JPH09121137A - 弾性表面波装置及びそれを用いた機器 - Google Patents
弾性表面波装置及びそれを用いた機器Info
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- JPH09121137A JPH09121137A JP25927796A JP25927796A JPH09121137A JP H09121137 A JPH09121137 A JP H09121137A JP 25927796 A JP25927796 A JP 25927796A JP 25927796 A JP25927796 A JP 25927796A JP H09121137 A JPH09121137 A JP H09121137A
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- Japan
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- conductive
- substrate
- acoustic wave
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Abstract
(57)【要約】
【目的】高周波領域で動作する弾性表面波装置におい
て、入出力端子間、特に基板内部における電磁結合を阻
止して通過帯域特性を改善した弾性表面波装置及びこれ
を用いた機器を提供すること。 【構成】入力端子用導電パターン５と出力端子用導電パ
ターン６との間の絶縁基板１内部に導電部材１２を配置
し、該導電部材をアース用パターン７と電気的に接続し
た。 【効果】入出力端子間の基板内部における電磁結合を防
止し、４００ＭＨｚ以上の高周波帯において５０ｄＢ以
上の帯域外抑圧度（減衰量）を持つ弾性表面波装置を実
現出来る。
て、入出力端子間、特に基板内部における電磁結合を阻
止して通過帯域特性を改善した弾性表面波装置及びこれ
を用いた機器を提供すること。 【構成】入力端子用導電パターン５と出力端子用導電パ
ターン６との間の絶縁基板１内部に導電部材１２を配置
し、該導電部材をアース用パターン７と電気的に接続し
た。 【効果】入出力端子間の基板内部における電磁結合を防
止し、４００ＭＨｚ以上の高周波帯において５０ｄＢ以
上の帯域外抑圧度（減衰量）を持つ弾性表面波装置を実
現出来る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＳＡＷフィルタのを備
えた弾性表面波装置及びこれを用いた機器に係り、特に
４００ＭＨｚ帯以上の高周波帯における入出力アイソレ
ーションを充分得るのに好適な弾性表面波装置及びこれ
を用いた機器に関する。
えた弾性表面波装置及びこれを用いた機器に係り、特に
４００ＭＨｚ帯以上の高周波帯における入出力アイソレ
ーションを充分得るのに好適な弾性表面波装置及びこれ
を用いた機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種のＳＡＷフィルタは所望通過帯域
特性に対し急峻な遮断特性を呈する可能性と共に扁平状
に薄く、軽く形成出来る可能性を有するので、衛星ＴＶ
放送用受信器のＩＦフィルタ、自動車電話や、携帯電話
やページャの如き移動体通信装置用のフィルタとして使
用出来る。この種の装置に於ける各部品の軽薄短小化は
強く要望されている所である。ＳＡＷフィルタは例えば
３６°ＹｃｕｔＸ伝播のＬｉＴａＯ3基板を用いた素子
で、特開昭５６−１３２８０７号、５７−２０２１１４
号、５９−５８９０７号、特にその改良が記載されてい
る。
特性に対し急峻な遮断特性を呈する可能性と共に扁平状
に薄く、軽く形成出来る可能性を有するので、衛星ＴＶ
放送用受信器のＩＦフィルタ、自動車電話や、携帯電話
やページャの如き移動体通信装置用のフィルタとして使
用出来る。この種の装置に於ける各部品の軽薄短小化は
強く要望されている所である。ＳＡＷフィルタは例えば
３６°ＹｃｕｔＸ伝播のＬｉＴａＯ3基板を用いた素子
で、特開昭５６−１３２８０７号、５７−２０２１１４
