JPH09116497A - 光受信器 - Google Patents
光受信器Info
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- JPH09116497A JPH09116497A JP7270367A JP27036795A JPH09116497A JP H09116497 A JPH09116497 A JP H09116497A JP 7270367 A JP7270367 A JP 7270367A JP 27036795 A JP27036795 A JP 27036795A JP H09116497 A JPH09116497 A JP H09116497A
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- signal
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 周波数多重化された光信号を受信して所定の
周波数帯域ごとに増幅を行う際に、高周波数帯域の信号
を増幅する受信回路の出力特性の劣化を抑制することが
できる光受信器を提供することを目的とする。 【構成】 本発明の光受信器は、光信号を受信して電気
信号に変換するフォトダイオード１０と、フォトダイオ
ード１０のカソード側端子Ｋに接続され、フォトダイオ
ード１０が受信した光信号のうち、周波数帯域Ａの光信
号に対応する電気信号を増幅して出力端子１４から出力
する受信回路１２と、フォトダイオード１０のアノード
側端子Ａに接続され、周波数帯域Ｂの光信号に対応する
電気信号を増幅して出力端子１８から出力する受信回路
１６と、フォトダイオード１０のカソード側端子Ｋに接
続され、所定の周波数より高い周波数の電気信号を接地
電位に逃がすバイパス回路２０とから構成される。
周波数帯域ごとに増幅を行う際に、高周波数帯域の信号
を増幅する受信回路の出力特性の劣化を抑制することが
できる光受信器を提供することを目的とする。 【構成】 本発明の光受信器は、光信号を受信して電気
信号に変換するフォトダイオード１０と、フォトダイオ
ード１０のカソード側端子Ｋに接続され、フォトダイオ
ード１０が受信した光信号のうち、周波数帯域Ａの光信
号に対応する電気信号を増幅して出力端子１４から出力
する受信回路１２と、フォトダイオード１０のアノード
側端子Ａに接続され、周波数帯域Ｂの光信号に対応する
電気信号を増幅して出力端子１８から出力する受信回路
１６と、フォトダイオード１０のカソード側端子Ｋに接
続され、所定の周波数より高い周波数の電気信号を接地
電位に逃がすバイパス回路２０とから構成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信の受信に使
用される光受信器に係り、特にアナログ通信システムに
使用され、周波数多重化された光信号を受信して所定の
周波数帯域ごとに増幅を行う帯域分割型光受信器に関す
るものである。
用される光受信器に係り、特にアナログ通信システムに
使用され、周波数多重化された光信号を受信して所定の
周波数帯域ごとに増幅を行う帯域分割型光受信器に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】光通信システム、特にアナログ通信シス
テムにおいては、例えばＡＭ変調方式の周波数帯域Ａの
信号とＦＭ変調方式の周波数帯域Ｂの信号のように異な
る変調方式の信号を周波数多重化して伝送する周波数多
重伝送方式が実用化されている。このような通信システ
ムでは、変調方式ごとに信号品質に関する仕様も異なる
ため、受信器側では周波数帯域Ａと周波数帯域Ｂとに周
波数帯域を分割して増幅を行うことが必要になる。この
場合、光信号を電気信号に変換するフォトダイオード
は、理想的には光強度に比例した電流を流す電流源と考
えることができるため、フォトダイオードのアノード側
とカソード側とに異なる周波数帯域用の受信回路を接続
することにより、２つの受信回路は互いに独立してそれ
ぞれの周波数帯域の電気信号の増幅を行うことが可能で
ある。
テムにおいては、例えばＡＭ変調方式の周波数帯域Ａの
信号とＦＭ変調方式の周波数帯域Ｂの信号のように異な
る変調方式の信号を周波数多重化して伝送する周波数多
重伝送方式が実用化されている。このような通信システ
ムでは、変調方式ごとに信号品質に関する仕様も異なる
ため、受信器側では周波数帯域Ａと周波数帯域Ｂとに周
波数帯域を分割して増幅を行うことが必要になる。この
場合、光信号を電気信号に変換するフォトダイオード
は、理想的には光強度に比例した電流を流す電流源と考
えることができるため、フォトダイオードのアノード側
とカソード側とに異なる周波数帯域用の受信回路を接続
することにより、２つの受信回路は互いに独立してそれ
ぞれの周波数帯域の電気信号の増幅を行うことが可能で
ある。
【０００３】従って、図７に示すように、光信号を受信
して電気信号に変換するフォトダイオード１０と、この
フォトダイオード１０のカソード側端子Ｋに接続され、
フォトダイオード１０が受信した光信号のうち、周波数
帯域Ａの光信号に対応する電気信号を増幅する受信回路
１２と、この受信回路１２によって増幅された電気信号
を出力する出力端子１４と、フォトダイオード１０のア
