JPH09111435A - スプレー溶射被膜生成プロセスの監視及び制御方法 - Google Patents
スプレー溶射被膜生成プロセスの監視及び制御方法Info
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- JPH09111435A JPH09111435A JP8233223A JP23322396A JPH09111435A JP H09111435 A JPH09111435 A JP H09111435A JP 8233223 A JP8233223 A JP 8233223A JP 23322396 A JP23322396 A JP 23322396A JP H09111435 A JPH09111435 A JP H09111435A
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C4/12—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the method of spraying
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
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- B05B12/08—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area responsive to condition of liquid or other fluent material to be discharged, of ambient medium or of target ; responsive to condition of spray devices or of supply means, e.g. pipes, pumps or their drive means
- B05B12/12—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area responsive to condition of liquid or other fluent material to be discharged, of ambient medium or of target ; responsive to condition of spray devices or of supply means, e.g. pipes, pumps or their drive means responsive to conditions of ambient medium or target, e.g. humidity, temperature position or movement of the target relative to the spray apparatus
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- B05B7/16—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas incorporating means for heating or cooling the material to be sprayed
- B05B7/20—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas incorporating means for heating or cooling the material to be sprayed by flame or combustion
- B05B7/201—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas incorporating means for heating or cooling the material to be sprayed by flame or combustion downstream of the nozzle
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来技術の欠点を克服し、所望の（所定の）
輸送コーティングされる被膜物質量ないし所望の膜厚及
び被膜（被覆）さるべき面に亘っての膜厚分布を以ての
被膜生成を可能にすること 【構成】 被膜材として高温に加熱される無機粒子を
用いてサブストレート（基板）の表面への被覆生成を行
うためのスプレー溶射被膜生成プロセスの監視及び制御
方法において、当該のスプレー溶射被膜生成のプロセス
期間中輸送コーティングされる被膜物質量ないし膜厚に
対する特性量として基板（サブストレート）の表面温度
を測定し、設定値からの偏差のある場合、被膜物質量な
いし膜厚に対して規定的なプロセスパラメータを変化さ
せること。
輸送コーティングされる被膜物質量ないし所望の膜厚及
び被膜（被覆）さるべき面に亘っての膜厚分布を以ての
被膜生成を可能にすること 【構成】 被膜材として高温に加熱される無機粒子を
用いてサブストレート（基板）の表面への被覆生成を行
うためのスプレー溶射被膜生成プロセスの監視及び制御
方法において、当該のスプレー溶射被膜生成のプロセス
期間中輸送コーティングされる被膜物質量ないし膜厚に
対する特性量として基板（サブストレート）の表面温度
を測定し、設定値からの偏差のある場合、被膜物質量な
いし膜厚に対して規定的なプロセスパラメータを変化さ
せること。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被膜（被覆）材と
して高温に加熱される無機粒子を用いてサブストレート
（基板）の表面への被覆生成を行うためのスプレー溶射
被膜生成プロセスの監視及び制御方法に関する。
して高温に加熱される無機粒子を用いてサブストレート
（基板）の表面への被覆生成を行うためのスプレー溶射
被膜生成プロセスの監視及び制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】スプレー溶射被膜生成プロセス（手法）
により、多数の種々の基板（サブストレート）に種々の
無機の被膜（被覆）を施し得る。スプレー溶射被膜生成
プロセスのなかにはプラズマ（スプレー）溶射被膜生成
プロセス、火炎（フレーム）−スプレー溶射被膜生成プ
ロセス及びアークスプレー（噴霧、噴射）被膜生成プロ
セスがある。本質的に重要な相違点となるのは、当該粒
子がどのように加熱されるかの手法、形式である。アー
クスプレー（噴霧、噴射）被膜生成プロセスの場合、２
