエネルギーギャ
ップ）＜（ｎ型Ｚｎx1Ｃｄy1Ｍｇ1-x1-y1 Ｓｅz1Ｔｅ
1-z1クラッド層４４およびｐ型Ｚｎx1Ｃｄy1Ｍｇ
1-x1-y1 Ｓｅz1Ｔｅ1-z1クラッド層４８のエネルギーギ
ャップ）なる関係が満たされるように各層の組成が選ば
れている。
【００８２】以上のように、この第３の実施形態によれ
ば、ｎ型ＩｎＡｓ基板４１上に積層されるＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体層のうちのターミナル層（この場合は最上
層）であるｐ型Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅq Ｔｅ1-q コンタク
ト層５１をＭＯＣＶＤ法により成長させているので、こ
のｐ型Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅq Ｔｅ1-q コンタクト層５１
とその上に形成されるｐ側電極５３との界面に形成され
るショットキー障壁の高さは、このｐ型Ｚｎp Ｃｄ1-p
Ｓｅq Ｔｅ1-q コンタクト層５１をＭＢＥ法により成長
させた場合と比べて減少する。このため、この第３の実
施形態による半導体レーザーの電流−電圧特性は、良好
なものとなる。そして、この第３の実施形態によれば、
半導体レーザーの低動作電圧化を図ることができる。
ば、ｎ型ＩｎＡｓ基板４１上に積層されるＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体層のうちのターミナル層（この場合は最上
層）であるｐ型Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅq Ｔｅ1-q コンタク
ト層５１をＭＯＣＶＤ法により成長させているので、こ
のｐ型Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅq Ｔｅ1-q コンタクト層５１
とその上に形成されるｐ側電極５３との界面に形成され
るショットキー障壁の高さは、このｐ型Ｚｎp Ｃｄ1-p
Ｓｅq Ｔｅ1-q コンタクト層５１をＭＢＥ法により成長
させた場合と比べて減少する。このため、この第３の実
施形態による半導体レーザーの電流−電圧特性は、良好
なものとなる。そして、この第３の実施形態によれば、
半導体レーザーの低動作電圧化を図ることができる。
【００８３】また、ｐ側電極５３とｐ型Ｚｎp Ｃｄ1-p
Ｓｅq Ｔｅ1-q コンタクト層５１とのコンタクト部にお
ける電圧降下が少ないことから、半導体レーザーの動作
時のこの電極コンタクト部における発熱を少なくするこ
とができる。これによって、半導体レーザーの発光効率
の劣化や素子自体の劣化を防止することができる。
Ｓｅq Ｔｅ1-q コンタクト層５１とのコンタクト部にお
ける電圧降下が少ないことから、半導体レーザーの動作
時のこの電極コンタクト部における発熱を少なくするこ
とができる。これによって、半導体レーザーの発光効率
の劣化や素子自体の劣化を防止することができる。
【００８４】また、発熱が生じやすいｐ側電極５３側を
下にしてレーザーチップをヒートシンク上にマウントし
ていることにより、半導体レーザーの動作時に発生する
熱をヒートシンクに効果的に拡散させることができ、こ
れによって半導体レーザーの温度上昇を有効に抑えるこ
とができる。
下にしてレーザーチップをヒートシンク上にマウントし
ていることにより、半導体レーザーの動作時に発生する
熱をヒートシンクに効果的に拡散させることができ、こ
れによって半導体レーザーの温度上昇を有効に抑えるこ
とができる。
【００８５】さらにまた、Ｎを高濃度ドーピングするこ
とによりｐ型Ｚｎp Ｃｄ1-p ＳｅqＴｅ1-q コンタクト
層５１の有効アクセプタ濃度を１０18ｃｍ-3程度とする
ことにより、ｐ側電極５３との界面の近傍におけるｐ型
Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅq Ｔｅ1-q コンタクト層５１中に形
成される空乏層の幅を小さくすることができることか
ら、これによっても半導体レーザーの電流−電圧特性の
向上を図ることができる。
とによりｐ型Ｚｎp Ｃｄ1-p ＳｅqＴｅ1-q コンタクト
層５１の有効アクセプタ濃度を１０18ｃｍ-3程度とする
ことにより、ｐ側電極５３との界面の近傍におけるｐ型
Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅq Ｔｅ1-q コンタクト層５１中に形
成される空乏層の幅を小さくすることができることか
ら、これによっても半導体レーザーの電流−電圧特性の
向上を図ることができる。
【００８６】また、この第３の実施形態による半導体レ
ーザーにおいては、ｐ側電極５３のコンタクト部にＭＱ
Ｗ層を用いていないので、製造が容易である。
ーザーにおいては、ｐ側電極５３のコンタクト部にＭＱ
Ｗ層を用いていないので、製造が容易である。
【００８７】以上により、良好な電流−電圧特性を有
し、低動作電圧、高信頼性、長寿命かつ製造が容易な赤
色ないし真空紫外領域で発光可能な半導体レーザーを実
現することができる。
し、低動作電圧、高信頼性、長寿命かつ製造が容易な赤
色ないし真空紫外領域で発光可能な半導体レーザーを実
現することができる。
【００８８】以上、この発明の実施形態について具体的
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。
【００８９】例えば、上述の第１の実施形態におけるｎ
型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q ／ＺｎＳｅ超格子クラッ
ド層４およびｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q ／ＺｎＳ
ｅ超格子クラッド層８の代わりにそれぞれｎ型Ｚｎ1-p
Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層およびｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇ
p Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層を用いてもよい。同様に、ｎ
型ＺｎＳy Ｓｅ1-y 光導波層５およびｐ型ＺｎＳy Ｓｅ
1-y 光導波層７の代わりにそれぞれｎ型ＺｎＳｅ光導波
層およびｐ型ＺｎＳｅ光導波層を用いてもよい。
型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q ／ＺｎＳｅ超格子クラッ
ド層４およびｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q ／ＺｎＳ
ｅ超格子クラッド層８の代わりにそれぞれｎ型Ｚｎ1-p
Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層およびｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇ
p Ｓq Ｓｅ1-q クラッド層を用いてもよい。同様に、ｎ
型ＺｎＳy Ｓｅ1-y 光導波層５およびｐ型ＺｎＳy Ｓｅ
1-y 光導波層７の代わりにそれぞれｎ型ＺｎＳｅ光導波
層およびｐ型ＺｎＳｅ光導波層を用いてもよい。
【００９０】また、上述の第１の実施形態においては、
ｐ側電極１３としてＰｄ／Ｐｔ／Ａｕ電極を用いたが、
このｐ側電極１３としては例えばＡｕ電極を用いてもよ
い。
ｐ側電極１３としてＰｄ／Ｐｔ／Ａｕ電極を用いたが、
このｐ側電極１３としては例えばＡｕ電極を用いてもよ
い。
【００９１】また、上述の第１の実施形態においては、
ｎ型ＧａＡｓ基板１上に積層されるＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体層のうちの最上層がｐ型ＺｎＳｅコンタクト層１
１である場合について説明したが、この発明は、例え
ば、ｐ型ＧａＡｓ基板上に積層されるＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体層のうちの最下層がｐ型ＺｎＳｅ層である場合
に適用することも可能である。
ｎ型ＧａＡｓ基板１上に積層されるＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体層のうちの最上層がｐ型ＺｎＳｅコンタクト層１
１である場合について説明したが、この発明は、例え
ば、ｐ型ＧａＡｓ基板上に積層されるＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体層のうちの最下層がｐ型ＺｎＳｅ層である場合
