JPH09116128A - 指紋画像入力装置及びその製造方法 - Google Patents
指紋画像入力装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH09116128A JPH09116128A JP8201702A JP20170296A JPH09116128A JP H09116128 A JPH09116128 A JP H09116128A JP 8201702 A JP8201702 A JP 8201702A JP 20170296 A JP20170296 A JP 20170296A JP H09116128 A JPH09116128 A JP H09116128A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- diffraction grating
- fingerprint image
- insulating film
- input device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Image Input (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来は、回折格子等の光学手段を製作して、
別途製作した２次元イメージセンサと張り合せるため、
独立した光学手段を製造するコストが必要で、また、光
学手段を２次元イメージセンサに張り合せる手間、材料
に無駄があるため、製造コストが高い。 【解決手段】 指紋画像入力装置は、透明基板２１上に
形成した回折格子４１、光電変換素子２４、スイッチ素
子２２、スイッチ用配線２５、信号読み出し用配線２
６、バイアス印加用配線２７、光電変換素子２４の下部
に配置される遮光板２３を備えた２次元イメージセンサ
１４と、平面状光源１１及び透明保護膜４２から構成さ
れる。すなわち、イメージセンサ１４には光電変換素子
２４と共に、光電変換素子２４の少なくとも１種類以上
の不透明材料を共用して回折格子４１も形成される。
別途製作した２次元イメージセンサと張り合せるため、
独立した光学手段を製造するコストが必要で、また、光
学手段を２次元イメージセンサに張り合せる手間、材料
に無駄があるため、製造コストが高い。 【解決手段】 指紋画像入力装置は、透明基板２１上に
形成した回折格子４１、光電変換素子２４、スイッチ素
子２２、スイッチ用配線２５、信号読み出し用配線２
６、バイアス印加用配線２７、光電変換素子２４の下部
に配置される遮光板２３を備えた２次元イメージセンサ
１４と、平面状光源１１及び透明保護膜４２から構成さ
れる。すなわち、イメージセンサ１４には光電変換素子
２４と共に、光電変換素子２４の少なくとも１種類以上
の不透明材料を共用して回折格子４１も形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は指紋画像入力装置及
びその製造方法に係り、特に薄型の指紋画像入力装置と
それを製造する製造方法に関する。
びその製造方法に係り、特に薄型の指紋画像入力装置と
それを製造する製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、小型の指紋画像入力装置として、
指紋の凹凸を光学的に強調するための光学手段を密着型
イメージセンサに組み合わせた構成が提案されている
（特願平５−１１０８２７号）。図１０はこの従来の指
紋画像入力装置の一例の分解斜視図を示す。同図に示す
ように、この従来装置は光が透過できる開口部２８を備
えた２次元イメージセンサ１２を透明基板２１上に形成
し、平面状光源１１及び光路を規定する光学手段１３と
を組み合わせた構成である。
指紋の凹凸を光学的に強調するための光学手段を密着型
イメージセンサに組み合わせた構成が提案されている
（特願平５−１１０８２７号）。図１０はこの従来の指
紋画像入力装置の一例の分解斜視図を示す。同図に示す
ように、この従来装置は光が透過できる開口部２８を備
えた２次元イメージセンサ１２を透明基板２１上に形成
し、平面状光源１１及び光路を規定する光学手段１３と
を組み合わせた構成である。
【０００３】平面状光源１１は液晶ディスプレイ用バッ
クライトモジュールやＥＬ面発光素子が利用できる。ま
た、２次元イメージセンサ１２は透明基板２１の上に光
電変換素子２４とスイッチ素子２２を２次元配置し、ス
イッチ用配線２５、信号読み出し用配線２６、バイアス
印加用配線２７によりこれらの素子を接続して構成され
る。
クライトモジュールやＥＬ面発光素子が利用できる。ま
た、２次元イメージセンサ１２は透明基板２１の上に光
電変換素子２４とスイッチ素子２２を２次元配置し、ス
イッチ用配線２５、信号読み出し用配線２６、バイアス
印加用配線２７によりこれらの素子を接続して構成され
る。
【０００４】また、光路を規定する光学手段１３は、回
折格子３２をファイバー収集部材３１と透明保護膜３３
とを組み合わせて実現される。この光学手段１３の各構
成要素の形状は、２次元イメージセンサ１２の各光電変
換素子２４に設けられた開口部２８の中心線上の指接触
部に光が集まるように決定される。
折格子３２をファイバー収集部材３１と透明保護膜３３
とを組み合わせて実現される。この光学手段１３の各構
成要素の形状は、２次元イメージセンサ１２の各光電変
換素子２４に設けられた開口部２８の中心線上の指接触
部に光が集まるように決定される。
【０００５】次に、この従来装置の動作を説明する。平
面状光源１１から出射された光は、２次元イメージセン
サ１２の開口部２８とファイバー収集部材３１を通過
し、回折格子３２によってその進路が曲げられて透明保
護膜３３の表面の指接触部に到達する。指が透明保護膜
３３の表面に接触していない場合は、透明保護膜３３の
表面で光が全反射し、殆どの光が対称的な光路を経て、
同じ画素内の光電変換素子２４に到達する。
面状光源１１から出射された光は、２次元イメージセン
サ１２の開口部２８とファイバー収集部材３１を通過
し、回折格子３２によってその進路が曲げられて透明保
護膜３３の表面の指接触部に到達する。指が透明保護膜
３３の表面に接触していない場合は、透明保護膜３３の
表面で光が全反射し、殆どの光が対称的な光路を経て、
同じ画素内の光電変換素子２４に到達する。
【０００６】これに対し、指（指紋の降線）が透明保護
膜３３の表面に接触している場合は、全反射の条件が乱
され、光電変換素子２４に到達する光量は僅かになる。
こうして、各光電変換素子２４に対応する指表面での全
反射の乱れの様子が検出できる。すなわち、全反射によ
る指紋画像強調の原理により、光学的にコントラストを
強調された指紋画像が得られる。
膜３３の表面に接触している場合は、全反射の条件が乱
され、光電変換素子２４に到達する光量は僅かになる。
こうして、各光電変換素子２４に対応する指表面での全
反射の乱れの様子が検出できる。すなわち、全反射によ
る指紋画像強調の原理により、光学的にコントラストを
強調された指紋画像が得られる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来の指紋画像