つの連続的に送られるワイヤ上の２つの融解電極間で直
流又は交流電流によりアークが形成される。融解して加
熱された材料は、圧縮空気流により粒子ジェット（噴
射）流として、被膜（被覆）さるべき基板（サブストレ
ート）に向けられる。通有の実施形態の火炎（フレー
ム）スプレー溶射被膜生成プロセスの場合、圧縮空気流
によっては被膜（被覆）材が、前以て生成された、粉末
ー雲の形で吸引され、そしてバーナの中央の射出（出
射）管から粒子流として被膜（被覆）さるべき基板（サ
ブストレート）へ射出（出射）ないし噴出される。当該
の射出（出射）管に対して同軸的のリング（環状）管か
らはアセチレンが射出（出射）し、該アセチレンはバー
ナ外で粉末粒子流と混合され、燃焼の際、粒子の加熱に
必要な熱を生成する。
により、多数の種々の基板（サブストレート）に種々の
無機の被膜（被覆）を施し得る。スプレー溶射被膜生成
プロセスのなかにはプラズマ（スプレー）溶射被膜生成
プロセス、火炎（フレーム）−スプレー溶射被膜生成プ
ロセス及びアークスプレー（噴霧、噴射）被膜生成プロ
セスがある。本質的に重要な相違点となるのは、当該粒
子がどのように加熱されるかの手法、形式である。アー
クスプレー（噴霧、噴射）被膜生成プロセスの場合、２
つの連続的に送られるワイヤ上の２つの融解電極間で直
流又は交流電流によりアークが形成される。融解して加
熱された材料は、圧縮空気流により粒子ジェット（噴
射）流として、被膜（被覆）さるべき基板（サブストレ
ート）に向けられる。通有の実施形態の火炎（フレー
ム）スプレー溶射被膜生成プロセスの場合、圧縮空気流
によっては被膜（被覆）材が、前以て生成された、粉末
ー雲の形で吸引され、そしてバーナの中央の射出（出
射）管から粒子流として被膜（被覆）さるべき基板（サ
ブストレート）へ射出（出射）ないし噴出される。当該
の射出（出射）管に対して同軸的のリング（環状）管か
らはアセチレンが射出（出射）し、該アセチレンはバー
ナ外で粉末粒子流と混合され、燃焼の際、粒子の加熱に
必要な熱を生成する。
【０００３】被膜（被覆）技術においては、プラズマ
（スプレー）溶射被膜生成プロセスが益々使用されてい
る。通常の実施形態では、被膜（被覆）材は微粉末とし
て不活性キャリヤガス、例えばアルゴンを用いてプラズ
マバーナのプラズマゾーン内へ搬入され、該プラズマ内
では粒子は高温に加熱され、そして、少なくともそれの
表面にて溶融する。プラズマである高温加熱されたイオ
ン化されたガス体は、バーナガス、例えば、アルゴンと
窒素との混合物及び場合により他の不活性ガス、例えば
ヘリウムから、電気アークにより生成される。プラズマ
ゾーンにおける温度は３０，０００Ｋに達し得る。融解
された、又は少なくともそれの表面にて融着した被膜
（被覆）材の粒子によるプラズマジェット（噴射）は、
バーナから噴出し、被膜（被覆）さるべき基板（サブス
トレート）へ向けられる。該基板（サブストレート）は
有利に冷却ガス流を用いて冷却される。粒子は被冷却基
板（サブストレート）の表面上に有孔性又はコンパクト
な膜を形成する。
（スプレー）溶射被膜生成プロセスが益々使用されてい
る。通常の実施形態では、被膜（被覆）材は微粉末とし
て不活性キャリヤガス、例えばアルゴンを用いてプラズ
マバーナのプラズマゾーン内へ搬入され、該プラズマ内
では粒子は高温に加熱され、そして、少なくともそれの
表面にて溶融する。プラズマである高温加熱されたイオ
ン化されたガス体は、バーナガス、例えば、アルゴンと
窒素との混合物及び場合により他の不活性ガス、例えば
ヘリウムから、電気アークにより生成される。プラズマ
ゾーンにおける温度は３０，０００Ｋに達し得る。融解
された、又は少なくともそれの表面にて融着した被膜
（被覆）材の粒子によるプラズマジェット（噴射）は、
バーナから噴出し、被膜（被覆）さるべき基板（サブス
トレート）へ向けられる。該基板（サブストレート）は
有利に冷却ガス流を用いて冷却される。粒子は被冷却基
板（サブストレート）の表面上に有孔性又はコンパクト
な膜を形成する。
【０００４】スプレー溶射被膜生成プロセスの多くの適
用例では、被膜（被覆）部を、被膜（被覆）される面に
亘って可及的に（できるだけ）均一な所定の厚さで生成
する（施す）ことが望ましい。所望の輸送コーティング
される被膜物質量ないし所望の膜厚は、相当数のパラメ
ータ（要因、因子）に依存し、その例を挙げると、粒子
スプレー溶射被膜生成における被膜（被覆）材の粒子の
物質流とか、次のような相対速度、即ち、それを以て、
ジェット（噴射）流と、被膜（被覆）さるべき被加工物
（部品）とが相互間で相対的に移動する相対速度とか、
相互に合わさって所望の膜厚を生じさせるべき個々の作
動スプレー溶射ー被膜生成過程（パス）の数がある。
“相対速度”は下記を意味する、即ち、バーナを固定的
に配置し、基板（サブストレート）を動かしてもよい
し、又は基板（サブストレート）を固定的に配置してバ
ーナを動かしてもよいし、又はバーナを基板（サブスト
レート）の双方を動かしてもよいのである。
用例では、被膜（被覆）部を、被膜（被覆）される面に
亘って可及的に（できるだけ）均一な所定の厚さで生成
する（施す）ことが望ましい。所望の輸送コーティング
される被膜物質量ないし所望の膜厚は、相当数のパラメ
ータ（要因、因子）に依存し、その例を挙げると、粒子
スプレー溶射被膜生成における被膜（被覆）材の粒子の
物質流とか、次のような相対速度、即ち、それを以て、
ジェット（噴射）流と、被膜（被覆）さるべき被加工物
（部品）とが相互間で相対的に移動する相対速度とか、
相互に合わさって所望の膜厚を生じさせるべき個々の作
動スプレー溶射ー被膜生成過程（パス）の数がある。
“相対速度”は下記を意味する、即ち、バーナを固定的
に配置し、基板（サブストレート）を動かしてもよい
し、又は基板（サブストレート）を固定的に配置してバ
ーナを動かしてもよいし、又はバーナを基板（サブスト
レート）の双方を動かしてもよいのである。
【０００５】殊に量産体制で被膜（被覆）さるべき被加
工物（部品）ないし製品の被膜（被覆）の場合、輸送コ
ーティングされる被膜物質量ない膜厚及び当該の面に亘
っての被膜物質量（状態）分布を求め得ることが好まし
い。それにより、所期の値からの偏差のある際、直ち
に、即ち、次の当該被加工物（部品）ないし製品の場合
又は少なくとも複数の被加工物（部品）ないし製品のう
ちの１つの場合、介入的制御作用を行わせるものであ
る。然しながらスプレー溶射ー被膜生成過程中輸送コー
ティングされる被膜物質量ないし膜厚をを直接的に求め
るための実際上有用となる手法は公知でない。それによ
り、少なくとも平均的な膜厚を算出し得る被膜（被覆）
前後の被加工物（部品）ないし製品に対する差異の比較