号、５９−５８９０７号、特にその改良が記載されてい
る。
【０００３】従来のＳＡＷフィルタ用面実装型パッケー
ジは、特開昭６１−２４５７０９号に記載のように、絶
縁基板に複数の端子用パターンがあるのみで、それらの
間の電磁干渉を阻止する構造は設けられていない。
ジは、特開昭６１−２４５７０９号に記載のように、絶
縁基板に複数の端子用パターンがあるのみで、それらの
間の電磁干渉を阻止する構造は設けられていない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】即ち、入出力端子間に
シールドを設け、入出力端子間の電磁結合を阻止するア
イソレーションを得る点について配慮がされていない。
また図８（Ａ）に示す如くセラミック製基板Ｐ上に設け
られたＳＡＷフィルタチップＳＦ、入出力端子ＩＰ，Ｏ
Ｐに加えて、少なくとも入力側アース端子Ｅ１、出力側
アース端子Ｅ２が各１個有する構成が既知であるが、こ
れらは入、出力端子間の電磁結合阻止用の端子ではな
く、基板Ｐの裏側を示すＦｉｇ．８Ｂの如く端子ＩＰ，
ＯＰは基板の表側から延びて来て裏側でも対向配置さ
れ、阻止機能は不充分である。すなわち裏側の各端子は
周辺回路との接続端子としてのみ機能しているものであ
る。従って７０ＭＨｚ以下の低い周波数であれば問題な
いが、特に４００ＭＨｚ以上の高周波においては、入出
力アイソレーションが充分に得られず直達波による帯域
外抑圧度の劣化という問題が生じる。
シールドを設け、入出力端子間の電磁結合を阻止するア
イソレーションを得る点について配慮がされていない。
また図８（Ａ）に示す如くセラミック製基板Ｐ上に設け
られたＳＡＷフィルタチップＳＦ、入出力端子ＩＰ，Ｏ
Ｐに加えて、少なくとも入力側アース端子Ｅ１、出力側
アース端子Ｅ２が各１個有する構成が既知であるが、こ
れらは入、出力端子間の電磁結合阻止用の端子ではな
く、基板Ｐの裏側を示すＦｉｇ．８Ｂの如く端子ＩＰ，
ＯＰは基板の表側から延びて来て裏側でも対向配置さ
れ、阻止機能は不充分である。すなわち裏側の各端子は
周辺回路との接続端子としてのみ機能しているものであ
る。従って７０ＭＨｚ以下の低い周波数であれば問題な
いが、特に４００ＭＨｚ以上の高周波においては、入出
力アイソレーションが充分に得られず直達波による帯域
外抑圧度の劣化という問題が生じる。
【０００５】本発明の目的は、高周波領域で動作する弾
性表面波装置において、入出力端子間、特に基板内部に
おける電磁結合を阻止して通過帯域特性を改善した弾性
表面波装置及びこれを用いた機器を提供することにあ
る。
性表面波装置において、入出力端子間、特に基板内部に
おける電磁結合を阻止して通過帯域特性を改善した弾性
表面波装置及びこれを用いた機器を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明に係る弾性表面波装置は、ＳＡＷフィルタ・チ
ップと、該ＳＡＷフィルタ・チップに電気的に接続され
る入力端子用導電パターン及び出力端子用導電パターン
並びにアース用パターンが形成された絶縁基板とを有す
る弾性表面波装置において、前記入力端子用導電パター
ンと前記出力端子用導電パターンとの間の前記絶縁基板
内部に、少なくとも１つ以上の導電部材を配置し、該導
電部材を前記アース用パターンと電気的に接続したこと
を特徴とする。
の本発明に係る弾性表面波装置は、ＳＡＷフィルタ・チ
ップと、該ＳＡＷフィルタ・チップに電気的に接続され
る入力端子用導電パターン及び出力端子用導電パターン
並びにアース用パターンが形成された絶縁基板とを有す
る弾性表面波装置において、前記入力端子用導電パター
ンと前記出力端子用導電パターンとの間の前記絶縁基板
内部に、少なくとも１つ以上の導電部材を配置し、該導
電部材を前記アース用パターンと電気的に接続したこと
を特徴とする。
【０００７】前記導電部材の少なくとも１つを、前記入
力端子用導電パターンと出力端子用導電パターンとを結
ぶ直線上に配置してもよい。
力端子用導電パターンと出力端子用導電パターンとを結
ぶ直線上に配置してもよい。
【０００８】前記ＳＡＷフィルタ・チップは、導電性を
