JPH09115454A - マグネトロン駆動用電源装置 - Google Patents
マグネトロン駆動用電源装置Info
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- JPH09115454A JPH09115454A JP7268192A JP26819295A JPH09115454A JP H09115454 A JPH09115454 A JP H09115454A JP 7268192 A JP7268192 A JP 7268192A JP 26819295 A JP26819295 A JP 26819295A JP H09115454 A JPH09115454 A JP H09115454A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明はマグネトロン駆動用電源装置では不
要輻射電波の強度が大きかった。 【解決手段】 商用電源１を整流した単方向電源電力を
インバータ回路３により高周波交流電源に変換し、イン
バータ回路３を構成する昇圧トランス４の２次巻線出力
に高圧高周波交流電力を発生させる。この高圧高周波交
流電力を１対のダイオードと１対のコンデンサ６ａ、６
ｂとによる全波倍電圧整流回路６により整流し、マグネ
トロン７に高圧直流電圧を供給する。マグネトロン７の
アノード電流Iaによる不要輻射の強度は前記Iaのピーク
値と変化（dI／t）とに比例して増加するので、全波倍
電圧整流によりそのいずれも小さくして不要輻射強度を
本質的に低減するとともに、コンデンサ６ａ、６ｂの容
量も大きく設定し、０．０１μF以上とすることによ
り、効果的に不要輻射強度を低減している。
要輻射電波の強度が大きかった。 【解決手段】 商用電源１を整流した単方向電源電力を
インバータ回路３により高周波交流電源に変換し、イン
バータ回路３を構成する昇圧トランス４の２次巻線出力
に高圧高周波交流電力を発生させる。この高圧高周波交
流電力を１対のダイオードと１対のコンデンサ６ａ、６
ｂとによる全波倍電圧整流回路６により整流し、マグネ
トロン７に高圧直流電圧を供給する。マグネトロン７の
アノード電流Iaによる不要輻射の強度は前記Iaのピーク
値と変化（dI／t）とに比例して増加するので、全波倍
電圧整流によりそのいずれも小さくして不要輻射強度を
本質的に低減するとともに、コンデンサ６ａ、６ｂの容
量も大きく設定し、０．０１μF以上とすることによ
り、効果的に不要輻射強度を低減している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子レンジなどの
高周波加熱装置、医療機器、乾燥器、およびガス励起装
置などの、マグネトロンが発振出力するマイクロ波を利
用する機器に用いるマグネトロン駆動用電源装置に関す
る。
高周波加熱装置、医療機器、乾燥器、およびガス励起装
置などの、マグネトロンが発振出力するマイクロ波を利
用する機器に用いるマグネトロン駆動用電源装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、マイクロ波による高周波加熱を利
用した機器が多く用いられるが、その不要輻射が課題で
ある。
用した機器が多く用いられるが、その不要輻射が課題で
ある。
【０００３】以下、従来のマグネトロン駆動用電源装置
について図面を参照しながら説明する。従来のマグネト
ロン駆動用電源装置は、昇圧トランスと高圧整流回路と
によって構成され、昇圧トランスは商用電源から得られ
る５０Hzまたは６０Hzの交流電圧を昇圧し、昇圧された
交流高電圧を高圧整流回路で整流して直流高電圧に変換
し、マグネトロンを付勢しマイクロ波を発生させてい
る。
について図面を参照しながら説明する。従来のマグネト
ロン駆動用電源装置は、昇圧トランスと高圧整流回路と
によって構成され、昇圧トランスは商用電源から得られ
る５０Hzまたは６０Hzの交流電圧を昇圧し、昇圧された
交流高電圧を高圧整流回路で整流して直流高電圧に変換
し、マグネトロンを付勢しマイクロ波を発生させてい
る。
【０００４】上記構成において、昇圧トランスは５０Hz
または６０Hzの低周波の交流電圧を昇圧するので、非常
に大型化し、かつ重量も非常に重いものであった。そこ
で、昇圧トランスを小型軽量化するために、５０Hzまた
は６０Hzの交流電圧を一旦２０KHz以上の高周波交流電
圧に変換し、この高周波交流電圧を昇圧する構成とする
ことにより、昇圧トランスを小型軽量化したマグネトロ
ン駆動用電源装置が国内のインバータ式電子レンジに採
用されている。
または６０Hzの低周波の交流電圧を昇圧するので、非常
に大型化し、かつ重量も非常に重いものであった。そこ
で、昇圧トランスを小型軽量化するために、５０Hzまた
は６０Hzの交流電圧を一旦２０KHz以上の高周波交流電
圧に変換し、この高周波交流電圧を昇圧する構成とする
ことにより、昇圧トランスを小型軽量化したマグネトロ
ン駆動用電源装置が国内のインバータ式電子レンジに採
用されている。
【０００５】図６は上記インバータ式電子レンジに採用
されているマグネトロン駆動用電源装置の構成を示す回
路図である。図において、商用電源１の交流電圧は、整
流回路によって単方向電源に整流され、半導体スイッチ
素子２を備えたインバータ回路３に供給される。また、
この半導体スイッチ素子２は、バイポーラジャンクショ
