JPH09110520A - フェライト焼結体 - Google Patents
フェライト焼結体Info
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- JPH09110520A JPH09110520A JP7272406A JP27240695A JPH09110520A JP H09110520 A JPH09110520 A JP H09110520A JP 7272406 A JP7272406 A JP 7272406A JP 27240695 A JP27240695 A JP 27240695A JP H09110520 A JPH09110520 A JP H09110520A
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Landscapes
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- Magnetic Ceramics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 比抵抗の高いＣｕ−Ｚｎフェライトにて、フ
ェライト等のセラミックスおよび電極材料との同時焼成
が可能な非磁性フェライトを提供する。 【構成】 Ｆｅ2Ｏ3 ４０．０〜５２．５ｍｏｌ％、Ｃ
ｕＯ ８．０〜２５．０ｍｏｌ％、ＺｎＯ≧３５．０ｍ
ｏｌ％およびＢｉ2Ｏ3 ０．０５〜２．０ｗｔ％から成
る組成を有し、焼結密度が理論密度の９５％以上、比抵
抗が１０5Ω・ｍ以上、キュリー温度が−４０℃以下の
フェライト焼結体。
ェライト等のセラミックスおよび電極材料との同時焼成
が可能な非磁性フェライトを提供する。 【構成】 Ｆｅ2Ｏ3 ４０．０〜５２．５ｍｏｌ％、Ｃ
ｕＯ ８．０〜２５．０ｍｏｌ％、ＺｎＯ≧３５．０ｍ
ｏｌ％およびＢｉ2Ｏ3 ０．０５〜２．０ｗｔ％から成
る組成を有し、焼結密度が理論密度の９５％以上、比抵
抗が１０5Ω・ｍ以上、キュリー温度が−４０℃以下の
フェライト焼結体。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電極のオーバーコート
用絶縁材料、あるいはフェライト等のセラミックスのグ
リーン体および電極材料との同時焼成が可能な絶縁材料
として利用可能なフェライト焼結体に関する。
用絶縁材料、あるいはフェライト等のセラミックスのグ
リーン体および電極材料との同時焼成が可能な絶縁材料
として利用可能なフェライト焼結体に関する。
【０００２】
【従来の技術】これまでＡｇあるいはＡｇを含む電極材
料のオーバーコート用の絶縁材料には、ガラスが使用さ
れていた。これはガラスの比抵抗が高く、絶縁性に優れ
ているからである。
料のオーバーコート用の絶縁材料には、ガラスが使用さ
れていた。これはガラスの比抵抗が高く、絶縁性に優れ
ているからである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＡｇあるいはＡｇを含
む電極材料を用いて基板上に回路を形成し、この回路を
ガラスでオーバーコートする場合、基板上に電極材料を
印刷した後その電極材料の焼き付けを行い、次にガラス
を印刷し焼き付けを行う。このため、電極材料及び絶縁
材料毎に焼付工程が必要であり、工数が多くなり、製造
コストが高いという問題があった。また、Ａｇあるいは
Ａｇを含む電極材料とガラスとを一度に印刷・焼き付け
を行うと、熱処理中に電極材料の一部がガラス中に拡散
して断線が発生し、信頼性の面で問題があった。本発明
は、上記のことを鑑みて、電極のオーバーコート用絶縁
材料として、あるいはフェライト等のセラミックスおよ
び電極材料との同時焼成が可能な絶縁材料として利用可
能な比抵抗の高いフェライト焼結体を提供することを目
的とする。
む電極材料を用いて基板上に回路を形成し、この回路を
ガラスでオーバーコートする場合、基板上に電極材料を
印刷した後その電極材料の焼き付けを行い、次にガラス
を印刷し焼き付けを行う。このため、電極材料及び絶縁
材料毎に焼付工程が必要であり、工数が多くなり、製造
コストが高いという問題があった。また、Ａｇあるいは
Ａｇを含む電極材料とガラスとを一度に印刷・焼き付け
を行うと、熱処理中に電極材料の一部がガラス中に拡散
して断線が発生し、信頼性の面で問題があった。本発明