ノード側端子Ａに接続され、フォトダイオード１０が受
信した光信号のうち、周波数帯域Ｂの光信号に対応する
電気信号を増幅する受信回路１６と、この受信回路１６
によって増幅された電気信号を出力する出力端子１８と
から構成される帯域分割型光受信器が提案されている
（Australia Patents Act 1990“An Optical Reciever
with Dividing Network"参照） この帯域分割型光受信器によれば、図８（ａ）に示され
るような周波数多重化されて伝送されてきた周波数帯域
Ａ及び周波数帯域Ｂの光信号がフォトダイオード１０に
光入力されると、この光信号はフォトダイオード１０に
よって電気信号に変換される。そして周波数帯域Ａの光
信号に対応する電気信号は受信回路１２によって増幅さ
れ、図８（ｂ）に示されるような電気信号として出力端
子１４から出力される。また、周波数帯域Ｂの光信号に
対応する電気信号は受信回路１６によって増幅され、図
８（ｃ）に示されるような電気信号として出力端子１８
から出力されると想定される。
して電気信号に変換するフォトダイオード１０と、この
フォトダイオード１０のカソード側端子Ｋに接続され、
フォトダイオード１０が受信した光信号のうち、周波数
帯域Ａの光信号に対応する電気信号を増幅する受信回路
１２と、この受信回路１２によって増幅された電気信号
を出力する出力端子１４と、フォトダイオード１０のア
ノード側端子Ａに接続され、フォトダイオード１０が受
信した光信号のうち、周波数帯域Ｂの光信号に対応する
電気信号を増幅する受信回路１６と、この受信回路１６
によって増幅された電気信号を出力する出力端子１８と
から構成される帯域分割型光受信器が提案されている
（Australia Patents Act 1990“An Optical Reciever
with Dividing Network"参照） この帯域分割型光受信器によれば、図８（ａ）に示され
るような周波数多重化されて伝送されてきた周波数帯域
Ａ及び周波数帯域Ｂの光信号がフォトダイオード１０に
光入力されると、この光信号はフォトダイオード１０に
よって電気信号に変換される。そして周波数帯域Ａの光
信号に対応する電気信号は受信回路１２によって増幅さ
れ、図８（ｂ）に示されるような電気信号として出力端
子１４から出力される。また、周波数帯域Ｂの光信号に
対応する電気信号は受信回路１６によって増幅され、図
８（ｃ）に示されるような電気信号として出力端子１８
から出力されると想定される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図７に
示す帯域分割型光受信器を構成する実際のフォトダイオ
ード１０は、ダイオード内部の半導体接合部に容量Ｃｊ
を有しており、図９の等価回路図に示すように、この容
量Ｃｊが電流源２２と並列に入っている。このため、高
速光通信用のフォトダイオードを用いても、例えば５０
０ＭＨｚ程度まで周波数が上がると、内部インピーダン
スの低下を無視することができなくなる。つまり、受信
回路１２の入力信号レベルの一部が、容量Ｃｊを介して
受信回路１６の入力に現れる。そしてこの容量Ｃｊを介
して現れる信号は、フォトダイオード１０のカソード側
から受信回路１６に出力されている信号と位相が異なる
ため、受信回路１６の入力信号レベルを低下させること
になる。
示す帯域分割型光受信器を構成する実際のフォトダイオ
ード１０は、ダイオード内部の半導体接合部に容量Ｃｊ
を有しており、図９の等価回路図に示すように、この容
量Ｃｊが電流源２２と並列に入っている。このため、高
速光通信用のフォトダイオードを用いても、例えば５０
０ＭＨｚ程度まで周波数が上がると、内部インピーダン
スの低下を無視することができなくなる。つまり、受信
回路１２の入力信号レベルの一部が、容量Ｃｊを介して
受信回路１６の入力に現れる。そしてこの容量Ｃｊを介
して現れる信号は、フォトダイオード１０のカソード側
から受信回路１６に出力されている信号と位相が異なる
ため、受信回路１６の入力信号レベルを低下させること
になる。
【０００５】従って、受信回路１２及び受信回路１６を
それぞれフォトダイオード１０のカソード側及びアノー
ド側に接続した帯域分割型光受信器の出力特性を、受信
回路１２又は受信回路１６をそれぞれ単独でフォトダイ
オード１０に接続した場合の出力特性と比較すると、図
１０に示すように、低域側に配置されている周波数帯域
ＡのＡＭ変調方式の信号を増幅する受信回路１２の出力
信号強度には変化が見られないものの、高域側に配置さ
れている周波数帯域ＢのＦＭ変調方式の信号を増幅する
受信回路１６の出力信号強度は周波数が高くなるにした
がって劣化している。
それぞれフォトダイオード１０のカソード側及びアノー
ド側に接続した帯域分割型光受信器の出力特性を、受信
回路１２又は受信回路１６をそれぞれ単独でフォトダイ
オード１０に接続した場合の出力特性と比較すると、図
１０に示すように、低域側に配置されている周波数帯域
ＡのＡＭ変調方式の信号を増幅する受信回路１２の出力
信号強度には変化が見られないものの、高域側に配置さ
れている周波数帯域ＢのＦＭ変調方式の信号を増幅する
受信回路１６の出力信号強度は周波数が高くなるにした
がって劣化している。
【０００６】即ち、従来の帯域分割型光受信器において
