JPH09111299A - 有機金属除外用洗浄液組成物 - Google Patents
有機金属除外用洗浄液組成物Info
- Publication number
- JPH09111299A JPH09111299A JP26598495A JP26598495A JPH09111299A JP H09111299 A JPH09111299 A JP H09111299A JP 26598495 A JP26598495 A JP 26598495A JP 26598495 A JP26598495 A JP 26598495A JP H09111299 A JPH09111299 A JP H09111299A
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- Japan
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- liquid composition
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 配管内より容易且つ安全に有機金属を除外し
得る洗浄液組成物を供給する。 【解決手段】 ジメチルアルミニウムハイドライド等の
有機金属を溶解し得るヘキサン等の溶液に、ジエチルエ
ーテルやテトラヒドロフラン等のルイス塩基を０．０１
重量％〜５０重量％含有せしめてなる有機金属除外用洗
浄液組成物。
得る洗浄液組成物を供給する。 【解決手段】 ジメチルアルミニウムハイドライド等の
有機金属を溶解し得るヘキサン等の溶液に、ジエチルエ
ーテルやテトラヒドロフラン等のルイス塩基を０．０１
重量％〜５０重量％含有せしめてなる有機金属除外用洗
浄液組成物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は有機金属除外用洗浄
液組成物に係わり、更に詳細には有機金属を溶解し得る
溶液にルイス塩基を添加してなる洗浄液組成物に関する
ものであり、ジメチルアルミニウムハイドライド、トリ
メチルアルミニウム、トリメチルガリウムおよびトリメ
チルインジウムのような有機金属、すなわち空気中で発
火する化合物が付着し残存している装置などを安全かつ
完全に洗浄除外し得る有機金属除外用洗浄液組成物を提
供するものである。
液組成物に係わり、更に詳細には有機金属を溶解し得る
溶液にルイス塩基を添加してなる洗浄液組成物に関する
ものであり、ジメチルアルミニウムハイドライド、トリ
メチルアルミニウム、トリメチルガリウムおよびトリメ
チルインジウムのような有機金属、すなわち空気中で発
火する化合物が付着し残存している装置などを安全かつ
完全に洗浄除外し得る有機金属除外用洗浄液組成物を提
供するものである。
【０００２】
【従来の技術】有機金属は空気中で発火するため、該有
機金属が付着し残存している装置を解体する場合には、
（１）事前に装置及び配管内を加熱し有機金属を蒸発さ
せ、これを真空吸引することにより、残存する有機金属
を取り除く方法、（２）有機金属を溶解し、かつ該有機
金属とは反応しないヘキサン、ヘプタン等の有機溶液で
洗浄除去する方法、が考えられる。しかしながら沸点の
高い有機金属は（１）の方法は適用し難く、また（２）
の有機溶液での洗浄はバルブや配管の溜まり部分の洗浄
が困難で、特に高粘度の有機金属、或いは固体の有機金
属は溶解し難く、装置の分解時、除外不足で残存する有
機金属が発火するとの問題点を有していた。
機金属が付着し残存している装置を解体する場合には、
（１）事前に装置及び配管内を加熱し有機金属を蒸発さ
せ、これを真空吸引することにより、残存する有機金属
を取り除く方法、（２）有機金属を溶解し、かつ該有機
金属とは反応しないヘキサン、ヘプタン等の有機溶液で
洗浄除去する方法、が考えられる。しかしながら沸点の
高い有機金属は（１）の方法は適用し難く、また（２）
の有機溶液での洗浄はバルブや配管の溜まり部分の洗浄
が困難で、特に高粘度の有機金属、或いは固体の有機金
属は溶解し難く、装置の分解時、除外不足で残存する有
機金属が発火するとの問題点を有していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】かかる事情下に鑑み、
