JPH09110578A - シリコン単結晶中の酸素濃度制御方法 - Google Patents
シリコン単結晶中の酸素濃度制御方法Info
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- JPH09110578A JPH09110578A JP7287862A JP28786295A JPH09110578A JP H09110578 A JPH09110578 A JP H09110578A JP 7287862 A JP7287862 A JP 7287862A JP 28786295 A JP28786295 A JP 28786295A JP H09110578 A JPH09110578 A JP H09110578A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 通常のＣＺ法またはマルチプルＣＺ法により
引き上げた、引上げ操業時間が異なる複数本のシリコン
単結晶について、同一成長位置の酸素濃度を、引上げ操
業時間の長短に関わらず所望範囲内に制御する。 【解決手段】 石英製ルツボを備えた引上げ装置を用い
て複数本のシリコン単結晶を通常のＣＺ法またはマルチ
プルＣＺ法により引き上げるに際し、（１）同一装置・
同一操作条件下で引上げを行った場合の引上げ操業時間
と、シリコン単結晶における同一成長位置の酸素濃度と
の関係を、ルツボの回転数をパラメータとして求め、
（２）あらかじめ設定した、シリコン単結晶における同
一成長位置の所望の酸素濃度範囲と、前記引上げ操業時
間と酸素濃度との関係からルツボ回転数を設定するとと
もに、該回転数以外の条件は、前記関係を求めたときと
同一装置・同一操作条件として引上げを行う。
引き上げた、引上げ操業時間が異なる複数本のシリコン
単結晶について、同一成長位置の酸素濃度を、引上げ操
業時間の長短に関わらず所望範囲内に制御する。 【解決手段】 石英製ルツボを備えた引上げ装置を用い
て複数本のシリコン単結晶を通常のＣＺ法またはマルチ
プルＣＺ法により引き上げるに際し、（１）同一装置・
同一操作条件下で引上げを行った場合の引上げ操業時間
と、シリコン単結晶における同一成長位置の酸素濃度と
の関係を、ルツボの回転数をパラメータとして求め、
（２）あらかじめ設定した、シリコン単結晶における同
一成長位置の所望の酸素濃度範囲と、前記引上げ操業時
間と酸素濃度との関係からルツボ回転数を設定するとと
もに、該回転数以外の条件は、前記関係を求めたときと
同一装置・同一操作条件として引上げを行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はシリコン単結晶の引
上げ方法に関し、詳しくはＣＺ法（Czochralski法）、
マルチプルＣＺ法、または連続チャージ引上げ法により
引上げられるシリコン単結晶中の酸素濃度制御方法に関
する。
上げ方法に関し、詳しくはＣＺ法（Czochralski法）、
マルチプルＣＺ法、または連続チャージ引上げ法により
引上げられるシリコン単結晶中の酸素濃度制御方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＣＺ法によるシリコン単結晶の製
造における酸素濃度制御方法については、種々のものが
提案されている。例えば、特公昭６０−６９１１号公報
には、一定のルツボ回転数で成長させたシリコン単結晶
の軸方向の酸素濃度プロファイルに基づいて、その傾度
と逆の傾度となるようにルツボ回転数の傾度を制御する
ことにより、シリコン単結晶の軸方向の酸素濃度分布を
一定の範囲内に制御するものが開示されている。また、
特開昭６４−６１３８３号公報には、単結晶引上げ装置
において、ルツボ内融液の液面上を流れる不活性ガスの
流速を制御することで、単結晶の酸素濃度を制御する方
法が開示されている。
造における酸素濃度制御方法については、種々のものが
提案されている。例えば、特公昭６０−６９１１号公報
には、一定のルツボ回転数で成長させたシリコン単結晶
の軸方向の酸素濃度プロファイルに基づいて、その傾度
と逆の傾度となるようにルツボ回転数の傾度を制御する
ことにより、シリコン単結晶の軸方向の酸素濃度分布を
一定の範囲内に制御するものが開示されている。また、
特開昭６４−６１３８３号公報には、単結晶引上げ装置
において、ルツボ内融液の液面上を流れる不活性ガスの
流速を制御することで、単結晶の酸素濃度を制御する方
法が開示されている。
【０００３】ところで最近、通常のＣＺ法に代わる単結
晶引上げ法として、上記マルチプルＣＺ法（ＲＣＣＺ
法：Recharge ＣＺ法）、または連続チャージ引上げ法
（ＣＣＣＺ法：Continuous-Charging ＣＺ法）が開発さ
れている。マルチプルＣＺ法は、シリコン単結晶の引上
げを終了した後のルツボ内残留融液を固化させることな
く、原料多結晶を再充填して再度引上げを行う操作を繰
り返すことにより、同じルツボから複数本のシリコン単
結晶を引き上げる方法である。連続チャージ引上げ法
は、原料のシリコン融液または粒状多結晶を連続的にル
ツボにチャージすることにより、ルツボ内の融液量を一
定に保ちながら単結晶の引上げを継続するものである
（志村 史夫：「半導体シリコン結晶工学」、丸善
（株）を参照）。
晶引上げ法として、上記マルチプルＣＺ法（ＲＣＣＺ
法：Recharge ＣＺ法）、または連続チャージ引上げ法
（ＣＣＣＺ法：Continuous-Charging ＣＺ法）が開発さ
れている。マルチプルＣＺ法は、シリコン単結晶の引上
げを終了した後のルツボ内残留融液を固化させることな
く、原料多結晶を再充填して再度引上げを行う操作を繰
り返すことにより、同じルツボから複数本のシリコン単
結晶を引き上げる方法である。連続チャージ引上げ法
は、原料のシリコン融液または粒状多結晶を連続的にル
ツボにチャージすることにより、ルツボ内の融液量を一
定に保ちながら単結晶の引上げを継続するものである
（志村 史夫：「半導体シリコン結晶工学」、丸善
（株）を参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、本発明者は
これらマルチプルＣＺ法、連続チャージ引上げ法では原
材料の歩留りおよび単結晶の生産性が向上する利点があ
るものの、ＣＺ法（通常のＣＺ法）と同様に、引上げ操
業時間（多結晶溶融完了直後からの経過時間をいう、以
下同じ）の経過とともに引上げ中のシリコン単結晶中の
酸素濃度が軸方向で次第に低下することを発見した。す
なわち、引上げ操業時間が長くなることで、同一装置・
同一操作条件で引上げた場合でも、（１）ＣＺ法および
マルチプルＣＺ法では、操業時間が異なる複数本のシリ
コン単結晶を比較した場合、同一成長位置（シリコン単
結晶の軸方向において同一の位置）の酸素濃度（Ｏｉ）
が引上げ操業時間の経過とともに低下し、（２）連続チ
ャージ引上げ法では、引上げ操業時間の経過とともにシ
リコン単結晶中の酸素濃度が低下する結果、引き上げら
れたシリコン単結晶における軸方向の酸素濃度が、軸方
向に漸減することを確認した。引上げ操業時間が異なる
複数本のシリコン単結晶が発生する理由としては、結晶
の有転位化等の理由により引上げ中の結晶を再度溶融
し、再び結晶の引上げを行うこと、引上げ結晶の次数
（次数とは、同じ石英ルツボから複数本のシリコン単結
晶を引上げる場合に、単結晶の引上げを完了する本数を
示す。）が違うこと、その他が挙げられる。
これらマルチプルＣＺ法、連続チャージ引上げ法では原
材料の歩留りおよび単結晶の生産性が向上する利点があ
るものの、ＣＺ法（通常のＣＺ法）と同様に、引上げ操
業時間（多結晶溶融完了直後からの経過時間をいう、以
下同じ）の経過とともに引上げ中のシリコン単結晶中の
酸素濃度が軸方向で次第に低下することを発見した。す
なわち、引上げ操業時間が長くなることで、同一装置・
同一操作条件で引上げた場合でも、（１）ＣＺ法および
マルチプルＣＺ法では、操業時間が異なる複数本のシリ
コン単結晶を比較した場合、同一成長位置（シリコン単
結晶の軸方向において同一の位置）の酸素濃度（Ｏｉ）
が引上げ操業時間の経過とともに低下し、（２）連続チ
ャージ引上げ法では、引上げ操業時間の経過とともにシ
リコン単結晶中の酸素濃度が低下する結果、引き上げら
れたシリコン単結晶における軸方向の酸素濃度が、軸方
向に漸減することを確認した。引上げ操業時間が異なる
複数本のシリコン単結晶が発生する理由としては、結晶
の有転位化等の理由により引上げ中の結晶を再度溶融
し、再び結晶の引上げを行うこと、引上げ結晶の次数
（次数とは、同じ石英ルツボから複数本のシリコン単結