ントランジスタ（ＢＪＴ）、ＭＯＳ電界効果トランジス
タ（ＭＯＳＦＥＴ）、および絶縁ゲートバイポーラトラ
ンジスタ（ＩＧＢＴ）などの自己転流機能を有するトラ
ンジスタと、これと逆並列に接続されたダイオードとに
よって構成されている。商用電源を整流した単方向電圧
はインバータ回路３によって２０KHz以上の周波数を有
する交流電圧に変換される。インバータ回路３を構成す
る昇圧トランス４は、その１次巻線５に発生した高周波
交流電圧を昇圧して高電圧の高周波交流電圧を出力す
る。この高電圧の高周波交流電圧は高圧整流回路６によ
って整流され直流高電圧に変換される。マグネトロン７
はこの直流高電圧により付勢されマイクロ波を放出す
る。なお、８はインバータ回路３のスイッチング動作な
どを制御する制御部であり、９は共振コンデンサであ
る。
されているマグネトロン駆動用電源装置の構成を示す回
路図である。図において、商用電源１の交流電圧は、整
流回路によって単方向電源に整流され、半導体スイッチ
素子２を備えたインバータ回路３に供給される。また、
この半導体スイッチ素子２は、バイポーラジャンクショ
ントランジスタ（ＢＪＴ）、ＭＯＳ電界効果トランジス
タ（ＭＯＳＦＥＴ）、および絶縁ゲートバイポーラトラ
ンジスタ（ＩＧＢＴ）などの自己転流機能を有するトラ
ンジスタと、これと逆並列に接続されたダイオードとに
よって構成されている。商用電源を整流した単方向電圧
はインバータ回路３によって２０KHz以上の周波数を有
する交流電圧に変換される。インバータ回路３を構成す
る昇圧トランス４は、その１次巻線５に発生した高周波
交流電圧を昇圧して高電圧の高周波交流電圧を出力す
る。この高電圧の高周波交流電圧は高圧整流回路６によ
って整流され直流高電圧に変換される。マグネトロン７
はこの直流高電圧により付勢されマイクロ波を放出す
る。なお、８はインバータ回路３のスイッチング動作な
どを制御する制御部であり、９は共振コンデンサであ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のマグ
ネトロン駆動用電源装置では、マグネトロンが２．４５
GHzで発振してマイクロ波を放出するとき、２．４５GHz
近傍の周波数の電波と２．４５GHzの高調波電波とを発
生する。これらの高調波電波は不要輻射電波と呼ばれ、
２．４〜２．５GHzを除く周波数域の放射電波の強度が
電気用品取締り法などの法規によって規制されており、
規格値以下でなければならないが、従来のマグネトロン
駆動用電源装置では、マグネトロンのアノード電流によ
り多量の不要輻射電波を発生している。
ネトロン駆動用電源装置では、マグネトロンが２．４５
GHzで発振してマイクロ波を放出するとき、２．４５GHz
近傍の周波数の電波と２．４５GHzの高調波電波とを発
生する。これらの高調波電波は不要輻射電波と呼ばれ、
２．４〜２．５GHzを除く周波数域の放射電波の強度が
電気用品取締り法などの法規によって規制されており、
規格値以下でなければならないが、従来のマグネトロン
駆動用電源装置では、マグネトロンのアノード電流によ
り多量の不要輻射電波を発生している。
【０００７】本発明は上記の課題を解決するもので、マ
グネトロンの不要輻射電波の強度を低減できるマグネト
ロン駆動用電源装置を提供することを目的とする。
グネトロンの不要輻射電波の強度を低減できるマグネト
ロン駆動用電源装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に係わる本発明
は、単方向電源の出力を入力して高周波交流電力に変換
するインバータ回路と、前記インバータ回路を制御する
制御部と、前記インバータ回路が出力する高周波交流電
力を１次巻線に入力し、２次巻線に高圧の高周波交流電
圧を出力する昇圧トランスと、１対のダイオードと１対
のコンデンサとにより前記２次巻線の高圧高周波交流出
力を全波倍電圧整流してマグネトロンに高圧直流電圧を
供給する高圧整流回路とを備え、前記コンデンサの容量
値を少なくとも０．０１μＦ以上としたマグネトロン駆
動用電源装置であり、また、請求項２に係わる本発明
は、単方向電源の出力を入力して高周波交流電力に変換
するインバータ回路と、前記インバータ回路を制御する
制御部と、前記インバータ回路が出力する高周波交流電
力を１次巻線に入力し、２次巻線に高圧の高周波交流電
圧を出力する昇圧トランスと、前記２次巻線の高周波高
圧交流出力を整流する高圧整流回路と、前記高圧整流回
路の出力とマグネトロンとの間に挿入した電流平滑手段
とを備え、前記電流平滑手段によりマグネトロンの通電
電流を平滑化するようにしたマグネトロン駆動用電源装
置であり、また、請求項３に係わる本発明は、磁性材料
に巻き付けた電線によって構成したインダクタンスを高
圧整流回路とマグネトロンとの間に直列に挿入して電流
平滑手段とする請求項２に係わるマグネトロン駆動用電
源装置であり、また、請求項４に係わる本発明は、高圧
整流回路の出力端に並列にコンデンサを接続して電流平
滑手段とする請求項２に係わるマグネトロン駆動用電源
装置であり、また、請求項５に係わる本発明は、単方向
電源の出力を入力して高周波交流電力に変換するインバ
ータ回路と、前記インバータ回路を制御する制御部と、
前記インバータ回路が出力する高周波交流電力を１次巻
線に入力し、２次巻線に高圧の高周波交流電圧を出力す
る昇圧トランスと、前記２次巻線の出力に直列に挿入し