入力装置は薄型である特徴があるが、その製造方法とし
ては回折格子等の光学手段１３を製作して、別途製作し
た２次元イメージセンサ１２と張り合せる方法がある。
しかし、これでは独立した光学手段１３を製造するコス
トが必要で、また、光学手段１３を２次元イメージセン
サ１２に張り合せる手間、材料に無駄があるため、製造
コストが高いという問題がある。
入力装置は薄型である特徴があるが、その製造方法とし
ては回折格子等の光学手段１３を製作して、別途製作し
た２次元イメージセンサ１２と張り合せる方法がある。
しかし、これでは独立した光学手段１３を製造するコス
トが必要で、また、光学手段１３を２次元イメージセン
サ１２に張り合せる手間、材料に無駄があるため、製造
コストが高いという問題がある。
【０００８】本発明は上記の点に鑑みなされたもので、
製造コストが安価な指紋画像入力装置及びその製造方法
を提供することを目的とする。
製造コストが安価な指紋画像入力装置及びその製造方法
を提供することを目的とする。
【０００９】また、本発明の他の目的は、小型な指紋画
像入力装置及びその製造方法を提供することにある。
像入力装置及びその製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するため、平面状又は線状の光源と、規則的に配列さ
れた複数の光電変換素子と、複数の光電変換素子の出力
を別々にスイッチングする複数のスイッチ素子と、光電
変換素子及びスイッチ素子以外の場所に形成された回折
格子とが透明基板上に少なくとも形成されたイメージセ
ンサと、光源から出射された後回折格子で回折された光
を全反射させて、光電変換素子へ入射させるために、イ
メージセンサ上に設けられ、表面に指が接触される透明
保護膜とを有する構成としたものである。
成するため、平面状又は線状の光源と、規則的に配列さ
れた複数の光電変換素子と、複数の光電変換素子の出力
を別々にスイッチングする複数のスイッチ素子と、光電
変換素子及びスイッチ素子以外の場所に形成された回折
格子とが透明基板上に少なくとも形成されたイメージセ
ンサと、光源から出射された後回折格子で回折された光
を全反射させて、光電変換素子へ入射させるために、イ
メージセンサ上に設けられ、表面に指が接触される透明
保護膜とを有する構成としたものである。
【００１１】光電変換素子は、不透明材料で形成された
下部電極と、下部電極上に形成された光電変換材料と、
光電変換材料上に形成された上部透明電極とからなり、
上部透明電極はコンタクト部により層間絶縁膜を通して
不透明材料である配線材料に接続され、回折格子は層間
絶縁膜を挟んで下部電極と同層の不透明材料と、配線材
料と同層の不透明材料とから構成されていることを特徴
とする。
下部電極と、下部電極上に形成された光電変換材料と、
光電変換材料上に形成された上部透明電極とからなり、
上部透明電極はコンタクト部により層間絶縁膜を通して
不透明材料である配線材料に接続され、回折格子は層間
絶縁膜を挟んで下部電極と同層の不透明材料と、配線材
料と同層の不透明材料とから構成されていることを特徴
とする。
【００１２】本発明における透明保護膜は、透明保護膜
の屈折率をｎm、透明保護膜表面の指のある媒体の屈折
率をｎa、光電変換素子のピッチをＰ、幅をｘとしたと
き次式 θｃ＝ｓｉｎ−１（ｎａ／ｎｍ） ｄ＝（Ｐ−ｘ）／（２ｔａｎθｃ） を満足する厚さｄに形成されていることを特徴とする。
の屈折率をｎm、透明保護膜表面の指のある媒体の屈折
率をｎa、光電変換素子のピッチをＰ、幅をｘとしたと
き次式 θｃ＝ｓｉｎ−１（ｎａ／ｎｍ） ｄ＝（Ｐ−ｘ）／（２ｔａｎθｃ） を満足する厚さｄに形成されていることを特徴とする。
【００１３】なお、スイッチ素子は薄膜トランジスタか
ら構成され、回折格子は層間絶縁膜を挟んで薄膜トラン
ジスタのソース・ドレイン電極用金属膜と薄膜トランジ
スタのゲート電極用金属膜とから構成されていてもよ
い。
ら構成され、回折格子は層間絶縁膜を挟んで薄膜トラン
ジスタのソース・ドレイン電極用金属膜と薄膜トランジ
スタのゲート電極用金属膜とから構成されていてもよ
い。
【００１４】本発明では、従来イメージセンサの上部に
設けられていた回折格子と透明保護膜からなる光学手段
のうち、従来のイメージセンサの画素部の近傍に設けら
れた光源が発する光を透過させる開口部に、イメージセ
ンサの光電変換素子の少なくとも１種類の以上の不透明
材料を共用して回折格子を設けるようにしたため、部品
点数を削減できる。
設けられていた回折格子と透明保護膜からなる光学手段
のうち、従来のイメージセンサの画素部の近傍に設けら
れた光源が発する光を透過させる開口部に、イメージセ
ンサの光電変換素子の少なくとも１種類の以上の不透明
材料を共用して回折格子を設けるようにしたため、部品
点数を削減できる。
【００１５】また、本発明製造方法は、規則的に配列さ
れた複数の光電変換素子と、複数の光電変換素子の出力
を別々にスイッチングする複数のスイッチ素子と、光電
変換素子及びスイッチ素子以外の場所に形成された回折
格子とが透明基板上に少なくとも形成されたイメージセ
ンサの回折格子で、平面状又は線状の光源から出射した
光が回折されて透明保護膜に入射し、透明保護膜表面に
接触された指の指紋画像を透明保護膜からの反射光を光
電変換素子へ入射させて得る指紋画像入力装置の製造方
法であって、光電変換素子及びスイッチ素子は、不透明
材料を形成しパターニングする工程をそれぞれ複数回含
んで製造し、光電変換素子及びスイッチ素子の一方の不
透明材料を形成しパターニングする工程の少なくとも１
回の工程を利用して回折格子を同時に形成することを特
徴とする。
れた複数の光電変換素子と、複数の光電変換素子の出力
を別々にスイッチングする複数のスイッチ素子と、光電
変換素子及びスイッチ素子以外の場所に形成された回折
格子とが透明基板上に少なくとも形成されたイメージセ
ンサの回折格子で、平面状又は線状の光源から出射した
光が回折されて透明保護膜に入射し、透明保護膜表面に
接触された指の指紋画像を透明保護膜からの反射光を光
電変換素子へ入射させて得る指紋画像入力装置の製造方
法であって、光電変換素子及びスイッチ素子は、不透明
材料を形成しパターニングする工程をそれぞれ複数回含
んで製造し、光電変換素子及びスイッチ素子の一方の不
透明材料を形成しパターニングする工程の少なくとも１
回の工程を利用して回折格子を同時に形成することを特
徴とする。
【００１６】本発明方法では、光電変換素子及びスイッ
チ素子の一方の不透明材料を形成しパターニングする工
程の少なくとも１回の工程を利用して回折格子を同時に
形成するようにしたため、光電変換素子及びスイッチ素
子の少なくとも一方の製造工程の一部を利用して回折格
子を同時に形成することができる。
チ素子の一方の不透明材料を形成しパターニングする工
程の少なくとも１回の工程を利用して回折格子を同時に
形成するようにしたため、光電変換素子及びスイッチ素
子の少なくとも一方の製造工程の一部を利用して回折格
子を同時に形成することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。図１は本発明になる指紋画像入