本発明者らは、作業が容易で、安全且つ完全に装置内よ
り有機金属を除外できる方法を見出すことを目的とし鋭
意検討した結果、有機金属を溶解し得る溶液に特定物質
を添加存在せしめ、これを洗浄液として用いる場合に
は、上記目的を全て満足し得ることを見出し本発明を完
成するに至った。
本発明者らは、作業が容易で、安全且つ完全に装置内よ
り有機金属を除外できる方法を見出すことを目的とし鋭
意検討した結果、有機金属を溶解し得る溶液に特定物質
を添加存在せしめ、これを洗浄液として用いる場合に
は、上記目的を全て満足し得ることを見出し本発明を完
成するに至った。
【０００４】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、有機
金属を溶解し得る溶液にルイス塩基を含有せしめてなる
有機金属除外用洗浄液組成物を提供するものである。
金属を溶解し得る溶液にルイス塩基を含有せしめてなる
有機金属除外用洗浄液組成物を提供するものである。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下、本発明を更に詳細に説明す
る。本発明の洗浄液組成物が対象とする有機金属はＭＯ
ＣＶＤ装置等で適用される有機金属であり、その種類は
特に制限されるものではないが、例えばジメチルアルミ
ニウムハイドライド（ＤＭＡＨ）、トリメチルアルミニ
ウム、トリエチルアルミニウム、アミンアラン、トリメ
チルガリウム、トリエチルガリウム、トリメチルインジ
ウム或いはトリエチルインジウム等が挙げられ、就中、
ジメチルアルミニウムハイドライドが挙げられる。
る。本発明の洗浄液組成物が対象とする有機金属はＭＯ
ＣＶＤ装置等で適用される有機金属であり、その種類は
特に制限されるものではないが、例えばジメチルアルミ
ニウムハイドライド（ＤＭＡＨ）、トリメチルアルミニ
ウム、トリエチルアルミニウム、アミンアラン、トリメ
チルガリウム、トリエチルガリウム、トリメチルインジ
ウム或いはトリエチルインジウム等が挙げられ、就中、
ジメチルアルミニウムハイドライドが挙げられる。
【０００６】有機金属を溶解し得る溶液とは、有機金属
を溶解し且つ有機金属と反応しない化合物全てを包含す
るもので、具体的には炭化水素であり、より具体的には
ヘキサン、ヘプタン、ドデカン、流動パラフィン、ベン
ゼン、トルエン、キシレン等が挙げられる。
を溶解し且つ有機金属と反応しない化合物全てを包含す
るもので、具体的には炭化水素であり、より具体的には
ヘキサン、ヘプタン、ドデカン、流動パラフィン、ベン
ゼン、トルエン、キシレン等が挙げられる。
【０００７】有機金属を溶解し得る溶液に添加混合する
ルイス塩基とは具体的にはジエチルエーテル、ジブチル
エーテル、メチルブチルエーテル、ジフェニルエーテ
ル、アニソール、ベンジルエーテル、ジメトキシエタ
ン、ジエトキシエタン、エチレングリコールジメチルエ
ーテル、テトラヒドロフラン（以下、ＴＨＦと称す）、
ジオキサン、トリエチルアミン、トリオクチルアミン、
ジメチルプロピルアミン、ジメチルドデシルアミン、ジ
メチルアミノトリメチルシラン、ジメチルアリルアミ
ン、ジイソプロピルエチルアミン、ジメチルアニリン、
ベンジルエチルアニリン、テトラメチルエチレンジアミ
ン、テトラメチルジアミノプロパン、テトラメチルヘキ
サメチレンジアミン、ピリジン、ジメチルアミノピリジ
ン、コリジン、ピラジン、ジメチルピラジン、キノリ
ン、イソキノリン、キナルジン、ベンジルメチルイミダ
ゾール、硫化ジメチル、硫化ジエチル、硫化ジフェニ
ル、チオフェン、トリエチルホスフィン、トリフェニル
ホスフィンおよびトリエチルアルシンが挙げられる。こ
れらは１種、或いは２種以上混合して用いてもよい。就
中、ジエチルエーテル、ＴＨＦの使用が推奨される。
ルイス塩基とは具体的にはジエチルエーテル、ジブチル
エーテル、メチルブチルエーテル、ジフェニルエーテ
ル、アニソール、ベンジルエーテル、ジメトキシエタ
ン、ジエトキシエタン、エチレングリコールジメチルエ
ーテル、テトラヒドロフラン（以下、ＴＨＦと称す）、
ジオキサン、トリエチルアミン、トリオクチルアミン、
ジメチルプロピルアミン、ジメチルドデシルアミン、ジ
メチルアミノトリメチルシラン、ジメチルアリルアミ
