JPH09113707A - 光反射板およびその製造方法 - Google Patents

光反射板およびその製造方法

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JPH09113707A
JPH09113707A JP27134795A JP27134795A JPH09113707A JP H09113707 A JPH09113707 A JP H09113707A JP 27134795 A JP27134795 A JP 27134795A JP 27134795 A JP27134795 A JP 27134795A JP H09113707 A JPH09113707 A JP H09113707A
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JP
Japan
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metal
substrate
layer
vacuum
light
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Application number
JP27134795A
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English (en)
Inventor
Fumihiro Arakawa
川 文 裕 荒
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Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 簡単に製造することができ、光反射性と光拡
散性に優れた光反射板を提供する。 【解決手段】 基板11が真空室内に配置され、金属ま
たは金属化合物を主成分とする蒸着源から基板11に対
して真空蒸着が行われ、基板11上に金属層12が設け
られる。真空蒸着工程において、真空室内に導入ガスが
導入され、真空度が低下することにより、金属層12の
表面に微細凹凸12aが形成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種ディスプレイ
あるいは証明器具に使われる光反射板およびその製造方
法に係り、とりわけ反射率が高くかつ光の拡散性能を有
する光反射板及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】各種ディスプレイあるいは照明器具は、
外光あるいは光源の光を拡散反射し視認性を高める為に
光反射板10を有している(図6乃至図8)。特に反射
型液晶ディスプレイは、外光を利用するため、高反射で
かつ視角を狭めない拡散性を有する光反射板10を備え
ている。
【0003】従来の反射型液晶ディスプレイ用の光反射
板10は、光拡散性を得るために、図6に示すように表
面をヘアライン加工、サンドブラスト加工、エッチング
加工して荒らした金属製基板11を有している。また光
反射板10として図7に示すように、基板11上にフィ
ラー、ビーズ等の粒状物31を含有した樹脂層31をコ
ーティングし、この樹脂層31上に金属32を成膜した
ものがある。また光反射板10として、図8に示すよう
に基板11上の樹脂層31表面を賦型し、この樹脂層3
1上に金属32を成膜したもの等が知られている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記のように従来技術
の光反射板10としては、金属製基板11の表面を加工
したり(図6参照)、金属32を真空コーティング法で
成膜したもの(図7および図8参照)のいづれかが使用
されているが、金属製基板11を加工するものの場合、
反射率が加工方法で異なり均一性に問題がある。また金
属32を成膜する方法では、金属32表面の凹凸形状を
他の方法により作製しなくてはならず工程が煩雑にな
る。
【0005】本発明はこのような点を考慮してなされた
ものであり、煩雑な工程を経ずに均一で良好な拡散反射
性を有する光反射板およびその製造方法を提供する。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、この基板上に
設けられた金属又は金属化合物層とを備え、前記金属又
は金属化合物層は、その表面に平均粒子径0.1〜1.
0μmの粒子が連続して粒塊となって形成された微細凹
凸を有することを特徴とする光反射板基板と、および基
板を真空室内に配置する工程と、金属または金属化合物
を主成分とする蒸着源から基板に対して真空蒸着して基
板上に金属層を設ける工程とを備え、真空蒸着工程にお
いて、真空室内に導入ガスを導入して真空室内の真空度
を調整したことを特徴とする光反射板の製造方法であ
る。
【0007】本発明によれば、光反射性と光拡散性に優
れた光反射板を煩雑な工程によらずに得ることができ