秤（衡）量操作は、コストを要し、少なくとも短いタイ
ミング（クロック）時間の場合次に続くスプレー溶射ー
被膜生成の場合、又は、次に続く複数のスプレー溶射ー
被膜生成のうちの１つの際既に介入的制御（操作機能）
の発動を行うことは可能でない。
工物（部品）ないし製品の被膜（被覆）の場合、輸送コ
ーティングされる被膜物質量ない膜厚及び当該の面に亘
っての被膜物質量（状態）分布を求め得ることが好まし
い。それにより、所期の値からの偏差のある際、直ち
に、即ち、次の当該被加工物（部品）ないし製品の場合
又は少なくとも複数の被加工物（部品）ないし製品のう
ちの１つの場合、介入的制御作用を行わせるものであ
る。然しながらスプレー溶射ー被膜生成過程中輸送コー
ティングされる被膜物質量ないし膜厚をを直接的に求め
るための実際上有用となる手法は公知でない。それによ
り、少なくとも平均的な膜厚を算出し得る被膜（被覆）
前後の被加工物（部品）ないし製品に対する差異の比較
秤（衡）量操作は、コストを要し、少なくとも短いタイ
ミング（クロック）時間の場合次に続くスプレー溶射ー
被膜生成の場合、又は、次に続く複数のスプレー溶射ー
被膜生成のうちの１つの際既に介入的制御（操作機能）
の発動を行うことは可能でない。
【０００６】
【発明が解決すべき課題】本発明の目的ないし課題とす
るところは従来技術の欠点を克服し、而して、所望の
（所定の）輸送コーティングされる被膜物質量ないし膜
厚及び被膜（被覆）さるべき面に亘っての密な膜厚分布
を以ての被膜生成を可能にし、特に、短いタイミング
（クロック）時間をを以ての量産体制での被膜（被覆）
さるべき被加工物（部品）の 被膜（被覆）に適当な方
法を実現することにある。
るところは従来技術の欠点を克服し、而して、所望の
（所定の）輸送コーティングされる被膜物質量ないし膜
厚及び被膜（被覆）さるべき面に亘っての密な膜厚分布
を以ての被膜生成を可能にし、特に、短いタイミング
（クロック）時間をを以ての量産体制での被膜（被覆）
さるべき被加工物（部品）の 被膜（被覆）に適当な方
法を実現することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題は特許請求の範
囲の各請求項の構成要件により解決される。
囲の各請求項の構成要件により解決される。
【０００８】本発明の方法においては、容易に、且つ、
信頼性を以て求められるべき量、即ちスプレー溶射ー被
膜生成過程中の基板（サブストレート）の表面温度が監
視され、そして、当該の輸送コーティングされる被膜物
質量ないし当該の膜厚の制御のために使用される。当該
方法は、一連の経済的利点を有する。制御作用は、迅速
に介入的に発揮され、このことは殊に短いタイミング
（クロック）時間を以ての量産体制において被膜（被
覆）さるべき被加工物（部品）ないし製品の被膜（被
覆）の場合重要である。不良品発生を来す不良被膜（被
覆）はスプレー溶射ー被膜生成の際既に識別される。所
望の輸送コーティングされる被膜物質量ないし所望の膜
厚からの偏差は、直ちに、即ち当該の次の（次に続く）
スプレー溶射ー被膜生成過程（プロセス）の場合、又は
複数のスプレー溶射ー被膜生成過程（プロセス）のうち
の１つの際少なくとも１つの規定的なプロセスパラメー
タの変化により補正され得る。複数の連続過程（パス）
において、被膜（被覆）される被加工物（部品）ないし
製品の場合、及び大面積の被膜（被覆）さるべき被加工
物（部品）ないし製品の場合スプレー溶射ー被膜生成過
程中既に制御作用を介入的に行わせ得る。而して、被膜
（被覆）面に亘っての所望の密の当該の被膜（被覆）物
質量状態分布を以ての均一の被膜（被覆）が得られる。
そのようにして不良発生率が僅かに抑えられる。当該方
法によっては装備ロボットを以ての量産が有利に行われ
る。それというのは、不良発生率の上述の低減が、作業
要員による監視なしでも達成されるからである。ここ
で、各個別被加工物（部品）ないし製品における密な当
該の被膜（被覆）物質量状態分布が達成されるだけでな
く、量産品内の個々の被加工物（部品）ないし製品の場
合における輸送せしめられる被膜物質量、膜厚及び密な
当該の被膜（被覆）物質量状態分布に関しての高い安定
性が達成される。更に、仕様に適合した作動を確保する
には、制御手段機能が十分でない場合、例えば冷却ガス
流の機能停止の場合、製造の自動的遮断を行わせること
も可能である。
信頼性を以て求められるべき量、即ちスプレー溶射ー被
膜生成過程中の基板（サブストレート）の表面温度が監
視され、そして、当該の輸送コーティングされる被膜物
質量ないし当該の膜厚の制御のために使用される。当該
方法は、一連の経済的利点を有する。制御作用は、迅速
に介入的に発揮され、このことは殊に短いタイミング
（クロック）時間を以ての量産体制において被膜（被
覆）さるべき被加工物（部品）ないし製品の被膜（被
覆）の場合重要である。不良品発生を来す不良被膜（被
覆）はスプレー溶射ー被膜生成の際既に識別される。所
望の輸送コーティングされる被膜物質量ないし所望の膜
厚からの偏差は、直ちに、即ち当該の次の（次に続く）
スプレー溶射ー被膜生成過程（プロセス）の場合、又は
複数のスプレー溶射ー被膜生成過程（プロセス）のうち
の１つの際少なくとも１つの規定的なプロセスパラメー
タの変化により補正され得る。複数の連続過程（パス）
において、被膜（被覆）される被加工物（部品）ないし
製品の場合、及び大面積の被膜（被覆）さるべき被加工
物（部品）ないし製品の場合スプレー溶射ー被膜生成過
程中既に制御作用を介入的に行わせ得る。而して、被膜
（被覆）面に亘っての所望の密の当該の被膜（被覆）物
質量状態分布を以ての均一の被膜（被覆）が得られる。
そのようにして不良発生率が僅かに抑えられる。当該方
法によっては装備ロボットを以ての量産が有利に行われ
る。それというのは、不良発生率の上述の低減が、作業
要員による監視なしでも達成されるからである。ここ
で、各個別被加工物（部品）ないし製品における密な当
該の被膜（被覆）物質量状態分布が達成されるだけでな
く、量産品内の個々の被加工物（部品）ないし製品の場
合における輸送せしめられる被膜物質量、膜厚及び密な
当該の被膜（被覆）物質量状態分布に関しての高い安定
性が達成される。更に、仕様に適合した作動を確保する
には、制御手段機能が十分でない場合、例えば冷却ガス
流の機能停止の場合、製造の自動的遮断を行わせること
も可能である。
【０００９】前述の利点は請求項１ないし１２による方
法により達成される。当該方法は前述のスプレー溶射ー
被膜生成プロセスと関連して適用され得る。上記方法は
特にプラズマ（スプレー）溶射ー被膜生成プロセスの監
視及び制御に適する。スプレー溶射ー被膜生成プロセス