ン、ジイソプロピルエチルアミン、ジメチルアニリン、
ベンジルエチルアニリン、テトラメチルエチレンジアミ
ン、テトラメチルジアミノプロパン、テトラメチルヘキ
サメチレンジアミン、ピリジン、ジメチルアミノピリジ
ン、コリジン、ピラジン、ジメチルピラジン、キノリ
ン、イソキノリン、キナルジン、ベンジルメチルイミダ
ゾール、硫化ジメチル、硫化ジエチル、硫化ジフェニ
ル、チオフェン、トリエチルホスフィン、トリフェニル
ホスフィンおよびトリエチルアルシンが挙げられる。こ
れらは１種、或いは２種以上混合して用いてもよい。就
中、ジエチルエーテル、ＴＨＦの使用が推奨される。
【０００８】これらルイス塩基は通常、有機金属を溶解
し得る溶液対し約０．０１重量％〜約５０重量％、好ま
しくは約１〜約５０重量％添加し、撹拌、混合すれば良
く、かかる操作で有機金属除外用の洗浄液組成物を得る
ことが出来る。添加するルイス塩基の上限は、洗浄効果
からは特に制限されるものではないが、残存する有機金
属の量が多いとルイス塩基との配位熱により発熱するの
で、その発熱量により決定すればよい。
し得る溶液対し約０．０１重量％〜約５０重量％、好ま
しくは約１〜約５０重量％添加し、撹拌、混合すれば良
く、かかる操作で有機金属除外用の洗浄液組成物を得る
ことが出来る。添加するルイス塩基の上限は、洗浄効果
からは特に制限されるものではないが、残存する有機金
属の量が多いとルイス塩基との配位熱により発熱するの
で、その発熱量により決定すればよい。
【０００９】以下、本発明の洗浄液組成物を図面を用い
て適用方法を説明するが、該適用方法は一例であり、本
発明の有機金属除外用洗浄液組成物の適用方法を制限す
るものではない。図１は通常公知の有機金属の薄膜形成
装置に、本発明を実施する目的で洗浄液容器と洗浄液回
収容器を配置した例を示すものである。図に於いて、１
は有機金属容器、２は有機金属薄膜形成装置（以下ＭＯ
ＣＶＤ装置と称する）、３は洗浄液容器、４は洗浄液回
収容器、５〜９はバルブ、１０は真空吸引装置、１１〜
１２は導管を示す。
て適用方法を説明するが、該適用方法は一例であり、本
発明の有機金属除外用洗浄液組成物の適用方法を制限す
るものではない。図１は通常公知の有機金属の薄膜形成
装置に、本発明を実施する目的で洗浄液容器と洗浄液回
収容器を配置した例を示すものである。図に於いて、１
は有機金属容器、２は有機金属薄膜形成装置（以下ＭＯ
ＣＶＤ装置と称する）、３は洗浄液容器、４は洗浄液回
収容器、５〜９はバルブ、１０は真空吸引装置、１１〜
１２は導管を示す。
【００１０】図１の装置に於いては、通常公知の有機金
属を用いた基体への金属薄膜形成方法と同様に、有機金
属容器１の上部に配設されたバルブ５及び薄膜形成装置
２の入口部に配設されたバルブ６を開き、バルブ９より
水素、アルゴン、窒素等の不活性ガスを導入し、有機金
属容器１内を加圧することにより有機金属を圧送する方
法、或いは加熱やバブリング等を併用し、該不活性ガス
に有機金属を同伴し、これを配管を経由して薄膜形成装
置２に導入し、該装置内の基板上に金属薄膜を形成す
る。基板上に金属薄膜を形成した後、従来法ではバルブ
５、バルブ６を閉とし、該配管内を加熱し、配管内に残
存する有機金属を溶解、揮散除去するか、或いは有機金
属を溶解し得る溶液のみ、例えばヘキサン、ヘプタン等
で配管内部を洗浄していた。本発明に於いては、洗浄液
組成物はバルブ７を介して有機金属容器１と薄膜形成装
置２を接続する配管内に洗浄液を導入し得る如く洗浄液
容器３が設置されている。しかして、該洗浄液容器３上
部には導管１１及び導管１２が配設されており、有機金
属を溶解し得る溶液が導管１１より、またルイス塩基が
導管１２よりタンク３内に供給され、攪拌保持されてい
る。一方、有機金属容器１と薄膜形成装置２を接続する
配管にはバルブ８を介して真空吸引装置１０を有する洗
浄液回収容器４が配設されている。該装置での洗浄方法
としては特に制限されないが、以下の手順で実施するこ
とができる。 バルブ５、６及び８を閉じ、バルブ７を開として洗
浄液を配管内に充填する。 バルブ７を閉じ、洗浄液回収容器４に配設された真
空吸引機１０により真空吸引しつつ、バルブ８を開き、
配管内の洗浄液を洗浄液回収容器４内に回収する。 更に洗浄の程度により及びの操作を数回繰り返