力装置の一実施の形態の分解斜視図を示す。この実施の
形態は、透明基板２１上に形成した回折格子４１、光電
変換素子２４、スイッチ素子２２、スイッチ用配線２
５、信号読み出し用配線２６、バイアス印加用配線２
７、光電変換素子２４の下部に配置される遮光板２３を
備えた２次元イメージセンサ１４と、平面状光源１１及
び透明保護膜４２とから構成される。この実施の形態
は、平面状光源１１上に遮光板２３を備えた２次元イメ
ージセンサ１４を設け、更にその２次元イメージセンサ
１４上を透明保護膜４２で覆うようにした構成である。
て図面と共に説明する。図１は本発明になる指紋画像入
力装置の一実施の形態の分解斜視図を示す。この実施の
形態は、透明基板２１上に形成した回折格子４１、光電
変換素子２４、スイッチ素子２２、スイッチ用配線２
５、信号読み出し用配線２６、バイアス印加用配線２
７、光電変換素子２４の下部に配置される遮光板２３を
備えた２次元イメージセンサ１４と、平面状光源１１及
び透明保護膜４２とから構成される。この実施の形態
は、平面状光源１１上に遮光板２３を備えた２次元イメ
ージセンサ１４を設け、更にその２次元イメージセンサ
１４上を透明保護膜４２で覆うようにした構成である。
【００１８】図２（Ａ）は２次元イメージセンサ１４に
形成された回折格子４１と光電変換素子２４の一例の詳
細を示す平面図、同図（Ｂ）は同図（Ａ）のＡ−Ａ’線
に沿う断面図、同図（Ｃ）は同図（Ａ）のＢ−Ｂ’線に
沿う断面図を示す。光電変換素子２４は、不透明材料で
形成された下部電極１０１と、光電変換材料１０２と、
上部透明電極１０３とで構成される。上部透明電極１０
３は図２（Ｂ）に示すように、コンタクト部１０５によ
り層間絶縁膜１０６を通して、不透明材料で形成された
配線材料１０４に接続されている。また、回折格子４１
は、図２（Ｃ）に示すように、層間絶縁膜１０６を挟ん
だ２つの不透明材料（下部電極１０１と配線材料１０
４）によりスリットのピッチａ、幅ｂで構成されてい
る。
形成された回折格子４１と光電変換素子２４の一例の詳
細を示す平面図、同図（Ｂ）は同図（Ａ）のＡ−Ａ’線
に沿う断面図、同図（Ｃ）は同図（Ａ）のＢ−Ｂ’線に
沿う断面図を示す。光電変換素子２４は、不透明材料で
形成された下部電極１０１と、光電変換材料１０２と、
上部透明電極１０３とで構成される。上部透明電極１０
３は図２（Ｂ）に示すように、コンタクト部１０５によ
り層間絶縁膜１０６を通して、不透明材料で形成された
配線材料１０４に接続されている。また、回折格子４１
は、図２（Ｃ）に示すように、層間絶縁膜１０６を挟ん
だ２つの不透明材料（下部電極１０１と配線材料１０
４）によりスリットのピッチａ、幅ｂで構成されてい
る。
【００１９】次に、図３を参照してこの実施の形態の動
作について説明する。図３中、図１及び図２と同一構成
部分には同一符号を付し、その説明を省略する。平面状
光源１１から出射された光は、透明基板２１を通過して
回折格子４１に至る。回折格子４１に垂直に入射した光
の場合、回折光の強度Ｉは、回折角θの関数として次式
（１）〜（３）で与えられる。
作について説明する。図３中、図１及び図２と同一構成
部分には同一符号を付し、その説明を省略する。平面状
光源１１から出射された光は、透明基板２１を通過して
回折格子４１に至る。回折格子４１に垂直に入射した光
の場合、回折光の強度Ｉは、回折角θの関数として次式
（１）〜（３）で与えられる。
【００２０】
【数１】 ただし、ａ，ｂはそれぞれ回折格子４１のスリットのピ
ッチと幅、Ｎはスリット数、Ｉ0は１つのスリットから
の回折光の強度、λは光波長を表す。数値例として、ａ
＝４μｍ、ｂ／ａ＝０．１、Ｎ＝１６、λ＝５６５ｎｍ
であるときの（１）〜（３）式の計算結果を図４に示
す。図４の縦軸は光度（ｉｒｒａｄｉａｎｃｅ）を示
す。
ッチと幅、Ｎはスリット数、Ｉ0は１つのスリットから
の回折光の強度、λは光波長を表す。数値例として、ａ
＝４μｍ、ｂ／ａ＝０．１、Ｎ＝１６、λ＝５６５ｎｍ
であるときの（１）〜（３）式の計算結果を図４に示
す。図４の縦軸は光度（ｉｒｒａｄｉａｎｃｅ）を示
す。
【００２１】ここで、回折光の強度は、次の（４）式の
回折方程式を満たす角度θｍについて極大になる。
回折方程式を満たす角度θｍについて極大になる。
【００２２】 ａｓｉｎθｍ＝ｍλ ，ｍ＝０，±１，±２，．．． （４） （４）式から垂直入射した光については、ｍ＝０に対応
する０次の回折光が最も強く、１次（ｍ＝１）、２次
（ｍ＝２）の順に弱くなる様子が観察できる。θｍ＞θ
ｃなる回折光について、前述の全反射による指紋画像強
調の原理により、コントラストの高い指紋画像入力が実
現される。指のある媒体（空気）と保護膜４２の屈折率
をそれぞれｎａ、ｎｍとすると、臨界角θｃは次式で与
えられる。 θｃ＝ｓｉｎ−１（ｎａ／ｎｍ） （５） 例えば、ｎａ＝１，ｎｍ＝１．８については約３４°と
なる。従って、このときには、臨界角θｃが約３４°以
上でないと全反射しないから、図４の数値例では臨界角
θｃが約３４°以上である４次以上の回折光について全
反射による指紋画像強調が実現することになる。ここ
で、全反射された光が光電変換素子で効率良く検出され
るためには、保護膜４２の厚さｄは次式を満たすよう設
計される。
する０次の回折光が最も強く、１次（ｍ＝１）、２次
（ｍ＝２）の順に弱くなる様子が観察できる。θｍ＞θ
ｃなる回折光について、前述の全反射による指紋画像強
調の原理により、コントラストの高い指紋画像入力が実
現される。指のある媒体（空気）と保護膜４２の屈折率
をそれぞれｎａ、ｎｍとすると、臨界角θｃは次式で与
えられる。 θｃ＝ｓｉｎ−１（ｎａ／ｎｍ） （５） 例えば、ｎａ＝１，ｎｍ＝１．８については約３４°と
なる。従って、このときには、臨界角θｃが約３４°以
上でないと全反射しないから、図４の数値例では臨界角
θｃが約３４°以上である４次以上の回折光について全
反射による指紋画像強調が実現することになる。ここ
で、全反射された光が光電変換素子で効率良く検出され
るためには、保護膜４２の厚さｄは次式を満たすよう設
計される。
【００２３】 ｄ＝（Ｐ−ｘ）／（２ｔａｎθｃ） （６） ただし、（６）式中、Ｐは図２（Ａ）に示した光電変換
素子２４のピッチで、またｘは光電変換素子２４の幅、
具体的にはここでは上部透明電極１０３の幅である。
素子２４のピッチで、またｘは光電変換素子２４の幅、
具体的にはここでは上部透明電極１０３の幅である。
【００２４】次に、本発明になる指紋画像入力装置の製
造方法の第１の実施の形態について図５と共に説明す
る。図５は図１及び図２に示した構成の指紋画像入力装
置の製造工程を示す断面図で、図２のＡ−Ａ’線に沿う
断面と、Ｂ−Ｂ’線に沿う断面のそれぞれについて示
す。まず、第１の工程では図５（Ａ）に示すように、ス
パッタ法により厚さ例えば１００ｎｍのクロム（Ｃｒ）
層を基板上に成膜し、パターニングして、光電変換素子
２４の下部電極１０１及び回折格子４１の一部を構成す
る。
造方法の第１の実施の形態について図５と共に説明す
る。図５は図１及び図２に示した構成の指紋画像入力装
置の製造工程を示す断面図で、図２のＡ−Ａ’線に沿う
断面と、Ｂ−Ｂ’線に沿う断面のそれぞれについて示