有するケース部材により覆われて密閉されてもよい。こ
のケース部材は金属製であってもよい。
有するケース部材により覆われて密閉されてもよい。こ
のケース部材は金属製であってもよい。
【０００９】また、本発明では、４００ＭＨｚ以上の周
波数帯で、通過帯域外の減衰量が５０ｄＢ以上の弾性表
面波装置が実現できる。
波数帯で、通過帯域外の減衰量が５０ｄＢ以上の弾性表
面波装置が実現できる。
【００１０】
【作用】本発明によれば、入、出力端子用導電パターン
間の絶縁基板内部に導電部材を挿入し、これをアース用
パターンに接続したので、入力端子用導電パターンから
出力端子用導電パターンへ、絶縁基板内部介して伝達す
る直達波を遮断でき、絶縁基板内部に発生する電磁結合
を防止できる。また、ＳＡＷフィルタ・チップが金属製
にカバー部材により覆われて密閉されるので、外部から
の電磁波に対してシールドすることができる。
間の絶縁基板内部に導電部材を挿入し、これをアース用
パターンに接続したので、入力端子用導電パターンから
出力端子用導電パターンへ、絶縁基板内部介して伝達す
る直達波を遮断でき、絶縁基板内部に発生する電磁結合
を防止できる。また、ＳＡＷフィルタ・チップが金属製
にカバー部材により覆われて密閉されるので、外部から
の電磁波に対してシールドすることができる。
【００１１】
【実施例】図１（Ａ）は、本発明の一実施例を示したも
のである。ＳＡＷフィルタチップ３は、ダイボンド接着
剤によりセラミック製の両面基板１に接着される。基板
上に入、出力端子用導電パターン５，６に加えてアース
用パターン７が例えばＮｉメッキ層上にＡｕメッキを施
して図示の配置に設けられる。基板表面の中央両側部に
設けられたパターン５，６と絶縁スペース１０を介して
パターン７がこれらを囲む様に配置される。そしてチッ
プ上の入力パッド８（例えばＡｌ蒸着膜）と基板の入力
端子用パターン５、出力パッド９と出力端子用パターン
６、アースパッドとアース用パターン７はワイヤ４にて
電気的に接続されている。両面基板１の上、下面を図２
（Ａ），（Ｂ）で示すように、各導電パターンは両面で
同じ様に設けられて、夫れ夫れ側面部に設けられる延長
部６ｃ，７ｃを介して導電結合している。またスルーホ
ール１２（例えばＮｉを埋込む）を形成して電気的に接
続してもよい。基板表面中央部（チップ３の下部付近）
に複数のスルーホール１２（図２（Ａ）では３個）を設
けてアース用パターン７と接続することにより基板内部
を通る電磁結合を阻止する効果も生じる。基板の上、下
面上で入、出力端子用パターンを囲む様にアースパター
ン７を配置する構造により、入、出力端子用パターン間
の電磁結合による直達波を遮断することができる。それ
によって、４００ＭＨｚ以上の高周波帯においても入出
力間のアイソレーションが充分に得られ、４０ｄＢ以上
の帯域外抑圧度と共に実質的にＳＡＷフィルタチップ３
の音響特性を表わす急峻な立ち上り、立ち下り特性を持
つ帯域特性を実現できる。そして、外部の塵埃や湿気を
防ぐために非金属、例えば樹脂製のキャップ２にて封止
することにより、面付けタイプのＳＡＷフィルタ装置を
実現することができる。
のである。ＳＡＷフィルタチップ３は、ダイボンド接着
剤によりセラミック製の両面基板１に接着される。基板
上に入、出力端子用導電パターン５，６に加えてアース
用パターン７が例えばＮｉメッキ層上にＡｕメッキを施
して図示の配置に設けられる。基板表面の中央両側部に
設けられたパターン５，６と絶縁スペース１０を介して
パターン７がこれらを囲む様に配置される。そしてチッ
プ上の入力パッド８（例えばＡｌ蒸着膜）と基板の入力
端子用パターン５、出力パッド９と出力端子用パターン
６、アースパッドとアース用パターン７はワイヤ４にて
電気的に接続されている。両面基板１の上、下面を図２
（Ａ），（Ｂ）で示すように、各導電パターンは両面で
同じ様に設けられて、夫れ夫れ側面部に設けられる延長
部６ｃ，７ｃを介して導電結合している。またスルーホ
ール１２（例えばＮｉを埋込む）を形成して電気的に接
続してもよい。基板表面中央部（チップ３の下部付近）
に複数のスルーホール１２（図２（Ａ）では３個）を設