によっては種々の被膜（被覆）材料、例えば金属、金属
合金、酸化物又は混合酸化物及び高融点炭化物は基板
（サブストレート）上に被着され得る。上記基板（サブ
ストレート）は、同じく、金属又は金属合金及び酸化物
又は混合酸化物からなる材料であって、また、十分高い
融点の有機プラスチックでもあり得る。被膜（被覆）材
及び基板（サブストレート）の適当な組合せの選択は当
業者には通有である。本発明の方法は例えば、熱的に高
い応力負荷を受ける金属材料に、高融点の酸化物（相当
の航空機及び宇宙通行体において必要とされるようなも
の）で被膜（被覆）する場合使用され得る。印刷胴の被
膜（被覆）の場合に当該プロセスを適用する場合、より
一層密の膜厚分布に基づき後続の平滑研摩の際の研摩コ
ストが減少する。
法により達成される。当該方法は前述のスプレー溶射ー
被膜生成プロセスと関連して適用され得る。上記方法は
特にプラズマ（スプレー）溶射ー被膜生成プロセスの監
視及び制御に適する。スプレー溶射ー被膜生成プロセス
によっては種々の被膜（被覆）材料、例えば金属、金属
合金、酸化物又は混合酸化物及び高融点炭化物は基板
（サブストレート）上に被着され得る。上記基板（サブ
ストレート）は、同じく、金属又は金属合金及び酸化物
又は混合酸化物からなる材料であって、また、十分高い
融点の有機プラスチックでもあり得る。被膜（被覆）材
及び基板（サブストレート）の適当な組合せの選択は当
業者には通有である。本発明の方法は例えば、熱的に高
い応力負荷を受ける金属材料に、高融点の酸化物（相当
の航空機及び宇宙通行体において必要とされるようなも
の）で被膜（被覆）する場合使用され得る。印刷胴の被
膜（被覆）の場合に当該プロセスを適用する場合、より
一層密の膜厚分布に基づき後続の平滑研摩の際の研摩コ
ストが減少する。
【００１０】本発明の方法が特に有効であることが実証
されたのは、短いタイミング時間での量産体制での被加
工物（部品）ないし製品の被膜（被覆）の場合、例えば
内燃機関用のラムダセンサの被膜（被覆）の場合であ
る。ここで触媒的に作用する電極、例えば、白金及びセ
ラミック材料からなるサーメット接合電極は、非導電性
の、大抵は酸化物性の材料、例えばスピネル（ｓｐｉｎ
ｅｌ； MgAl2O4：アルミン酸マグネシウム）から成る有
孔性の保護ー及び拡散膜を備え得る。
されたのは、短いタイミング時間での量産体制での被加
工物（部品）ないし製品の被膜（被覆）の場合、例えば
内燃機関用のラムダセンサの被膜（被覆）の場合であ
る。ここで触媒的に作用する電極、例えば、白金及びセ
ラミック材料からなるサーメット接合電極は、非導電性
の、大抵は酸化物性の材料、例えばスピネル（ｓｐｉｎ
ｅｌ； MgAl2O4：アルミン酸マグネシウム）から成る有
孔性の保護ー及び拡散膜を備え得る。
【００１１】
【実施例】次に、本発明による監視及び監視機能付きの
プラズマ（スプレー）溶射によるラムダセンサの被膜
（被覆）のための装置構成を図１に略示する。粉末イン
ジェクタ（噴射器）（図示せず）付きのプラズマバーナ
１は本例では水平方向の区間に沿って可動である（２重
矢印で示すように）。前記プラズマバーナ１は高温加熱
されたスピネル（ ｓｐｉｎｅｌ；MgAl2O4）粒子を有す
る粒子ジェット（流）２を回転ラムダセンサ３に向け
る。上記ラムダセンサの回転軸は前述の水平区間（該水
平区間上にてプラズマバーナ１が可動である）に対して
平行な区間に位置する。ラムダセンサ３を冷却するガス
流は図示してない。ジェット（噴射）ないしビームパイ
ロメータ4は、所定の設定（セッティング）時点で、セ
ンサの表面の1つの定まった箇所にて生じている温度を
測定する。測定値を、前もって経験的に求められた所定
の設定値と比較する比較器、及び次のような装置及び回
路即ち、それを用いて、測定値と設定値との偏差のある
際少なくとも１つのプロセスパラメータが合目的に変化
せしめられる装置及び回路も、図示してない。
プラズマ（スプレー）溶射によるラムダセンサの被膜
（被覆）のための装置構成を図１に略示する。粉末イン
ジェクタ（噴射器）（図示せず）付きのプラズマバーナ
１は本例では水平方向の区間に沿って可動である（２重
矢印で示すように）。前記プラズマバーナ１は高温加熱
されたスピネル（ ｓｐｉｎｅｌ；MgAl2O4）粒子を有す
る粒子ジェット（流）２を回転ラムダセンサ３に向け
る。上記ラムダセンサの回転軸は前述の水平区間（該水
平区間上にてプラズマバーナ１が可動である）に対して
平行な区間に位置する。ラムダセンサ３を冷却するガス
流は図示してない。ジェット（噴射）ないしビームパイ
ロメータ4は、所定の設定（セッティング）時点で、セ
ンサの表面の1つの定まった箇所にて生じている温度を
測定する。測定値を、前もって経験的に求められた所定
の設定値と比較する比較器、及び次のような装置及び回
路即ち、それを用いて、測定値と設定値との偏差のある
際少なくとも１つのプロセスパラメータが合目的に変化
せしめられる装置及び回路も、図示してない。
【００１２】本発明の１つの重要な構成要件によれば、
当該のスプレー溶射被膜生成プロセス（過程）中、輸送
コーティングされる被膜物質量ないし膜厚に対する特性
量として基板（サブストレート）の表面温度を測定し、
設定値からの偏差のある場合、被膜物質量ないし膜厚に
対して規定的なプロセスパラメータを変化させるのであ
る。表面温度は常に、１つの所定の個所にて、及び1つ
の所定の時点にて、１つのスプレー溶射過程ないし１つ
の連続過程（パス）（当該のスプレー溶射過程が複数の
連続過程から成る場合は）後に、測定されねばならな
い。当該の測定に殊に適するのは、無接触作動する公知
のビームパイロメータ（高温計）である。上記のビーム
パイロメータの測定領域は予期さるべき表面温度に適合
されている。ラムダセンサの被膜（被覆）の場合、有利
には５０ないし４５０°Ｃの測定領域を有する赤外パイ
ロメータを使用する。測定スポット即ち、その温度が測
定される面は、任意の形態のものであり得、被膜（被
覆）の割合に応じて、より小又はより大であり得る。ラ
ムダセンサの被膜（被覆）の場合、ほぼ５ｍｍ直径の円
形測定スポットが良好に好適であることが判明してい
る。
当該のスプレー溶射被膜生成プロセス（過程）中、輸送
コーティングされる被膜物質量ないし膜厚に対する特性
量として基板（サブストレート）の表面温度を測定し、
設定値からの偏差のある場合、被膜物質量ないし膜厚に
対して規定的なプロセスパラメータを変化させるのであ
る。表面温度は常に、１つの所定の個所にて、及び1つ
の所定の時点にて、１つのスプレー溶射過程ないし１つ
の連続過程（パス）（当該のスプレー溶射過程が複数の
連続過程から成る場合は）後に、測定されねばならな