る。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図1乃至図5および図9は
本発明の実施の形態を示す図である。
【0009】図1は、本発明による光反射板の基本的な
層構成を示している。図1に示すように、光反射板10
は基板11と、この基板11上に真空蒸着により設けら
れた金属層12とを備えている。このうち基板11はガ
ラス、高分子フィルム等からなるが、真空コーティング
法あるいはメッキ等の湿式コーティング法に使用可能な
基板であれば特に限定されるものではない。また基板1
1の表面に、密着が良好となるような表面処理を行って
も良い。金属層12は、金属あるいは金属化合物からな
る反射層となっており、その表面に金属層12の粒塊に
より微細な凹凸12aが形成されている。
【0010】図2および図3は、偏光板を使用しない反
射型液晶ディスプレイおよび光反射板を各々示してい
る。
【0011】図2に示すように、反射型液晶ディスプレ
イ20は、基板1と金属層12とからなる光反射板10
と、液晶層21と、透明導電膜22と、基板22とを順
次積層して構成されている。図2において、光反射板1
0は電極を兼ねているため、光反射板10のいづれか一
つの層は、導電性を有するものでなくてはならない。こ
のため図2において、光反射板10の金属層12は導電
性を有している。
【0012】なお、光反射板10の金属層12が導電性
を有さない場合には、反射型液晶ディスプレイ20の金
属層12と液晶層21の間に透明導電膜が必要となる。
【0013】図2に示す光反射板10に対し、図3に示
すように基板11と金属層12との間にバリア層13と
アンカーコート層14を設けるとともに、金属層12の
表面にオーバーコート層15を設けてもよい。バリア層
13としては、SiOxやEVOHを用いることがで
き、アンカーコート層14およびオーバーコート層15
としては、エポキシやアクリル形樹脂を用いることがで
きる。また透明導電膜22としては、ITOを各種のコ
ーティング方法をコーティングしたものを設けることが
できる。
【0014】次に図4および図5により、ツイストネマ
ティック等の偏光板を使用するタイプの反射型液晶ディ
スプレイ、およびその反射型液晶ディスプレイに用いら
れる光反射板について説明する。
【0015】図4において、反射型液晶ディスプレイ2
0は、基板11と金属層12とからなる光反射板10
と、この光反射板10に偏光板29を介して積層された
基板25および透明導電膜26と、この透明導電膜26
に積層された液晶層21、透明導電膜22、基板23お
よび偏光板28とを備えている。
【0016】なお、図4において、反射型液晶ディスプ
レイ20の光反射板10は、導電性を有する必要はな
い。また、図4に示す光反射板10は、金属層12上に
接着層16を有していてもよい(図5参照)。この接着
層16としては、熱硬化型、熱可変型または紫外線硬化
型の各種接着剤を用いることができる。
【0017】次に基板11上に金属層12を設けるとと
もに、この金属層12上に微細凹凸12aを形成してな
る光反射板10の製造方法について説明する。すなわち
光反射板の製造方法としては、まず真空室35(図9参
照)内の支持台37上に基板11を配置する。次に金属
あるいは金属化合物を主成分とする蒸着源36を用い、
必要に応じて真空室35内に導入孔38からガスを導入
し、基板11上に金属、金属化合物、あるいは導入した
ガスとの金属化合物を主成分とする金属層12を真空蒸
着する。この場合、蒸着源36としては、特にアルミニ
ウム、亜鉛、インジウム、スズ、銀が用いられ、また導
入ガスとしては、酸素、窒素ないし不活性ガスが用いら
れるが、特にこれらに限定されるものではない。金属層
12の表面に微細凹凸12aを金属あるいは金属化合物
の粒塊により形成するには、真空蒸着時の真空度を調整
することによって得られる。
【0018】例えば蒸着源36としてインジウムを用
い、導入ガスに酸素を用いた場合は、真空蒸着時の真空
度を1×10-4Torr以上でかつ1×10-3Torr
以下の範囲に保持する。この場合、金属層12の表面の
酸素/インジウムの比は0.5以上でかつ1.5以下と
なり、金属膜12の内部にいくに従って酸素/インジウ
ムの比が小さくなる。酸素/インジウムの比が0.5以
下であると、導電性は良好であるが金属層12の膜表面
は金属光沢が強くなり、拡散反射率が低下してしまう傾
向にある。なお金属層12の表面の酸素/インジウムの
比は、化学量論比から本発明の場合、1.5以下とな
る。
【0019】上記の真空度範囲では、表面の酸化インジ
ウムの粒子の直径は約0.4〜0.8μmであり、真空
蒸着時の上述した真空度範囲(1×10-4〜1×10-3
Torr)内において真空度の違いにより金属層12に
表面の粒子の凹凸に違いが生じ、抵抗率および拡散反射
率が変化する。使用する蒸着源36の材料により異なる
が上記の真空度範囲で真空蒸着した場合、表面の金属又
は金属化合物の平均粒子径は0.1〜1.0μmとな
る。
【0020】本発明における金属層12の組成比はES