たインダクタンスと、１対のダイオードと１対のコンデ
ンサとにより前記昇圧トランスの２次巻線の高周波高圧
交流出力を前記インダクタンスを介して入力して全波倍
電圧整流し、マグネトロンに高圧直流電圧を供給する高
圧整流回路とを備え、前記コンデンサの容量を少なくと
も０．０１μＦ以上としたマグネトロン駆動用電源装置
であり、また、請求項６に係わる本発明は、昇圧トラン
スの１次−２次間の結合係数を大きくとも０．７５以下
となるように構成し、昇圧トランスの出力と高圧整流回
路との間に前記昇圧トランスの漏洩インダクタンスを等
価的に電流平滑用のインダクタンスとして挿入した請求
項５に係わるマグネトロン駆動用電源装置である。
は、単方向電源の出力を入力して高周波交流電力に変換
するインバータ回路と、前記インバータ回路を制御する
制御部と、前記インバータ回路が出力する高周波交流電
力を１次巻線に入力し、２次巻線に高圧の高周波交流電
圧を出力する昇圧トランスと、１対のダイオードと１対
のコンデンサとにより前記２次巻線の高圧高周波交流出
力を全波倍電圧整流してマグネトロンに高圧直流電圧を
供給する高圧整流回路とを備え、前記コンデンサの容量
値を少なくとも０．０１μＦ以上としたマグネトロン駆
動用電源装置であり、また、請求項２に係わる本発明
は、単方向電源の出力を入力して高周波交流電力に変換
するインバータ回路と、前記インバータ回路を制御する
制御部と、前記インバータ回路が出力する高周波交流電
力を１次巻線に入力し、２次巻線に高圧の高周波交流電
圧を出力する昇圧トランスと、前記２次巻線の高周波高
圧交流出力を整流する高圧整流回路と、前記高圧整流回
路の出力とマグネトロンとの間に挿入した電流平滑手段
とを備え、前記電流平滑手段によりマグネトロンの通電
電流を平滑化するようにしたマグネトロン駆動用電源装
置であり、また、請求項３に係わる本発明は、磁性材料
に巻き付けた電線によって構成したインダクタンスを高
圧整流回路とマグネトロンとの間に直列に挿入して電流
平滑手段とする請求項２に係わるマグネトロン駆動用電
源装置であり、また、請求項４に係わる本発明は、高圧
整流回路の出力端に並列にコンデンサを接続して電流平
滑手段とする請求項２に係わるマグネトロン駆動用電源
装置であり、また、請求項５に係わる本発明は、単方向
電源の出力を入力して高周波交流電力に変換するインバ
ータ回路と、前記インバータ回路を制御する制御部と、
前記インバータ回路が出力する高周波交流電力を１次巻
線に入力し、２次巻線に高圧の高周波交流電圧を出力す
る昇圧トランスと、前記２次巻線の出力に直列に挿入し
たインダクタンスと、１対のダイオードと１対のコンデ
ンサとにより前記昇圧トランスの２次巻線の高周波高圧
交流出力を前記インダクタンスを介して入力して全波倍
電圧整流し、マグネトロンに高圧直流電圧を供給する高
圧整流回路とを備え、前記コンデンサの容量を少なくと
も０．０１μＦ以上としたマグネトロン駆動用電源装置
であり、また、請求項６に係わる本発明は、昇圧トラン
スの１次−２次間の結合係数を大きくとも０．７５以下
となるように構成し、昇圧トランスの出力と高圧整流回
路との間に前記昇圧トランスの漏洩インダクタンスを等
価的に電流平滑用のインダクタンスとして挿入した請求
項５に係わるマグネトロン駆動用電源装置である。
【０００９】
【発明の実施の形態】単方向電源は、商用電源をダイオ
ードブリッジなどで整流し、インダクタンスとコンデン
サとで平滑することで得られる。また、インバータ回路
は、昇圧トランスの１次側に並列にコンデンサを接続し
た共振回路に直列にスイッチング素子を接続して構成
し、前記スイッチング素子を制御部により開閉制御し
て、前記昇圧トランスの２次側に高圧の高周波交流電圧
を発生させる。
ードブリッジなどで整流し、インダクタンスとコンデン
サとで平滑することで得られる。また、インバータ回路
は、昇圧トランスの１次側に並列にコンデンサを接続し
た共振回路に直列にスイッチング素子を接続して構成
し、前記スイッチング素子を制御部により開閉制御し
て、前記昇圧トランスの２次側に高圧の高周波交流電圧
を発生させる。
【００１０】請求項１に係わる本発明において、高電圧
整流回路に１対のダイオードと１対のコンデンサとで構
成した全波倍電圧整流回路を用い、倍電圧整流として昇
圧トランスの２次側に発生する高周波電圧を小さくし、
マグネトロンのアノード電流のピーク値を小さくすると
ともに、全波整流により電流の変動を小さくして、いず
れも不要輻射の強度を低減するのに貢献させる。また、
前記コンデンサの容量を０．０１μF以上の大きい容量
とすることにより、さらにマグネトロンのアノード電流
の変動を抑制して不要輻射の強度を低減できることを多
数の実験により確認している。
整流回路に１対のダイオードと１対のコンデンサとで構
成した全波倍電圧整流回路を用い、倍電圧整流として昇
圧トランスの２次側に発生する高周波電圧を小さくし、
マグネトロンのアノード電流のピーク値を小さくすると
ともに、全波整流により電流の変動を小さくして、いず
れも不要輻射の強度を低減するのに貢献させる。また、
前記コンデンサの容量を０．０１μF以上の大きい容量
とすることにより、さらにマグネトロンのアノード電流
の変動を抑制して不要輻射の強度を低減できることを多
数の実験により確認している。
【００１１】請求項２ないし請求項４に係わる本発明に