す。 尚、洗浄に際し、バルブ５〜８を閉じ、この間の配管を
加熱し、洗浄液回収容器４に配設された真空吸引機１０
で真空吸引しつつ、バルブ８を開として洗浄液容器４内
に配管内の有機金属を予め回収することも可能である。
この場合配管の加熱温度は有機金属の分解温度以下の温
度を適用すればよい。また、洗浄液回収容器４は室温で
もかまわないが、冷却してある方が洗浄液などが真空吸
引機側へ逃げないので好ましい。かかる操作を実施する
ことにより、配管内の器壁はもとより配管の溜まり部、
バルブの間隙に残存、付着する有機金属を容易に洗浄、
除去することができる。
属を用いた基体への金属薄膜形成方法と同様に、有機金
属容器１の上部に配設されたバルブ５及び薄膜形成装置
２の入口部に配設されたバルブ６を開き、バルブ９より
水素、アルゴン、窒素等の不活性ガスを導入し、有機金
属容器１内を加圧することにより有機金属を圧送する方
法、或いは加熱やバブリング等を併用し、該不活性ガス
に有機金属を同伴し、これを配管を経由して薄膜形成装
置２に導入し、該装置内の基板上に金属薄膜を形成す
る。基板上に金属薄膜を形成した後、従来法ではバルブ
５、バルブ６を閉とし、該配管内を加熱し、配管内に残
存する有機金属を溶解、揮散除去するか、或いは有機金
属を溶解し得る溶液のみ、例えばヘキサン、ヘプタン等
で配管内部を洗浄していた。本発明に於いては、洗浄液
組成物はバルブ７を介して有機金属容器１と薄膜形成装
置２を接続する配管内に洗浄液を導入し得る如く洗浄液
容器３が設置されている。しかして、該洗浄液容器３上
部には導管１１及び導管１２が配設されており、有機金
属を溶解し得る溶液が導管１１より、またルイス塩基が
導管１２よりタンク３内に供給され、攪拌保持されてい
る。一方、有機金属容器１と薄膜形成装置２を接続する
配管にはバルブ８を介して真空吸引装置１０を有する洗
浄液回収容器４が配設されている。該装置での洗浄方法
としては特に制限されないが、以下の手順で実施するこ
とができる。 バルブ５、６及び８を閉じ、バルブ７を開として洗
浄液を配管内に充填する。 バルブ７を閉じ、洗浄液回収容器４に配設された真
空吸引機１０により真空吸引しつつ、バルブ８を開き、
配管内の洗浄液を洗浄液回収容器４内に回収する。 更に洗浄の程度により及びの操作を数回繰り返
す。 尚、洗浄に際し、バルブ５〜８を閉じ、この間の配管を
加熱し、洗浄液回収容器４に配設された真空吸引機１０
で真空吸引しつつ、バルブ８を開として洗浄液容器４内
に配管内の有機金属を予め回収することも可能である。
この場合配管の加熱温度は有機金属の分解温度以下の温
度を適用すればよい。また、洗浄液回収容器４は室温で
もかまわないが、冷却してある方が洗浄液などが真空吸
引機側へ逃げないので好ましい。かかる操作を実施する
ことにより、配管内の器壁はもとより配管の溜まり部、
バルブの間隙に残存、付着する有機金属を容易に洗浄、
除去することができる。
【００１１】
【発明の効果】本発明の有機金属除外用洗浄組成物は従
来、洗浄が困難であった配管やバルブの液溜まり部も、
容易に洗浄除去することができるので、製造や出荷時の
有機金属の容器への充填などの有機金属取扱作業や、Ｍ
ＯＣＶＤ装置での有機金属容器の取替作業により生起す
る配管分解時の発火、発煙もなく、安全に作業し得ると
の効果を奏する。
来、洗浄が困難であった配管やバルブの液溜まり部も、
容易に洗浄除去することができるので、製造や出荷時の
有機金属の容器への充填などの有機金属取扱作業や、Ｍ
ＯＣＶＤ装置での有機金属容器の取替作業により生起す
る配管分解時の発火、発煙もなく、安全に作業し得ると
の効果を奏する。
【００１２】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳細に説明
するが、本発明範囲は実施例により限定されるものでは
ない。尚、実施例および比較例においては図１記載の装
置を用いた。
するが、本発明範囲は実施例により限定されるものでは
ない。尚、実施例および比較例においては図１記載の装
置を用いた。
【００１３】実施例１ 有機金属容器１内の市販のＤＭＡＨ（住友化学工業株式
会社製）をバルブ９からアルゴンを導入し０．２ｋｇ／
ｃｍ2 に加圧し、バルブ５および６を開けてＤＭＡＨを