す。まず、第１の工程では図５（Ａ）に示すように、ス
パッタ法により厚さ例えば１００ｎｍのクロム（Ｃｒ）
層を基板上に成膜し、パターニングして、光電変換素子
２４の下部電極１０１及び回折格子４１の一部を構成す
る。
【００２５】続いて、第２の工程では、厚さ１μｍの水
素化アモルファスシリコン層（ａ−Ｓｉ：Ｈ）、及び厚
さ５０ｎｍのｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈを、プラズマＣＶＤ（化
学気相成長）法により連続して成膜し、更にその上に透
明電極材料のＩＴＯを厚さ１００ｎｍに成膜し、パター
ニングする。こうして、図５（Ｂ）に示すように、Ａ−
Ａ’断面のみにａ−Ｓｉ：Ｈ層とｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈ層に
よる光電変換材料１０２とＩＴＯによる上部透明電極１
０３が形成され、Ｐ−ｉショットキー型のフォトダイオ
ードが光電変換素子２４として形成される。更に、層間
絶縁膜１０６として図５（Ｂ）に示すように、ＳｉＯ2
膜が厚さ３００ｎｍで成膜される。
素化アモルファスシリコン層（ａ−Ｓｉ：Ｈ）、及び厚
さ５０ｎｍのｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈを、プラズマＣＶＤ（化
学気相成長）法により連続して成膜し、更にその上に透
明電極材料のＩＴＯを厚さ１００ｎｍに成膜し、パター
ニングする。こうして、図５（Ｂ）に示すように、Ａ−
Ａ’断面のみにａ−Ｓｉ：Ｈ層とｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈ層に
よる光電変換材料１０２とＩＴＯによる上部透明電極１
０３が形成され、Ｐ−ｉショットキー型のフォトダイオ
ードが光電変換素子２４として形成される。更に、層間
絶縁膜１０６として図５（Ｂ）に示すように、ＳｉＯ2
膜が厚さ３００ｎｍで成膜される。
【００２６】次に、第３の工程では、図５（Ｃ）に示す
ように、層間絶縁膜１０６の必要な個所にコンタクト部
１０５を開口し、続く第５の工程ではアルミニウムを３
００ｎｍの厚さにスパッタ法で成膜後パターニングす
る。このアルミニウム層が、図５（Ｄ）に１０４で示す
ように、光電変換素子２４（フォトダイオード）にバイ
アスを印加するための配線材料として、また回折格子４
１の一部として機能する。
ように、層間絶縁膜１０６の必要な個所にコンタクト部
１０５を開口し、続く第５の工程ではアルミニウムを３
００ｎｍの厚さにスパッタ法で成膜後パターニングす
る。このアルミニウム層が、図５（Ｄ）に１０４で示す
ように、光電変換素子２４（フォトダイオード）にバイ
アスを印加するための配線材料として、また回折格子４
１の一部として機能する。
【００２７】なお、イメージセンサに配置する回折格子
として、光電変換素子２４の下部電極１０１とバイアス
印加用配線１０４の２層の不透明材料で構成するように
説明したが、本発明で用いる回折格子はこれに限定され
るものではなく、例えばスイッチ素子として薄膜トラン
ジスタ等を形成する場合の金属配線材料を使用してもよ
い。
として、光電変換素子２４の下部電極１０１とバイアス
印加用配線１０４の２層の不透明材料で構成するように
説明したが、本発明で用いる回折格子はこれに限定され
るものではなく、例えばスイッチ素子として薄膜トラン
ジスタ等を形成する場合の金属配線材料を使用してもよ
い。
【００２８】図６（Ａ）はそのような指紋画像入力装置
のイメージセンサ部に形成された回折格子と光電変換素
子の他の例の詳細を示す平面図、同図（Ｂ）は同図
（Ａ）のＡ−Ａ’線に沿う断面図を示す。この例では、
スイッチ素子として薄膜トランジスタ１１０を使用す
る。
のイメージセンサ部に形成された回折格子と光電変換素
子の他の例の詳細を示す平面図、同図（Ｂ）は同図
（Ａ）のＡ−Ａ’線に沿う断面図を示す。この例では、
スイッチ素子として薄膜トランジスタ１１０を使用す
る。
【００２９】光電変換素子は、不透明材料で形成された
下部電極１０１と、光電変換材料１０２と、上部透明電
極１０３とで構成される。また、図６（Ｂ）に示すよう
に、薄膜トランジスタ１１０はソース・ドレイン電極用
金属膜１１１、オーミック接続材料１１２、半導体層１
１３、ゲート絶縁膜１１４、ゲート電極用金属膜１１５
とから構成されている。この薄膜トランジスタ１１０
は、そのゲート電極用金属膜１１５に印加される電圧に
より２つのソース・ドレイン電極用金属膜１１１間の抵
抗が制御されるので、スイッチとして動作する。
下部電極１０１と、光電変換材料１０２と、上部透明電
極１０３とで構成される。また、図６（Ｂ）に示すよう
に、薄膜トランジスタ１１０はソース・ドレイン電極用
金属膜１１１、オーミック接続材料１１２、半導体層１
１３、ゲート絶縁膜１１４、ゲート電極用金属膜１１５
とから構成されている。この薄膜トランジスタ１１０
は、そのゲート電極用金属膜１１５に印加される電圧に
より２つのソース・ドレイン電極用金属膜１１１間の抵
抗が制御されるので、スイッチとして動作する。
【００３０】また、回折格子１２０は、図６（Ｂ）に示
すように、薄膜トランジスタ１１０の層間絶縁膜１０６
上のソース・ドレイン電極用金属膜１１１とゲート電極
用金属膜１１５とで構成される。従って、回折格子１２
０は薄膜トランジスタ１１０の構成要素と同じものを使
用するため、同時に製作することができ、よって、製造
工程及び製造コストを低減することができる。
すように、薄膜トランジスタ１１０の層間絶縁膜１０６
上のソース・ドレイン電極用金属膜１１１とゲート電極
用金属膜１１５とで構成される。従って、回折格子１２
０は薄膜トランジスタ１１０の構成要素と同じものを使
用するため、同時に製作することができ、よって、製造
工程及び製造コストを低減することができる。
【００３１】次に、本発明になる指紋画像入力装置の製
造方法の第２の実施の形態について図７と共に説明す
る。図７は図６に示した構成の指紋画像入力装置の製造
工程を示す断面図である。まず、第１の工程ではスパッ
タ法により厚さ１００ｎｍのＷＳｉ層を基板上に成膜
し、パターニングすることにより、図７（Ａ）に示すよ
うに、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１１０のソース・ド
レイン電極用金属膜１１１及び回折格子１２０の一部を
同時に形成する。
造方法の第２の実施の形態について図７と共に説明す
る。図７は図６に示した構成の指紋画像入力装置の製造
工程を示す断面図である。まず、第１の工程ではスパッ
タ法により厚さ１００ｎｍのＷＳｉ層を基板上に成膜
し、パターニングすることにより、図７（Ａ）に示すよ
うに、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１１０のソース・ド
レイン電極用金属膜１１１及び回折格子１２０の一部を
同時に形成する。
【００３２】続いて、第２の工程では、ＴＦＴ１１０の
ソース・ドレイン電極用金属膜１１１へのオーミック接
続材料１２０として、厚さ７５ｎｍのポリシリコン層
を、ＴＦＴ１１０の形成領域に、図７（Ｂ）に示すよう