おいては、高圧整流回路の出力に電流平滑手段を設け、
マグネトロンのアノード電流の変動を小さく抑制して、
不要輻射の強度を低減させる。この平滑手段としては、
アノード回路に直列に挿入したインダクタンス、または
高圧整流回路の出力に並列に挿入したコンデンサにより
実現できる。
おいては、高圧整流回路の出力に電流平滑手段を設け、
マグネトロンのアノード電流の変動を小さく抑制して、
不要輻射の強度を低減させる。この平滑手段としては、
アノード回路に直列に挿入したインダクタンス、または
高圧整流回路の出力に並列に挿入したコンデンサにより
実現できる。
【００１２】請求項５または請求項６に係わる本発明に
おいては、請求項１に係わる本発明の構成に加えて、昇
圧トランスの２次側出力と高圧整流回路との間にインダ
クタンスを挿入して設け、高圧整流回路に流入するダッ
シュカレントを抑制して不要輻射の強度を低減するとと
もに、昇圧トランスを介して商用電源に高周波成分が漏
れることによる不要輻射をも低減できる。請求項６に係
わる本発明においては、昇圧トランスの１次−２次間の
結合係数を小さくすることにより、生じた漏洩インダク
タンスを上記直列挿入のインダクタンスと等価なものと
して利用する。なお、この結合係数としては、０．７５
以下が有効であることを多数の実験により確認してい
る。
おいては、請求項１に係わる本発明の構成に加えて、昇
圧トランスの２次側出力と高圧整流回路との間にインダ
クタンスを挿入して設け、高圧整流回路に流入するダッ
シュカレントを抑制して不要輻射の強度を低減するとと
もに、昇圧トランスを介して商用電源に高周波成分が漏
れることによる不要輻射をも低減できる。請求項６に係
わる本発明においては、昇圧トランスの１次−２次間の
結合係数を小さくすることにより、生じた漏洩インダク
タンスを上記直列挿入のインダクタンスと等価なものと
して利用する。なお、この結合係数としては、０．７５
以下が有効であることを多数の実験により確認してい
る。
【００１３】以下、実施例について説明する。 （実施例１）以下、請求項１に係わる本発明のマグネト
ロン駆動用電源装置の一実施例について図面を参照しな
がら説明する。図１は本実施例の構成を示す回路図であ
る。なお、従来例と同じ構成要素には同一番号を付与し
ている。本実施例が従来例と異なる点は、昇圧トランス
の出力を整流する高圧整流回路として全波倍電圧整流回
路を用いるとともに、そこに用いるコンデンサの容量値
を所定値以上に大きく設定に選択したことにある。図に
おいて、１は商用電源であり、ダイオードブリッジによ
って整流され、インバータ回路３に単方向直流電圧を供
給する。インバータ回路３は前記単方向直流電圧を入力
し、半導体スイッチ素子２のオンオフ動作によって共振
コンデンサ９と昇圧トランス４の１次巻線５とで構成さ
れる共振回路を励起し、その２次側巻線に高周波交流電
力を発生する。昇圧トランス４はこの高周波交流電力を
昇圧し、高圧整流回路６に供給する。高圧整流回路６は
２個のコンデンサ６ａ、６ｂを備えた倍電圧全波整流回
路であり、昇圧トランス４の２次巻線の出力を入力して
単方向電圧に整流し、マグネトロン７はこの単方向電圧
を受けてマイクロ波を発生する。
ロン駆動用電源装置の一実施例について図面を参照しな
がら説明する。図１は本実施例の構成を示す回路図であ
る。なお、従来例と同じ構成要素には同一番号を付与し
ている。本実施例が従来例と異なる点は、昇圧トランス
の出力を整流する高圧整流回路として全波倍電圧整流回
路を用いるとともに、そこに用いるコンデンサの容量値
を所定値以上に大きく設定に選択したことにある。図に
おいて、１は商用電源であり、ダイオードブリッジによ
って整流され、インバータ回路３に単方向直流電圧を供
給する。インバータ回路３は前記単方向直流電圧を入力
し、半導体スイッチ素子２のオンオフ動作によって共振
コンデンサ９と昇圧トランス４の１次巻線５とで構成さ
れる共振回路を励起し、その２次側巻線に高周波交流電
力を発生する。昇圧トランス４はこの高周波交流電力を
昇圧し、高圧整流回路６に供給する。高圧整流回路６は
２個のコンデンサ６ａ、６ｂを備えた倍電圧全波整流回
路であり、昇圧トランス４の２次巻線の出力を入力して
単方向電圧に整流し、マグネトロン７はこの単方向電圧
を受けてマイクロ波を発生する。
【００１４】上記構成においてその動作を説明する。図
２は本実施例のマグネトロン駆動用電源装置の動作の波
形図である。なお、本実施例において高圧コンデンサ６
ａ、６ｂの容量はそれぞれのピーク値を相等しくするた
めに、それぞれの高圧コンデンサの充電期間に応じた容
量値を設定しているのでアンバランスな容量値となる。
この構成においては、アノード電流Ｉaの波形は高圧コ
ンデンサ容量を大きくするほどピーク値および時刻変化
（ｄＩ／ｄｔ）を小さくすることができる。
２は本実施例のマグネトロン駆動用電源装置の動作の波
形図である。なお、本実施例において高圧コンデンサ６
ａ、６ｂの容量はそれぞれのピーク値を相等しくするた
めに、それぞれの高圧コンデンサの充電期間に応じた容
量値を設定しているのでアンバランスな容量値となる。
この構成においては、アノード電流Ｉaの波形は高圧コ
ンデンサ容量を大きくするほどピーク値および時刻変化
（ｄＩ／ｄｔ）を小さくすることができる。
【００１５】図３はコンデンサ６ａ、６ｂの容量とマグ
ネトロン７の不要輻射電波の強度との関係についての多