い。当該の測定に殊に適するのは、無接触作動する公知
のビームパイロメータ（高温計）である。上記のビーム
パイロメータの測定領域は予期さるべき表面温度に適合
されている。ラムダセンサの被膜（被覆）の場合、有利
には５０ないし４５０°Ｃの測定領域を有する赤外パイ
ロメータを使用する。測定スポット即ち、その温度が測
定される面は、任意の形態のものであり得、被膜（被
覆）の割合に応じて、より小又はより大であり得る。ラ
ムダセンサの被膜（被覆）の場合、ほぼ５ｍｍ直径の円
形測定スポットが良好に好適であることが判明してい
る。
【００１３】本発明は次のような考察、観測事項に立脚
する、即ち１つの所定個所及び１つの所定の時点にて測
定される基板（サブストレート）の表面温度は、輸送コ
ーティングされる被膜物質量ないし所期の層（膜）厚に
対する有用な特性量であるという考察、観測事項に立脚
する。ここにおいて、広い区間に亘り、輸送コーティン
グされる被膜物質量ないし膜厚と表面温度との間にほぼ
直線的な関係性が成立つ。このことは次の前提条件下で
成り立ち、即ち、輸送コーティングされる被膜物質量又
は膜厚にとって規定的なパラメータが一定であるとの前
提条件下で成立つ。プラズマ（スプレー）溶射プロセス
の場合、それを以て、プラズマバーナの作動される電圧
及び電流、粒子状の被膜（被覆）材の物質流、即ち、供
給される粉末の単位時間当たりの量、並びに、ガス容積
流、即ちアルゴンのような不活性キャリヤガス及びアル
ゴンと窒素のようなバーナガスの単位時間当たりの容
積、並びに場合により、被膜（被覆）材及び基板（サブ
ストレート）に対する共に使用される他の不活性ガスの
単位時間当たりの量がパラメータである。更に、基板
（サブストレート）に向けられた冷却ガス流の方向及び
強さは、十分一定にすべきパラメータに属する（輸送コ
ーティングされる被膜物質量ないし膜厚と表面温度との
間にほぼ直線的関係性が成り立ち得るためには）。
する、即ち１つの所定個所及び１つの所定の時点にて測
定される基板（サブストレート）の表面温度は、輸送コ
ーティングされる被膜物質量ないし所期の層（膜）厚に
対する有用な特性量であるという考察、観測事項に立脚
する。ここにおいて、広い区間に亘り、輸送コーティン
グされる被膜物質量ないし膜厚と表面温度との間にほぼ
直線的な関係性が成立つ。このことは次の前提条件下で
成り立ち、即ち、輸送コーティングされる被膜物質量又
は膜厚にとって規定的なパラメータが一定であるとの前
提条件下で成立つ。プラズマ（スプレー）溶射プロセス
の場合、それを以て、プラズマバーナの作動される電圧
及び電流、粒子状の被膜（被覆）材の物質流、即ち、供
給される粉末の単位時間当たりの量、並びに、ガス容積
流、即ちアルゴンのような不活性キャリヤガス及びアル
ゴンと窒素のようなバーナガスの単位時間当たりの容
積、並びに場合により、被膜（被覆）材及び基板（サブ
ストレート）に対する共に使用される他の不活性ガスの
単位時間当たりの量がパラメータである。更に、基板
（サブストレート）に向けられた冷却ガス流の方向及び
強さは、十分一定にすべきパラメータに属する（輸送コ
ーティングされる被膜物質量ないし膜厚と表面温度との
間にほぼ直線的関係性が成り立ち得るためには）。
【００１４】当該の関係性は図２に示してある。図２は
ラムダセンサ上でのスピネルでの被膜（被覆）の際の、
最大表面温度と、輸送コーティングされる被膜物質量な
いし膜厚と、の関係を示す。有孔性スピネル層（膜）は
センサの電極に対する保護ーおよび拡散層（膜）として
用いられる。被膜（被覆）の際、フィンガ状のセンサ
（“ストーン”ないしセラミック）は例えば１００〜２
００ｒｐｍでそれの長手軸線を中心として回転する。そ
の中でのスピネル粒子を有するプラズマジェット流は回
転軸線に対して平行に、先ず一旦尖端からベースのとこ
ろまで走行移動し、そして、往復的に走行移動する（例
えば、１〜２０ｓｅｃ内で）。赤外パイロメータは５ｍ
ｍ直径の円形測定スポットに向けられており、上記測定
スポットはプラズマジェット（流）の方向に対して９０
°（上方直線）の角度ないし２７０°（下方直線）の角
度を成してセンサ尖端の近くの電極ゾーン上方に位置す
る。要するに、センサは第１の場合において９０°回転
し、そして、第２の場合においては２７０°回転してい
る（プラズマジェット（流）が測定スポットを掃引した
後）。両直線は１８０°だけの回転後の冷却に相応し
て、ほぼ３０°Ｃの差を示す。センサが例えば１８０ｒ
ｐｍで回転する場合、このことは０.１６ｓｅｃの期間
に相応する。
ラムダセンサ上でのスピネルでの被膜（被覆）の際の、
最大表面温度と、輸送コーティングされる被膜物質量な
いし膜厚と、の関係を示す。有孔性スピネル層（膜）は
センサの電極に対する保護ーおよび拡散層（膜）として
用いられる。被膜（被覆）の際、フィンガ状のセンサ
（“ストーン”ないしセラミック）は例えば１００〜２
００ｒｐｍでそれの長手軸線を中心として回転する。そ
の中でのスピネル粒子を有するプラズマジェット流は回
転軸線に対して平行に、先ず一旦尖端からベースのとこ
ろまで走行移動し、そして、往復的に走行移動する（例
えば、１〜２０ｓｅｃ内で）。赤外パイロメータは５ｍ
ｍ直径の円形測定スポットに向けられており、上記測定
スポットはプラズマジェット（流）の方向に対して９０
°（上方直線）の角度ないし２７０°（下方直線）の角
度を成してセンサ尖端の近くの電極ゾーン上方に位置す
る。要するに、センサは第１の場合において９０°回転
し、そして、第２の場合においては２７０°回転してい
る（プラズマジェット（流）が測定スポットを掃引した
後）。両直線は１８０°だけの回転後の冷却に相応し
て、ほぼ３０°Ｃの差を示す。センサが例えば１８０ｒ
ｐｍで回転する場合、このことは０.１６ｓｅｃの期間
に相応する。
【００１５】図２には、輸送コーティングされる被膜物
質量ないし膜厚と設定値Ｓとの偏差Ａに関する最大表面
温度Ｔｍａｘを示してある。これは測定スポットが２度
目にプラズマジェット（流）により掃引（スイープ）さ
れた後示す温度である。基本的に、被測定スポットの第
一の掃引（スイープ）の後測定され得る比較的に高くな
い温度も、監視及び制御に適するが、最大表面温度の場
合における測定値の分散は比較的に小である。
質量ないし膜厚と設定値Ｓとの偏差Ａに関する最大表面
温度Ｔｍａｘを示してある。これは測定スポットが２度
目にプラズマジェット（流）により掃引（スイープ）さ
れた後示す温度である。基本的に、被測定スポットの第
一の掃引（スイープ）の後測定され得る比較的に高くな
い温度も、監視及び制御に適するが、最大表面温度の場
合における測定値の分散は比較的に小である。
【００１６】基板（サブストレート）の表面温度は、ラ