晶を引上げる場合に、単結晶の引上げを完了する本数を
示す。）が違うこと、その他が挙げられる。
【０００５】本発明は上記知見に基づくもので、その目
的は、ＣＺ法またはマルチプルＣＺ法にあっては、引き
上げられたシリコン単結晶の同一成長位置の酸素濃度
を、引上げ操業時間の経過に関わらず所望の範囲内に制
御することであり、連続チャージ引上げ法では、引き上
げられたシリコン単結晶における軸方向の酸素濃度分布
を、引上げ操業時間の経過に関わらず所望の範囲内に制
御することである。
的は、ＣＺ法またはマルチプルＣＺ法にあっては、引き
上げられたシリコン単結晶の同一成長位置の酸素濃度
を、引上げ操業時間の経過に関わらず所望の範囲内に制
御することであり、連続チャージ引上げ法では、引き上
げられたシリコン単結晶における軸方向の酸素濃度分布
を、引上げ操業時間の経過に関わらず所望の範囲内に制
御することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載のシリコ
ン単結晶中の酸素濃度制御方法は、石英製ルツボを備え
た引上げ装置を用いて、シリコン単結晶をＣＺ法により
引き上げる方法において、（１）同一装置・同一操作条
件下で引上げを行った場合の引上げ操業時間と、シリコ
ン単結晶における同一成長位置の酸素濃度との関係を、
前記ルツボの回転数をパラメータとして求め、（２）あ
らかじめ設定した、シリコン単結晶における同一成長位
置の所望の酸素濃度範囲と、前記引上げ操業時間と酸素
濃度との関係から前記ルツボの回転数を設定するととも
に、該回転数以外の条件は、前記関係を求めたときと同
一装置・同一操作条件として引上げを行うことにより、
シリコン単結晶における同一成長位置の酸素濃度が、結
晶の有転位化等の理由により引上げ中の結晶を再度溶融
し、再び結晶の引上げを行う場合などにおいて、引上げ
操業時間の経過に伴って低下するのを抑制することを特
徴とする。
ン単結晶中の酸素濃度制御方法は、石英製ルツボを備え
た引上げ装置を用いて、シリコン単結晶をＣＺ法により
引き上げる方法において、（１）同一装置・同一操作条
件下で引上げを行った場合の引上げ操業時間と、シリコ
ン単結晶における同一成長位置の酸素濃度との関係を、
前記ルツボの回転数をパラメータとして求め、（２）あ
らかじめ設定した、シリコン単結晶における同一成長位
置の所望の酸素濃度範囲と、前記引上げ操業時間と酸素
濃度との関係から前記ルツボの回転数を設定するととも
に、該回転数以外の条件は、前記関係を求めたときと同
一装置・同一操作条件として引上げを行うことにより、
シリコン単結晶における同一成長位置の酸素濃度が、結
晶の有転位化等の理由により引上げ中の結晶を再度溶融
し、再び結晶の引上げを行う場合などにおいて、引上げ
操業時間の経過に伴って低下するのを抑制することを特
徴とする。
【０００７】請求項２に記載のシリコン単結晶中の酸素
濃度制御方法は、石英製ルツボと該ルツボの側壁を加熱
する加熱ヒータとを備えた引上げ装置を用いて、シリコ
ン単結晶をＣＺ法により引き上げる方法において、
（１）同一装置・同一操作条件下で引上げを行った場合
の引上げ操業時間と、シリコン単結晶における同一成長
位置の酸素濃度との関係を、前記ルツボの上端部と加熱
ヒータの発熱中心との上下方向の離間距離をパラメータ
として求め、（２）あらかじめ設定した、シリコン単結
晶における同一成長位置の所望の酸素濃度範囲と、前記
引上げ操業時間と酸素濃度との関係から前記上下方向の
離間距離を設定するとともに、該離間距離以外の条件
は、前記関係を求めたときと同一装置・同一操作条件と
して引上げを行うことにより、シリコン単結晶における
同一成長位置の酸素濃度が、結晶の有転位化等の理由に
より引上げ中の結晶を再度溶融し、再び結晶の引上げを
行う場合などにおいて、引上げ操業時間の経過に伴って
低下するのを抑制することを特徴とする。
濃度制御方法は、石英製ルツボと該ルツボの側壁を加熱
する加熱ヒータとを備えた引上げ装置を用いて、シリコ
ン単結晶をＣＺ法により引き上げる方法において、
（１）同一装置・同一操作条件下で引上げを行った場合
の引上げ操業時間と、シリコン単結晶における同一成長
位置の酸素濃度との関係を、前記ルツボの上端部と加熱
ヒータの発熱中心との上下方向の離間距離をパラメータ
として求め、（２）あらかじめ設定した、シリコン単結
晶における同一成長位置の所望の酸素濃度範囲と、前記
引上げ操業時間と酸素濃度との関係から前記上下方向の
離間距離を設定するとともに、該離間距離以外の条件
は、前記関係を求めたときと同一装置・同一操作条件と
して引上げを行うことにより、シリコン単結晶における
同一成長位置の酸素濃度が、結晶の有転位化等の理由に
より引上げ中の結晶を再度溶融し、再び結晶の引上げを
行う場合などにおいて、引上げ操業時間の経過に伴って
低下するのを抑制することを特徴とする。
【０００８】請求項３に記載のシリコン単結晶中の酸素
濃度制御方法は、石英製ルツボを備えた引上げ装置を用
いて、シリコン単結晶をマルチプルＣＺ法により引き上
げる方法において、（１）同一装置・同一操作条件下で
引上げを行った場合の引上げ操業時間と、シリコン単結
晶における同一成長位置の酸素濃度との関係を、前記ル
ツボの回転数をパラメータとして求め、（２）あらかじ
め設定した、シリコン単結晶における同一成長位置の所
望の酸素濃度範囲と、前記引上げ操業時間と酸素濃度と
の関係から前記ルツボの回転数を設定するとともに、該
回転数以外の条件は、前記関係を求めたときと同一装置
・同一操作条件として引上げを行うことにより、シリコ
ン単結晶における同一成長位置の酸素濃度が、結晶の有
転位化等の理由により引上げ中の結晶を再度溶融し、再
び結晶の引上げを行う場合や、引上げ結晶の次数が異な
る場合などにおいて、引上げ操業時間の経過に伴って低
下するのを抑制することを特徴とする。
濃度制御方法は、石英製ルツボを備えた引上げ装置を用
いて、シリコン単結晶をマルチプルＣＺ法により引き上
げる方法において、（１）同一装置・同一操作条件下で
引上げを行った場合の引上げ操業時間と、シリコン単結
晶における同一成長位置の酸素濃度との関係を、前記ル
ツボの回転数をパラメータとして求め、（２）あらかじ
め設定した、シリコン単結晶における同一成長位置の所
望の酸素濃度範囲と、前記引上げ操業時間と酸素濃度と
の関係から前記ルツボの回転数を設定するとともに、該
回転数以外の条件は、前記関係を求めたときと同一装置
・同一操作条件として引上げを行うことにより、シリコ
ン単結晶における同一成長位置の酸素濃度が、結晶の有
転位化等の理由により引上げ中の結晶を再度溶融し、再
び結晶の引上げを行う場合や、引上げ結晶の次数が異な
る場合などにおいて、引上げ操業時間の経過に伴って低
下するのを抑制することを特徴とする。
【０００９】請求項４に記載のシリコン単結晶中の酸素
濃度制御方法は、石英製ルツボと該ルツボの側壁を加熱
する加熱ヒータとを備えた引上げ装置を用いて、シリコ
ン単結晶をマルチプルＣＺ法により引き上げる方法にお
いて、（１）同一装置・同一操作条件下で引上げを行っ
た場合の引上げ操業時間と、シリコン単結晶における同
一成長位置の酸素濃度との関係を、前記ルツボの上端部
と加熱ヒータの発熱中心との上下方向の離間距離をパラ
メータとして求め、（２）あらかじめ設定した、シリコ
ン単結晶における同一成長位置の所望の酸素濃度範囲
と、前記引上げ操業時間と酸素濃度との関係から前記上
下方向の離間距離を設定するとともに、該離間距離以外
の条件は、前記関係を求めたときと同一装置・同一操作
条件として引上げを行うことにより、シリコン単結晶に
おける同一成長位置の酸素濃度が、結晶の有転位化等の
理由により引上げ中の結晶を再度溶融し、再び結晶の引
上げを行う場合や、引上げ結晶の次数が異なる場合など
において、引上げ操業時間の経過に伴って低下するのを
抑制することを特徴とする。
濃度制御方法は、石英製ルツボと該ルツボの側壁を加熱
する加熱ヒータとを備えた引上げ装置を用いて、シリコ
ン単結晶をマルチプルＣＺ法により引き上げる方法にお
いて、（１）同一装置・同一操作条件下で引上げを行っ
た場合の引上げ操業時間と、シリコン単結晶における同
一成長位置の酸素濃度との関係を、前記ルツボの上端部
と加熱ヒータの発熱中心との上下方向の離間距離をパラ
メータとして求め、（２）あらかじめ設定した、シリコ
ン単結晶における同一成長位置の所望の酸素濃度範囲
と、前記引上げ操業時間と酸素濃度との関係から前記上
下方向の離間距離を設定するとともに、該離間距離以外
の条件は、前記関係を求めたときと同一装置・同一操作
条件として引上げを行うことにより、シリコン単結晶に
おける同一成長位置の酸素濃度が、結晶の有転位化等の