けてアース用パターン７と接続することにより基板内部
を通る電磁結合を阻止する効果も生じる。基板の上、下
面上で入、出力端子用パターンを囲む様にアースパター
ン７を配置する構造により、入、出力端子用パターン間
の電磁結合による直達波を遮断することができる。それ
によって、４００ＭＨｚ以上の高周波帯においても入出
力間のアイソレーションが充分に得られ、４０ｄＢ以上
の帯域外抑圧度と共に実質的にＳＡＷフィルタチップ３
の音響特性を表わす急峻な立ち上り、立ち下り特性を持
つ帯域特性を実現できる。そして、外部の塵埃や湿気を
防ぐために非金属、例えば樹脂製のキャップ２にて封止
することにより、面付けタイプのＳＡＷフィルタ装置を
実現することができる。
【００１２】図３（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）は本発明の別
の実施例を示し、基板の表、裏面、側面の導電パターン
のレイアウトならびに主要部の寸法のみを示し、他部分
は図１実施例と同様なので図示を省略してある。
の実施例を示し、基板の表、裏面、側面の導電パターン
のレイアウトならびに主要部の寸法のみを示し、他部分
は図１実施例と同様なので図示を省略してある。
【００１３】図１（Ａ）の導電パターンのレイアウトに
対し本実施例の導電パターンのレイアウトの主な差異は
基板の表、裏面の入、出力端子用導電パターンが基板側
面上の延長部を介して互に接続されておらず、ＳＡＷフ
ィルタ・チップが設けられる表側表面の入、出力端子用
導電パターン３５，３６は孤立しており、その周囲に絶
縁スペース部３０が設けられて、このスペース部３０を
介してアース用導電パターン３７がパターン３５，３６
を囲むレイアウトとなっている。従って基板裏面に設け
られ、入、出力端子用導電パターン３５′，３６′とは
スルーホール１２を通して電気的に接続され、導電パタ
ーン３５′，３６′の周囲に絶縁スペース部３０′が設
けられるのは図２で示すレイアウトと同様である。この
ように入、出力端子用導電パターンの孤立化により図７
で示す金属製（導電性）のキャップを用いて密封するこ
とが可能となる。
対し本実施例の導電パターンのレイアウトの主な差異は
基板の表、裏面の入、出力端子用導電パターンが基板側
面上の延長部を介して互に接続されておらず、ＳＡＷフ
ィルタ・チップが設けられる表側表面の入、出力端子用
導電パターン３５，３６は孤立しており、その周囲に絶
縁スペース部３０が設けられて、このスペース部３０を
介してアース用導電パターン３７がパターン３５，３６
を囲むレイアウトとなっている。従って基板裏面に設け
られ、入、出力端子用導電パターン３５′，３６′とは
スルーホール１２を通して電気的に接続され、導電パタ
ーン３５′，３６′の周囲に絶縁スペース部３０′が設
けられるのは図２で示すレイアウトと同様である。この
ように入、出力端子用導電パターンの孤立化により図７
で示す金属製（導電性）のキャップを用いて密封するこ
とが可能となる。
【００１４】図３（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）の実施例では
５×７×０．５ｍｍのセラミック基板（材質Ａｌ2Ｏ3）
を使用する。パターンはＮｉメッキした上にＡｕメッキ
をほどこし、Ａｌ超音波ボンディングが可能で、しかも
半田付け性も良好になる様配慮している。
５×７×０．５ｍｍのセラミック基板（材質Ａｌ2Ｏ3）
を使用する。パターンはＮｉメッキした上にＡｕメッキ
をほどこし、Ａｌ超音波ボンディングが可能で、しかも
半田付け性も良好になる様配慮している。
【００１５】図３（Ａ）において、寸法ａ，ｂはワイヤ
ボンディング性を行う０．５ｍｍ，０．５５ｍｍと設定
している。また、寸法ｃは半田付けをほどこす為、０．
７ｍｍとした。シールドパターンと入出力パターンとの
間のスペースの幅ｄ，ｅは電気的特性上重要である。特
に寸法ｅ部は、共平面線路を形成しており、ＳＡＷフィ
ルタの特性インピーダンスに合わせた、特性インピーダ
ンスとなる様決定すべきである。ここでは、ＳＡＷフィ
ルタのインピーダンス５０Ωに合わせることにした。Ａ