ムダセンサの被膜（被覆）の場合では有利には前述のよ
うに規定された最大表面温度であって、これは、測定及
び制御技術の領域にて当業者に通有の手法でプラズマ
（スプレー）溶射の監視及び制御のために利用される。
ラムダセンサの被膜（被覆）の場合、先ず、次のような
プロセスパラメータが求められる、即ち、それを以て、
所定の組成のガス、従って所定のラムダ値でのチェック
の際十分精確に当該のラムダ値を指示し、要するに最適
に被膜（被覆）されるセンサが得られる（ことを可能に
する）当該のプロセスパラメータが求められる。上記セ
ンサの作製の際求められた最大表面温度は所期の最適に
輸送コーティングされる被膜物質量に対し（もって、最
適の平均膜厚に対して）特性量として使用され、そし
て、設定値として設定される。
ムダセンサの被膜（被覆）の場合では有利には前述のよ
うに規定された最大表面温度であって、これは、測定及
び制御技術の領域にて当業者に通有の手法でプラズマ
（スプレー）溶射の監視及び制御のために利用される。
ラムダセンサの被膜（被覆）の場合、先ず、次のような
プロセスパラメータが求められる、即ち、それを以て、
所定の組成のガス、従って所定のラムダ値でのチェック
の際十分精確に当該のラムダ値を指示し、要するに最適
に被膜（被覆）されるセンサが得られる（ことを可能に
する）当該のプロセスパラメータが求められる。上記セ
ンサの作製の際求められた最大表面温度は所期の最適に
輸送コーティングされる被膜物質量に対し（もって、最
適の平均膜厚に対して）特性量として使用され、そし
て、設定値として設定される。
【００１７】実際値の測定において所定の設定値からの
偏差が示されると直ちに、制御作用が介入的に発揮され
る（輸送移動される被膜物質量ないし膜厚に対して規定
的なパラメータのうちの少なくとの１つを合目的に変化
させることにより）。例えば、プラズマジェット（流）
中で、被膜（被覆）材の粒子の物質流を、単位時間当た
り供給される被膜（被覆）材の物質流の可変調整により
変化させ得、及び／又はガス容積を変化させ得る。他の
制御手法はそれを以てプラズマジェット（流）及び被膜
（被覆）さるべき被加工物（部品）が相互に相対的に移
動する相対速度を変化させる操作手法に存する。ラムダ
センサの場合において、その中でもプラズマジェット
（流）が１度往復動する期間を変化させることも可能で
ある。更に、個々のスプレー溶射連続過程の数を変化さ
せ得、当該の個々のスプレー溶射連続過程（パス）によ
っては合さって所望の被膜物質量、従って、所望の層
（膜）厚が得られる。勿論、複数のパラメータを同時に
合目的に変化させ得る。ラムダセンサの場合において、
例えば、単位時間ごとに供給される被膜（被覆）材の量
を低減させ得るのみならず、その中でプラズマジェット
（流）が往復動する期間を短縮し得る（過度に多い被膜
物質量が輸送コーティングされることを増大表面温度が
指示する場合）。どのような単数又は複数のパラメータ
に対して制御作用が介入的に発揮されるかは、経済的な
プロセス技術的及び生産技術的観点のもとでどのような
介入的作用が最適であるかに依存する。ラムダセンサの
場合は、有利には、単に、単位時間ごとに供給される被
膜（被覆）材の量を変化させる（輸送コーティングされ
る被膜物質量の設定値との偏差を補正し得るため）。
偏差が示されると直ちに、制御作用が介入的に発揮され
る（輸送移動される被膜物質量ないし膜厚に対して規定
的なパラメータのうちの少なくとの１つを合目的に変化
させることにより）。例えば、プラズマジェット（流）
中で、被膜（被覆）材の粒子の物質流を、単位時間当た
り供給される被膜（被覆）材の物質流の可変調整により
変化させ得、及び／又はガス容積を変化させ得る。他の
制御手法はそれを以てプラズマジェット（流）及び被膜
（被覆）さるべき被加工物（部品）が相互に相対的に移
動する相対速度を変化させる操作手法に存する。ラムダ
センサの場合において、その中でもプラズマジェット
（流）が１度往復動する期間を変化させることも可能で
ある。更に、個々のスプレー溶射連続過程の数を変化さ
せ得、当該の個々のスプレー溶射連続過程（パス）によ
っては合さって所望の被膜物質量、従って、所望の層
（膜）厚が得られる。勿論、複数のパラメータを同時に
合目的に変化させ得る。ラムダセンサの場合において、
例えば、単位時間ごとに供給される被膜（被覆）材の量
を低減させ得るのみならず、その中でプラズマジェット
（流）が往復動する期間を短縮し得る（過度に多い被膜
物質量が輸送コーティングされることを増大表面温度が
指示する場合）。どのような単数又は複数のパラメータ
に対して制御作用が介入的に発揮されるかは、経済的な
プロセス技術的及び生産技術的観点のもとでどのような
介入的作用が最適であるかに依存する。ラムダセンサの
場合は、有利には、単に、単位時間ごとに供給される被
膜（被覆）材の量を変化させる（輸送コーティングされ
る被膜物質量の設定値との偏差を補正し得るため）。
【００１８】本発明の当該の重要な構成要件によれば、
（当該のスプレー溶射ー被膜生成のプロセス期間中輸送
コーティングされる被膜物質量ないし膜厚に対する）特
性量として基板（サブストレート）の表面温度を監視及
び制御のために使用する。ラムダセンサの被膜（被覆）
の際、このことのためには特に、前述の最大の表面温度
が適する。特性量として当該の最大表面温度を使用する
場合、輸送コーティングされる被膜物質量の、設定値と
の偏差として、たんにほぼ±５％を達成し得る。それに
相応して、センサの正規（規準）状態（量）ー分散、要
するにラムダ値の測定精度における偏差はわずかであ
る。
（当該のスプレー溶射ー被膜生成のプロセス期間中輸送
コーティングされる被膜物質量ないし膜厚に対する）特
性量として基板（サブストレート）の表面温度を監視及
び制御のために使用する。ラムダセンサの被膜（被覆）
の際、このことのためには特に、前述の最大の表面温度
が適する。特性量として当該の最大表面温度を使用する
場合、輸送コーティングされる被膜物質量の、設定値と
の偏差として、たんにほぼ±５％を達成し得る。それに
相応して、センサの正規（規準）状態（量）ー分散、要
するにラムダ値の測定精度における偏差はわずかであ
る。
【００１９】最大表面温度の個々の値の代わりに１つの
平均値をも、例えば４，６又は８の個々の個別測定から
の１つの平均値をスプレー溶射過程の監視及び制御のた
めの特性量として利用し得る。輸送コーティングされる
被膜物質量の平均値が有する設定値からの偏差が、たん
にほぼ±２％であることが明らかになっていいる。これ
に反して。制御のない動作法の場合、輸送コーティング
される被膜物質量の平均値のドリフト（変動）は、時間