は、上記のことを鑑みて、電極のオーバーコート用絶縁
材料として、あるいはフェライト等のセラミックスおよ
び電極材料との同時焼成が可能な絶縁材料として利用可
能な比抵抗の高いフェライト焼結体を提供することを目
的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、Ｆｅ2Ｏ3 ４
０．０〜５２．５ｍｏｌ％、ＣｕＯ ８．０〜２５．０
ｍｏｌ％、ＺｎＯ≧３５．０ｍｏｌ％およびＢｉ2Ｏ3
０．０５〜２．０ｗｔ％から成る組成を有するフェライ
ト焼結体である。また本発明は、焼結密度が理論密度の
９５％以上、比抵抗が１０5Ω・ｍ以上、キュリー温度
が−４０℃以下であるＣｕ−Ｚｎフェライト焼結体であ
る。また本発明は、上記組成において、フェライト原料
中のＳ量が９００ｐｐｍ以下で、Ｃｌ量が６００ｐｐｍ
以下であり、さらに、フェライト焼結体中のＳ量が１５
０ｐｐｍ以下で、Ｃｌ量が１００ｐｐｍ以下であるフェ
ライト焼結体である。
０．０〜５２．５ｍｏｌ％、ＣｕＯ ８．０〜２５．０
ｍｏｌ％、ＺｎＯ≧３５．０ｍｏｌ％およびＢｉ2Ｏ3
０．０５〜２．０ｗｔ％から成る組成を有するフェライ
ト焼結体である。また本発明は、焼結密度が理論密度の
９５％以上、比抵抗が１０5Ω・ｍ以上、キュリー温度
が−４０℃以下であるＣｕ−Ｚｎフェライト焼結体であ
る。また本発明は、上記組成において、フェライト原料
中のＳ量が９００ｐｐｍ以下で、Ｃｌ量が６００ｐｐｍ
以下であり、さらに、フェライト焼結体中のＳ量が１５
０ｐｐｍ以下で、Ｃｌ量が１００ｐｐｍ以下であるフェ
ライト焼結体である。
【０００５】
【作用】本発明は、ＡｇあるいはＡｇを含む電極材料と
同時に熱処理が可能な絶縁材料について研究した所、非
磁性フェライトにより実現する事ができたものである。
また本発明の絶縁材料は、ＡｇあるいはＡｇを含む電極
材料だけでなく、フェライト等のセラミックスのグリー
ン体との同時焼成が可能である。本発明によれば、Ｆｅ
2Ｏ3 ４０．０〜５２．５ｍｏｌ％、ＣｕＯ ８．０〜
２５．０ｍｏｌ％、ＺｎＯ≧３５．０ｍｏｌ％およびＢ
ｉ2Ｏ3 ０．０５〜２．０ｗｔ％から成る組成を有し、
ＡｇあるいはＡｇを含む電極材料と同時に熱処理が可能
な絶縁材料を得ることができた。
同時に熱処理が可能な絶縁材料について研究した所、非
磁性フェライトにより実現する事ができたものである。
また本発明の絶縁材料は、ＡｇあるいはＡｇを含む電極
材料だけでなく、フェライト等のセラミックスのグリー
ン体との同時焼成が可能である。本発明によれば、Ｆｅ
2Ｏ3 ４０．０〜５２．５ｍｏｌ％、ＣｕＯ ８．０〜
２５．０ｍｏｌ％、ＺｎＯ≧３５．０ｍｏｌ％およびＢ
ｉ2Ｏ3 ０．０５〜２．０ｗｔ％から成る組成を有し、
ＡｇあるいはＡｇを含む電極材料と同時に熱処理が可能
な絶縁材料を得ることができた。
【０００６】また、特許請求の範囲の限定理由は、以下
の通りである。Ｆｅ2Ｏ3が４０ｍｏｌ％未満であると、
フェライト以外の異相が生成するため、焼結体の強度が
低下する。また、５２．５ｍｏｌ％を超えると、焼結密
度および比抵抗が低くなり、不適当である。ＣｕＯが
８．０ｍｏｌ％未満であると焼結密度が低くなり、この
ためＡｇの融点である９６０℃以下で焼結することが出
来なくなる。ＺｎＯが３５．０ｍｏｌ％未満であると、
キュリー温度が−４０℃を越えてしまい、外部温度によ
っては磁性体となってしまう。回路の周囲に磁性体があ
る場合、回路に流れる高周波信号が磁性体のインピーダ
ンスにより、波形が変化する恐れがあるため不適当であ
る。よって上記限定範囲により、ＣｕＯが２５ｍｏｌ％
を超える組成はあり得ない。また、上記組成範囲であれ
ば、成分の一部をＮｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、ＬｉおよびＣｏの
酸化物と置換しても構わない。Ｂｉ2Ｏ3は０．０５ｗｔ
％未満であると焼結促進効果がなく、２．０ｗｔ％を越
えると電極材料（例えばＡｇ）と反応して抵抗の増加あ
るいは断線の恐れがある。よって、Ｂｉ2Ｏ3の添加量は
０．０５〜２．０ｗｔ％が適当である。また、焼結助剤
としてＢｉ2Ｏ3以外の低融点酸化物（例えばＶ2Ｏ5）を
使用した場合、０．３ｗｔ％程度でもＡｇとの反応が発
生した。よって、焼結助剤としてはＢｉ2Ｏ3が適当であ
る。
の通りである。Ｆｅ2Ｏ3が４０ｍｏｌ％未満であると、