理由により引上げ中の結晶を再度溶融し、再び結晶の引
上げを行う場合や、引上げ結晶の次数が異なる場合など
において、引上げ操業時間の経過に伴って低下するのを
抑制することを特徴とする。
【００１０】請求項５に記載のシリコン単結晶中の酸素
濃度制御方法は、石英製ルツボを備えた引上げ装置を用
いて、シリコン単結晶を連続チャージ引上げ法により引
き上げる方法において、（１）同一装置・同一操作条件
下で引上げを行った場合の引上げ操業時間と、該操業時
間が経過した時刻に対応するシリコン単結晶における成
長位置の酸素濃度との関係を、前記ルツボの回転数をパ
ラメータとして求め、（２）あらかじめ設定した、シリ
コン単結晶における軸方向の所望酸素濃度範囲と、前記
引上げ操業時間と酸素濃度との関係から、引上げ開始後
の経過時間と前記ルツボの回転数との関係を設定すると
ともに、該回転数以外の条件は、前記関係を求めたとき
と同一装置・同一操作条件として引上げを行うことによ
り、シリコン単結晶中の引上げ軸方向の酸素濃度が引上
げ操業時間の経過に伴って低下するのを抑制することを
特徴とする。
濃度制御方法は、石英製ルツボを備えた引上げ装置を用
いて、シリコン単結晶を連続チャージ引上げ法により引
き上げる方法において、（１）同一装置・同一操作条件
下で引上げを行った場合の引上げ操業時間と、該操業時
間が経過した時刻に対応するシリコン単結晶における成
長位置の酸素濃度との関係を、前記ルツボの回転数をパ
ラメータとして求め、（２）あらかじめ設定した、シリ
コン単結晶における軸方向の所望酸素濃度範囲と、前記
引上げ操業時間と酸素濃度との関係から、引上げ開始後
の経過時間と前記ルツボの回転数との関係を設定すると
ともに、該回転数以外の条件は、前記関係を求めたとき
と同一装置・同一操作条件として引上げを行うことによ
り、シリコン単結晶中の引上げ軸方向の酸素濃度が引上
げ操業時間の経過に伴って低下するのを抑制することを
特徴とする。
【００１１】請求項６に記載のシリコン単結晶中の酸素
濃度制御方法は、石英製ルツボと該ルツボの側壁を加熱
する加熱ヒータとを備えた引上げ装置を用いて、シリコ
ン単結晶を連続チャージ引上げ法により引き上げる方法
において、（１）同一装置・同一操作条件下で引上げを
行った場合の引上げ操業時間と、該操業時間が経過した
時刻に対応するシリコン単結晶における成長位置の酸素
濃度との関係を、前記ルツボの上端部と加熱ヒータの発
熱中心との上下方向の離間距離をパラメータとして求
め、（２）あらかじめ設定した、シリコン単結晶におけ
る軸方向の所望酸素濃度範囲と、前記引上げ操業時間と
酸素濃度との関係から、引上げ開始後の経過時間と前記
上下方向の離間距離との関係を設定するとともに、該離
間距離以外の条件は、前記関係を求めたときと同一装置
・同一操作条件として引上げを行うことにより、シリコ
ン単結晶中の引上げ軸方向の酸素濃度が操業時間の経過
に伴って低下するのを抑制することを特徴とする。
濃度制御方法は、石英製ルツボと該ルツボの側壁を加熱
する加熱ヒータとを備えた引上げ装置を用いて、シリコ
ン単結晶を連続チャージ引上げ法により引き上げる方法
において、（１）同一装置・同一操作条件下で引上げを
行った場合の引上げ操業時間と、該操業時間が経過した
時刻に対応するシリコン単結晶における成長位置の酸素
濃度との関係を、前記ルツボの上端部と加熱ヒータの発
熱中心との上下方向の離間距離をパラメータとして求
め、（２）あらかじめ設定した、シリコン単結晶におけ
る軸方向の所望酸素濃度範囲と、前記引上げ操業時間と
酸素濃度との関係から、引上げ開始後の経過時間と前記
上下方向の離間距離との関係を設定するとともに、該離
間距離以外の条件は、前記関係を求めたときと同一装置
・同一操作条件として引上げを行うことにより、シリコ
ン単結晶中の引上げ軸方向の酸素濃度が操業時間の経過
に伴って低下するのを抑制することを特徴とする。
【００１２】請求項１，３，５に記載の発明は、同一装
置・同一操作条件下で引上げを行った場合のシリコン単
結晶中の酸素濃度の低下を、ルツボ回転数を増大させる
ことにより補償するものである。
置・同一操作条件下で引上げを行った場合のシリコン単
結晶中の酸素濃度の低下を、ルツボ回転数を増大させる
ことにより補償するものである。
【００１３】請求項２，４，６の発明は、同一装置・同
一操作条件下で引上げを行った場合のシリコン単結晶中
の酸素濃度の低下を、ルツボの上端部と加熱ヒータの発
熱中心との上下方向の離間距離を増大することにより補
償するものである。
一操作条件下で引上げを行った場合のシリコン単結晶中
の酸素濃度の低下を、ルツボの上端部と加熱ヒータの発
熱中心との上下方向の離間距離を増大することにより補
償するものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の構成および効果を
図面に基づいて説明する。 実施の形態１ 図１は、ＣＺ法（通常ＣＺ法）またはマルチプルＣＺ法
によるシリコン単結晶引上げ装置の要部構造を示す概略
断面図である。この引上げ装置においてステンレス製の
円筒状チャンバー１内に、内周側が石英からなり外周側
が黒鉛からなるルツボ２が、鉛直方向に設けた支持軸３
で支持されている。ルツボ２の周囲には、炭素材からな
る円筒状の加熱ヒータ４が配備され、この加熱ヒータ４
の周囲には同じく炭素材からなる円筒状の断熱材５が配
備されている。前記支持軸３（従ってルツボ２）は、制
御機構を備えた回転駆動装置（図示せず）により回転可
能、かつ回転数が微調整可能となっている。前記加熱ヒ
ータ４は、制御機構を備えたおよびスライド機構（図示
せず）により上下動可能、かつ上下方向の位置が微調整
可能となっている。
図面に基づいて説明する。 実施の形態１ 図１は、ＣＺ法（通常ＣＺ法）またはマルチプルＣＺ法
によるシリコン単結晶引上げ装置の要部構造を示す概略
断面図である。この引上げ装置においてステンレス製の
円筒状チャンバー１内に、内周側が石英からなり外周側
が黒鉛からなるルツボ２が、鉛直方向に設けた支持軸３
で支持されている。ルツボ２の周囲には、炭素材からな
る円筒状の加熱ヒータ４が配備され、この加熱ヒータ４
の周囲には同じく炭素材からなる円筒状の断熱材５が配
備されている。前記支持軸３（従ってルツボ２）は、制
御機構を備えた回転駆動装置（図示せず）により回転可
能、かつ回転数が微調整可能となっている。前記加熱ヒ
ータ４は、制御機構を備えたおよびスライド機構（図示
せず）により上下動可能、かつ上下方向の位置が微調整
可能となっている。
【００１５】チャンバー１の上方には、ステンレス製の
円筒状プルチャンバー６が、チャンバー１と同心状に連
結して設けられ、これらチャンバー１とプルチャンバー
６との接続部には、アイソレーションバルブ７が配備さ
れている。プルチャンバー６は、引き上げられたシリコ
ン単結晶を収容し、かつ外部に取り出すための空間を形
成している。プルチャンバー６の上方には、シリコン単
結晶の巻上げ装置（図示せず）が、鉛直軸を中心として
回転可能に配備されている。この巻上げ装置からはワイ
ヤー８が吊下され、このワイヤー８の下端には種保持治
具９により種結晶１０が取り付けられている。プルチャ
ンバー６の上部にはＡｒ等の不活性ガスの供給口１１
が、チャンバー１の底部には不活性ガスの排気口１２が
それぞれ設けられている。この排気口１２は真空発生装
置（図示せず）に連絡され、チャンバー１およびプルチ
ャンバー６内を所定の真空度に維持できるようになって
いる。
円筒状プルチャンバー６が、チャンバー１と同心状に連
結して設けられ、これらチャンバー１とプルチャンバー
６との接続部には、アイソレーションバルブ７が配備さ
れている。プルチャンバー６は、引き上げられたシリコ
ン単結晶を収容し、かつ外部に取り出すための空間を形
成している。プルチャンバー６の上方には、シリコン単
結晶の巻上げ装置（図示せず）が、鉛直軸を中心として
回転可能に配備されている。この巻上げ装置からはワイ
ヤー８が吊下され、このワイヤー８の下端には種保持治
具９により種結晶１０が取り付けられている。プルチャ
ンバー６の上部にはＡｒ等の不活性ガスの供給口１１
が、チャンバー１の底部には不活性ガスの排気口１２が
それぞれ設けられている。この排気口１２は真空発生装
置（図示せず）に連絡され、チャンバー１およびプルチ
ャンバー６内を所定の真空度に維持できるようになって
いる。
【００１６】実施の形態２ 図２は、連続チャージ引上げ法によるシリコン単結晶引
上げ装置の要部構造を示す概略断面図である。この装置
のチャンバー１内には、連続チャージ引上げ法によるシ
リコン単結晶の引上げを可能とするための装置を配備し