は、低周波数帯域の信号を増幅する受信回路１２の入力
信号レベルの一部が、フォトダイオード１０の容量Ｃｊ
を介して高周波数帯域の信号を増幅する受信回路１６の
入力に現れ、その受信回路１６の入力信号レベルを低下
させることにより、高周波数帯域の信号を増幅する受信
回路１６の出力特性を劣化させるという問題があった。
従って、こうした高周波数帯域の信号を増幅する受信回
路１６の出力特性の劣化を抑制し、この受信回路１６を
単独でフォトダイオード１０に接続した場合の出力特性
にいかに近づけるかが課題としてあった。
は、低周波数帯域の信号を増幅する受信回路１２の入力
信号レベルの一部が、フォトダイオード１０の容量Ｃｊ
を介して高周波数帯域の信号を増幅する受信回路１６の
入力に現れ、その受信回路１６の入力信号レベルを低下
させることにより、高周波数帯域の信号を増幅する受信
回路１６の出力特性を劣化させるという問題があった。
従って、こうした高周波数帯域の信号を増幅する受信回
路１６の出力特性の劣化を抑制し、この受信回路１６を
単独でフォトダイオード１０に接続した場合の出力特性
にいかに近づけるかが課題としてあった。
【０００７】本発明は、上記の状況を鑑みてなされたも
ので、周波数多重化された光信号を受信して所定の周波
数帯域ごとに増幅を行う際に、高周波数帯域の信号を増
幅する受信回路の出力特性の劣化を抑制することができ
る光受信器を提供することを目的とする。
ので、周波数多重化された光信号を受信して所定の周波
数帯域ごとに増幅を行う際に、高周波数帯域の信号を増
幅する受信回路の出力特性の劣化を抑制することができ
る光受信器を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の光受信器は、
（ａ）広周波数帯域の光信号を受信して電気信号に変換
するフォトダイオードと、（ｂ）フォトダイオードの第
１の端子に接続され、フォトダイオードが受信した光信
号のうち、第１の周波数帯域の光信号に対応する電気信
号を増幅して第１の出力端子に出力する第１の受信回路
と、（ｃ）フォトダイオードの第２の端子に接続され、
フォトダイオードが受信した光信号のうち、第１の周波
数帯域より高域側の第２の周波数帯域の光信号に対応す
る電気信号を増幅して第２の出力端子に出力する第２の
受信回路と、（ｄ）フォトダイオードの第１の端子に接
続され、所定の周波数より高い周波数の電気信号を接地
電位に逃すバイパス回路とを備えることを特徴とする。
（ａ）広周波数帯域の光信号を受信して電気信号に変換
するフォトダイオードと、（ｂ）フォトダイオードの第
１の端子に接続され、フォトダイオードが受信した光信
号のうち、第１の周波数帯域の光信号に対応する電気信
号を増幅して第１の出力端子に出力する第１の受信回路
と、（ｃ）フォトダイオードの第２の端子に接続され、
フォトダイオードが受信した光信号のうち、第１の周波
数帯域より高域側の第２の周波数帯域の光信号に対応す
る電気信号を増幅して第２の出力端子に出力する第２の
受信回路と、（ｄ）フォトダイオードの第１の端子に接
続され、所定の周波数より高い周波数の電気信号を接地
電位に逃すバイパス回路とを備えることを特徴とする。
【０００９】本発明の光受信器においては、第１の周波
数帯域の光信号に対応する電気信号を増幅する第１の受
信回路がフォトダイオードの第１の端子に接続され、第
１の周波数帯域より高域側の第２の周波数帯域の光信号
に対応する電気信号を増幅する第２の受信回路がフォト
ダイオードの第２の端子に接続され、所定の周波数より
高い周波数の電気信号を接地電位に逃すバイパス回路が
フォトダイオードの第１の端子に接続されていることに
より、フォトダイオードの第１の端子は高周波的には接
地されていることになるため、第１の受信回路に入力さ
れた第１の周波数帯域より高周波の電気信号は、バイパ
ス回路を通って接地電位に逃げてしまう。このため、第
１の受信回路に入力された第１の周波数帯域より高周波
の信号がフォトダイオード内部の半導体接合部容量を介
して第２の受信回路の入力に現れることによる第２の受
信回路の入力信号レベルの低下を防止することができ、
従って高周波数帯域の信号を増幅する第２の受信回路の
出力特性の劣化を抑制することができる。
数帯域の光信号に対応する電気信号を増幅する第１の受
信回路がフォトダイオードの第１の端子に接続され、第
１の周波数帯域より高域側の第２の周波数帯域の光信号
に対応する電気信号を増幅する第２の受信回路がフォト
ダイオードの第２の端子に接続され、所定の周波数より
高い周波数の電気信号を接地電位に逃すバイパス回路が
フォトダイオードの第１の端子に接続されていることに
より、フォトダイオードの第１の端子は高周波的には接
地されていることになるため、第１の受信回路に入力さ
れた第１の周波数帯域より高周波の電気信号は、バイパ
ス回路を通って接地電位に逃げてしまう。このため、第
１の受信回路に入力された第１の周波数帯域より高周波
の信号がフォトダイオード内部の半導体接合部容量を介
して第２の受信回路の入力に現れることによる第２の受
信回路の入力信号レベルの低下を防止することができ、
従って高周波数帯域の信号を増幅する第２の受信回路の
出力特性の劣化を抑制することができる。
【００１０】本発明の光受信器のバイパス回路として、