ＭＯＣＶＤ装置２内に供給し、その後、バルブ５、６、
９を閉じ、真空吸引装置１０を稼働させた後、バルブ８
を開け、配管内に残存するＤＭＡＨを洗浄液回収容器４
へ回収した。その際、洗浄液回収容器４はヘキサン／ド
ライアイスで−７０℃まで冷却し、配管は５０℃に加熱
した。次いでバルブ８を閉じ、バルブ７を開けて洗浄液
を配管内に満たした。その後バルブ７を閉めて、再びバ
ルブ８を開け洗浄液を洗浄液回収容器４へ回収した。こ
の洗浄液を配管内に満たす操作と回収する操作を３回繰
り返した後、配管５および６を取り外したが、いずれの
配管からも白煙の発生は見られなかった。尚、洗浄液は
ＴＨＦを５重量％攪拌混合したヘプタンを用いた。
会社製）をバルブ９からアルゴンを導入し０．２ｋｇ／
ｃｍ2 に加圧し、バルブ５および６を開けてＤＭＡＨを
ＭＯＣＶＤ装置２内に供給し、その後、バルブ５、６、
９を閉じ、真空吸引装置１０を稼働させた後、バルブ８
を開け、配管内に残存するＤＭＡＨを洗浄液回収容器４
へ回収した。その際、洗浄液回収容器４はヘキサン／ド
ライアイスで−７０℃まで冷却し、配管は５０℃に加熱
した。次いでバルブ８を閉じ、バルブ７を開けて洗浄液
を配管内に満たした。その後バルブ７を閉めて、再びバ
ルブ８を開け洗浄液を洗浄液回収容器４へ回収した。こ
の洗浄液を配管内に満たす操作と回収する操作を３回繰
り返した後、配管５および６を取り外したが、いずれの
配管からも白煙の発生は見られなかった。尚、洗浄液は
ＴＨＦを５重量％攪拌混合したヘプタンを用いた。
【００１４】比較例１ 洗浄液をヘプタンに代えた他は実施例１と全く同様に洗
浄処理を行った後、配管５および６を取り外したとこ
ろ、いずれの配管からも白煙が発生した。
浄処理を行った後、配管５および６を取り外したとこ
ろ、いずれの配管からも白煙が発生した。
【図１】 有機金属除外用洗浄液組成物の適用例を示
す。
す。
１：有機金属容器 ２：有機金属薄膜形成装置 ３：洗浄液容器 ４：洗浄液回収容器 ５：バルブ ６：バルブ ７：バルブ ８：バルブ ９：バルブ １０：真空吸引装置 １１：導管 １２：導管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ１１Ｄ 7:32 7:34 7:36）
Claims (8)
- 【請求項１】 有機金属を溶解し得る溶液にルイス塩基
を含有せしめてなる有機金属除外用洗浄液組成物。 - 【請求項２】 有機金属がジメチルアルミニウムハイド
ライド、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニ
ウム、アミンアラン、トリメチルガリウム、トリエチル
ガリウム、トリメチルインジウムおよびトリエチルイン
ジウムの何れか１種である請求項１記載の有機金属除外
用洗浄液組成物。 - 【請求項３】 有機金属がジメチルアルミニウムハイド
ライドであることを特徴とする請求項１記載の有機金属
除外用洗浄液組成物。 - 【請求項４】 有機金属を溶解し得る溶液が炭化水素で
あることを特徴とする請求項１記載の有機金属除外用洗
浄液組成物。 - 【請求項５】 有機金属を溶解し得る溶液がヘキサン、
ヘプタン、ドデカン、流動パラフィン、ベンゼン、トル
エンまたはキシレンの少なくとも１種であることを特徴
とする請求項１記載の有機金属除外用洗浄液組成物。 - 【請求項６】 ルイス塩基がジエチルエーテル、ジブチ
ルエーテル、メチルブチルエーテル、ジフェニルエーテ
ル、アニソール、ベンジルエーテル、ジメトキシエタ
ン、ジエトキシエタン、エチレングリコールジメチルエ
ーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トリエチル
アミン、トリオクチルアミン、ジメチルプロピルアミ
ン、ジメチルドデシルアミン、ジメチルアミノトリメチ
ルシラン、ジメチルアリルアミン、ジイソプロピルエチ
ルアミン、ジメチルアニリン、ベンジルエチルアニリ
ン、テトラメチルエチレンジアミン、テトラメチルジア
ミノプロパン、テトラメチルヘキサメチレンジアミン、
ピリジン、ジメチルアミノピリジン、コリジン、ピラジ
ン、ジメチルピラジン、キノリン、イソキノリン、キナ
ルジン、ベンジルメチルイミダゾール、硫化ジメチル、
硫化ジエチル、硫化ジフェニル、チオフェン、トリエチ