に減圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）法により成膜し、イオン注
入によりｎ+層あるいはｐ+層に変換後、パターニングす
る。
ソース・ドレイン電極用金属膜１１１へのオーミック接
続材料１２０として、厚さ７５ｎｍのポリシリコン層
を、ＴＦＴ１１０の形成領域に、図７（Ｂ）に示すよう
に減圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）法により成膜し、イオン注
入によりｎ+層あるいはｐ+層に変換後、パターニングす
る。
【００３３】次の第３の工程では、ＬＰＣＶＤ法により
ａ−Ｓｉ層を７５ｎｍの厚さに成膜した後に、レーザー
アニールによりポリシリコンに変換する。これをパター
ニングしてＴＦＴ１１０のチャネル領域とする。これに
より、図７（Ｃ）に示すように半導体層１１３が形成さ
れる。
ａ−Ｓｉ層を７５ｎｍの厚さに成膜した後に、レーザー
アニールによりポリシリコンに変換する。これをパター
ニングしてＴＦＴ１１０のチャネル領域とする。これに
より、図７（Ｃ）に示すように半導体層１１３が形成さ
れる。
【００３４】次の第４の工程では、ＳｉＯ2膜をＬＰＣ
ＶＤ法により素子全面に厚さ１２５ｎｍで成膜した後、
ｎ+型ポリシリコン膜をＬＰＣＶＤ法により厚さ６０ｎ
ｍに成膜する。これにより、図７（Ｄ）に示すように、
ＴＦＴ領域では上記のＳｉＯ2膜はゲート絶縁膜１１４
として形成され、ｎ+型ポリシリコン膜はゲート電極材
料のアルミニウムの保護膜であるゲート電極用半導体膜
１１７として形成される。
ＶＤ法により素子全面に厚さ１２５ｎｍで成膜した後、
ｎ+型ポリシリコン膜をＬＰＣＶＤ法により厚さ６０ｎ
ｍに成膜する。これにより、図７（Ｄ）に示すように、
ＴＦＴ領域では上記のＳｉＯ2膜はゲート絶縁膜１１４
として形成され、ｎ+型ポリシリコン膜はゲート電極材
料のアルミニウムの保護膜であるゲート電極用半導体膜
１１７として形成される。
【００３５】続く第５の工程では、上記の図７（Ｅ）に
示すように、ＴＦＴ領域のゲート電極用半導体膜（ｎ+
型ポリシリコン膜）１１７とゲート絶縁膜（ＳｉＯ
2膜）１１４にコンタクト部１１６が開口される。そし
て第６の工程で、アルミニウムを３００ｎｍの厚さにス
パッタ法により成膜した後、パターニングする。これに
より、図７（Ｆ）に示すように、上記のアルミニウム層
がＴＦＴ１１０のゲート電極用金属膜１１５として、ま
た、回折格子１２０の一部として形成される。
示すように、ＴＦＴ領域のゲート電極用半導体膜（ｎ+
型ポリシリコン膜）１１７とゲート絶縁膜（ＳｉＯ
2膜）１１４にコンタクト部１１６が開口される。そし
て第６の工程で、アルミニウムを３００ｎｍの厚さにス
パッタ法により成膜した後、パターニングする。これに
より、図７（Ｆ）に示すように、上記のアルミニウム層
がＴＦＴ１１０のゲート電極用金属膜１１５として、ま
た、回折格子１２０の一部として形成される。
【００３６】以上説明した図７の製造方法は、順スタガ
ー型のポリシリコンＴＦＴの工程を利用して回折格子を
同時に製造する方法であるが、本発明はこれに限定され
るものではなく、例えば図８に示す製造方法で図６に示
した構造の指紋画像入力装置を製造することもできる。
ー型のポリシリコンＴＦＴの工程を利用して回折格子を
同時に製造する方法であるが、本発明はこれに限定され
るものではなく、例えば図８に示す製造方法で図６に示
した構造の指紋画像入力装置を製造することもできる。
【００３７】図８は本発明になる指紋画像入力装置の製
造方法の第３の実施の形態の製造工程を示す断面図で、
プレーナ型ポリシリコンＴＦＴの製造工程を利用して回
折格子を同時に形成する製造方法である。まず、第１の
工程では、図８（Ａ）に示すように、基板上にａ−Ｓｉ
層をＬＰＣＶＤ法により７５ｎｍの厚さに成膜した後、
レーザアニールによりポリシリコン層に変換して半導体
層１１３を得る。
造方法の第３の実施の形態の製造工程を示す断面図で、
プレーナ型ポリシリコンＴＦＴの製造工程を利用して回
折格子を同時に形成する製造方法である。まず、第１の
工程では、図８（Ａ）に示すように、基板上にａ−Ｓｉ
層をＬＰＣＶＤ法により７５ｎｍの厚さに成膜した後、
レーザアニールによりポリシリコン層に変換して半導体
層１１３を得る。
【００３８】続く第２の工程では、半導体層１１３をパ
ターニングしてＴＦＴ１１０のチャネル領域とした後、
ＬＰＣＶＤ法により厚さ１２５ｎｍのＳｉＯ2層、ＬＰ
ＣＶＤ法により厚さ６０ｎｍのｎ+型ポリシリコン層、
スパッタ法により厚さ１００ｎｍのＷＳｉ層の順に成膜
する。これにより、図８（Ｂ）に示すように、上記のＳ
ｉＯ2層がゲート絶縁膜１１４として、ｎ+型ポリシリコ
ン層がゲート電極用半導体膜１１７として、ＷＳｉ層が
ゲート電極用金属膜１１５として形成される。
ターニングしてＴＦＴ１１０のチャネル領域とした後、
ＬＰＣＶＤ法により厚さ１２５ｎｍのＳｉＯ2層、ＬＰ
ＣＶＤ法により厚さ６０ｎｍのｎ+型ポリシリコン層、
スパッタ法により厚さ１００ｎｍのＷＳｉ層の順に成膜
する。これにより、図８（Ｂ）に示すように、上記のＳ
ｉＯ2層がゲート絶縁膜１１４として、ｎ+型ポリシリコ
ン層がゲート電極用半導体膜１１７として、ＷＳｉ層が
ゲート電極用金属膜１１５として形成される。
【００３９】次の第３の工程では、これらの層を図８
（Ｃ）に示すように、ゲート電極部と回折格子の一部に
なる部分を残してパターニングする。その後、ゲート電
極をマスクとして自己整合型のイオン注入を行い、６０
０℃で２時間アニールすることにより、ＴＦＴのチャネ
ル領域の両端にオーミック接合材料１１２を形成する。
（Ｃ）に示すように、ゲート電極部と回折格子の一部に
なる部分を残してパターニングする。その後、ゲート電
極をマスクとして自己整合型のイオン注入を行い、６０
０℃で２時間アニールすることにより、ＴＦＴのチャネ
ル領域の両端にオーミック接合材料１１２を形成する。
【００４０】次の第４の工程では、図８（Ｄ）に示すよ
うに、素子全面にＳｉＯ2膜を層間絶縁膜１１８として
厚さ３００ｎｍに成膜後、パターニングしてコンタクト
部１１６を形成する。そして、第５の工程では、アルミ
ニウム（Ａｌ）をスパッタ法により３００ｎｍの厚さに
成膜してパターニングすることにより、図８（Ｅ）に１
１９で示すように、ＴＦＴ１１０ではソース・ドレイン
電極の配線材料が、また回折格子１２０ではその一部が
形成される。
うに、素子全面にＳｉＯ2膜を層間絶縁膜１１８として
厚さ３００ｎｍに成膜後、パターニングしてコンタクト
部１１６を形成する。そして、第５の工程では、アルミ
ニウム（Ａｌ）をスパッタ法により３００ｎｍの厚さに
成膜してパターニングすることにより、図８（Ｅ）に１
１９で示すように、ＴＦＴ１１０ではソース・ドレイン
電極の配線材料が、また回折格子１２０ではその一部が
形成される。
【００４１】なお、以上の実施の形態では、フォトダイ
オード工程、あるいはＴＦＴ工程のみを利用して回折格
子を構成する製造方法について説明したが、本発明の回
折格子の製造方法はこれに限定されるものではなく、例
えばＴＦＴ工程で形成する任意の不透明層（例えばゲー
ト電極用金属膜、ソース・ドレイン電極用金属膜）と、