数の実験結果示を総合的に示す特性図である。図からわ
かるように、コンデンサ６ａ、６ｂの容量を大きくする
と不要輻射電波の強度は小さくなることがわかる。した
がって、不要輻射電波の強度はアノード電流ピーク値お
よび時刻変化（ｄＩ／ｄｔ）に対して単調増加の関係が
あると考えられる。
ネトロン７の不要輻射電波の強度との関係についての多
数の実験結果示を総合的に示す特性図である。図からわ
かるように、コンデンサ６ａ、６ｂの容量を大きくする
と不要輻射電波の強度は小さくなることがわかる。した
がって、不要輻射電波の強度はアノード電流ピーク値お
よび時刻変化（ｄＩ／ｄｔ）に対して単調増加の関係が
あると考えられる。
【００１６】本実施例のマグネトロン駆動用電源装置に
おいてはコンデンサ６ａ、６ｂの容量を０．０１μF以
上に設定しているため、アノード電流のピーク値とアノ
ード電流の時刻変化（ｄＩ／ｄｔ）が小さく抑えられ、
マグネトロンの不要輻射電波の強度を効果的に抑制する
ことができ、法規上の規制値も満足できる結果を得てい
る。
おいてはコンデンサ６ａ、６ｂの容量を０．０１μF以
上に設定しているため、アノード電流のピーク値とアノ
ード電流の時刻変化（ｄＩ／ｄｔ）が小さく抑えられ、
マグネトロンの不要輻射電波の強度を効果的に抑制する
ことができ、法規上の規制値も満足できる結果を得てい
る。
【００１７】（実施例２）以下、請求項２ないし請求項
３に係わる本発明のマグネトロン駆動用電源装置の一実
施例について図面を参照しながら説明する。図４は本実
施例の構成を示す回路図である。なお、実施例１と同じ
構成要素には同一番号を付与して詳細な説明を省略す
る。本実施例が実施例１と異なる点は、電流平滑手段と
してのインダクタンス１０をアノード電流の経路に直列
に挿入して備えたことにある。
３に係わる本発明のマグネトロン駆動用電源装置の一実
施例について図面を参照しながら説明する。図４は本実
施例の構成を示す回路図である。なお、実施例１と同じ
構成要素には同一番号を付与して詳細な説明を省略す
る。本実施例が実施例１と異なる点は、電流平滑手段と
してのインダクタンス１０をアノード電流の経路に直列
に挿入して備えたことにある。
【００１８】上記構成において、アノード電流の流れる
ループに挿入されたインダクタンス１０は定電流源的な
作用を有し、アノード電流Ｉaはこのインダクタンス１
０によって滑らかな変化をするようになり、アノード電
流の時刻変化（ｄＩ／ｄｔ）が小さくなる。実施例１で
示したように、不要輻射電波の強度はアノード電流ピー
ク値および時刻変化（ｄＩ／ｄｔ）に対して単調増加す
る関係にあるので、本実施例のマグネトロン駆動用電源
装置によれば、さらにマグネトロンの不要輻射電波の強
度を効果的に抑制することができる。
ループに挿入されたインダクタンス１０は定電流源的な
作用を有し、アノード電流Ｉaはこのインダクタンス１
０によって滑らかな変化をするようになり、アノード電
流の時刻変化（ｄＩ／ｄｔ）が小さくなる。実施例１で
示したように、不要輻射電波の強度はアノード電流ピー
ク値および時刻変化（ｄＩ／ｄｔ）に対して単調増加す
る関係にあるので、本実施例のマグネトロン駆動用電源
装置によれば、さらにマグネトロンの不要輻射電波の強
度を効果的に抑制することができる。
【００１９】なお、本実施例では電流平滑手段としてイ
ンダクタンスを用いる例について説明したが、高圧整流
回路６の出力の両端にコンデンサを挿入接続して電流平
滑手段としてもよいことは言うまでもない。
ンダクタンスを用いる例について説明したが、高圧整流
回路６の出力の両端にコンデンサを挿入接続して電流平
滑手段としてもよいことは言うまでもない。
【００２０】（実施例３）以下、請求項５に係わる本発
明のマグネトロン駆動用電源装置の一実施例について図
面を参照しながら説明する。図５は本実施例の構成を示
す回路図である。なお、実施例１ないし実施例２と同じ
構成要素には同一番号を付与して詳細な説明を省略す
る。本実施例が実施例２と異なる点は、インダクタンス
１１を昇圧トランス４の２次巻線出力と高圧整流回路６
との間に挿入して設けたことにある。
明のマグネトロン駆動用電源装置の一実施例について図
面を参照しながら説明する。図５は本実施例の構成を示
す回路図である。なお、実施例１ないし実施例２と同じ
構成要素には同一番号を付与して詳細な説明を省略す
る。本実施例が実施例２と異なる点は、インダクタンス
１１を昇圧トランス４の２次巻線出力と高圧整流回路６
との間に挿入して設けたことにある。
【００２１】上記構成において、アノード電流Ｉaのい
ずれの周期においても昇圧トランス４と高圧整流回路６
の間に挿入されたインダクタンス１１には電流が流れる
ことになり、インダクタンス１１の作用によってアノー
ド電流は滑らかな変化をするようになり、アノード電流
の時刻変化（ｄＩ／ｄｔ）が低くなる。前述のように、
不要輻射電波の強度はアノード電流ピーク値および時刻
変化（ｄＩ／ｄｔ）に対して単調増加する関係にあるの
で、本実施例のマグネトロン駆動用電源装置によればマ
グネトロンの不要輻射電波の強度を効果的に抑制するこ
とができる。
ずれの周期においても昇圧トランス４と高圧整流回路６
の間に挿入されたインダクタンス１１には電流が流れる
ことになり、インダクタンス１１の作用によってアノー
ド電流は滑らかな変化をするようになり、アノード電流
の時刻変化（ｄＩ／ｄｔ）が低くなる。前述のように、