ルホスフィン、トリフェニルホスフィンおよびトリエチ
ルアルシンよりなるグループから選ばれた少なくとも１
種であることを特徴とする請求項１記載の有機金属除外
用洗浄液組成物。 - 【請求項７】 ルイス塩基がジエチルエーテルまたはテ
トラヒドロフランであることを特徴とする請求項１記載
の有機金属除外用洗浄液組成物。 - 【請求項８】 有機金属を溶解し得る溶液に対するルイ
ス塩基の含有量が０．０１重量％〜５０重量％であるこ
とを特徴とする請求項１記載の有機金属除外用洗浄液組
成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26598495A JPH09111299A (ja) | 1995-10-13 | 1995-10-13 | 有機金属除外用洗浄液組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26598495A JPH09111299A (ja) | 1995-10-13 | 1995-10-13 | 有機金属除外用洗浄液組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09111299A true JPH09111299A (ja) | 1997-04-28 |
Family
ID=17424758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26598495A Pending JPH09111299A (ja) | 1995-10-13 | 1995-10-13 | 有機金属除外用洗浄液組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09111299A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6485554B1 (en) * | 1997-10-31 | 2002-11-26 | Mitsubishi Materials Corporation | Solution raw material for forming composite oxide type dielectric thin film and dielectric thin film |
| WO2007069011A1 (en) * | 2005-12-13 | 2007-06-21 | L'air Liquide-Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Alkylsilanes as solvents for low vapor pressure precursors |
-
1995
- 1995-10-13 JP JP26598495A patent/JPH09111299A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6485554B1 (en) * | 1997-10-31 | 2002-11-26 | Mitsubishi Materials Corporation | Solution raw material for forming composite oxide type dielectric thin film and dielectric thin film |
| WO2007069011A1 (en) * | 2005-12-13 | 2007-06-21 | L'air Liquide-Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Alkylsilanes as solvents for low vapor pressure precursors |
| US7293569B2 (en) | 2005-12-13 | 2007-11-13 | Air Liquide Electronics U.S. Lp | Alkylsilanes as solvents for low vapor pressure precursors |
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