てある。その他の構成は、図１の装置と同様である。す
なわち、外径がルツボ２の内径より小さい石英製の円筒
状隔壁２１がルツボ２と同心状に設けられ、チャンバー
１の外部上方には、粒状多結晶シリコンの供給装置３１
が設けられている。この供給装置３１は粒状多結晶シリ
コン４１のコンテナ３２、該コンテナ３２の下端部に連
結配備した振動フィーダ３３、これらコンテナ３２およ
び振動フィーダ３３を密閉状態で収容する密閉室（開閉
蓋付き）３４、振動フィーダ３３の出口に接続した石英
製の供給管３５等を備えて構成されている。供給管３５
の下半部はチャンバー１に挿入され、その下端部はルツ
ボ２と前記隔壁２１との間隙に挿入されている。前記密
閉室３４の上部にはＡｒガス等の不活性ガスの供給口３
４ａが、下部には不活性ガスの排気口３４ｂがそれぞれ
開口されている。なお、図１および図２において５１は
シリコン融液、５２は引上げ途中のシリコン単結晶であ
る。
上げ装置の要部構造を示す概略断面図である。この装置
のチャンバー１内には、連続チャージ引上げ法によるシ
リコン単結晶の引上げを可能とするための装置を配備し
てある。その他の構成は、図１の装置と同様である。す
なわち、外径がルツボ２の内径より小さい石英製の円筒
状隔壁２１がルツボ２と同心状に設けられ、チャンバー
１の外部上方には、粒状多結晶シリコンの供給装置３１
が設けられている。この供給装置３１は粒状多結晶シリ
コン４１のコンテナ３２、該コンテナ３２の下端部に連
結配備した振動フィーダ３３、これらコンテナ３２およ
び振動フィーダ３３を密閉状態で収容する密閉室（開閉
蓋付き）３４、振動フィーダ３３の出口に接続した石英
製の供給管３５等を備えて構成されている。供給管３５
の下半部はチャンバー１に挿入され、その下端部はルツ
ボ２と前記隔壁２１との間隙に挿入されている。前記密
閉室３４の上部にはＡｒガス等の不活性ガスの供給口３
４ａが、下部には不活性ガスの排気口３４ｂがそれぞれ
開口されている。なお、図１および図２において５１は
シリコン融液、５２は引上げ途中のシリコン単結晶であ
る。
【００１７】〔試験例１〕次に、図１の引上げ装置を用
いて行ったＣＺ法（通常ＣＺ法）によるシリコン単結晶
の引上げ試験について説明する。まず、引上げ結晶Ｎ
ｏ．１（１バッチ目の結晶）では、前記真空発生装置を
駆動するとともに、不活性ガスを供給することにより、
チャンバー１内およびプルチャンバー６内の圧力を１０
０ｍｂａｒに維持した。この状態において、あらかじめ
ルツボ２に仕込んだ多結晶シリコンを加熱ヒータ４によ
り溶解させた。次に、ルツボ２内のシリコン融液５１の
表面にワイヤー８下端部の種結晶１０を浸漬し、ルツボ
２をＲ1 ｒｐｍで回転させ、ワイヤー８を回転させなが
ら所定の速度で引き上げた。以上の操作により、直径Ｄ
ｉインチ、全長Ｌｉインチのシリコン単結晶を製造し
た。この結晶の中心部引上げ時の引上げ操業時間はＴｉ
であった。
いて行ったＣＺ法（通常ＣＺ法）によるシリコン単結晶
の引上げ試験について説明する。まず、引上げ結晶Ｎ
ｏ．１（１バッチ目の結晶）では、前記真空発生装置を
駆動するとともに、不活性ガスを供給することにより、
チャンバー１内およびプルチャンバー６内の圧力を１０
０ｍｂａｒに維持した。この状態において、あらかじめ
ルツボ２に仕込んだ多結晶シリコンを加熱ヒータ４によ
り溶解させた。次に、ルツボ２内のシリコン融液５１の
表面にワイヤー８下端部の種結晶１０を浸漬し、ルツボ
２をＲ1 ｒｐｍで回転させ、ワイヤー８を回転させなが
ら所定の速度で引き上げた。以上の操作により、直径Ｄ
ｉインチ、全長Ｌｉインチのシリコン単結晶を製造し
た。この結晶の中心部引上げ時の引上げ操業時間はＴｉ
であった。
【００１８】引上げ結晶Ｎｏ．２（２バッチ目の結晶）
は、引上げ結晶Ｎｏ．１と同一条件で、これと同一寸法
のシリコン単結晶として製造した。ただし、多結晶シリ
コンの溶解後、一定時間放置してから単結晶の引上げを
開始した。この引上げ結晶Ｎｏ．２の中心部の引上げ操
業時間はＴ2 であった。さらに、引上げ結晶Ｎｏ．３〜
Ｎｏ．５を引上げ結晶Ｎｏ．１と同一条件で、これと同
一寸法のシリコン単結晶として製造した。引上げ結晶Ｎ
ｏ．１〜Ｎｏ．５は、多結晶シリコン溶解後の放置時間
が異なり、下記の試験において単結晶直胴中心部の引上
げ時の引上げ操業時間は、Ｔ1 ＜Ｔ2 ＜Ｔ3 ＜Ｔ4 ＜Ｔ
5 （数字は結晶Ｎｏ．を示す）となる。
は、引上げ結晶Ｎｏ．１と同一条件で、これと同一寸法
のシリコン単結晶として製造した。ただし、多結晶シリ
コンの溶解後、一定時間放置してから単結晶の引上げを
開始した。この引上げ結晶Ｎｏ．２の中心部の引上げ操
業時間はＴ2 であった。さらに、引上げ結晶Ｎｏ．３〜
Ｎｏ．５を引上げ結晶Ｎｏ．１と同一条件で、これと同
一寸法のシリコン単結晶として製造した。引上げ結晶Ｎ
ｏ．１〜Ｎｏ．５は、多結晶シリコン溶解後の放置時間
が異なり、下記の試験において単結晶直胴中心部の引上
げ時の引上げ操業時間は、Ｔ1 ＜Ｔ2 ＜Ｔ3 ＜Ｔ4 ＜Ｔ
5 （数字は結晶Ｎｏ．を示す）となる。
【００１９】〔試験例２〕次に、図１の引上げ装置を用
いて行った、マルチプルＣＺ法によるシリコン単結晶の
引上げ試験について説明する。まず、引上げ結晶Ｎｏ．
１１（１バッチ目の１本目で引上げた結晶）では、前記
真空発生装置を駆動するとともに、不活性ガスを供給す
ることにより、チャンバー１内およびプルチャンバー６
内の圧力を１００ｍｂａｒに維持した。この状態におい
て、あらかじめルツボ２に仕込んだ多結晶シリコンを加
熱ヒータ４により溶解させた。次に、ルツボ２内のシリ
コン融液５１の表面に、ワイヤー８下端部の種結晶１０
を浸漬し、ルツボ２をＲ1 ｒｐｍで回転させ、ワイヤー
８を回転させながら所定の速度で引き上げた。以上の操
作により、直径Ｄｉインチ、全長Ｌｉインチのシリコン
単結晶を製造した。
いて行った、マルチプルＣＺ法によるシリコン単結晶の
引上げ試験について説明する。まず、引上げ結晶Ｎｏ．
１１（１バッチ目の１本目で引上げた結晶）では、前記
真空発生装置を駆動するとともに、不活性ガスを供給す
ることにより、チャンバー１内およびプルチャンバー６
内の圧力を１００ｍｂａｒに維持した。この状態におい
て、あらかじめルツボ２に仕込んだ多結晶シリコンを加
熱ヒータ４により溶解させた。次に、ルツボ２内のシリ
コン融液５１の表面に、ワイヤー８下端部の種結晶１０
を浸漬し、ルツボ２をＲ1 ｒｐｍで回転させ、ワイヤー
８を回転させながら所定の速度で引き上げた。以上の操
作により、直径Ｄｉインチ、全長Ｌｉインチのシリコン
単結晶を製造した。
【００２０】引上げ結晶Ｎｏ．１２（１バッチ目の２本
目で引上げた結晶）では、ルツボ２内に残留するシリコ
ンを溶融状態に維持し、この状態で多結晶シリコン４１
をルツボ２に追加投入し、ルツボ２内融液の液面を引上
げ結晶Ｎｏ．１１と同一にし、以下、引上げ結晶Ｎｏ．
１１と同一条件で引上げ結晶Ｎｏ．１２の操作を行い、
引上げ結晶Ｎｏ．１１と同一寸法のシリコン単結晶を製
造した。さらに、引上げ結晶Ｎｏ．１２と同一の操作を
繰り返すことにより、引上げ結晶Ｎｏ．１３〜１５の操
作を行い、引上げ結晶Ｎｏ．１１と同一寸法のシリコン
単結晶を製造した。
目で引上げた結晶）では、ルツボ２内に残留するシリコ
ンを溶融状態に維持し、この状態で多結晶シリコン４１
をルツボ２に追加投入し、ルツボ２内融液の液面を引上
げ結晶Ｎｏ．１１と同一にし、以下、引上げ結晶Ｎｏ．
１１と同一条件で引上げ結晶Ｎｏ．１２の操作を行い、
引上げ結晶Ｎｏ．１１と同一寸法のシリコン単結晶を製
造した。さらに、引上げ結晶Ｎｏ．１２と同一の操作を
繰り返すことにより、引上げ結晶Ｎｏ．１３〜１５の操
作を行い、引上げ結晶Ｎｏ．１１と同一寸法のシリコン
単結晶を製造した。
【００２１】次に、ルツボ２の回転数をＲ1 からＲ
2 （ただし、Ｒ2 ＞Ｒ1 ）に変えた以外は引上げ結晶Ｎ
ｏ．１１と同一の条件で、引上げ結晶Ｎｏ．２１〜２５
（２バッチ目の１本目から５本目に引上げた結晶）の操
作を行い、以下同様に、ルツボ２の回転数をＲ3 ，
Ｒ4 ，Ｒ5 （ただし、Ｒ5 ＞Ｒ4 ＞Ｒ3 ＞Ｒ2 ）に変え
た以外は引上げ結晶Ｎｏ．１１と同一の条件で、引上げ
結晶Ｎｏ．３１〜３５、４１〜４５、５１〜５５（それ
ぞれ、３，４，５バッチ目の、１〜５本目に引上げた結
晶）の操作を行い、引上げ結晶Ｎｏ．１１と同一寸法の
シリコン単結晶を製造した。
2 （ただし、Ｒ2 ＞Ｒ1 ）に変えた以外は引上げ結晶Ｎ
ｏ．１１と同一の条件で、引上げ結晶Ｎｏ．２１〜２５
（２バッチ目の１本目から５本目に引上げた結晶）の操
作を行い、以下同様に、ルツボ２の回転数をＲ3 ，