ｌ2Ｏ3セラミック基板の誘電率εｒが１０程度であるこ
とにより、ｃ／（ｃ＋２ｃ）＝０．４にて線路インピー
ダンスが５０Ωとなる。このことにより、ｅを０．６ｍ
ｍと設定した。同様にｄを０．５ｍｍと設定した。また
シールドパターンの幅ｆ，ｇはワイヤボンディングの位
置ずれ、半田ブリッジ等でショートにならない範囲で出
来るだけ広く設定した。ｆ＝２．６ｍｍ，ｇ＝１．６ｍ
ｍと設定した。また、半田付けをほどこす、側面パター
ンのピッチｈは０．２７ｍｍとした。なお基板の長さ方
向側面部においても基板両面部のアースパターンを短絡
する導電部を設けている。
ボンディング性を行う０．５ｍｍ，０．５５ｍｍと設定
している。また、寸法ｃは半田付けをほどこす為、０．
７ｍｍとした。シールドパターンと入出力パターンとの
間のスペースの幅ｄ，ｅは電気的特性上重要である。特
に寸法ｅ部は、共平面線路を形成しており、ＳＡＷフィ
ルタの特性インピーダンスに合わせた、特性インピーダ
ンスとなる様決定すべきである。ここでは、ＳＡＷフィ
ルタのインピーダンス５０Ωに合わせることにした。Ａ
ｌ2Ｏ3セラミック基板の誘電率εｒが１０程度であるこ
とにより、ｃ／（ｃ＋２ｃ）＝０．４にて線路インピー
ダンスが５０Ωとなる。このことにより、ｅを０．６ｍ
ｍと設定した。同様にｄを０．５ｍｍと設定した。また
シールドパターンの幅ｆ，ｇはワイヤボンディングの位
置ずれ、半田ブリッジ等でショートにならない範囲で出
来るだけ広く設定した。ｆ＝２．６ｍｍ，ｇ＝１．６ｍ
ｍと設定した。また、半田付けをほどこす、側面パター
ンのピッチｈは０．２７ｍｍとした。なお基板の長さ方
向側面部においても基板両面部のアースパターンを短絡
する導電部を設けている。
【００１６】図８に示す従来技術の面付けパッケージに
よるＳＡＷフィルタと、図１（Ａ），（Ｂ）の実施例に
よるＳＡＷフィルタ装置を用いて４５０ＭＨｚ帯ＳＡＷ
フィルタとの特性を図４は比較して示している。
よるＳＡＷフィルタと、図１（Ａ），（Ｂ）の実施例に
よるＳＡＷフィルタ装置を用いて４５０ＭＨｚ帯ＳＡＷ
フィルタとの特性を図４は比較して示している。
【００１７】図４は、図９に示す従来技術の基板を用い
たＳＡＷフィルタ装置と、図３（Ａ），（Ｂ）に示す基
板を用いた図１０に示す実施例によるＳＡＷフィルタ装
置を用いて、４５０ＭＨｚ帯ＳＡＷフィルタを作成し、
その特性を比較したものである。４５０ＭＨｚ帯ＳＡＷ
フィルタ基本設計は圧電結晶基板である３６°Ｙｃｕｔ
Ｘ伝播ＬｉＴａＯ3基板を用いた素子で、その圧電基板
上の電極パターンは、特開昭５６−１３２８０７号、５
７−２０２１１４号、５９−５８９０７号公報等に記載
された設計手法により設計されている。チップサイズは
３．０×３．５ｍｍであり、図９に示す様に入、出力用
ボンディングパッド４１，４２各１個アース用ボンディ
ングパッド４３，４４，４５，４６，４７，４８，６
個、合計８本のワイヤボンディングによりパッケージ基
板との電気的接続を行なう必要がある。したがって従来
技術の基板は図９に示す様に６端子のものを用い、入、
出力用にＩＰ，ＯＰ２端子、アース用にＦ１，Ｆ２，Ｆ
３，Ｆ４，４端子を用いてワイヤ配線を行なった。図１
０は本発明を用いた装置であり、入出力ボンディングパ
ッドはＩＰ，ＯＰと接続され、アースパッド４３，４
４，４５，４６，４７，４８はアースパターンＥと接続
されている。このように作成した基板をキャップにて封
止し、ＳＡＷフィルタ装置を作成した。本装置の電気的
特性測定には、図１１に示す特性測定用基板を用い、従
来技術の装置では、ＩＰとＩＩＰ，ＯＰとＯＯＰ，Ｅ
１，Ｅ３とＥＥ１，Ｅ２，Ｅ４とＥＥ２を半田付けにて
接続し本発明による装置ではＩＰとＩＩＰ，ＯＰとＯＯ
Ｐ，Ｅ６，Ｅ７，Ｅ８とＥＥ１，Ｅ３，Ｅ４，Ｅ５とＥ
Ｅ２を半田付けにて接続し、測定用基板を５０Ω同軸ケ
ーブルにて接続し、ネットワークアナライサ（例えばＨ
Ｐ製８５０７Ｂ）にて電気的特性を測定した。なお、図
１１でインダクタＬ1，Ｌ2はＳＡＷフィルタの内部容量
分をキャンセルするマッチング用コイルである。特性グ
ラフから分る様に、本発明による装置の帯域外抑圧度は