フォトダイオード工程で形成する任意の不透明層（例え
ば、フォトダイオード下部電極用金属膜、バイアス印加
用金属膜）の中から、任意の数の不透明層を用いて、同
様にして回折格子を形成することができる。
オード工程、あるいはＴＦＴ工程のみを利用して回折格
子を構成する製造方法について説明したが、本発明の回
折格子の製造方法はこれに限定されるものではなく、例
えばＴＦＴ工程で形成する任意の不透明層（例えばゲー
ト電極用金属膜、ソース・ドレイン電極用金属膜）と、
フォトダイオード工程で形成する任意の不透明層（例え
ば、フォトダイオード下部電極用金属膜、バイアス印加
用金属膜）の中から、任意の数の不透明層を用いて、同
様にして回折格子を形成することができる。
【００４２】また、以上の説明では、２次元イメージセ
ンサを例に挙げて説明してきたが、リニアイメージセン
サを指に対して相対的に移動しながら指紋画像を入力す
ることもできる。リニアイメージセンサの光電変換素子
の近傍に同様にして回折格子を構成する例も本発明の変
形例とみなす。
ンサを例に挙げて説明してきたが、リニアイメージセン
サを指に対して相対的に移動しながら指紋画像を入力す
ることもできる。リニアイメージセンサの光電変換素子
の近傍に同様にして回折格子を構成する例も本発明の変
形例とみなす。
【００４３】図９はそのような指紋画像入力装置のイメ
ージセンサ部の構成を示す斜視図を示す。このイメージ
センサ部は、線状光源５１と、その線状光源５１上に設
けられたリニアイメージセンサ５２と、リニアイメージ
センサ５２の上部を覆う透明保護膜５３とからなる。リ
ニアイメージセンサ５２は、透明基板２１上に形成した
回折格子５４、光電変換素子２４、スイッチ素子２２、
スイッチ用配線２５、信号読み出し用配線２６、バイア
ス印加用配線２７、光電変換素子２４の下部に配置され
る遮光板２３を備えている。回折格子５４と光電変換素
子２４の構成は図２に示したものと同一である。
ージセンサ部の構成を示す斜視図を示す。このイメージ
センサ部は、線状光源５１と、その線状光源５１上に設
けられたリニアイメージセンサ５２と、リニアイメージ
センサ５２の上部を覆う透明保護膜５３とからなる。リ
ニアイメージセンサ５２は、透明基板２１上に形成した
回折格子５４、光電変換素子２４、スイッチ素子２２、
スイッチ用配線２５、信号読み出し用配線２６、バイア
ス印加用配線２７、光電変換素子２４の下部に配置され
る遮光板２３を備えている。回折格子５４と光電変換素
子２４の構成は図２に示したものと同一である。
【００４４】次に、この構成の動作について説明する。
線状光源５１から出射された光は、透明基板５２を透過
して回折格子５４に至りその進路を変えられて指を照射
し、その反射光が光電変換素子２４で検出される。すな
わち、光電変換素子列の真上にあるライン状の微小領域
の指紋情報が入力される。ここで、全反射を利用した指
紋強調が実現されているのは前述の通りである。更に、
指をリニアイメージセンサ５２に対して相対的に移動し
ながら上記の入力を繰り返すことにより、指紋画像が得
られる。
線状光源５１から出射された光は、透明基板５２を透過
して回折格子５４に至りその進路を変えられて指を照射
し、その反射光が光電変換素子２４で検出される。すな
わち、光電変換素子列の真上にあるライン状の微小領域
の指紋情報が入力される。ここで、全反射を利用した指
紋強調が実現されているのは前述の通りである。更に、
指をリニアイメージセンサ５２に対して相対的に移動し
ながら上記の入力を繰り返すことにより、指紋画像が得
られる。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
従来のイメージセンサの画素部の近傍に設けられた光源
が発する光を透過させる開口部に、イメージセンサの光
電変換素子の少なくとも１種類の以上の不透明材料を共
用して回折格子を設け、部品点数を削減したため、小型
化と低コスト化を実現できる。
従来のイメージセンサの画素部の近傍に設けられた光源
が発する光を透過させる開口部に、イメージセンサの光
電変換素子の少なくとも１種類の以上の不透明材料を共
用して回折格子を設け、部品点数を削減したため、小型
化と低コスト化を実現できる。
【００４６】また、本発明によれば、光電変換素子及び
スイッチ素子の一方の不透明材料を形成しパターニング
する工程の少なくとも１回の工程を利用して回折格子を
同時に形成することにより、光電変換素子及びスイッチ
素子の少なくとも一方の製造工程の一部を利用して回折
格子を同時に形成するようにしたため、製造工程の短縮
化により製造コストを低減できる。
スイッチ素子の一方の不透明材料を形成しパターニング
する工程の少なくとも１回の工程を利用して回折格子を
同時に形成することにより、光電変換素子及びスイッチ
素子の少なくとも一方の製造工程の一部を利用して回折
格子を同時に形成するようにしたため、製造工程の短縮
化により製造コストを低減できる。
【図１】本発明の一実施の形態の分解斜視図である。
【図２】回折格子と光電変換素子の一例を示す平面図及
び断面図である。
び断面図である。
【図３】図１の実施の形態の回折格子の動作説明図であ
る。
る。
【図４】図１の実施の形態の回折格子の動作説明用特性
図である。
図である。
【図５】本発明製造方法の第１の実施の形態の工程説明
用断面図である。
用断面図である。
【図６】本発明装置のイメージセンサ部に形成された回
折格子と光電変換素子の他の例の平面図及び断面図であ
る。
折格子と光電変換素子の他の例の平面図及び断面図であ
る。
【図７】本発明製造方法の第２の実施の形態の工程説明
用断面図である。
用断面図である。
【図８】本発明製造方法の第３の実施の形態の工程説明
用断面図である。
用断面図である。
【図９】本発明装置の他の実施の形態の分解斜視図であ
る。
る。
【図１０】従来装置の一例の分解斜視図である。
１１ 平面状光源 １４ ２次元イメージセンサ ２１ 透明基板 ２２ スイッチ素子 ２３ 遮光板 ２４ 光電変換素子 ２５ スイッチ用配線 ２６ 信号読み出し用配線 ２７ バイアス印加用配線 ４１、５４、１２０ 回折格子 ４２、５３ 透明保護膜 ５１ 線状光源 ５２ リニアイメージセンサ １０１ 下部電極 １０２ 光電変換材料 １０３ 上部透明電極 １０４ 配線材料 １０５、１１６ コンタクト部 １０６、１１８ 層間絶縁膜 １１０ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ） １１１ ソース・ドレイン電極用金属膜 １１４ ゲート絶縁膜 １１５ ゲート電極用金属膜 １１７ ゲート電極用半導体膜 １１９ 金属膜 ａ 回折格子のピッチ ｂ 回折格子の幅 ｄ 透明保護膜の厚さ Ｐ 光電変換素子のピッチ ｘ 光電変換素子の幅
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 31/0232 Ｈ０１Ｌ 31/02 Ｄ
Claims (8)
- 【請求項１】 平面状又は線状の光源と、 規則的に配列された複数の光電変換素子と、該複数の光
電変換素子の出力を別々にスイッチングする複数のスイ
ッチ素子と、該光電変換素子及びスイッチ素子以外の場