CAにより測定することができ、また金属層12の表面
の粒子形状はSEMで測定することができる。
【0021】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。実施例1 インジウム(In)の粒を蒸発源として、蒸着装置を下
記の条件で操作して基板(7059板ガラス、コーニン
グ社製)上に金属層(光反射層)(膜厚5000A)を
成膜した。 操作条件 成膜真空度 5×10-4Torr 基板温度 室温
【0022】形成された金属層の抵抗率は、1.8×1
-2Ω・cmであった。また600nm(R)、550
nm(G)、480nm(B)での拡散反射率/全反射
率は、各々0.88、0.86、0.84であった。
【0023】この金属層をESCAにより分析したとこ
ろ、表面の酸素/インジウムの比は1.4であった。さ
らに層の内部についてもESCAで分析したところ酸素
/インジウムの比は0.5であり、抵抗率は5×10-3
Ω・cmであったが、金属光沢を示した。
【0024】実施例2 実施例1において、成膜真空度を1×10-3Torrと
した。これ以外の操作条件を実施例1と同様にして金属
層を形成した。
【0025】形成された金属層の抵抗率は、5×102
Ω・cm以上であった。また600nm(R)、550
nm(G)、480nm(B)での拡散反射率/全反射
率は、各々0.70、0.76、0.83であり、光拡
散能は実施例1とほとんど同一であるが、導電率は著し
く悪化した。
【0026】実施例3 実施例1において、成膜真空度を1×40-4Torrと
した。これ以外の操作条件を実施例1と同様にして金属
層を形成した。
【0027】形成された金属層の抵抗率は、1×10-5
Ω・cm以上であった。また600nm(R)、550
nm(G)、480nm(B)での拡散反射率/全反射
率は、各々0.57、0.59、0.61であり、導電
率は良好であるが実施例1に比べて光拡散能は著しく悪
化し金属光沢を示した。
【0028】実施例4 実施例1及び2で作成した光反射板を、ツイストネマテ
ィック型の液晶ディスプレイの光反射板として用いた。
この結果、従来の光反射板のものと比較して良好な明る
さを持つ反射型液晶ディスプレイが得られることを確認
した。
【0029】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
光反射性と光拡散性に優れた光反射板を煩雑な工程によ
らずに得ることができる。このため、この光反射板を用
いて精度の良い反射型液晶ディスプレイを作製すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による光反射板を示す断面図。
【図2】本発明による光反射板を用いた反射型液晶ディ
スプレイを示す断面図。
【図3】他の光反射板を示す断面図。
【図4】偏光板を有する反射型液晶ディスプレイを示す
断面図。
【図5】他の光反射板を示す断面図。
【図6】従来の光反射板を示す断面図。
【図7】従来の光反射板を示す断面図。
【図8】従来の光反射板を示す断面図。
【図9】本発明による光反射板の製造方法を示す図。
【符号の説明】
10 光反射板 11 基板 12 金属層 12a 微細凹凸 13 バリア層 14 アンカーコート層 15 オーバーコート層 20 反射型液晶ディスプレイ 21 液晶層

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板と、 この基板上に設けられた金属又は金属化合物層とを備
    え、 前記金属又は金属化合物層は、その表面に平均粒子径
    0.1〜1.0μmの粒子が連続して粒塊となって形成
    された微細凹凸を有することを特徴とする光反射板。
  2. 【請求項2】金属層は導電性を有することを特徴とする
    請求項1記載の光反射板。
  3. 【請求項3】基板を真空室内に配置する工程と、 金属または金属化合物を主成分とする蒸着源から基板に
    対して真空蒸着して基板上に金属層を設ける工程とを備
    え、 真空蒸着工程において、真空室内に導入ガスを導入して
    真空室内の真空度を調整したことを特徴とする光反射板
    の製造方法。
JP27134795A 1995-10-19 1995-10-19 光反射板およびその製造方法 Pending JPH09113707A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001090787A1 (fr) * 2000-05-23 2001-11-29 Saint-Gobain Glass France Couche diffusante
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JP5202623B2 (ja) * 2008-04-25 2013-06-05 株式会社アルバック 成膜方法

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