フェライト以外の異相が生成するため、焼結体の強度が
低下する。また、５２．５ｍｏｌ％を超えると、焼結密
度および比抵抗が低くなり、不適当である。ＣｕＯが
８．０ｍｏｌ％未満であると焼結密度が低くなり、この
ためＡｇの融点である９６０℃以下で焼結することが出
来なくなる。ＺｎＯが３５．０ｍｏｌ％未満であると、
キュリー温度が−４０℃を越えてしまい、外部温度によ
っては磁性体となってしまう。回路の周囲に磁性体があ
る場合、回路に流れる高周波信号が磁性体のインピーダ
ンスにより、波形が変化する恐れがあるため不適当であ
る。よって上記限定範囲により、ＣｕＯが２５ｍｏｌ％
を超える組成はあり得ない。また、上記組成範囲であれ
ば、成分の一部をＮｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、ＬｉおよびＣｏの
酸化物と置換しても構わない。Ｂｉ2Ｏ3は０．０５ｗｔ
％未満であると焼結促進効果がなく、２．０ｗｔ％を越
えると電極材料（例えばＡｇ）と反応して抵抗の増加あ
るいは断線の恐れがある。よって、Ｂｉ2Ｏ3の添加量は
０．０５〜２．０ｗｔ％が適当である。また、焼結助剤
としてＢｉ2Ｏ3以外の低融点酸化物（例えばＶ2Ｏ5）を
使用した場合、０．３ｗｔ％程度でもＡｇとの反応が発
生した。よって、焼結助剤としてはＢｉ2Ｏ3が適当であ
る。
【０００７】
【実施例】以下に、本発明に係るフェライト焼結体の実
施例を詳細に説明する。 実施例１ Ｆｅ2Ｏ3、ＣｕＯおよびＺｎＯの原料粉末を所定量秤量
し、これを振動ミルにて１時間混合し、電気炉を用いて
最高温度７５０℃で２時間仮焼した後、これを炉冷し、
しかる後にＢｉ2Ｏ3（あるいは比較例としてＶ2Ｏ5）を
０．３ｗｔ％、さらに所定量のイオン交換水を加えたも
のをアトライタにて２時間粉砕した。得られたスラリー
状の原料に所定量のバインダーを加えてスプレードライ
ヤーで顆粒状に造粒し、この顆粒をプレス成形機を用い
て外径３０ｍｍ、内径２０ｍｍ、高さ８ｍｍのリング状
に成形した後、８８０℃で焼成した。得られた焼結体の
密度、比抵抗およびキュリー温度の測定を行った。結果
を表１に示す。
施例を詳細に説明する。 実施例１ Ｆｅ2Ｏ3、ＣｕＯおよびＺｎＯの原料粉末を所定量秤量
し、これを振動ミルにて１時間混合し、電気炉を用いて
最高温度７５０℃で２時間仮焼した後、これを炉冷し、
しかる後にＢｉ2Ｏ3（あるいは比較例としてＶ2Ｏ5）を
０．３ｗｔ％、さらに所定量のイオン交換水を加えたも
のをアトライタにて２時間粉砕した。得られたスラリー
状の原料に所定量のバインダーを加えてスプレードライ
ヤーで顆粒状に造粒し、この顆粒をプレス成形機を用い
て外径３０ｍｍ、内径２０ｍｍ、高さ８ｍｍのリング状
に成形した後、８８０℃で焼成した。得られた焼結体の
密度、比抵抗およびキュリー温度の測定を行った。結果
を表１に示す。
【０００８】
【表１】
【０００９】表１より、本発明の実施例は焼結密度およ
び比抵抗が共に高く、キュリー温度（Ｔｃ）も−４０℃
以下であり、使用時非磁性となり、実用的な材料である
事が判る。
び比抵抗が共に高く、キュリー温度（Ｔｃ）も−４０℃
以下であり、使用時非磁性となり、実用的な材料である
事が判る。
【００１０】実施例２ Ｆｅ2Ｏ3 ４５．７モル％、ＣｕＯ １４．３モル％お
よびＺｎＯ ４０．０モル％の原料粉末を秤量し、これ
を振動ミルにて１時間混合し、電気炉を用いて最高温度
７５０℃で２時間仮焼した後、これを炉冷し、しかる後
にＢｉ2Ｏ3を０．３ｗｔ％、さらに所定量のイオン交換
水を加えたものをアトライタにて２時間粉砕し、粉砕さ
れたスラリー状の原料を赤外線乾燥機にて乾燥した。こ
のようにして得た原料をライカイ機を用いて解砕し、こ
の原料１００ｇに対して、ブチルカルビトールアセテー
トを４９．６ｇ、エチルセルロースを４．３ｇ加えて３
本ロールにて混練し、フェライトペーストを作製した。
このフェライトペーストを用いて、フェライトグリーン
体上にＡｇペーストを印刷して形成した回路の一部分を
オーバーコートした試料を２０個作製した。これを８８
０℃にて焼成を行い、各試料のオーバーコートした回路
の両端において導通を確認した。比較として、ガラスペ
ーストについても同様の実験を行った。この２０個の実
施例では、全て導通しており、実用上問題なかった。し
かし、ガラスペーストを用いた比較例では、一部断線し