直列に接続された容量、インダクタ、及び抵抗と第１の
容量に直列に接続された第２の容量とを備え、容量の一
端がフォトダイオードの第１の端子に接続され、抵抗の
一端および第２の容量の一端が接地されているバイパス
回路を好適に使用できる。
直列に接続された容量、インダクタ、及び抵抗と第１の
容量に直列に接続された第２の容量とを備え、容量の一
端がフォトダイオードの第１の端子に接続され、抵抗の
一端および第２の容量の一端が接地されているバイパス
回路を好適に使用できる。
【００１１】また、バイパス回路として、容量を備え、
この容量の一端がフォトダイオードの第１の端子に接続
され、他端が接地されているバイパス回路も好適に使用
できる。
この容量の一端がフォトダイオードの第１の端子に接続
され、他端が接地されているバイパス回路も好適に使用
できる。
【００１２】なお、フォトダイオードの第１の端子がフ
ォトダイオードのカソード側端子であり、フォトダイオ
ードの第２の端子がフォトダイオードのアノード側端子
であってもよいし、また、フォトダイオードの第１の端
子がフォトダイオードのアノード側端子であり、フォト
ダイオードの第２の端子がフォトダイオードのカソード
側端子であってもよい。
ォトダイオードのカソード側端子であり、フォトダイオ
ードの第２の端子がフォトダイオードのアノード側端子
であってもよいし、また、フォトダイオードの第１の端
子がフォトダイオードのアノード側端子であり、フォト
ダイオードの第２の端子がフォトダイオードのカソード
側端子であってもよい。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の実施の形態を説明する。図１は本発明の一実施形態に
係る帯域分割型光受信器を示すブロック図である。
の実施の形態を説明する。図１は本発明の一実施形態に
係る帯域分割型光受信器を示すブロック図である。
【００１４】図１に示すように、本発明の一実施の形態
に係る帯域分割型光受信器は、（ａ）広周波数帯域の光
信号を受信して電気信号に変換するフォトダイオード１
０と、（ｂ）フォトダイオード１０のカソード側端子Ｋ
に接続され、フォトダイオード１０が受信した光信号の
うち、周波数帯域Ａの光信号に対応する電気信号を増幅
する受信回路１２と、（ｃ）受信回路１２によって増幅
された電気信号を出力する出力端子１４と、（ｄ）フォ
トダイオード１０のアノード側端子Ａに接続され、フォ
トダイオード１０が受信した光信号のうち、周波数帯域
Ｂの光信号に対応する電気信号を増幅する受信回路１６
と、（ｅ）受信回路１６によって増幅された電気信号を
出力する出力端子１８と、（ｆ）フォトダイオード１０
のカソード側端子Ｋに接続され、所定の周波数より高い
周波数の電気信号を接地電位に逃がすバイパス回路２０
とを備える。
に係る帯域分割型光受信器は、（ａ）広周波数帯域の光
信号を受信して電気信号に変換するフォトダイオード１
０と、（ｂ）フォトダイオード１０のカソード側端子Ｋ
に接続され、フォトダイオード１０が受信した光信号の
うち、周波数帯域Ａの光信号に対応する電気信号を増幅
する受信回路１２と、（ｃ）受信回路１２によって増幅
された電気信号を出力する出力端子１４と、（ｄ）フォ
トダイオード１０のアノード側端子Ａに接続され、フォ
トダイオード１０が受信した光信号のうち、周波数帯域
Ｂの光信号に対応する電気信号を増幅する受信回路１６
と、（ｅ）受信回路１６によって増幅された電気信号を
出力する出力端子１８と、（ｆ）フォトダイオード１０
のカソード側端子Ｋに接続され、所定の周波数より高い
周波数の電気信号を接地電位に逃がすバイパス回路２０
とを備える。
【００１５】次に、図１に示す帯域分割型光受信器の動
作を説明する。
作を説明する。
【００１６】図２は図１の帯域分割型光受信器のフォト
ダイオードに入力される周波数多重化されてた光信号を
示すグラフ、図３は図１の帯域分割型光受信器の出力端
子から出力される電気信号を示すグラフである。図２に
示すように、周波数多重伝送方式により周波数多重化さ
れたＡＭ変調方式の周波数帯域Ａの光信号及びＦＭ変調
方式の周波数帯域Ｂの光信号が、フォトダイオード１０
に光入力される。そしてこの光信号は、逆方向にバイア
スされたフォトダイオード１０によって電気信号に変換
される。
ダイオードに入力される周波数多重化されてた光信号を
示すグラフ、図３は図１の帯域分割型光受信器の出力端
子から出力される電気信号を示すグラフである。図２に
示すように、周波数多重伝送方式により周波数多重化さ
れたＡＭ変調方式の周波数帯域Ａの光信号及びＦＭ変調
方式の周波数帯域Ｂの光信号が、フォトダイオード１０
に光入力される。そしてこの光信号は、逆方向にバイア
スされたフォトダイオード１０によって電気信号に変換
される。
【００１７】次いで、この電気信号のうち、周波数帯域
Ａの光信号に対応する電気信号は、フォトダイオード１
０のカソード側端子Ｋに接続された受信回路１２によっ
て増幅され、出力端子１４から出力される。同時に、周
波数帯域Ｂの光信号に対応する電気信号は、フォトダイ
オード１０のアノード側端子Ａに接続され受信回路１６
によって増幅され、出力端子１８から出力される。
Ａの光信号に対応する電気信号は、フォトダイオード１
０のカソード側端子Ｋに接続された受信回路１２によっ