に適用することも可能である。
【００９２】さらにまた、上述の第３の実施形態におい
て、ｎ型ＩｎＡｓ基板４１の代わりに例えばｎ型ＧａＳ
ｂ基板を用いる場合には、ｎ型ＩｎＡｓバッファ層４２
の代わりに例えばｎ型ＧａＳｂバッファ層を用い、ｎ型
ＣｄＳｅバッファ層４３の代わりに例えばｎ型ＺｎＴｅ
バッファ層を用いてもよい。
て、ｎ型ＩｎＡｓ基板４１の代わりに例えばｎ型ＧａＳ
ｂ基板を用いる場合には、ｎ型ＩｎＡｓバッファ層４２
の代わりに例えばｎ型ＧａＳｂバッファ層を用い、ｎ型
ＣｄＳｅバッファ層４３の代わりに例えばｎ型ＺｎＴｅ
バッファ層を用いてもよい。
【００９３】また、上述の第１の実施形態、第２の実施
形態および第３の実施形態においては、ｎ型ＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体層のドナー不純物としてＣｌを用いてい
るが、このドナー不純物としては例えばヨウ素（Ｉ）を
用いてもよい。
形態および第３の実施形態においては、ｎ型ＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体層のドナー不純物としてＣｌを用いてい
るが、このドナー不純物としては例えばヨウ素（Ｉ）を
用いてもよい。
【００９４】さらに、上述の第１の実施形態、第２の実
施形態および第３の実施形態においては、ＳＣＨ構造を
有する半導体レーザーにこの発明を適用した場合につい
て説明したが、この発明は、ＤＨ構造（Double Heteros
tructure）を有する半導体レーザーに適用することも可
能であるほか、発光ダイオードに適用することも可能で
ある。
施形態および第３の実施形態においては、ＳＣＨ構造を
有する半導体レーザーにこの発明を適用した場合につい
て説明したが、この発明は、ＤＨ構造（Double Heteros
tructure）を有する半導体レーザーに適用することも可
能であるほか、発光ダイオードに適用することも可能で
ある。
【００９５】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、複数のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層のうちのターミ
ナル層が、有機金属化合物を原料に用いた気相成長法ま
たは有機金属化合物を原料に用いかつ水素雰囲気を用い
た気相成長法により成長されたものであることにより、
低動作電圧、高信頼性、長寿命かつ製造が容易なＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体を用いた半導体発光素子を実現する
ことができる。
ば、複数のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層のうちのターミ
ナル層が、有機金属化合物を原料に用いた気相成長法ま
たは有機金属化合物を原料に用いかつ水素雰囲気を用い
た気相成長法により成長されたものであることにより、
低動作電圧、高信頼性、長寿命かつ製造が容易なＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体を用いた半導体発光素子を実現する
ことができる。
【図１】代表的な二元のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体およ
び基板材料に用いられる代表的な二元のＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体のエネルギーギャップと格子定数との関係を
示す略線図である。
び基板材料に用いられる代表的な二元のＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体のエネルギーギャップと格子定数との関係を
示す略線図である。
【図２】この発明の第１の実施形態による半導体レーザ
ーを示す断面図である。
ーを示す断面図である。
【図３】この発明の第１の実施形態による半導体レーザ
ーの電流−電圧特性の測定結果を示すグラフである。
ーの電流−電圧特性の測定結果を示すグラフである。
【図４】この発明の第２の実施形態による半導体レーザ
ーを示す断面図である。
ーを示す断面図である。
【図５】この発明の第３の実施形態による半導体レーザ
ーを示す断面図である。
ーを示す断面図である。