ており、使用できない状態であった。このように、従来
オーバーコート用として使用していたガラスペースト
は、電極材料と同時焼成を行うと断線する可能性が高い
が、本発明の非磁性フェライトペーストを使用すること
により、電極材料と同時焼成を行い断線を防ぐことがで
きた。
よびＺｎＯ ４０．０モル％の原料粉末を秤量し、これ
を振動ミルにて１時間混合し、電気炉を用いて最高温度
７５０℃で２時間仮焼した後、これを炉冷し、しかる後
にＢｉ2Ｏ3を０．３ｗｔ％、さらに所定量のイオン交換
水を加えたものをアトライタにて２時間粉砕し、粉砕さ
れたスラリー状の原料を赤外線乾燥機にて乾燥した。こ
のようにして得た原料をライカイ機を用いて解砕し、こ
の原料１００ｇに対して、ブチルカルビトールアセテー
トを４９．６ｇ、エチルセルロースを４．３ｇ加えて３
本ロールにて混練し、フェライトペーストを作製した。
このフェライトペーストを用いて、フェライトグリーン
体上にＡｇペーストを印刷して形成した回路の一部分を
オーバーコートした試料を２０個作製した。これを８８
０℃にて焼成を行い、各試料のオーバーコートした回路
の両端において導通を確認した。比較として、ガラスペ
ーストについても同様の実験を行った。この２０個の実
施例では、全て導通しており、実用上問題なかった。し
かし、ガラスペーストを用いた比較例では、一部断線し
ており、使用できない状態であった。このように、従来
オーバーコート用として使用していたガラスペースト
は、電極材料と同時焼成を行うと断線する可能性が高い
が、本発明の非磁性フェライトペーストを使用すること
により、電極材料と同時焼成を行い断線を防ぐことがで
きた。
【００１１】実施例３ 種々の純度をもつＦｅ2Ｏ3、ＣｕＯおよびＺｎＯの原料
粉末を所定量秤量し、これを実施例２と同様の方法にて
フェライトペーストを作製した。このフェライトペース
トを用いて、フェライトグリーン体上にＡｇペーストを
印刷して形成した回路の一部分をオーバーコートした試
料を２０個作製した。これを８８０℃にて焼成を行い、
各試料のオーバーコートした回路の両端において導通を
確認した。結果を表２に示す。
粉末を所定量秤量し、これを実施例２と同様の方法にて
フェライトペーストを作製した。このフェライトペース
トを用いて、フェライトグリーン体上にＡｇペーストを
印刷して形成した回路の一部分をオーバーコートした試
料を２０個作製した。これを８８０℃にて焼成を行い、
各試料のオーバーコートした回路の両端において導通を
確認した。結果を表２に示す。
【００１２】
【表２】
【００１３】この表２から明らかなように、フェライト
原料中のＳ量が９００ｐｐｍ以下で、Ｃｌ量が６００ｐ
ｐｍ以下であれば、回路の導通状態は良好であり、それ
を越えると断線する。このフェライト原料中のＳ量及び
Ｃｌ量は、焼成後のフェライト焼結体中のＳ量及びＣｌ
量とすれば、Ｓ量が１５０ｐｐｍ以下で、Ｃｌ量が１０
０ｐｐｍ以下となる。以上の本発明の実施例によれば、
本発明の非磁性フェライトにおいて、８８０℃という比
較的低い温度で焼成しても焼結密度が高く、しかもフェ
ライト特有の比抵抗の高い絶縁体が得られ、電極のオー
バーコート用絶縁材料として、あるいはフェライト等の
セラミックスおよび電極材料との同時焼成が可能な絶縁
材料として利用可能である。
原料中のＳ量が９００ｐｐｍ以下で、Ｃｌ量が６００ｐ
ｐｍ以下であれば、回路の導通状態は良好であり、それ
を越えると断線する。このフェライト原料中のＳ量及び
Ｃｌ量は、焼成後のフェライト焼結体中のＳ量及びＣｌ
量とすれば、Ｓ量が１５０ｐｐｍ以下で、Ｃｌ量が１０
０ｐｐｍ以下となる。以上の本発明の実施例によれば、
本発明の非磁性フェライトにおいて、８８０℃という比
較的低い温度で焼成しても焼結密度が高く、しかもフェ
ライト特有の比抵抗の高い絶縁体が得られ、電極のオー
バーコート用絶縁材料として、あるいはフェライト等の
セラミックスおよび電極材料との同時焼成が可能な絶縁
材料として利用可能である。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、フェライト特有の比抵
抗の高い絶縁体が得られ、電極のオーバーコート用絶縁
材料として、あるいはフェライト等のセラミックスおよ
び電極材料との同時焼成が可能な絶縁材料としてとして
大いに役立つものである。
抗の高い絶縁体が得られ、電極のオーバーコート用絶縁