５０ｄＢを実現しており、従来装置に対し、２０ｄＢ以
上良好である。
たＳＡＷフィルタ装置と、図３（Ａ），（Ｂ）に示す基
板を用いた図１０に示す実施例によるＳＡＷフィルタ装
置を用いて、４５０ＭＨｚ帯ＳＡＷフィルタを作成し、
その特性を比較したものである。４５０ＭＨｚ帯ＳＡＷ
フィルタ基本設計は圧電結晶基板である３６°Ｙｃｕｔ
Ｘ伝播ＬｉＴａＯ3基板を用いた素子で、その圧電基板
上の電極パターンは、特開昭５６−１３２８０７号、５
７−２０２１１４号、５９−５８９０７号公報等に記載
された設計手法により設計されている。チップサイズは
３．０×３．５ｍｍであり、図９に示す様に入、出力用
ボンディングパッド４１，４２各１個アース用ボンディ
ングパッド４３，４４，４５，４６，４７，４８，６
個、合計８本のワイヤボンディングによりパッケージ基
板との電気的接続を行なう必要がある。したがって従来
技術の基板は図９に示す様に６端子のものを用い、入、
出力用にＩＰ，ＯＰ２端子、アース用にＦ１，Ｆ２，Ｆ
３，Ｆ４，４端子を用いてワイヤ配線を行なった。図１
０は本発明を用いた装置であり、入出力ボンディングパ
ッドはＩＰ，ＯＰと接続され、アースパッド４３，４
４，４５，４６，４７，４８はアースパターンＥと接続
されている。このように作成した基板をキャップにて封
止し、ＳＡＷフィルタ装置を作成した。本装置の電気的
特性測定には、図１１に示す特性測定用基板を用い、従
来技術の装置では、ＩＰとＩＩＰ，ＯＰとＯＯＰ，Ｅ
１，Ｅ３とＥＥ１，Ｅ２，Ｅ４とＥＥ２を半田付けにて
接続し本発明による装置ではＩＰとＩＩＰ，ＯＰとＯＯ
Ｐ，Ｅ６，Ｅ７，Ｅ８とＥＥ１，Ｅ３，Ｅ４，Ｅ５とＥ
Ｅ２を半田付けにて接続し、測定用基板を５０Ω同軸ケ
ーブルにて接続し、ネットワークアナライサ（例えばＨ
Ｐ製８５０７Ｂ）にて電気的特性を測定した。なお、図
１１でインダクタＬ1，Ｌ2はＳＡＷフィルタの内部容量
分をキャンセルするマッチング用コイルである。特性グ
ラフから分る様に、本発明による装置の帯域外抑圧度は
５０ｄＢを実現しており、従来装置に対し、２０ｄＢ以
上良好である。
【００１８】図５（Ａ），（Ｂ）は本発明の更に別の実
施例を示し、セラミック基板１上に於て、アース用導電
パターン５７を入、出力端子用導電パターン５′，６′
の間に帯状に設けたレイアウトを示す。
施例を示し、セラミック基板１上に於て、アース用導電
パターン５７を入、出力端子用導電パターン５′，６′
の間に帯状に設けたレイアウトを示す。
【００１９】図６は、本発明の別の実施例の導電パター
ンレイアウトを示す。このように入力端子用導電パター
ン２個６５−１，６５−２、出力端子用導電パターン２
個６６−１，６６−２の場合でもこれらの間にアース用
パターン６７を設けることにより本発明の効果を得るこ
とが出来、２個以上の場合も同様である。また図６
（Ａ），（Ｂ）上、下面パターンの電気的接続法は、本
実施例スルーホール１２以外の方法においても、同等の
効果を得ることができる。本発明により複数のフィルタ
特性を有するＳＡＷフィルタ・チップを１パッケージ内
に実装可能となり、異なる２つの帯域幅のフィルタ特性
を有するＢＳチューナー用デュアル・ＳＡＷフィルタ装
置を１パッケージ内に実装して特性を改善することが出
来る。
ンレイアウトを示す。このように入力端子用導電パター
ン２個６５−１，６５−２、出力端子用導電パターン２
個６６−１，６６−２の場合でもこれらの間にアース用
パターン６７を設けることにより本発明の効果を得るこ
とが出来、２個以上の場合も同様である。また図６
（Ａ），（Ｂ）上、下面パターンの電気的接続法は、本
実施例スルーホール１２以外の方法においても、同等の
効果を得ることができる。本発明により複数のフィルタ
特性を有するＳＡＷフィルタ・チップを１パッケージ内
に実装可能となり、異なる２つの帯域幅のフィルタ特性
を有するＢＳチューナー用デュアル・ＳＡＷフィルタ装
置を１パッケージ内に実装して特性を改善することが出
来る。
【００２０】図７は本発明による更に別の実施例を示
し、図３（Ａ）の両面基板１に金属性の枠１９を銀ロウ