１ ｎ型ＧａＡｓ基板 ２ ｎ型ＧａＡｓバッファ層 ３ ｎ型ＺｎＳｅバッファ層 ４ ｎ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q ／ＺｎＳｅ超格子
クラッド層 ５ ｎ型ＺｎＳy Ｓｅ1-y 光導波層 ６、２６、４６ 活性層 ７ ｐ型ＺｎＳy Ｓｅ1-y 光導波層 ８ ｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q ／ＺｎＳｅ超格子
クラッド層 ９ ｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層 １０ ｐ型ＺｎＳｅ層 １１ ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層 １２、３２、５２ 絶縁層 １３、３３、５３ ｐ側電極 １４、３４、５４ ｎ側電極 ２１ ｎ型ＩｎＰ基板 ２２ ｎ型ＩｎＰバッファ層 ２３ ｎ型ＩｎＧａＡｓバッファ層 ２４ ｎ型Ｚｎx1Ｃｄy1Ｍｇ1-x1-y1 Ｓｅクラッド層 ２５ ｎ型Ｚｎx2Ｃｄy2Ｍｇ1-x2-y2 Ｓｅ光導波層 ２７ ｐ型Ｚｎx2Ｃｄy2Ｍｇ1-x2-y2 Ｓｅ光導波層 ２８ ｐ型Ｚｎx1Ｃｄy1Ｍｇ1-x1-y1 Ｓｅクラッド層 ２９ ｐ型Ｚｎx4Ｃｄy4Ｍｇ1-x4-y4 Ｓｅ層 ３０ ｐ型Ｚｎp'Ｃｄ1-p'Ｓｅ層 ３１ ｐ型Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅコンタクト層 ４１ ｎ型ＩｎＡｓ基板 ４２ ｎ型ＩｎＡｓバッファ層 ４３ ｎ型ＣｄＳｅバッファ層 ４４ ｎ型Ｚｎx1Ｃｄy1Ｍｇ1-x1-y1 Ｓｅz1Ｔｅ1-z1ク
ラッド層 ４５ ｎ型Ｚｎx2Ｃｄy2Ｍｇ1-x2-y2 Ｓｅz2Ｔｅ1-z2光
導波層 ４７ ｐ型Ｚｎx2Ｃｄy2Ｍｇ1-x2-y2 Ｓｅz2Ｔｅ1-z2光
導波層 ４８ ｐ型Ｚｎx1Ｃｄy1Ｍｇ1-x1-y1 Ｓｅz1Ｔｅ1-z1ク
ラッド層 ４９ ｐ型Ｚｎx4Ｃｄy4Ｍｇ1-x4-y4 Ｓｅz4Ｔｅ1-z4層 ５０ ｐ型Ｚｎp'Ｃｄ1-p'Ｓｅq'Ｔｅ1-q'層 ５１ ｐ型Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅq Ｔｅ1-q コンタクト層
クラッド層 ５ ｎ型ＺｎＳy Ｓｅ1-y 光導波層 ６、２６、４６ 活性層 ７ ｐ型ＺｎＳy Ｓｅ1-y 光導波層 ８ ｐ型Ｚｎ1-p Ｍｇp Ｓq Ｓｅ1-q ／ＺｎＳｅ超格子
クラッド層 ９ ｐ型ＺｎＳv Ｓｅ1-v 層 １０ ｐ型ＺｎＳｅ層 １１ ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層 １２、３２、５２ 絶縁層 １３、３３、５３ ｐ側電極 １４、３４、５４ ｎ側電極 ２１ ｎ型ＩｎＰ基板 ２２ ｎ型ＩｎＰバッファ層 ２３ ｎ型ＩｎＧａＡｓバッファ層 ２４ ｎ型Ｚｎx1Ｃｄy1Ｍｇ1-x1-y1 Ｓｅクラッド層 ２５ ｎ型Ｚｎx2Ｃｄy2Ｍｇ1-x2-y2 Ｓｅ光導波層 ２７ ｐ型Ｚｎx2Ｃｄy2Ｍｇ1-x2-y2 Ｓｅ光導波層 ２８ ｐ型Ｚｎx1Ｃｄy1Ｍｇ1-x1-y1 Ｓｅクラッド層 ２９ ｐ型Ｚｎx4Ｃｄy4Ｍｇ1-x4-y4 Ｓｅ層 ３０ ｐ型Ｚｎp'Ｃｄ1-p'Ｓｅ層 ３１ ｐ型Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅコンタクト層 ４１ ｎ型ＩｎＡｓ基板 ４２ ｎ型ＩｎＡｓバッファ層 ４３ ｎ型ＣｄＳｅバッファ層 ４４ ｎ型Ｚｎx1Ｃｄy1Ｍｇ1-x1-y1 Ｓｅz1Ｔｅ1-z1ク
ラッド層 ４５ ｎ型Ｚｎx2Ｃｄy2Ｍｇ1-x2-y2 Ｓｅz2Ｔｅ1-z2光
導波層 ４７ ｐ型Ｚｎx2Ｃｄy2Ｍｇ1-x2-y2 Ｓｅz2Ｔｅ1-z2光
導波層 ４８ ｐ型Ｚｎx1Ｃｄy1Ｍｇ1-x1-y1 Ｓｅz1Ｔｅ1-z1ク
ラッド層 ４９ ｐ型Ｚｎx4Ｃｄy4Ｍｇ1-x4-y4 Ｓｅz4Ｔｅ1-z4層 ５０ ｐ型Ｚｎp'Ｃｄ1-p'Ｓｅq'Ｔｅ1-q'層 ５１ ｐ型Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅq Ｔｅ1-q コンタクト層
Claims (19)
- 【請求項１】 少なくとも第１導電型の第１のクラッド
層、活性層および第２導電型の第２のクラッド層を含む