Ｒ4 ，Ｒ5 （ただし、Ｒ5 ＞Ｒ4 ＞Ｒ3 ＞Ｒ2 ）に変え
た以外は引上げ結晶Ｎｏ．１１と同一の条件で、引上げ
結晶Ｎｏ．３１〜３５、４１〜４５、５１〜５５（それ
ぞれ、３，４，５バッチ目の、１〜５本目に引上げた結
晶）の操作を行い、引上げ結晶Ｎｏ．１１と同一寸法の
シリコン単結晶を製造した。
【００２２】このようにして得られたＣＺ法（通常ＣＺ
法）による５本のシリコン単結晶、およびマルチプルＣ
Ｚ法による２５本のシリコン単結晶について、その軸方
向および直径方向の中心部（直胴部の重心近傍）の酸素
濃度Ｏｉｃを測定した。結果は図３，４に示すとおり
で、ルツボ２の回転数をパラメータとする酸素濃度変化
曲線ｌ10（図３）およびｌ11〜ｌ15（図４）が得られ
た。すなわち図３，４は、引上げ操業時間が異なる複数
本のシリコン単結晶についての引上げ結晶Ｎｏ．と、同
一成長位置の酸素濃度との関係を、ルツボの回転数をパ
ラメータとして求めたものである。図３のｌ10および図
４のｌ11の傾きから、ＣＺ法（通常ＣＺ法）とマルチプ
ル法とで、引上げ操業時間とシリコン単結晶中の酸素濃
度の低下割合との関係が同一であることが確認できた。
また、図３，４から、（１）ルツボ２の回転数を一定に
した場合、あとで引上げられた結晶ほど（つまり引上げ
操業時間の経過に従って）、酸素濃度Ｏｉｃが低下する
こと、（２）引上げ操業時間が等しく、引上げバッチが
異なる単結晶を比較すると、ルツボ２の回転数が大きい
ほど、酸素濃度Ｏｉｃが高くなることが分かった。
法）による５本のシリコン単結晶、およびマルチプルＣ
Ｚ法による２５本のシリコン単結晶について、その軸方
向および直径方向の中心部（直胴部の重心近傍）の酸素
濃度Ｏｉｃを測定した。結果は図３，４に示すとおり
で、ルツボ２の回転数をパラメータとする酸素濃度変化
曲線ｌ10（図３）およびｌ11〜ｌ15（図４）が得られ
た。すなわち図３，４は、引上げ操業時間が異なる複数
本のシリコン単結晶についての引上げ結晶Ｎｏ．と、同
一成長位置の酸素濃度との関係を、ルツボの回転数をパ
ラメータとして求めたものである。図３のｌ10および図
４のｌ11の傾きから、ＣＺ法（通常ＣＺ法）とマルチプ
ル法とで、引上げ操業時間とシリコン単結晶中の酸素濃
度の低下割合との関係が同一であることが確認できた。
また、図３，４から、（１）ルツボ２の回転数を一定に
した場合、あとで引上げられた結晶ほど（つまり引上げ
操業時間の経過に従って）、酸素濃度Ｏｉｃが低下する
こと、（２）引上げ操業時間が等しく、引上げバッチが
異なる単結晶を比較すると、ルツボ２の回転数が大きい
ほど、酸素濃度Ｏｉｃが高くなることが分かった。
【００２３】したがって、目標の酸素濃度がＯｉｔ（ｐ
ｐｍａ）である場合には、図４のグラフにおいて、縦軸
の「Ｏｉｔ」の点を通り横軸に平行な直線Ｌを引き、こ
の直線Ｌと、各引上げ結晶Ｎｏ．を示す点を通り縦軸に
平行な直線との交点を通る前記酸素濃度変化曲線のルツ
ボ回転数ｒ1 〜ｒ5 （ただし、ｒ5 ＞ｒ4 ＞ｒ3 ＞ｒ2
＞ｒ1 ）を求め、各引上げ結晶Ｎｏ．の操作においては
ルツボ回転数をｒ1 〜ｒ5 に設定すれば、各引上げ結晶
Ｎｏ．で得られるシリコン単結晶の酸素濃度ＯｉｃをＯ
ｉｔに近い値にすることができる。なお、上記した交点
を通る酸素濃度変化曲線が存在しない場合には、酸素濃
度変化曲線ｌ11〜ｌ15を内挿または外挿することによ
り、望ましいルツボ回転数の近似値を求めればよい。
ｐｍａ）である場合には、図４のグラフにおいて、縦軸
の「Ｏｉｔ」の点を通り横軸に平行な直線Ｌを引き、こ
の直線Ｌと、各引上げ結晶Ｎｏ．を示す点を通り縦軸に
平行な直線との交点を通る前記酸素濃度変化曲線のルツ
ボ回転数ｒ1 〜ｒ5 （ただし、ｒ5 ＞ｒ4 ＞ｒ3 ＞ｒ2
＞ｒ1 ）を求め、各引上げ結晶Ｎｏ．の操作においては
ルツボ回転数をｒ1 〜ｒ5 に設定すれば、各引上げ結晶
Ｎｏ．で得られるシリコン単結晶の酸素濃度ＯｉｃをＯ
ｉｔに近い値にすることができる。なお、上記した交点
を通る酸素濃度変化曲線が存在しない場合には、酸素濃
度変化曲線ｌ11〜ｌ15を内挿または外挿することによ
り、望ましいルツボ回転数の近似値を求めればよい。
【００２４】以上の要領で求めた、「引上げ結晶Ｎｏ．
と望ましいルツボ回転数」との関係を図５に示す。すな
わち図５は、図４を基に作成した、シリコン単結晶中の
酸素濃度制御方法を示すグラフであって、引上げ操業時
間の異なる複数本のシリコン単結晶について、同一成長
位置の酸素濃度を所望の範囲内に制御する場合の、シリ
コン単結晶の引上げ結晶Ｎｏ．の引上げ操業時間におけ
るルツボ回転数の設定値との関係を示すものである。
と望ましいルツボ回転数」との関係を図５に示す。すな
わち図５は、図４を基に作成した、シリコン単結晶中の
酸素濃度制御方法を示すグラフであって、引上げ操業時
間の異なる複数本のシリコン単結晶について、同一成長
位置の酸素濃度を所望の範囲内に制御する場合の、シリ
コン単結晶の引上げ結晶Ｎｏ．の引上げ操業時間におけ
るルツボ回転数の設定値との関係を示すものである。
【００２５】次に、ルツボ２の回転数を図５に示すとお
りに設定し、その他の条件は引上げ結晶Ｎｏ．１１と同
一にして引上げ結晶Ｎｏ．６１〜６５の操作を行い、引
上げ結晶Ｎｏ．１１と同一寸法のシリコン単結晶を製造
した。引上げ操業時間の異なる５本のシリコン単結晶に
ついて、酸素濃度Ｏｉｃを測定した。結果は図５に併記
したとおりで、酸素濃度Ｏｉｃをほぼ目標値Ｏｉｔ±
１．０（ｐｐｍａ ＡＳＴＭ’７９、以下同じ）の範囲
内に制御することができた。
りに設定し、その他の条件は引上げ結晶Ｎｏ．１１と同
一にして引上げ結晶Ｎｏ．６１〜６５の操作を行い、引
上げ結晶Ｎｏ．１１と同一寸法のシリコン単結晶を製造
した。引上げ操業時間の異なる５本のシリコン単結晶に
ついて、酸素濃度Ｏｉｃを測定した。結果は図５に併記
したとおりで、酸素濃度Ｏｉｃをほぼ目標値Ｏｉｔ±
１．０（ｐｐｍａ ＡＳＴＭ’７９、以下同じ）の範囲
内に制御することができた。
【００２６】〔試験例３〕試験例２では、ルツボ２の回
転数と酸素濃度Ｏｉｃとの関係を検討したが、この試験
例３では、複数本のシリコン単結晶についての引上げ結
晶Ｎｏ．と、同一成長位置の酸素濃度との関係を、ルツ
ボ２の上端部と加熱ヒータ４の発熱中心Ｈｃとの上下方
向の離間距離Ｄ（図１を参照）をパラメータとして求め
た。この場合、全ての引上げ結晶Ｎｏ．でルツボ２の回
転数をＲｒｐｍとし、ＣＺ法（通常ＣＺ法）での引上げ
結晶Ｎｏ．１０１〜１０５では離間距離ＤをＤ1 に、マ
ルチプルＣＺ法による引上げ結晶Ｎｏ．１１１〜１１５
では離間距離ＤをＤ1 に、引上げ結晶Ｎｏ．１２１〜１
２５では離間距離ＤをＤ2 に、引上げ結晶Ｎｏ．１３１
〜１３５では離間距離ＤをＤ3 に、引上げ結晶Ｎｏ．１
４１〜１４５では離間距離ＤをＤ4 に、引上げ結晶Ｎ
ｏ．１５１〜１５５では前記離間距離ＤをＤ5 に、それ
ぞれ設定し（ただし、Ｄ5 ＞Ｄ4 ＞Ｄ3 ＞Ｄ2 ＞
Ｄ1 ）、その他の操作条件は試験例１と同一にして直径
Ｄｉインチ、全長Ｌｉインチのシリコン単結晶をＣＺ法
（通常ＣＺ法）で５本、マルチプルＣＺ法で２５本それ
ぞれ製造した。この場合、前記離間距離Ｄの調節は、前
記スライド機構により加熱ヒータ４を上下方向に移動さ
せることで行った。
転数と酸素濃度Ｏｉｃとの関係を検討したが、この試験
例３では、複数本のシリコン単結晶についての引上げ結
晶Ｎｏ．と、同一成長位置の酸素濃度との関係を、ルツ
ボ２の上端部と加熱ヒータ４の発熱中心Ｈｃとの上下方
向の離間距離Ｄ（図１を参照）をパラメータとして求め
た。この場合、全ての引上げ結晶Ｎｏ．でルツボ２の回
転数をＲｒｐｍとし、ＣＺ法（通常ＣＺ法）での引上げ
結晶Ｎｏ．１０１〜１０５では離間距離ＤをＤ1 に、マ
ルチプルＣＺ法による引上げ結晶Ｎｏ．１１１〜１１５
では離間距離ＤをＤ1 に、引上げ結晶Ｎｏ．１２１〜１
２５では離間距離ＤをＤ2 に、引上げ結晶Ｎｏ．１３１
〜１３５では離間距離ＤをＤ3 に、引上げ結晶Ｎｏ．１
４１〜１４５では離間距離ＤをＤ4 に、引上げ結晶Ｎ
ｏ．１５１〜１５５では前記離間距離ＤをＤ5 に、それ
ぞれ設定し（ただし、Ｄ5 ＞Ｄ4 ＞Ｄ3 ＞Ｄ2 ＞
Ｄ1 ）、その他の操作条件は試験例１と同一にして直径
Ｄｉインチ、全長Ｌｉインチのシリコン単結晶をＣＺ法
（通常ＣＺ法）で５本、マルチプルＣＺ法で２５本それ
ぞれ製造した。この場合、前記離間距離Ｄの調節は、前
記スライド機構により加熱ヒータ４を上下方向に移動さ
せることで行った。
【００２７】このようにして得られたＣＺ法（通常ＣＺ
法）での５本および、マルチプルＣＺ法で２５本のシリ
コン単結晶について、直胴部の重心近傍の酸素濃度Ｏｉ