付け等により接着したものに、金属性の平板２０を例え
ばシーム熔接等にて熔接する構造を示している。この構
造により塵埃、湿気に対し気密性の高い（例えば、１×
１０~5atm cc／secＨｅオーダのＭｉｌｉｔａｒｙ規
格）パッケージを実現することができると共に外部の電
磁波に対するシールド効果も得られる。
し、図３（Ａ）の両面基板１に金属性の枠１９を銀ロウ
付け等により接着したものに、金属性の平板２０を例え
ばシーム熔接等にて熔接する構造を示している。この構
造により塵埃、湿気に対し気密性の高い（例えば、１×
１０~5atm cc／secＨｅオーダのＭｉｌｉｔａｒｙ規
格）パッケージを実現することができると共に外部の電
磁波に対するシールド効果も得られる。
【００２１】
【発明の効果】以上述べた如く、本発明によれば、入出
力間アイソレーションを充分に得ることができるので、
４００ＭＨｚ以上の高周波帯においても、５０ｄＢ以上
の帯域外抑圧度（減衰量）を持つ弾性表面波装置を実現
出来る。
力間アイソレーションを充分に得ることができるので、
４００ＭＨｚ以上の高周波帯においても、５０ｄＢ以上
の帯域外抑圧度（減衰量）を持つ弾性表面波装置を実現
出来る。
【図１】本発明の一実施例のＳＡＷフィルタ装置及び密
封用キャップの斜視図。
封用キャップの斜視図。
【図２】図１の基板上の導電パターン配置を示す上面、
側面、下面図。
側面、下面図。
【図３】本発明の第２実施例の導電パターン配置（レイ
アウト）の平面図。
アウト）の平面図。
【図４】本発明によるＳＡＷフィルタ装置と従来の装置
との特性を比較する特性図。
との特性を比較する特性図。
【図５】別の実施例の斜視図。
【図６】別の実施例の斜視図。
【図７】別の実施例の斜視図。
【図８】従来例の斜視図。
【図９】別の実施例の斜視図。
【図１０】別の実施例の斜視図。
【図１１】電気的特性測定用基板の斜視図。
１…両面基板、 ２…キャップ、 ３…ＳＡＷフィルタチップ、 ４…ワイヤ、 ５…入力端子パターン、 ６…出力端子パターン、 ７…アースパターン、 ８…上面図、 ９…側面図、 １０…下面図、 １１…断面図、 １２…スルーホール、 １３…従来技術による基板、 １４…本発明による特性、 １５…従来技術による特性、 １６…上面図、 １７…側面図、 １８…下面図、 １９…金属性枠、 ２０…金属性平板。
Claims (6)
- 【請求項１】ＳＡＷフィルタ・チップと、該ＳＡＷフィ
ルタ・チップに電気的に接続される入力端子用導電パタ
ーン及び出力端子用導電パターン並びにアース用パター
ンが形成された絶縁基板とを有する弾性表面波装置にお
いて、 前記入力端子用導電パターンと前記出力端子用導電パタ
ーンとの間の前記絶縁基板内部に、少なくとも１つ以上
の導電部材を配置し、該導電部材を前記アース用パター
ンと電気的に接続したことを特徴とする弾性表面波装
置。 - 【請求項２】前記導電部材の少なくとも１つは、前記入
力端子用導電パターンと出力端子用導電パターンとを結
ぶ直線上に配置されることを特徴とする請求項１に記載
の弾性表面波装置。 - 【請求項３】前記ＳＡＷフィルタ・チップは、導電性を
有するケース部材により覆われて密閉されることを特徴
とする請求項１または２に記載の弾性表面波装置。 - 【請求項４】前記ケース部材は金属製であることを特徴
とする請求項３に記載の弾性表面波装置。 - 【請求項５】ＳＡＷフィルタ・チップと、該ＳＡＷフィ
ルタ・チップに電気的に接続される入力端子用導電パタ
ーン及び出力端子用導電パターン並びにアース用パター
ンが形成された基板とを有し、 前記入力端子用導電パターンと前記出力端子用導電パタ
ーンとの間の前記基板内部に、少なくとも１つ以上の導
電部材を配置し、該導電部材を前記アース用パターンと
電気的に接続した弾性表面波装置を、該アース用パター
ンを接地してフィルタとして使用したことを特徴とする
機器。 - 【請求項６】４００ＭＨｚ以上の周波数帯でフィルタと
して使用され、その通過帯域外の減衰量が５０ｄＢ以上