不要輻射電波の強度はアノード電流ピーク値および時刻
変化（ｄＩ／ｄｔ）に対して単調増加する関係にあるの
で、本実施例のマグネトロン駆動用電源装置によればマ
グネトロンの不要輻射電波の強度を効果的に抑制するこ
とができる。
【００２２】なお、昇圧トランス４の１次−２次間の結
合を低くすることによってその漏れインダクタンスを等
価的にインダクタンス１１として利用しても同様の効果
を得ることができ、この場合の昇圧トランスの１次−２
次間の結合係数を０．７５以下にするのが有効であるこ
とを確かめている。
合を低くすることによってその漏れインダクタンスを等
価的にインダクタンス１１として利用しても同様の効果
を得ることができ、この場合の昇圧トランスの１次−２
次間の結合係数を０．７５以下にするのが有効であるこ
とを確かめている。
【００２３】
【発明の効果】請求項１に係わる本発明のマグネトロン
駆動用電源装置は、単方向電源の出力を入力して高周波
交流電力に変換するインバータ回路と、前記インバータ
回路を制御する制御部と、前記インバータ回路が出力す
る高周波交流電力を１次巻線に入力し、２次巻線に高圧
の高周波交流電圧を出力する昇圧トランスと、１対のダ
イオードと１対のコンデンサとにより前記２次巻線の高
圧高周波交流出力を全波倍電圧整流してマグネトロンに
高圧直流電圧を供給する高圧整流回路とを備え、前記コ
ンデンサの容量値を少なくとも０．０１μＦ以上とした
ことにより、マグネトロンのアノード電流のピーク値を
小さく、かつアノード電流の変動を小さく抑制すること
により、不要輻射の強度を低減することができる。
駆動用電源装置は、単方向電源の出力を入力して高周波
交流電力に変換するインバータ回路と、前記インバータ
回路を制御する制御部と、前記インバータ回路が出力す
る高周波交流電力を１次巻線に入力し、２次巻線に高圧
の高周波交流電圧を出力する昇圧トランスと、１対のダ
イオードと１対のコンデンサとにより前記２次巻線の高
圧高周波交流出力を全波倍電圧整流してマグネトロンに
高圧直流電圧を供給する高圧整流回路とを備え、前記コ
ンデンサの容量値を少なくとも０．０１μＦ以上とした
ことにより、マグネトロンのアノード電流のピーク値を
小さく、かつアノード電流の変動を小さく抑制すること
により、不要輻射の強度を低減することができる。
【００２４】また、請求項２に係わる本発明のマグネト
ロン駆動用電源装置は、単方向電源の出力を入力して高
周波交流電力に変換するインバータ回路と、前記インバ
ータ回路を制御する制御部と、前記インバータ回路が出
力する高周波交流電力を１次巻線に入力し、２次巻線に
高圧の高周波交流電圧を出力する昇圧トランスと、前記
２次巻線の高周波高圧交流出力を整流する高圧整流回路
と、前記高圧整流回路の出力とマグネトロンとの間に挿
入した電流平滑手段とを備え、前記電流平滑手段により
マグネトロンの通電電流を平滑化するようにしたことに
より、マグネトロンのアノード電流の変動を小さくして
不要輻射の強度を低減することができる。
ロン駆動用電源装置は、単方向電源の出力を入力して高
周波交流電力に変換するインバータ回路と、前記インバ
ータ回路を制御する制御部と、前記インバータ回路が出
力する高周波交流電力を１次巻線に入力し、２次巻線に
高圧の高周波交流電圧を出力する昇圧トランスと、前記
２次巻線の高周波高圧交流出力を整流する高圧整流回路
と、前記高圧整流回路の出力とマグネトロンとの間に挿
入した電流平滑手段とを備え、前記電流平滑手段により
マグネトロンの通電電流を平滑化するようにしたことに
より、マグネトロンのアノード電流の変動を小さくして
不要輻射の強度を低減することができる。
【００２５】また、請求項３においては、磁性材料に巻
き付けた電線によって構成したインダクタンスを高圧整
流回路とマグネトロンとの間に直列に挿入して電流平滑
手段とし、また、請求項４においては、高圧整流回路の
出力端に並列にコンデンサを接続して電流平滑手段とす
ることにより、請求項２に係わる本発明の効果を得るこ
とができる。
き付けた電線によって構成したインダクタンスを高圧整
流回路とマグネトロンとの間に直列に挿入して電流平滑
手段とし、また、請求項４においては、高圧整流回路の
出力端に並列にコンデンサを接続して電流平滑手段とす
ることにより、請求項２に係わる本発明の効果を得るこ
とができる。
【００２６】また、請求項５に係わる本発明のマグネト
ロン駆動用電源装置は、単方向電源の出力を入力して高
周波交流電力に変換するインバータ回路と、前記インバ
ータ回路を制御する制御部と、前記インバータ回路が出
力する高周波交流電力を１次巻線に入力し、２次巻線に
高圧の高周波交流電圧を出力する昇圧トランスと、前記
２次巻線の出力に直列に挿入したインダクタンスと、１
対のダイオードと１対のコンデンサとにより前記昇圧ト
ランスの２次巻線の高周波高圧交流出力を前記インダク
タンスを介して入力して全波倍電圧整流し、マグネトロ
ンに高圧直流電圧を供給する高圧整流回路とを備え、前
記コンデンサの容量を少なくとも０．０１μＦ以上とし
たことにより、請求項１に係わる本発明の効果を得ると
ともに、整流回路の突入電流を抑制することにより、さ
らにマグネトロンのアノード電流の変動を小さく抑制し
て不要輻射の強度を低減できるとともに、高周波成分が
昇圧トランスを介して商用電源に漏れるのを防止し、商
用電源からの不要輻射をも低減できる。