ｃを測定した。結果は図６，７に示すとおりで、前記離
間距離をパラメータとする酸素濃度変化曲線ｌ20（図
６）および、ｌ21〜ｌ25（図７）が得られた。すなわち
図６，７は、引上げ操業時間が異なる複数本のシリコン
単結晶についての引上げ結晶Ｎｏ．と、同一成長位置の
酸素濃度との関係を前記離間距離をパラメータとして求
めたものである。図６のｌ20および図７のｌ21の傾きか
ら、ＣＺ法（通常ＣＺ法）とマルチプル法とで、引上げ
操業時間とシリコン単結晶中の酸素濃度の低下割合との
関係が同一であることが確認できた。また、図６，７か
ら、（１）前記離間距離を一定にした場合、あとに引き
上げられる結晶ほど（つまり引上げ操業時間の経過に従
って）、酸素濃度Ｏｉｃが低下すること、（２）引上げ
操業時間の経過が等しく、引上げバッチが異なるシリコ
ン単結晶を比較すると、前記離間距離が長いほど、酸素
濃度Ｏｉｃが高くなることが分かった。
法）での５本および、マルチプルＣＺ法で２５本のシリ
コン単結晶について、直胴部の重心近傍の酸素濃度Ｏｉ
ｃを測定した。結果は図６，７に示すとおりで、前記離
間距離をパラメータとする酸素濃度変化曲線ｌ20（図
６）および、ｌ21〜ｌ25（図７）が得られた。すなわち
図６，７は、引上げ操業時間が異なる複数本のシリコン
単結晶についての引上げ結晶Ｎｏ．と、同一成長位置の
酸素濃度との関係を前記離間距離をパラメータとして求
めたものである。図６のｌ20および図７のｌ21の傾きか
ら、ＣＺ法（通常ＣＺ法）とマルチプル法とで、引上げ
操業時間とシリコン単結晶中の酸素濃度の低下割合との
関係が同一であることが確認できた。また、図６，７か
ら、（１）前記離間距離を一定にした場合、あとに引き
上げられる結晶ほど（つまり引上げ操業時間の経過に従
って）、酸素濃度Ｏｉｃが低下すること、（２）引上げ
操業時間の経過が等しく、引上げバッチが異なるシリコ
ン単結晶を比較すると、前記離間距離が長いほど、酸素
濃度Ｏｉｃが高くなることが分かった。
【００２８】したがって、目標の酸素濃度がＯｉｔ（ｐ
ｐｍａ）である場合には、図７のグラフにおいて、縦軸
の「Ｏｉｔ」の点を通り横軸に平行な直線Ｌを引き、こ
の直線Ｌと、各引上げ結晶Ｎｏ．を示す点を通り縦軸に
平行な直線との交点を通る前記酸素濃度変化曲線の離間
距離ｄ1 〜ｄ5 （ただし、ｄ5 ＞ｄ4 ＞ｄ3 ＞ｄ2 ＞ｄ
1 ）を求め、各引上げ結晶Ｎｏ．の操作においては離間
距離をｄ1 〜ｄ5 に設定すれば、各引上げ結晶Ｎｏ．で
得られるシリコン単結晶の酸素濃度ＯｉｃをＯｉｔに近
い値にすることができる。なお、上記した交点を通る酸
素濃度変化曲線が存在しない場合には、酸素濃度変化曲
線ｌ21〜ｌ25を内挿または外挿することにより、望まし
い離間距離の近似値を求めればよい。
ｐｍａ）である場合には、図７のグラフにおいて、縦軸
の「Ｏｉｔ」の点を通り横軸に平行な直線Ｌを引き、こ
の直線Ｌと、各引上げ結晶Ｎｏ．を示す点を通り縦軸に
平行な直線との交点を通る前記酸素濃度変化曲線の離間
距離ｄ1 〜ｄ5 （ただし、ｄ5 ＞ｄ4 ＞ｄ3 ＞ｄ2 ＞ｄ
1 ）を求め、各引上げ結晶Ｎｏ．の操作においては離間
距離をｄ1 〜ｄ5 に設定すれば、各引上げ結晶Ｎｏ．で
得られるシリコン単結晶の酸素濃度ＯｉｃをＯｉｔに近
い値にすることができる。なお、上記した交点を通る酸
素濃度変化曲線が存在しない場合には、酸素濃度変化曲
線ｌ21〜ｌ25を内挿または外挿することにより、望まし
い離間距離の近似値を求めればよい。
【００２９】以上の要領で求めた「引上げ結晶Ｎｏ．と
望ましい離間距離との関係」を図８に示す。すなわち図
８は図７を基に作成した、シリコン単結晶中の酸素濃度
制御方法を示すグラフであって、複数本のシリコン単結
晶について、同一成長位置の酸素濃度を所望の範囲内に
制御する場合の、シリコン単結晶の引上げ結晶Ｎｏ．
と、該結晶Ｎｏ．における前記離間距離の設定値との関
係を示すものである。
望ましい離間距離との関係」を図８に示す。すなわち図
８は図７を基に作成した、シリコン単結晶中の酸素濃度
制御方法を示すグラフであって、複数本のシリコン単結
晶について、同一成長位置の酸素濃度を所望の範囲内に
制御する場合の、シリコン単結晶の引上げ結晶Ｎｏ．
と、該結晶Ｎｏ．における前記離間距離の設定値との関
係を示すものである。
【００３０】次に、前記離間距離を図８に示すとおりに
設定し、その他の条件は引上げ結晶Ｎｏ．１１１と同一
にして引上げ結晶Ｎｏ．１６１〜１６５の操作を行い、
引上げ結晶Ｎｏ．１１１と同一寸法のシリコン単結晶を
製造した。引上げ操業時間の異なる５本のシリコン単結
晶について、酸素濃度Ｏｉｃを測定した。結果は図８に
併記したとおりで、酸素濃度Ｏｉｃをほぼ目標値Ｏｉｔ
±１．０（ｐｐｍａ）の範囲内に制御することができ
た。
設定し、その他の条件は引上げ結晶Ｎｏ．１１１と同一
にして引上げ結晶Ｎｏ．１６１〜１６５の操作を行い、
引上げ結晶Ｎｏ．１１１と同一寸法のシリコン単結晶を
製造した。引上げ操業時間の異なる５本のシリコン単結
晶について、酸素濃度Ｏｉｃを測定した。結果は図８に
併記したとおりで、酸素濃度Ｏｉｃをほぼ目標値Ｏｉｔ
±１．０（ｐｐｍａ）の範囲内に制御することができ
た。
【００３１】〔試験例４〕図２は、連続チャージ引上げ
法によるシリコン単結晶引上げ装置の要部構造を示す概
略断面図である。この装置を用いて行ったシリコン単結
晶の引上げ試験例について説明する。まず、試験例１と
同様にルツボ２の回転数をＲ11〜Ｒ15（ただし、Ｒ15＞
Ｒ14＞Ｒ13＞Ｒ12＞Ｒ11）の５通りに変え、その他の操
作条件は同一に設定し直径Ｄｉインチ、全長Ｌｉインチ
のシリコン単結晶を合計５本製造した。これにより、引
上げ操業時間と、該操業時間が経過した時刻に対応する
シリコン単結晶における成長位置の酸素濃度Ｏｉとの関
係を、ルツボ２の回転数をパラメータとして求めた。こ
れを図９に示す。なお、引上げ操作中、多結晶シリコン
４１を連続的に投入することにより、ルツボ２内の融液
量を一定に制御した。また、チャンバー１内およびプル
チャンバー６内の圧力は、実施例１と同じく１００ｍｂ
ａｒに維持した。
法によるシリコン単結晶引上げ装置の要部構造を示す概
略断面図である。この装置を用いて行ったシリコン単結
晶の引上げ試験例について説明する。まず、試験例１と
同様にルツボ２の回転数をＲ11〜Ｒ15（ただし、Ｒ15＞
Ｒ14＞Ｒ13＞Ｒ12＞Ｒ11）の５通りに変え、その他の操
作条件は同一に設定し直径Ｄｉインチ、全長Ｌｉインチ
のシリコン単結晶を合計５本製造した。これにより、引
上げ操業時間と、該操業時間が経過した時刻に対応する
シリコン単結晶における成長位置の酸素濃度Ｏｉとの関
係を、ルツボ２の回転数をパラメータとして求めた。こ
れを図９に示す。なお、引上げ操作中、多結晶シリコン
４１を連続的に投入することにより、ルツボ２内の融液
量を一定に制御した。また、チャンバー１内およびプル
チャンバー６内の圧力は、実施例１と同じく１００ｍｂ
ａｒに維持した。
【００３２】次に、試験例１と同様の要領で図９のグラ
フから、図１０に示すように、引上げ開始後の経過時間
とルツボ回転数ｒ11〜ｒ15の関係を設定する（ただし、
ｒ15＞ｒ14＞13＞ｒ12＞ｒ11であり、前記経過時間が長
くなるに従ってルツボ回転数を増大する。）とともに、
該回転数以外の条件は、前記関係を求めたときと同一の
操作条件で引上げ操作を行った。その結果、図１０に併
記したとおり、酸素濃度Ｏｉｃをほぼ目標値Ｏｉｔ±
１．０（ｐｐｍａ）の範囲内に制御することができた。
フから、図１０に示すように、引上げ開始後の経過時間
とルツボ回転数ｒ11〜ｒ15の関係を設定する（ただし、
ｒ15＞ｒ14＞13＞ｒ12＞ｒ11であり、前記経過時間が長
くなるに従ってルツボ回転数を増大する。）とともに、
該回転数以外の条件は、前記関係を求めたときと同一の
操作条件で引上げ操作を行った。その結果、図１０に併
記したとおり、酸素濃度Ｏｉｃをほぼ目標値Ｏｉｔ±
１．０（ｐｐｍａ）の範囲内に制御することができた。
【００３３】〔試験例５〕図２の引上げ装置を用いて行
った、連続チャージ引上げ法によるシリコン単結晶の引
上げ試験の別例について説明する。この場合、全ての引
上げ結晶Ｎｏ．でルツボ２の回転数をＲｒｐｍとし、前
記離間距離をＤ11〜Ｄ15（ただし、Ｄ15＞Ｄ14＞Ｄ13＞
Ｄ12＞Ｄ11）の５通りに変え、その他の操作条件は試験
例４と同一に設定し直径Ｄｉインチ、全長Ｌｉインチの
シリコン単結晶を合計５本製造した。これにより、引上
げ操業時間と、該操業時間が経過した時刻に対応するシ
リコン単結晶における成長位置の酸素濃度Ｏｉとの関係
を、前記離間距離をパラメータとして求めた。これを図