材料として、あるいはフェライト等のセラミックスおよ
び電極材料との同時焼成が可能な絶縁材料としてとして
大いに役立つものである。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成８年６月７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】
【表１】
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｆｅ2Ｏ3 ４０．０〜５２．５ｍｏｌ
％、ＣｕＯ ８．０〜２５．０ｍｏｌ％、ＺｎＯ≧３
５．０ｍｏｌ％およびＢｉ2Ｏ3 ０．０５〜２．０ｗｔ
％から成る組成を有するフェライト焼結体。 - 【請求項２】 請求項１において、焼結密度が理論密度
の９５％以上、比抵抗が１０5Ω・ｍ以上、キュリー温
度が−４０℃以下であるフェライト焼結体。 - 【請求項３】 請求項１において、フェライト原料中の
Ｓ量が９００ｐｐｍ以下で、Ｃｌ量が６００ｐｐｍ以下
であり、さらに焼成後のフェライト中のＳ量が１５０ｐ
ｐｍ以下で、Ｃｌ量が１００ｐｐｍ以下であるフェライ
ト焼結体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7272406A JPH09110520A (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | フェライト焼結体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7272406A JPH09110520A (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | フェライト焼結体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09110520A true JPH09110520A (ja) | 1997-04-28 |
Family
ID=17513464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7272406A Pending JPH09110520A (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | フェライト焼結体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09110520A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006278432A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Hitachi Metals Ltd | 電子部品 |
| JP2006310811A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-11-09 | Hitachi Metals Ltd | フェライト部品、モジュール及びその製造方法 |
| JP2014183182A (ja) * | 2013-03-19 | 2014-09-29 | Fdk Corp | 非磁性材料および非磁性磁器組成物の製造方法 |
-
1995
- 1995-10-20 JP JP7272406A patent/JPH09110520A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006278432A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Hitachi Metals Ltd | 電子部品 |
| JP2006310811A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-11-09 | Hitachi Metals Ltd | フェライト部品、モジュール及びその製造方法 |
| JP2014183182A (ja) * | 2013-03-19 | 2014-09-29 | Fdk Corp | 非磁性材料および非磁性磁器組成物の製造方法 |
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