複数のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層が半導体基板上に積
層され、 上記複数のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層はＺｎ、Ｃｄ、
Ｍｇ、ＨｇおよびＢｅからなる群より選ばれた少なくと
も一種類以上のＩＩ族元素とＳ、ＳｅおよびＴｅからな
る群より選ばれた少なくとも一種類以上のＶＩ族元素と
からなる半導体発光素子において、 上記複数のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層のうちのターミ
ナル層が、有機金属化合物を原料に用いた気相成長法ま
たは有機金属化合物を原料に用いかつ水素雰囲気を用い
た気相成長法により成長されたものであることを特徴と
する半導体発光素子。 - 【請求項２】 上記ターミナル層はＺｎＳｅ層であるこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。 - 【請求項３】 上記ターミナル層はＺｎp Ｃｄ1-p Ｓｅ
層（ただし、０≦ｐ≦１）であることを特徴とする請求
項１記載の半導体発光素子。 - 【請求項４】 上記ターミナル層はＺｎp Ｃｄ1-p Ｓｅ
q Ｔｅ1-q 層（ただし、０≦ｐ≦１かつ０≦ｑ≦１）で
あることを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。 - 【請求項５】 少なくとも上記第１のクラッド層、上記
活性層および上記第２のクラッド層は有機金属化合物を
原料に用いない気相成長法により成長されたものであ
り、上記ターミナル層を構成する上記ＺｎＳｅ層はＺｎ
を含む有機金属化合物およびＳｅを含む有機金属化合物
または無機金属化合物を原料に用いた気相成長法により
成長されたものであることを特徴とする請求項２記載の
半導体発光素子。 - 【請求項６】 少なくとも上記第１のクラッド層、上記
活性層および上記第２のクラッド層は分子線エピタキシ
ー法により成長されたものであり、上記ターミナル層を
構成する上記ＺｎＳｅ層はＺｎを含む有機金属化合物お
よびＳｅを含む有機金属化合物または無機金属化合物を
原料に用いた有機金属化学気相成長法により成長された
ものであることを特徴とする請求項２記載の半導体発光
素子。 - 【請求項７】 少なくとも上記第１のクラッド層、上記
活性層および上記第２のクラッド層は分子線エピタキシ
ー法により成長されたものであり、上記ターミナル層を
構成する上記ＺｎＳｅ層はＺｎを含む有機金属化合物お
よびＳｅを含む有機金属化合物または無機金属化合物を
原料に用いた有機金属分子線エピタキシー法により成長
されたものであることを特徴とする請求項２記載の半導
体発光素子。 - 【請求項８】 少なくとも上記第１のクラッド層、上記
活性層および上記第２のクラッド層は有機金属分子線エ
ピタキシー法により成長されたものであり、上記ターミ
ナル層を構成する上記ＺｎＳｅ層はＺｎを含む有機金属
化合物およびＳｅを含む有機金属化合物または無機金属
化合物を原料に用いた有機金属化学気相成長法により成
長されたものであることを特徴とする請求項２記載の半
導体発光素子。 - 【請求項９】 上記半導体基板はｎ型であり、上記ター
ミナル層は最上層を構成するｐ型ＺｎＳｅ層であり、少
なくともｎ型の上記第１のクラッド層、上記活性層およ
びｐ型の上記第２のクラッド層は分子線エピタキシー法
により成長されたものであり、上記ｐ型ＺｎＳｅ層は有
機金属化学気相成長法または有機金属分子線エピタキシ
ー法により成長されたものであることを特徴とする請求
項１記載の半導体発光素子。 - 【請求項１０】 少なくとも上記第１のクラッド層、上
記活性層および上記第２のクラッド層は有機金属化合物
を原料に用いない気相成長法により成長されたものであ
り、上記ターミナル層を構成する上記Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓ
ｅ層はＺｎを含む有機金属化合物、Ｃｄを含む有機金属
化合物およびＳｅを含む有機金属化合物または無機金属
化合物を原料に用いた気相成長法により成長されたもの
であることを特徴とする請求項３記載の半導体発光素
子。 - 【請求項１１】 少なくとも上記第１のクラッド層、上
記活性層および上記第２のクラッド層は分子線エピタキ
シー法により成長されたものであり、上記ターミナル層