１１に示す。なお、引上げ操作中、多結晶シリコン４１
を連続的に投入することにより、ルツボ２内の融液量を
一定に制御した。また、チャンバー１内およびプルチャ
ンバー６内の圧力は、実施例１と同じく１００ｍｂａｒ
に維持した。
った、連続チャージ引上げ法によるシリコン単結晶の引
上げ試験の別例について説明する。この場合、全ての引
上げ結晶Ｎｏ．でルツボ２の回転数をＲｒｐｍとし、前
記離間距離をＤ11〜Ｄ15（ただし、Ｄ15＞Ｄ14＞Ｄ13＞
Ｄ12＞Ｄ11）の５通りに変え、その他の操作条件は試験
例４と同一に設定し直径Ｄｉインチ、全長Ｌｉインチの
シリコン単結晶を合計５本製造した。これにより、引上
げ操業時間と、該操業時間が経過した時刻に対応するシ
リコン単結晶における成長位置の酸素濃度Ｏｉとの関係
を、前記離間距離をパラメータとして求めた。これを図
１１に示す。なお、引上げ操作中、多結晶シリコン４１
を連続的に投入することにより、ルツボ２内の融液量を
一定に制御した。また、チャンバー１内およびプルチャ
ンバー６内の圧力は、実施例１と同じく１００ｍｂａｒ
に維持した。
【００３４】次に、試験例１と同様の要領で図１１のグ
ラフから、図１２に示すように、引上げ開始後の経過時
間と離間距離ｄ11〜ｄ15の関係を設定する（ただし、ｄ
15＞ｄ14＞ｄ13＞ｄ12＞ｄ11であり、前記経過時間が長
くなるに従って離間距離を長くする。）とともに、該離
間距離以外の条件は、前記関係を求めたときと同一の操
作条件で引上げを行った。その結果、図１２に併記した
とおり、酸素濃度Ｏｉｃをほぼ目標値Ｏｉｔ±１．０
（ｐｐｍａ）の範囲内に制御することができた。
ラフから、図１２に示すように、引上げ開始後の経過時
間と離間距離ｄ11〜ｄ15の関係を設定する（ただし、ｄ
15＞ｄ14＞ｄ13＞ｄ12＞ｄ11であり、前記経過時間が長
くなるに従って離間距離を長くする。）とともに、該離
間距離以外の条件は、前記関係を求めたときと同一の操
作条件で引上げを行った。その結果、図１２に併記した
とおり、酸素濃度Ｏｉｃをほぼ目標値Ｏｉｔ±１．０
（ｐｐｍａ）の範囲内に制御することができた。
【００３５】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように 請求項
１，３，５に記載の発明では、同一装置・同一操作条件
下で引上げを行った場合のシリコン単結晶中の酸素濃度
の低下を、ルツボ回転数を増大させることにより補償す
るものであるから、ＣＺ法またはマルチプルＣＺ法にあ
っては、引き上げたシリコン単結晶の同一成長位置の酸
素濃度を、引上げ操業時間の長短に関わらず所望の範囲
内に制御することができるし、連続チャージ引上げ法で
は、引き上げられたシリコン単結晶における軸方向の酸
素濃度分布を、引上げ操業時間の長短に関わらず所望の
範囲内に制御することが可能となる。また請求項２，
４，６の発明では、同一装置・同一操作条件下で引上げ
を行った場合のシリコン単結晶中の酸素濃度の低下を、
ルツボの上端部と加熱ヒータの発熱中心との上下方向の
離間距離を増大することにより補償するものであるか
ら、ＣＺ法、マルチプルＣＺ法または連続チャージ引上
げ法による引上げにおいて請求項１，３，５と同様の優
れた効果が得られる。
１，３，５に記載の発明では、同一装置・同一操作条件
下で引上げを行った場合のシリコン単結晶中の酸素濃度
の低下を、ルツボ回転数を増大させることにより補償す
るものであるから、ＣＺ法またはマルチプルＣＺ法にあ
っては、引き上げたシリコン単結晶の同一成長位置の酸
素濃度を、引上げ操業時間の長短に関わらず所望の範囲
内に制御することができるし、連続チャージ引上げ法で
は、引き上げられたシリコン単結晶における軸方向の酸
素濃度分布を、引上げ操業時間の長短に関わらず所望の
範囲内に制御することが可能となる。また請求項２，
４，６の発明では、同一装置・同一操作条件下で引上げ
を行った場合のシリコン単結晶中の酸素濃度の低下を、
ルツボの上端部と加熱ヒータの発熱中心との上下方向の
離間距離を増大することにより補償するものであるか
ら、ＣＺ法、マルチプルＣＺ法または連続チャージ引上
げ法による引上げにおいて請求項１，３，５と同様の優
れた効果が得られる。
【図１】本発明の実施の形態１に係るもので、ＣＺ法
（通常ＣＺ法）またはマルチプルＣＺ法によるシリコン
単結晶引上げ装置の要部構造を示す概略断面図である。
（通常ＣＺ法）またはマルチプルＣＺ法によるシリコン
単結晶引上げ装置の要部構造を示す概略断面図である。
【図２】本発明の実施の形態２に係るもので、連続チャ
ージ引上げ法によるシリコン単結晶引上げ装置の要部構
造を示す概略断面図である。
ージ引上げ法によるシリコン単結晶引上げ装置の要部構
造を示す概略断面図である。
【図３】試験例１，２の結果を示すグラフである。
【図４】試験例１，２の結果を示すグラフである。
【図５】図４を基に作成された、本発明のシリコン単結
晶中の酸素濃度制御方法を示すグラフである。
晶中の酸素濃度制御方法を示すグラフである。
【図６】試験例３の結果を示すグラフである。
【図７】試験例３の結果を示すグラフである。
【図８】図７を基に作成された、本発明のシリコン単結
晶中の酸素濃度制御方法を示すグラフである。
晶中の酸素濃度制御方法を示すグラフである。
【図９】試験例４の結果を示すグラフである。
【図１０】図９を基に作成された、本発明のシリコン単
結晶中の酸素濃度制御方法を示すグラフである。
結晶中の酸素濃度制御方法を示すグラフである。
【図１１】試験例５の結果を示すグラフである。
【図１２】図１１を基に作成された、本発明のシリコン
単結晶中の酸素濃度制御方法を示すグラフである。
単結晶中の酸素濃度制御方法を示すグラフである。
１ チャンバー ２ ルツボ ３ 支持軸 ４ 加熱ヒータ ５ 断熱材 ６ プルチャンバー ７ アイソレーションバルブ ８ ワイヤー ９ 種保持治具 １０ 種結晶 １１，３４ａ 不活性ガスの供給口 １２，３４ｂ 不活性ガスの排気口 ２１ 隔壁 ３１ 多結晶シリコンの供給装置 ３２ コンテナ ３３ 振動フィーダ ３４ 密閉室 ３５ 供給管 ４１ 多結晶シリコン ５１ シリコン融液 ５２ シリコン単結晶
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩崎 淳 福井県武生市北府２丁目13番50号 信越半 導体株式会社武生工場内
Claims (6)
- 【請求項１】 石英製ルツボを備えた引上げ装置を用い
て、シリコン単結晶をＣＺ法により引き上げる方法にお
いて、 （１）同一装置・同一操作条件下で引上げを行った場合
の引上げ操業時間と、シリコン単結晶における同一成長
位置の酸素濃度との関係を、前記ルツボの回転数をパラ
メータとして求め、 （２）あらかじめ設定した、シリコン単結晶における同
一成長位置の所望の酸素濃度範囲と、前記引上げ操業時
間と酸素濃度との関係から前記ルツボの回転数を設定す
るとともに、該回転数以外の条件は、前記関係を求めた
ときと同一装置・同一操作条件として引上げを行うこと
により、シリコン単結晶における同一成長位置の酸素濃
度が引上げ操業時間の経過に伴って低下するのを抑制す
ることを特徴とするシリコン単結晶中の酸素濃度制御方
法。 - 【請求項２】 石英製ルツボと該ルツボの側壁を加熱す
る加熱ヒータとを備えた引上げ装置を用いて、シリコン
単結晶をＣＺ法により引き上げる方法において、 （１）同一装置・同一操作条件下で引上げを行った場合
の引上げ操業時間と、シリコン単結晶における同一成長
位置の酸素濃度との関係を、前記ルツボの上端部と加熱
ヒータの発熱中心との上下方向の離間距離をパラメータ
として求め、 （２）あらかじめ設定した、シリコン単結晶における同
一成長位置の所望の酸素濃度範囲と、前記引上げ操業時
間と酸素濃度との関係から前記上下方向の離間距離を設
定するとともに、該離間距離以外の条件は、前記関係を
求めたときと同一装置・同一操作条件として引上げを行
うことにより、シリコン単結晶における同一成長位置の
酸素濃度が引上げ操業時間の経過に伴って低下するのを
抑制することを特徴とするシリコン単結晶中の酸素濃度
制御方法。 - 【請求項３】 石英製ルツボを備えた引上げ装置を用い
て、シリコン単結晶をマルチプルＣＺ法により引き上げ
る方法において、 （１）同一装置・同一操作条件下で引上げを行った場合
の引上げ操業時間と、シリコン単結晶における同一成長
位置の酸素濃度との関係を、前記ルツボの回転数をパラ
メータとして求め、 （２）あらかじめ設定した、シリコン単結晶における同
一成長位置の所望の酸素濃度範囲と、前記引上げ操業時
間と酸素濃度との関係から前記ルツボの回転数を設定す