ロン駆動用電源装置は、単方向電源の出力を入力して高
周波交流電力に変換するインバータ回路と、前記インバ
ータ回路を制御する制御部と、前記インバータ回路が出
力する高周波交流電力を１次巻線に入力し、２次巻線に
高圧の高周波交流電圧を出力する昇圧トランスと、前記
２次巻線の出力に直列に挿入したインダクタンスと、１
対のダイオードと１対のコンデンサとにより前記昇圧ト
ランスの２次巻線の高周波高圧交流出力を前記インダク
タンスを介して入力して全波倍電圧整流し、マグネトロ
ンに高圧直流電圧を供給する高圧整流回路とを備え、前
記コンデンサの容量を少なくとも０．０１μＦ以上とし
たことにより、請求項１に係わる本発明の効果を得ると
ともに、整流回路の突入電流を抑制することにより、さ
らにマグネトロンのアノード電流の変動を小さく抑制し
て不要輻射の強度を低減できるとともに、高周波成分が
昇圧トランスを介して商用電源に漏れるのを防止し、商
用電源からの不要輻射をも低減できる。
【００２７】また、請求項６に係わる本発明のマグネト
ロン駆動用電源装置は、昇圧トランスの１次−２次間の
結合係数を大きくとも０．７５以下となるように構成
し、昇圧トランスの出力と高圧整流回路との間に前記昇
圧トランスの漏洩インダクタンスを等価的に電流平滑用
のインダクタンスとして挿入したことにより、請求項５
に係わる本発明のマグネトロン駆動用電源装置と同様の
効果を得ることができる。
ロン駆動用電源装置は、昇圧トランスの１次−２次間の
結合係数を大きくとも０．７５以下となるように構成
し、昇圧トランスの出力と高圧整流回路との間に前記昇
圧トランスの漏洩インダクタンスを等価的に電流平滑用
のインダクタンスとして挿入したことにより、請求項５
に係わる本発明のマグネトロン駆動用電源装置と同様の
効果を得ることができる。
【図１】請求項１に係わる本発明のマグネトロン駆動用
電源装置の一実施例の構成を示す回路図
電源装置の一実施例の構成を示す回路図
【図２】同実施例の動作を示す波形図
【図３】同実施例における高圧のコンデンサの容量とマ
グネトロンの不要輻射電波の強度との関係を示す特性図
グネトロンの不要輻射電波の強度との関係を示す特性図
【図４】請求項２に係わる本発明のマグネトロン駆動用
電源装置の一実施例の構成を示す回路図
電源装置の一実施例の構成を示す回路図
【図５】請求項５に係わる本発明のマグネトロン駆動用
電源装置の一実施例の構成を示す回路図
電源装置の一実施例の構成を示す回路図
【図６】従来のマグネトロン駆動用電源装置の構成を示
す回路図
す回路図
２ 半導体スイッチ素子 ３ インバータ回路 ４ 昇圧トランス ６ 高圧整流回路 ６ａ、６ｂ コンデンサ ７ マグネトロン ８ 制御部 １０、１１ インダクタンス
Claims (6)
- 【請求項１】単方向電源の出力を入力して高周波交流電
力に変換するインバータ回路と、前記インバータ回路を
制御する制御部と、前記インバータ回路が出力する高周
波交流電力を１次巻線に入力し、２次巻線に高圧の高周
波交流電圧を出力する昇圧トランスと、１対のダイオー
ドと１対のコンデンサとにより前記２次巻線の高圧高周
波交流出力を全波倍電圧整流してマグネトロンに高圧直
流電圧を供給する高圧整流回路とを備え、前記コンデン
サの容量値を少なくとも０．０１μＦ以上としたマグネ
トロン駆動用電源装置。 - 【請求項２】単方向電源の出力を入力して高周波交流電
力に変換するインバータ回路と、前記インバータ回路を
制御する制御部と、前記インバータ回路が出力する高周
波交流電力を１次巻線に入力し、２次巻線に高圧の高周
波交流電圧を出力する昇圧トランスと、前記２次巻線の
高周波高圧交流出力を整流する高圧整流回路と、前記高
圧整流回路の出力とマグネトロンとの間に挿入した電流
平滑手段とを備え、前記電流平滑手段によりマグネトロ
ンの通電電流を平滑化するようにしたマグネトロン駆動
用電源装置。 - 【請求項３】磁性材料に巻き付けた電線によって構成し
たインダクタンスを高圧整流回路とマグネトロンとの間
に直列に挿入して電流平滑手段とする請求項２記載のマ
グネトロン駆動用電源装置。 - 【請求項４】高圧整流回路の出力端に並列にコンデンサ
接続して電流平滑手段とする請求項２記載のマグネトロ
ン駆動用電源装置。 - 【請求項５】単方向電源の出力を入力して高周波交流電
力に変換するインバータ回路と、前記インバータ回路を
制御する制御部と、前記インバータ回路が出力する高周
波交流電力を１次巻線に入力し、２次巻線に高圧の高周
波交流電圧を出力する昇圧トランスと、前記２次巻線の
出力に直列に挿入したインダクタンスと、１対のダイオ
ードと１対のコンデンサとにより前記昇圧トランスの２
次巻線の高周波高圧交流出力を前記インダクタンスを介
して入力して全波倍電圧整流し、マグネトロンに高圧直
流電圧を供給する高圧整流回路とを備え、前記コンデン
サの容量を少なくとも０．０１μＦ以上としたマグネト
ロン駆動用電源装置。 - 【請求項６】昇圧トランスの１次−２次間の結合係数を
大きくとも０．７５以下となるように構成し、昇圧トラ
ンスの出力と高圧整流回路との間に前記昇圧トランスの
漏洩インダクタンスを等価的に電流平滑用のインダクタ
ンスとして挿入した請求項５記載のマグネトロン駆動用