て増幅され、出力端子１４から出力される。同時に、周
波数帯域Ｂの光信号に対応する電気信号は、フォトダイ
オード１０のアノード側端子Ａに接続され受信回路１６
によって増幅され、出力端子１８から出力される。
【００１８】このとき、一端を接地したバイパス回路２
０がフォトダイオード１０のカソード側端子Ｋに接続さ
れ、フォトダイオード１０のカソード側端子Ｋは高周波
的には接地されていることになるため、受信回路１２に
入力された電気信号のうち、周波数帯域Ａより高周波の
電気信号は、バイパス回路２０を通って接地電位に逃げ
てしまう。従って、受信回路１２に入力された周波数帯
域Ａより高周波の電気信号がフォトダイオード１０の容
量Ｃｊを介して受信回路１６の入力に現れることはな
く、それ故受信回路１６の入力信号レベルを低下させる
ことはないため、従来の帯域分割型光受信器のように受
信回路１６の出力信号強度が劣化することもない。
０がフォトダイオード１０のカソード側端子Ｋに接続さ
れ、フォトダイオード１０のカソード側端子Ｋは高周波
的には接地されていることになるため、受信回路１２に
入力された電気信号のうち、周波数帯域Ａより高周波の
電気信号は、バイパス回路２０を通って接地電位に逃げ
てしまう。従って、受信回路１２に入力された周波数帯
域Ａより高周波の電気信号がフォトダイオード１０の容
量Ｃｊを介して受信回路１６の入力に現れることはな
く、それ故受信回路１６の入力信号レベルを低下させる
ことはないため、従来の帯域分割型光受信器のように受
信回路１６の出力信号強度が劣化することもない。
【００１９】こうして周波数帯域ＡのＡＭ変調方式の信
号を増幅する受信回路１２及び周波数帯域ＢのＦＭ変調
方式の信号を増幅する受信回路１６を備えた帯域分割型
光受信器の出力特性は、図３に示すように、受信回路１
２又は受信回路１６をそれぞれ単独でフォトダイオード
１０に接続した場合の出力信号強度と殆ど等しい出力信
号強度を有することになる。
号を増幅する受信回路１２及び周波数帯域ＢのＦＭ変調
方式の信号を増幅する受信回路１６を備えた帯域分割型
光受信器の出力特性は、図３に示すように、受信回路１
２又は受信回路１６をそれぞれ単独でフォトダイオード
１０に接続した場合の出力信号強度と殆ど等しい出力信
号強度を有することになる。
【００２０】なお、図１に示すバイパス回路２０は、受
信回路１２と同じくフォトダイオード１０のカソード側
端子Ｋに接続されているが、この周波数帯域Ａの信号を
増幅する受信回路１２がフォトダイオード１０のアノー
ド側端子Ａに接続され、周波数帯域Ａより高域側の周波
数帯域Ｂの信号を増幅する受信回路１６がフォトダイオ
ード１０のカソード側端子Ｋに接続されている場合に
は、バイパス回路２０は、受信回路１２と同じくフォト
ダイオード１０のアノード側端子Ａに接続すればよい。
この場合においても、上記図３に示すものと同様の効果
を奏することができる。
信回路１２と同じくフォトダイオード１０のカソード側
端子Ｋに接続されているが、この周波数帯域Ａの信号を
増幅する受信回路１２がフォトダイオード１０のアノー
ド側端子Ａに接続され、周波数帯域Ａより高域側の周波
数帯域Ｂの信号を増幅する受信回路１６がフォトダイオ
ード１０のカソード側端子Ｋに接続されている場合に
は、バイパス回路２０は、受信回路１２と同じくフォト
ダイオード１０のアノード側端子Ａに接続すればよい。
この場合においても、上記図３に示すものと同様の効果
を奏することができる。
【００２１】
【実施例】以下、添付図面を参照して図１に示す帯域分
割型光受信器の特徴をなすバイパス回路の実施例を説明
する。なお、図面の説明において、図１の帯域分割型光
受信器と同一の要素には同一の符号を付し、重複する説
明は省略する。
割型光受信器の特徴をなすバイパス回路の実施例を説明
する。なお、図面の説明において、図１の帯域分割型光
受信器と同一の要素には同一の符号を付し、重複する説
明は省略する。
【００２２】先ず、第１の実施例に係るバイパス回路に
ついて、図４を用いて説明する。ここで、図４は第１の
実施例に係るバイパス回路を有する帯域分割型光受信器
を示す回路ブロック図である。
ついて、図４を用いて説明する。ここで、図４は第１の
実施例に係るバイパス回路を有する帯域分割型光受信器
を示す回路ブロック図である。
【００２３】図４に示すように、本実施例に係るバイパ
ス回路２０は、直列に接続された容量Ｃ1 、インダクタ
Ｌ、及び抵抗Ｒと容量Ｃ1 と直列に接続された容量Ｃ3
とから構成されている。そして容量Ｃ1 の一端がフォト
ダイオード１０のカソード側端子Ｋに接続され、抵抗Ｒ
の一端と容量Ｃ3 の一端とが接地されている。なお、受
信回路１２及び受信回路１６は、図１に示す場合と同様
に、フォトダイオード１０のカソード側端子Ｋ及びアノ
ード側端子Ａにそれぞれ接続されている。
ス回路２０は、直列に接続された容量Ｃ1 、インダクタ
Ｌ、及び抵抗Ｒと容量Ｃ1 と直列に接続された容量Ｃ3
とから構成されている。そして容量Ｃ1 の一端がフォト
ダイオード１０のカソード側端子Ｋに接続され、抵抗Ｒ
の一端と容量Ｃ3 の一端とが接地されている。なお、受
信回路１２及び受信回路１６は、図１に示す場合と同様
に、フォトダイオード１０のカソード側端子Ｋ及びアノ
ード側端子Ａにそれぞれ接続されている。