を構成する上記Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅ層はＺｎを含む有機
金属化合物、Ｃｄを含む有機金属化合物およびＳｅを含
む有機金属化合物または無機金属化合物を原料に用いた
有機金属化学気相成長法により成長されたものであるこ
とを特徴とする請求項３記載の半導体発光素子。 - 【請求項１２】 少なくとも上記第１のクラッド層、上
記活性層および上記第２のクラッド層は分子線エピタキ
シー法により成長されたものであり、上記ターミナル層
を構成する上記Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅ層はＺｎを含む有機
金属化合物、Ｃｄを含む有機金属化合物およびＳｅを含
む有機金属化合物または無機金属化合物を原料に用いた
有機金属分子線エピタキシー法により成長されたもので
あることを特徴とする請求項３記載の半導体発光素子。 - 【請求項１３】 少なくとも上記第１のクラッド層、上
記活性層および上記第２のクラッド層は有機金属分子線
エピタキシー法により成長されたものであり、上記ター
ミナル層を構成する上記Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅ層はＺｎを
含む有機金属化合物、Ｃｄを含む有機金属化合物および
Ｓｅを含む有機金属化合物または無機金属化合物を原料
に用いた有機金属化学気相成長法により成長されたもの
であることを特徴とする請求項３記載の半導体発光素
子。 - 【請求項１４】 上記半導体基板はｎ型であり、上記タ
ーミナル層は最上層を構成するｐ型Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅ
層であり、少なくともｎ型の上記第１のクラッド層、上
記活性層およびｐ型の上記第２のクラッド層は分子線エ
ピタキシー法により成長されたものであり、上記ｐ型Ｚ
ｎp Ｃｄ1-p Ｓｅ層は有機金属化学気相成長法または有
機金属分子線エピタキシー法により成長されたものであ
ることを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。 - 【請求項１５】 少なくとも上記第１のクラッド層、上
記活性層および上記第２のクラッド層は有機金属化合物
を原料に用いない気相成長法により成長されたものであ
り、上記ターミナル層を構成する上記Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓ
ｅq Ｔｅ1-q層はＺｎを含む有機金属化合物、Ｃｄを含
む有機金属化合物、Ｓｅを含む有機金属化合物または無
機金属化合物およびＴｅを含む有機金属化合物または無
機金属化合物を原料に用いた気相成長法により成長され
たものであることを特徴とする請求項４記載の半導体発
光素子。 - 【請求項１６】 少なくとも上記第１のクラッド層、上
記活性層および上記第２のクラッド層は分子線エピタキ
シー法により成長されたものであり、上記ターミナル層
を構成する上記Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅq Ｔｅ1-q 層はＺｎ
を含む有機金属化合物、Ｃｄを含む有機金属化合物、Ｓ
ｅを含む有機金属化合物または無機金属化合物およびＴ
ｅを含む有機金属化合物または無機金属化合物を原料に
用いた有機金属化学気相成長法により成長されたもので
あることを特徴とする請求項４記載の半導体発光素子。 - 【請求項１７】 少なくとも上記第１のクラッド層、上
記活性層および上記第２のクラッド層は分子線エピタキ
シー法により成長されたものであり、上記ターミナル層
を構成する上記Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅq Ｔｅ1-q 層はＺｎ
を含む有機金属化合物、Ｃｄを含む有機金属化合物、Ｓ
ｅを含む有機金属化合物または無機金属化合物およびＴ
ｅを含む有機金属化合物または無機金属化合物を原料に
用いた有機金属分子線エピタキシー法により成長された
ものであることを特徴とする請求項４記載の半導体発光
素子。 - 【請求項１８】 少なくとも上記第１のクラッド層、上
記活性層および上記第２のクラッド層は有機金属分子線
エピタキシー法により成長されたものであり、上記ター