所に形成された回折格子とが透明基板上に少なくとも形
成されたイメージセンサと、 前記光源から出射された後前記回折格子で回折された光
を全反射させて、前記光電変換素子へ入射させるため
に、前記イメージセンサ上に設けられ、表面に指が接触
される透明保護膜とを有することを特徴とする指紋画像
入力装置。 - 【請求項２】 前記光電変換素子は、不透明材料で形成
された下部電極と、該下部電極上に形成された光電変換
材料と、該光電変換材料上に形成された上部透明電極と
からなり、該上部透明電極はコンタクト部により層間絶
縁膜を通して不透明材料である配線材料に接続され、前
記回折格子は前記層間絶縁膜を挟んで前記下部電極と同
層の不透明材料と、前記配線材料と同層の不透明材料と
から構成されていることを特徴とする請求項１記載の指
紋画像入力装置。 - 【請求項３】 前記透明保護膜は、該透明保護膜の屈折
率をｎm、該透明保護膜表面の指のある媒体の屈折率を
ｎa、前記光電変換素子のピッチをＰ、幅をｘとしたと
き次式 θｃ＝ｓｉｎ−１（ｎａ／ｎｍ） ｄ＝（Ｐ−ｘ）／（２ｔａｎθｃ） を満足する厚さｄに形成されていることを特徴とする請
求項１記載の指紋画像入力装置。 - 【請求項４】 前記スイッチ素子は薄膜トランジスタか
ら構成されており、前記回折格子は層間絶縁膜を挟んで
該薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極用金属膜と
該薄膜トランジスタのゲート電極用金属膜とから構成さ
れていることを特徴とする請求項１記載の指紋画像入力
装置。 - 【請求項５】 規則的に配列された複数の光電変換素子
と、該複数の光電変換素子の出力を別々にスイッチング
する複数のスイッチ素子と、該光電変換素子及びスイッ
チ素子以外の場所に形成された回折格子とが透明基板上
に少なくとも形成されたイメージセンサの該回折格子
で、平面状又は線状の光源から出射した光が回折されて
透明保護膜に入射し、該透明保護膜表面に接触された指
の指紋画像を該透明保護膜からの反射光を前記光電変換
素子へ入射させて得る指紋画像入力装置の製造方法であ
って、 前記光電変換素子及び前記スイッチ素子は、不透明材料
を形成しパターニングする工程をそれぞれ複数回含んで
製造し、前記光電変換素子及び前記スイッチ素子の一方
の不透明材料を形成しパターニングする工程の少なくと
も１回の工程を利用して前記回折格子を同時に形成する
ことを特徴とする指紋画像入力装置の製造方法。 - 【請求項６】 不透明の下部電極を基板上に形成する第
１の工程と、 前記下部電極上に光電変換材料を形成する第２の工程
と、 前記光電変換材料上に上部透明電極を形成する第３の工
程と、 前記上部透明電極上に層間絶縁膜を形成する第４の工程
と、 前記層間絶縁膜にコンタクト部を形成し、該層間絶縁膜
上に不透明の配線材料による配線を形成して、該コンタ
クト部を通して前記上部透明電極と該配線とを接続する
第５の工程とを含む工程により前記光電変換素子を製造
すると共に、前記第１、第４及び第５の工程を利用して
前記回折格子を製造することを特徴とする請求項５記載
の指紋画像入力装置の製造方法。 - 【請求項７】 不透明のソース・ドレイン電極を基板上
に形成する第１の工程と、 前記ソース・ドレイン電極上に半導体層を形成する第２
の工程と、 前記半導体層上に絶縁膜を形成する第３の工程と、 前記絶縁膜及び半導体層にコンタクト部を形成し、前記
絶縁膜上に不透明の配線材料による配線を形成して、該
コンタクト部を通して前記ソース・ドレイン電極と該配
線とを接続する第４の工程とを含む工程により前記スイ
ッチ素子を製造すると共に、前記第１、第３及び第４の
工程を利用して前記回折格子を製造することを特徴とす
る請求項５記載の指紋画像入力装置の製造方法。 - 【請求項８】 半導体層を基板上に形成した後パターニ
ングする第１の工程と、 前記半導体層上に絶縁膜を形成する第２の工程と、 前記絶縁膜上に不透明のゲート電極を形成した後パター
ニングする第３の工程と、 前記ゲート電極をマスクとして前記半導体層の両側にソ
ース・ドレイン領域を形成する第４の工程と、 前記ゲート電極及び前記ソース・ドレイン領域上に層間
絶縁膜を形成する第５の工程と、 前記層間絶縁膜にコンタクト部を形成し、該層間絶縁膜
上に不透明の配線材料による配線を形成して、該コンタ
クト部を通して前記ソース・ドレイン電極と該配線とを
接続する第６の工程とを含む工程により前記スイッチ素
子を製造すると共に、前記第２、第３、第５及び第６の
工程を利用して前記回折格子を製造することを特徴とす
る請求項５記載の指紋画像入力装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8201702A JP2910683B2 (ja) | 1995-08-15 | 1996-07-31 | 指紋画像入力装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20802795 | 1995-08-15 | ||
| JP7-208027 | 1995-08-15 | ||
| JP8201702A JP2910683B2 (ja) | 1995-08-15 | 1996-07-31 | 指紋画像入力装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09116128A true JPH09116128A (ja) | 1997-05-02 |
| JP2910683B2 JP2910683B2 (ja) | 1999-06-23 |
Family
ID=26512936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8201702A Expired - Fee Related JP2910683B2 (ja) | 1995-08-15 | 1996-07-31 | 指紋画像入力装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2910683B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0901093A3 (en) * | 1997-08-05 | 2000-02-23 | Casio Computer Co., Ltd. | Image acquisition apparatus |
| US6636620B1 (en) | 1997-11-28 | 2003-10-21 | Nec Corporation | Personal identification authenticating with fingerprint identification |
| KR100704535B1 (ko) * | 2001-06-18 | 2007-04-09 | 닛폰 덴키 가부시끼 가이샤 | 지문 입력 장치 |
| JPWO2023149195A1 (ja) * | 2022-02-01 | 2023-08-10 |
-
1996