るとともに、該回転数以外の条件は、前記関係を求めた
ときと同一装置・同一操作条件として引上げを行うこと
により、シリコン単結晶における同一成長位置の酸素濃
度が引上げ操業時間の経過に伴って低下するのを抑制す
ることを特徴とするシリコン単結晶中の酸素濃度制御方
法。 - 【請求項４】 石英製ルツボと該ルツボの側壁を加熱す
る加熱ヒータとを備えた引上げ装置を用いて、シリコン
単結晶をマルチプルＣＺ法により引き上げる方法におい
て、 （１）同一装置・同一操作条件下で引上げを行った場合
の引上げ操業時間と、シリコン単結晶における同一成長
位置の酸素濃度との関係を、前記ルツボの上端部と加熱
ヒータの発熱中心との上下方向の離間距離をパラメータ
として求め、 （２）あらかじめ設定した、シリコン単結晶における同
一成長位置の所望の酸素濃度範囲と、前記引上げ操業時
間と酸素濃度との関係から前記上下方向の離間距離を設
定するとともに、該離間距離以外の条件は、前記関係を
求めたときと同一装置・同一操作条件として引上げを行
うことにより、シリコン単結晶における同一成長位置の
酸素濃度が引上げ操業時間の経過に伴って低下するのを
抑制することを特徴とするシリコン単結晶中の酸素濃度
制御方法。 - 【請求項５】 石英製ルツボを備えた引上げ装置を用い
て、シリコン単結晶を連続チャージ引上げ法により引き
上げる方法において、 （１）同一装置・同一操作条件下で引上げを行った場合
の引上げ操業時間と、該操業時間が経過した時刻に対応
するシリコン単結晶における成長位置の酸素濃度との関
係を、前記ルツボの回転数をパラメータとして求め、 （２）あらかじめ設定した、シリコン単結晶における軸
方向の所望酸素濃度範囲と、前記引上げ操業時間と酸素
濃度との関係から、引上げ開始後の経過時間と前記ルツ
ボの回転数との関係を設定するとともに、該回転数以外
の条件は、前記関係を求めたときと同一装置・同一操作
条件として引上げを行うことにより、シリコン単結晶中
の引上げ軸方向の酸素濃度が引上げ操業時間の経過に伴
って低下するのを抑制することを特徴とするシリコン単
結晶中の酸素濃度制御方法。 - 【請求項６】 石英製ルツボと該ルツボの側壁を加熱す
る加熱ヒータとを備えた引上げ装置を用いて、シリコン
単結晶を連続チャージ引上げ法により引き上げる方法に
おいて、 （１）同一装置・同一操作条件下で引上げを行った場合
の引上げ操業時間と、該操業時間が経過した時刻に対応
するシリコン単結晶における成長位置の酸素濃度との関
係を、前記ルツボの上端部と加熱ヒータの発熱中心との
上下方向の離間距離をパラメータとして求め、 （２）あらかじめ設定した、シリコン単結晶における軸
方向の所望酸素濃度範囲と、前記引上げ操業時間と酸素
濃度との関係から、引上げ開始後の経過時間と前記上下
方向の離間距離との関係を設定するとともに、該離間距
離以外の条件は、前記関係を求めたときと同一装置・同
一操作条件として引上げを行うことにより、シリコン単
結晶中の引上げ軸方向の酸素濃度が操業時間の経過に伴
って低下するのを抑制することを特徴とするシリコン単
結晶中の酸素濃度制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28786295A JP3564830B2 (ja) | 1995-10-09 | 1995-10-09 | シリコン単結晶中の酸素濃度制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28786295A JP3564830B2 (ja) | 1995-10-09 | 1995-10-09 | シリコン単結晶中の酸素濃度制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09110578A true JPH09110578A (ja) | 1997-04-28 |
| JP3564830B2 JP3564830B2 (ja) | 2004-09-15 |
Family
ID=17722725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28786295A Expired - Fee Related JP3564830B2 (ja) | 1995-10-09 | 1995-10-09 | シリコン単結晶中の酸素濃度制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3564830B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11228286A (ja) * | 1998-02-13 | 1999-08-24 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶製造方法 |
| JP2011001241A (ja) * | 2009-06-22 | 2011-01-06 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 |
| JP2017088462A (ja) * | 2015-11-13 | 2017-05-25 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の製造方法 |
| JP2017105675A (ja) * | 2015-12-10 | 2017-06-15 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の製造方法 |
| JP2020105048A (ja) * | 2018-12-27 | 2020-07-09 | 株式会社Sumco | 単結晶シリコンの製造方法 |
| JP2024501859A (ja) * | 2020-12-30 | 2024-01-16 | グローバルウェーハズ カンパニー リミテッド | 添加剤供給システム、インゴット引上げ装置、及び添加剤供給システムを使用して単結晶シリコンインゴットを形成する方法 |
| WO2026045014A1 (zh) * | 2024-08-29 | 2026-03-05 | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 | 氧含量可控的单晶硅和硅晶圆、单晶硅生长方法及系统 |
-
1995
- 1995-10-09 JP JP28786295A patent/JP3564830B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11228286A (ja) * | 1998-02-13 | 1999-08-24 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶製造方法 |
| JP2011001241A (ja) * | 2009-06-22 | 2011-01-06 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 |
| JP2017088462A (ja) * | 2015-11-13 | 2017-05-25 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の製造方法 |
| JP2017105675A (ja) * | 2015-12-10 | 2017-06-15 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の製造方法 |
| JP2020105048A (ja) * | 2018-12-27 | 2020-07-09 | 株式会社Sumco | 単結晶シリコンの製造方法 |
| JP2024501859A (ja) * | 2020-12-30 | 2024-01-16 | グローバルウェーハズ カンパニー リミテッド | 添加剤供給システム、インゴット引上げ装置、及び添加剤供給システムを使用して単結晶シリコンインゴットを形成する方法 |
| WO2026045014A1 (zh) * | 2024-08-29 | 2026-03-05 | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 | 氧含量可控的单晶硅和硅晶圆、单晶硅生长方法及系统 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3564830B2 (ja) | 2004-09-15 |
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