【００２４】このようにバイパス回路２０が直列に接続
された容量Ｃ1 、インダクタＬ、及び抵抗Ｒと容量Ｃ1
と直列に接続された容量Ｃ3 とから構成されていること
により、所定の周波数より高い周波数の電気信号のみを
通過させるフィルタとして機能するため、既に説明した
ように、受信回路１２に入力された周波数帯域Ａより高
周波の電気信号を接地電位に逃がしてしまうことが可能
となる。
された容量Ｃ1 、インダクタＬ、及び抵抗Ｒと容量Ｃ1
と直列に接続された容量Ｃ3 とから構成されていること
により、所定の周波数より高い周波数の電気信号のみを
通過させるフィルタとして機能するため、既に説明した
ように、受信回路１２に入力された周波数帯域Ａより高
周波の電気信号を接地電位に逃がしてしまうことが可能
となる。
【００２５】従って、本実施例によれば、図３に示す場
合と同様に、周波数帯域Ａの信号を増幅する受信回路１
２及び周波数帯域Ｂの信号を増幅する受信回路１６の出
力特性を、受信回路１２又は受信回路１６をそれぞれ単
独でフォトダイオード１０に接続した場合の出力特性と
殆ど同じにすることができる。
合と同様に、周波数帯域Ａの信号を増幅する受信回路１
２及び周波数帯域Ｂの信号を増幅する受信回路１６の出
力特性を、受信回路１２又は受信回路１６をそれぞれ単
独でフォトダイオード１０に接続した場合の出力特性と
殆ど同じにすることができる。
【００２６】なお、図４に示すバイパス回路２０を構成
する容量Ｃ1 は、受信回路１２と同じくフォトダイオー
ド１０のカソード側端子Ｋに接続されているが、この周
波数帯域Ａの信号を増幅する受信回路１２がフォトダイ
オード１０のアノード側端子Ａに接続され、周波数帯域
Ａより高域側の周波数帯域Ｂの信号を増幅する受信回路
１６がフォトダイオード１０のカソード側端子Ｋに接続
されている場合には、バイパス回路２０を構成する容量
Ｃ1 は、受信回路１２と同じくフォトダイオード１０の
アノード側端子Ａに接続すればよい。この場合において
も、第１の実施例の場合と同様の効果を奏することがで
きる。
する容量Ｃ1 は、受信回路１２と同じくフォトダイオー
ド１０のカソード側端子Ｋに接続されているが、この周
波数帯域Ａの信号を増幅する受信回路１２がフォトダイ
オード１０のアノード側端子Ａに接続され、周波数帯域
Ａより高域側の周波数帯域Ｂの信号を増幅する受信回路
１６がフォトダイオード１０のカソード側端子Ｋに接続
されている場合には、バイパス回路２０を構成する容量
Ｃ1 は、受信回路１２と同じくフォトダイオード１０の
アノード側端子Ａに接続すればよい。この場合において
も、第１の実施例の場合と同様の効果を奏することがで
きる。
【００２７】次に、第２の実施例に係るバイパス回路に
ついて、図５及び図６を用いて説明する。ここで、図５
は第２の実施例に係るバイパス回路を有する帯域分割型
光受信器を示す回路ブロック図、図６は図５の帯域分割
型光受信器による出力特性を示すグラフである。
ついて、図５及び図６を用いて説明する。ここで、図５
は第２の実施例に係るバイパス回路を有する帯域分割型
光受信器を示す回路ブロック図、図６は図５の帯域分割
型光受信器による出力特性を示すグラフである。
【００２８】図５に示すように、本実施例に係るバイパ
ス回路２０は、一端をフォトダイオード１０のカソード
側端子Ｋに接続され、他端を接地されている容量Ｃ2 の
みから構成されている。なお、受信回路１２及び受信回
路１６は、図１に示す場合と同様に、フォトダイオード
１０のカソード側端子Ｋ及びアノード側端子Ａにそれぞ
れ接続されている。
ス回路２０は、一端をフォトダイオード１０のカソード
側端子Ｋに接続され、他端を接地されている容量Ｃ2 の
みから構成されている。なお、受信回路１２及び受信回
路１６は、図１に示す場合と同様に、フォトダイオード
１０のカソード側端子Ｋ及びアノード側端子Ａにそれぞ
れ接続されている。
【００２９】このようにバイパス回路２０が単一の容量
Ｃ2 のみから構成されていることにより、周波数帯域Ａ
と周波数帯域Ｂとの間隔が離れている場合には、第１の
実施例の場合と同様の効果を得ることが可能となる。即
ち、受信回路１２の入力インピーダンスをＺとすると、
周波数帯域Ａにおいて、 １／ωＣ2 ＞｜Ｚ｜ を満足させ、かつ周波数帯域Ｂにおいて、 １／ωＣ2 ＜｜Ｚ｜ を満足させる容量Ｃ2 を選ぶことにより、周波数帯域Ａ
と周波数帯域Ｂとの遷移領域で起こる周波数特性の劣化
を、周波数帯域Ａと周波数帯域Ｂのそれぞれに許容し得
る範囲で分配することができる。
Ｃ2 のみから構成されていることにより、周波数帯域Ａ
と周波数帯域Ｂとの間隔が離れている場合には、第１の
実施例の場合と同様の効果を得ることが可能となる。即
ち、受信回路１２の入力インピーダンスをＺとすると、
周波数帯域Ａにおいて、 １／ωＣ2 ＞｜Ｚ｜ を満足させ、かつ周波数帯域Ｂにおいて、 １／ωＣ2 ＜｜Ｚ｜ を満足させる容量Ｃ2 を選ぶことにより、周波数帯域Ａ
と周波数帯域Ｂとの遷移領域で起こる周波数特性の劣化
を、周波数帯域Ａと周波数帯域Ｂのそれぞれに許容し得
る範囲で分配することができる。
【００３０】従って、本実施例によれば、図６に示すよ
うに、受信回路１２の周波数帯域Ａの出力信号の高域側
と受信回路１６の周波数帯域Ｂのの出力信号の低周波側