ミナル層を構成する上記Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅq Ｔｅ1-q
層はＺｎを含む有機金属化合物、Ｃｄを含む有機金属化
合物、Ｓｅを含む有機金属化合物または無機金属化合物
およびＴｅを含む有機金属化合物または無機金属化合物
を原料に用いた有機金属化学気相成長法により成長され
たものであることを特徴とする請求項４記載の半導体発
光素子。 - 【請求項１９】 上記半導体基板はｎ型であり、上記タ
ーミナル層は最上層を構成するｐ型Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅ
q Ｔｅ1-q 層であり、少なくともｎ型の上記第１のクラ
ッド層、上記活性層およびｐ型の上記第２のクラッド層
は分子線エピタキシー法により成長されたものであり、
上記ｐ型Ｚｎp Ｃｄ1-p Ｓｅq Ｔｅ1-q 層は有機金属化
学気相成長法または有機金属分子線エピタキシー法によ
り成長されたものであることを特徴とする請求項１記載
の半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28928395A JPH09107155A (ja) | 1995-10-11 | 1995-10-11 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28928395A JPH09107155A (ja) | 1995-10-11 | 1995-10-11 | 半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09107155A true JPH09107155A (ja) | 1997-04-22 |
Family
ID=17741177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28928395A Pending JPH09107155A (ja) | 1995-10-11 | 1995-10-11 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09107155A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003075365A1 (fr) * | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Nikko Materials Co., Ltd. | Dispositif de conversion photoelectrique |
| JP2007067454A (ja) * | 1997-01-09 | 2007-03-15 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
| US8541794B2 (en) | 1997-01-09 | 2013-09-24 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor light-emitting devices |
-
1995
- 1995-10-11 JP JP28928395A patent/JPH09107155A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007067454A (ja) * | 1997-01-09 | 2007-03-15 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
| US8541794B2 (en) | 1997-01-09 | 2013-09-24 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor light-emitting devices |
| WO2003075365A1 (fr) * | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Nikko Materials Co., Ltd. | Dispositif de conversion photoelectrique |
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