の経過中±１０％以上になり得る。個々の輸送コーティ
ングされる被膜物質量の分散は、勿論、最大表面温度の
平均値を介する制御によっても低減され得ない。当該分
散は、個々の最大表面温度を介する制御の場合における
ようにほぼ±５％までである。
平均値をも、例えば４，６又は８の個々の個別測定から
の１つの平均値をスプレー溶射過程の監視及び制御のた
めの特性量として利用し得る。輸送コーティングされる
被膜物質量の平均値が有する設定値からの偏差が、たん
にほぼ±２％であることが明らかになっていいる。これ
に反して。制御のない動作法の場合、輸送コーティング
される被膜物質量の平均値のドリフト（変動）は、時間
の経過中±１０％以上になり得る。個々の輸送コーティ
ングされる被膜物質量の分散は、勿論、最大表面温度の
平均値を介する制御によっても低減され得ない。当該分
散は、個々の最大表面温度を介する制御の場合における
ようにほぼ±５％までである。
【００２０】本発明の他の実施例では表面温度の代わり
に、２つの表面温度の差を、スプレー溶射プロセスの監
視及び制御のための特性量として使用する。当該の差
は、１つのスプレー溶射又は１つの連続過程（パス）の
直前又は直後の基板（サブストレート）上の所定の位置
における表面温度の差である。当該の実施例は特に大面
積の被加工物（部品）ないし製品の被膜（被覆）のため
のスプレー溶射に適する。
に、２つの表面温度の差を、スプレー溶射プロセスの監
視及び制御のための特性量として使用する。当該の差
は、１つのスプレー溶射又は１つの連続過程（パス）の
直前又は直後の基板（サブストレート）上の所定の位置
における表面温度の差である。当該の実施例は特に大面
積の被加工物（部品）ないし製品の被膜（被覆）のため
のスプレー溶射に適する。
【００２１】プラズマ（スプレー）溶射プロセスの場合
におけるスプレー溶射パラメータの所期の変化行わせる
場合、例えば、電流の強さ、電圧及び／又はガス容積流
ー並びに基板（サブストレート）ーラムダセンサ例えば
センサタイプの被膜（被覆）にに際してスプレー溶射の
パラメータの所期の変化を行わせる場合、制御（状態
量）を新たに調整セッティングしなければならない。有
利には、電流の強さ、電圧及びガス容積流に対する選定
値も監視され、そして、クリティカルな変化の場合は警
報が発せられ、及び／又は装置は停止される。勿論、ス
プレー溶射される膜の有孔性の制御のための電流の強さ
がわずかである場合、即ち制御（状態量）のわずかな変
化で事足りる。
におけるスプレー溶射パラメータの所期の変化行わせる
場合、例えば、電流の強さ、電圧及び／又はガス容積流
ー並びに基板（サブストレート）ーラムダセンサ例えば
センサタイプの被膜（被覆）にに際してスプレー溶射の
パラメータの所期の変化を行わせる場合、制御（状態
量）を新たに調整セッティングしなければならない。有
利には、電流の強さ、電圧及びガス容積流に対する選定
値も監視され、そして、クリティカルな変化の場合は警
報が発せられ、及び／又は装置は停止される。勿論、ス
プレー溶射される膜の有孔性の制御のための電流の強さ
がわずかである場合、即ち制御（状態量）のわずかな変
化で事足りる。
【００２２】
【発明の効果】本発明の方法において得られる利点、効
果とするところは、容易に、且つ、信頼性を以て求めら
れるべき量、即ちスプレー溶射ー被膜生成過程中の基板
（サブストレート）の表面温度が監視され、そして、当
該の輸送コーティングされる被膜物質量ないし当該の膜
厚の制御のために使用され、一連の経済的利点を有する
こと、そして、制御作用は介入的に発揮され（このこと
は殊に短いタイミング（クロック）時間を以ての量産の
場合被膜（被覆）さるべき被加工物（部品）ないし製品
の被膜（被覆）の場合重要である）、不足品発生を来す
不良被膜（被覆）はスプレー溶射ー被膜生成の際既に識
別され、所望の輸送コーティングされる被膜物質量ない
し所望の膜厚からの偏差は、直ちに、即ち当該の次の
（次に続く）スプレー溶射ー被膜生成過程（プロセス）
の場合、又は複数のスプレー溶射ー被膜生成過程（プロ
セス）のうちの１つの際少なくとも１つの規定的なプロ
セスパラメータの変化により補正され得ることである。
果とするところは、容易に、且つ、信頼性を以て求めら
れるべき量、即ちスプレー溶射ー被膜生成過程中の基板
（サブストレート）の表面温度が監視され、そして、当
該の輸送コーティングされる被膜物質量ないし当該の膜
厚の制御のために使用され、一連の経済的利点を有する
こと、そして、制御作用は介入的に発揮され（このこと
は殊に短いタイミング（クロック）時間を以ての量産の
場合被膜（被覆）さるべき被加工物（部品）ないし製品
の被膜（被覆）の場合重要である）、不足品発生を来す
不良被膜（被覆）はスプレー溶射ー被膜生成の際既に識
別され、所望の輸送コーティングされる被膜物質量ない
し所望の膜厚からの偏差は、直ちに、即ち当該の次の
（次に続く）スプレー溶射ー被膜生成過程（プロセス）
の場合、又は複数のスプレー溶射ー被膜生成過程（プロ
セス）のうちの１つの際少なくとも１つの規定的なプロ
セスパラメータの変化により補正され得ることである。
【図１】プラズマ（スプレー）溶射プロセスによる基板
（サブストレート）の被膜（被覆）のための装置構成の
概念図である。
（サブストレート）の被膜（被覆）のための装置構成の
概念図である。
【図２】同じくプラズマ（スプレー）溶射プロセスの例
に即して基板（サブストレート）の表面温度と、輸送コ
ーティングされる被膜物質量との間の実施的に直線関係
を示す特性図である。
に即して基板（サブストレート）の表面温度と、輸送コ
ーティングされる被膜物質量との間の実施的に直線関係
を示す特性図である。
１ プラズマバーナ ２ 粒子ジェット（流） ３ 回転ラムダセンサ ４ ジェット（流）パイロメータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ペーター ヤンズィング ドイツ連邦共和国 レニンゲン エルティ ンガー ヴェーク 35 (72)発明者 ハリ ブラウン ドイツ連邦共和国 ハイムスハイム ヴァ ルトマウアーシュトラーセ ５ (72)発明者 ヴァルター バウアー ドイツ連邦共和国 エーバーディンゲン シュレーエンヴェーク ５ (72)発明者 マルク ヴェラー ドイツ連邦共和国 シュツットガルト ア ム ベルクハイマー ホーフ 45 (72)発明者 トーマス カンツ ドイツ連邦共和国 レオンベルク シュツ ットガルター シュトラーセ 117−１
Claims (12)
- 【請求項１】 被膜（被覆）材として高温に加熱される
無機粒子を用いてサブストレート（基板）の表面へのス
プレー溶射被膜生成を行うためのスプレー溶射被膜生成