とにおいて、それぞれ僅かに信号強度の劣化を生じるも
のの、受信回路１２又は受信回路１６をそれぞれ単独で
フォトダイオード１０に接続した場合の出力特性と概ね
同じにすることができる。このことは、単一の容量Ｃ2
のみでバイパス回路を構成する点を考慮すれば、極めて
現実的な解決手段といえる。
うに、受信回路１２の周波数帯域Ａの出力信号の高域側
と受信回路１６の周波数帯域Ｂのの出力信号の低周波側
とにおいて、それぞれ僅かに信号強度の劣化を生じるも
のの、受信回路１２又は受信回路１６をそれぞれ単独で
フォトダイオード１０に接続した場合の出力特性と概ね
同じにすることができる。このことは、単一の容量Ｃ2
のみでバイパス回路を構成する点を考慮すれば、極めて
現実的な解決手段といえる。
【００３１】なお、図５に示すバイパス回路２０を構成
する容量Ｃ2 は、受信回路１２と同じくフォトダイオー
ド１０のカソード側端子Ｋに接続されているが、この周
波数帯域Ａの信号を増幅する受信回路１２がフォトダイ
オード１０のアノード側端子Ａに接続され、周波数帯域
Ａより高域側の周波数帯域Ｂの信号を増幅する受信回路
１６がフォトダイオード１０のカソード側端子Ｋに接続
されている場合には、バイパス回路を構成する容量Ｃ2
は、受信回路１２と同じくフォトダイオード１０のアノ
ード側端子Ａに接続すればよい。この場合においても、
第２の実施例の場合と同様の効果を奏することができ
る。
する容量Ｃ2 は、受信回路１２と同じくフォトダイオー
ド１０のカソード側端子Ｋに接続されているが、この周
波数帯域Ａの信号を増幅する受信回路１２がフォトダイ
オード１０のアノード側端子Ａに接続され、周波数帯域
Ａより高域側の周波数帯域Ｂの信号を増幅する受信回路
１６がフォトダイオード１０のカソード側端子Ｋに接続
されている場合には、バイパス回路を構成する容量Ｃ2
は、受信回路１２と同じくフォトダイオード１０のアノ
ード側端子Ａに接続すればよい。この場合においても、
第２の実施例の場合と同様の効果を奏することができ
る。
【００３２】
【発明の効果】以上、詳細に説明した通り、本発明の帯
域分割型光受信器によれば、第１の周波数帯域の光信号
に対応する電気信号を増幅する第１の受信回路がフォト
ダイオードの第１の端子に接続され、第１の周波数帯域
より高域側の第２の周波数帯域の光信号に対応する電気
信号を増幅する第２の受信回路がフォトダイオードの第
２の端子に接続され、所定の周波数より高い周波数の電
気信号を接地電位に逃すバイパス回路がフォトダイオー
ドの第１の端子に接続されていることにより、第１の受
信回路に入力された第１の周波数帯域より高周波の電気
信号をバイパス回路を通って接地電位に逃がすことがで
きる。このため、第１の受信回路に入力された第１の周
波数帯域より高周波の電気信号がフォトダイオードの容
量Ｃｊを介して第２の受信回路の入力に現れて第２の受
信回路の入力信号レベルを低下させることはなくなり、
高周波数帯域の信号を増幅する第２の受信回路の出力特
性の劣化を防止することができる。従って、第１の受信
回路及び第２の受信回路の出力特性は、第１の受信回路
又は第２の受信回路をそれぞれ単独でフォトダイオード
に接続した場合の出力特性と殆ど等しいものとなる。
域分割型光受信器によれば、第１の周波数帯域の光信号
に対応する電気信号を増幅する第１の受信回路がフォト
ダイオードの第１の端子に接続され、第１の周波数帯域
より高域側の第２の周波数帯域の光信号に対応する電気
信号を増幅する第２の受信回路がフォトダイオードの第
２の端子に接続され、所定の周波数より高い周波数の電
気信号を接地電位に逃すバイパス回路がフォトダイオー
ドの第１の端子に接続されていることにより、第１の受
信回路に入力された第１の周波数帯域より高周波の電気
信号をバイパス回路を通って接地電位に逃がすことがで
きる。このため、第１の受信回路に入力された第１の周
波数帯域より高周波の電気信号がフォトダイオードの容
量Ｃｊを介して第２の受信回路の入力に現れて第２の受
信回路の入力信号レベルを低下させることはなくなり、
高周波数帯域の信号を増幅する第２の受信回路の出力特
性の劣化を防止することができる。従って、第１の受信
回路及び第２の受信回路の出力特性は、第１の受信回路
又は第２の受信回路をそれぞれ単独でフォトダイオード
に接続した場合の出力特性と殆ど等しいものとなる。
【図１】本発明の一実施の形態に係る帯域分割型光受信
器を示すブロック図である。
器を示すブロック図である。
【図２】図１の帯域分割型光受信器のフォトダイオード
に入力される周波数多重化されてた光信号を示すグラフ
である。
に入力される周波数多重化されてた光信号を示すグラフ
である。
【図３】図１の帯域分割型光受信器の出力端子から出力
される電気信号を示すグラフである。
される電気信号を示すグラフである。
【図４】第１の実施例に係るバイパス回路を有する帯域
分割型光受信器を示す回路ブロック図である。
分割型光受信器を示す回路ブロック図である。
【図５】第２の実施例に係るバイパス回路を有する帯域
分割型光受信器を示す回路ブロックである。
分割型光受信器を示す回路ブロックである。
【図６】図５の帯域分割型光受信器による出力特性を示
すグラフである。
すグラフである。
【図７】従来の帯域分割型光受信器を示すブロック図で
ある。
ある。
【図８】図８（ａ）は図７の帯域分割型光受信器に入力