電源装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26819295A JP3159000B2 (ja) | 1995-10-17 | 1995-10-17 | マグネトロン駆動用電源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26819295A JP3159000B2 (ja) | 1995-10-17 | 1995-10-17 | マグネトロン駆動用電源装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09115454A true JPH09115454A (ja) | 1997-05-02 |
| JP3159000B2 JP3159000B2 (ja) | 2001-04-23 |
Family
ID=17455207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26819295A Expired - Fee Related JP3159000B2 (ja) | 1995-10-17 | 1995-10-17 | マグネトロン駆動用電源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3159000B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999004606A3 (en) * | 1997-07-14 | 1999-04-22 | Lam Res Corp | Compact microwave downstream plasma system |
| WO2006025626A1 (en) * | 2004-09-03 | 2006-03-09 | Winix Inc. | Plasma generation system |
| JP2010279214A (ja) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | 電力変換装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI638116B (zh) | 2017-09-01 | 2018-10-11 | 液光固態照明股份有限公司 | Led燈泡及其製造方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS491523U (ja) * | 1972-04-10 | 1974-01-08 | ||
| JPS5755197U (ja) * | 1980-09-17 | 1982-03-31 | ||
| JPS62208528A (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-12 | Mitsubishi Electric Corp | マグネトロン用電源装置 |
| JPS63170881A (ja) * | 1987-01-09 | 1988-07-14 | 株式会社日立製作所 | マグネトロン用電源装置 |
| JPH07105862A (ja) * | 1990-03-29 | 1995-04-21 | Technics Plasma Gmbh | Ｒｆ発生器給電方法および制御装置 |
-
1995
- 1995-10-17 JP JP26819295A patent/JP3159000B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS491523U (ja) * | 1972-04-10 | 1974-01-08 | ||
| JPS5755197U (ja) * | 1980-09-17 | 1982-03-31 | ||
| JPS62208528A (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-12 | Mitsubishi Electric Corp | マグネトロン用電源装置 |
| JPS63170881A (ja) * | 1987-01-09 | 1988-07-14 | 株式会社日立製作所 | マグネトロン用電源装置 |
| JPH07105862A (ja) * | 1990-03-29 | 1995-04-21 | Technics Plasma Gmbh | Ｒｆ発生器給電方法および制御装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999004606A3 (en) * | 1997-07-14 | 1999-04-22 | Lam Res Corp | Compact microwave downstream plasma system |
| WO2006025626A1 (en) * | 2004-09-03 | 2006-03-09 | Winix Inc. | Plasma generation system |
| JP2010279214A (ja) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | 電力変換装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3159000B2 (ja) | 2001-04-23 |
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