プロセスの監視及び制御方法において、 当該のスプレー溶射被膜生成プロセス（過程）中、輸送
コーティングされる被膜物質量ないし膜厚に対する特性
量として基板（サブストレート）の表面温度を測定し、
設定値からの偏差のある場合、被膜物質量ないし膜厚に
対して規定的なプロセスパラメータを変化させることを
特徴とするスプレー溶射被膜生成プロセスの監視及び制
御方法。 - 【請求項２】 前記のスプレー溶射被膜生成プロセス
は、プラズマ（スプレー）溶射被膜生成プロセスである
ようにしたことを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 前記のスプレー溶射被膜生成プロセス
は、火炎（フレーム）−溶射被膜生成プロセスであるよ
うにしたことを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項４】 前記のスプレー溶射被膜生成プロセス
は、アーク（噴霧）スプレー被膜生成プロセスであるよ
うにしたことを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項５】 制御のために使用されるプロセスパラメ
ータは被膜（被覆）材の高温加熱される粒子のジェット
（噴射）流における粒子濃度であることを特徴とする請
求の範囲１項から4項までのうち何れか１項記載の方
法。 - 【請求項６】 制御のために使用されるプロセスパラメ
ータは次のような相対速度である、即ち、それを以て、
被膜（被覆）材の高温加熱された粒子のジェット（噴
射）流と、被膜（被覆）さるべき被加工物（部品）が相
互に相対的に移動する相対速度であるようにしたことを
特徴とする請求の範囲１項から4項までのうち何れか１
項記載の方法。 - 【請求項７】 制御のために使用されるプロセスパラメ
ータは、所望の輸送コーティングされる被膜物質量ない
し所望の膜厚を生じさせる被膜（被覆）−連続作動過程
（パス）の数であるようにしたことを特徴とする請求項
１から４までのうち１項記載の方法。 - 【請求項８】 被膜（被覆）の際基板（サブストレー
ト）の最大表面温度が、測定され、制御のために利用さ
れるようにしたことを特徴とする請求項１から７までの
うち１項又は複数項記載の方法。 - 【請求項９】 被膜（被覆）の際基板（サブストレー
ト）の平均最大表面温度が、測定され、制御のために利
用されるようにしたことを特徴とする請求項１から７ま
でのうち１項又は複数項記載の方法。 - 【請求項１０】 表面温度の代わりに、次のような表面
温度の差を測定し、即ち、1つのスプレー溶射被膜（被
覆）生成過程又は1つのスプレー溶射被膜生成−連続作
動過程（パス）の直前又は直後での、基板（サブストレ
ート）上の１つの所定の位置における各々の表面温度の
差を測定し、そして、当該の表面温度の差を制御のため
に使用することを特徴とする請求の範囲１項から項まで
のうち何れか１項又は複数項記載の方法。 - 【請求項１１】 短いタイミング（クロック）時間での
量産体制による被加工物（部品）の被膜（被覆）のため
のスプレー溶射被膜生成プロセスが適用され、そして、
膜厚に偏差のある或１つの被加工物（部品）が検出され
た後、輸送コーティングされる被膜物質量又は膜厚の制
御を介入的に直ちに行う特徴とする１から１０までのう
ち１項又は複数項記載の方法。 - 【請求項１２】 被膜（被覆）さるべき被加工物（部
品）は、内燃機関用のラムダセンサであるようにしたこ
とを特徴とする請求項１１記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19535078A DE19535078B4 (de) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | Überwachung und Regelung von thermischen Spritzverfahren |
| DE19535078.2 | 1995-09-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09111435A true JPH09111435A (ja) | 1997-04-28 |
Family
ID=7772766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8233223A Abandoned JPH09111435A (ja) | 1995-09-21 | 1996-09-03 | スプレー溶射被膜生成プロセスの監視及び制御方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5731030A (ja) |
| JP (1) | JPH09111435A (ja) |
| CH (1) | CH691761A5 (ja) |
| DE (1) | DE19535078B4 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007258154A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-10-04 | Nec Electronics Corp | イオン注入装置 |
| JP2009115037A (ja) * | 2007-11-08 | 2009-05-28 | Toyota Motor Corp | エンジンブロックの製造方法 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5915743A (en) * | 1997-06-30 | 1999-06-29 | The Boeing Company | Metal spray tool repair system |
| DE19837400C1 (de) * | 1998-08-18 | 1999-11-18 | Siemens Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung von Hochtemperaturbauteilen mittels Plasmaspritzens |
| DE19936393A1 (de) | 1999-08-03 | 2001-02-08 | Volkswagen Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Auf- bzw. Einbringen eines Werkstoffes auf bzw. in eine Oberfläche |
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