される周波数多重化されてた光信号を示すグラフであ
り、図８（ｂ）、（ｃ）は図７の帯域分割型光受信器か
ら出力される電気信号を示すグラフである。
される周波数多重化されてた光信号を示すグラフであ
り、図８（ｂ）、（ｃ）は図７の帯域分割型光受信器か
ら出力される電気信号を示すグラフである。
【図９】図７の帯域分割型光受信器のフォトダイオード
の等価回路図である。
の等価回路図である。
【図１０】図７の帯域分割型光受信器の出力特性の劣化
を示すグラフである。
を示すグラフである。
１０…フォトダイオード、１２…受信回路、１４…出力
端子、１６…受信回路、１８…出力端子、２０…バイパ
ス回路、２２…電流源、Ｋ…カソード側端子、Ａ…アノ
ード側端子、Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 …容量、Ｌ…インダク
タ、Ｒ…抵抗。
端子、１６…受信回路、１８…出力端子、２０…バイパ
ス回路、２２…電流源、Ｋ…カソード側端子、Ａ…アノ
ード側端子、Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 …容量、Ｌ…インダク
タ、Ｒ…抵抗。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｂ 10/26 Ｈ０４Ｊ 14/00 14/02
Claims (3)
- 【請求項１】 広周波数帯域の光信号を受信して電気信
号に変換するフォトダイオードと、 前記フォトダイオードの第１の端子に接続され、前記フ
ォトダイオードが受信した光信号のうち、第１の周波数
帯域の光信号に対応する電気信号を増幅して第１の出力
端子に出力する第１の受信回路と、 前記フォトダイオードの第２の端子に接続され、前記フ
ォトダイオードが受信した光信号のうち、前記第１の周
波数帯域より高域側の第２の周波数帯域の光信号に対応
する電気信号を増幅して第２の出力端子に出力する第２
の受信回路と、 前記フォトダイオードの第１の端子に接続され、所定の
周波数より高い周波数の電気信号を接地電位に逃がすバ
イパス回路と、 を備えることを特徴とする光受信器。 - 【請求項２】 前記バイパス回路は、直列に接続された
第１の容量、インダクタ、及び抵抗と前記第１の容量に
直列に接続された第２の容量とを備え、前記第１の容量
の一端が前記フォトダイオードの第１の端子に接続され
るとともに前記抵抗の一端および前記第２の容量の一端
が接地されている、ことを特徴とする請求項１記載の光
受信器。 - 【請求項３】 前記バイパス回路は容量を備え、前記容
量の一端が前記フォトダイオードの第１の端子に接続さ
れるとともに他端が接地されている、ことを特徴とする
請求項１記載の光受信器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7270367A JPH09116497A (ja) | 1995-10-18 | 1995-10-18 | 光受信器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7270367A JPH09116497A (ja) | 1995-10-18 | 1995-10-18 | 光受信器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09116497A true JPH09116497A (ja) | 1997-05-02 |
Family
ID=17485284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7270367A Pending JPH09116497A (ja) | 1995-10-18 | 1995-10-18 | 光受信器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09116497A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001154161A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-08 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2011015164A (ja) * | 2009-07-01 | 2011-01-20 | Hochiki Corp | 光電変換装置 |
-
1995
- 1995-10-18 JP JP7270367A patent/JPH09116497A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001154161A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-08 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2011015164A (ja) * | 2009-07-01 | 2011-01-20 | Hochiki Corp | 光電変換装置 |
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