であることを特徴とする弾性表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8259277A JP2892993B2 (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8259277A JP2892993B2 (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 弾性表面波装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1278379A Division JP2894616B2 (ja) | 1988-10-31 | 1989-10-27 | 弾性表面波装置及びこれを用いた機器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09121137A true JPH09121137A (ja) | 1997-05-06 |
| JP2892993B2 JP2892993B2 (ja) | 1999-05-17 |
Family
ID=17331864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8259277A Expired - Fee Related JP2892993B2 (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2892993B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007171024A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Ngk Spark Plug Co Ltd | センサ制御用回路ユニット、および検出装置 |
| US7515017B2 (en) | 2005-10-26 | 2009-04-07 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave device utilizing a terminal routing pattern |
| USRE42204E1 (en) * | 1998-05-13 | 2011-03-08 | Sony Corporation | Information receiving device and method, information release device, and information communication system |
| WO2012144228A1 (ja) * | 2011-04-21 | 2012-10-26 | 株式会社村田製作所 | 回路モジュール |
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| JPS633623U (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-11 | ||
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| JPS63111713A (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表面波フイルタ |
-
1996
- 1996-09-30 JP JP8259277A patent/JP2892993B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US9252476B2 (en) | 2011-04-21 | 2016-02-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Circuit module including a splitter and a mounting substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2892993B2 (ja) | 1999-05-17 |
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