- 1996-07-31 JP JP8201702A patent/JP2910683B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0901093A3 (en) * | 1997-08-05 | 2000-02-23 | Casio Computer Co., Ltd. | Image acquisition apparatus |
| US6636620B1 (en) | 1997-11-28 | 2003-10-21 | Nec Corporation | Personal identification authenticating with fingerprint identification |
| KR100704535B1 (ko) * | 2001-06-18 | 2007-04-09 | 닛폰 덴키 가부시끼 가이샤 | 지문 입력 장치 |
| US7366331B2 (en) | 2001-06-18 | 2008-04-29 | Nec Corporation | Fingerprint input device |
| JPWO2023149195A1 (ja) * | 2022-02-01 | 2023-08-10 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2910683B2 (ja) | 1999-06-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5708497A (en) | Fingerprint image input apparatus and method of producing the same | |
| KR100433805B1 (ko) | 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 | |
| US8294855B2 (en) | Method of fabricating a liquid crystal display device | |
| KR100873497B1 (ko) | 지문 인식 소자를 내장한 일체형 액정표시장치 및 이의제조 방법 | |
| KR100408346B1 (ko) | 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 | |
| CN111221165B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| KR100684578B1 (ko) | 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 | |
| KR20030057227A (ko) | 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법 | |
| KR100723599B1 (ko) | 반사형 액정표시장치 및 그 제조방법과 반사형액정표시장치의 제조용 마스크 | |
| KR101037085B1 (ko) | 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 | |
| JP2910683B2 (ja) | 指紋画像入力装置及びその製造方法 | |
| KR100560347B1 (ko) | 지문인식장치의 ｔｆｔ 지문입력기 제조방법 | |
| TWI759153B (zh) | 指紋感測模組 | |
| US7643114B2 (en) | Transflective display device with reflection pattern on the color filter substrate | |
| KR101147261B1 (ko) | 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 | |
| KR100911460B1 (ko) | 지문 인식장치 및 이의 제조방법 | |
| KR100844005B1 (ko) | 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법 | |
| KR20010007500A (ko) | 액정 표시 장치 | |
| KR100225099B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조 방법 | |
| US20090127563A1 (en) | Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof | |
| KR100906724B1 (ko) | 반사투과형 액정표시장치와 그 제조방법 | |
| JP2002090726A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JPH04373172A (ja) | イメージセンサ | |
| KR0182040B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR100913300B1 (ko) | 박막 트랜지스터 기판의 제조방법 및 이에 의해 제조되는박막 트랜지스터 기판 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080409 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090409 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100409 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110409 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120409 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120409 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120409 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120409 Year of fee payment: 13 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120409 Year of fee payment: 13 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120409 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120409 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130409 Year of fee payment: 14 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |